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KR100260586B1 - 기판 건조장치 및 기판 건조방법 - Google Patents

기판 건조장치 및 기판 건조방법 Download PDF

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Publication number
KR100260586B1
KR100260586B1 KR1019930029478A KR930029478A KR100260586B1 KR 100260586 B1 KR100260586 B1 KR 100260586B1 KR 1019930029478 A KR1019930029478 A KR 1019930029478A KR 930029478 A KR930029478 A KR 930029478A KR 100260586 B1 KR100260586 B1 KR 100260586B1
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KR
South Korea
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tank
treatment solution
bath
substrate
ipa
Prior art date
Application number
KR1019930029478A
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KR940017973A (ko
Inventor
유지 가미카와
Original Assignee
다카시마 히로시
도오교오 에레구토론 큐우슈우 가부시키가이샤
히가시 데쓰로
동경 엘렉트론주식회사
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Publication date
Application filed by 다카시마 히로시, 도오교오 에레구토론 큐우슈우 가부시키가이샤, 히가시 데쓰로, 동경 엘렉트론주식회사 filed Critical 다카시마 히로시
Publication of KR940017973A publication Critical patent/KR940017973A/ko
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Abstract

IPA증기를 웨이퍼에 접속시켜, 웨이퍼로부터 부착액을 제거하는 기판건조장치로서, IPA를 저류하는 조와, 이 조내의 IPA를 공급하는 공급기구와, 조내의 IPA를 배출하는 배출기구와, 조내의 IPA내의 웨이퍼를 침적시키는 승강보트와, 조의 외부바닥면에 접촉가능하게 설치되고, 열 전달에 의하여, 조내의 IPA를 가열하는 가열블록과, IPA와 냉각수와의 사이에서 열교환하도록 조내의 설치되고, 배출되기 위한 IPA를 냉각수에 의하여 냉각하는 순행시스템을 가진다.

Description

기판 건조장치 및 기판 건조방법
제1도는 세정시스템의 전체 개요를 나타내는 투시 사시도.
제2도는 본 발명의 실시예에 대한 기판건조장치의 주요부를 절결하여 나타내는 종단면도.
제3도는 처리조, 히터 및 수냉 시스템의 개요를 나타내는 개략 사시도.
제4도는 히터의 승강기구의 개요를 나타내는 개략 사시도.
제5도는 히터를 나타내는 사시도.
제6도는 본 발명의 실시예에 관한 기판 건조방법을 나타내는 플로우 챠트이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 세정시스템 2 : 프로세스부
3 : 인풋 버퍼기구 4 : 아웃버퍼기구
5 : 로터부 6 : 언로더부
7a~7i : 처리기구 8 : 반송기구
9 : 웨이퍼 캐리어 10 : 캐리어 반송기구
11 : 캐리어 리프터 20 : 케이스
21 : 처리액 22 : 조
23 : 히터 블록 24 : 순환배관
25 : 웨이퍼 보트 27 : 증기발생부
28 : 셔터 29 : 건조 처리실
30 : 배기구 32 : 가스 공급구
33 : 가스 공급배관 34 : 필터
35 : 지지부재 36,40,52 : 공급관
37 : 드레인관 38,39 : 탱크
42,47 : 냉각관 42b,46,53,61 : 배기관
43,44,45 : 개폐밸브 48 : 가이드 로드
49 : 가이드 50 : 에어 실린더
50a : 피스톤 로드 51 : 시스 히터
55 : 에어 공급원 58 : 히터 전극
60 : 배액펌프 61 : 배출관
71 : 기판건조장치 74 : 레벨 센서
75 : 검출센서 76 : 온도센서
77 : 소화용 노즐 78,86 : 가스 공급원
82 : 냉각 순환기 84 : 공급원
90 : 콘트롤러 W : 웨이퍼
본 발명은 반도체 웨이퍼나 LCD용 유리등의 기판을 세정액에서 세정한 후에 기판을 건조하는 기판 건조장치 및 기판 건조방법에 관한 것이다.
