JP4758846B2 - 乾燥装置、乾燥方法、及び乾燥プログラム、並びに、これらを有する基板処理装置、基板処理方法、及び基板処理プログラム - Google Patents
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Description
3 キャリア 4 キャリア搬入出部
5 バッチ 6 バッチ編成部
7 基板処理部 8 キャリアステージ
9 開閉扉 10 キャリア搬送機構
11 キャリアストック 12 キャリア載置台
13 開閉扉 14 基板搬送機構
15 バッチ形成機構 16 配列順序変更機構
17 バッチ搬送機構 18 ウエハ収容状態検出センサー
19 ノッチアライナー 20 洗浄乾燥機構
21 洗浄機構 22 昇降機構
23 基板洗浄乾燥ユニット 24 搬送機構洗浄ユニット
25 第1の薬液槽 26 第2の薬液槽
27 第3の薬液槽 28 第1の純水槽
29 第2の純水槽 30 第3の純水槽
31 第1の搬送装置 32 第2の搬送装置
33 第3の搬送装置 34 洗浄ユニット
35 乾燥ユニット 36 ガイド桿
37 ウエハボート 38,39 連結体
40〜43 支持体 44〜47 支持溝
48 制御部 49 洗浄処理槽
50,51 左右側壁 52,53 洗浄液供給ノズル
54 底壁 55 排水管
56 開閉バルブ 57 オーバーフロー槽
58 底壁 59 排水管
60 開閉バルブ 61 純水供給源
62 薬液供給源 63 三方コック
64 乾燥処理槽 65 シャッター機構
66 ケーシング 67 シャッター収容部
68 シャッター 69 開閉機構
70 貫通孔 71 パッキン
72 昇降機構 73 フランジ
74,75 乾燥蒸気供給ノズル 76,77 ガス吐出口
78 乾燥蒸気供給機構 79 供給源
80 ガス供給管 81,82 分岐管
83,84 加熱手段 85 供給源
86 薬液供給管 87 間欠供給機構
88 薬液貯留タンク 89 供給源
90 整流器 91 開閉弁
92 ドレン管 93 開閉弁
94 予熱手段 95 開閉弁
96 フィルター 97 加熱手段
98 コントローラ 99 記憶媒体
100 洗浄プログラム 101 乾燥プログラム
Claims (19)
- 処理槽の内部にガス吐出口を設けるとともに、このガス吐出口から被処理体に向けて薬液を気化させた乾燥蒸気をキャリアガスとともに供給する乾燥蒸気供給機構を連通連結した乾燥装置において、
前記乾燥蒸気供給機構は、キャリアガスと乾燥蒸気との混合流体の供給とキャリアガスだけの供給とを交互に複数回行い、前記混合流体の供給時間を全体の供給時間の57%以上かつ83%以下とするように構成したことを特徴とする乾燥装置。 - 前記乾燥蒸気供給機構は、前記混合流体の供給時間を全体の供給時間の75%以上とするように構成したことを特徴とする請求項1に記載の乾燥装置。
- 前記乾燥蒸気供給機構は、キャリアガスに乾燥蒸気を間欠的に混入することによってキャリアガスと乾燥蒸気との混合流体の供給とキャリアガスだけの供給とを交互に行うように構成したことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の乾燥装置。
- 前記乾燥蒸気供給機構は、キャリアガスの供給源とガス吐出口とをガス供給管で連通連結するとともに、このガス供給管の中途部に乾燥蒸気の原料となる薬液を気化させるための加熱手段を配設し、この加熱手段よりも上流側のガス供給管の中途部に薬液の供給源を薬液供給管を介して連通連結し、この薬液供給管の中途部に薬液を間欠的に供給する間欠供給機構を設けたことを特徴とする請求項1〜請求項3のいずれかに記載の乾燥装置。
- 前記ガス供給管と薬液供給管との連結部分よりも上流側のガス供給管にキャリアガスを予め加熱するための予熱手段を配設したことを特徴とする請求項4に記載の乾燥装置。
- 前記ガス供給管の中途部分を複数本の分岐管に分岐し、各分岐管に前記加熱手段を配設するとともに、各加熱手段よりも上流側の分岐管の中途部に前記薬液供給管を連通連結したことを特徴とする請求項4又は請求項5に記載の乾燥装置。
