JPWO2014129268A1

JPWO2014129268A1 - 液晶性化合物、液晶組成物および液晶表示素子

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Publication number: JPWO2014129268A1
Application number: JP2015501373A
Authority: JP
Inventors: 田中　裕之; 裕之田中; 浩史遠藤
Original assignee: JNC Corp; JNC Petrochemical Corp
Current assignee: JNC Corp; JNC Petrochemical Corp
Priority date: 2013-02-20
Filing date: 2014-01-27
Publication date: 2017-02-02
Anticipated expiration: 2034-01-27
Also published as: KR20150123848A; EP2960226A4; US20150376504A1; EP2960226B1; CN105143164B; TWI626298B; JP6213556B2; US10023799B2; TW201435049A; EP2960226A1; WO2014129268A1; CN105143164A

Abstract

光に対する高い安定性、高い透明点、液晶相の低い下限温度、小さな粘度、適切な光学的異方性、大きな誘電率異方性、短軸方向の大きな誘電率、適切な弾性定数、優れた相溶性などの物性の少なくとも１つを充足する液晶性化合物、この化合物を含有する液晶組成物、この組成物を含む液晶表示素子を提供する。式（１）で表される化合物。例えば、Ｒ１は炭素数１〜１５のアルキルであり、環Ａ１〜環Ａ４は１，４−シクロへキシレンまたは１，４−フェニレンであり、Ｚ１〜Ｚ４の少なくとも１つは−ＣＦ２Ｏ−であり、その残りおよびＷ１は、単結合、−（ＣＨ２）２−、−ＣＯＯ−、または−ＣＨ２Ｏ−であり、Ｘ１は、ハロゲン、−Ｃ≡Ｎ、−ＣＦ３、または−ＯＣＦ３であり、Ｌ１、Ｌ２は、水素またはフッ素であり、Ｙ１、Ｙ２はフッ素であり；ａ、ｂ、ｃ、ｄは、０または１であり、和は１または２である。

Description

本発明は、液晶性化合物、液晶組成物および液晶表示素子に関する。さらに詳しくは、ジフルオロメチレンオキシを有する化合物、この化合物を含有し、ネマチック相を有する液晶組成物、およびこの組成物を含む液晶表示素子に関する。

液晶表示素子は、パソコン、テレビなどのディスプレイに広く利用されている。この素子は、液晶性化合物の光学的異方性、誘電率異方性などを利用したものである。液晶表示素子の動作モードとしては、ＰＣ（phase change）モード、ＴＮ（twisted nematic）モード、ＳＴＮ（super twisted nematic）モード、ＢＴＮ（bistable twisted nematic）モード、ＥＣＢ（electrically controlled birefringence）モード、ＯＣＢ（optically compensated bend）モード、ＩＰＳ（in-plane switching）モード、ＶＡ（vertical alignment）モード、ＦＦＳ（fringe field switching）モード、ＰＳＡ（polymer sustained alignment）モードなどが知られている。

このような液晶表示素子では、適切な物性を有する液晶組成物が使われている。液晶表示素子の特性をさらに向上させるには、この組成物に含まれる液晶性化合物が、下記の（１）〜（８）で示す物性を有するのが好ましい。
（１）熱、光などに対する高い安定性
（２）高い透明点
（３）液晶相の低い下限温度
（４）小さな粘度（η）
（５）適切な光学的異方性（Δｎ）
（６）大きな誘電率異方性（Δε）
（７）適切な弾性定数（Ｋ）
（８）他の液晶性化合物との優れた相溶性
（９）短軸方向の大きな誘電率（ε⊥）

液晶性化合物の物性が素子の特性に及ぼす効果は、次のとおりである。（１）のように、熱、光などに対する高い安定性を有する化合物は、素子の電圧保持率を大きくする。これによって、素子の寿命が長くなる。（２）のように、高い透明点を有する化合物は、素子の使用可能な温度範囲を広げる。（３）のように、ネマチック相、スメクチック相などのような液晶相の低い下限温度、特にネマチック相の低い下限温度を有する化合物も、素子の使用可能な温度範囲を広げる。（４）のように、粘度の小さな化合物は、素子の応答時間を短くする。

（５）のように、適切な光学的異方性を有する化合物は、素子のコントラストを向上させる。素子の設計に応じて、大きな光学的異方性または小さな光学的異方性、すなわち適切な光学的異方性を有する化合物が必要である。素子のセルギャップを小さくすることにより応答時間を短くする場合には、大きな光学的異方性を有する化合物が適している。（６）のように大きな誘電率異方性を有する化合物は、素子のしきい値電圧を下げる。これによって、素子の消費電力が小さくなる。一方、小さな誘電率異方性を有する化合物は、組成物の粘度を小さくすることによって、素子の応答時間を短くする。

（７）に関しては、大きな弾性定数を有する化合物は、素子の応答時間を短くする。小さな弾性定数を有する化合物は、素子のしきい値電圧を下げる。したがって、向上させたい特性に応じて適切な弾性定数が必要になる。（８）のように他の液晶性化合物との優れた相溶性を有する化合物が好ましい。これは、異なった物性を有する液晶性化合物を混合して、組成物の物性を調節するからである。

さらに近年、液晶表示素子の低消費電力化、高精細化の要求に伴い、液晶組成物の透過率改善が強く求められている。中でもＦＦＳモードの液晶表示素子に用いられる液晶組成物の透過率は、液晶組成物の短軸方向の誘電率（ε⊥）と相関している事が知られており、（９）のように短軸方向の大きな誘電率を有する液晶性化合物が好ましい。

これまでに、大きな誘電率異方性を有する液晶性化合物として、ＣＦ_２Ｏ結合基を有する液晶性化合物が種々合成されており、そのうちのいくつかは実用的に用いられている。しかし、これらの化合物は短軸方向の誘電率が十分に大きくない。このような状況から、上記の物性（１）〜（９）に関して優れた物性と適切なバランスを有する化合物、とりわけ大きな誘電率異方性（Δε）と、短軸方向の大きな誘電率を併せ持つ化合物の開発が望まれている。

国際公開第９６／０１１８９７号特開平１０−２０４０１６号公報独国特許出願公開第４００６９２１号明細書特開２００１−１３９５１１号公報特開２００２−８０４５２号公報特開２００２−３２７１７５号公報

本発明の第一の課題は、光に対する高い安定性、高い透明点、液晶相の低い下限温度、小さな粘度、適切な光学的異方性、大きな誘電率異方性、短軸方向の大きな誘電率、適切な弾性定数、他の液晶性化合物との優れた相溶性などの物性の少なくとも１つを充足する液晶性化合物を提供することである。特に大きな誘電率異方性と短軸方向の大きな誘電率を併せ持つ化合物を提供することである。第二の課題は、この化合物を含有し、ネマチック相の高い上限温度、ネマチック相の低い下限温度、小さな粘度、適切な光学的異方性、大きな誘電率異方性、短軸方向の大きな誘電率、適切な弾性定数などの物性の少なくとも１つを充足する液晶組成物を提供することである。この課題は、少なくとも２つの物性に関して適切なバランスを有する液晶組成物を提供することである。第三の課題は、この組成物を含み、素子を使用できる広い温度範囲、短い応答時間、大きな電圧保持率、低いしきい値電圧、大きなコントラスト比、および長い寿命を有する液晶表示素子を提供することである。

本発明は、式（１）で表される化合物、この化合物を含有する液晶組成物、およびこの組成物を含む液晶表示素子に関する。

式（１）において、
Ｒ^１は、炭素数１〜１５のアルキルであり、このアルキルにおいて、少なくとも１つの−ＣＨ_２−は−Ｏ−または−Ｓ−で置き換えられてもよく、少なくとも１つの−（ＣＨ_２）_２−は−ＣＨ＝ＣＨ−で置き換えられてもよく、これらの基において、少なくとも１つの水素はハロゲンで置き換えられてもよく；
環Ａ^１、環Ａ^２、環Ａ^３、および環Ａ^４は独立して、１，４−シクロへキシレン、１，４−シクロヘキセニレン、１，４−フェニレン、２−フルオロ−１，４−フェニレン、２，６−ジフルオロ−１，４−フェニレン、２−クロロ−１，４−フェニレン、２，６−ジクロロ−１，４−フェニレン、２−クロロ−６−フルオロ−１，４−フェニレン、テトラヒドロピラン−２，５−ジイル、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル、２，６，７−トリオキサビシクロ[２．２．２]オクタン−１，４−ジイル、ピリミジン−２，５−ジイル、またはピリジン−２，５−ジイルであり；
Ｘ^１は、ハロゲン、−Ｃ≡Ｎ、−Ｎ＝Ｃ＝Ｓ、または少なくとも１つの水素がフッ素で置き換えられた炭素数１〜１０のアルキル、少なくとも１つの水素がフッ素で置き換えられた炭素数２〜１０のアルケニル、少なくとも１つの水素がフッ素で置き換えられた炭素数１〜９のアルコキシ、または少なくとも１つの水素がフッ素で置き換えられた炭素数２〜９のアルケニルオキシであり；
Ｌ^１およびＬ^２は独立して、水素またはフッ素であり；
Ｙ^１およびＹ^２は独立して、フッ素または塩素であり；
Ｗ^１は、単結合、−（ＣＨ_２）_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、または−ＣＦ＝ＣＦ−であり；
Ｚ^１、Ｚ^２、Ｚ^３、およびＺ^４は独立して、単結合、−（ＣＨ_２）_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、または−ＣＦ＝ＣＦ−であり、
ａ、ｂ、ｃ、およびｄは独立して、０または１であり、ａ、ｂ、ｃ、およびｄの和は、１、２、または３であり；
ａが１のときのＺ^１、ｂが１のときのＺ^２、ｃが１のときのＺ^３、およびｄが１のときのＺ^４のうち、少なくとも１つは−ＣＦ_２Ｏ−である。

本発明の第一の長所は、光に対する高い安定性、高い透明点、液晶相の低い下限温度、小さな粘度、適切な光学的異方性、大きな誘電率異方性、適切な弾性定数、他の液晶性化合物との優れた相溶性、短軸方向の大きな誘電率などの物性の少なくとも１つを充足する液晶性化合物を提供することである。特に大きな誘電率異方性と短軸方向の大きな誘電率とを併せ持つ化合物を提供することである。第二の長所は、この化合物を含有し、ネマチック相の高い上限温度、ネマチック相の低い下限温度、小さな粘度、適切な光学的異方性、大きな誘電率異方性、短軸方向の大きな誘電率、適切な弾性定数などの物性の少なくとも１つを充足する液晶組成物を提供することである。第三の長所は、この組成物を含み、素子を使用できる広い温度範囲、短い応答時間、大きな電圧保持率、低いしきい値電圧、大きなコントラスト比、および長い寿命を有する液晶表示素子を提供することである。

この明細書における用語の使い方は次のとおりである。液晶性化合物は、ネマチック相、スメクチック相などの液晶相を有する化合物、および液晶相を有しないが、上限温度、下限温度、粘度、誘電率異方性のような組成物の物性を調節する目的で添加する化合物の総称である。これらの化合物は、例えば、１，４−シクロヘキシレンや１，４−フェニレンのような六員環を有し、その分子構造は棒状（rod like）である。このような液晶性化合物を混合することによって液晶組成物が調製される。液晶性化合物の割合（含有量）は、この液晶組成物の重量に基づいた重量百分率（重量％）で表される。この組成物に、重合可能な化合物、重合開始剤、光学活性化合物、酸化防止剤、紫外線吸収剤、光安定剤、熱安定剤、消泡剤、色素のような添加物が必要に応じて添加される。添加物の割合（添加量）は、液晶性化合物の割合と同様に、液晶組成物の重量に基づいた重量百分率（重量％）で表される。重量百万分率（ｐｐｍ）が用いられることもある。液晶表示素子は、液晶表示パネルおよび液晶表示モジュールの総称である。液晶性化合物、液晶組成物、液晶表示素子をそれぞれ化合物、組成物、素子と略すことがある。透明点は、液晶性化合物における液晶相−等方相の転移温度である。液晶相の下限温度は、液晶性化合物における固体−液晶相（スメクチック相、ネマチック相など）の転移温度である。ネマチック相の上限温度は、液晶組成物におけるネマチック相−等方相の転移温度であり、上限温度と略すことがある。ネマチック相の下限温度を下限温度と略すことがある。

式（１）で表される化合物を化合物（１）と略すことがある。この略記は式（２）などで表される化合物にも適用することがある。式（１）から式（１５）において、六角形で囲んだＡ^１、Ｂ^１、Ｃ^１などの記号はそれぞれ環Ａ^１、環Ｂ^１、環Ｃ^１などに対応する。末端基Ｒ^１１の記号を複数の化合物に用いた。これらの化合物において、任意の２つのＲ^１１が表す２つの基は、同一であってもよいし、または異なってもよい。例えば、化合物（２）のＲ^１１がエチルであり、化合物（３）のＲ^１１がエチルであるケースがある。化合物（２）のＲ^１１がエチルであり、化合物（３）のＲ^１１がプロピルであるケースもある。このルールは、他の末端基、環などの記号にも適用される。式（５）において、ｉが２のとき、２つの環Ｃ^１が存在する。この化合物において、２つの環Ｃ^１が表す２つの基は、同一であってもよいし、または異なってもよい。このルールは、ｉが２より大きいときの任意の２つにも適用される。このルールは、他の環、結合基などの記号にも適用される。

「少なくとも１つの“Ａ”は、“Ｂ”で置き換えられてもよい」の表現は、“Ａ”の数が１つのとき、“Ａ”の位置は任意であり、“Ａ”の数が２つ以上のときも、それらの位置は制限なく選択できることを意味する。「少なくとも１つのＡが、Ｂ、ＣまたはＤで置き換えられてもよい」という表現は、任意のＡがＢで置き換えられる場合、任意のＡがＣで置き換えられる場合、および任意のＡがＤで置き換えられる場合、さらに複数のＡがＢ、Ｃ、Ｄの少なくとも２つで置き換えられる場合を含むことを意味する。例えば、少なくとも１つの−ＣＨ_２−が−Ｏ−または−ＣＨ＝ＣＨ−で置き換えられてもよいアルキルには、アルキル、アルケニル、アルコキシ、アルコキシアルキル、アルコキシアルケニル、アルケニルオキシアルキルが含まれる。なお、連続する２つの−ＣＨ_２−が−Ｏ−で置き換えられて、−Ｏ−Ｏ−のようになることは好ましくない。アルキルなどにおいて、メチル部分（−ＣＨ_２−Ｈ）の−ＣＨ_２−が−Ｏ−で置き換えられて−Ｏ−Ｈになることも好ましくない。

２−フルオロ−１，４−フェニレンは、下記の２つの二価基を意味する。化学式において、フッ素は左向き（Ｌ）であってもよいし、右向き（Ｒ）であってもよい。このルールは、テトラヒドロピラン−２，５−ジイルのような、非対称の二価の環にも適用される。

本発明は、下記の項１〜項１４に記載された内容を包含する。

項１．式（１）で表される化合物。

式（１）において、
Ｒ^１は、炭素数１〜１５のアルキルであり、このアルキルにおいて、少なくとも１つの−ＣＨ_２−は−Ｏ−または−Ｓ−で置き換えられてもよく、少なくとも１つの−（ＣＨ_２）_２−は−ＣＨ＝ＣＨ−で置き換えられてもよく、これらの基において、少なくとも１つの水素はハロゲンで置き換えられてもよく；
環Ａ^１、環Ａ^２、環Ａ^３、および環Ａ^４は独立して、１，４−シクロへキシレン、１，４−シクロヘキセニレン、１，４−フェニレン、２−フルオロ−１，４−フェニレン、２，６−ジフルオロ−１，４−フェニレン、２−クロロ−１，４−フェニレン、２，６−ジクロロ−１，４−フェニレン、２−クロロ−６−フルオロ−１，４−フェニレン、テトラヒドロピラン−２，５−ジイル、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル、２，６，７−トリオキサビシクロ[２．２．２]オクタン−１，４−ジイル、ピリミジン−２，５−ジイル、またはピリジン−２，５−ジイルであり；
Ｘ^１は、ハロゲン、−Ｃ≡Ｎ、−Ｎ＝Ｃ＝Ｓ、または少なくとも１つの水素がフッ素で置き換えられた炭素数１〜１０のアルキル、少なくとも１つの水素がフッ素で置き換えられた炭素数２〜１０のアルケニル、少なくとも１つの水素がフッ素で置き換えられた炭素数１〜９のアルコキシ、または少なくとも１つの水素がフッ素で置き換えられた炭素数２〜９のアルケニルオキシであり；
Ｌ^１およびＬ^２は独立して、水素またはフッ素であり；
Ｙ^１およびＹ^２は独立して、フッ素または塩素であり；
Ｗ^１は、単結合、−（ＣＨ_２）_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、または−ＣＦ＝ＣＦ−であり；
Ｚ^１、Ｚ^２、Ｚ^３、およびＺ^４は独立して、単結合、−（ＣＨ_２）_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、または−ＣＦ＝ＣＦ−であり；
ａ、ｂ、ｃ、およびｄは独立して、０または１であり、ａ、ｂ、ｃ、およびｄの和は、１、２、または３であり；
ａが１のときのＺ^１、ｂが１のときのＺ^２、ｃが１のときのＺ^３、およびｄが１のときのＺ^４のうち、少なくとも１つは−ＣＦ_２Ｏ−である。

項２．項１に記載の式（１）において、Ｒ^１が、炭素数１〜１５のアルキル、炭素数２〜１５のアルケニル、炭素数１〜１４のアルコキシ、または炭素数２〜１４のアルケニルオキシであり；Ｘ^１が、フッ素、塩素、−Ｃ≡Ｎ、−Ｎ＝Ｃ＝Ｓ、−ＣＨ_２Ｆ、−ＣＨＦ_２、−ＣＦ_３、−（ＣＨ_２）_２−Ｆ、−ＣＨ_２ＣＦ_３、−ＣＦ_２ＣＦ_３、−（ＣＨ_２）_３−Ｆ、−（ＣＨ_２）_２−ＣＦ_３、−（ＣＦ_２）_３−Ｆ、−（ＣＨ_２）_４−Ｆ、−（ＣＨ_２）_３−ＣＦ_３、−（ＣＦ_２）_４−Ｆ、−（ＣＦ_２）_５−Ｆ、−（ＣＦ_２）_６−Ｆ、−（ＣＦ_２）_７−Ｆ、−ＯＣＨ_２Ｆ、−ＯＣＨＦ_２、−ＯＣＦ_３、−Ｏ−（ＣＨ_２）_２−Ｆ、−ＯＣＨ_２ＣＦ_３、−ＯＣＦ_２ＣＦ_３、−Ｏ−（ＣＨ_２）_３−Ｆ、−Ｏ−（ＣＨ_２）_２−ＣＦ_３、−Ｏ−（ＣＦ_２）_３−Ｆ、−Ｏ（ＣＨ_２）_４−Ｆ、−Ｏ−（ＣＨ_２）_３−ＣＦ_３、−Ｏ−（ＣＦ_２）_４−Ｆ、−Ｏ−（ＣＦ_２）_５−Ｆ、−Ｏ−（ＣＦ_２）_６−Ｆ、−ＣＨ＝ＣＨＦ、−ＣＨ＝ＣＦ_２、−ＣＦ＝ＣＨＦ、−ＣＦ＝ＣＦ_２、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ_２Ｆ、−ＣＨ＝ＣＨＣＦ_３、−ＣＦ＝ＣＨＣＦ_３、−ＣＦ＝ＣＦＣＦ_３、−（ＣＨ_２）_２−ＣＨ＝ＣＦ_２、−（ＣＨ_２）_２−ＣＦ＝ＣＦ_２、−（ＣＨ_２）_２−ＣＨ＝ＣＨＣＦ_３、−（ＣＨ_２）_２−ＣＦ＝ＣＨＣＦ_３、または−（ＣＨ_２）_２−ＣＦ＝ＣＦＣＦ_３である項１に記載の化合物。

項３．項１に記載の式（１）において、Ｒ^１が、炭素数１〜１０のアルキル、炭素数２〜１０のアルケニル、炭素数１〜９のアルコキシ、または炭素数２〜９のアルケニルオキシであり；Ｘ^１が、フッ素、塩素、−Ｃ≡Ｎ、−ＣＦ_３、−ＣＨＦ_２、−ＯＣＦ_３、−ＯＣＨＦ_２、−ＣＨ＝ＣＨＣＦ_３、−ＣＦ＝ＣＨＣＦ_３、または−ＣＦ＝ＣＦＣＦ_３である項１に記載の化合物。

