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KR100272718B1 - 와이어 접착용 리드 프레임과 리드 프레임을 이용한 반도체 장치 형성 방법 - Google Patents

와이어 접착용 리드 프레임과 리드 프레임을 이용한 반도체 장치 형성 방법 Download PDF

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KR100272718B1
KR100272718B1 KR1019970052785A KR19970052785A KR100272718B1 KR 100272718 B1 KR100272718 B1 KR 100272718B1 KR 1019970052785 A KR1019970052785 A KR 1019970052785A KR 19970052785 A KR19970052785 A KR 19970052785A KR 100272718 B1 KR100272718 B1 KR 100272718B1
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KR
South Korea
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wire
fork
lead frame
lid
lead
Prior art date
Application number
KR1019970052785A
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English (en)
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Inventor
타다유키 신가이
Original Assignee
가네꼬 히사시
닛본 덴기 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가네꼬 히사시, 닛본 덴기 가부시키가이샤 filed Critical 가네꼬 히사시
Publication of KR19980032855A publication Critical patent/KR19980032855A/ko
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Abstract

본 발명에 따라서, 각 리드 프레임은 와이어를 수용할 수 있도록 조절되어 있는 오목부가 형성된 포크형 선단부를 가지며, 이 포크형 선단부가 와이어를 포획하고 있어서 와이어에 외부의 힘이 가해지더라도 크게 움직이지 않게 된다. 와이어와 밀도가 높을 때조차도, 용융 수지의 유동으로 인한 와이어의 움직임을 차단할 수 있으며, 따라서 와이어들간의 상호 접촉이 억제되며, 이로써 발생할 수 있는 임의의 단락이 방지된다. 인접한 두 와이어들 사이의 거리는 다른 위치에서보다 코너에서 더 좁다. 그럼에도 불구하고, 코너에서의 와이어는 리드 프레임의 포크형 선단부에 의해 용융 수지의 유동으로 인할 움직임을 차단할 수 있기 때문에 와이어들간의 상호 접촉을 억제하여 임의의 단락을 방지할 수 있다.

