JPWO2005027587A1 - 有機デバイス用電極、有機デバイス用電極を有する電子機器、および有機デバイス用電極の形成方法 - Google Patents
有機デバイス用電極、有機デバイス用電極を有する電子機器、および有機デバイス用電極の形成方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2005027587A1 JPWO2005027587A1 JP2005513833A JP2005513833A JPWO2005027587A1 JP WO2005027587 A1 JPWO2005027587 A1 JP WO2005027587A1 JP 2005513833 A JP2005513833 A JP 2005513833A JP 2005513833 A JP2005513833 A JP 2005513833A JP WO2005027587 A1 JPWO2005027587 A1 JP WO2005027587A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- organic
- electrode
- organic device
- fine particles
- compound
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 27
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 71
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 claims abstract description 47
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 42
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims abstract description 42
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims abstract description 13
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims abstract description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 12
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 abstract description 26
- 239000007924 injection Substances 0.000 abstract description 26
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 abstract description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 67
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 23
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 23
- 239000010408 film Substances 0.000 description 15
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 10
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 6
- 238000010549 co-Evaporation Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 5
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 5
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 4
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 4
- IYZMXHQDXZKNCY-UHFFFAOYSA-N 1-n,1-n-diphenyl-4-n,4-n-bis[4-(n-phenylanilino)phenyl]benzene-1,4-diamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 IYZMXHQDXZKNCY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- FQJQNLKWTRGIEB-UHFFFAOYSA-N 2-(4-tert-butylphenyl)-5-[3-[5-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazol-2-yl]phenyl]-1,3,4-oxadiazole Chemical compound C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1C1=NN=C(C=2C=C(C=CC=2)C=2OC(=NN=2)C=2C=CC(=CC=2)C(C)(C)C)O1 FQJQNLKWTRGIEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GEQBRULPNIVQPP-UHFFFAOYSA-N 2-[3,5-bis(1-phenylbenzimidazol-2-yl)phenyl]-1-phenylbenzimidazole Chemical compound C1=CC=CC=C1N1C2=CC=CC=C2N=C1C1=CC(C=2N(C3=CC=CC=C3N=2)C=2C=CC=CC=2)=CC(C=2N(C3=CC=CC=C3N=2)C=2C=CC=CC=2)=C1 GEQBRULPNIVQPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZVFQEOPUXVPSLB-UHFFFAOYSA-N 3-(4-tert-butylphenyl)-4-phenyl-5-(4-phenylphenyl)-1,2,4-triazole Chemical compound C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1C(N1C=2C=CC=CC=2)=NN=C1C1=CC=C(C=2C=CC=CC=2)C=C1 ZVFQEOPUXVPSLB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=NC2=C1C=CC1=C(C=3C=CC=CC=3)C=CN=C21 DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 3
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 3
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical group C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- UOCMXZLNHQBBOS-UHFFFAOYSA-N 2-(1,3-benzoxazol-2-yl)phenol zinc Chemical compound [Zn].Oc1ccccc1-c1nc2ccccc2o1.Oc1ccccc1-c1nc2ccccc2o1 UOCMXZLNHQBBOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VFUDMQLBKNMONU-UHFFFAOYSA-N 9-[4-(4-carbazol-9-ylphenyl)phenyl]carbazole Chemical group C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=C1 VFUDMQLBKNMONU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K bis[(2-methylquinolin-8-yl)oxy]-(4-phenylphenoxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC([O-])=CC=C1C1=CC=CC=C1 UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 2
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- MUNFOTHAFHGRIM-UHFFFAOYSA-N 2,5-dinaphthalen-1-yl-1,3,4-oxadiazole Chemical compound C1=CC=C2C(C3=NN=C(O3)C=3C4=CC=CC=C4C=CC=3)=CC=CC2=C1 MUNFOTHAFHGRIM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C=12C=CC3=C(C=4C=CC=CC=4)C=C(C)N=C3C2=NC(C)=CC=1C1=CC=CC=C1 STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BKTWCYHMBXXJBX-UHFFFAOYSA-N 2-ethenyl-n,n-diphenylaniline Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1N(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 BKTWCYHMBXXJBX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 2-hydroxyphenyl Chemical group 0.000 description 1
- HONWGFNQCPRRFM-UHFFFAOYSA-N 2-n-(3-methylphenyl)-1-n,1-n,2-n-triphenylbenzene-1,2-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C(=CC=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)=C1 HONWGFNQCPRRFM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WMAXWOOEPJQXEB-UHFFFAOYSA-N 2-phenyl-5-(4-phenylphenyl)-1,3,4-oxadiazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NN=C(C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC=CC=2)O1 WMAXWOOEPJQXEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 3-methyl-n-[4-[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]phenyl]-n-phenylaniline Chemical group CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VIZUPBYFLORCRA-UHFFFAOYSA-N 9,10-dinaphthalen-2-ylanthracene Chemical compound C12=CC=CC=C2C(C2=CC3=CC=CC=C3C=C2)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=C(C=CC=C2)C2=C1 VIZUPBYFLORCRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-M Bromide Chemical compound [Br-] CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910007717 ZnSnO Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 150000001356 alkyl thiols Chemical class 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- GQVWHWAWLPCBHB-UHFFFAOYSA-L beryllium;benzo[h]quinolin-10-olate Chemical compound [Be+2].C1=CC=NC2=C3C([O-])=CC=CC3=CC=C21.C1=CC=NC2=C3C([O-])=CC=CC3=CC=C21 GQVWHWAWLPCBHB-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- XZCJVWCMJYNSQO-UHFFFAOYSA-N butyl pbd Chemical compound C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1C1=NN=C(C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC=CC=2)O1 XZCJVWCMJYNSQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CXKCTMHTOKXKQT-UHFFFAOYSA-N cadmium oxide Inorganic materials [Cd]=O CXKCTMHTOKXKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 1
- 229910052798 chalcogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N hydrogen iodide Chemical compound I XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 239000013081 microcrystal Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052696 pnictogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003346 selenoethers Chemical class 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 1
- 150000004772 tellurides Chemical class 0.000 description 1
- 150000003568 thioethers Chemical class 0.000 description 1
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/20—Conductive material dispersed in non-conductive organic material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/20—Conductive material dispersed in non-conductive organic material
- H01B1/22—Conductive material dispersed in non-conductive organic material the conductive material comprising metals or alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/40—Organic transistors
- H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
- H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/19—Tandem OLEDs
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/60—Forming conductive regions or layers, e.g. electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/30—Coordination compounds
- H10K85/321—Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3]
- H10K85/324—Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3] comprising aluminium, e.g. Alq3
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/29—Coated or structually defined flake, particle, cell, strand, strand portion, rod, filament, macroscopic fiber or mass thereof
- Y10T428/2913—Rod, strand, filament or fiber
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
Description