반도체 장치의 제조공정에서는 반도체 웨이퍼를 약액이나 린스액등이 저유된 처리액조에 순차 침적하여 화학적으로 세정(wash)한다. 다음에 건조실의 기판 건조장치에 의하여 부착액을 웨이퍼로부터 제거한다.
미국 출원번호 08/111,006호에는 기판건조장치가 개시되어 있다. 이와같은 기판건조장치의 처리액조내에는 IPA(이소프로필 아르콘)과 같은 휘발성을 가지는 처리액이 수용되어 있고, 이것을 히터 가열하여 IPA 증기를 발생시키도록 하고 있다. 웨이퍼를 증기 발생부위의 위쪽에 위치하면, 웨이퍼 표면에 IPA 증기가 응축하고, 표면으로부터 부착수가 제거되고, 웨이퍼 표면이 드라이 상태로 된다.
이와같은 건조장치에 있어서는 처리액조내의 IPA에 수분이 혼입하여 처리 기능이 저하하기 때문에 소정 처리회수마다(예를들면 10 배치에 1회)IPA의 교체를 하도록 하고 있다.
그런데 IPA은 비등점이 낮고(60~80℃), 또 착화가 쉽기 때문에 안전성을 위하여 IPA가 비등점 이하로 되는 것을 가지는 처리액조로부터 배출하도록 하고 있다.
그러나 종래의 건조장치에 있어서는 히터의 열용량이 크므로 IPA가 단시간에 비등점 이하로 식기 어렵고, 조내의 IPA의 교체에 많은 시간을 요한다. 이때문에 종래의 건조장치는 처리능력이 적고, 스루풋이 낮다.
본 발명의 목적으로 하는바는 가열된 처리액을 단시간으로 냉각하여 교체시간의 단축화를 도모하고, 스루풋의 향상을 도모할 수 있는 건조 장치를 제공한다.
본 발명에 따르면, 처리액을 저류하는 조와, 이 조내에 처리액을 공급하는 수단과, 조내의 처리액을 배출하는 수단과, 조내의 처리액의 증기영역에 기판을 위치시키는 수단과, 조의 외부바닥면에 접촉가능하게 설치되고, 열 전달에 의하여 조내의 처리액을 가열하는 가열블록과, 처리액과 냉매와의 사이에서 열 교환하도록 조내의 설치되고, 상기 배출수단에서 배출되게하는 처리액을 냉매에 의하여 냉각시키는 냉각수단을 가지는 처리액의 증기를 기판에 접속시켜 기판으로부터 부착액을 제거하는 기판건조장치가 제공된다.
또 본 발명에 따르면 조의 수용된 처리액을 가열하여, 처리액의 증기를 조내의 발생시키고, 기판을 조내의 증기발생영역에 위치시키며, 처리액의 증기를 기판에 작용시킴으로서, 기판의 부착된 다른액을 기판으로부터 제거하고, 처리액을 조로부터 배출할 때에 처리액을 적극적으로 냉각하는 기판건조방법을 제공할 수 있다.
이하 첨부된 도면을 참조하면서 본 발명의 실시예에 관한 기판 건조장치에 대하여 설명한다.
제1도에 나타낸 바와같이 본 발명의 실시예에 관한 기판건조장치(71)는 세정시스템(1)의 프로세스부(2)의 하류쪽 가깝게 설치되어 있다. 프로세스부(2)의 한쪽 끝단에는 로터부(5)가 설치되고, 이 로더부(5)는 인풋 버터기구(3)에 연결되어 있다. 한편 프로세스부(2)의 다른 끝단쪽에는 언로더부(6)가 설치되고, 이 언로더부(6)는 아웃버퍼기구(4)에 연결되어 있다.
프로세스부(2)는 9개의 처리기구(7a~7i)를 구비하고 있다. 이들의 처리기구(7a~7i)는 직렬로 나란하게 있다. 각 처리기구(7a~7i)은 석영이나 SiC제의 처리액조를 구비하고 있다. 본 실시예에 있어서는 이들 처리기구(7a~7i)는 로더부(5)쪽으로부터 차례로 웨이퍼 척의 세정 건조용 처리기구(7a), 약액 건조용 처리기구(7b), 수세용 처리기구(7c), 수세용 처리기구(7d), 약액용 처리기구(7e), 수세분 처리기구(7f), 수세용 처리기구(7g), 웨이퍼척의 세정 건조용 처리기구(7f), 웨이퍼 건조 처리기구(7i)로 되어 있다.