項４．式（１−１）〜（１−７）のいずれか１つで表される、項１に記載の化合物。

式（１−１）〜（１−７）において、
Ｒ^１は、炭素数１〜１０のアルキル、炭素数２〜１０のアルケニル、または炭素数１〜９のアルコキシであり；
環Ａ^１、環Ａ^２、環Ａ^３、および環Ａ^４は独立して、１，４−シクロへキシレン、１，４−シクロヘキセニレン、１，４−フェニレン、２−フルオロ−１，４−フェニレン、２，６−ジフルオロ−１，４−フェニレン、テトラヒドロピラン−２，５−ジイル、または１，３−ジオキサン−２，５−ジイルであり；
Ｚ^１、Ｚ^２、Ｚ^３、およびＺ^４は独立して、単結合、−（ＣＨ_２）_２−、−ＣＯＯ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＣＨ_２Ｏ−、または−ＯＣＨ_２−であり；
Ｗ^１は、単結合、−（ＣＨ_２）_２−、または−ＯＣＨ_２−であり；
Ｘ^１は、フッ素、−ＣＦ_３、または−ＯＣＦ_３であり；
Ｌ^１およびＬ^２は独立して、水素またはフッ素であり；
Ｙ^１およびＹ^２は独立して、フッ素または塩素であり；
式（１−３）において、Ｚ^１およびＺ^２のうちいずれか一方は−ＣＦ_２Ｏ−であり；
式（１−４）において、Ｚ^１およびＺ^３のうちいずれか一方は−ＣＦ_２Ｏ−であり；
式（１−５）において、Ｚ^３およびＺ^４のうちいずれか一方は−ＣＦ_２Ｏ−であり；
式（１−６）において、Ｚ^１、Ｚ^２、およびＺ^３のうちいずれか１つは−ＣＦ_２Ｏ−であり；
式（１−７）において、Ｚ^１、Ｚ^３、およびＺ^４のうちいずれか１つは−ＣＦ_２Ｏ−である。

項５．式（１−８）〜（１−１２）のいずれか１つで表される、項１に記載の化合物。

式（１−８）〜（１−１２）において、
Ｒ^１は炭素数１〜１０のアルキル、炭素数２〜１０のアルケニル、または炭素数１〜９のアルコキシであり；
環Ａ^１、環Ａ^２、環Ａ^３、および環Ａ^４は独立して、１，４−シクロへキシレン、１，４−シクロヘキセニレン、１，４−フェニレン、２−フルオロ−１，４−フェニレン、２，６−ジフルオロ−１，４−フェニレン、テトラヒドロピラン−２，５−ジイル、または１，３−ジオキサン−２，５−ジイルであり；
Ｘ^１は、フッ素、−ＣＦ_３、または−ＯＣＦ_３であり；
Ｌ^１およびＬ^２は独立して、水素またはフッ素である。

項６．式（１−１３）〜（１−２２）のいずれか１つで表される、項１に記載の化合物。

式（１−１３）〜（１−２２）において、Ｒ^１は炭素数１〜１０のアルキル、炭素数２〜１０のアルケニル、または炭素数１〜９のアルコキシであり；Ｘ^１は、フッ素、−ＣＦ_３、または−ＯＣＦ_３であり；Ｌ^１、Ｌ^２、Ｌ^３、Ｌ^４、Ｌ^５、およびＬ^６は独立して、水素またはフッ素である。

項７．式（１−２３）〜（１−２５）のいずれか１つで表される、項１に記載の化合物。

式（１−２３）〜（１−２５）において、Ｒ^１は炭素数１〜１０のアルキル、炭素数２〜１０のアルケニル、または炭素数１〜９のアルコキシであり；Ｘ^１は、フッ素、−ＣＦ_３、または−ＯＣＦ_３であり；Ｌ¹、Ｌ^２、およびＬ^３は独立して、水素またはフッ素である。

項８．項１〜項７のいずれか１項に記載の化合物の少なくとも１つを含有する液晶組成物。

項９．式（２）〜（４）で表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物をさらに含有する、項８に記載の液晶組成物。

式（２）〜（４）において、
Ｒ^１１は、炭素数１〜１０のアルキルまたは炭素数２〜１０のアルケニルであり、このアルキルおよびアルケニルにおいて、少なくとも１つの水素はフッ素で置き換えられてもよく、少なくとも１つの−ＣＨ₂−は−Ｏ−で置き換えられてもよく；
Ｘ^１１は、フッ素、塩素、−ＯＣＦ₃、−ＯＣＨＦ₂、−ＣＦ₃、−ＣＨＦ₂、−ＣＨ₂Ｆ、−ＯＣＦ₂ＣＨＦ₂、または−ＯＣＦ₂ＣＨＦＣＦ₃であり；
環Ｂ^１、環Ｂ^２、および環Ｂ^３は独立して、１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、２−フルオロ−１，４−フェニレン、２，６−ジフルオロ−１，４−フェニレン、テトラヒドロピラン−２，５−ジイル、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル、またはピリミジン−２，５−ジイルであり；
Ｚ^１１、Ｚ^１２、およびＺ^１３は独立して、単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＯＯ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、または−（ＣＨ_２）_４−であり；
Ｌ^１１およびＬ^１２は独立して、水素またはフッ素である。

項１０．式（５）で表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物をさらに含有する、項８または項９に記載の液晶組成物。

式（５）において、
Ｒ^１２は、炭素数１〜１０のアルキルまたは炭素数２〜１０のアルケニルであり、このアルキルおよびアルケニルにおいて、少なくとも１つの水素はフッ素で置き換えられてもよく、少なくとも１つの−ＣＨ₂−は−Ｏ−で置き換えられてもよく；
Ｘ^１２は、−Ｃ≡Ｎまたは−Ｃ≡Ｃ−Ｃ≡Ｎであり；
環Ｃ^１は、１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、２−フルオロ−１，４−フェニレン、２，６−ジフルオロ−１，４−フェニレン、テトラヒドロピラン−２，５−ジイル、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル、またはピリミジン−２，５−ジイルであり；
Ｚ^１４は、単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＯＯ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、または−ＣＨ_２Ｏ−であり；
Ｌ^１３およびＬ^１４は独立して、水素またはフッ素であり；
ｉは、１、２、３、または４である。

項１１．式（６）〜（１２）で表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物をさらに含有する、項８〜項１０のいずれか１項に記載の液晶組成物。

式（６）〜（１２）において、
Ｒ^１３およびＲ^１４は独立して、炭素数１〜１０のアルキルまたは炭素数２〜１０のアルケニルであり、このアルキルおよびアルケニルにおいて、少なくとも１つの−ＣＨ₂−は−Ｏ−で置き換えられてもよく；
Ｒ^１５は、水素、フッ素、炭素数１〜１０のアルキル、または炭素数２〜１０のアルケニルであり、このアルキルおよびアルケニルにおいて、少なくとも１つの−ＣＨ₂−は−Ｏ−で置き換えられてもよく、少なくとも１つの水素はフッ素で置き換えられてもよく；
Ｓ^１１は、水素またはメチルであり；
Ｘは、−ＣＦ_２−、−Ｏ−、または−ＣＨＦ−であり；
環Ｄ^１、環Ｄ^２、環Ｄ^３、および環Ｄ^４は独立して、１，４−シクロヘキシレン、１，４−シクロヘキセニレン、少なくとも１つの水素がフッ素で置き換えられてもよい１，４−フェニレン、テトラヒドロピラン−２，５−ジイル、またはデカヒドロナフタレン−２，６−ジイルであり；
環Ｄ^５および環Ｄ^６は独立して、１，４−シクロヘキシレン、１，４−シクロヘキセニレン、１，４−フェニレン、テトラヒドロピラン−２，５−ジイル、またはデカヒドロナフタレン−２，６−ジイルであり；
Ｚ^１５、Ｚ^１６、Ｚ^１７、およびＺ^１８は独立して、単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＯＯ−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、または−ＯＣＦ_２ＣＨ_２ＣＨ_２−であり；
Ｌ^１５およびＬ^１６は独立して、フッ素または塩素であり；
ｊ、ｋ、ｍ、ｎ、ｐ、ｑ、ｒ、およびｓは独立して、０または１であり、ｋ、ｍ、ｎ、およびｐの和は、１または２であり、ｑ、ｒ、およびｓの和は、０、１、２、または３であり、ｔは、１、２、または３である。

項１２．式（１３）〜（１５）で表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物をさらに含有する、項８〜項１１のいずれか１項に記載の液晶組成物。

式（１３）〜（１５）において、
Ｒ^１６およびＲ^１７は独立して、炭素数１〜１０のアルキルまたは炭素数２〜１０のアルケニルであり、このアルキルおよびアルケニルにおいて、少なくとも１つの−ＣＨ₂−は−Ｏ−で置き換えられてもよく、少なくとも１つの水素はフッ素で置き換えられてもよく；
環Ｅ^１、環Ｅ^２、環Ｅ^３、および環Ｅ^４は独立して、１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、２−フルオロ−１，４−フェニレン、２，５−ジフルオロ−１，４−フェニレン、またはピリミジン−２，５−ジイルであり；
Ｚ^１９、Ｚ^２０、およびＺ^２１は独立して、単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、または−ＣＯＯ−である。

項１３．重合可能な化合物、光学活性化合物、酸化防止剤、紫外線吸収剤、光安定剤、熱安定剤、および消泡剤の少なくとも１つをさらに含有する、項８〜項１２に記載の液晶組成物。

項１４．項８〜項１３のいずれか１項に記載の液晶組成物を含有する液晶表示素子。

本発明の化合物、液晶組成物および液晶表示素子について、順に説明する。

１−１．化合物（１）
本発明の化合物（１）は、環として２位および３位の水素がハロゲンで置き換えられた１，４−フェニレンを有し、かつ結合基としてジフルオロメチレンオキシを有しているので、大きな誘電率異方性と、短軸方向の大きな誘電率を併せ持つという特徴を有する。本発明の化合物（１）の好ましい例について説明する。化合物（１）における末端基、環構造、結合基、および置換基の好ましい例は、化合物（１）の下位式にも適用される。

式（１）において、
Ｒ^１は、炭素数１〜１５のアルキルであり、このアルキルにおいて、少なくとも１つの−ＣＨ_２−は−Ｏ−または−Ｓ−で置き換えられてもよく、少なくとも１つの−（ＣＨ_２）_２−は−ＣＨ＝ＣＨ−で置き換えられてもよく、これらの基において、少なくとも１つの水素はハロゲンで置き換えられてもよい。

このような末端基Ｒ^１の例は、アルキル、アルコキシ、アルコキシアルキル、アルコキシアルコキシ、アルキルチオ、アルキルチオアルコキシ、アルケニル、アルケニルオキシ、アルケニルオキシアルキル、アルコキシアルケニル、およびアルケニルチオである。これらの基において、少なくとも１つの水素はハロゲンで置き換えられてもよい。好ましいハロゲンは、フッ素および塩素である。さらに好ましいハロゲンはフッ素である。これらの基は、直鎖または分岐鎖であり、シクロヘキシルのような環状基を含まない。これらの基において分岐鎖よりも直鎖の方が好ましい。

アルケニルにおける−ＣＨ＝ＣＨ−の好ましい立体配置は、二重結合の位置に依存する。−ＣＨ＝ＣＨＣＨ_３、−ＣＨ＝ＣＨＣ_２Ｈ_５、−ＣＨ＝ＣＨＣ_３Ｈ_７、−ＣＨ＝ＣＨＣ_４Ｈ_９、−Ｃ_２Ｈ_４ＣＨ＝ＣＨＣＨ_３、および−Ｃ_２Ｈ_４ＣＨ＝ＣＨＣ_２Ｈ_５のような奇数位に二重結合をもつアルケニルにおいてはトランス配置が好ましい。−ＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨＣＨ_３、−ＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨＣ_２Ｈ_５、および−ＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨＣ_３Ｈ_７のような偶数位に二重結合をもつアルケニルにおいてはシス配置が好ましい。好ましい立体配置を有するアルケニル化合物は、高い透明点または液晶相の広い温度範囲を有する。Mol. Cryst. Liq. Cryst., 1985, 131, 109およびMol. Cryst. Liq. Cryst., 1985, 131, 327、に詳細な説明がある。

アルキルの例は、−ＣＨ_３、−Ｃ_２Ｈ_５、−Ｃ_３Ｈ_７、−Ｃ_４Ｈ_９、−Ｃ_５Ｈ_１１、−Ｃ_６Ｈ_１３、−Ｃ_７Ｈ_１５、−Ｃ_８Ｈ_１７、−Ｃ_９Ｈ_１９、−Ｃ_１０Ｈ_２１、−Ｃ_１１Ｈ_２３、−Ｃ_１２Ｈ_２５、−Ｃ_１３Ｈ_２７、−Ｃ_１４Ｈ_２９、および−Ｃ_１５Ｈ_３１である。

アルコキシの例は、−ＯＣＨ_３、−ＯＣ_２Ｈ_５、−ＯＣ_３Ｈ_７、−ＯＣ_４Ｈ_９、−ＯＣ_５Ｈ_１１、−ＯＣ_６Ｈ_１３、−ＯＣ_７Ｈ_１５、−ＯＣ_８Ｈ_１７、−ＯＣ_９Ｈ_１９、−ＯＣ_１０Ｈ_２１、−ＯＣ_１１Ｈ_２３、−ＯＣ_１２Ｈ_２５、−ＯＣ_１３Ｈ_２７、および−ＯＣ_１４Ｈ_２９である。

アルコキシアルキルの例は、−ＣＨ_２ＯＣＨ_３、−ＣＨ_２ＯＣ_２Ｈ_５、−ＣＨ_２ＯＣ_３Ｈ_７、−（ＣＨ_２）_２−ＯＣＨ_３、−（ＣＨ_２）_２−ＯＣ_２Ｈ_５、−（ＣＨ_２）_２−ＯＣ_３Ｈ_７、−（ＣＨ_２）_３−ＯＣＨ_３、−（ＣＨ_２）_４−ＯＣＨ_３、および−（ＣＨ_２）_５−ＯＣＨ_３である。

アルケニルの例は、−ＣＨ＝ＣＨ_２、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ_３、−ＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨ_２、−ＣＨ＝ＣＨＣ_２Ｈ_５、−ＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨＣＨ_３、−（ＣＨ_２）_２−ＣＨ＝ＣＨ_２、−ＣＨ＝ＣＨＣ_３Ｈ_７、−ＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨＣ_２Ｈ_５、−（ＣＨ_２）_２−ＣＨ＝ＣＨＣＨ_３、および−（ＣＨ_２）_３−ＣＨ＝ＣＨ_２である。

アルケニルオキシの例は、−ＯＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨ_２、−ＯＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨＣＨ_３、および−ＯＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨＣ_２Ｈ_５である。

少なくとも１つの水素がハロゲンで置き換えられたアルキルの例は、−ＣＨ_２Ｆ、−ＣＨＦ_２、−ＣＦ_３、−（ＣＨ_２）_２−Ｆ、−ＣＦ_２ＣＨ_２Ｆ、−ＣＦ_２ＣＨＦ_２、−ＣＨ_２ＣＦ_３、−ＣＦ_２ＣＦ_３、−（ＣＨ_２）_３−Ｆ、−（ＣＦ_２）_３−Ｆ、−ＣＦ_２ＣＨＦＣＦ_３、−ＣＨＦＣＦ_２ＣＦ_３、−（ＣＨ_２）_４−Ｆ、−（ＣＦ_２）_４−Ｆ、−（ＣＨ_２）_５−Ｆ、−（ＣＦ_２）_５−Ｆ、−ＣＨ_２Ｃｌ、−ＣＨＣｌ_２、−ＣＣｌ_３、−（ＣＨ_２）_２−Ｃｌ、−ＣＣｌ_２ＣＨ_２Ｃｌ、−ＣＣｌ_２ＣＨＣｌ_２、−ＣＨ_２ＣＣｌ_３、−ＣＣｌ_２ＣＣｌ_３、−（ＣＨ_２）_３−Ｃｌ、−（ＣＣｌ_２）_３−Ｃｌ、−ＣＣｌ_２ＣＨＣｌＣＣｌ_３、−ＣＨＣｌＣＣｌ_２ＣＣｌ_３、−（ＣＨ_２）_４−Ｃｌ、−（ＣＣｌ_２）_４−Ｃｌ、−（ＣＨ_２）_５−Ｃｌ、および−（ＣＣｌ_２）_５−Ｃｌである。

少なくとも１つの水素がハロゲンで置き換えられたアルコキシの例は、−ＯＣＨ_２Ｆ、−ＯＣＨＦ_２、−ＯＣＦ_３、−Ｏ−（ＣＨ_２）_２−Ｆ、−ＯＣＦ_２ＣＨ_２Ｆ、−ＯＣＦ_２ＣＨＦ_２、−ＯＣＨ_２ＣＦ_３、−Ｏ−（ＣＨ_２）_３−Ｆ、−Ｏ−（ＣＦ_２）_３−Ｆ、−ＯＣＦ_２ＣＨＦＣＦ_３、−ＯＣＨＦＣＦ_２ＣＦ_３、−Ｏ（ＣＨ_２）_４−Ｆ、−Ｏ−（ＣＦ_２）_４−Ｆ、−Ｏ−（ＣＨ_２）_５−Ｆ、−Ｏ−（ＣＦ_２）_５−Ｆ、−ＯＣＨ_２Ｃｌ、−ＯＣＨＣｌ_２、−ＯＣＣｌ_３、−Ｏ−（ＣＨ_２）_２−Ｃｌ、−ＯＣＣｌ_２ＣＨ_２Ｃｌ、−ＯＣＣｌ_２ＣＨＣｌ_２、−ＯＣＨ_２ＣＣｌ_３、−Ｏ−（ＣＨ_２）_３−Ｃｌ、−Ｏ−（ＣＣｌ_２）_３−Ｃｌ、−ＯＣＣｌ_２ＣＨＣｌＣＣｌ_３、−ＯＣＨＣｌＣＣｌ_２ＣＣｌ_３、−Ｏ（ＣＨ_２）_４−Ｃｌ、−Ｏ−（ＣＣｌ_２）_４−Ｃｌ、−Ｏ−（ＣＨ_２）_５−Ｃｌ、および−Ｏ−（ＣＣｌ_２）_５−Ｃｌである。

少なくとも１つの水素がハロゲンで置き換えられたアルケニルの例は、−ＣＨ＝ＣＨＦ、−ＣＨ＝ＣＦ_２、−ＣＦ＝ＣＨＦ、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ_２Ｆ、−ＣＨ＝ＣＨＣＦ_３、−（ＣＨ_２）_２−ＣＨ＝ＣＦ_２、−ＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨＣＦ_３、−ＣＨ＝ＣＨＣＦ_２ＣＦ_３、−ＣＨ＝ＣＨＣｌ、−ＣＨ＝ＣＣｌ_２、−ＣＣｌ＝ＣＨＣｌ、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ_２Ｃｌ、−ＣＨ＝ＣＨＣＣｌ_３、−（ＣＨ_２）_２−ＣＨ＝ＣＣｌ_２、−ＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨＣＣｌ_３、および−ＣＨ＝ＣＨＣＣｌ_２ＣＣｌ_３である。

Ｒ^１の好ましい例は、炭素数１〜１５のアルキル、炭素数２〜１５のアルケニル、および炭素数２〜１５のアルコキシである。Ｒ^１のさらに好ましい例は、炭素数１〜１０のアルキルおよび炭素数２〜１０のアルケニルである。Ｒ^１の最も好ましい例は、−ＣＨ_３、−Ｃ_２Ｈ_５、−Ｃ_３Ｈ_７、−Ｃ_４Ｈ_９、−Ｃ_５Ｈ_１１、−Ｃ_６Ｈ_１３、−Ｃ_７Ｈ_１５、−ＣＨ＝ＣＨ_２、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ_３、−ＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨ_２、−ＣＨ＝ＣＨＣ_２Ｈ_５、−ＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨＣＨ_３、−（ＣＨ_２）_２−ＣＨ＝ＣＨ_２、−ＣＨ＝ＣＨＣ_３Ｈ_７、−ＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨＣ_２Ｈ_５、−（ＣＨ_２）_２−ＣＨ＝ＣＨＣＨ_３、および−（ＣＨ_２）_３−ＣＨ＝ＣＨ_２である。

