JPWO2002001667A1 - 色素増感光電変換素子 - Google Patents
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Abstract
本発明は安価で変換効率の良い光電気変換素子および太陽電池の開発を目的とするもので、下記式で示される特定のアゾ色素を担持せしめた有機色素増感半導体微粒子薄膜の光電変換素子及びそれを用いた太陽電池に関するものである。(式中Ar1はカルボン酸基、水酸基、リン酸基、リン酸エステル基及びメルカプト基からなる群から選ばれる置換基を、直接もしくは架橋基を介して、少なくとも1つ有する芳香族基、Ar2は少なくとも1つの電子供与基を置換基として有する芳香族基を示す。)
Description
技術分野
本発明は色素で増感された半導体微粒子、光電変換素子および太陽電池に関し、詳しくはアゾ色素により増感された半導体微粒子、光電変換素子及びそれを利用した太陽電池に関する。
背景技術
石油、石炭等の化石燃料に代わるエネルギー資源として太陽光を利用する太陽電池が注目されている。現在、結晶またはアモルファスのシリコンを用いたシリコン太陽電池、あるいはガリウム、ヒ素等を用いた化合物半導体太陽電池等について盛んに高効率化など、開発検討がなされている。しかしそれらは製造に要するエネルギー及びコストが高いため、汎用的に使用するのが困難であるという問題点がある。また色素で増感した半導体微粒子を用いた光電変換素子、あるいはこれを用いた太陽電池も知られ、これを作成する材料、製造技術が開示されている。(B.O’Regan and M.Gratzel Nature,353,737(1991),M.K.Nazeeruddin,A.Kay,I.Rodicio,R.Humphry−Baker,E.Muller,P.Liska,N.Vlachopoulos,M.Gratzel,J.Am.Chem.Soc.,115,6382(1993)e.t.c.)この光電変換素子は酸化チタン等の比較的安価な酸化物半導体を用いて製造され、従来のシリコン等を用いた太陽電池に比べコストの安い光電変換素子が得られる可能性があり注目を集めている。しかし変換効率の高い素子を得るために増感色素としてルテニウム系の錯体が使用されており、色素自体のコストが高く、またその供給にも問題が残っている。また増感色素として有機色素を用いる試みも既に行われているが、変換効率が低いなどまだ実用化には至らない現状にある。
有機色素増感半導体を用いた光電変換素子において、安価な有機色素を用い、変換効率の高い実用性の高い光電変換素子の開発が求められている。
発明の開示
本発明者等は上記の課題を解決するために鋭意努力した結果、特定のアゾ系の色素を用いて半導体微粒子を増感し、光電変換素子を作成する事により変換効率の高い光電変換素子が得られることを見出し、本発明を完成させるに至った。すなわち本発明は
(1)下記式(1)のアゾ色素によって増感された酸化物半導体微粒子を用いることを特徴とする光電変換素子、
(式中Ar1はカルボン酸基、水酸基、リン酸基、リン酸エステル基及びメルカプト基からなる群から選ばれる置換基を、直接もしくは架橋基を介して、少なくとも1つ有する芳香族基、Ar2は少なくとも1つの電子供与基を置換基として有する芳香族基を示す。なお、Ar1及びAr2は上記で定義した以外の置換基を有していても良い。)
(2)上記(1)に記載のアゾ色素のAr1がカルボン酸基、水酸基、リン酸基、リン酸エステル基及びメルカプト基からなる群から選ばれる置換基を少なくとも2つ以上を有している上記(1)の光電変換素子、
(3)上記(1)に記載のアゾ色素のAr1上の置換基のうち少なくとも2つはカルボン酸基及び水酸基からなる群から選ばれる基であることを特徴とする上記(2)の光電変換素子、
(4)上記(1)に記載のアゾ色素のAr1上の置換基のうち少なくとも2つが同一芳香環の隣り合う位置に置換している上記(2)または上記(3)のいずれか一項に記載の光電変換素子、
(5)上記(1)に記載のアゾ色素のAr2における電子供与基が置換されていても良いアミノ基、水酸基及びアルコシキル基からなる群から選ばれる1個又は2個以上の置換基である上記(1)乃至(4)のいずれか一項に記載の光電変換素子、
(6)少なくとも上記(1)乃至(5)のいずれか一項に記載のアゾ色素と他の金属錯体及び又は他の有機色素によって増感された酸化物半導体微粒子を用いる事を特徴とする上記(1)乃至(5)のいずれか一項に記載の光電変換素子光電変換素子、
(7)酸化物半導体微粒子が二酸化チタンを必須成分として含有する上記(1)乃至上記(6)のいずれか一項に記載の光電変換素子、
(8)酸化物半導体微粒子に、包摂化合物の存在下、色素を担持させた上記(1)乃至(6)のいずれか一項に記載の光電変換素子、
(9)上記(1)乃至(8)のいずれか一項に記載の光電変換素子を用いることを特徴とする太陽電池、
(10)酸化物半導体微粒子から形成された半導体薄膜に下記式(1)
(式中Ar1はカルボン酸基、水酸基、リン酸基、リン酸エステル基及びメルカプト基からなる群から選ばれる置換基を、直接もしくは架橋基を介して、少なくとも1つ有する芳香族基、Ar2は少なくとも1つの電子供与基を置換基として有する芳香族基を示す。)
で表されるアゾ色素を担持させた半導体薄膜を使用することを特徴とする光電変換素子、
に関するものである。
発明の実施のための最良の形態
以下に本発明を詳細に説明する。本発明の光電変換素子はアゾ色素によって増感された酸化物半導体を用いる。本発明に用いられるアゾ色素は下記一般式(1)で表されることを特徴とする。
一般式(1)
(式中Ar1はカルボン酸基、水酸基、リン酸基、リン酸エステル基及びメルカプト基からなる群から選ばれる置換基を、直接もしくは架橋基を介して、少なくとも1つ有する芳香族基、Ar2は少なくとも1つの電子供与基を置換基として有する芳香族基を示す。)
一般式(1)においてAr1はカルボン酸基、水酸基、リン酸基、リン酸エステル基及びメルカプト基からなる群から選ばれる置換基を、直接もしくは架橋基を介して、少なくとも1つ有し、その他置換基を有しても良い芳香族基を表し、Ar2は少なくとも1つの電子供与基を置換基として有する芳香族基を示す。なお、Ar1及びAr2は上記で定義した以外の置換基を更に有していても良い。
また、本発明において芳香族基といった時、置換又は非置換の芳香環から水素原子一つを取り除いた基を意味し、芳香環としてはベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナンスレン環、ピレン環、インデン環、アズレン環、フルオレン環等の単環式又は縮合多環式の芳香環があげられる。好ましい芳香族基としてはフェニル基またはナフチル基が挙げられる。
Ar1における必須の置換基はカルボン酸基、水酸基、リン酸基、リン酸エステル基及びメルカプト基からなる群から選択されるものであるが、好ましいものとしてはカルボン酸基及び水酸基が挙げられる。またこれら置換基は芳香族基との間に架橋基例えばメチン基、メチレン基等が存在していてもよい。それら置換基の個数は1個以上を必須とするが、2個以上有しているのが好ましい。上記置換基を複数個有する場合としては、1種類の置換基を2個以上有する場合、有する2以上の置換基がそれぞれ異なる場合、同じ置換基を2以上と他の置換基を合わせて有する場合等何れでもよいが、好ましい組み合わせとしてはカルボン酸基と水酸基との組み合わせ等が挙げられる。また、リン酸基と水酸基との組み合わせでもよい。また、同じ置換基を複数持つ場合としてはカルボン酸基を2〜4個有する場合、水酸基を2〜4個有する場合などが挙げられる。最も好ましいものはカルボン酸基と水酸基をそれぞれ1個以上有するものである。またこれらの置換基はアルカリ金属や4級アンモニウムと塩を形成していても良く、分子内塩を形成していても良い。
Ar2は置換基として少なくとも1個以上の電子供与基を有する。電子供与基の具体例としては、置換されていても良いアミノ基、水酸基および置換されていてもよいアルコキシル基等が挙げられる。アミノ基上の置換基としてはアルキル基等の脂肪族基、フェニル基、トリル基、ナフチル基などの置換若しくは非置換の芳香族基、水酸基、アルコキシル基、アシル基などである。