이들 처리기구(7a~7i)의 옆쪽에는 반송기구(8)가 설치되어 있다. 반송기구(8)은 X축 이동기구, Z축 이동기구, 웨이퍼척을 가지며, 50매의 웨이퍼(W)를 일괄로 파지하고, 이들 웨이퍼(W)를 각 처리조에 반송하도록 되어 있다. 본 실시예에서는 이 반송기구(8)은 3대 설치되어 있고, 각각의 반송 범위를 제어 하므로써 예를들면, 약액 처리용 처리기구(7b)의 약액이 약액용 처리기구(7e)내에 혼입되지 않도록 배려되어 있다. 또 로더부(5)의 상부로부터 각 반송기구(8)의 상부를 통하여 언로더부(6)의 상부에 이르도록 빈 웨이퍼 캐리어(9)를 반송하기 위하여 캐리어 반송기구(10)가 설치되어 있다. 또 로더부(5) 및 언로더부(6)에는 빈 웨이퍼 캐리어(9)를 상승 및 하강시키기 위한 캐리어 리프터(11)(언로더부 6쪽에는 도시않됨)가 설치되어 있다.
제2도에 나타낸 바와같이 기판 건조장치(7i)의 처리액조(22)는 스테인레스 동제의 케이스(20)중에 수납되어 있다. 피처리조(22)는 지지부재(35)에 의하여 케이스(20)의 측벽에 지지되어 있다. 처리액조(22)는 석영등의 내식성 부재로 만들어져 있다. 피처리조(22)내의 처리액(21)의 액면과 냉각수 순환배관(24)과의 사이에는 웨이퍼 보트(25)에 50매의 웨이퍼(W)를 일렬로 배치한 상태에서 배치 가능한 공간이 형성되어 있고, 이것이 증기발생부(27)로 되어있다. 또 케이스(20)의 상부에는 개폐가 자유롭게 구성된 셔터(28)가 설치되어 있고, 이 셔터(28)의 하부와 냉각수 순환배관(24)와의 사이에는 보트(25)에 의하여 웨이퍼(W)를 설치 가능한 공간이 형성되어 있고, 이것이 건조처리부(29)로 되어 있다.
피처리조(22)의 하부에는 처리액 공급관(40)을 통하여 IPA 탱크(38)가 연통하여 있다. IPA 탱크(38)에는 N2가스 공급원(86)이 연통하고 있고, N2가스를 탱크(38)에 압송하면, IPA(21)가 처리조(22)중에 공급되도록 되어 있다. 또 N2가스공급원(86)에 내장된 제어밸브는 콘트롤러(90)의 출력쪽에 접속되어 있다.
처리액조(22)의 아래쪽에는 히터블록(23)이 설치되어, 히터 블록(23)에 의하여 처리액조(22)내의 IPA(21)가 가열되면, 증기 발생영역(27)에 IPA 증기가 충만하도록 되어있다. 히터용 전원(58)은 콘트롤러(90)의 출력쪽에 접속되어 있다.
처리액조(22)에는 화재 검출센서(75), 온도 센서(76), 소화용 노즐(77)이 각각 케이스(20)내의 적소에 설치되고, 화재 검출 센서(75) 및 온도센서(76)의 각각이 콘트롤러(90)의 입력쪽에 접속되는 한편, 소화용 노즐(77)에 이산화탄소 가스를 보내는 CO2가스 공급원(78)이 콘트롤러(90)의 출력쪽에 접속되어 있다.