式（１）において、環Ａ^１、環Ａ^２、環Ａ^３、および環Ａ^４は独立して、１，４−シクロへキシレン、１，４−シクロヘキセニレン、１，４−フェニレン、２−フルオロ−１，４−フェニレン、２，６−ジフルオロ−１，４−フェニレン、２−クロロ−１，４−フェニレン、２，６−ジクロロ−１，４−フェニレン、２−クロロ−６−フルオロ−１，４−フェニレン、テトラヒドロピラン−２，５−ジイル、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル、２，６，７−トリオキサビシクロ[２．２．２]オクタン−１，４−ジイル、ピリミジン−２，５−ジイル、またはピリジン−２，５−ジイルである。

環Ａ^１、環Ａ^２、環Ａ^３、または環Ａ^４の好ましい例は、１，４−シクロへキシレン、１，４−シクロヘキセニレン、１，４−フェニレン、２−フルオロ−１，４−フェニレン、２，６−ジフルオロ−１，４−フェニレン、テトラヒドロピラン−２，５−ジイル、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル、２，６，７−トリオキサビシクロ[２．２．２]オクタン−１，４−ジイルである。１，４−シクロへキシレンには、シスおよびトランスの立体配置が存在する。高い上限温度の観点から、トランス配置が好ましい。

２−フルオロ−１，４−フェニレン（Ａ−１およびＡ−２）は、左右対称ではない。化学式において、フッ素が右末端基の側に位置する場合（右向き；Ａ−１）と、左末端基の側に位置する場合（左向き；Ａ−２）とが存在する。好ましい２−フルオロ−１，４−フェニレンは、誘電率異方性を大きくするために（右向き；Ａ−１）である。このことは、２，６−ジフルオロ−１，４−フェニレン（Ａ−３およびＡ−４）、２−クロロ−１，４−フェニレン（Ａ−５およびＡ−６）、２，６−ジクロロ−１，４−フェニレン（Ａ−７およびＡ−８）、および２−クロロ−６−フルオロ−１，４−フェニレン（Ａ−９およびＡ−１０）にも当てはまる。

テトラヒドロピラン−２，５−ジイル（Ａ−１１およびＡ−１２）は、左右対称ではない。−Ｏ−が右末端基の側に位置する場合（右向き；Ａ−１１）と、左末端基の側に位置する場合（左向き；Ａ-１２）とがある。大きな誘電率異方性の観点からは右向き（Ａ−１１）が好ましく、短軸方向の大きな誘電率の観点からは左向き（Ａ−１２）が好ましい。１，３−ジオキサン−２，５−ジイル（Ａ−１３およびＡ−１４）、２，６，７−トリオキサビシクロ[２．２．２]オクタン−１，４−ジイル（Ａ−１５およびＡ−１６）、ピリミジン−２，５−ジイル（Ａ−１７およびＡ−１８）、およびピリジン−２，５−ジイル（Ａ−１９およびＡ−２０）においては、誘電率異方性を大きくするために、右向き（Ａ−１３、Ａ−１５、Ａ−１７、およびＡ−１９）が好ましい。

環Ａ^１、環Ａ^２、環Ａ^３、および環Ａ^４のさらに好ましい例は、１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、である。

式（１）において、結合基Ｗ^１は、単結合、−（ＣＨ_２）_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、または−ＣＦ＝ＣＦ−である。Ｗ^１の好ましい例は、単結合、−（ＣＨ_２）_２−、−ＣＯＯ−、−ＣＨ_２Ｏ−、および−ＯＣＨ_２−である。Ｗ^１のさらに好ましい例は、単結合である。

式（１）において、結合基Ｚ^１、Ｚ^２、Ｚ^３、およびＺ^４は独立して、単結合、−（ＣＨ_２）_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、または−ＣＦ＝ＣＦ−であり、ａが１のときのＺ^１、ｂが１のときのＺ^２、ｃが１のときのＺ^３、およびｄが１のときのＺ^４のうち少なくとも１つは−ＣＦ_２Ｏ−である。
Ｚ^１、Ｚ^２、Ｚ^３、およびＺ^４の好ましい例は、単結合、−（ＣＨ_２）_２−、−ＣＯＯ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＣＨ_２Ｏ−、および−ＯＣＨ_２−である。Ｚ^１、Ｚ^２、Ｚ^３、およびＺ^４のさらに好ましい例は、単結合および−ＣＦ_２Ｏ−である。

式（１）において、末端基Ｘ^１は、ハロゲン、−Ｃ≡Ｎ、−Ｎ＝Ｃ＝Ｓ、または少なくとも１つの水素がフッ素で置き換えられた炭素数１〜１０のアルキル、少なくとも１つの水素がフッ素で置き換えられた炭素数２〜１０のアルケニル、少なくとも１つの水素がフッ素で置き換えられた炭素数１〜９のアルコキシ、または少なくとも１つの水素がフッ素で置き換えられた炭素数２〜９のアルケニルオキシである。

少なくとも１つの水素がフッ素で置き換えられたアルキルの例は、−ＣＨ_２Ｆ、−ＣＨＦ_２、−ＣＦ_３、−（ＣＨ_２）_２−Ｆ、−ＣＦ_２ＣＨ_２Ｆ、−ＣＦ_２ＣＨＦ_２、−ＣＨ_２ＣＦ_３、−ＣＦ_２ＣＦ_３、−（ＣＨ_２）_３−Ｆ、−（ＣＦ_２）_２−ＣＦ_３、−ＣＦ_２ＣＨＦＣＦ_３、−ＣＨＦＣＦ_２ＣＦ_３、−（ＣＨ_２）_４−Ｆ、−（ＣＦ_２）_３−ＣＦ_３、−（ＣＨ_２）_５−Ｆ、および−（ＣＦ_２）_４−ＣＦ_３である。

少なくとも１つの水素がフッ素で置き換えられたアルコキシの例は、−ＯＣＨ_２Ｆ、−ＯＣＨＦ_２、−ＯＣＦ_３、−Ｏ−（ＣＨ_２）_２−Ｆ、−ＯＣＦ_２ＣＨ_２Ｆ、−ＯＣＦ_２ＣＨＦ_２、−ＯＣＨ_２ＣＦ_３、−Ｏ−（ＣＨ_２）_３−Ｆ、−Ｏ−（ＣＦ_２）_２−ＣＦ_３、−ＯＣＦ_２ＣＨＦＣＦ_３、−ＯＣＨＦＣＦ_２ＣＦ_３、−Ｏ−（ＣＨ_２）_４−Ｆ、−Ｏ−（ＣＦ_２）_３−ＣＦ_３、−Ｏ−（ＣＨ_２）_５−Ｆ、および−Ｏ−（ＣＦ_２）_４−ＣＦ_３である。

少なくとも１つの水素がフッ素で置き換えられたアルケニルの例は、−ＣＨ＝ＣＨＦ、−ＣＨ＝ＣＦ_２、−ＣＦ＝ＣＨＦ、−ＣＦ＝ＣＦ_２、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ_２Ｆ、−ＣＨ＝ＣＨＣＦ_３、−ＣＦ＝ＣＨＣＦ_３、−ＣＦ＝ＣＦＣＦ_３、−（ＣＨ_２）_２−ＣＨ＝ＣＦ_２、−（ＣＨ_２）_２−ＣＦ＝ＣＦ_２、−（ＣＨ_２）_２−ＣＨ＝ＣＨＣＦ_３、−（ＣＨ_２）_２−ＣＦ＝ＣＨＣＦ_３、および−（ＣＨ_２）_２−ＣＦ＝ＣＦＣＦ_３である。

Ｘ^１の好ましい例は、フッ素、塩素、−Ｃ≡Ｎ、−Ｎ＝Ｃ＝Ｓ、−ＣＨ_２Ｆ、−ＣＨＦ_２、−ＣＦ_３、−（ＣＨ_２）_２−Ｆ、−ＣＨ_２ＣＦ_３、−ＣＦ_２ＣＦ_３、−（ＣＨ_２）_３−Ｆ、−（ＣＨ_２）_２−ＣＦ_３、−（ＣＦ_２）_３−Ｆ、−（ＣＨ_２）_４−Ｆ、−（ＣＨ_２）_３−ＣＦ_３、−（ＣＦ_２）_４−Ｆ、−（ＣＦ_２）_５−Ｆ、−（ＣＦ_２）_６−Ｆ、−（ＣＦ_２）_７−Ｆ、−ＯＣＨ_２Ｆ、−ＯＣＨＦ_２、−ＯＣＦ_３、−Ｏ−（ＣＨ_２）_２−Ｆ、−ＯＣＨ_２ＣＦ_３、−ＯＣＦ_２ＣＦ_３、−Ｏ−（ＣＨ_２）_３−Ｆ、−Ｏ−（ＣＨ_２）_２−ＣＦ_３、−Ｏ−（ＣＦ_２）_３−Ｆ、−Ｏ（ＣＨ_２）_４−Ｆ、−Ｏ−（ＣＨ_２）_３−ＣＦ_３、−Ｏ−（ＣＦ_２）_４−Ｆ、−Ｏ−（ＣＦ_２）_５−Ｆ、−Ｏ−（ＣＦ_２）_６−Ｆ、−ＣＨ＝ＣＨＦ、−ＣＨ＝ＣＦ_２、−ＣＦ＝ＣＨＦ、−ＣＦ＝ＣＦ_２、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ_２Ｆ、−ＣＨ＝ＣＨＣＦ_３、−ＣＦ＝ＣＨＣＦ_３、−ＣＦ＝ＣＦＣＦ_３、−（ＣＨ_２）_２−ＣＨ＝ＣＦ_２、−（ＣＨ_２）_２−ＣＦ＝ＣＦ_２、−（ＣＨ_２）_２−ＣＨ＝ＣＨＣＦ_３、−（ＣＨ_２）_２−ＣＦ＝ＣＨＣＦ_３、および−（ＣＨ_２）_２−ＣＦ＝ＣＦＣＦ_３である。

Ｘ^１のさらに好ましい例は、フッ素、塩素、−Ｃ≡Ｎ、−ＣＨＦ_２、−ＣＦ_３、−ＯＣＨＦ_２、−ＯＣＦ_３、−ＣＨ＝ＣＨＣＦ_３、−ＣＦ＝ＣＨＣＦ_３、および−ＣＦ＝ＣＦＣＦ_３である。Ｘ^１の最も好ましい例は、フッ素、−ＣＦ_３、および−ＯＣＦ_３である。

式（１）において、Ｌ^１およびＬ^２は独立して、水素またはフッ素である。Ｌ^１およびＬ^２の好ましい組み合わせは、Ｌ^１およびＬ^２の両方がフッ素である、および一方が水素であり、他方がフッ素である。Ｌ^１およびＬ^２のさらに好ましい組み合わせは、Ｌ^１およびＬ^２の両方がフッ素である。Ｘ^１が、１つの水素がフッ素で置き換えられた炭素数１〜１０のアルキル、１つの水素がフッ素で置き換えられた炭素数２〜１０のアルケニル、１つの水素がフッ素で置き換えられた炭素数１〜９のアルコキシ、または１つの水素がフッ素で置き換えられた炭素数２〜９のアルケニルオキシであるときは、Ｌ^１はフッ素である。

式（１）において、Ｙ^１およびＹ^２は独立して、フッ素または塩素である。Ｙ^１およびＹ^２の好ましい組み合わせは、Ｙ^１およびＹ^２の両方がフッ素である、および一方がフッ素であり、他方が塩素である。Ｙ^１およびＹ^２のさらに好ましい組み合わせは、Ｙ^１およびＹ^２の両方がフッ素である。

式（１）において、ａ、ｂ、ｃ、およびｄは独立して、０または１であり、ａ、ｂ、ｃ、およびｄの和は、１、２、または３である。好ましいａ、ｂ、ｃ、およびｄの組合せは、（ａ＝１、ｂ＝ｃ＝ｄ＝０）、（ｃ＝１、ａ＝ｂ＝ｄ＝０）、（ａ＝ｂ＝１、ｃ＝ｄ＝０）、（ａ＝ｃ＝１、ｂ＝ｄ＝０）、および（ｃ＝ｄ＝１、ａ＝ｂ＝０）である。さらに好ましいａ、ｂ、ｃ、およびｄの組合せは、（ｃ＝１、ａ＝ｂ＝ｄ＝０）、（ａ＝ｂ＝１、ｃ＝ｄ＝０）、（ａ＝ｃ＝１、ｂ＝ｄ＝０）、および（ｃ＝ｄ＝１、ａ＝ｂ＝０）である。

１−２．化合物（１）の物性
化合物（１）において、Ｒ^１、環Ａ^１〜環Ａ^４、Ｗ^１、Ｚ^１〜Ｚ^４、Ｘ^１、Ｌ^１、Ｌ^２、Ｙ^１、およびＹ^２の種類、−ＣＦ_２Ｏ−の位置、ａ、ｂ、ｃ、およびｄの組合せを適切に選択することによって、透明点、光学的異方性、誘電率異方性などの物性を任意に調整することが可能である。化合物の物性に大きな差異がないので、化合物（１）は、^２Ｈ（重水素）、^１３Ｃなどの同位体を天然存在比の量より多く含んでもよい。Ｒ^１などの種類が化合物（１）の物性に及ぼす主要な効果を以下に説明する。

左末端基Ｒ^１が直鎖であるときは、液晶相の温度範囲が広く、そして粘度が小さい。Ｒ^１が分岐鎖であるときは、他の液晶性化合物との相溶性がよい。Ｒ^１が光学活性である化合物は、キラルドーパントとして有用である。この化合物を組成物に添加することによって、液晶表示素子に発生するリバース・ツイスト・ドメイン（reverse twisted domain）を防止することができる。Ｒ^１が光学活性でない化合物は、組成物の成分として有用である。Ｒ^１がアルケニルであるとき、好ましい立体配置は二重結合の位置に依存する。好ましい立体配置を有するアルケニル化合物は、小さい粘度、高い上限温度または液晶相の広い温度範囲を有する。Ｒ^１がアルコキシであるときは、高い上限温度を有する。

環Ａ^１〜環Ａ^４のすべてが１，４−シクロヘキシレンであるときは、透明点が高く、粘度が小さい。環Ａ^１〜環Ａ^４の少なくとも１つが１，４−フェニレン、２−フルオロ−１，４−フェニレン、２，６−ジフルオロ−１，４−フェニレン、２−クロロ−１，４−フェニレン、２，６−ジクロロ−１，４−フェニレン、または２−クロロ−６−フルオロ−１，４−フェニレンであるときは、光学的異方性が比較的大きく、そして配向秩序パラメーター（orientational order parameter）が比較的大きい。環Ａ^１〜環Ａ^４のすべてが、１，４−フェニレン、２−フルオロ−１，４−フェニレン、２，６−ジフルオロ−１，４−フェニレン、２−クロロ−１，４−フェニレン、２，６−ジクロロ−１，４−フェニレン、２−クロロ−６−フルオロ−１，４−フェニレン、ピリミジン−２，５−ジイル、ピリジン−２，５−ジイル、またはこれらの組み合わせであるときは、光学的異方性が特に大きい。環Ａ^１〜環Ａ^４の少なくとも１つが、２−フルオロ−１，４−フェニレン、２−クロロ−１，４−フェニレン、２，６−ジフルオロ−１，４−フェニレン、２，６−ジクロロ−１，４−フェニレン、２−クロロ−６−フルオロ−１，４−フェニレン、テトラヒドロピラン−２，５−ジイル、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル、２，６，７−トリオキサビシクロ[２．２．２]オクタン−１，４−ジイル、ピリミジン−２，５−ジイル、またはピリジン−２，５−ジイルであるときは、誘電率異方性が大きい。環Ａ^１〜環Ａ^４の少なくとも１つが、テトラヒドロピラン−２，５−ジイル、または１，３−ジオキサン−２，５−ジイルであるときは、短軸方向の誘電率が大きい。

結合基Ｗ^１が、単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、または−ＣＨ＝ＣＨ−であるときは、粘度が小さい。Ｗ^１が、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ_２Ｏ−、または−ＯＣＨ_２−であるときは、液晶相の温度範囲が広く、そして弾性定数（Ｋ）が大きい。Ｗ^１が、単結合、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、または−ＣＦ＝ＣＦ−であるときは、透明点が高い。Ｗ^１が、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、または−ＣＦ＝ＣＦ−であるときは、光学的異方性が大きい。Ｗ^１が、−ＣＯＯ−であるときは、誘電率異方性が大きい。Ｗ^１が、−ＯＣＨ_２−であるときは、短軸方向の誘電率が大きい。Ｗ^１が、単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、または−ＯＣＨ_２−であるときは、化学的安定性が高い。

結合基Ｚ^１〜Ｚ^４が、単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、または−ＣＦ_２Ｏ−であるときは、粘度が小さい。Ｚ^１〜Ｚ^４が、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ_２Ｏ−、または−ＯＣＨ_２−であるときは、液晶相の温度範囲が広く、そして弾性定数（Ｋ）が大きい。Ｚ^１〜Ｚ^４が、単結合、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、または−ＣＦ＝ＣＦ−であるときは、透明点が高い。Ｚ^１〜Ｚ^４が、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、または−ＣＦ＝ＣＦ−であるときは、光学的異方性が大きい。Ｚ^１〜Ｚ^４が、−ＣＦ_２Ｏ−または−ＣＯＯ−であるときは、誘電率異方性が大きい。Ｚ^１〜Ｚ^４が、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、または−ＯＣＨ_２−であるときは、短軸方向の誘電率が大きい。Ｚ^１〜Ｚ^４が、単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、または−ＯＣＨ_２−であるときは、化学的安定性が高い。

Ｘ^１が、フッ素、塩素、−Ｃ≡Ｎ、−Ｎ＝Ｃ＝Ｓ、−ＣＦ_３、−ＣＦ＝ＣＨＦ、−ＣＨ＝ＣＨＣＦ_３、−ＣＦ＝ＣＨＣＦ_３、または−ＣＦ＝ＣＦＣＦ_３であるときは、誘電率異方性が特に大きい。Ｘ^１が、−Ｃ≡Ｎ、−Ｎ＝Ｃ＝Ｓ、−ＣＨ＝ＣＨＦ、−ＣＨ＝ＣＦ_２、−ＣＦ＝ＣＨＦ、−ＣＦ＝ＣＦ_２、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ_２Ｆ、−ＣＨ＝ＣＨＣＦ_３、−ＣＦ＝ＣＨＣＦ_３、または−ＣＦ＝ＣＦＣＦ_３であるときは、透明点が高く光学的異方性が大きい。Ｘ^１がフッ素、塩素、−ＯＣＨ_２Ｆ、−ＯＣＨＦ_２、または−ＯＣＦ_３であるときは、他の液晶性化合物との相溶性が良好である。Ｘ^１がフッ素、−ＣＦ_３、−ＣＦ_２ＣＦ_３、−（ＣＦ_２）_３−Ｆ、−（ＣＦ_２）_４−Ｆ、−（ＣＦ_２）_５−Ｆ、−（ＣＦ_２）_６−Ｆ、−（ＣＦ_２）_７−Ｆ、−ＯＣＦ_３、−ＯＣＦ_２ＣＦ_３、−Ｏ−（ＣＦ_２）_３−Ｆ、−Ｏ−（ＣＦ_２）_４−Ｆ、−Ｏ−（ＣＦ_２）_５−Ｆ、または−Ｏ−（ＣＦ_２）_６−Ｆであるときは化学的安定性が高い。

Ｌ^１およびＬ^２の両方が水素であるときは透明点が高い。Ｌ^１およびＬ^２の一方がフッ素であるときは、誘電率異方性が比較的大きく、短軸方向の誘電率が大きく、他の液晶性化合物との相溶性が良好である。Ｌ^１およびＬ^２の両方がフッ素であるときは、特に誘電率異方性が大きい。

Ｙ^１およびＹ^２の両方がフッ素であるとき、またはＹ^１がフッ素でＹ^２が塩素であるときは透明点が高い。Ｙ^１およびＹ^２の両方がフッ素であるときは、粘度が小さく、化学的安定性が高い。