Ar2の置換基として好ましいものはアミノ基、モノアルキルアミノ基、ジアルキルアミノ基、アセチルアミドのようなアシルアミド基、芳香族アミド基、モノ芳香族アミノ基、ジ芳香族アミノ基、水酸基、アルコキシル基およびアルコキシアルコキシル基が挙げられる。
なお、本発明において脂肪族基又は脂肪族炭化水素基といった場合、置換又は非置換の脂肪族炭化水素から水素原子を取り除いた基であり、飽和及び不飽和の直鎖、分岐及び環状何れであってもよい。その炭素数は本発明の効果を有する限り、特に限定されないが通常1から36程度である。それらの中で、好ましものとしては置換基を有してもよい、炭素数1から20の直鎖アルキル基が挙げられる。その中で、更に一般的なものとしては炭素数1乃至4の低級アルキル基が挙げられる。
Ar2の置換基である電子供与基の個数については1〜4個が好ましく、1〜2個がさらに好ましい。
また、置換されていても良いアミノ基又は置換されていてもよいアルコキシル基等における置換基のアルキル基、芳香族基、アルコキシル基等は更に置換されていてもよい。そのような置換基としてはヨウ素、臭素、塩素などのハロゲン原子、カルボキシル基、エステル基、カルバモイル基、アルデヒド基、アシル基、アシルアミノ基、アミド基、アルキルアミド基、芳香族アミド基などのカルボニル基、フェニル基、フェノキシ基、アルコキシル基、アルコキシアルコシキル基、ビニル基、水酸基、スルホン酸基、スルホン酸エステル基、スルホンアミド基、トシル基、シアノ基、イソシアノ基、チオシアナト基、イソチオシアナト基、ニトロ基などが挙げられる。
Ar1およびAr2の芳香族基はそれぞれ前記した以外の置換基を有しても良い。前記以外の置換基の具体例としては特に制限は無いが、一般的に挙げられるものとしてアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、シアノ基、イソシアノ基、チオシアナト基、イソチオシアナト基、ニトロ基、ニトロシル基、アシル基、スルホン酸基、ハロゲン原子などが挙げられる。さらにはAr1に必須の置換基の例であるカルボン酸基、水酸基、リン酸基、リン酸エステル基、メルカプト基又はAr2に必須の置換基の例であるアミノ基、モノアルキルアミノ基、ジアルキルアミノ基、アルキルアミド基、芳香族アミド基、モノ芳香族アミノ基、ジ芳香族アミノ基、水酸基、アルコキシル基、アルコキシアルキル基、アルコキシアルキル基等もそれぞれ他方の芳香族基において、その他の置換基として存在していてもよい。その他の置換基の個数については特に制限は無いが、それぞれの芳香族基に対して0〜4個程度が好ましい。
なお、本発明においてアルキル基、アルコキシ基、アシル基等におけるアルキル鎖としては置換基を有しても良い直鎖、分岐及び環状のものいずれでもよく、炭素数は例えば1から36程度である。好ましいアルキル鎖としては炭素数1から20、より好ましくは炭素数1〜4の、置換基を有しても良い飽和の直鎖アルキルである。
一般式(1)の化合物は通常のアゾ化合物の合成方法によって得られる。即ち式(2)で示される芳香族アミン類をジアゾ化し、次いで式(3)で示される芳香族カップラーとカップリングすることにより得られる。例えばm−アミノサリチル酸を塩酸水溶液中、亜硝酸ソーダを作用させてジアゾ化し、N,N−ジエチルアニリンと酢酸水溶液中カップリングさせることにより下記式(4)のアゾ化合物が得られる。
以下に化合物例を列挙する。Ar1,Ar2が両方ベンゼン環である化合物の置換基の例は以下の構造式(5)として表1にあらわす。表中Tolylはトリル基を示し、phはフェニル基を示す。
Ar1がベンゼン環、Ar2がナフタレン環である化合物の置換基の例は以下の構造式(6)、(7)として表2及び表3に示す。またこのなかで化合物45はY15及びY16が結合して環状にナフタルイミドを形成しているものである。
その他、Ar1、Ar2がナフタレン環である化合物として以下の構造式(8)、(9)を例示する。またこれらの他にも縮合多環式芳香族基を有するアゾ系色素も挙げられる。
本発明の色素増感光電変換素子は例えば酸化物半導体微粒子を用いて基板上に酸化物半導体の薄膜を製造し、次いでこの薄膜に色素を担持させ、増感させたものである。酸化物半導体の微粒子としては金属酸化物が好ましく、その具体例としてはチタン、スズ、亜鉛、タングステン、ジルコニウム、ガリウム、インジウム、イットリウム、ニオブ、タンタル、バナジウムなどの酸化物が挙げられる。これらのうちチタン、スズ、亜鉛、ニオブ、タングステン等の酸化物が好ましく、これらのうち酸化チタンが最も好ましい。これらの酸化物半導体は単一で使用することも出来るが、混合して使用することも出来る。また酸化物半導体の微粒子の粒径は平均粒径として、通常1〜500nmで、好ましくは5〜100nmである。またこの酸化物半導体の微粒子は大きな粒径のものと小さな粒径のものを混合して使用することも可能である。
酸化物半導体薄膜の形成は酸化物半導体微粒子をスプレイ噴霧などで直接基板上に薄膜として形成する方法、基板を電極として電気的に半導体微粒子薄膜を析出させる方法、後記の半導体微粒子のスラリーを基板上に塗布した後、乾燥、硬化もしくは焼成することによって行うことが出来る。酸化物半導体電極の性能上、スラリーを用いる方法等が好ましい。この方法の場合、スラリーは2次凝集している酸化物半導体微粒子を定法により分散媒中に平均1次粒子径が1〜200nmになるように分散させることにより得られる。
スラリーを分散させる分散媒としては半導体微粒子を分散させ得るものであれば何でも良く、水あるいはエタノール等のアルコール、アセトン、アセチルアセトン等のケトンもしくはヘキサン等の炭化水素等の有機溶媒が用いられ、これらは混合して用いても良く、また水を用いることはスラリーの粘度変化を少なくするという点で好ましい。
スラリーを塗布した基板の焼成温度はおおむね基材の融点(軟化点)以下であり、通常上限は900℃であり、好ましくは600℃以下である。また焼成時間には特に限定はないがおおむね4時間以内が好ましい。基板上の薄膜の厚みは通常1〜200μmで好ましくは5〜50μmである。
酸化物半導体薄膜に2次処理を施してもよい。すなわち例えば半導体と同一の金属のアルコキサイド、塩化物、硝化物、硫化物等の溶液に直接、基板ごと薄膜を浸積させて乾燥もしくは再焼成することにより半導体薄膜の性能を向上させることもできる。金属アルコキサイドとしてはチタンエトキサイド、チタンイソプロポキサイド、チタンt−ブトキサイド、n−ジブチル−ジアセチルスズ等が挙げられ、そのアルコール溶液が用いられる。塩化物としては例えば四塩化チタン、四塩化スズ、塩化亜鉛等が挙げられ、その水溶液が用いられる。
次に酸化物半導体薄膜に色素を担持させる方法について説明する。前記の色素を担持させる方法としては、色素を溶解する溶媒に色素を溶解して得た溶液、又は溶解性の低い色素にあっては色素を分散せしめて得た分散液に上記酸化物半導体薄膜の設けられた基板を浸漬する方法が挙げられる。溶液又は分散液中の濃度は色素によって適宜決める。その溶液中に基板上に作成した半導体薄膜を浸す。浸漬温度はおおむね常温から溶媒の沸点までであり、また浸漬時間は1時間から48時間程度である。色素を溶解するために使用する溶媒の具体例として、例えば、メタノール、エタノール、アセトニトリル、ジメチルスルホキサイド、ジメチルホルムアミド等が挙げられる。溶液の色素濃度は通常1×10−6M〜1Mが良く、好ましくは1×10−4M〜1×10−1Mである。この様にしてアゾ色素で増感した酸化物半導体微粒子薄膜の光電変換素子が得られる。担持する色素は1種類でも良いし、数種類混合しても良い。混合する場合は本発明のアゾ色素同士でも良いし、他の有機色素や金属錯体色素を混合しても良い。特に吸収波長の異なる色素同士を混合することにより、幅広い吸収波長を用いることが出来、変換効率の高い太陽電池が得られる。
併用する金属錯体の例としては特に制限は無いがJ.Am.Chem.Soc.,115,6382(1993)や特開2000−26487に示されているルテニウム錯体やフタロシアニン、ポルフィリンなどの金属錯体が好ましい。