Description

와이어 접착용 리드 프레임과 리드 프레임을 이용한 반도체 장치 형성 방법
본 발명은 와이어 접착용 리드 프레임과 이 리드 프레임을 이용한 반도체 장치 형성 방법, 특히 와이어를 접착하는 와이어 접착 방법에 관한 것이다.
제1도는 와이어 접착과 수지 밀봉을 위해 이용되는 리드 프레임의 평면도이다. 리드(2)는 아일런드(4)로부터 방사형으로 연장된다. 이때, 리드(2)를 가로질러 타이바(tie-bar: 7)가 연장되어 있으며 이 타이바는 정사각형의 4변을 형성한다. 이 사각형의 일측의 코너에는 게이트(8)가 형성된다. 이하에서는 접착 공정을 제2(a)도 내지 제2(d)도에 관련하여 설명한다.
제2(a)도에서, 와이어(1)는 주위에 리드(2)가 제공되어 있는 아일런드(4)상의 펠릿(3) 위에서 모세관(5)에 의하여 접착된다.
제2(b)도에서, 모세관(5)은 펠릿(3)과 리드(2) 사이에 연장된 와이어(1)가 루프(loop)를 형성하도록 리드(2)를 향하여 이동된다.
제2(c)도에서, 모세관(5)이 리드(2)에 도달하면 와이어(1)는 모세관(5)에 의하여 리드(2)에 접착되고, 따라서 와이어(1)는 펠릿(3)과 리드(2) 사이에 접착된다.
제2(d)도에서, 리드(2)로부터 모세관(5)이 분리된다.
이하에서는, 종래의 수지 밀봉 공정에 대하여 설명한다.
제3(a)도에서, 와이어로 접착된 펠릿과 리드가 다이(9)의 공동에 배치된다.
제3(b)도에서, 와이어로 접착된 펠릿과 리드가 배치되어 있는 다이(5)의 공동을 가득 채울 수 있을 정도로 코너에 위치한 게이트로부터 용융 수지(10)가 유입된다.
제3(c)도에서, 용융 수지(10)가 다이(9)의 공동에 충전되면 와이어로 접착된 펠릿과 리드는 용융 수지(10)로 밀봉된다.
제4도는 다이의 공동에 용융 수지가 충전되어 반도체 장치가 밀봉된 후에 아일런드상의 펠릿과 리드 사이에서 연장된 와이어를 도시한 평면도이다. 여기서 용융 수지는 게이트(5)로부터 다이(9)의 공동으로 유입된 것이다. 각 와이어는 펠릿과 리드의 각 단부에서는 고정되나 와이어의 중간부분에서는 고정되지 않는다. 따라서, 용융 수지의 유동방향과 거의 평행한 방향으로 연장되어 있는 와이어는 움직이지 않지만, 용융 수지의 유동방향과 거의 수직한 방향으로 연장되어 있는 와이어는 용융 수지의 유동으로 인해 크게 움직이게 된다.
특히, 와이어의 밀도가 높을 때는, 용융 수지의 유동으로 인해 와이어가 크게 움직이게 되어 와이어들이 상호 접촉하므로써 단락을 형성할 수 있다. 코너에서 인접한 두 개의 와이어간의 거리는 다른 위치에서보다 더 좁기 때문에, 와이어 들은 상호 접촉하기가 쉬워지고 그리하여 단락을 형성하게 된다.
이러한 상황에 있어서, 단락의 형성을 방지하기 위해 용융 수지의 유동으로 인해 각 와이어가 크게 움직이는 것을 차단할 수 있는 새로운 리드 프레임 구조의 개발이 요구되어 왔다.
따라서 본 발명의 목적은, 단락 형성을 방지하기 위해서 용융 수지의 유동으로 인해 각 와이어가 크게 움직이는 것을 차단할 수 있는 새로운 리드 프레임 구조를 제공하는 데 있다.
또한, 본 발명의 목적은 상기와 같이 개선된 리드와 펠릿간의 새로운 와이어 접착 방법을 제공하는 데 있으며, 이로써 용융 수지의 유동으로 인한 각 와이어들의 움직임을 차단하여 단락 형성을 방지한다.
본 발명의 상기 목적 및 기타 목적, 특징 및 장점들은 이하의 설명으로 명백해 질 것이다.
본 발명에 따라서, 각 리드들은 와이어를 수용할 수 있도록 조절되어 있는 오목부가 형성된 포크형 선단부를 가지며, 이 포크형 선단부가 와이어를 포획하고 있어서 와이어가 크게 움직이지 않게 된다. 또한, 와이어의 밀도가 높을 때조차도, 용융 수지의 유동으로 인한 와이어의 움직임을 차단할 수 있으며, 따라서 와이어들간의 상호 접촉이 억제되며, 이로써 임의의 단락을 방지할 수 있다. 인접한 두 와이어들 사이의 거리는 다른 위치에서보다 코너에서 더 좁다. 그럼에도 불구하고, 코너에서의 와이어는 리드의 포크형 선단부에 의해 용융 수지의 유동으로 인한 움직임을 차단할 수 있기 때문에 와이어들간의 상호 접촉을 억제하여 임의의 단락을 방지할 수 있다.