ａ、ｂ、ｃ、およびｄの組合せが（ａ＝１、ｂ＝ｃ＝ｄ＝０）であり、かつＺ^１が−ＣＦ_２Ｏ−であるとき、または（ｃ＝１、ａ＝ｂ＝ｄ＝０）であり、かつＺ^３が−ＣＦ_２Ｏ−であるときは、他の液晶性化合物との相溶性が良好であり、誘電率異方性が大きく、短軸方向の誘電率が特に大きい。（ａ＝ｃ＝１、ｂ＝ｄ＝０）であり、かつＺ^３が−ＣＦ_２Ｏ−であるとき、または（ｃ＝ｄ＝１、ａ＝ｂ＝０）であり、かつＺ^４が−ＣＦ_２Ｏ−であるときは透明点が高く、誘電率異方性が大きく、短軸方向の誘電率が大きい。（ａ＝ｂ＝１、ｃ＝ｄ＝０）であり、かつＺ^２が−ＣＦ_２Ｏ−であるとき、または（ｃ＝ｄ＝１、ａ＝ｂ＝０）であり、かつＺ^３が−ＣＦ_２Ｏ−であるときは、誘電率異方性が大きく、他の液晶性化合物との相溶性が良好である。（ａ＝ｂ＝ｃ＝１、ｄ＝０）であり、かつＺ^２が−ＣＦ_２Ｏ−であるとき、（ａ＝ｂ＝ｃ＝１、ｄ＝０）であり、かつＺ^３が−ＣＦ_２Ｏ−であるとき、または（ａ＝ｃ＝ｄ＝１、ｂ＝０）であり、かつＺ^３が−ＣＦ_２Ｏ−であるときは、透明点が特に高く、誘電率異方性が大きい。

以上のように、環構造、末端基、結合基などの種類を適切に選択することによって目的の物性を有する化合物を得ることができる。したがって、化合物（１）は、ＰＣ、ＴＮ、ＳＴＮ、ＥＣＢ、ＯＣＢ、ＩＰＳ、ＦＦＳ、ＶＡのようなモードの液晶表示素子に用いられる液晶組成物の成分として有用である。

１−３．好ましい化合物
化合物（１）の好ましい例としては、式（１−１）〜（１−７）で表される化合物を挙げることができる。

化合物（１）のより好ましい例は、式（１−８）〜（１−１２）で表される化合物である。

化合物（１）のさらに好ましい例は、式（１−１３）〜（１−２２）で表される化合物である。

化合物（１）の最も好ましい例は、式（１−２３）〜（１−２５）で表される化合物である。

１−４．化合物（１）の合成
化合物（１）の合成法について説明する。化合物（１）は有機合成化学の方法を適切に組み合わせることにより合成できる。出発物に目的の末端基、環および結合基を導入する方法は、「オーガニック・シンセシス」（Organic Syntheses, John Wiley & Sons, Inc.）、「オーガニック・リアクションズ」（Organic Reactions, John Wiley & Sons, Inc.）、「コンプリヘンシブ・オーガニック・シンセシス」（Comprehensive Organic Synthesis, Pergamon Press）、「新実験化学講座」（丸善）などの成書に記載されている。

１−４−１．結合基の生成
化合物（１）における結合基を生成する方法の例は、下記のスキームのとおりである。このスキームにおいて、ＭＳＧ^１（またはＭＳＧ^２）は、少なくとも１つの環を有する一価の有機基である。複数のＭＳＧ^１（またはＭＳＧ^２）が表す一価の有機基は、同一であってもよいし、または異なってもよい。化合物（１Ａ）〜（１Ｇ）は、化合物（１）または化合物（１）の中間体に相当する。

（Ｉ）単結合の生成
アリールホウ酸（２１）と化合物（２２）を、炭酸塩、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム触媒の存在下で反応させ、化合物（１Ａ）を合成する。この化合物（１Ａ）は、化合物（２３）にｎ−ブチルリチウムを、次いで塩化亜鉛を反応させ、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム触媒の存在下で化合物（２２）を反応させても合成される。

（ＩＩ）−ＣＯＯ−と−ＯＣＯ−の生成
化合物（２３）にｎ−ブチルリチウムを、次いで二酸化炭素を反応させ、カルボン酸（２４）を得る。このカルボン酸（２４）と、化合物（２１）から誘導したフェノール（２５）とをＤＣＣ（１，３−ジシクロヘキシルカルボジイミド）とＤＭＡＰ（４−ジメチルアミノピリジン）の存在下で脱水させて−ＣＯＯ−を有する化合物（１Ｂ）を合成する。この方法によって−ＯＣＯ−を有する化合物も合成する。

（ＩＩＩ）−ＣＦ_２Ｏ−の生成
化合物（１Ｂ）をローソン試薬で硫黄化し、化合物（２６）を得る。化合物（２６）をフッ化水素ピリジン錯体とＮＢＳ（Ｎ−ブロモスクシンイミド）でフッ素化し、−ＣＦ_２Ｏ−を有する化合物（１Ｃ）を合成する。M. Kuroboshi et al., Chem. Lett., 1992，827.を参照。化合物（１Ｃ）は化合物（２６）をＤＡＳＴ（（ジエチルアミノ）サルファートリフルオリド）でフッ素化しても合成される。W. H. Bunnelle et al., J. Org. Chem. 1990, 55, 768.を参照。。

（ＩＶ）−ＣＨ＝ＣＨ−の生成
化合物（２２）をｎ−ブチルリチウム、次いでＤＭＦ（Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド）と反応させてアルデヒド（２７）を得る。ホスホニウム塩（２８）とカリウムｔｅｒｔ−ブトキシドを反応させて発生させたリンイリドを、アルデヒド（２７）と反応させて化合物（１Ｄ）を合成する。反応条件によってはシス体が生成するので、必要に応じて公知の方法によりシス体をトランス体に異性化する。

（Ｖ）−ＣＨ_２ＣＨ_２−の生成
化合物（１Ｄ）をパラジウム炭素触媒の存在下で水素化し、化合物（１Ｅ）を合成する。

（ＶＩ）−Ｃ≡Ｃ−の生成
ジクロロパラジウムとヨウ化銅の触媒存在下で、化合物（２３）に２−メチル−３−ブチン−２−オールを反応させたのち、塩基性条件下で脱保護して化合物（２９）を得る。ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウムとハロゲン化銅との触媒存在下、化合物（２９）を化合物（２２）と反応させて、化合物（１Ｆ）を合成する。

（ＶＩＩ）−ＣＨ_２Ｏ−と−ＯＣＨ_２−の生成
化合物（２７）を水素化ホウ素ナトリウムで還元して化合物（３０）を得る。これを臭化水素酸で臭素化して化合物（３１）を得る。炭酸カリウムの存在下、化合物（２５）と化合物（３１）を反応させて、化合物（１Ｇ）を合成する。この方法によって−ＯＣＨ_２−を有する化合物も合成する。

（ＶＩＩＩ）−ＣＦ＝ＣＦ−の生成
化合物（２３）をｎ−ブチルリチウムで処理したあと、テトラフルオロエチレンを反応させて化合物（３２）を得る。化合物（２２）をｎ−ブチルリチウムで処理したあと化合物（３２）と反応させて、化合物（１Ｈ）を合成する。

１−４−２．環Ａ^１および環Ａ^２の生成
１，４−シクロヘキシレン、１，４−シクロヘキセニレン、１，４−フェニレン、２−フルオロ−１，４−フェニレン、２，６−ジフルオロ−１，４−フェニレン、２−クロロ−１，４−フェニレン、２，６−ジクロロ−１，４−フェニレン、２−クロロ−６−フルオロ−１，４−フェニレン、テトラヒドロピラン−２，５−ジイル、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル、２，６，７−トリオキサビシクロ［２．２．２］オクタン−１，４−ジイル、ピリミジン−２，５−ジイル、ピリジン−２，５−ジイルなどの環に関しては出発物が市販されているか、または合成法がよく知られている。

１−４−３．合成例
化合物（１）を合成する方法の例は、次のとおりである。これらの化合物において、Ｒ^１、環Ａ^１〜環Ａ^４、Ｗ^１、Ｚ^１〜Ｚ^４、Ｘ^１、Ｌ^１、Ｌ^２、Ｙ^１、Ｙ^２、ａ、ｂ、ｃ、およびｄの定義は、前記の項１と同一である。

式（１）において、ｃ＝１でＺ^３が−ＣＦ_２Ｏ−である化合物（１−４１）は次の方法によって合成できる。公知の方法によって合成される化合物（４１）と公知の方法によって合成される化合物（４２）とを、ＤＣＣとＤＭＡＰの存在下で脱水させて、化合物（４４３）を得る。次に化合物（４３）を、ローソン試薬で硫黄化し、化合物（４４）を得る。次にフッ化水素ピリジン錯体とＮＢＳ、あるいはＤＡＳＴなどのフッ素化試薬を用いてフッ素化させることによって化合物（１―４１）へと導くことができる。なおａ＝１でＺ^１が−ＣＦ_２Ｏ−である化合物、ｂ＝１でＺ^２が−ＣＦ_２Ｏ−である化合物、ｄ＝１でＺ^４が−ＣＦ_２Ｏ−である化合物も同様の方法により合成できる。

式（１）において、ｃ＝１でＺ^３が−ＣＦ_２Ｏ−である化合物（１−４１）は次の方法によって合成することもできる。公知の方法によって合成される化合物（４１）に対してプロパンジチオールおよびトリフルオロメタンスルホン酸を作用させることによって、化合物（４５）を得る。次に公知の方法によって合成される化合物（４２）と、化合物（４５）とを、トリエチルアミン、フッ化水素トリエチルアミン錯体、および臭素を用いて反応させることによって化合物（１−４１）へと導くことができる。なおａ＝１でＺ^１が−ＣＦ_２Ｏ−である化合物、ｂ＝１でＺ^２が−ＣＦ_２Ｏ−である化合物、ｄ＝１でＺ^４が−ＣＦ_２Ｏ−である化合物も同様の方法により合成できる。

式（１）において、ｃ＝１でＺ^３が−ＣＦ_２Ｏ−であり環Ａ^３が１，４−フェニレンでありＷ^１が単結合である化合物（１−４２）は次の方法でも合成できる。特開２０１１−９８９４２号公報に記載された方法によって合成される化合物（４６）と、公知の方法によって合成される化合物（４２）とを、炭酸カリウムなどの塩基の存在下で反応させ、化合物（４７）を得る。次に公知の方法によって合成される化合物（４８）と化合物（４７）とを、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウムなどのパラジウム触媒および炭酸カリウムのような塩基の存在下で反応させて化合物（１−４２）へと導くことができる。なおａ＝１でＺ^１が−ＣＦ_２Ｏ−であり環Ａ^１が１，４−フェニレンでありＷ^１が単結合である化合物、ｂ＝１でＺ^２が−ＣＦ_２Ｏ−であり環Ａ^２が１，４−フェニレンでありＷ^１が単結合である化合物、およびｄ＝１でＺ^４が−ＣＦ_２Ｏ−であり環Ａ^４が１，４−フェニレンでありＷ^１が単結合である化合物も同様の方法により合成できる。

式（１）において、ｃ＝１でＺ^３が−ＣＦ_２Ｏ−であり環Ａ^３が２，６−ジフルオロ−１，４−フェニレンである化合物（１−４３）は次の方法でも合成できる。公知の方法によって合成される化合物（４９）に対してｎ−ブチルリチウムおよびジブロモジフルオロメタンを作用させ化合物（５０）を得る。次に化合物（４２）と化合物（５０）とを、炭酸カリウムのような塩基の存在下で反応させて化合物（１−４３）へと導くことができる。なおａ＝１でＺ^１が−ＣＦ_２Ｏ−であり環Ａ^１が２，６−ジフルオロ−１，４−フェニレンである化合物、ｂ＝１でＺ^２が−ＣＦ_２Ｏ−であり環Ａ^２が２，６−ジフルオロ−１，４−フェニレンである化合物、およびｄ＝１でＺ^４が−ＣＦ_２Ｏ−であり環Ａ^４が２，６−ジフルオロ−１，４−フェニレンである化合物も同様の方法により合成できる。

式（１）において、ｃ＝１でＺ^３が−ＣＦ_２Ｏ−であり環Ａ^３が１，４−シクロヘキセニレンである化合物（１−４４）、またはｃ＝１でＺ^３が−ＣＦ_２Ｏ−であり環Ａ^３が１，４−シクロヘキシレンである化合物（１−４５）は次の方法でも合成できる。公知の方法によって合成される化合物（５１）に対してトリスジエチルアミノホスフィンおよびジブロモジフルオロメタンを作用させ化合物（５２）を得る。次に臭素を作用させて化合物（５３）を得る。次に化合物（４２）と化合物（５３）とを、炭酸カリウムのような塩基の存在下で反応させて化合物（１−４４）を得ることができる。次に、化合物（１−４４）をパラジウム炭素などの触媒を用いて接触水素化することによって化合物（１−４５）へと導くことができる。なおａ＝１でＺ^１が−ＣＦ_２Ｏ−であり環Ａ^１が１，４−シクロヘキセニレン、またはａ＝１でＺ^１が−ＣＦ_２Ｏ−であり環Ａ^１が１，４−シクロヘキシレンである化合物、ｂ＝１でＺ^２が−ＣＦ_２Ｏ−であり環Ａ^２が１，４−シクロヘキセニレン、またはｂ＝１でＺ^２が−ＣＦ_２Ｏ−であり環Ａ^２が１，４−シクロヘキシレンである化合物、およびｄ＝１でＺ^４が−ＣＦ_２Ｏ−であり環Ａ^４が１，４−シクロヘキセニレン、またはｄ＝１でＺ^４が−ＣＦ_２Ｏ−であり環Ａ^４が１，４−シクロヘキシレンである化合物も同様の方法により合成できる。

２．組成物（１）
本発明の液晶組成物（１）について説明をする。この組成物（１）は、少なくとも１つの化合物（１）を成分Ａとして含む。組成物（１）は、２つ以上の化合物（１）を含んでいてもよい。液晶性化合物の成分が化合物（１）のみであってもよい。組成物（１）は、化合物（１）の少なくとも１つを１〜９９重量％の範囲で含有することが、優良な物性を発現させるために好ましい。誘電率異方性が正である組成物において、化合物（１）の好ましい含有量は５〜６０重量％の範囲である。誘電率異方性が負である組成物において、化合物（１）の好ましい含有量は３０重量％以下である。組成物（１）は、化合物（１）と、本明細書中に記載しなかった種々の液晶性化合物とを含んでもよい。

好ましい組成物は、以下に示す成分Ｂ、Ｃ、Ｄ、およびＥから選択された化合物を含有する。組成物（１）を調製するときには、例えば、化合物（１）の誘電率異方性を考慮して成分を選択することもできる。ＴＦＴ、ＩＰＳ、ＦＦＳなどのモード用に誘電率異方性が正の組成物を調製するとき、主要な成分は、成分Ａ、ＢおよびＥである。ＳＴＮ、ＴＮなどのモード用に誘電率異方性が正の組成物を調製するとき、主要な成分は、成分Ａ、ＣおよびＥである。ＶＡ、ＰＳＡなどのモード用に誘電率異方性が負の組成物を調製するとき、主要な成分は、成分ＤおよびＥであり、成分Ａは素子の電圧−透過率曲線を調整する目的で添加される。成分を適切に選択した組成物は、高い上限温度、低い下限温度、小さな粘度、適切な光学的異方性、大きな誘電率異方性、および適切な弾性定数を有する。

成分Ｂは、化合物（２）〜（４）である。成分Ｃは化合物（５）である。成分Ｄは、化合物（６）〜（１２）である。成分Ｅは、化合物（１３）〜（１５）である。これらの成分について、順に説明する。

成分Ｂは、右末端にハロゲンまたはフッ素含有基を有する化合物である。成分Ｂの好ましい例として、化合物（２−１）〜（２−１６）、化合物（３−１）〜（３−１１３）、化合物（４−１）〜（４−５７）を挙げることができる。これらの化合物において、Ｒ^１１およびＸ^１１の定義は、前記の項９と同一である。

成分Ｂは、誘電率異方性が正であり、熱、光などに対する安定性が非常に優れているので、ＴＦＴ、ＩＰＳ、ＦＦＳなどのモード用の組成物を調製する場合に用いられる。成分Ｂの含有量は、組成物の重量に基づいて１〜９９重量％の範囲が適するが、好ましくは１０〜９７重量％の範囲、より好ましくは４０〜９５重量％の範囲である。この組成物は、化合物（１３）〜（１５）（成分Ｅ）をさらに添加することにより粘度を調整することができる。

成分Ｃは、右末端基が−Ｃ≡Ｎまたは−Ｃ≡Ｃ−Ｃ≡Ｎである化合物（５）である。成分Ｃの好ましい例として、化合物（５−１）〜（５−６４）を挙げることができる。これらの化合物（成分Ｃ）において、Ｒ^１２およびＸ^１２の定義は、前記の項１０と同一である。

成分Ｃは、誘電率異方性が正であり、その値が大きいのでＳＴＮモード用、ＴＮモード用またはＰＳＡモード用の組成物を調製する場合に主として用いられる。この成分Ｃを添加することにより、組成物の誘電率異方性を大きくすることができる。成分Ｃは、液晶相の温度範囲を広げる、粘度を調整する、または光学的異方性を調整する、という効果がある。成分Ｃは、素子の電圧−透過率曲線の調整にも有用である。

ＳＴＮモード用またはＴＮモード用の組成物を調製する場合には、成分Ｃの含有量は、組成物の重量に基づいて１〜９９重量％の範囲が適しているが、好ましくは１０〜９７重量％の範囲、より好ましくは４０〜９５重量％の範囲である。この組成物は、成分Ｅを添加することにより液晶相の温度範囲、粘度、光学的異方性、誘電率異方性などを調整できる。

成分Ｄは、化合物（６）〜（１２）である。これらの化合物は、２，３−ジフルオロ−１，４−フェニレンのように、ラテラル位が２つのハロゲンで置換されたベンゼン環を有する。成分Ｄの好ましい例として、化合物（６−１）〜（６−８）、化合物（７−１）〜（７−１７）、化合物（８−１）、化合物（９−１）〜（９−３）、化合物（１０−１）〜（１０−１１）、化合物（１１−１）〜（１１−３）、および化合物（１２−１）〜（１２−３）を挙げることができる。これらの化合物（成分Ｄ）において、Ｒ^１３、Ｒ^１４およびＲ^１５の定義は、前記の項１１と同一である。

成分Ｄは、誘電率異方性が負の化合物である。成分Ｄは、主としてＶＡモード用またはＰＳＡモード用の組成物を調製する場合に用いられる。成分Ｄのうち、化合物（６）は２環化合物であるので、主として、粘度の調整、光学的異方性の調整、または誘電率異方性の調整の効果がある。化合物（７）および（８）は３環化合物であるので、上限温度を高くする、光学的異方性を大きくする、または誘電率異方性を大きくするという効果がある。化合物（９）〜（１２）は、誘電率異方性を大きくするという効果がある。

ＶＡモード用またはＰＳＡモード用の組成物を調製する場合には、成分Ｄの含有量は、組成物の重量に基づいて、好ましくは４０重量％以上であり、より好ましくは５０〜９５重量％の範囲である。成分Ｄを誘電率異方性が正である組成物に添加する場合は、成分Ｄの含有量が組成物の重量に基づいて３０重量％以下が好ましい。成分Ｄを添加することにより、組成物の素子の電圧−透過率曲線を調整することが可能となる。

成分Ｅは、２つの末端基がアルキルなどである化合物である。成分Ｅの好ましい例として、化合物（１３−１）〜（１３−１１）、化合物（１４−１）〜（１４−１９）、および化合物（１５−１）〜（１５−７）を挙げることができる。これらの化合物（成分Ｅ）において、Ｒ^１６およびＲ^１７の定義は、前記の項１２と同一である。

成分Ｅは、誘電率異方性の絶対値が小さいので、中性に近い化合物である。化合物（１３）は、主として粘度の調整または光学的異方性の調整の効果がある。化合物（１４）および（１５）は、上限温度を高くすることによってネマチック相の温度範囲を広げる効果、または光学的異方性の調整の効果がある。

成分Ｅの含有量を増加させると組成物の誘電率異方性が小さくなるが、粘度が小さくなる。そこで、素子のしきい値電圧の要求値を満たす限り、含有量は多いほうが好ましい。したがって、組成物を調製する場合には、成分Ｅの含有量は、組成物の重量に基づいて、好ましくは３０重量％以上、より好ましくは４０重量％以上である。

組成物（１）の調製は、必要な成分を高い温度で溶解させるなどの方法により行われる。用途に応じて、この組成物に添加物を添加してよい。添加物の例は、光学活性化合物、重合可能な化合物、重合開始剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤、光安定剤、熱安定剤、消泡剤、色素などである。このような添加物は当業者によく知られており、文献に記載されている。