併用する他の有機色素としては無金属のフタロシアニン、ポルフィリンやシアニン、メロシアニン、オキソノール、トリフェニルメタン系などのメチン系色素や、キサンテン系、本発明で使用する一般式(1)以外のアゾ系、アンスラキノン系等の色素が挙げられる。好ましくはルテニウム錯体やシアニン、メロシアニン等のメチン系色素が挙げられる。
酸化物半導体微粒子の薄膜にアゾ色素を担持する際、色素同士の会合を防ぐために包摂化合物の共存下、色素を担持することが効果的である。ここで包摂化合物としてはコール酸等のステロイド系化合物、クラウンエーテル、シクロデキストリン、カリックスアレン、ポリエチレンオキサイドなどが挙げられるが、好ましいものはコール酸、ポリエチレンオキサイド等である。また色素を担持させた後、4−t−ブチルピリジン等のアミン化合物で半導体電極表面を処理しても良い。処理の方法は例えばアミンのエタノール溶液に色素を担持した半導体微粒子薄膜の設けられた基板を浸す方法等が採られる。
本発明の太陽電池は上記酸化物半導体薄膜に色素を担持させた光電変換素子電極と対極とレドックス電解質または正孔輸送材料から構成される。レドックス電解質は酸化還元対を溶媒中に溶解させた溶液や、ポリマーマトリックスに含浸させたゲル電解質、また溶融塩のような固体電解質であっても良い。正孔輸送材料としてはアミン誘導体やポリアセチレン、ポリアニリン、ポリチオフェンなどの導電性高分子、ポリフェニレンなどのディスコティック液晶相を用いる物などが挙げられる。用いる対極としては導電性を持っており、レドックス電解質の還元反応を触媒的に作用するものが好ましい。例えばガラス、もしくは高分子フィルムに白金、カーボン、ロジウム、ルテニウム等を蒸着したり、導電性微粒子を塗り付けたものが用いられる。
本発明の太陽電池に用いるレドックス電解質としてはハロゲンイオンを対イオンとするハロゲン化合物及びハロゲン分子からなるハロゲン酸化還元系電解質、フェロシアン酸塩−フェリシアン酸塩やフェロセン−フェリシニウムイオンなどの金属錯体等の金属酸化還元系電解質、アルキルチオール−アルキルジスルフィド、ビオロゲン色素、ヒドロキノン−キノン等の芳香族酸化還元系電解質などをあげることができる。これらの中でハロゲン酸化還元系電解質が好ましい。ハロゲン化合物−ハロゲン分子からなるハロゲン酸化還元系電解質におけるハロゲン分子としては、例えばヨウ素分子や臭素分子等があげられ、ヨウ素分子が好ましい。また、ハロゲンイオンを対イオンとするハロゲン化合物としては、例えばLiI、NaI、KI、CsI等のヨウ化アルカリ金属化合物、CaI2等のヨウ化アルカリ土類金属化合物等のハロゲン化金属塩あるいはテトラアルキルアンモニウムヨーダイド等のアルキルアンモニウムヨーダイド、イミダゾリウムヨーダイド、ピリジニウムヨーダイドなどの窒素含有5〜6員環化合物の4級アンモニウムなどハロゲンの有機4級アンモニウム塩等があげられる。これらの中でヨウ素イオンを対イオンとする塩類化合物が好ましい。ヨウ素イオンを対イオンとする塩類化合物として好ましいものは、例えばヨウ化リチウム及びヨウ化ナトリウム等のヨウ化アルカリ金属塩、ヨウ化トリメチルアンモニウム塩等のヨウ化トリ(C1〜C4)アルキルアンモニウム塩等があげられる。
また、レドックス電解質はそれを含む溶液の形で構成されている場合、その溶媒には電気化学的に不活性なものが用いられる。例えばアセトニトリル、プロピレンカーボネート、エチレンカーボネート、3−メトキシプロピオニトリル、メトキシアセトニトリル、エチレングリコール、プロピレングリコール、
トキシエタン、ジエチルカーボネート、ジエチルエーテル、ジエチルカーボネート、ジメチルカーボネート、1、2−ジメトキシエタン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキサイド、1、3−ジオキソラン、メチルフォルメート、2−メチルテトラヒドロフラン、3−メトキシ−オキサジリジン−2−オン、スルホラン、テトラヒドロフラン、水等が挙げられ、これらの中でも、特に、アセトニトリル、プロピレンカーボネート、エチレンカーボネート、3−メトキシプロピオニトリル、メトキシアセトニトリル、エチレングリコール、3−メトキシオキサジリジン−2−オン等が好ましい。これらは単独もしくは2種以上組み合わせて用いても良い。ゲル電解質の場合はマトリックスとして、ポリアクリレートやポリメタクリレート樹脂などを使用したものが挙げられる。レドックス電解質の濃度は通常0.01〜99重量%で好ましくは0.1〜90重量%程度である。基板上の酸化物半導体薄膜に色素を担持した光電変換素子の電極に、それを挟むように対極を配置する。その間にレドックス電解質を含んだ溶液を充填することにより本発明の太陽電池が得られる。
実 施 例
以下に実施例に基づき、本発明を更に具体的に説明するが、本発明がこれらの実施例に限定されるものではない。実施例中、部は特に指定しない限り質量部を、また%は質量%をそれぞれ表す。
合成例1
p−アミノ安息香酸1部を45%硫酸25部に分散し、10℃以下に保ちながら43%ニトロシル硫酸2部を添加し3時間攪拌しジアゾ化する。3−アセチルアミノ−6−メトキシ−N,N−ジエチルアニリン1.4部を8部の希硫酸中に溶解した溶液に5℃以下にて上記で得たジアゾ液を添加し、カップリングを行なう。得られた固体を濾過、洗浄、乾燥し、さらに酢酸エチル、ヘキサンの混合溶媒でカラムクロマト分離して化合物(19)を少量得た。
合成例2
5−アミノサリチル酸3部を水25部中分散しておき、亜硝酸ナトリウム1.5部添加した。これを水10部、濃塩酸3部の溶液中に10℃以下で滴下し、3時間攪拌してジアゾ化を行なった。ジアゾ化が終了したら、ここに酢酸4部に溶解したN,N−ジエチルアニリン3部を10℃以下で滴下しソーダ灰にてpHを2から5にたもちながらカップリングを行った。3時間攪拌後得られた固体を濾過、洗浄、乾燥し、さらに酢酸エチル、ヘキサンの混合溶媒でカラムクロマト分離して化合物(4)を少量得た。
実施例1
化合物(4)のアゾ色素を3×10−4〜5×10−4MになるようにEtOHに溶解した。この溶液中に多孔質基板{チタニウムジオキサイドP−25(商品名日本アエロジル社製)を硝酸水溶液中分散処理し、これをガラス電極上に厚さ50μmになるように塗布し、450℃30分間焼成した基板}を室温で3時間から一晩浸漬し該アゾ色素を担持せしめ、EtOHで洗浄し、乾燥させ、色素増感した半導体薄膜の光電変換素子を得た。
対極としてこれを挟むように表面を白金でスパッタされた導電性ガラスを固定してその空隙に電解質を含む溶液(電解液)B(エチレンカーボネートとアセトニトリルの6対4の溶液にヨウ素/テトラ−n−プロピルアンモニウムアイオーダイドを0.02M/0.5Mになるように溶解したもの)を注入し、太陽電池とした。このように作成した実行部分0.25cm2の太陽電池を電池性能の測定用に使用した。
電池性能の測定:光源は500Wキセノンランプを用いて、AM1.5フィルターを通して100mW/cm2とした。短絡電流、解放電圧、変換効率、形状因子はポテンシオ・ガルバノスタットを用いて測定した。その結果を表4に示した。
実施例2
実施例1における多孔質基板(透明導電性ガラス電極上に多孔質酸化チタンを焼結した半導体薄膜電極)の酸化チタン薄膜部分に0.2M四塩化チタン水溶液を滴下し、室温にて24時間静置後、水洗して、再度450度にて30分焼成して得た、四塩化チタン処理半導体薄膜電極を用いた以外は実施例1と同様にして、半導体薄膜の光電変換素子を得た。太陽電池の作成及び電池性能の測定は実施例1と同様にした。
実施例3〜18
実施例3〜5,7,9,10、12、14、15及び17については、染料を表4及び電解液を以下に示すものを用い、その担持用の溶媒として実施例12でDMSOを使用した以外は、光電変換素子及び太陽電池の作成、及び電池性能の測定を実施例1と同様に行った。
なお、各電解液組成は下記の通りである。
電解液A:3−メトキシプロピオニトリルにヨウ素/ヨウ化リチウム/1、2−ジメチル−3−n−プロピルイミダゾリウムアイオダイド/t−ブチルピリジンをそれぞれ0.1M/0.1M/0.6M/1Mになるように溶解したもの。