이들에 의하여 화재방지 시스템이 구성되고, IPA의 오버 히터에 의한 화재방지가 도모되어 있다. 또 처리조액(22)의 바닥부에는 온도센서(72)가 설치되어 있다. 온도센서(72)는 콘트롤러(90)의 입력쪽에 접속되고, IPA의 온도를 검출하여 IPA의 오버히터를 방지하도록 되어 있다. 또한 레벨센서(74)가 처리액조(22)의 증기 발생영역(27)에 설치되어 있다.
히터 블록(23)은 가이드로드(48) 및 가이드(49)에 의하여 케이스(20)의 바닥부에 지지되어 있고, 에어 실린더(50)에 의하여 승강하도록 되어 있다. 또 에어 실린더(50)의 에어 공급원(55)는 콘트롤러(90)의 출력쪽에 접속되어 있다. 제3도에 나타낸 바와같이 처리액조(22)의 상부 내벽에는 냉각수 순환배관(24)이 설치되어 있다. 배관(24)은 냉각수 순환기(82)의 공급구 및 리턴구에 각각 연통되어 있다. 처리액조(22)의 상부를 수냉하면, IPA 증기가 응축하여 물방울로서 처리액조(22)내에 돌아오도록 되어 있다.
건조 처리실(29)의 아래에 위치하는 케이스(20)의 측벽부 양쪽에는 스리트 형상의 배기구(30)가 설치되어 있고, 이 배기구(30)에는 각각 배기배관(31)이 연통하고 있다.
셔터(28)에는 가스 공급구(32)가 설치되어 있고, 이 가스 공급구(32)의 상부에는 가스 공급배관(33) 및 먼지 제거필터(34)가 설치되어 있다. 그리고, 가스 공급배관(33)으로부터 공급된 N2가스를 먼저 제거필터(34)에서 세정화하여 가스 공급구(32)로부터 건조 처리부(29)에 공급하도록 되어 있다.
제2도 및 제3도에 나타낸 바와 같이 IPA(21)를 교체하기 위하여 처리액조(22)내는 공급관(36) 및 드레인관(37)을 통하여 탱크(39)에 연통하여 있다. 또 냉각관(42)이 처리액조(22)의 하부에 설치되고, 처리액(21)을 냉각하도록 되어 있다. 냉각관(42)의 한쪽 끝단쪽에는 공급관(42a)을 통하여 냉각수 공급원(84)에 연통하고, 냉각관(42)의 다른쪽은 배기관(42b)을 통하여 탱크(39)에 연통하여 있다. 배수관(42b)에는 개폐밸브(43)가 설치되어 있다. 냉각수 공급원(84)의 제어밸브에는 콘트롤러(90)의 출력쪽이 접속되어 있다.
배기관(42a)은 분지하여 있고, 한쪽의 분지관에는 냉각수가 개폐밸브(44)를 통하여 공급되도록 되어 있고, 다른쪽의 분지관에는 N2가스가 개폐밸브(45)를 통하여 공급되도록 되어 있다. 또 드레인 탱크(39)에는 배액펌프(60)를 통하여 배기관(61)이 접속되어 있다. 또 드레인 탱크(39)에는 배기관(46)이 접속됨과 동시에 비상시용의 냉각관(47)이 설치되어 있다.
제4도에 나타낸 바와같이 히터 블록(23)은 4모서리에 가이드(49)를 가지며, 각 가이드(49)에 가아드 로드(48)가 미끄럼 운동이 자유롭게 삽입하여 있다. 또 히터블록(23)의 하부 중앙에는 에어실린더(50)의 피스톤 로드(50a)가 연결되어 있다. 에어 실린더(50)에는 에어 공급관(52) 및 에어 배기관(53)이 접속되어 있다. 에어 실린더(52) 및 에어 배기관(53)은 에어 공급원(55)에 연통하여 있다. 에어 공급원(55)은 콘트롤러(90)에 의하여 콘트롤 되도록 되어 있다. 피스톤 로드(50a)를 실린더(50)중에 혼입시키면, 히터 블록(23)이 처리액조(22)의 바닥부(22a)로부터 이탈되고, 로드(50a)를 실린더(50)으로부터 돌출시키면, 히터블록(23)이 피처리조(22)의 바닥부(22a)에 밀착하도록 되어있다. 이 경우 히터 블록(23)의 승강 스트로그 양은 10mm이다.