組成物（１）は、少なくとも１つの光学活性化合物をさらに含有してもよい。光学活性化合物は、液晶分子にらせん構造を誘起して必要なねじれ角を与えることによって逆ねじれを防ぐという効果を有する。光学活性化合物の好ましい例として、下記の化合物（Ｏｐ−１）〜（Ｏｐ−１８）を挙げることができる。

化合物（Ｏｐ−１８）において、環Ｆは１，４−シクロへキシレンまたは１，４−フェニレンであり、Ｒ^２１は炭素数１〜１０のアルキルである。

組成物（１）は、このような光学活性化合物を添加して、らせんピッチを調整する。らせんピッチは、ＴＦＴモード用およびＴＮモード用の組成物であれば４０〜２００μｍの範囲に調整するのが好ましい。ＳＴＮモード用の組成物であれば６〜２０μｍの範囲に調整するのが好ましい。ＢＴＮモード用の組成物の場合は、１．５〜４μｍの範囲に調整するのが好ましい。らせんピッチの温度依存性を調整する目的で２つ以上の光学活性化合物を添加してもよい。

組成物（１）は、重合可能な化合物を添加することによってＰＳＡモード用に使用することもできる。重合可能な化合物の例は、アクリレート、メタクリレート、ビニル化合物、ビニルオキシ化合物、プロペニルエーテル、エポキシ化合物（オキシラン、オキセタン）、ビニルケトンなどである。重合可能な化合物は、紫外線照射などにより重合する。光重合開始剤などの開始剤を添加してもよい。重合のための適切な条件、開始剤の適切なタイプ、および適切な量は、当業者には既知であり、文献に記載されている。重合可能な化合物の好ましい例として、化合物（Ｍ−１）〜（Ｍ−１２）を挙げることができる。

化合物（Ｍ−１）〜（Ｍ−１２）において、Ｒ^２５、Ｒ^２６およびＲ^２７は独立して、水素またはメチルであり；ｕ、ｘおよびｙは独立して、０または１であり；ｖおよびｗは独立して、１〜１０の整数であり；Ｌ^２１、Ｌ^２２、Ｌ^２３、Ｌ^２４、Ｌ^２５、およびＬ^２６は独立して、水素またはフッ素である。

酸化防止剤は、大きな電圧保持率を維持するために有効である。酸化防止剤の好ましい例として、下記の化合物（ＡＯ−１）および（ＡＯ−２）、ＩＲＧＡＮＯＸ４１５、ＩＲＧＡＮＯＸ５６５、ＩＲＧＡＮＯＸ１０１０、ＩＲＧＡＮＯＸ１０３５、ＩＲＧＡＮＯＸ３１１４、およびＩＲＧＡＮＯＸ１０９８（商品名：ＢＡＳＦ社）を挙げることができる。紫外線吸収剤は、上限温度の低下を防ぐために有効である。紫外線吸収剤の好ましい例は、ベンゾフェノン誘導体、ベンゾエート誘導体、トリアゾール誘導体などである。具体例として下記の化合物（ＡＯ−３）および（ＡＯ−４）、ＴＩＮＵＶＩＮ３２９、ＴＩＮＵＶＩＮＰ、ＴＩＮＵＶＩＮ３２６、ＴＩＮＵＶＩＮ２３４、ＴＩＮＵＶＩＮ２１３、ＴＩＮＵＶＩＮ４００、ＴＩＮＵＶＩＮ３２８、ＴＩＮＵＶＩＮ９９−２（商品名：ＢＡＳＦ社）、および１，４−ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン（ＤＡＢＣＯ）を挙げることができる。立体障害のあるアミンのような光安定剤は、大きな電圧保持率を維持するために好ましい。光安定剤の好ましい例として、下記の化合物（ＡＯ−５）および（ＡＯ−６）、ＴＩＮＵＶＩＮ１４４、ＴＩＮＵＶＩＮ７６５、およびＴＩＮＵＶＩＮ７７０ＤＦ（商品名：ＢＡＳＦ社）を挙げることができる。熱安定剤も大きな電圧保持率を維持するために有効であり、好ましい例としてＩＲＧＡＦＯＳ１６８（商品名：ＢＡＳＦ社）を挙げることができる。消泡剤は、泡立ちを防ぐために有効である。消泡剤の好ましい例は、ジメチルシリコーンオイル、メチルフェニルシリコーンオイルなどである。

化合物（ＡＯ−１）において、Ｒ^３０は炭素数１〜２０のアルキル、炭素数１〜２０のアルコキシ、−ＣＯＯＲ^３１または−ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＯＯＲ^３１であり、Ｒ^３１は炭素数１〜２０のアルキルである。化合物（ＡＯ−２）において、Ｒ^３２は炭素数１〜２０のアルキルである。化合物（ＡＯ−５）において、Ｒ^３２は炭素数１〜２０のアルキルであり；Ｒ^３３は水素、メチルまたはＯ^・（酸素ラジカル）であり；環Ｇは１，４−シクロへキシレンまたは１，４−フェニレンであり；ｚは１、２または３である。

組成物（１）は、メロシアニン系、スチリル系、アゾ系、アゾメチン系、アゾキシ系、キノフタロン系、アントラキノン系、テトラジン系などの二色性色素を添加すれば、ＧＨ（guest host）モード用に使用することもできる。

３．液晶表示素子
組成物（１）は、ＰＣモード、ＴＮモード、ＳＴＮモード、ＯＣＢモード、ＰＳＡモードなどの動作モードを有し、アクティブマトリックス（ＡＭ方式）で駆動する液晶表示素子に使用できる。組成物（１）は、ＰＣモード、ＴＮモード、ＳＴＮモード、ＯＣＢモード、ＶＡモード、ＩＰＳモードなどの動作モードを有し、パッシブマトリクス（ＰＭ）方式で駆動する液晶表示素子にも使用することができる。これらのＡＭ方式およびＰＭ方式の素子は、反射型、透過型、半透過型のいずれのタイプにも適用ができる。

組成物（１）は、ネマチック液晶をマイクロカプセル化して作製したＮＣＡＰ（nematic curvilinear aligned phase）素子、液晶中に三次元網目状高分子を形成して作製したポリマー分散型液晶表示素子（ＰＤＬＣＤ）、ポリマーネットワーク液晶表示素子（ＰＮＬＣＤ）にも使用できる。

実施例により本発明をさらに詳しく説明する。本発明はこれら実施例によっては制限されない。

１−１．化合物（１）の実施例
化合物（１）は、下記の手順により合成した。合成した化合物は、ＮＭＲ分析などの方法により同定した。化合物の物性は、下記に記載した方法により測定した。

ＮＭＲ分析
測定には、ブルカーバイオスピン社製のＤＲＸ−５００を用いた。^１Ｈ−ＮＭＲの測定では、試料をＣＤＣｌ_３などの重水素化溶媒に溶解させ、室温で、５００ＭＨｚ、積算回数１６回の条件で測定した。テトラメチルシランを内部標準として用いた。^１９Ｆ−ＮＭＲの測定では、ＣＦＣｌ_３を内部標準として用い、積算回数２４回で行った。核磁気共鳴スペクトルの説明において、ｓはシングレット、ｄはダブレット、ｔはトリプレット、ｑはカルテット、ｑｕｉｎはクインテット、ｓｅｘはセクステット、ｍはマルチプレット、ｂｒはブロードであることを意味する。

測定試料
相構造および転移温度を測定するときには、液晶性化合物そのものを試料として用いた。ネマチック相の上限温度、粘度、光学的異方性、誘電率異方性などの物性を測定するときには、化合物を母液晶に混合して調製した組成物を試料として用いた。

化合物を母液晶と混合した試料を用いる場合には、次のように測定した。化合物１５重量％と母液晶８５重量％とを混合して試料を調製した。この試料の測定値から、次の式で表される外挿法にしたがって、外挿値を計算し、この値を記載した。〈外挿値〉＝（１００×〈試料の測定値〉−〈母液晶の重量％〉×〈母液晶の測定値〉）／〈化合物の重量％〉

化合物と母液晶との割合がこの割合であっても、結晶（または、スメクチック相）が２５℃で析出する場合には、化合物と母液晶との割合を１０重量％：９０重量％、５重量％：９５重量％、１重量％：９９重量％の順に変更をしていき、結晶（または、スメクチック相）が２５℃で析出しなくなった割合で試料の物性を測定した。なお、特に断りのない限り、化合物と母液晶との割合は、１５重量％：８５重量％である。

母液晶としては、下記の母液晶（ｉ）を用いた。母液晶（ｉ）の成分の割合を重量％で示す。

測定方法
物性の測定は下記の方法で行った。これらの多くは、社団法人電子情報技術産業協会（Japan Electronics and Information Technology Industries Association；以下、ＪＥＩＴＡと略す）で審議制定されるＪＥＩＴＡ規格（ＪＥＩＴＡ・ＥＤ−２５２１Ｂ）に記載された方法、またはこれを修飾した方法であった。測定に用いたＴＮ素子には、ＴＦＴを取り付けなかった。

（１）相構造
偏光顕微鏡を備えた融点測定装置のホットプレート（メトラー社ＦＰ−５２型ホットステージ）に試料を置き、３℃／分の速度で加熱しながら相状態とその変化を偏光顕微鏡で観察し、相の種類を特定した。

（２）転移温度（℃）
測定には、パーキンエルマー社製の示差走査熱量計ＤｉａｍｏｎｄＤＳＣシステム、またはエスエスアイ・ナノテクノロジー社製の高感度示差走査熱量計Ｘ−ＤＳＣ７０００を用いた。３℃／分速度で昇降温し、試料の相変化に伴う吸熱ピーク、または発熱ピークの開始点を外挿により求め、転移温度を決定した。化合物が固体からスメクチック相、ネマチック相などの液晶相に転移する温度を「液晶相の下限温度」と略すことがある。化合物が液晶相から等方性液体に転移する温度を「透明点」と略すことがある。

結晶はＣと表した。結晶の種類の区別がつく場合は、それぞれＣ_１またはＣ_２と表した。スメクチック相はＳ、ネマチック相はＮと表した。スメクチック相の中で、スメクチックＡ相、スメクチックＢ相、スメクチックＣ相、またはスメクチックＦ相の区別がつく場合は、それぞれＳ_Ａ、Ｓ_Ｂ、Ｓ_Ｃ、またはＳ_Ｆと表した。液体（アイソトロピック）はＩと表した。転移温度は、例えば、「Ｃ５０．０Ｎ１００．０Ｉ」のように表記した。これは、結晶からネマチック相への転移温度が５０．０℃であり、ネマチック相から液体への転移温度が１００．０℃であることを示す。

（３）低温相溶性
化合物の割合が、２０重量％、１５重量％、１０重量％、５重量％、３重量％、および１重量％となるように母液晶と化合物とを混合した試料を調製し、試料をガラス瓶に入れた。このガラス瓶を、−１０℃または−２０℃のフリーザー中に一定期間保管したあと、結晶またはスメクチック相が析出しているかどうか観察をした。

（４）ネマチック相の上限温度（Ｔ_ＮＩまたはＮＩ；℃）
偏光顕微鏡を備えた融点測定装置のホットプレートに試料を置き、１℃／分の速度で加熱した。試料の一部がネマチック相から等方性液体に変化したときの温度を測定した。ネマチック相の上限温度を「上限温度」と略すことがある。試料が化合物と母液晶との混合物であるときは、Ｔ_ＮＩの記号で示した。試料が化合物と成分Ｂなどとの混合物であるときは、ＮＩの記号で示した。

（５）ネマチック相の下限温度（Ｔ_Ｃ；℃）
ネマチック相を有する試料を０℃、−１０℃、−２０℃、−３０℃、および−４０℃のフリーザー中に１０日間保管したあと、液晶相を観察した。例えば、試料が−２０℃ではネマチック相のままであり、−３０℃では結晶またはスメクチック相に変化したとき、Ｔ_Ｃを≦−２０℃と記載した。ネマチック相の下限温度を「下限温度」と略すことがある。

（６）粘度（バルク粘度；η；２０℃で測定；ｍＰａ・ｓ）
測定には東京計器株式会社製のＥ型回転粘度計を用いた。

（７）粘度（回転粘度；γ１；２５℃で測定；ｍＰａ・ｓ）
測定は、M. Imai et al., Molecular Crystals and Liquid Crystals, Vol. 259, 37 (1995) に記載された方法に従った。ツイスト角が０°であり、そして２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）が５μｍであるＴＮ素子に試料を入れた。この素子に１６Ｖから１９．５Ｖの範囲で０．５Ｖ毎に段階的に印加した。０．２秒の無印加のあと、ただ１つの矩形波（矩形パルス；０．２秒）と無印加（２秒）の条件で印加を繰り返した。この印加によって発生した過渡電流（transient current）のピーク電流（peak current）とピーク時間（peak time）を測定した。これらの測定値とM. Imaiらの論文、４０頁の計算式（８）とから回転粘度の値を得た。この計算に必要な誘電率異方性の値は、この回転粘度を測定した素子を用い、下に記載した方法で求めた。

（８）光学的異方性（屈折率異方性；２５℃で測定；Δｎ）
測定は、波長５８９ｎｍの光を用い、接眼鏡に偏光板を取り付けたアッベ屈折計により行なった。主プリズムの表面を一方向にラビングしたあと、試料を主プリズムに滴下した。屈折率（ｎ‖）は偏光の方向がラビングの方向と平行であるときに測定した。屈折率（ｎ⊥）は偏光の方向がラビングの方向と垂直であるときに測定した。光学的異方性（Δｎ）の値は、Δｎ＝ｎ‖−ｎ⊥、の式から計算した。

（９）短軸方向の誘電率（ε⊥）および誘電率異方性（Δε；２５℃で測定）
２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）が９μｍであり、そしてツイスト角が８０度であるＴＮ素子に試料を入れた。この素子にサイン波（１０Ｖ、１ｋＨｚ）を印加し、２秒後に液晶分子の長軸方向における誘電率（ε‖）を測定した。この素子にサイン波（０．５Ｖ、１ｋＨｚ）を印加し、２秒後に液晶分子の短軸方向における誘電率（ε⊥）を測定した。誘電率異方性の値は、Δε＝ε‖−ε⊥、の式から計算した。

（１０）弾性定数（Ｋ；２５℃で測定；ｐＮ）
測定には横河・ヒューレットパッカード株式会社製のＨＰ４２８４Ａ型ＬＣＲメータを用いた。２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）が２０μｍである水平配向素子に試料を入れた。この素子に０ボルトから２０ボルト電荷を印加し、静電容量および印加電圧を測定した。測定した静電容量（Ｃ）と印加電圧（Ｖ）の値を「液晶デバイスハンドブックク」（日刊工業新聞社）、７５頁にある式（２．９８）、式（２．１０１）を用いてフィッティングし、式（２．９９）からＫ_１１およびＫ_３３の値を得た。次に１７１頁にある式（３．１８）に、先ほど求めたＫ_１１およびＫ_３３の値を用いてＫ_２２を算出した。弾性定数Ｋは、このようにして求めたＫ_１１、Ｋ_２２、およびＫ_３３の平均値で表した。

（１１）しきい値電圧（Ｖｔｈ；２５℃で測定；Ｖ）
測定には大塚電子株式会社製のＬＣＤ５１００型輝度計を用いた。光源はハロゲンランプである。２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）が約０．４５/Δｎ(μｍ)であり、ツイスト角が８０度であるノーマリーホワイトモード（normally white mode）のＴＮ素子に試料を入れた。この素子に印加する電圧（３２Ｈｚ、矩形波）は０Ｖから１０Ｖまで０．０２Ｖずつ段階的に増加させた。この際に、素子に垂直方向から光を照射し、素子を透過した光量を測定した。この光量が最大になったときが透過率１００％であり、この光量が最小であったときが透過率０％である電圧−透過率曲線を作成した。しきい値電圧は透過率が９０％になったときの電圧で表した。

（１２）電圧保持率（ＶＨＲ−１；２５℃で測定；％）
測定に用いたＴＮ素子はポリイミド配向膜を有し、そして２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）は５μｍである。この素子は試料を入れたあと紫外線で硬化する接着剤で密閉した。この素子に２５℃でパルス電圧（５Ｖで６０マイクロ秒）を印加して充電した。減衰する電圧を高速電圧計で１６．７ミリ秒のあいだ測定し、単位周期における電圧曲線と横軸との間の面積Ａを求めた。面積Ｂは減衰しなかったときの面積である。電圧保持率は面積Ｂに対する面積Ａの百分率で表した。

（１３）電圧保持率（ＶＨＲ−２；８０℃で測定；％）
電圧保持率（ＶＨＲ−２）は、８０℃で測定した以外はＶＨＲ−１と同様の方法で求めた。

原料
ソルミックスＡ−１１（商品名）は、エタノール（８５．５％）、メタノール（１３．４％）とイソプロパノール（１．１％）の混合物であり、日本アルコール販売（株）から入手した。
［実施例１］

化合物（Ｎｏ．１−２−２）の合成

第１工程
窒素雰囲気下、エチルトリフェニルホスホニウムブロミド（６１．８ｇ）およびＴＨＦ（６００ｍｌ）を反応器に入れ、−３０℃に冷却した。そこへカリウムｔ−ブトキシド（１７．９ｇ）をゆっくりと加え、３０分間撹拌した。次に化合物（Ｔ−１）（１８．９ｇ）のＴＨＦ（１００ｍｌ）溶液をゆっくりと加え、室温に戻しつつ３時間撹拌した。反応混合物を氷水に注ぎ込み、水層をジエチルエーテルで抽出した。一緒にした有機層を食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣をシリカゲルクロマトグラフィー（ヘキサン）で精製して、化合物（Ｔ−２）（１６．４ｇ；８０％）を得た。

第２工程
窒素雰囲気下、化合物（Ｔ−２）（１０．０ｇ）およびＴＨＦ（１００ｍｌ）を反応器に入れ、−７０℃に冷却した。そこへｓｅｃ−ブチルリチウム（１．０７Ｍ；シクロヘキサン、ｎ−ヘキサン溶液；６６．７ｍｌ）をゆっくりと加え２時間撹拌した。次にホウ酸トリメチル（９．７３ｇ）のＴＨＦ（２０．０ｍｌ）溶液をゆっくりと加え室温に戻しつつ１２時間撹拌した。次に−３０℃に冷却し、６Ｎ塩酸（６５．０ｍｌ）をゆっくりと加え、室温に戻しつつ３時間撹拌した。反応混合物を水に注ぎ込み、水層を酢酸エチルで抽出した。一緒にした有機層を食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、ヘプタンからの再結晶により精製して、化合物（Ｔ−３）（１１．０ｇ；８６％）を得た。

第３工程
窒素雰囲気下、特開２０１１−９８９４２号公報に記載された方法により合成した化合物（Ｔ−４）（５０．０ｇ）、化合物（Ｔ−５）（３１．１ｇ）、炭酸カリウム（７２．５ｇ）、ＴＢＡＢ（テトラブチルアンモニウムブロミド）（１１．３ｇ）、およびＤＭＦ（５００ｍｌ）を反応器に入れて、９０℃で２時間撹拌した。反応混合物を水に注ぎ込み、水層をトルエンで抽出した。一緒にした有機層を食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣をシリカゲルクロマトグラフィー（ヘプタン）で精製して、化合物（Ｔ−６）（５２．１ｇ；８４％）を得た。

第４工程
窒素雰囲気下、化合物（Ｔ−６）（１０．０ｇ）、化合物（Ｔ−３）（６．７３ｇ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０．３３０ｇ）、炭酸カリウム（７．８３ｇ）、ＴＢＡＢ（１．８３ｇ）、トルエン（５０．０ｍｌ）、ソルミックス（登録商標）Ａ−１１（５０．０ｍｌ）、および水（５０．０ｍｌ）を反応器に入れて、３時間加熱還流を行った。反応混合物を水に注ぎ込み、水層をトルエンで抽出した。一緒にした有機層を水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣をシリカゲルクロマトグラフィー（ヘプタン）で精製して、化合物（Ｔ−７）（６．７９ｇ；５６％）を得た。