電解液B:エチレンカーボネートとアセトニトリルの6対4の溶液にヨウ素/テトラ−n−プロピルアンモニウムアイオーダイドを0.02M/0.5Mになるように溶解したもの。
電解液C:プロピレンカーボネートにヨウ素/ヨウ化リチウムを0.05M/0.55Mとなるように溶解して調製したもの。
実施例6は染料を表4に示すものを使用し、その溶媒としてEtOHを使用する以外は実施例2と同様に行った。
実施例8、11は染料を表4に示すものを使用し、その溶媒としてEtOHを使用し、色素の担持時に包摂化合物としてコール酸を3×10−2Mとなるように加えて色素溶液を調製し、半導体薄膜に担持して、コール酸処理色素増感半導体薄膜を得た。それ以外は、実施例1と同様に行った。
実施例13については、染料を表4に示すものを使用し、その溶媒としてDMSOを使用し、実施例2と同様にして得た四塩化チタン処理半導体薄膜電極を用い、更に実施例8及び11と同様に、コール酸処理色素増感半導体薄膜とした。それ以外は実施例1と同様におこなった。
実施例16,18については表に示す2種類の色素をそれぞれ1.5×10−4MになるようにEtOH溶液を調整し、2種類の色素を担持することで実施例1と同様にして光電変換素子を得た。それ以外は、実施例1と同様に行った。
なお、実施例18で使用するNO47の染料の構造を下記に示す。
また、電池性能の測定結果は表4に示した。
産業上の利用の可能性
本発明の色素増感光電変換素子において、安価な特定のアゾ色素を用いることにより、変換効率の高い実用的な太陽電池を提供することが出来た。
本発明は色素で増感された半導体微粒子、光電変換素子および太陽電池に関し、詳しくはアゾ色素により増感された半導体微粒子、光電変換素子及びそれを利用した太陽電池に関する。
背景技術
石油、石炭等の化石燃料に代わるエネルギー資源として太陽光を利用する太陽電池が注目されている。現在、結晶またはアモルファスのシリコンを用いたシリコン太陽電池、あるいはガリウム、ヒ素等を用いた化合物半導体太陽電池等について盛んに高効率化など、開発検討がなされている。しかしそれらは製造に要するエネルギー及びコストが高いため、汎用的に使用するのが困難であるという問題点がある。また色素で増感した半導体微粒子を用いた光電変換素子、あるいはこれを用いた太陽電池も知られ、これを作成する材料、製造技術が開示されている。(B.O’Regan and M.Gratzel Nature,353,737(1991),M.K.Nazeeruddin,A.Kay,I.Rodicio,R.Humphry−Baker,E.Muller,P.Liska,N.Vlachopoulos,M.Gratzel,J.Am.Chem.Soc.,115,6382(1993)e.t.c.)この光電変換素子は酸化チタン等の比較的安価な酸化物半導体を用いて製造され、従来のシリコン等を用いた太陽電池に比べコストの安い光電変換素子が得られる可能性があり注目を集めている。しかし変換効率の高い素子を得るために増感色素としてルテニウム系の錯体が使用されており、色素自体のコストが高く、またその供給にも問題が残っている。また増感色素として有機色素を用いる試みも既に行われているが、変換効率が低いなどまだ実用化には至らない現状にある。
有機色素増感半導体を用いた光電変換素子において、安価な有機色素を用い、変換効率の高い実用性の高い光電変換素子の開発が求められている。
発明の開示
本発明者等は上記の課題を解決するために鋭意努力した結果、特定のアゾ系の色素を用いて半導体微粒子を増感し、光電変換素子を作成する事により変換効率の高い光電変換素子が得られることを見出し、本発明を完成させるに至った。すなわち本発明は
(1)下記式(1)のアゾ色素によって増感された酸化物半導体微粒子を用いることを特徴とする光電変換素子、
(式中Ar1はカルボン酸基、水酸基、リン酸基、リン酸エステル基及びメルカプト基からなる群から選ばれる置換基を、直接もしくは架橋基を介して、少なくとも1つ有する芳香族基、Ar2は少なくとも1つの電子供与基を置換基として有する芳香族基を示す。なお、Ar1及びAr2は上記で定義した以外の置換基を有していても良い。)
(2)上記(1)に記載のアゾ色素のAr1がカルボン酸基、水酸基、リン酸基、リン酸エステル基及びメルカプト基からなる群から選ばれる置換基を少なくとも2つ以上を有している上記(1)の光電変換素子、
(3)上記(1)に記載のアゾ色素のAr1上の置換基のうち少なくとも2つはカルボン酸基及び水酸基からなる群から選ばれる基であることを特徴とする上記(2)の光電変換素子、
(4)上記(1)に記載のアゾ色素のAr1上の置換基のうち少なくとも2つが同一芳香環の隣り合う位置に置換している上記(2)または上記(3)のいずれか一項に記載の光電変換素子、
(5)上記(1)に記載のアゾ色素のAr2における電子供与基が置換されていても良いアミノ基、水酸基及びアルコシキル基からなる群から選ばれる1個又は2個以上の置換基である上記(1)乃至(4)のいずれか一項に記載の光電変換素子、
(6)少なくとも上記(1)乃至(5)のいずれか一項に記載のアゾ色素と他の金属錯体及び又は他の有機色素によって増感された酸化物半導体微粒子を用いる事を特徴とする上記(1)乃至(5)のいずれか一項に記載の光電変換素子光電変換素子、
(7)酸化物半導体微粒子が二酸化チタンを必須成分として含有する上記(1)乃至上記(6)のいずれか一項に記載の光電変換素子、
(8)酸化物半導体微粒子に、包摂化合物の存在下、色素を担持させた上記(1)乃至(6)のいずれか一項に記載の光電変換素子、
(9)上記(1)乃至(8)のいずれか一項に記載の光電変換素子を用いることを特徴とする太陽電池、
(10)酸化物半導体微粒子から形成された半導体薄膜に下記式(1)
(式中Ar1はカルボン酸基、水酸基、リン酸基、リン酸エステル基及びメルカプト基からなる群から選ばれる置換基を、直接もしくは架橋基を介して、少なくとも1つ有する芳香族基、Ar2は少なくとも1つの電子供与基を置換基として有する芳香族基を示す。)
で表されるアゾ色素を担持させた半導体薄膜を使用することを特徴とする光電変換素子、
に関するものである。
発明の実施のための最良の形態
以下に本発明を詳細に説明する。本発明の光電変換素子はアゾ色素によって増感された酸化物半導体を用いる。本発明に用いられるアゾ色素は下記一般式(1)で表されることを特徴とする。
一般式(1)
(式中Ar1はカルボン酸基、水酸基、リン酸基、リン酸エステル基及びメルカプト基からなる群から選ばれる置換基を、直接もしくは架橋基を介して、少なくとも1つ有する芳香族基、Ar2は少なくとも1つの電子供与基を置換基として有する芳香族基を示す。)
一般式(1)においてAr1はカルボン酸基、水酸基、リン酸基、リン酸エステル基及びメルカプト基からなる群から選ばれる置換基を、直接もしくは架橋基を介して、少なくとも1つ有し、その他置換基を有しても良い芳香族基を表し、Ar2は少なくとも1つの電子供与基を置換基として有する芳香族基を示す。なお、Ar1及びAr2は上記で定義した以外の置換基を更に有していても良い。
また、本発明において芳香族基といった時、置換又は非置換の芳香環から水素原子一つを取り除いた基を意味し、芳香環としてはベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナンスレン環、ピレン環、インデン環、アズレン環、フルオレン環等の単環式又は縮合多環式の芳香環があげられる。好ましい芳香族基としてはフェニル基またはナフチル基が挙げられる。