上記のような有機デバイス用電極は、有機化合物と金属とを抵抗加熱によりそれぞれ蒸発させ、気相中で混合して蒸着する方法(いわゆる共蒸着法)で作製する。この時、有機化合物と金属との比率は、水晶振動子でモニターするため、重量比でモニターすることになる。通常、有機デバイスで用いる有機化合物は分子量が数百以上(例えば、上記文献で用いているAlqの分子量は459)のものが多く、一方、金属の原子量はそれに比べると非常に小さい(例えば、上記文献で用いているLiの原子量は7)。したがって、金属と有機化合物との比率をモル比で1:1程度にする場合、重量比での金属の比率は極めて小さくなる。
このことから、金属と有機化合物とが電荷移動錯体を形成するように有機デバイス用の電極を作製する場合、金属の蒸着レートの制御性が悪く、安定して均質なデバイスを作製することが困難であった。また、特に、金属以外の半導性あるいは導電性の無機化合物(半導性・導電性の酸化物等)の多くは蒸気圧が低く、抵抗加熱で蒸発させることが困難であるため、これらをドナーとして有機化合物と混合させた有機デバイス用電極を形成することは出来なかった。
本発明は、金属ドナードープとは全く異なる観点から、電子注入機能および/または正孔注入機能を実現した有機デバイス用電極を提供することを目的としている。また、本発明に係る有機デバイス用電極の特質から、安定した均質な電極を作製できる有機デバイス用電極の形成方法も提供することを目的としている。
また、上記発明の有機デバイス用電極において、上記導電性微粒子の粒径を、1〔nm〕〜100〔nm〕とすることが望ましい。
また、上記発明の有機デバイス用電極において、上記導電性微粒子の導電率は、10−5〔S/m〕以上とすることが望ましい。
さらに、上記発明に係る有機デバイス用電極を電子機器に搭載しても良い。電子機器としては、携帯電話、パーソナルコンピュータ、モニタ、ビデオカメラ、ディジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ、ナビゲーションシステム、オーディオコンポ、カーオーディオ、ゲーム機器、モバイルコンピュータ、携帯型ゲーム機、電子書籍、記録媒体を備えた画像再生装置などが挙げられる。
また、第2の発明は、有機化合物の性質を利用した機能素子である有機デバイスに用いる有機デバイス用電極の形成方法において、有機化合物と微粒子状の導電性無機化合物である導電性微粒子とを同一の溶媒に分散させ、これを有機デバイス用の電極形成面へ湿式塗布することで、有機デバイス用電極を形成するようにしたことを特徴とする。
更に、第3の発明は、有機化合物の性質を利用した機能素子である有機デバイスに用いる有機デバイス用電極の形成方法において、蒸着可能な有機化合物と、蒸着可能な導電性無機化合物とを、その重量比が4:1〜1:4の範囲となるように制御しつつ有機デバイス用電極形成面へ共蒸着させることで、過剰な導電性無機化合物が微粒子状となった導電性微粒子を有機化合物からなるマトリクスに分散させて有機デバイス用電極を形成するようにしたことを特徴とする。
上記のように構成した本発明に係る有機デバイス用電極によれば、有機化合物のマトリクスに分散された導電性微粒子により電子注入機能や正孔注入機能を実現できるので、有機デバイスへの適用が容易で、極めて実用的価値の高いものとなる。さらに、上記の発明に係る有機デバイス用電極を搭載することにより汎用性した電子機器を提供できる。
上記第2の本発明に係る有機デバイス用電極の形成方法によれば、導電性微粒子の粒径や混合量を予め制御できるため、作製が容易で品質がばらつかない。加えて、蒸着が困難な無機化合物(蒸気圧の低い無機化合物)を導電性微粒子として用いることができるため、導電性微粒子の素材選択の幅が広がるという利点もある。
上記第3の発明に係る有機デバイス用電極の形成方法によれば、無機化合物の蒸着時の重量レートが有機化合物のそれに近くなるため、重量比での制御性(水晶振動子モニターでの制御性)が高まるという利点がある。更に、蒸着成分である有機化合物と導電性無機化合物以外に不純物が存在しない真空容器中で、導電性無機化合物の微粒子と有機化合物との極めて清浄な接触界面を形成できるという利点もある。
第2図(a)は、本発明に依る電子を注入する機能を有する有機デバイス用電極の概略断面図である。
第2図(b)は、本発明に依る正孔を注入する機能を有する有機デバイス用電極の概略断面図である。
第2図(c)は、本発明に依る電子と正孔を注入する機能を有する有機デバイス用電極の概略断面図である。
第3図は、有機デバイス用電極の断面TEM写真である。
第4図(a)は、本発明に係る有機デバイス用電極を用いた有機EL素子の一実施例を示す概略構成図である。
第4図(b)は、本発明に係る有機デバイス用電極を用いた有機EL素子の他の実施例を示す概略構成図である。
第5図は、本発明に係る有機デバイス用電極を適用した有機EL素子の特性図である。
第6図(a)は、本発明に係る有機デバイス用電極を用いた有機電界効果トランジスタの一実施例を示す概略構成図である。
第6図(b)は、本発明に係る有機デバイス用電極を用いた有機電界効果トランジスタの他の実施例を示す概略構成図である。
第7図(a)は、本発明に係わる有機デバイス用電極を搭載した表示装置の一実施例を示す概略図である。
第7図(b)は、本発明に係わる有機デバイス用電極を搭載したノート型パーソナルコンピュータの一実施例を示す概略図である。
第7図(c)は、本発明に係わる有機デバイス用電極を搭載したモバイルコンピュータの一実施例を示す概略図である。
第7図(d)は、本発明に係わる有機デバイス用電極を搭載した携帯型の画像再生装置の一実施例を示す概略図である。
第7図(e)は、本発明に係わる有機デバイス用電極を搭載したゴーグル型ディスプレイの一実施例を示す概略図である。
第7図(f)は、本発明に係わる有機デバイス用電極を搭載したビデオカメラの一実施例を示す概略図である。
第7図(g)は、本発明に係わる有機デバイス用電極を搭載した携帯電話の一実施例を示す概略図である。
第1図に示すのは、本発明に係る有機デバイス用電極100で、単一もしくは複数種類の有機化合物101に、導電性無機化合物を微粒子状とした導電性微粒子102を分散させた複合材料を、有機デバイスの有機層110の電極形成面へ層状に形成したものである。この導電性微粒子102の粒径は1〔nm〕〜100〔nm〕、好ましくは1〔nm〕〜20〔nm〕とする。すなわち、有機デバイス用電極100は、導電性無機化合物の特性を保持したままの導電性微粒子102を有機化合物101中に分散させたものであり、金属が原子レベルで有機化合物と作用して金属錯体のような状態になっていることによって、本来の金属の性質を保持した成分が集まった部分が電極中に存在しない状態とは、明確に区別される。