第５工程
化合物（Ｔ−７）（６．７９ｇ）、パラジウムカーボン触媒（５％Ｐｄ／ＣのＮＸタイプ（５０％湿潤品）；エヌ・イー・ケムキャット製；０．３４０ｇ）、トルエン（５０．０ｍｌ）、およびＩＰＡ（５０．０ｍｌ）を反応器に入れ、水素雰囲気下で８時間撹拌した。濾過により触媒を除去したのち、減圧下で濃縮し、残渣をシリカゲルクロマトグラフィー（ヘプタン）で精製した。さらにソルミックス（登録商標）Ａ−１１からの再結晶により精製して、化合物（Ｎｏ．１−２−２）（５．０８ｇ；７５％）を得た。

化学シフトδ（ｐｐｍ；ＣＤＣｌ₃）：７．７７（ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，２Ｈ）、７．６５（ｄ，Ｊ＝７．８Ｈｚ，２Ｈ）、７．１５−７．０９（ｍ，１Ｈ）、７．０６−６．９４（ｍ，３Ｈ）、２．６９（ｔ，Ｊ＝７．３Ｈｚ，２Ｈ）、１．７５−１．６５（ｍ，２Ｈ）、１．００（ｔ，Ｊ＝７．４Ｈｚ，３Ｈ）．

化合物（Ｎｏ．１−２−２）の物性は、次のとおりであった。
転移温度：Ｃ３１．１Ｉ．
上限温度（Ｔ_NI）＝−０．３℃；光学的異方性（Δｎ）＝０．１１７；誘電率異方性（Δε）＝１９．４；短軸方向の誘電率（ε⊥）＝９．２；粘度（η）＝３８．９ｍＰａ・ｓ．
[実施例２]

化合物（Ｎｏ．１−２−１９）の合成

第１工程
窒素雰囲気下、化合物（Ｔ−６）（１０．０ｇ）、化合物（Ｔ−８）（６．８６ｇ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０．３３０ｇ）、炭酸カリウム（７．８３ｇ）、ＴＢＡＢ（１．８３ｇ）、トルエン（７０．０ｍｌ）、ソルミックス（登録商標）Ａ−１１（７０．０ｍｌ）、および水（７０．０ｍｌ）を反応器に入れて、３時間加熱還流を行った。反応混合物を水に注ぎ込み、水層をトルエンで抽出した。一緒にした有機層を水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣をシリカゲルクロマトグラフィー（体積比、ヘプタン：トルエン＝２：１）で精製した。さらにヘプタンとトルエンとの混合溶媒（体積比、１：１）からの再結晶により精製して、化合物（Ｎｏ．１−２−１９）（８．１４ｇ；６７％）を得た。

化学シフトδ（ｐｐｍ；ＣＤＣｌ₃）：７．７５（ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，２Ｈ）、７．６２（ｄ，Ｊ＝７．６Ｈｚ，２Ｈ）、７．１５−７．０９（ｍ，１Ｈ）、７．０２−６．９４（ｍ，２Ｈ）、６．８７−６．８０（ｍ，１Ｈ）、４．１８（ｑ，Ｊ＝７．０Ｈｚ，２Ｈ）、１．５０（ｔ，Ｊ＝７．１Ｈｚ，３Ｈ）．

化合物（Ｎｏ．１−２−１９）の物性は、次のとおりであった。なお、上限温度、光学的異方性、誘電率異方性、短軸方向の誘電率、および粘度の測定には、化合物と母液晶との割合が５重量％：９５重量％である試料を用いた。
転移温度：Ｃ１０１Ｉ．
上限温度（Ｔ_NI）＝３３．７℃；光学的異方性（Δｎ）＝０．１５７；誘電率異方性（Δε）＝２１．９；短軸方向の誘電率（ε⊥）＝８．５；粘度（η）＝５５．５ｍＰａ・ｓ．
［実施例３］

化合物（Ｎｏ．１−２−１０）の合成

第１工程
化合物（Ｔ−４）（１０．０ｇ）および化合物（Ｔ−９）（７．６３ｇ）を原料として用い、実施例１の第３工程と同様の手法により、化合物（Ｔ−１０）（９．４５ｇ；６７％）を得た。

第２工程
化合物（Ｔ−１０）（６．００ｇ）および化合物（Ｔ−１１）（３．１６ｇ）を原料として用い、実施例２の第１工程と同様の手法により、化合物（１−２−１０）（３．７０ｇ；５２％）を得た。

化学シフトδ（ｐｐｍ；ＣＤＣｌ₃）：７．７７（ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，２Ｈ）、７．６７（ｄ，Ｊ＝７．７Ｈｚ，２Ｈ）、７．１５−７．１０（ｍ，１Ｈ）、７．０６−６．９６（ｍ，３Ｈ）、２．６９（ｔ，Ｊ＝７．６Ｈｚ，２Ｈ）、１．７４−１．６４（ｍ，２Ｈ）、１．００（ｔ，Ｊ＝７．４Ｈｚ，３Ｈ）．

化合物（Ｎｏ．１−２−１０）の物性は、次のとおりであった。
転移温度：Ｃ４４．８Ｉ．
上限温度（Ｔ_NI）＝−０．３℃；光学的異方性（Δｎ）＝０．１１７；誘電率異方性（Δε）＝２７．２；短軸方向の誘電率（ε⊥）＝８．５；粘度（η）＝５１．５ｍＰａ・ｓ．
［実施例４］

化合物（Ｎｏ．１−３−１６）の合成

第１工程
窒素雰囲気下、ジブロモジフルオロメタン（１８．７ｇ）およびＴＨＦ（５５．０ｍｌ）を反応器に入れ、−１０℃に冷却した。そこへトリスジエチルアミノホスフィン（４４．１ｇ）のＴＨＦ（１００ｍｌ）溶液をゆっくりと加え、室温に戻しつつ１時間撹拌した。次にP. Kirsch et al., European Journal of Organic Chemistry. 2008, 20, 3479.に記載された手法に従い合成した化合物（Ｔ−１２）（１０．０ｇ）のＴＨＦ（４５．０ｍｌ）溶液をゆっくりと加え、５時間撹拌した。反応混合物を氷水に注ぎ込み、水層をヘプタンで抽出した。一緒にした有機層を３Ｎ塩酸、食塩水で順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣をシリカゲルクロマトグラフィー（ヘプタン）で精製して、化合物（Ｔ−１３）（１０．０ｇ；８７％）を得た。

第２工程
窒素雰囲気下、化合物（Ｔ−１３）（１０．０ｇ）およびクロロホルム（１３０ｍｌ）を反応器に入れ、−１０℃に冷却した。そこへ臭素（２．０９ｍｌ）のクロロホルム（２０．０ｍｌ）溶液をゆっくりと加え、室温に戻しつつ３０分間撹拌した。反応混合物を水に注ぎ込み、水層をジクロロメタンで抽出した。一緒にした有機層を飽和チオ硫酸ナトリウム水溶液、水で順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣をシリカゲルクロマトグラフィー（体積比、ヘプタン：酢酸エチル＝２０：１）で精製して、化合物（Ｔ−１４）（１５．７ｇ；９７％）を得た。

第３工程
窒素雰囲気下、化合物（Ｔ−１５）（２０．０ｇ）、化合物（Ｔ−１６）（２１．６ｇ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（１．３４ｇ）、酢酸カリウム（２１．６ｇ）、および１，４−ジオキサン（１００ｍｌ）を反応器に入れて、１００℃で３時間撹拌した。反応混合物を水に注ぎ込み、水層をトルエンで抽出した。一緒にした有機層を食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣をシリカゲルクロマトグラフィー（トルエン）で精製した。さらにヘプタンからの再結晶により精製して、化合物（Ｔ−１７）（１３．０ｇ；５５％）を得た。

第４工程
窒素雰囲気下、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０．４３０ｇ）、トリフェニルホスフィン（０．３２２ｇ）、およびＩＰＡ（３０．０ｍｌ）を反応器に入れて、１時間加熱還流を行った。次に化合物（Ｔ−１７）（６．８８ｇ）、化合物（Ｔ−１８）（４．２７ｇ）、炭酸カリウム（５．６５ｇ）、ＴＢＡＢ（１．３２ｇ）、およびＩＰＡ（７０．０ｍｌ）を加え、５時間加熱還流を行った。反応混合物を３Ｎ塩酸（１００ｍｌ）に注ぎ込み、水層をトルエンで抽出した。一緒にした有機層を食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣をシリカゲルクロマトグラフィー（体積比、トルエン：酢酸エチル＝１０：１）で精製して、化合物（Ｔ−１９）（６．７２ｇ；９９％）を得た。

第５工程
化合物（Ｔ−１４）（７．３３ｇ）および化合物（Ｔ−１９）（６．４８ｇ）を原料として用い、実施例１の第３工程と同様の手法により、化合物（Ｔ−２０）（５．２０ｇ；５３％）を得た。

第６工程
化合物（Ｔ−２０）（５．２０ｇ）、パラジウムカーボン触媒（５％Ｐｄ／ＣのＥタイプ（５０％湿潤品）；エヌ・イー・ケムキャット製；０．５２０ｇ）、トルエン（２６．０ｍｌ）、およびＩＰＡ（２６．０ｍｌ）を反応器に入れ、水素雰囲気下、５０℃で４８時間撹拌した。濾過により触媒を除去したのち、減圧下で濃縮し、残渣をシリカゲルクロマトグラフィー（体積比、ヘプタン：酢酸エチル＝１０：１）で精製した。さらにＩＰＡと酢酸エチルとの混合溶媒（体積比、１：１）からの再結晶により精製して、化合物（Ｎｏ．１−３−１６）（１．７４ｇ；３３％）を得た。

化学シフトδ（ｐｐｍ；ＣＤＣｌ₃）：７．４２−７．３５（ｍ，２Ｈ）、７．３４−７．２９（ｍ，１Ｈ）、７．２１−７．１５（ｍ，１Ｈ）、７．１５−７．０８（ｍ，１Ｈ）、３．９４（ｄｄｄ，Ｊ＝１１．１Ｈｚ，Ｊ＝４．１Ｈｚ，Ｊ＝２．１Ｈｚ，１Ｈ）、３．０４−２．９３（ｍ，２Ｈ）、２．１６−２．０６（ｍ，４Ｈ）、１．９５−１．８１（ｍ，２Ｈ）、１．７０−１．６２（ｍ，１Ｈ）、１．５７−１．４８（ｍ，１Ｈ）、１．４８−１．２２（ｍ，６Ｈ）、１．１９−１．００（ｍ，５Ｈ）、０．８９（ｔ，Ｊ＝７．３Ｈｚ，３Ｈ）．

化合物（Ｎｏ．１−３−１６）の物性は、次のとおりであった。
転移温度：Ｃ５５．６Ｓ_Ａ１３０Ｎ２２２Ｉ．
上限温度（Ｔ_NI）＝１４５℃；光学的異方性（Δｎ）＝０．１３０；誘電率異方性（Δε）＝１２．８；短軸方向の誘電率（ε⊥）＝５．８；粘度（η）＝７４．２ｍＰａ・ｓ．
[実施例５]

化合物（Ｎｏ．１−４−１）の合成

第１工程
化合物（Ｔ−６）（４．００ｇ）および化合物（Ｔ−２１）（３．１３ｇ）を原料として用い、実施例２の第１工程と同様の手法により、化合物（１−４−１）（２．８７ｇ；５０％）を得た。

化学シフトδ（ｐｐｍ；ＣＤＣｌ₃）：７．８５（ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，２Ｈ）、７．６２（ｄ，Ｊ＝７．７Ｈｚ，２Ｈ）、７．５２（ｄｄ，Ｊ＝８．１Ｈｚ，Ｊ＝１．１Ｈｚ，２Ｈ）、７．３４−７．２４（ｍ，４Ｈ）、７．０３−６．９５（ｍ，２Ｈ）、２．６６（ｔ，Ｊ＝７．９Ｈｚ，２Ｈ）、１．７６−１．６６（ｍ，２Ｈ）、０．９９（ｔ，Ｊ＝７．４Ｈｚ，３Ｈ）．

化合物（Ｎｏ．１−４−１）の物性は、次のとおりであった。なお、上限温度、光学的異方性、誘電率異方性、短軸方向の誘電率、および粘度の測定には、化合物と母液晶との割合が５重量％：９５重量％である試料を用いた。
転移温度：Ｃ１１７Ｓ_Ａ１３６Ｎ１６９Ｉ．
上限温度（Ｔ_NI）＝１１６℃；光学的異方性（Δｎ）＝０．１７９；誘電率異方性（Δε）＝２１．９；短軸方向の誘電率（ε⊥）＝４．５；粘度（η）＝５４．３ｍＰａ・ｓ．
[実施例６]

化合物（Ｎｏ．１−４−２１）の合成

第１工程
化合物（Ｔ−６）（４．００ｇ）および化合物（Ｔ−２２）（３．２０ｇ）を原料として用い、実施例２の第１工程と同様の手法により、化合物（１−４−２１）（４．９７ｇ；８６％）を得た。

化学シフトδ（ｐｐｍ；ＣＤＣｌ₃）：７．７６（ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，２Ｈ）、７．６５（ｄ，Ｊ＝８．２Ｈｚ，２Ｈ）、７．１７−７．１２（ｍ，１Ｈ）、７．１０−７．０４（ｍ，１Ｈ）、７．０２−６．９４（ｍ，２Ｈ）、２．８９（ｔｔ，Ｊ＝１２．２Ｈｚ，Ｊ＝３．１Ｈｚ，１Ｈ）、１．９６−１．８６（ｍ，４Ｈ）、１．５８−１．４６（ｍ，２Ｈ）、１．４２−１．２９（ｍ，３Ｈ）、１．２８−１．２０（ｍ，２Ｈ）、１．１７−１．０６（ｍ，２Ｈ）、０．９１（ｔ，Ｊ＝７．４Ｈｚ，３Ｈ）．

化合物（Ｎｏ．１−４−２１）の物性は、次のとおりであった。
転移温度：Ｃ７２．０Ｎ１５８Ｉ．
上限温度（Ｔ_NI）＝１１３℃；光学的異方性（Δｎ）＝０．１５０；誘電率異方性（Δε）＝１６．８；短軸方向の誘電率（ε⊥）＝５．８；粘度（η）＝６３．８ｍＰａ・ｓ．
[実施例７]

化合物（Ｎｏ．１−４−３８）の合成

第１工程
窒素雰囲気下、化合物（Ｔ−２３）（１５．０ｇ）、化合物（Ｔ−２４）（１１．７ｇ）、炭酸カリウム（１２．５ｇ）、およびＤＭＦ（１００ｍｌ）を反応器に入れて、１２０℃で７時間撹拌した。反応混合物を水に注ぎ込み、水層をトルエンで抽出した。一緒にした有機層を食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣をシリカゲルクロマトグラフィー（ヘプタン）で精製して、化合物（Ｔ−２５）（１５．９ｇ；６９％）を得た。

第２工程
化合物（Ｔ−２５）（１５．９ｇ）を原料として用い、実施例１の第２工程と同様の手法により、化合物（Ｔ−２６）（１２．５ｇ；６８％）を得た。

第３工程
化合物（Ｔ−６）（４．７１ｇ）および化合物（Ｔ−２６）（５．００ｇ）を原料として用い、実施例２の第１工程と同様の手法により、化合物（１−４−３８）（４．２４ｇ；５９％）を得た。

化学シフトδ（ｐｐｍ；ＣＤＣｌ₃）：７．７５（ｄ，Ｊ＝８．３Ｈｚ，２Ｈ）、７．６２（ｄ，Ｊ＝７．６Ｈｚ，２Ｈ）、７．１３−７．０８（ｍ，１Ｈ）、７．０１−６．９４（ｍ，２Ｈ）、６．８４−６．７８（ｍ，１Ｈ）、３．８８（ｄ，Ｊ＝６．５Ｈｚ，２Ｈ）、１．９８−１．８９（ｍ，２Ｈ）、１．８８−１．７７（ｍ，３Ｈ）、１．３８−１．２９（ｍ，２Ｈ）、１．２９−１．１５（ｍ，３Ｈ）、１．１３−１．０３（ｍ，２Ｈ）、１．０１−０．８５（ｍ，５Ｈ）．

化合物（Ｎｏ．１−４−３８）の物性は、次のとおりであった。なお、上限温度、光学的異方性、誘電率異方性、短軸方向の誘電率、および粘度の測定には、化合物と母液晶との割合が１０重量％：９０重量％である試料を用いた。
転移温度：Ｃ１０３Ｎ１４４Ｉ．
上限温度（Ｔ_NI）＝１１１℃；光学的異方性（Δｎ）＝０．１５７；誘電率異方性（Δε）＝１１．８；短軸方向の誘電率（ε⊥）＝８．５；粘度（η）＝８０．６ｍＰａ・ｓ．
[実施例８]

化合物（Ｎｏ．１−４−５４）の合成

第１工程
窒素雰囲気下、化合物（Ｔ−２７）（５０．０ｇ）、化合物（Ｔ−２８）（６２．４ｇ）、ＰＴＳＡ（パラトルエンスルホン酸一水和物）（６．６９ｇ）、およびトルエン（２５０ｍｌ）を反応器に入れて、留出してくる水を除去しつつ、２時間加熱還流を行った。反応混合物を水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣をシリカゲルクロマトグラフィー（体積比、ヘプタン：トルエン＝１：１）で精製して、化合物（Ｔ−２９）（７１．６ｇ；８４％）を得た。

第２工程
窒素雰囲気下、化合物（Ｔ−２９）（３５．０ｇ）およびＴＨＦ（４５０ｍｌ）を反応器に入れ、−７０℃に冷却した。そこへｓｅｃ−ブチルリチウム（１．０１Ｍ；シクロヘキサン、ｎ−ヘキサン溶液；１７２ｍｌ）をゆっくりと加え１時間撹拌した。次にヨウ素（４７．７ｇ）のＴＨＦ（２７０ｍｌ）溶液をゆっくりと加え、室温に戻しつつ８時間撹拌した。反応混合物を水に注ぎ込み、水層をトルエンで抽出した。一緒にした有機層を飽和チオ硫酸ナトリウム水溶液、食塩水で順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣をシリカゲルクロマトグラフィー（体積比、ヘプタン：トルエン＝１：１）で精製した。さらにヘプタンからの再結晶により精製して、化合物（Ｔ−３０）（３７．６ｇ；７１％）を得た。

第３工程
化合物（Ｔ−６）（３０．０ｇ）を原料として用い、実施例４の第３工程と同様の手法により、化合物（Ｔ−３１）（２６．９ｇ；７９％）を得た。

第４工程
化合物（Ｔ−３０）（２３．６ｇ）および化合物（Ｔ−３１）（２６．９ｇ）を原料として用い、実施例２の第１工程と同様の手法により、化合物（１−４−５４）（２７．２ｇ；８３％）を得た。

化学シフトδ（ｐｐｍ；ＣＤＣｌ₃）：７．７７（ｄ，Ｊ＝８．３Ｈｚ，２Ｈ）、７．６４（ｄ，Ｊ＝７．９Ｈｚ，２Ｈ）、７．５１−７．４５（ｍ，１Ｈ）、７．２６−７．２０（ｍ，１Ｈ）、７．０２−６．９４（ｍ，２Ｈ）、５．７６（ｓ，１Ｈ）、４．２５（ｄｄ，Ｊ＝１１．８Ｈｚ，Ｊ＝４．６Ｈｚ，２Ｈ）、３．５９（ｔ，Ｊ＝１１．５Ｈｚ，２Ｈ）、２．２５−２．１５（ｍ，１Ｈ）、１．４１−１．３１（ｍ，２Ｈ）、１．１５−１．０８（ｍ，２Ｈ）、０．９４（ｔ，Ｊ＝７．５Ｈｚ，３Ｈ）．

化合物（Ｎｏ．１−４−５４）の物性は、次のとおりであった。なお、上限温度、光学的異方性、誘電率異方性、短軸方向の誘電率、および粘度の測定には、化合物と母液晶との割合が５重量％：９５重量％である試料を用いた。
転移温度：Ｃ１１７Ｎ１３８Ｉ．
上限温度（Ｔ_NI）＝１１４℃；光学的異方性（Δｎ）＝０．１５７；誘電率異方性（Δε）＝２９．９；短軸方向の誘電率（ε⊥）＝４．５；粘度（η）＝７３．５ｍＰａ・ｓ．
[実施例９]