Ar1における必須の置換基はカルボン酸基、水酸基、リン酸基、リン酸エステル基及びメルカプト基からなる群から選択されるものであるが、好ましいものとしてはカルボン酸基及び水酸基が挙げられる。またこれら置換基は芳香族基との間に架橋基例えばメチン基、メチレン基等が存在していてもよい。それら置換基の個数は1個以上を必須とするが、2個以上有しているのが好ましい。上記置換基を複数個有する場合としては、1種類の置換基を2個以上有する場合、有する2以上の置換基がそれぞれ異なる場合、同じ置換基を2以上と他の置換基を合わせて有する場合等何れでもよいが、好ましい組み合わせとしてはカルボン酸基と水酸基との組み合わせ等が挙げられる。また、リン酸基と水酸基との組み合わせでもよい。また、同じ置換基を複数持つ場合としてはカルボン酸基を2〜4個有する場合、水酸基を2〜4個有する場合などが挙げられる。最も好ましいものはカルボン酸基と水酸基をそれぞれ1個以上有するものである。またこれらの置換基はアルカリ金属や4級アンモニウムと塩を形成していても良く、分子内塩を形成していても良い。
Ar2は置換基として少なくとも1個以上の電子供与基を有する。電子供与基の具体例としては、置換されていても良いアミノ基、水酸基および置換されていてもよいアルコキシル基等が挙げられる。アミノ基上の置換基としてはアルキル基等の脂肪族基、フェニル基、トリル基、ナフチル基などの置換若しくは非置換の芳香族基、水酸基、アルコキシル基、アシル基などである。
Ar2の置換基として好ましいものはアミノ基、モノアルキルアミノ基、ジアルキルアミノ基、アセチルアミドのようなアシルアミド基、芳香族アミド基、モノ芳香族アミノ基、ジ芳香族アミノ基、水酸基、アルコキシル基およびアルコキシアルコキシル基が挙げられる。
なお、本発明において脂肪族基又は脂肪族炭化水素基といった場合、置換又は非置換の脂肪族炭化水素から水素原子を取り除いた基であり、飽和及び不飽和の直鎖、分岐及び環状何れであってもよい。その炭素数は本発明の効果を有する限り、特に限定されないが通常1から36程度である。それらの中で、好ましものとしては置換基を有してもよい、炭素数1から20の直鎖アルキル基が挙げられる。その中で、更に一般的なものとしては炭素数1乃至4の低級アルキル基が挙げられる。
Ar2の置換基である電子供与基の個数については1〜4個が好ましく、1〜2個がさらに好ましい。
また、置換されていても良いアミノ基又は置換されていてもよいアルコキシル基等における置換基のアルキル基、芳香族基、アルコキシル基等は更に置換されていてもよい。そのような置換基としてはヨウ素、臭素、塩素などのハロゲン原子、カルボキシル基、エステル基、カルバモイル基、アルデヒド基、アシル基、アシルアミノ基、アミド基、アルキルアミド基、芳香族アミド基などのカルボニル基、フェニル基、フェノキシ基、アルコキシル基、アルコキシアルコシキル基、ビニル基、水酸基、スルホン酸基、スルホン酸エステル基、スルホンアミド基、トシル基、シアノ基、イソシアノ基、チオシアナト基、イソチオシアナト基、ニトロ基などが挙げられる。
Ar1およびAr2の芳香族基はそれぞれ前記した以外の置換基を有しても良い。前記以外の置換基の具体例としては特に制限は無いが、一般的に挙げられるものとしてアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、シアノ基、イソシアノ基、チオシアナト基、イソチオシアナト基、ニトロ基、ニトロシル基、アシル基、スルホン酸基、ハロゲン原子などが挙げられる。さらにはAr1に必須の置換基の例であるカルボン酸基、水酸基、リン酸基、リン酸エステル基、メルカプト基又はAr2に必須の置換基の例であるアミノ基、モノアルキルアミノ基、ジアルキルアミノ基、アルキルアミド基、芳香族アミド基、モノ芳香族アミノ基、ジ芳香族アミノ基、水酸基、アルコキシル基、アルコキシアルキル基、アルコキシアルキル基等もそれぞれ他方の芳香族基において、その他の置換基として存在していてもよい。その他の置換基の個数については特に制限は無いが、それぞれの芳香族基に対して0〜4個程度が好ましい。
なお、本発明においてアルキル基、アルコキシ基、アシル基等におけるアルキル鎖としては置換基を有しても良い直鎖、分岐及び環状のものいずれでもよく、炭素数は例えば1から36程度である。好ましいアルキル鎖としては炭素数1から20、より好ましくは炭素数1〜4の、置換基を有しても良い飽和の直鎖アルキルである。
一般式(1)の化合物は通常のアゾ化合物の合成方法によって得られる。即ち式(2)で示される芳香族アミン類をジアゾ化し、次いで式(3)で示される芳香族カップラーとカップリングすることにより得られる。例えばm−アミノサリチル酸を塩酸水溶液中、亜硝酸ソーダを作用させてジアゾ化し、N,N−ジエチルアニリンと酢酸水溶液中カップリングさせることにより下記式(4)のアゾ化合物が得られる。
以下に化合物例を列挙する。Ar1,Ar2が両方ベンゼン環である化合物の置換基の例は以下の構造式(5)として表1にあらわす。表中Tolylはトリル基を示し、phはフェニル基を示す。
Ar1がベンゼン環、Ar2がナフタレン環である化合物の置換基の例は以下の構造式(6)、(7)として表2及び表3に示す。またこのなかで化合物45はY15及びY16が結合して環状にナフタルイミドを形成しているものである。
その他、Ar1、Ar2がナフタレン環である化合物として以下の構造式(8)、(9)を例示する。またこれらの他にも縮合多環式芳香族基を有するアゾ系色素も挙げられる。
本発明の色素増感光電変換素子は例えば酸化物半導体微粒子を用いて基板上に酸化物半導体の薄膜を製造し、次いでこの薄膜に色素を担持させ、増感させたものである。酸化物半導体の微粒子としては金属酸化物が好ましく、その具体例としてはチタン、スズ、亜鉛、タングステン、ジルコニウム、ガリウム、インジウム、イットリウム、ニオブ、タンタル、バナジウムなどの酸化物が挙げられる。これらのうちチタン、スズ、亜鉛、ニオブ、タングステン等の酸化物が好ましく、これらのうち酸化チタンが最も好ましい。これらの酸化物半導体は単一で使用することも出来るが、混合して使用することも出来る。また酸化物半導体の微粒子の粒径は平均粒径として、通常1〜500nmで、好ましくは5〜100nmである。またこの酸化物半導体の微粒子は大きな粒径のものと小さな粒径のものを混合して使用することも可能である。
酸化物半導体薄膜の形成は酸化物半導体微粒子をスプレイ噴霧などで直接基板上に薄膜として形成する方法、基板を電極として電気的に半導体微粒子薄膜を析出させる方法、後記の半導体微粒子のスラリーを基板上に塗布した後、乾燥、硬化もしくは焼成することによって行うことが出来る。酸化物半導体電極の性能上、スラリーを用いる方法等が好ましい。この方法の場合、スラリーは2次凝集している酸化物半導体微粒子を定法により分散媒中に平均1次粒子径が1〜200nmになるように分散させることにより得られる。
スラリーを分散させる分散媒としては半導体微粒子を分散させ得るものであれば何でも良く、水あるいはエタノール等のアルコール、アセトン、アセチルアセトン等のケトンもしくはヘキサン等の炭化水素等の有機溶媒が用いられ、これらは混合して用いても良く、また水を用いることはスラリーの粘度変化を少なくするという点で好ましい。
スラリーを塗布した基板の焼成温度はおおむね基材の融点(軟化点)以下であり、通常上限は900℃であり、好ましくは600℃以下である。また焼成時間には特に限定はないがおおむね4時間以内が好ましい。基板上の薄膜の厚みは通常1〜200μmで好ましくは5〜50μmである。
酸化物半導体薄膜に2次処理を施してもよい。すなわち例えば半導体と同一の金属のアルコキサイド、塩化物、硝化物、硫化物等の溶液に直接、基板ごと薄膜を浸積させて乾燥もしくは再焼成することにより半導体薄膜の性能を向上させることもできる。金属アルコキサイドとしてはチタンエトキサイド、チタンイソプロポキサイド、チタンt−ブトキサイド、n−ジブチル−ジアセチルスズ等が挙げられ、そのアルコール溶液が用いられる。塩化物としては例えば四塩化チタン、四塩化スズ、塩化亜鉛等が挙げられ、その水溶液が用いられる。