斯く構成した有機デバイス用電極100では、高密度に分散した導電性微粒子102が大きな比表面積を有することから、これら導電性微粒子102と有機化合物101との相互作用によりドナーあるいはアクセプタとしての機能を実現できると共に、有機化合物101のマトリクスが存在していることで、有機層110との密着性も良いことから、有機デバイス用の電極に適したものとなる。なお、有機デバイス用電極の導電性を高めるため、導電性微粒子102には、導電率δが10−5〔S/m〕以上の導電性無機化合物を用いることが望ましい。
上記有機デバイス用電極100に用いる有機化合物102としては、単一の有機化合物でも、複数種類を混合した有機化合物でも良い。但し、有機デバイス用電極100内でのキャリアの移動を補助するためには、π共役系の有機化合物を用いることが好ましい。π共役系を有する有機化合物としては、例えば、4,4′−ビス[N−(3−メチルフェニル)−N−フェニル−アミノ]ビフェニル(略称:TPD)、4,4′−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニル−アミノ]ビフェニル(略称:α−NPD)、4,4′,4″−トリス(N,N−ジフェニルアミノ)トリフェニルアミン(略称:TDATA)、4,4′,4″−トリス[N−(3−メチルフェニル)−N−フェニル−アミノ]トリフェニルアミン(略称:MTDATA)、2,5−ビス(1−ナフチル)−1,3,4−オキサジアゾール(略称:BND)、2−(4−ビフェニリル)−5−(4−tert−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール(略称:PBD)、1,3−ビス[5−(p−tert−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール−2−イル]ベンゼン(略称:OXD−7)、3−(4−tert−ブチルフェニル)−4−フェニル−5−(4−ビフェニリル)−1,2,4−トリアゾール(略称:TAZ)、バソフェナントロリン(略称:BPhen)、バソキュプロイン(略称:BCP)、2,2′,2″−(1,3,5−ベンゼントリ−イル)−トリス[1−フェニル−1H−ベンズイミダゾール](略称:TPBI)、トリス(8−キノリノラト)アルミニウム(略称:Alq3)、ビス(10−ヒドロキシ−ベンゾ[h]キノリナト)ベリリウム略称:BeBq2)、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)−4−フェニルフェノラト−アルミニウム(略称:BAlq)、ビス[2−(2−ヒドロキシフェニル)−ベンゾオキサゾラト]亜鉛(略称:Zn(BOX)2)、4,4′−ビス(N−カルバゾリル)ビフェニル(略称:CBP)、9,10−ビス(2−ナフチル)アントラセン(略称:β−DNA)などの低分子有機化合物や、ポリ(ビニルトリフェニルアミン)(略称:PVT)、ポリ(N−ビニルカルバゾール)(略称:PVK)、ポリ(2,5−ジアルコキシ−1,4−フェニレンビニレン)(略称:RO−PPV)、ポリ(2,5−ジアルコキシ−1,4−フェニレン)(略称:RO−PPP)、ポリ(9,9−ジアルキルフルオレン)(略称:PDAF)、ポリ(3−アルキルチオフェン)(略称:PAT)などの高分子有機化合物などが挙げられる。
一方、導電性微粒子102としては、一種または複数種の典型金属、遷移金属、ランタノイド等の金属や合金(具体的には、Li、Mg、Ca、Al、Ag、Au、Cu、Ptなど)のほか、第15族元素を含む無機化合物(窒化物、リン化物、ヒ化物)、第16族元素を含む無機化合物(酸化物、硫化物、セレン化物、テルル化物)、第17族元素を含む無機化合物(臭化物、ヨウ化物)等の、金属以外の無機化合物(具体的には、Mg3N2、Ca3N2、ITO、ZnO、NiO、MoO3、V2O5、ZnS、CdS、CdSe、CuIなど)、可視光域で透明な導電体(Rh、Pd、Cr、SiO2、In2O3、CdO、TiO2、ZnSnO4、MgInO4、CaGaO4、TiN、ZrN、HfN、LaB6など)を用いることが出来る。
そして、本発明に係る有機デバイス用電極は、その応用範囲も広く、電子注入機能に特化させたり、正孔注入機能に特化させたり、或いは、電子注入機能と正孔注入機能を併せ持つように構成したりすることが可能である。
第2図(a)に示す有機デバイス用電極100aは、有機化合物101aのマトリクスに分散させる導電性微粒子102aとして、仕事関数が4.2〔eV〕以下の導電性無機化合物(例えば、Li,Mg,Ca,Mg3N2,Ca3N2など)やn型を示す半導体(例えば、ZnO,ZnS,CdS,CdSeなど)を用いることで、有機デバイスの有機層110に電子を注入する機能を実現する。なお、有機化合物101aとしては、電子輸送性の有機化合物(例えば、BND,PBD,OXD−7,TAZ,BPhen,BCP,TPBI,Alq3,BeBq2,BAlq,Zn(BOX)2など)を用いることが望ましい。
第2図(b)に示す有機デバイス用電極100bは、有機化合物101bのマトリクスに分散させる導電性微粒子102bとして、仕事関数が4.2〔eV〕より大きい導電性無機化合物(例えば、Ag,Au,Cu,Pt,ITOなど)やp型を示す半導体(例えば、NiO、MoO3、V2O5など)を用いることで、有機デバイスの有機層110に正孔を注入する機能を実現する。なお、有機化合物101bとしては、正孔輸送性の有機化合物(例えば、TPD,α−NPD,TDATA,MTDATA,PVT,PVKなど)を用いることが望ましい。
第2図(c)に示す有機デバイス用電極100cは、有機化合物101cのマトリクスに分散させる導電性微粒子102cとして、仕事関数が4.2〔eV〕以下の導電性無機化合物(例えば、Li,Mg,Ca,Mg3N2,Ca3N2など)やn型を示す半導体(例えば、ZnO,ZnS,CdS,CdSeなど)と、仕事関数が4.2〔eV〕より大きい導電性無機化合物(例えば、Ag,Au,Cu,Pt,ITOなど)やp型を示す半導体(例えば、NiO、MoO3、V2O5など)を、適宜な割合で混在させることにより、有機デバイスの第1有機層110aから第2有機層110bへの電圧印加に応じて、例えば、第1有機層110aへ電子を注入し、一方、第2有機層110bへ正孔を注入する機能を実現する。なお、有機化合物101cとしては、バイポーラ性を有しているπ共役系の有機化合物を用いることが望ましい。