化合物（Ｎｏ．１−２−１５）の合成

第１工程
窒素雰囲気下、化合物（１−４−５４）（２４．２ｇ）、ギ酸（１２１ｍｌ）、ＴＢＡＢ（４．５５ｇ）、およびトルエン（２４０ｍｌ）を反応器に入れて、７２時間撹拌した。反応混合物を水に注ぎ込み、水層をトルエンで抽出した。一緒にした有機層を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、食塩水で順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣をシリカゲルクロマトグラフィー（体積比、ヘプタン：トルエン＝１：２）で精製して、化合物（Ｔ−３２）（１７．０ｇ；８７％）を得た。

第２工程
化合物（Ｔ−３２）（１７．０ｇ）および化合物（Ｔ−３３）（２２．０ｇ）を原料として用い、実施例１の第１工程と同様の手法により、化合物（Ｔ−３４）（１９．７ｇ；９９％）を得た。

第３工程
化合物（Ｔ−３４）（１９．７ｇ）を原料として用い、実施例１の第５工程と同様の手法により、化合物（Ｔ−３５）（１７．７ｇ；８８％）を得た。

第４工程
化合物（Ｔ−３５）（１７．７ｇ）を原料として用い、実施例９の第１工程と同様の手法により、化合物（Ｔ−３６）（１４．４ｇ；８９％）を得た。

第５工程
化合物（Ｔ−３６）（３．００ｇ）およびメチルトリフェニルホスホニウムブロミド（２．９１ｇ）を原料として用い、実施例１の第１工程と同様の手法により、化合物（１−２−１５）（２．０１ｇ；６７％）を得た。

化学シフトδ（ｐｐｍ；ＣＤＣｌ₃）：７．７７（ｄ，Ｊ＝８．３Ｈｚ，２Ｈ）、７．６５（ｄ，Ｊ＝７．８Ｈｚ，２Ｈ）、７．１６−７．１０（ｍ，１Ｈ）、７．０６−６．９４（ｍ，３Ｈ）、５．９２−５．８１（ｍ，１Ｈ）、５．１２−５．００（ｍ，２Ｈ）、２．８２（ｔ，Ｊ＝７．７Ｈｚ，２Ｈ）、２．４６−２．３８（ｍ，２Ｈ）．

化合物（Ｎｏ．１−２−１５）の物性は、次のとおりであった。
転移温度：Ｃ３７．５Ｉ．
上限温度（Ｔ_NI）＝９．０℃；光学的異方性（Δｎ）＝０．１３０；誘電率異方性（Δε）＝１８．９；短軸方向の誘電率（ε⊥）＝８．５；粘度（η）＝２９．７ｍＰａ・ｓ．
［実施例１０］

化合物（Ｎｏ．１−５−２１）の合成

第１工程
化合物（Ｔ−４）（１０．０ｇ）および化合物（Ｔ−３７）（９．３１ｇ）を原料として用い、実施例１の第３工程と同様の手法により、化合物（Ｔ−３８）（１３．９ｇ；８９％）を得た。

第２工程
化合物（Ｔ−３８）（４．１５ｇ）を原料として用い、実施例２の第１工程と同様の手法により、化合物（１−５−２１）（２．４４ｇ；５０％）を得た。

化学シフトδ（ｐｐｍ；ＣＤＣｌ₃）：７．８１（ｄ，Ｊ＝８．３Ｈｚ，２Ｈ）、７．６６（ｄ，Ｊ＝７．７Ｈｚ，２Ｈ）、７．４１−７．３５（ｍ，１Ｈ）、７．２２−７．１０（ｍ，５Ｈ）、７．０６−７．００（ｍ，１Ｈ）、２．７０（ｔ，Ｊ＝７．５Ｈｚ，２Ｈ）、１．７４−１．６５（ｍ，２Ｈ）、１．００（ｔ，Ｊ＝７．４Ｈｚ，３Ｈ）．

化合物（Ｎｏ．１−５−２１）の物性は、次のとおりであった。
転移温度：Ｃ７４．４Ｎ１２２Ｉ．
上限温度（Ｔ_NI）＝８５．０℃；光学的異方性（Δｎ）＝０．１８４；誘電率異方性（Δε）＝２３．９；短軸方向の誘電率（ε⊥）＝７．８；粘度（η）＝７８．８ｍＰａ・ｓ．
［実施例１１］

化合物（Ｎｏ．１−７−２）の合成

第１工程
化合物（Ｔ−３８）（５．００ｇ）およびＷＯ２００９／１５０９６６Ａ１に記載された手法に従い合成した化合物（Ｔ−３９）（３．８２ｇ）を原料として用い、実施例２の第１工程と同様の手法により、化合物（１−７−２）（３．９２ｇ；５５％）を得た。

化学シフトδ（ｐｐｍ；ＣＤＣｌ₃）：７．８１（ｄ，Ｊ＝８．３Ｈｚ，２Ｈ）、７．６６（ｄ，Ｊ＝８．２Ｈｚ，２Ｈ）、７．４１−７．３６（ｍ，１Ｈ）、７．２２−７．１３（ｍ，５Ｈ）、７．０９−７．０４（ｍ，１Ｈ）、２．８９（ｔｔ，Ｊ＝１２．３Ｈｚ，Ｊ＝３．０Ｈｚ，１Ｈ）、１．９５−１．８７（ｍ，４Ｈ）、１．５８−１．４６（ｍ，２Ｈ）、１．３８−１．２１（ｍ，９Ｈ）、１．１６−１．０６（ｍ，２Ｈ）、０．９０（ｔ，Ｊ＝７．３Ｈｚ，３Ｈ）．

化合物（Ｎｏ．１−７−２）の物性は、次のとおりであった。
転移温度：Ｃ９４．５Ｎ２５６Ｉ．
上限温度（Ｔ_NI）＝１７４℃；光学的異方性（Δｎ）＝０．１９０；誘電率異方性（Δε）＝１７．９；短軸方向の誘電率（ε⊥）＝５．２；粘度（η）＝９４．８ｍＰａ・ｓ．

既に記載した化合物（１）の合成法および実施例１〜１１に記載した合成手順に従って以下に示す化合物（Ｎｏ．１−１−１）〜（Ｎｏ．１−１−２０）、化合物（Ｎｏ．１−２−１）〜（Ｎｏ．１−２−５３）、化合物（Ｎｏ．１−３−１）〜（Ｎｏ．１−３−３５）、化合物（Ｎｏ．１−４−１）〜（Ｎｏ．１−４−７５）、化合物（Ｎｏ．１−５−１）〜（Ｎｏ．１−５−３３）、化合物（Ｎｏ．１−６−１）〜（Ｎｏ．１−６−４）、および化合物（Ｎｏ．１−７−１）〜（Ｎｏ．１−７−３）を合成できる。

［比較例１］
比較化合物として、化合物（Ｓ−１）を合成した。この化合物は、特開２００２−３２７１７５号公報に記載されており、本発明の化合物に類似しているからである。

化学シフトδ（ｐｐｍ；ＣＤＣｌ_３）：７．７５（ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，２Ｈ）、７．６８（ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，２Ｈ）、７．５３（ｄ，Ｊ＝８．１Ｈｚ，２Ｈ）、７．２９（ｄ，Ｊ＝８．１Ｈｚ，２Ｈ）、７．０２−６．９４（ｍ，２Ｈ）、２．６５（ｔ，Ｊ＝７．９Ｈｚ，２Ｈ）、１．７５−１．６５（ｍ，２Ｈ）、０．９８（ｔ，Ｊ＝７．５Ｈｚ，３Ｈ）．

比較化合物（Ｓ−１）の物性は、次のとおりであった。
転移温度：Ｃ８０．３Ｉ．
上限温度（Ｔ_NI）＝３５．０℃；光学的異方性（Δｎ）＝０．１４４；誘電率異方性（Δε）＝１９．６；短軸方向の誘電率（ε⊥）＝５．２；粘度（η）＝１９．６ｍＰａ・ｓ．

実施例１で得られた化合物（Ｎｏ．１−２−２）と比較化合物（Ｓ−１）の物性を表１にまとめた。表１から、化合物（Ｎｏ．１−２−２）は、比較化合物（Ｓ−１）と比較して、誘電率異方性はほぼ同等であるにも関わらず、短軸方向の誘電率が大きい点で優れていることが分かった。

また実施例２、実施例３、および実施例９に示した３環化合物（Ｎｏ．１−２−１９）、化合物（Ｎｏ．１−２−１０）、および化合物（Ｎｏ．１−２−１５）は全て、比較化合物（Ｓ−１）と比較して短軸方向の誘電率が大きい。従って本発明の化合物の方が、ＦＦＳモードの液晶表示素子に用いられる液晶組成物の透過率を向上させることが出来る、優れた化合物であることが分かった。

［比較例２］
比較化合物として、化合物（Ｓ−２）を合成した。この化合物は、特開平１０−２５１１８６号公報に記載されており、本発明の化合物に類似しているからである。

化学シフトδ（ｐｐｍ；ＣＤＣｌ_３）：７．７３（ｄ，Ｊ＝８．３Ｈｚ，２Ｈ）、７．６８（ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，２Ｈ）、７．５４（ｄ，Ｊ＝８．２Ｈｚ，２Ｈ）、７．３２（ｄ，Ｊ＝８．２Ｈｚ，２Ｈ）、７．０２−６．９３（ｍ，２Ｈ）、２．５２（ｔｔ，Ｊ＝１２．０Ｈｚ，Ｊ＝３．２Ｈｚ，１Ｈ）、１．９７−１．８４（ｍ，４Ｈ）、１．５５−１．４３（ｍ，２Ｈ）、１．４１−１．２７（ｍ，３Ｈ）、１．２７−１．２０（ｍ，２Ｈ）、１．１４−１．０２（ｍ，２Ｈ）、０．９１（ｔ，Ｊ＝７．３Ｈｚ，３Ｈ）．

比較化合物（Ｓ−２）の物性は、次のとおりであった。
転移温度：Ｃ６７．１Ｓ_Ａ９３．８Ｎ１８８Ｉ．
上限温度（Ｔ_NI）＝１５６℃；光学的異方性（Δｎ）＝０．１７０；誘電率異方性（Δε）＝１９．２；短軸方向の誘電率（ε⊥）＝３．８；粘度（η）＝５５．２ｍＰａ・ｓ．

実施例６で得られた化合物（Ｎｏ．１−４−２１）と比較化合物（Ｓ−２）の物性を表２にまとめた。表２から、化合物（Ｎｏ．１−４−２１）は、比較化合物（Ｓ−２）と比較して、誘電率異方性はほぼ同等であるにも関わらず、短軸方向の誘電率が大きい点で優れていることが分かった。

また実施例４、実施例５、実施例７、実施例８、および実施例１０に示した４環化合物（Ｎｏ．１−３−１６）、化合物（Ｎｏ．１−４−１）、化合物（Ｎｏ．１−４−３８）、化合物（Ｎｏ．１−４−５４）、および化合物（Ｎｏ．１−５−２１）は全て、比較化合物（Ｓ−２）と比較して短軸方向の誘電率が大きい。従って本発明の化合物の方が、ＦＦＳモードの液晶表示素子に用いられる液晶組成物の透過率を向上させることが出来る、優れた化合物であることが分かった。

［比較例３］
比較化合物として、化合物（Ｓ−３）を合成した。この化合物は、特開２００２−８０４５２号公報に記載されており、本発明の化合物に類似しているからである。

化学シフトδ（ｐｐｍ；ＣＤＣｌ_３）：７．８１−７．７５（ｍ，２Ｈ）、７．４２−７．３３（ｍ，３Ｈ）、７．１１−７．０４（ｍ，１Ｈ）、２．８９（ｔｔ，Ｊ＝１２．４Ｈｚ，Ｊ＝２．９Ｈｚ，１Ｈ）、１．９３−１．８４（ｍ，４Ｈ）、１．５５−１．４３（ｍ，２Ｈ）、１．４１−１．２７（ｍ，３Ｈ）、１．２７−１．１９（ｍ，２Ｈ）、１．１６−１．０３（ｍ，２Ｈ）、０．９１（ｔ，Ｊ＝７．４Ｈｚ，３Ｈ）．

比較化合物（Ｓ−３）の物性は、次のとおりであった。
転移温度：Ｃ５３．８Ｉ．
上限温度（Ｔ_NI）＝３．７℃；光学的異方性（Δｎ）＝０．０７０３；誘電率異方性（Δε）＝１６．４；短軸方向の誘電率（ε⊥）＝７．２；粘度（η）＝７１．８ｍＰａ・ｓ．

実施例１で得られた化合物（Ｎｏ．１−２−２）と比較化合物（Ｓ−３）の物性を表３にまとめた。表３から、化合物（Ｎｏ．１−２−２）は、比較化合物（Ｓ−３）と比較して、上限温度はほぼ同等であるにも関わらず、誘電率異方性が大きく、短軸方向の誘電率が大きく、粘度が小さい点で優れていることが分かった。

また実施例２、実施例３、および実施例９に示した３環化合物（Ｎｏ．１−２−１９）、化合物（Ｎｏ．１−２−１０）、および化合物（Ｎｏ．１−２−１５）は全て、比較化合物（Ｓ−３）と比較して、誘電率異方性が大きく、短軸方向の誘電率が大きく、粘度が小さい。従って本発明の化合物の方が、ＦＦＳモードの液晶表示素子に用いられる液晶組成物の透過率を向上させつつ、素子の応答時間を短くすることが出来る、優れた化合物であることが分かった。

１−２．組成物（１）の実施例
実施例により本発明の液晶組成物（１）を詳細に説明する。実施例における化合物は、下記の表２の定義に基づいて記号により表した。表２において、１，４−シクロヘキシレンに関する立体配置はトランスである。実施例において記号の後にあるかっこ内の番号は化合物の番号に対応する。（−）の記号はその他の液晶性化合物を意味する。液晶性化合物の割合（百分率）は、液晶組成物の重量に基づいた重量百分率（重量％）である。最後に、組成物の物性値をまとめた。物性は、先に記載した方法にしたがって測定し、測定値を（外挿することなく）そのまま記載した。

［実施例１２］
３−Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）ＢＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（１−２−２）１７％
３−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（３−１５）８％
５−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（３−１５）８％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（３−２４）２１％
５−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（３−２４）２０％
３−Ｈ２ＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（３−２７）１０％
５−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（４−６）３％
５−ＨＨＥＢＢ−Ｆ（４−１７）２％
３−ＨＨ２ＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（４−１５）３％
１Ｏ１−ＨＢＢＨ−４（１５−１）４％
１Ｏ１−ＨＢＢＨ−５（１５−１）４％
ＮＩ＝８３．２℃；Δｎ＝０．１２３；Δε＝１１．０；η＝３６．９ｍＰａ・ｓ．
上記組成物１００部に化合物（Ｏｐ−０５）を０．２５部添加したときのピッチは６１．７μｍであった。

［実施例１３］
２Ｏ−Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）ＢＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（１−２−１９）５％
２−ＨＢ−Ｃ（５−１）５％
３−ＨＢ−Ｃ（５−１）１２％
３−ＨＢ−Ｏ２（１３−５）１５％
２−ＢＴＢ−１（１３−１０）３％
３−ＨＨＢ−Ｆ（３−１）４％
３−ＨＨＢ−１（１４−１）８％
３−ＨＨＢ−Ｏ１（１４−１）５％
３−ＨＨＢ−３（１４−１）１４％
３−ＨＨＥＢ−Ｆ（３−１０）４％
５−ＨＨＥＢ−Ｆ（３−１０）４％
２−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ（３−２）７％
３−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ（３−２）７％
５−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ（３−２）７％
ＮＩ＝９８．４℃；Δｎ＝０．１０４；Δε＝５．１；η＝１９．２ｍＰａ・ｓ．

［実施例１４］
３−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）ＢＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（１−４−２１）４％
５−ＨＢ−ＣＬ（２−２）１６％
３−ＨＨ−４（１３−１）１２％
３−ＨＨ−５（１３−１）４％
３−ＨＨＢ−ＣＬ（３−１）３％
４−ＨＨＢ−ＣＬ（３−１）４％
３−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ（３−２）１０％
４−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ（３−２）９％
５−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ（３−２）９％
７−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ（３−２）８％
５−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ（３−２３）４％
１Ｏ１−ＨＢＢＨ−５（１５−１）３％
３−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（４−６）２％
４−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（４−６）３％
５−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（４−６）３％
３−ＨＨ２ＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（４−１５）３％
４−ＨＨ２ＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（４−１５）３％
ＮＩ＝１１４．０℃；Δｎ＝０．０９３；Δε＝４．３；η＝２１．１ｍＰａ・ｓ．

［実施例１５］
３−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）ＢＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（１−４−２１）４％
３−Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）ＢＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（１−２−２）５％
５−ＨＢ−Ｆ（２−２）１２％
６−ＨＢ−Ｆ（２−２）９％
７−ＨＢ−Ｆ（２−２）７％
２−ＨＨＢ−ＯＣＦ３（３−１）７％
３−ＨＨＢ−ＯＣＦ３（３−１）７％
４−ＨＨＢ−ＯＣＦ３（３−１）７％
５−ＨＨＢ−ＯＣＦ３（３−１）５％
３−ＨＨ２Ｂ−ＯＣＦ３（３−４）４％
５−ＨＨ２Ｂ−ＯＣＦ３（３−４）４％
３−ＨＨ２Ｂ（Ｆ）−Ｆ（３−５）３％
３−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ（３−２３）１０％
５−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ（３−２３）１０％
５−ＨＢＢＨ−３（１５−１）３％
３−ＨＢ（Ｆ）ＢＨ−３（１５−２）３％
ＮＩ＝８２．６℃；Δｎ＝０．０９６；Δε＝５．０；η＝１５．２ｍＰａ・ｓ．

［実施例１６］
３−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）ＢＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（１−４−２１）３％
５−ＨＢ−ＣＬ（２−２）１１％
３−ＨＨ−４（１３−１）８％
３−ＨＨＢ−１（１４−１）５％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（３−３）８％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（３−２４）２０％
５−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（３−２４）１５％
３−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（３−１２）１０％
５−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（３−１２）３％
２−ＨＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（３−３９）３％
３−ＨＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（３−３９）５％
５−ＨＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（３−３９）３％
３−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（４−６）６％
ＮＩ＝８０．８℃；Δｎ＝０．１０５；Δε＝８．９；η＝２３．１ｍＰａ・ｓ．

［実施例１７］
３−Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）ＢＸＢ（Ｆ，Ｆ）−ＣＦ３
（１−２−１０）９％
２−ＨＢ−Ｃ（５−１）５％
３−ＨＢ−Ｃ（５−１）９％
３−ＨＢ−Ｏ２（１３−５）１２％
２−ＢＴＢ−１（１３−１０）３％
３−ＨＨＢ−Ｆ（３−１）４％
３−ＨＨＢ−１（１４−１）８％
３−ＨＨＢ−Ｏ１（１４−１）５％
３−ＨＨＢ−３（１４−１）１１％
３−ＨＨＥＢ−Ｆ（３−１０）４％
５−ＨＨＥＢ−Ｆ（３−１０）４％
２−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ（３−２）７％
３−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ（３−２）７％
５−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ（３−２）７％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（３−３）５％
ＮＩ＝９４．２℃；Δｎ＝０．１０１；Δε＝６．６；η＝２１．７ｍＰａ・ｓ．

［実施例１８］
３−ｄｈＨＸＢ（２Ｆ，３Ｆ）Ｂ（Ｆ）−ＯＣＦ３
（１−３−１６）３％
５−ＨＢ−ＣＬ（２−２）１４％
３−ＨＨ−４（１３−１）１１％
３−ＨＨ−５（１３−１）４％
３−ＨＨＢ−Ｆ（３−１）４％
３−ＨＨＢ−ＣＬ（３−１）３％
４−ＨＨＢ−ＣＬ（３−１）４％
３−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ（３−２）１０％
４−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ（３−２）９％
５−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ（３−２）９％
７−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ（３−２）８％
５−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ（３−２３）４％
１Ｏ１−ＨＢＢＨ−５（１５−１）３％
３−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（４−６）２％
４−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（４−６）３％
５−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（４−６）３％
３−ＨＨ２ＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（４−１５）３％
４−ＨＨ２ＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（４−１５）３％
ＮＩ＝１１８．７℃；Δｎ＝０．０９３；Δε＝４．１；η＝２１．９ｍＰａ・ｓ．