次に酸化物半導体薄膜に色素を担持させる方法について説明する。前記の色素を担持させる方法としては、色素を溶解する溶媒に色素を溶解して得た溶液、又は溶解性の低い色素にあっては色素を分散せしめて得た分散液に上記酸化物半導体薄膜の設けられた基板を浸漬する方法が挙げられる。溶液又は分散液中の濃度は色素によって適宜決める。その溶液中に基板上に作成した半導体薄膜を浸す。浸漬温度はおおむね常温から溶媒の沸点までであり、また浸漬時間は1時間から48時間程度である。色素を溶解するために使用する溶媒の具体例として、例えば、メタノール、エタノール、アセトニトリル、ジメチルスルホキサイド、ジメチルホルムアミド等が挙げられる。溶液の色素濃度は通常1×10−6M〜1Mが良く、好ましくは1×10−4M〜1×10−1Mである。この様にしてアゾ色素で増感した酸化物半導体微粒子薄膜の光電変換素子が得られる。担持する色素は1種類でも良いし、数種類混合しても良い。混合する場合は本発明のアゾ色素同士でも良いし、他の有機色素や金属錯体色素を混合しても良い。特に吸収波長の異なる色素同士を混合することにより、幅広い吸収波長を用いることが出来、変換効率の高い太陽電池が得られる。
併用する金属錯体の例としては特に制限は無いがJ.Am.Chem.Soc.,115,6382(1993)や特開2000−26487に示されているルテニウム錯体やフタロシアニン、ポルフィリンなどの金属錯体が好ましい。
併用する他の有機色素としては無金属のフタロシアニン、ポルフィリンやシアニン、メロシアニン、オキソノール、トリフェニルメタン系などのメチン系色素や、キサンテン系、本発明で使用する一般式(1)以外のアゾ系、アンスラキノン系等の色素が挙げられる。好ましくはルテニウム錯体やシアニン、メロシアニン等のメチン系色素が挙げられる。
酸化物半導体微粒子の薄膜にアゾ色素を担持する際、色素同士の会合を防ぐために包摂化合物の共存下、色素を担持することが効果的である。ここで包摂化合物としてはコール酸等のステロイド系化合物、クラウンエーテル、シクロデキストリン、カリックスアレン、ポリエチレンオキサイドなどが挙げられるが、好ましいものはコール酸、ポリエチレンオキサイド等である。また色素を担持させた後、4−t−ブチルピリジン等のアミン化合物で半導体電極表面を処理しても良い。処理の方法は例えばアミンのエタノール溶液に色素を担持した半導体微粒子薄膜の設けられた基板を浸す方法等が採られる。
本発明の太陽電池は上記酸化物半導体薄膜に色素を担持させた光電変換素子電極と対極とレドックス電解質または正孔輸送材料から構成される。レドックス電解質は酸化還元対を溶媒中に溶解させた溶液や、ポリマーマトリックスに含浸させたゲル電解質、また溶融塩のような固体電解質であっても良い。正孔輸送材料としてはアミン誘導体やポリアセチレン、ポリアニリン、ポリチオフェンなどの導電性高分子、ポリフェニレンなどのディスコティック液晶相を用いる物などが挙げられる。用いる対極としては導電性を持っており、レドックス電解質の還元反応を触媒的に作用するものが好ましい。例えばガラス、もしくは高分子フィルムに白金、カーボン、ロジウム、ルテニウム等を蒸着したり、導電性微粒子を塗り付けたものが用いられる。
本発明の太陽電池に用いるレドックス電解質としてはハロゲンイオンを対イオンとするハロゲン化合物及びハロゲン分子からなるハロゲン酸化還元系電解質、フェロシアン酸塩−フェリシアン酸塩やフェロセン−フェリシニウムイオンなどの金属錯体等の金属酸化還元系電解質、アルキルチオール−アルキルジスルフィド、ビオロゲン色素、ヒドロキノン−キノン等の芳香族酸化還元系電解質などをあげることができる。これらの中でハロゲン酸化還元系電解質が好ましい。ハロゲン化合物−ハロゲン分子からなるハロゲン酸化還元系電解質におけるハロゲン分子としては、例えばヨウ素分子や臭素分子等があげられ、ヨウ素分子が好ましい。また、ハロゲンイオンを対イオンとするハロゲン化合物としては、例えばLiI、NaI、KI、CsI等のヨウ化アルカリ金属化合物、CaI2等のヨウ化アルカリ土類金属化合物等のハロゲン化金属塩あるいはテトラアルキルアンモニウムヨーダイド等のアルキルアンモニウムヨーダイド、イミダゾリウムヨーダイド、ピリジニウムヨーダイドなどの窒素含有5〜6員環化合物の4級アンモニウムなどハロゲンの有機4級アンモニウム塩等があげられる。これらの中でヨウ素イオンを対イオンとする塩類化合物が好ましい。ヨウ素イオンを対イオンとする塩類化合物として好ましいものは、例えばヨウ化リチウム及びヨウ化ナトリウム等のヨウ化アルカリ金属塩、ヨウ化トリメチルアンモニウム塩等のヨウ化トリ(C1〜C4)アルキルアンモニウム塩等があげられる。
また、レドックス電解質はそれを含む溶液の形で構成されている場合、その溶媒には電気化学的に不活性なものが用いられる。例えばアセトニトリル、プロピレンカーボネート、エチレンカーボネート、3−メトキシプロピオニトリル、メトキシアセトニトリル、エチレングリコール、プロピレングリコール、
トキシエタン、ジエチルカーボネート、ジエチルエーテル、ジエチルカーボネート、ジメチルカーボネート、1、2−ジメトキシエタン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキサイド、1、3−ジオキソラン、メチルフォルメート、2−メチルテトラヒドロフラン、3−メトキシ−オキサジリジン−2−オン、スルホラン、テトラヒドロフラン、水等が挙げられ、これらの中でも、特に、アセトニトリル、プロピレンカーボネート、エチレンカーボネート、3−メトキシプロピオニトリル、メトキシアセトニトリル、エチレングリコール、3−メトキシオキサジリジン−2−オン等が好ましい。これらは単独もしくは2種以上組み合わせて用いても良い。ゲル電解質の場合はマトリックスとして、ポリアクリレートやポリメタクリレート樹脂などを使用したものが挙げられる。レドックス電解質の濃度は通常0.01〜99重量%で好ましくは0.1〜90重量%程度である。基板上の酸化物半導体薄膜に色素を担持した光電変換素子の電極に、それを挟むように対極を配置する。その間にレドックス電解質を含んだ溶液を充填することにより本発明の太陽電池が得られる。
実 施 例
以下に実施例に基づき、本発明を更に具体的に説明するが、本発明がこれらの実施例に限定されるものではない。実施例中、部は特に指定しない限り質量部を、また%は質量%をそれぞれ表す。
合成例1
p−アミノ安息香酸1部を45%硫酸25部に分散し、10℃以下に保ちながら43%ニトロシル硫酸2部を添加し3時間攪拌しジアゾ化する。3−アセチルアミノ−6−メトキシ−N,N−ジエチルアニリン1.4部を8部の希硫酸中に溶解した溶液に5℃以下にて上記で得たジアゾ液を添加し、カップリングを行なう。得られた固体を濾過、洗浄、乾燥し、さらに酢酸エチル、ヘキサンの混合溶媒でカラムクロマト分離して化合物(19)を少量得た。
合成例2
5−アミノサリチル酸3部を水25部中分散しておき、亜硝酸ナトリウム1.5部添加した。これを水10部、濃塩酸3部の溶液中に10℃以下で滴下し、3時間攪拌してジアゾ化を行なった。ジアゾ化が終了したら、ここに酢酸4部に溶解したN,N−ジエチルアニリン3部を10℃以下で滴下しソーダ灰にてpHを2から5にたもちながらカップリングを行った。3時間攪拌後得られた固体を濾過、洗浄、乾燥し、さらに酢酸エチル、ヘキサンの混合溶媒でカラムクロマト分離して化合物(4)を少量得た。
実施例1
化合物(4)のアゾ色素を3×10−4〜5×10−4MになるようにEtOHに溶解した。この溶液中に多孔質基板{チタニウムジオキサイドP−25(商品名日本アエロジル社製)を硝酸水溶液中分散処理し、これをガラス電極上に厚さ50μmになるように塗布し、450℃30分間焼成した基板}を室温で3時間から一晩浸漬し該アゾ色素を担持せしめ、EtOHで洗浄し、乾燥させ、色素増感した半導体薄膜の光電変換素子を得た。
対極としてこれを挟むように表面を白金でスパッタされた導電性ガラスを固定してその空隙に電解質を含む溶液(電解液)B(エチレンカーボネートとアセトニトリルの6対4の溶液にヨウ素/テトラ−n−プロピルアンモニウムアイオーダイドを0.02M/0.5Mになるように溶解したもの)を注入し、太陽電池とした。このように作成した実行部分0.25cm2の太陽電池を電池性能の測定用に使用した。
電池性能の測定:光源は500Wキセノンランプを用いて、AM1.5フィルターを通して100mW/cm2とした。短絡電流、解放電圧、変換効率、形状因子はポテンシオ・ガルバノスタットを用いて測定した。その結果を表4に示した。
実施例2