次に、上述した有機デバイス用電極の形成方法につき詳述する。
第1の形成方法は、有機化合物と微粒子状の導電性無機化合物である導電性微粒子とを同一の溶媒に分散させ、これを有機デバイス用の電極形成面へ湿式塗布(ディップコート、スピンコート、インクジェット等)することで、有機デバイス用電極を形成する方法である。本方法によれば、導電性微粒子の粒径や混合量を予め制御できるため、作製が容易で品質がばらつかない。加えて、蒸着が困難な無機化合物(蒸気圧の低い無機化合物)を導電性微粒子として用いることができるため、導電性微粒子の素材選択の幅が広がるという利点もある。なお、通常、微粒子状の金属や無機化合物と有機化合物を均一に混合して膜状物を形成することは困難である場合が多いが、あらかじめ、金属や無機化合物の表面をアルキルチオールやトリクロロアルキルシランなどの表面安定化剤で処理しておけば、分散性を向上させることができる。また、空気酸化を受けやすい金属や無機化合物を用いて有機デバイス用電極を形成する場合には、不活性雰囲気下で、有機溶媒中で反応により導電性無機化合物を生成し、導電性無機化合物が微粒子に成長した状態から有機化合物との混合分散液を調製し、湿式塗布により膜状物として形成することもできる。
第2の形成方法は、蒸着可能な有機化合物と、蒸着可能な導電性無機化合物とを、その重量比が4:1〜1:4の範囲となるように制御しつつ有機デバイス用電極形成面へ共蒸着させることで、過剰な導電性無機化合物が微粒子状となった導電性微粒子を有機化合物からなるマトリクスに分散させて有機デバイス用電極を形成する方法である。すなわち、本形成方法では、有機化合物と無機化合物のモル比を1:1程度にして共蒸着することで、金属が原子レベルで有機化合物と作用して金属錯体のような状態となり、金属の性質を保持した成分が形成した膜中に存在しないようにするのではなく、導電性無機化合物/有機化合物が1/4以上(好ましくは1/2以上)4/1以下(好ましくは2/1以下)となるように重量比を制御しつつ共蒸着することで、有機化合物からなるマトリクスに導電性微粒子を分散させた状態とするのである。本方法によれば、無機化合物の蒸着時の重量レートが有機化合物のそれに近くなるため、重量比での制御性(水晶振動子モニターでの制御性)が高まるという利点がある。また、本形成方法によれば、蒸着成分である有機化合物と導電性無機化合物以外に不純物が存在しない真空容器中で、導電性無機化合物の微粒子と有機化合物との極めて清浄な接触界面を形成できるという利点を有している。
上述した第2の方法により作製した有機デバイス用電極の断面TEM写真を第3図に示す。これは、「Al/有機デバイス用電極/Al」の順に積層した構造で、導電性無機化合物として用いたMgの蒸着レートを0.1〔nm/s〕に固定し、有機化合物として用いたAlq3も蒸発させ、トータルの蒸着レートが0.2〔nm/s〕となるように調整しつつMgとAlq3の共蒸着を行った。すなわち、MgとAlq3の比率が重量比で1:1となるように条件設定したのである。但し、実際には、両成分の蒸発初期にMg成分の蒸着レートが大きくなる傾向があり、基板上に形成されたAl薄膜にごく近い側でMgの供給過剰になってしまう。この断面TEM写真では、粒径が数nm〜十数nm程度の陰影が基板側のAl薄膜直上の電極層に観測された。これは不均質なコントラストを呈していることから、金属の結晶と考えられる。したがって、共蒸着によってMgの微結晶(すなわち導電性微粒子)を有機化合物のマトリクスに分散形成できることが確認された。なお、不均質なコントラストが観察される部分の上方においてはMg微粒子の直接観察はできないものの、この部分には粒径が数nm以下のMg微粒子が形成されているものと推定される。
〔有機デバイス構成例1〕
次に、上述した有機デバイス用電極を用いて構成した有機デバイスの構成例1として、有機EL素子への適用例を説明する。その素子構造を第4図(a)に示す。
第4図(a)は、電子注入機能を有する有機デバイス用電極(上述した第2図(a)のタイプ)を電子注入電極として導入した公知の有機EL素子であり、201は陽極、202は陰極、203は電界発光層、204は電子注入電極である。なお、電界発光層203は、電界発光可能な、あるいはキャリア注入により発光可能な有機化合物を含む層である。
〔有機EL素子の実施例1〕
上述した有機EL素子における電子注入電極として、本発明に係る有機デバイス用電極を適用した有機EL素子の作製例を説明する。
まず、陽極201として用いるITOがパターンされたガラス基板をエタノールで煮沸洗浄し、さらにオゾンプラズマ洗浄機で基板表面を洗浄した。この洗浄した基板と蒸着する材料を真空蒸着装置内にセットした後、チャンバー内を10−4〔Pa〕程度まで減圧した。
目的の真空度に到達した後、まず、TPDを0.2〜0.4〔nm/s〕程度のレートで蒸着し、70〔nm〕成膜した。次いで、Alq3を0.2〜0.4〔nm/s〕程度のレートで蒸着し、60〔nm〕成膜した。以上が電界発光層203となる。
次に、Mgの蒸着レートを0.1〔nm/s〕に固定しつつ、Alq3も蒸発させることにより、MgとAlq3の共蒸着を行った。この時、トータルの蒸着レートが0.2〔nm/s〕となるように調整したため、MgとAlq3の比率は重量比で1:1となっている。したがって、第3図で観察されたような本発明の有機デバイス用電極と同一の構造を得ることができる。また、仕事関数が4.2〔eV〕以下の導電性無機化合物であるMgを導電性微粒子として使用しているため、電子注入電極205として作用する。なお、この電子注入電極205は10〔nm〕形成した。次いで0.2〜0.4〔nm/s〕程度の蒸着レートにてAlを80〔nm〕成膜することにより、陰極202とした。
上記のように作製した有機EL素子の素子特性を第5図(図中の実施例1)に示す。なお、横軸は電流密度〔V〕、縦軸は外部量子効率〔%:外部に取り出されるフォトンの数/注入されたキャリアの数〕である。発光時の外部量子効率は0.6〜1.1%程度であった。