제5도에 나타낸 바와같이 히터 블록(23)은 시스 히터(51)(또는 카트리지 히터)를 주물을 넣은 알루미늄제의 블록으로 되고, 이 내부에는 비상시 냉각용의 냉각관(52)이 통해 있다. 냉각조(52)는 시스 히터(51)와 교차하도록 지그재그로 설치되어 있다. 히터 블록(23)의 사이즈는 두께가 50mm, 세로 길이가 460mm, 가로 길이가 350mm이다. 시스히터(51)의 발열능력은 9K 와트이다.
다음에 제6도를 참조하면서 상기의 기판 건조장치를 사용하여 다수의 반도체 웨이퍼(W)를 건조처리하는 경우에 대하여 설명한다.
IPA(21)의 교환을 하는 경우에는 먼저 드레인관(37) 및 배출관(42b)에 드레인 탱크(39)가 접속됨과 동시에 히터블록(23)을 처리액조(22)의 바닥부(22a)로부터 이반시킨다(공정 S1). 다음에 개폐밸브(43),(44)를 열어 도입관(42a)으로부터 냉각관(42)에 냉각수를 공급한다. 이것에 의하여 관(42)내의 냉각수와 IPA(21)이 열 교환되고, IPA(21)이 강제적으로 냉각된다(공정 S2). IPA(21)의 냉각에 공급된 냉각수는 드레인 탱크(39)로 수용된다. 이와같이 IPA(21)의 온도가 비등점 이하로 강하하면, 도입관(32a)의 개폐밸브(44)를 닫고, 개폐밸브(45)를 열어 N2가스를 공급관(42)내에 보내고, 냉각수를 압출하여 냉각관(42)내로 비워둔다(공정 S3). 계속하여 개폐밸브(43),(45)를 닫는다. 이어서 드레인관(37)의 개폐밸브(41)를 열고, IPA(21)를 처리액조(22)로부터 드레인 탱크(39)로 배출한다(공정 S4). 또한 IPA(21)를 폐액으로서 펌프(60)에 의하여 탱크(39)로부터 배출관(61)을 통하여 외부로 배출한다. 또 배출관(61)은 재생장치(도시않됨)을 경유하여 IPA 공급관(38)에 연통하도록 하여도 좋다. 재생장치에 의하여 폐액 IPA로부터 수분을 제거한 후에 세정 IPA(21)으로서 재차 조(22)로 돌아간다. 조(22)로 돌아갈 때에 세정 IPA(21)의 온도는 거의 실온과 동일하다.
IPA(21)를 배출하여 종료된 후 드레인관(37)의 개폐밸브(41)를 열고, 처리액 공급관(36)의 개폐밸브(40)를 열어 탱크(38)로부터 처리액조(38)내로부터 처리액조(22)내에 새로운 IPA(21)를 보낸다. 즉, 레벨 센서(4)에 의하여 조(22)내의 IPA 액면을 검출하면서 IPA를 조(22)내에 주입한다(공정 S5). IPA(21)의 주입량은 약 4리터이다.
처리액조(22)내로 IPA(21)의 주입이 종료하면, 개폐밸브(40)를 닫고, 히터블록(23)을 상승시키고, 이것을 조 바닥부(22a)에 밀착시킨다(공정 S6). 히터전극(58)을 온하고, 히터 블록(23)에 의하여 IPA(21)를 가열한다(공정 S7). 가열시의 히터블록(23)은 약 220℃의 온도로 콘트롤된다. IPA(21)은 약 80℃의 온도에서 비등을 시작한다. 또 만일 온도센서(72),(76)에 의하여 이상 과열이 검출된 경우에는 바로 히터 전원(58)이 오프로 되고, 냉각관(42)에 냉수가 보내진다. 또 화재검출 센서(75)에 의하여 화재가 검출된 경우에는 바로 히터전원(58)을 오프로하고, 노즐(77)로부터 증기 발생영역(27)으로 향하여 CO2가스가 분사된다.