実施例1における多孔質基板(透明導電性ガラス電極上に多孔質酸化チタンを焼結した半導体薄膜電極)の酸化チタン薄膜部分に0.2M四塩化チタン水溶液を滴下し、室温にて24時間静置後、水洗して、再度450度にて30分焼成して得た、四塩化チタン処理半導体薄膜電極を用いた以外は実施例1と同様にして、半導体薄膜の光電変換素子を得た。太陽電池の作成及び電池性能の測定は実施例1と同様にした。
実施例3〜18
実施例3〜5,7,9,10、12、14、15及び17については、染料を表4及び電解液を以下に示すものを用い、その担持用の溶媒として実施例12でDMSOを使用した以外は、光電変換素子及び太陽電池の作成、及び電池性能の測定を実施例1と同様に行った。
なお、各電解液組成は下記の通りである。
電解液A:3−メトキシプロピオニトリルにヨウ素/ヨウ化リチウム/1、2−ジメチル−3−n−プロピルイミダゾリウムアイオダイド/t−ブチルピリジンをそれぞれ0.1M/0.1M/0.6M/1Mになるように溶解したもの。
電解液B:エチレンカーボネートとアセトニトリルの6対4の溶液にヨウ素/テトラ−n−プロピルアンモニウムアイオーダイドを0.02M/0.5Mになるように溶解したもの。
電解液C:プロピレンカーボネートにヨウ素/ヨウ化リチウムを0.05M/0.55Mとなるように溶解して調製したもの。
実施例6は染料を表4に示すものを使用し、その溶媒としてEtOHを使用する以外は実施例2と同様に行った。
実施例8、11は染料を表4に示すものを使用し、その溶媒としてEtOHを使用し、色素の担持時に包摂化合物としてコール酸を3×10−2Mとなるように加えて色素溶液を調製し、半導体薄膜に担持して、コール酸処理色素増感半導体薄膜を得た。それ以外は、実施例1と同様に行った。
実施例13については、染料を表4に示すものを使用し、その溶媒としてDMSOを使用し、実施例2と同様にして得た四塩化チタン処理半導体薄膜電極を用い、更に実施例8及び11と同様に、コール酸処理色素増感半導体薄膜とした。それ以外は実施例1と同様におこなった。
実施例16,18については表に示す2種類の色素をそれぞれ1.5×10−4MになるようにEtOH溶液を調整し、2種類の色素を担持することで実施例1と同様にして光電変換素子を得た。それ以外は、実施例1と同様に行った。
なお、実施例18で使用するNO47の染料の構造を下記に示す。
また、電池性能の測定結果は表4に示した。
産業上の利用の可能性
本発明の色素増感光電変換素子において、安価な特定のアゾ色素を用いることにより、変換効率の高い実用的な太陽電池を提供することが出来た。
Claims (10)
- 請求の範囲第1項に記載のアゾ色素のAr1がカルボン酸基、水酸基、リン酸基、リン酸エステル基及びメルカプト基からなる群から選ばれる置換基を少なくとも2つ以上を有している請求の範囲第1項の光電変換素子。
- 請求の範囲第1項に記載のアゾ色素のAr1上の置換基のうち少なくとも2つはカルボン酸基及び水酸基からなる群から選ばれる基であることを特徴とする請求の範囲第2項の光電変換素子。
- 請求の範囲第1項に記載のアゾ色素のAr1上の置換基のうち少なくとも2つが同一芳香環の隣り合う位置に置換している請求の範囲第2項または請求の範囲第3項のいずれか一項に記載の光電変換素子。
- 請求の範囲第1項に記載のアゾ色素のAr2における電子供与基が置換されていても良いアミノ基、水酸基及びアルコシキル基からなる群から選ばれる1個又は2個以上の置換基である請求の範囲第1項乃至請求の範囲第4項のいずれか一項に記載の光電変換素子。
- 少なくとも請求の範囲第1項乃至請求の範囲第5項のいずれか一項に記載のアゾ色素と他の金属錯体及び又は他の有機色素によって増感された酸化物半導体微粒子を用いる事を特徴とする請求の範囲第1項乃至請求の範囲第5項のいずれか一項に記載の光電変換素子光電変換素子。
- 酸化物半導体微粒子が二酸化チタンを必須成分として含有する請求の範囲第1項乃至請求の範囲第6項のいずれか一項に記載の光電変換素子。
- 酸化物半導体微粒子に、包摂化合物の存在下、色素を担持させた請求の範囲第1項乃至請求の範囲第7項のいずれか一項に記載の光電変換素子。
- 請求の範囲第1項乃至請求の範囲第7項のいずれか一項に記載の光電変換素子を用いることを特徴とする太陽電池。
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US20060021647A1 (en) * | 2004-07-28 | 2006-02-02 | Gui John Y | Molecular photovoltaics, method of manufacture and articles derived therefrom |
US8609974B2 (en) * | 2004-10-14 | 2013-12-17 | Michael E. Starzak | Solar to electrical energy conversion using the streaming potential |
US20060081286A1 (en) * | 2004-10-14 | 2006-04-20 | Starzak Michael E | Solar to electrical energy transduction using the streaming potential |
US20080110497A1 (en) * | 2005-01-27 | 2008-05-15 | Nippon Kayaku Kabushiki Kaisha | Modified Titanium Oxide Microparticle and Photoelectric Transducer Making Use of the Same |
JP4591131B2 (ja) * | 2005-03-11 | 2010-12-01 | ソニー株式会社 | 色素増感光電変換素子およびその製造方法ならびに電子装置およびその製造方法ならびに電子機器 |
US20090114272A1 (en) | 2005-07-07 | 2009-05-07 | Nippon Kayaku Kabushiki Kaisha | Sealing Agent for Photoelectric Converter and Photoelectric Converter Using Same |
WO2007033409A1 (en) * | 2005-09-19 | 2007-03-29 | Commonwealth Scientific And Industrial Research Organisation | Photoelectric materials and photovoltaic cells |
US8653279B2 (en) * | 2006-04-17 | 2014-02-18 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Dye for dye-sensitized solar cell, and solar cell prepared from same |
KR101223558B1 (ko) * | 2006-04-17 | 2013-01-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 염료 감응 태양 전지용 염료 및 이로부터 제조된 염료 감응태양 전지 |
JP4644818B2 (ja) * | 2006-09-05 | 2011-03-09 | 国立大学法人群馬大学 | 色素増感太陽電池用色素及びこの色素を用いた光電変換素子並びに色素増感太陽電池 |
KR100869802B1 (ko) * | 2006-11-17 | 2008-11-21 | 삼성에스디아이 주식회사 | 염료감응 태양전지용 전해질, 이를 포함하는 염료감응태양전지, 및 이의 제조방법 |
TW200921963A (en) * | 2007-11-02 | 2009-05-16 | Univ Nat Yunlin Sci & Tech | Dye-sensitized solar cell |