〔有機デバイス構成例2〕
上述した有機デバイス用電極を用いて構成した有機デバイスの構成例2として、他の有機EL素子への適用例を説明する。その素子構造を第4図(b)に示す。
第4図(b)は、電子注入機能と正孔注入機能を併せ持つ有機デバイス用電極(上述した第2図(c)のタイプの電極、もしくは、第2図(a)のタイプと第2図(b)のタイプを積層した構造の電極)を内部電極として導入した公知の有機EL素子(MPE素子)であり、201は陽極、202は陰極、203aは第一の電界発光層、203bは第二の電界発光層、205は電子注入電極層205aと正孔注入電極層205bからなる電荷発生層である。なお、第一の電界発光層203aおよび第二の電界発光層203bは、電界発光可能な、あるいはキャリア注入により発光可能な有機化合物を含む層である。また、電荷発生層205は外部回路と接続しておらず、フローティング状の内部電極となっている。
上述した構成の有機EL素子において、陽極201と陰極202との間に電圧Vを印加した場合、電荷発生層205の電子注入電極層205aから第一の電界発光層203aに対しては電子が、電荷発生層205の正孔注入電極層205bから第二の電界発光層203bに対しては正孔が、それぞれ注入される。一方、外部回路から見れば、陽極201から第一の電界発光層203aに対しては正孔が、陰極202から第二の電界発光層203bに対しては電子が注入されるため、第一の電界発光層203aおよび第二の電界発光層203bの両方でキャリアの再結合が起こり、発光に至る。この時、電流Iが流れているとすると、第一の電界発光層203aおよび第二の電界発光層203b共に、電流Iに対応する分のフォトンを放出することができる。したがって、電界発光層が一層のみの有機EL素子に比べると、同じ電流で二倍の量の光を放出できるというメリットがある。
なお、本構成例では、二層の電界発光層を電荷発生層で積層するものとしたが、より多くの電界発光層を積層する(各電界発光層の間には各々電荷発生層を挿入する)ことにより、電流効率を何倍にも向上させることができ、理論上においては、電流効率の向上に伴い、素子寿命に関しても大きな向上が期待される。但し、電界発光層の積層数が増えれば、同じ電流Iを流すために、高電圧が必要となる。
〔有機EL素子の実施例2〕
上述した有機EL素子(MPE素子)における電荷発生層として、本発明に係る有機デバイス用電極を適用した有機EL素子の作製例を説明する。
まず、陽極201として用いるITOがパターンされたガラス基板をエタノールで煮沸洗浄し、さらにオゾンプラズマ洗浄機で基板表面を洗浄した。この洗浄した基板と蒸着する材料を真空蒸着装置内にセットした後、チャンバー内を10−4Pa程度まで減圧した。
目的の真空度に到達した後、まず、TPDを0.2〜0.4nm/s程度のレートで蒸着し、70nm成膜した。次いで、Alq3を0.2〜0.4nm/s程度のレートで蒸着し、60nm成膜した。以上が第一の電界発光層203aとなる。
次に、Mgの蒸着レートを0.1nm/sに固定しつつ、Alq3も蒸発させることにより、MgとAlq3の共蒸着を行った。この時、トータルの蒸着レートが0.2nm/sとなるように調整したため、MgとAlq3の比率は重量比で1:1となっている。なお、この共蒸着層は10nm形成した。さらに、Auの蒸着レートを0.1nm/sに固定しつつ、TPDも蒸発させることにより、AuとTPDの共蒸着を行った。この時、トータルの蒸着レートが0.2nm/sとなるように調整したため、AuとTPDの比率は重量比で1:1となっている。なお、この共蒸着層は10nm形成した。以上の計20nmの共蒸着層が本発明の有機デバイス用電極であり、電荷発生層205として作用する。
このようにして形成された電荷発生層205上に、第一の電界発光層203aと同様に、TPD(70nm)とAlq3(60nm)とを積層した第二の電界発光層203bを形成した。さらに、上述と同様の手法にてMgとAlq3が重量比で1:1となるように共蒸着して10nmの共蒸着層を形成し、次いで0.2〜0.4nm/s程度の蒸着レートにてAlを80nm成膜することにより、陰極202とした。
上述のようにして形成された本発明の有機デバイス用電極を用いたマルチフォトンエミッション素子(ITO/TPD(70nm)/Alq3(60nm)/Mg:Alq3(10nm)/Au:TPD(10nm)/TPD(70nm)/Alq3(60nm)/Mg:Alq3(10nm)/Al(80nm))の特性を第5図(図中の実施例2)に示す。発光時の外部量子効率は1.2〜1.6%程度であった。
この結果から、上記実施例2として示した素子では、実施例1の素子に比べて駆動電圧が上昇しているが、外部量子効率で実施例1の素子を上回っており、マルチフォトンエミッション素子として動作していることがわかる。したがって、本発明の有機デバイス用電極を上記実施例2のような構成とすることで、電荷発生層として機能し、正孔および電子の両方のキャリアを注入できることが明らかとなった。
〔有機デバイス構成例3〕
次に、上述した各実施形態に係る有機デバイス用電極を用いて構成した有機デバイスの構成例3として、有機電界効果トランジスタへの適用例を説明する。その素子構造を第6図に示す。
第6図(a)は、電荷発生層を内部電極として導入した有機電界効果トランジスタであり、基板301、第一のゲート電極302、第一のゲート絶縁膜303、第一のソース電極304a、第一のドレイン電極304b、電子輸送性の有機化合物を用いた電子輸送層305a、正孔輸送性の有機化合物を用いた正孔輸送層305b、電荷発生層306、第二のドレイン電極307a、第二のソース電極307b、第二のゲート絶縁膜308、第二のゲート電極309、から構成されている。なお、以下では、電子輸送層305aと正孔輸送層305bとを併せて有機半導体層と称する。