가열개시로부터 5분간 사이에서 IPA(21)의 증기가 조(22)중에 충만한다. 보트(25)를 하강시키고, 웨이퍼(W)를 조(22)중에 들어간다(공정 S8). 이 웨이퍼(W)은 전 공정에서 세정되어 있고, 세정액이 부착되어 있다. 소정시간만 웨이퍼(W)를 영역(27)의 곳에 체재시키면, IPA(21)의 증기가 웨이퍼(W)의 표면에 작용하여 웨이퍼(W) 표면으로부터 부착된다. 이것에 의하여 웨이퍼(W)은 드라이한 상태로 된다.
보트(25)를 상승시키고, 웨이퍼(W)를 조(22)로부터 나온다(공정 S9). 계속하여 히터전원(58)을 오프로 한다(공정 S10). 또 다음의 웨이퍼(W)를 연속처리 하는 경우는 히터전원(58)을 반드시 오프할 필요는 없고, 히터 블록(23)을 조 바닥부(22a)로부터 떼어내는 것만으로 좋다.
누적 처리회수에 따라서 처리액(21)을 교체하는가 아닌가를 판단한다(공정 S11). 이 판정에는 IPA 순도의 실측값을 사용하여도 좋다. 처리액(21)를 교체한다고 판정한 경우는 공정(S1)으로 돌아가 히터블록(23)을 조(22)의 바닥부로부터 이탈시키고, 이하 공정(S2~S10)을 반복한다. 한편 처리액(21)를 교체하지 아니한다고 판정한 경우에는 처리를 완료하거나 또는 공정(S7)로 돌아가서 히터 전원(58)을 재차 온하고, 조(22)중에 IPA 증기를 충만시키고, 다음의 웨이퍼(W)를 건조처리한다. 또 공정(S1)으로부터 공정(S11)까지의 1 사이클의 평균 소정시간은 약 2분간이다.
상기 실시예에 의하면, 히터 블록(23)의 열용량의 대소에 한정되지 않고, 처리액조(22)내의 IPA(21)를 신속하게 냉각시킬 수가 있다. 또 히터 블록(23)을 승강기구(50)에 의하여 조 바닥부(22a)로부터 떼어 놓으므로 처리액조(22)내의 IPA(21)를 신속하게 냉각할 수가 있다. 이 때문에 IPA(21)의 교체 소정시간을 15분까지 단축화할 수가 있었다. 다시 말하면, 종래에는 IPA의 교체 소정시간은 2시간에도 이르고 있으므로 실시예에서는 이것을 1시간 45분 단축할 수가 있었다.
또 상기 실시예에서는 IPA의 경우에 대하여 설명하였으나, 이것 이외의 열 유산등의 처리액을 배출하는 경우에도 본 발명을 적용할 수가 있다.
또 상기 실시예에서는 히터 블록(23)의 열용량이 크게되므로 히터 블록(23)을 조 바닥부(22a)로부터 이반시키도록 하였으나 반드시 히터블록(23)을 조 바닥부(22a)로부터 이반시키지 않아도 좋다. 예를들면, 히터블록(23)으로 하여 SiC 히터와 같은 열용량이 적은 히터 블록을 사용하면, 히터 블록(23)을 조 바닥부(22a)로부터 떼어 놓아도 좋다.
다음에 본 발명의 효과에 대하여 총괄하여 기술한다.
처리액을 냉각하는 냉각수단을 처리액조내에 설치하므로 가열수단의 열용량에 구속되지 않고, 처리액을 신속하게 냉각할 수가 있고, 처리액의 교체시간의 단축화를 도모하고, 이 결과 스루풋의 향상이 도모된다.
또 전회처리와 다음 처리와의 사이에 있어서의 단시간 가열정지의 때에도 처리액을 냉각할 수가 있으므로 불필요한 증기의 발생을 억제할 수가 있다. 또한 가열수단을 처리액조의 바닥부에(로부터 밀착) 이탈시키는 이동수단을 설치하고, 처리액을 냉각하는 경우는 가열수단을 처리액조의 바닥부로부터 이탈시키므로써 처리액을 더 신속하게 냉각할 수가 있다.