CN101667495B (zh) * | 2008-09-03 | 2012-01-11 | 财团法人工业技术研究院 | 染料敏化太阳能电池的工作电极的制作方法 |
JP5649648B2 (ja) | 2010-05-17 | 2015-01-07 | 日本化薬株式会社 | 熱硬化型光電変換素子用シール剤を用いた光電変換素子 |
JP5914462B2 (ja) | 2011-04-05 | 2016-05-11 | 株式会社Adeka | 新規化合物及び光電変換素子 |
CN103733287B (zh) * | 2011-07-29 | 2017-02-15 | 凸版印刷株式会社 | 色素敏化太阳能电池 |
JP2013091723A (ja) * | 2011-10-26 | 2013-05-16 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 化合物 |
CN104823254A (zh) | 2012-11-30 | 2015-08-05 | 日本化药株式会社 | 染料敏化太阳能电池 |
CN104319350B (zh) * | 2014-11-07 | 2016-11-09 | 河北联合大学 | 一类用于全固态量子点敏化太阳能电池的偶氮嘧啶类双电荷有机空穴传输材料 |
CA3093196A1 (en) * | 2018-03-07 | 2019-09-12 | Amgen (Europe) GmbH | Methods and compositions of isoindoline-1,3-dione and isoindole prodrugs useful for treating cancer, ulcerative colitis and related inflammatory diseases |
CN113462190B (zh) * | 2021-06-30 | 2022-12-16 | 嘉禾宜事达(沈阳)化学有限公司 | 一种具有高水洗牢度的偶氮染料化合物、制备方法及应用 |
CN115806554B (zh) * | 2021-09-13 | 2024-05-17 | 沈阳海诺威医药科技有限公司 | 结肠靶向前药及其药物递送系统的制备和应用 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01154571A (ja) * | 1987-12-11 | 1989-06-16 | Ricoh Co Ltd | 光電変換素子 |
JPH1092477A (ja) * | 1996-09-12 | 1998-04-10 | Agency Of Ind Science & Technol | 有機色素増感型酸化物半導体電極及びそれを含む太陽電池 |
JPH1174003A (ja) * | 1997-06-23 | 1999-03-16 | Sharp Corp | 光電変換材料用光増感剤、光電変換材料およびその製造方法ならびに光電変換装置 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0192477A (ja) | 1987-09-28 | 1989-04-11 | Toray Ind Inc | 機能性繊維 |
US4992109A (en) * | 1987-12-11 | 1991-02-12 | Ricoh Company, Ltd. | Photoelectric conversion element |
JPH05173333A (ja) | 1991-12-20 | 1993-07-13 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | 感放射線性樹脂組成物 |
JPH05206489A (ja) | 1992-01-27 | 1993-08-13 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光電変換素子 |
JP2955647B2 (ja) | 1996-09-12 | 1999-10-04 | 工業技術院長 | 有機色素増感型酸化物半導体電極及びそれを含む太陽電池 |
US6043428A (en) | 1997-06-23 | 2000-03-28 | Sharp Kabushiki Kaisha | Photoelectric material using organic photosensitising dyes and manufacturing method thereof |
JPH11167937A (ja) | 1997-09-30 | 1999-06-22 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光電変換素子 |
JPH11265738A (ja) | 1998-01-13 | 1999-09-28 | Fuji Xerox Co Ltd | 光半導体電極、およびそれを用いた光電池 |
JP2000100483A (ja) * | 1998-09-22 | 2000-04-07 | Sharp Corp | 光電変換素子及びその製造方法及びこれを用いた太陽電池 |
JP3353054B2 (ja) | 1999-01-18 | 2002-12-03 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 有機色素増感型酸化物半導体電極及びそれを含む太陽電池 |
JP3309131B2 (ja) | 1999-01-18 | 2002-07-29 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 有機色素増感型ニオブ酸化物半導体電極及びそれを含む太陽電池 |
JP2001156321A (ja) * | 1999-03-09 | 2001-06-08 | Fuji Xerox Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JP4414036B2 (ja) * | 1999-12-27 | 2010-02-10 | シャープ株式会社 | 色素増感型太陽電池の作製方法 |
JP3430254B2 (ja) * | 2000-03-13 | 2003-07-28 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | β−ジケトナートを有する金属錯体及びその製法、光電変換素子並びに、光化学電池 |
KR100792381B1 (ko) * | 2000-07-27 | 2008-01-08 | 니폰 가야꾸 가부시끼가이샤 | 색소 증감 광전 변환소자 |
JP4461656B2 (ja) * | 2000-12-07 | 2010-05-12 | セイコーエプソン株式会社 | 光電変換素子 |
-
2001
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01154571A (ja) * | 1987-12-11 | 1989-06-16 | Ricoh Co Ltd | 光電変換素子 |
JPH1092477A (ja) * | 1996-09-12 | 1998-04-10 | Agency Of Ind Science & Technol | 有機色素増感型酸化物半導体電極及びそれを含む太陽電池 |
JPH1174003A (ja) * | 1997-06-23 | 1999-03-16 | Sharp Corp | 光電変換材料用光増感剤、光電変換材料およびその製造方法ならびに光電変換装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1296403A4 (en) | 2006-12-13 |
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CN1241287C (zh) | 2006-02-08 |
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