［実施例１９］
３−ＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）ＢＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
（１−４−１）３％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（３−３）９％
３−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（３−１５）８％
４−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（３−１５）８％
５−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（３−１５）８％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（３−２４）１９％
５−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（３−２４）１９％
３−Ｈ２ＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（３−２７）１０％
５−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（４−６）３％
５−ＨＨＥＢＢ−Ｆ（４−１７）２％
３−ＨＨ２ＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（４−１５）３％
１Ｏ１−ＨＢＢＨ−４（１５−１）４％
１Ｏ１−ＨＢＢＨ−５（１５−１）４％
ＮＩ＝９９．７℃；Δｎ＝０．１１８；Δε＝９．３；η＝３５．５ｍＰａ・ｓ．

［実施例２０］
Ｖ２−Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）ＢＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
（１−２−１５）８％
５−ＨＢ−Ｆ（２−２）１２％
６−ＨＢ−Ｆ（２−２）９％
７−ＨＢ−Ｆ（２−２）７％
２−ＨＨＢ−ＯＣＦ３（３−１）７％
３−ＨＨＢ−ＯＣＦ３（３−１）７％
４−ＨＨＢ−ＯＣＦ３（３−１）７％
５−ＨＨＢ−ＯＣＦ３（３−１）５％
３−ＨＨ２Ｂ−ＯＣＦ３（３−４）４％
５−ＨＨ２Ｂ−ＯＣＦ３（３−４）４％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−ＯＣＦ２Ｈ（３−３）４％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−ＯＣＦ３（３−３）５％
３−ＨＨ２Ｂ（Ｆ）−Ｆ（３−５）３％
３−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ（３−２３）６％
５−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ（３−２３）６％
５−ＨＢＢＨ−３（１５−１）３％
３−ＨＢ（Ｆ）ＢＨ−３（１５−２）３％
ＮＩ＝７９．１℃；Δｎ＝０．０９２；Δε＝５．３；η＝１４．７ｍＰａ・ｓ．

［実施例２１］
３−Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）ＢＸＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
（１−５−２１）９％
５−ＨＢ−ＣＬ（２−２）１０％
３−ＨＨ−４（１３−１）８％
３−ＨＨＢ−１（１４−１）５％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（３−３）８％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（３−２４）１６％
５−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（３−２４）１１％
３−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（３−１２）１０％
４−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（３−１２）３％
５−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（３−１２）３％
２−ＨＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（３−３９）３％
３−ＨＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（３−３９）５％５−ＨＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（３−３９）３％
３−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（４−６）６％
ＮＩ＝８３．６℃；Δｎ＝０．１０９；Δε＝９．９；η＝２６．４ｍＰａ・ｓ．

［実施例２２］
３−Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）ＢＸＢ（Ｆ）−Ｆ（１−２−７）３％
３−ＨＨ−４（１３−１）４％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（３−２４）３１％
５−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（３−２４）３１％
３−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（３−１５）１０％
４−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（３−１５）１０％
５−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（３−１５）８％
３−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（４−６）３％

［実施例２３］
３−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）ＢＸＢ（Ｆ）−ＯＣＦ３
（１−４−２８）３％
５−ＨＢ−ＣＬ（２−２）１５％
７−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（２−４）３％
３−ＨＨ−４（１３−１）１０％
３−ＨＨ−５（１３−１）５％
３−ＨＢ−Ｏ２（１３−５）１４％
３−ＨＨＢ−１（１４−１）８％
３−ＨＨＢ−Ｏ１（１４−１）５％
２−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ（３−２）７％
３−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ（３−２）７％
５−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ（３−２）７％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（３−３）６％３−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（３−１５）５％
４−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（３−１５）５％

［実施例２４］
３−ｃｈＢ（２Ｆ，３Ｆ）ＢＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
（１−４−４７）３％
５−ＨＢ−ＣＬ（２−２）３％
７−ＨＢ（Ｆ）−Ｆ（２−３）７％
３−ＨＨ−４（１３−１）９％
３−ＨＨ−ＥＭｅ（１３−２）２０％
３−ＨＨＥＢ−Ｆ（３−１０）８％
５−ＨＨＥＢ−Ｆ（３−１０）８％
３−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（３−１２）１０％
４−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（３−１２）５％
４−ＨＧＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（３−１０３）５％
５−ＨＧＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（３−１０３）６％
２−Ｈ２ＧＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（３−１０６）４％
３−Ｈ２ＧＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（３−１０６）５％
５−ＧＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（３−１０９）７％

［実施例２５］
１Ｖ２−Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）ＢＸＢ（Ｆ，Ｆ）−ＣＦ３
（１−２−１８）３％
３−ＨＨ−４（１３−１）４％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（３−２４）３１％
５−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（３−２４）３１％
３−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（３−１５）１０％
４−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（３−１５）１０％
５−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（３−１５）８％
３−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（４−６）３％

本発明の液晶性化合物は、熱、光などに対する高い安定性、高い透明点、液晶相の低い下限温度、小さな粘度、適切な光学的異方性、大きな誘電率異方性、短軸方向の大きな誘電率、適切な弾性定数、他の液晶性化合物との優れた相溶性などの物性の少なくとも１つを充足する。本発明の液晶組成物は、この化合物を含有し、高い上限温度、低い下限温度、小さな粘度、適切な光学的異方性、大きな誘電率異方性、短軸方向の大きな誘電率、適切な弾性定数などの物性の少なくとも１つを充足する。この組成物は、少なくとも２つの物性に関して適切なバランスを有する。本発明の液晶表示素子は、この組成物を含み、素子を使用できる広い温度範囲、短い応答時間、大きな電圧保持率、低いしきい値電圧、大きなコントラスト比、および長い寿命を有する。したがって、パソコン、テレビなどに用いる液晶表示素子に広く利用できる。

Claims

式（１）で表される化合物。

式（１）において、
Ｒ^１は、炭素数１〜１５のアルキルであり、このアルキルにおいて、少なくとも１つの−ＣＨ_２−は−Ｏ−または−Ｓ−で置き換えられてもよく、少なくとも１つの−（ＣＨ_２）_２−は−ＣＨ＝ＣＨ−で置き換えられてもよく、これらの基において、少なくとも１つの水素はハロゲンで置き換えられてもよく；
環Ａ^１、環Ａ^２、環Ａ^３、および環Ａ^４は独立して、１，４−シクロへキシレン、１，４−シクロヘキセニレン、１，４−フェニレン、２−フルオロ−１，４−フェニレン、２，６−ジフルオロ−１，４−フェニレン、２−クロロ−１，４−フェニレン、２，６−ジクロロ−１，４−フェニレン、２−クロロ−６−フルオロ−１，４−フェニレン、テトラヒドロピラン−２，５−ジイル、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル、２，６，７−トリオキサビシクロ[２．２．２]オクタン−１，４−ジイル、ピリミジン−２，５−ジイル、またはピリジン−２，５−ジイルであり；
Ｘ^１は、ハロゲン、−Ｃ≡Ｎ、−Ｎ＝Ｃ＝Ｓ、または少なくとも１つの水素がフッ素で置き換えられた炭素数１〜１０のアルキル、少なくとも１つの水素がフッ素で置き換えられた炭素数２〜１０のアルケニル、少なくとも１つの水素がフッ素で置き換えられた炭素数１〜９のアルコキシ、または少なくとも１つの水素がフッ素で置き換えられた炭素数２〜９のアルケニルオキシであり；
Ｌ^１およびＬ^２は独立して、水素またはフッ素であり；
Ｙ^１およびＹ^２は独立して、フッ素または塩素であり；
Ｗ^１は、単結合、−（ＣＨ_２）_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、または−ＣＦ＝ＣＦ−であり；
Ｚ^１、Ｚ^２、Ｚ^３、およびＺ^４は独立して、単結合、−（ＣＨ_２）_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、または−ＣＦ＝ＣＦ−であり；
ａ、ｂ、ｃ、およびｄは独立して、０または１であり、ａ、ｂ、ｃ、およびｄの和は、１、２、または３であり；
ａが１のときのＺ^１、ｂが１のときのＺ^２、ｃが１のときのＺ^３、およびｄが１のときのＺ^４のうち、少なくとも１つは−ＣＦ_２Ｏ−である。
請求項１に記載の式（１）において、Ｒ^１が、炭素数１〜１５のアルキル、炭素数２〜１５のアルケニル、炭素数１〜１４のアルコキシ、または炭素数２〜１４のアルケニルオキシであり；Ｘ^１が、フッ素、塩素、−Ｃ≡Ｎ、−Ｎ＝Ｃ＝Ｓ、−ＣＨ_２Ｆ、−ＣＨＦ_２、−ＣＦ_３、−（ＣＨ_２）_２−Ｆ、−ＣＨ_２ＣＦ_３、−ＣＦ_２ＣＦ_３、−（ＣＨ_２）_３−Ｆ、−（ＣＨ_２）_２−ＣＦ_３、−（ＣＦ_２）_３−Ｆ、−（ＣＨ_２）_４−Ｆ、−（ＣＨ_２）_３−ＣＦ_３、−（ＣＦ_２）_４−Ｆ、−（ＣＦ_２）_５−Ｆ、−（ＣＦ_２）_６−Ｆ、−（ＣＦ_２）_７−Ｆ、−ＯＣＨ_２Ｆ、−ＯＣＨＦ_２、−ＯＣＦ_３、−Ｏ−（ＣＨ_２）_２−Ｆ、−ＯＣＨ_２ＣＦ_３、−ＯＣＦ_２ＣＦ_３、−Ｏ−（ＣＨ_２）_３−Ｆ、−Ｏ−（ＣＨ_２）_２−ＣＦ_３、−Ｏ−（ＣＦ_２）_３−Ｆ、−Ｏ（ＣＨ_２）_４−Ｆ、−Ｏ−（ＣＨ_２）_３−ＣＦ_３、−Ｏ−（ＣＦ_２）_４−Ｆ、−Ｏ−（ＣＦ_２）_５−Ｆ、−Ｏ−（ＣＦ_２）_６−Ｆ、−ＣＨ＝ＣＨＦ、−ＣＨ＝ＣＦ_２、−ＣＦ＝ＣＨＦ、−ＣＦ＝ＣＦ_２、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ_２Ｆ、−ＣＨ＝ＣＨＣＦ_３、−ＣＦ＝ＣＨＣＦ_３、−ＣＦ＝ＣＦＣＦ_３、−（ＣＨ_２）_２−ＣＨ＝ＣＦ_２、−（ＣＨ_２）_２−ＣＦ＝ＣＦ_２、−（ＣＨ_２）_２−ＣＨ＝ＣＨＣＦ_３、−（ＣＨ_２）_２−ＣＦ＝ＣＨＣＦ_３、または−（ＣＨ_２）_２−ＣＦ＝ＣＦＣＦ_３である請求項１に記載の化合物。
請求項１に記載の式（１）において、Ｒ^１が、炭素数１〜１０のアルキル、炭素数２〜１０のアルケニル、炭素数１〜９のアルコキシ、または炭素数２〜９のアルケニルオキシであり；Ｘ^１が、フッ素、塩素、−Ｃ≡Ｎ、−ＣＦ_３、−ＣＨＦ_２、−ＯＣＦ_３、−ＯＣＨＦ_２、−ＣＨ＝ＣＨＣＦ_３、−ＣＦ＝ＣＨＣＦ_３、または−ＣＦ＝ＣＦＣＦ_３である請求項１に記載の化合物。
式（１−１）〜（１−７）のいずれか１つで表される、請求項１に記載の化合物。

式（１−１）〜（１−７）において、
Ｒ^１は、炭素数１〜１０のアルキル、炭素数２〜１０のアルケニル、または炭素数１〜９のアルコキシであり；
環Ａ^１、環Ａ^２、環Ａ^３、および環Ａ^４は独立して、１，４−シクロへキシレン、１，４−シクロヘキセニレン、１，４−フェニレン、２−フルオロ−１，４−フェニレン、２，６−ジフルオロ−１，４−フェニレン、テトラヒドロピラン−２，５−ジイル、または１，３−ジオキサン−２，５−ジイルであり；
Ｚ^１、Ｚ^２、Ｚ^３、およびＺ^４は独立して、単結合、−（ＣＨ_２）_２−、−ＣＯＯ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＣＨ_２Ｏ−、または−ＯＣＨ_２−であり；
Ｗ^１は、単結合、−（ＣＨ_２）_２−、または−ＯＣＨ_２−であり；
Ｘ^１は、フッ素、−ＣＦ_３、または−ＯＣＦ_３であり；
Ｌ^１およびＬ^２は独立して、水素またはフッ素であり；
Ｙ^１およびＹ^２は独立して、フッ素または塩素であり；
式（１−３）において、Ｚ^１およびＺ^２のうちいずれか一方は−ＣＦ_２Ｏ−であり；
式（１−４）において、Ｚ^１およびＺ^３のうちいずれか一方は−ＣＦ_２Ｏ−であり；
式（１−５）において、Ｚ^３およびＺ^４のうちいずれか一方は−ＣＦ_２Ｏ−であり；
式（１−６）において、Ｚ^１、Ｚ^２、およびＺ^３のうちいずれか１つは−ＣＦ_２Ｏ−であり；
式（１−７）において、Ｚ^１、Ｚ^３、およびＺ^４のうちいずれか１つは−ＣＦ_２Ｏ−である。
式（１−８）〜（１−１２）のいずれか１つで表される、請求項１に記載の化合物。

式（１−８）〜（１−１２）において、
Ｒ^１は炭素数１〜１０のアルキル、炭素数２〜１０のアルケニル、または炭素数１〜９のアルコキシであり；
環Ａ^１、環Ａ^２、環Ａ^３、および環Ａ^４は独立して、１，４−シクロへキシレン、１，４−シクロヘキセニレン、１，４−フェニレン、２−フルオロ−１，４−フェニレン、２，６−ジフルオロ−１，４−フェニレン、テトラヒドロピラン−２，５−ジイル、または１，３−ジオキサン−２，５−ジイルであり；
Ｘ^１は、フッ素、−ＣＦ_３、または−ＯＣＦ_３であり；
Ｌ^１およびＬ^２は独立して、水素またはフッ素である。
式（１−１３）〜（１−２２）のいずれか１つで表される、請求項１に記載の化合物。

式（１−１３）〜（１−２２）において、Ｒ^１は炭素数１〜１０のアルキル、炭素数２〜１０のアルケニル、または炭素数１〜９のアルコキシであり；Ｘ^１は、フッ素、−ＣＦ_３、または−ＯＣＦ_３であり；Ｌ^１、Ｌ^２、Ｌ^３、Ｌ^４、Ｌ^５、およびＬ^６は独立して、水素またはフッ素である。
式（１−２３）〜（１−２５）のいずれか１つで表される、請求項１に記載の化合物。

式（１−２３）〜（１−２５）において、Ｒ^１は炭素数１〜１０のアルキル、炭素数２〜１０のアルケニル、または炭素数１〜９のアルコキシであり；Ｘ^１は、フッ素、−ＣＦ_３、または−ＯＣＦ_３であり；Ｌ¹、Ｌ^２、およびＬ^３は独立して、水素またはフッ素である。
請求項１〜７のいずれか１項に記載の化合物を少なくとも１つ含有する液晶組成物。
式（２）〜（４）で表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物をさらに含有する、請求項８に記載の液晶組成物。

式（２）〜（４）において、
Ｒ^１１は、炭素数１〜１０のアルキルまたは炭素数２〜１０のアルケニルであり、このアルキルおよびアルケニルにおいて、少なくとも１つの水素はフッ素で置き換えられてもよく、少なくとも１つの−ＣＨ₂−は−Ｏ−で置き換えられてもよく；
Ｘ^１１は、フッ素、塩素、−ＯＣＦ₃、−ＯＣＨＦ₂、−ＣＦ₃、−ＣＨＦ₂、−ＣＨ₂Ｆ、−ＯＣＦ₂ＣＨＦ₂、または−ＯＣＦ₂ＣＨＦＣＦ₃であり；
環Ｂ^１、環Ｂ^２、および環Ｂ^３は独立して、１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、２−フルオロ−１，４−フェニレン、２，６−ジフルオロ−１，４−フェニレン、テトラヒドロピラン−２，５−ジイル、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル、またはピリミジン−２，５−ジイルであり；
Ｚ^１１、Ｚ^１２、およびＺ^１３は独立して、単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＯＯ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、または−（ＣＨ_２）_４−であり；
Ｌ^１１およびＬ^１２は独立して、水素またはフッ素である。
式（５）で表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物をさらに含有する、請求項８または請求項９に記載の液晶組成物。

式（５）において、
Ｒ^１２は、炭素数１〜１０のアルキルまたは炭素数２〜１０のアルケニルであり、このアルキルおよびアルケニルにおいて、少なくとも１つの水素はフッ素で置き換えられてもよく、少なくとも１つの−ＣＨ₂−は−Ｏ−で置き換えられてもよく；
Ｘ^１２は、−Ｃ≡Ｎまたは−Ｃ≡Ｃ−Ｃ≡Ｎであり；
環Ｃ^１は、１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、２−フルオロ−１，４−フェニレン、２，６−ジフルオロ−１，４−フェニレン、テトラヒドロピラン−２，５−ジイル、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル、またはピリミジン−２，５−ジイルであり；
Ｚ^１４は、単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＯＯ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、または−ＣＨ_２Ｏ−であり；
Ｌ^１３およびＬ^１４は独立して、水素またはフッ素であり；
ｉは、１、２、３、または４である。
式（６）〜（１２）で表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物をさらに含有する、請求項８〜１０のいずれか１項に記載の液晶組成物。

式（６）〜（１２）において、
Ｒ^１３およびＲ^１４は独立して、炭素数１〜１０のアルキルまたは炭素数２〜１０のアルケニルであり、このアルキルおよびアルケニルにおいて、少なくとも１つの−ＣＨ₂−は−Ｏ−で置き換えられてもよく；
Ｒ^１５は、水素、フッ素、炭素数１〜１０のアルキル、または炭素数２〜１０のアルケニルであり、このアルキルおよびアルケニルにおいて、少なくとも１つの−ＣＨ₂−は−Ｏ−で置き換えられてもよく、少なくとも１つの水素はフッ素で置き換えられてもよく；
Ｓ^１１は、水素またはメチルであり；
Ｘは、−ＣＦ_２−、−Ｏ−、または−ＣＨＦ−であり；
環Ｄ^１、環Ｄ^２、環Ｄ^３、および環Ｄ^４は独立して、１，４−シクロヘキシレン、１，４−シクロヘキセニレン、少なくとも１つの水素がフッ素で置き換えられてもよい１，４−フェニレン、テトラヒドロピラン−２，５−ジイル、またはデカヒドロナフタレン−２，６−ジイルであり；
環Ｄ^５および環Ｄ^６は独立して、１，４−シクロヘキシレン、１，４−シクロヘキセニレン、１，４−フェニレン、テトラヒドロピラン−２，５−ジイル、またはデカヒドロナフタレン−２，６−ジイルであり；
Ｚ^１５、Ｚ^１６、Ｚ^１７、およびＺ^１８は独立して、単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＯＯ−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、または−ＯＣＦ_２ＣＨ_２ＣＨ_２−であり；
Ｌ^１５およびＬ^１６は独立して、フッ素または塩素であり；
ｊ、ｋ、ｍ、ｎ、ｐ、ｑ、ｒ、およびｓは独立して、０または１であり、ｋ、ｍ、ｎ、およびｐの和は、１または２であり、ｑ、ｒ、およびｓの和は、０、１、２、または３であり、ｔは、１、２、または３である。
式（１３）〜（１５）で表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物をさらに含有する、請求項８〜１１のいずれか１項に記載の液晶組成物。

式（１３）〜（１５）において、
Ｒ^１６およびＲ^１７は独立して、炭素数１〜１０のアルキルまたは炭素数２〜１０のアルケニルであり、このアルキルおよびアルケニルにおいて、少なくとも１つの−ＣＨ₂−は−Ｏ−で置き換えられてもよく、少なくとも１つの水素はフッ素で置き換えられてもよく；
環Ｅ^１、環Ｅ^２、環Ｅ^３、および環Ｅ^４は独立して、１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、２−フルオロ−１，４−フェニレン、２，５−ジフルオロ−１，４−フェニレン、またはピリミジン−２，５−ジイルであり；
Ｚ^１９、Ｚ^２０、およびＺ^２１は独立して、単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、または−ＣＯＯ−である。
重合可能な化合物、光学活性化合物、酸化防止剤、紫外線吸収剤、光安定剤、熱安定剤、および消泡剤の少なくとも１つをさらに含有する、請求項８〜１２に記載の液晶組成物。
請求項８〜１３のいずれか１項に記載の液晶組成物を含有する液晶表示素子。