- 基板の洗浄処理を行う洗浄処理槽と基板の乾燥処理を行う乾燥処理槽とこれら洗浄処理槽と乾燥処理槽との間で基板の搬送を行う基板搬送機構を設け、乾燥処理槽の内部にガス吐出口を設けるとともに、このガス吐出口から基板に向けて薬液を気化させた乾燥蒸気をキャリアガスとともに供給する乾燥蒸気供給機構を連通連結した基板処理装置において、
前記乾燥蒸気供給機構は、キャリアガスと乾燥蒸気との混合流体の供給とキャリアガスだけの供給とを交互に複数回行い、前記混合流体の供給時間を全体の供給時間の57%以上かつ83%以下とするように構成したことを特徴とする基板処理装置。 - 前記乾燥蒸気供給機構は、前記混合流体の供給時間を全体の供給時間の75%以上とするように構成したことを特徴とする請求項7に記載の基板処理装置。
- 前記乾燥蒸気供給機構は、キャリアガスに乾燥蒸気を間欠的に混入することによってキャリアガスと乾燥蒸気との混合流体の供給とキャリアガスだけの供給とを交互に行うように構成したことを特徴とする請求項7又は請求項8に記載の基板処理装置。
- 前記乾燥蒸気供給機構は、キャリアガスの供給源とガス吐出口とをガス供給管で連通連結するとともに、このガス供給管の中途部に乾燥蒸気の原料となる薬液を気化させるための加熱手段を配設し、この加熱手段よりも上流側のガス供給管の中途部に薬液の供給源を薬液供給管を介して連通連結し、この薬液供給管の中途部に薬液を間欠的に供給する間欠供給機構を設けたことを特徴とする請求項7〜請求項9のいずれかに記載の基板処理装置。
- 前記乾燥蒸気供給機構は、基板搬送機構によって基板を洗浄処理槽から乾燥処理槽に搬送した後にキャリアガスと乾燥蒸気との混合流体の供給とキャリアガスだけの供給とを交互に行うように構成したことを特徴とする請求項7〜請求項10のいずれかに記載の基板処理装置。
- 被処理体に向けて薬液を気化させた乾燥蒸気をキャリアガスとともに供給することによって被処理体の乾燥処理を行う乾燥方法において、
キャリアガスと乾燥蒸気との混合流体の供給とキャリアガスだけの供給とを交互に複数回行い、前記混合流体の供給時間を全体の供給時間の57%以上かつ83%以下としたことを特徴とする乾燥方法。 - 前記混合流体の供給時間を全体の供給時間の75%以上としたことを特徴とする請求項12に記載の乾燥方法。
- 基板の洗浄処理を洗浄処理槽で行った後に、基板を洗浄処理槽から乾燥処理槽に搬送し、乾燥処理槽の内部で基板に向けて薬液を気化させた乾燥蒸気をキャリアガスとともに供給することによって基板の乾燥処理を行う基板処理方法において、
キャリアガスと乾燥蒸気との混合流体の供給とキャリアガスだけの供給とを交互に複数回行い、前記混合流体の供給時間を全体の供給時間の57%以上かつ83%以下としたことを特徴とする基板処理方法。 - 前記混合流体の供給時間を全体の供給時間の75%以上としたことを特徴とする請求項14に記載の基板処理方法。
- 被処理体に向けて薬液を気化させた乾燥蒸気をキャリアガスとともに供給することによって被処理体の乾燥処理を行う乾燥装置に被処理体の乾燥処理を実行させるための乾燥プログラムにおいて、
キャリアガスと乾燥蒸気との混合流体を供給する混合流体供給ステップと、キャリアガスだけの供給を行うキャリアガス供給ステップとを交互に複数回行い、前記混合流体供給ステップの実行時間を全体の供給時間の57%以上かつ83%以下としたことを特徴とする乾燥プログラム。 - 前記混合流体供給ステップの実行時間を全体の供給時間の75%以上としたことを特徴とする請求項16に記載の乾燥プログラム。
- 基板の洗浄処理を洗浄処理槽で行った後に、基板を洗浄処理槽から乾燥処理槽に搬送し、乾燥処理槽の内部で基板に向けて薬液を気化させた乾燥蒸気をキャリアガスとともに供給することによって基板の乾燥処理を行う基板処理装置に基板の乾燥処理を実行させるための基板処理プログラムにおいて、
キャリアガスと乾燥蒸気との混合流体を供給する混合流体供給ステップと、キャリアガスだけの供給を行うキャリアガス供給ステップとを交互に複数回行い、前記混合流体供給ステップの実行時間を全体の供給時間の57%以上かつ83%以下としたことを特徴とする基板処理プログラム。 - 前記混合流体供給ステップの実行時間を全体の供給時間の75%以上としたことを特徴とする請求項18に記載の基板処理プログラム。
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