Claims (10)

  1. 처리 용액의 증기를 기판에 접촉시켜, 상기 적어도 하나의 기판으로부터 수분을 제거하기 위한 기판 건조 장치에 있어서, 처리 용액을 저장하는 조; 처리 용액을 조 내에 공급하는 수단; 조로부터 처리 용액을 배출하는 수단; 조의 바닥과 접촉하도록 배열되며, 조내의 처리 용액을 열전도에 의해 가열하는 가열블록; 가열된 처리 용액으로부터 발생된 유동공간 내에 기판을 위치시키는 수단; 및 조 내의 처리 용액에 감긴 채, 처리 용액과 처리액을 냉각시키는 냉각제 사이의 열교환이 이루어지도록 하는 냉각수단을 구비함을 특징으로 하는 기판 건조장치.
  2. 제1항에 있어서, 처리 용액이 배출수단에 의해 조로부터 배출되면 가열블록이 조의 바닥으로부터 이탈되도록, 조 하부에 배열되어 가열블록을 상하로 이동시키는 승강수단을 더 구비함을 특징으로 하는 기판 건조 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 승강수단이, 가열블록의 네 모퉁이에 형성된 안내장치와, 각각의 안내장치에 자유롭게 미끄럼 삽입된 안내봉과, 가열블록의 하부에 연결된 피스톤봉을 가지는 실린더를 구비함을 특징으로 하는 기판 건조 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 가열블록이 금속으로 제조되며, 내부에 매몰된 외장 히터를 구비함을 특징으로 하는 기판 건조 장치.
  5. 제1항에 있어서, 조를 에워싸는 케이스; 상기 케이스 위에 배열된 셔텨; 상기 셔터가 개방될 때 기판들을 지지하여 조 내로 운반하기 위한 보트를 더 구비함을 특징으로 하는 기판 건조 장치.
  6. 기판에 처리 용액의 증기를 가하여 기판에 부착된 용액을 제거하기 위한 기판 건조 장치에 있어서, 상기 처리 용액을 저장하는 조; 상기 조에 처리 용액을 공급하는 수단; 조에 저장된 처리 용액을 배출하는 수단; 조의 바닥 외측면에 접촉되도록 설치되며, 조내의 처리 용액을 열전도 방식으로 가열하는 가열블록; 가열된 처리 용액으로부터 발생된 증기영역에 기판을 위치시키는 수단; 처리 용액과 처리액을 냉각시키는 냉각제 사이의 열교환이 이루어지도록 하는 냉각수단; 조 하부에 설치되어 가열블록을 이동시키기 위한 이동수단을 구비하며, 처리 용액이 배출수단에 의해 조로부터 배출되면 상기 가열블록이 조의 바닥으로부터 이탈되도록 함을 특징으로 하는 기판 건조 장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 냉각수단이, 냉각제로서 물을 사용하는 수냉시스템이며, 조내의 처리 용액에 담긴 열전달 파이프를 구비함을 특징으로 하는 기판 건조 장치.
  8. 제7항에 있어서, 수냉 시스템의 열전달 파이프로부터 냉각제를 강제로 배출하기 위한 수단을 더 구비함을 특징으로 하는 기판 건조 장치.
  9. 제8항에 있어서, 배출된 처리 용액과 열전달 파이프로부터 강제 배출된 냉각제를 저장하는 배수 탱크를 더 구비함을 특징으로 하는 기판 건조 장치.
  10. 기판 건조 방법에 있어서, 조에 저장된 처리 용액을 가열하여 조 내에서 기화시키는 공정; 적어도 하나의 기판을 상기 조 내의 증기발생영역으로 배열하는 공정; 상기 처리 용액의 증기를 기판에 가하여, 기판에 부착된 다른 용액을 제거하는 공정; 조로부터 상기 처리 용액을 배출하는 공정; 및 처리 용액이 조로부터 배출되면 가열블록을 조의 바닥으로부터 이탈시키는 공정을 구비함을 특징으로 하는 기판 건조 방법.
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