또한 본 발명에 따라서, 와이어는 이 와이어의 일단부가 먼저 모세관에 의해 아일런드상의 펠릿에 접착된다. 그후, 포크형 선단부를 이용하여 와이어를 포획하므로써 와이어가 크게 움직이는 것을 차단할 수 있도록, 모세관은 펠릿으로부터 리드의 포크형 선단부 밑에 배치된 평판으로 이동하여 와이어를 평판 상에 결합시키며, 여기서 평판은 리드의 바닥면에서 약간 떨어져 있다. 와이어의 대향 단부가 리드의 바닥면에 고정될 수 있도록, 모세관은 평판이 리드의 바닥면까지 들어올려지기 전에 평판에서 분리된다. 또한, 와이어의 밀도가 높을 때조차도, 와이어의 상호 접촉을 억제하여 단락을 방지할 수 있도록, 와이어는 용융 수지의 유동으로 인한 움직임이 방지된다. 코너에서, 두 인접한 와이어의 간격은 다른 위치 보다 좁다. 그럼에도 불구하고, 코너에서 와이어는 이 와이어의 상호 접촉을 억제하여 임의의 단락을 방지할 수 있도록, 리드의 포크형 선단부에 의해 포획되어 용융 수지의 유동으로 인한 움직임이 방지된다.
이하에서, 본 발명에 따른 양호한 실시예를 첨부한 도면을 참고하여 상세히 기술한다.
제1도는 와이어 접착(wire-bonding)과 수지 밀봉(resin-sealing)에 사용되는 리드 프레임(lead frame)을 도시한 평면도.
제2(a)도 내지 제2(d)도는 종래의 와이어 접착 방법을 도시한 도면.
제3(a)도 내지 제3(c)도는 종래의 수지 밀봉 방법을 도시한 도면.
제4도는 밀봉 수지가 다이의 공동에 층전되어 반도체 장치를 밀봉한 후에 리드와, 아일런드(island)상의 펠릿(pellet) 사이에서 연장되는 종래의 와이어를 도시한 평면도.
제5도는 본 발명에 따른 양호한 실시예에서, 리드의 개선된 포크형 선단부와, 이 포크형 선단부에 의하여 포획된 와이어를 개략적으로 도시한 사시도.
제6(a)도 내지 제6(d)도는 본 발명의 양호한 실시예에 따른 새로운 와이어 접착 방법을 도시한 도면.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 와이어 2 : 리드
3 : 펠릿 4 : 아일런드
5 : 모세관 6 : 평판
7 : 타이바 g : 게이트
9 : 다이
본 발명에 따른 바람직한 실시예를 제5도와 제6(a)도 내지 제6(d)도를 참고하여 설명한다.
제5도에서, 각 리드(2)는 와이어(1)를 수용할 수 있도록 조절되어 있는 오목부가 형성된 포크형 선단부를 가지며, 와이어(1)는 용융 수지의 유동으로 인하여 크게 움직이는 것을 차단할 수 있도록 포크형 선단부에 의하여 포획된다. 와이어(1)의 밀도가 높을 때조차도, 와이어(1)는 용융 수지의 유동으로 인하여 움직이지 않으며, 그 결과 와이어(1)들간의 상호 접촉을 차단하여 임의의 단락을 방지할 수 있다. 또한, 코너에서의 인접한 2개의 와이어(1)들간의 거리는 다른 위치에서보다 더 좁다. 그럼에도 불구하고, 리드(2)의 포크형 선단부에 의하여 용융 수지의 유동에 의한 큰 움직임을 차단하므로써, 코너에서의 와이어(1)들도 상호 접촉이 억제되어 임의의 단락을 방지할 수 있다.
제6(a)도에서, 먼저 와이어(1)는 이 와이어의 일단부가 모세관(5)에 의하여 아일런드(4)상에 배치된 펠릿(3) 위에 접착된다.
제6(b)도에서, 그후 모세관(5)은 펠릿(3)으로부터 리드(2)의 포크형 선단부 아래에 위치한 평판(6)으로 이동하여 평판(6)위에 와이어(1)를 접착하므로써, 와이어(1)가 크게 움직이는 것을 방지할 수 있으며, 여기서 평판(6)은 리드(2)의 바닥면으로부터 약간 이격되어 있다.
제6(c)도에서, 와이어(1)의 대향 단부가 리드(2)의 바닥면에 고정될 수 있도록, 평판(6)이 리드(2)의 바닥면까지 들어올려지기 전에 평판(6)으로부터 모세관(5)이 분리된다.
제6(d)도에서, 평판(6)은 리드(2)의 바닥면 으로부터 분리된다. 결과적으로, 와이어(1)는 리드(2)의 포크형 선단부에 의해 포획되므로써, 용융 수지의 유동에 의하여 와이어(1)가 크게 움직이는 것을 방지할 수 있다. 와이어(1)의 밀도가 높을 때조차도, 와이어(1)는 용융 수지의 유동에 의하여 움직이지 않게 되고, 와이어(1)의 상호 접촉이 억제되어 임의의 단락을 방지할 수 있다. 상기 코너에서, 인접된 2개의 와이어(1)의 거리는 다른 위치에서 보다 좁게 된다. 그럼에도 불구하고, 코너에서의 와이어(1)는 리드(2)의 포크형 선단부에 의해 용융 수지의 유류에 의한 큰 움직임을 차단하므로써, 와이어(1)의 상호 접촉을 억제하여 임의의 단락을 방지할 수 있다.
본 발명의 효과는, 리드의 선단을 포크형 선단부로 형성하여 이곳에 와이어를 고정하므로써 와이어의 움직임에 의한 단락을 방지할 수 있다는 것이다. 이 이유는 용융 수지의 밀봉시에 와이어 옆의 리드 측면으로 밀봉 수지의 유동 압력을 분산하므로써 와이어의 강도가 보강되기 때문이다.
본 발명에 속하는 당업자에게는 본 발명의 변형예가 가능하기 때문에, 도시 및 설명된 실시예들은 제한된 의미의 것이 아님이 이해되어야 한다. 따라서, 본 발명의 기본개념과 범주 내에 속하는 모든 변형예들은 특허청구의 범위에 포함된다.

Claims (3)

  1. 아일런드, 아일런드로부터 이격되어 방사형으로 연장되는 리드와, 이 리드를 가로질러 정사각형의 4변을 이루도록 연장되어 있는 타이바를 포함하는 와이어 접착용 리드 프레임에 있어서, 상기 리드가 와이어를 수용할 수 있도록 조절되어 있는 오목부가 형성된 포크형 선단부를 가지며, 이 포크형 선단부에 와이어가 포획되어 와이어에 외부의 힘이 가해지더라도 크게 움직이지 않도록 구성되는 와이어 접착용 리드 프레임.
  2. 제1항에 있어서, 상기 와이어는 리드의 포크형 선단부의 오목부를 통해 위에서 아래로 연장하여, 이 오목부에 인접한 리드의 바닥면에 접착되는 와이어 접착용 리드 프레임.
  3. 와이어를 수용할 수 있도록 조절되어 있는 오목부가 형성된 포크형 선단부를 가지며, 이 포크형 선단부가 와이어를 포획하고 있어서 와이어에 외부의 힘이 가해지더라도 크게 움직이지 않도록 리드에 와이어를 접착하는 와이어 접착 방법에 있어서, 상기 와이어의 일단부를 모세관으로 아일런드상의 펠릿에 접착하는 공정과, 상기 포크형 선단부가 와이어를 포획하여서 와이어에 외부의 힘이 가해지더라도 크게 움직이지 않도록, 리드의 포크형 선단부 아래에 위치하며 리드의 바닥면으로부터 이격된 평판에 와이어의 대향 단부를 접착하기 위해 모세관을 펠릿에서부터 평판으로 이동시키는 공정과, 와이어와 대향 단부를 리드의 바닥면에 고정하도록, 평판을 리드의 바닥면까지 들어올리기 전에 모세관을 평판으로부터 분리하는 공정을 포함하는 와이어 접착 방법.
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3085278B2 (ja) * 1998-05-01 2000-09-04 日本電気株式会社 半導体装置の製造方法および半導体製造装置
JP3429246B2 (ja) * 2000-03-21 2003-07-22 株式会社三井ハイテック リードフレームパターン及びこれを用いた半導体装置の製造方法
IT1317559B1 (it) * 2000-05-23 2003-07-09 St Microelectronics Srl Telaio di supporto per chip avente interconnessioni a bassa resistenza.
JP2009049072A (ja) * 2007-08-15 2009-03-05 Panasonic Corp リードフレーム、半導体装置、リードフレームの製造方法、および半導体装置の製造方法
US20140374892A1 (en) * 2013-06-24 2014-12-25 Yit Meng LEE Lead frame and semiconductor device using same

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS577953A (en) * 1980-06-18 1982-01-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd Semiconductor device
JPS59103365A (ja) * 1983-09-21 1984-06-14 Hitachi Ltd 樹脂封止型半導体装置
JPS62239560A (ja) * 1986-04-10 1987-10-20 Nec Corp リ−ドフレ−ム
JPH02246126A (ja) * 1989-03-20 1990-10-01 Seiko Epson Corp 半導体装置
JPH02307233A (ja) * 1989-05-22 1990-12-20 Nec Corp 集積回路
US4987473A (en) * 1989-08-03 1991-01-22 Vlsi Technology, Inc. Leadframe system with multi-tier leads
JPH0496356A (ja) * 1990-08-13 1992-03-27 Nec Corp 樹脂封止型半導体装置用リードフレーム
JPH04163952A (ja) * 1990-10-29 1992-06-09 Hitachi Ltd 樹脂封止型半導体装置用リードフレーム
JPH05190753A (ja) * 1992-01-14 1993-07-30 Fujitsu Ltd 半導体装置
JPH05343590A (ja) * 1992-06-10 1993-12-24 Nec Yamagata Ltd 半導体装置用リードフレーム
JPH0621303A (ja) * 1992-07-03 1994-01-28 Seiko Epson Corp 半導体装置用リードフレーム及びその製造方法
JPH0621304A (ja) * 1992-07-06 1994-01-28 Seiko Epson Corp リードフレーム及び半導体装置の製造方法
US5463250A (en) * 1994-04-29 1995-10-31 Westinghouse Electric Corp. Semiconductor component package
US5717252A (en) * 1994-07-25 1998-02-10 Mitsui High-Tec, Inc. Solder-ball connected semiconductor device with a recessed chip mounting area
US5530281A (en) * 1994-12-21 1996-06-25 Vlsi Technology, Inc. Wirebond lead system with improved wire separation
US5585667A (en) * 1994-12-23 1996-12-17 National Semiconductor Corporation Lead frame for handling crossing bonding wires

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