この構造において、第一のゲート電極302にVg1(>0)を、第二のゲート電極309にVg2(<0)を印加すると、第3図(a)に示すように、電界効果によって、電荷発生層306から電子輸送層305aに電子が、正孔輸送層305bに正孔が、それぞれ注入される。一方、第一のゲート絶縁膜303および第二のゲート絶縁膜308が存在するため、第一のゲート電極302や第二のゲート電極309から有機半導体層中にキャリアが注入されることはない。したがって、第一のゲート絶縁膜303表面近傍の有機半導体層中に電子が、第二のゲート絶縁膜308表面近傍の有機半導体層中に正孔が、それぞれ蓄積され、電子と正孔それぞれの電荷蓄積チャネル層を形成する。
この時、第3図(b)に示すように、第一のソース電極304aと第一のドレイン電極304bとの間にVsd1(>0)を、第二のソース電極307bと第二のドレイン電極307aとの間にVsd2(<0)を印加する。すると、第一のゲート絶縁膜303近傍の電子蓄積チャネル層の電子と、第二のゲート絶縁膜308近傍の正孔蓄積チャネル層の正孔が、それぞれのソース−ドレイン回路に電流を流す。
一般に、有機電界効果トランジスタは、ソース−ドレイン電極間を流れる電流量がソース電極から注入される電荷量で決まるとされており、このことが有機電界効果トランジスタの高速制御性、制御電流の大きさの制限要因となっている。上述した電荷発生層を用いた有機電界効果トランジスタにおいては、ソース電極から注入される電荷ではなく、電荷発生層から電界印加で発生させた電荷を用いるので、大きな電流量を高速に制御できる利点を有する。このためには、電荷発生層が、第6図における上方向に正孔を、下方向に電子を、それぞれ注入する機能を持つ必要がある。すなわち、本発明に係る有機デバイス用電極を電荷発生層306(内部電荷発生電極)として用いれば、上述した有機電界効果トランジスタを実現できる。
本発明に依る有機デバイス用電極を用いた有機電界効果トランジスタの説明をしたが、本発明に係る有機デバイス用電極は電子機器に搭載することもできる。電子機器としては、携帯電話、パーソナルコンピュータ、モニタ、ビデオカメラ、ディジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ、ナビゲーションシステム、オーディオコンポ、カーオーディオ、ゲーム機器、モバイルコンピュータ、携帯型ゲーム機、電子書籍、記録媒体を備えた画像再生装置などが挙げられる。これらの電子機器の具体例を第7図(a)〜(g)に示す。
第7図(a)は表示装置の一実施例を示し、筐体1001、支持台1002、表示部1003、スピーカー部1004、ビデオ入力端子1005等を含む。本発明の有機デバイス用電極は、上記表示部1003等に搭載されている。なお、有機デバイス用電極を搭載した表示装置としては、コンピュータ用、TV放送受信用、広告表示用などの情報表示用装置が含まれる。
第7図(b)はノート型パーソナルコンピュータの一実施例を示し、本体1201、筐体1202、表示部1203、キーボード1204、外部接続ポート1205、ポインティングマウス1206等を含む。本発明の有機デバイス用電極は上記表示部1203等に掲載されている。
第7図(c)はモバイルコンピュータの一実施例を示し、本体1301、表示部1302、スイッチ1303、操作キー1304、赤外線ポート1305等を含む。本発明の有機デバイス用電極は、上記表示部1302等に搭載されている。
第7図(d)は記録媒体を備えた携帯型の画像再生装置(具体的にはDVD再生装置)の一実施例を示し、本体1401、筐体1402、表示部1403、表示部1404、記録媒体(DVD等)読み込み部1405、操作キー1406、スピーカー部1407等を含む。表示部1403は主として画像情報を表示し、表示部1404は主として文字情報を表示するが、本発明の有機デバイス用電極をこれら表示部1403、1404等に搭載されている。なお、記録媒体を備えた画像再生装置には家庭用ゲーム機器なども含まれる。
第7図(e)はゴーグル型ディスプレイの一実施例を示し、本体1501、表示部1502、アーム部1503を含む。本発明の有機デバイス用電極は、上記表示部1502等に搭載されている。
第7図(f)はビデオカメラの一実施例を示し、本体1601、表示部1602、筐体1603、外部接続ポート1604、リモコン受信部1605、受像部1606、バッテリー1607、音声入力部1608、操作キー1609、接眼部1610等を含む。本発明の有機デバイス用電極は、表示部2602等に搭載にされている。
ここで、第7図(g)は携帯電話の一実施例を示し、本体1701、筐体1702、表示部1703、音声入力部1704、音声出力部1705、操作キー1706、外部接続ポート1707、アンテナ1708等を含む。本発明の有機デバイス用電極をその表示部1703等に用いることにより作製される。なお、表示部1703は黒色の背景に白色の文字を表示することで携帯電話の消費電力を抑えることができる。
以上の様に、本発明の有機デバイス用電極の適用範囲は極めて広く、この有機デバイス用電極をあらゆる分野の電子機器に搭載することにより汎用性が拡大する。
Claims (6)
- 有機化合物の性質を利用した機能素子である有機デバイスに用いる有機デバイス用電極(100)において、
単一もしくは複数種類の有機化合物(101)からなるマトリクスに、導電性無機化合物を微粒子状とした導電性微粒子(102)を分散させた複合材料を用いたことを特徴とする有機デバイス用電極。 - 上記導電性微粒子の粒径は、1〔nm〕〜100〔nm〕であることを特徴とする請求の範囲第1項記載の有機デバイス用電極。
- 上記導電性微粒子の導電率は、10−5〔S/m〕以上であることを特徴とする請求の範囲第1項又は第2項記載の有機デバイス用電極。
- 請求の範囲第1項記載の前記有機デバイス用電極を有する電子機器であって、前記電子機器は、携帯電話、パーソナルコンピュータ、モニタ、ビデオカメラ、ディジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ、ナビゲーションシステム、オーディオコンポ、カーオーディオ、ゲーム機器、モバイルコンピュータ、携帯型ゲーム機、電子書籍、および記録媒体を備えた画像再生装置のグループから選ばれた一である有機デバイス用電極を有する電子機器。
- 有機化合物の性質を利用した機能素子である有機デバイスに用いる有機デバイス用電極の形成方法において、
有機化合物と微粒子状の導電性無機化合物である導電性微粒子とを同一の溶媒に分散させ、これを有機デバイス用の電極形成面へ湿式塗布することで、有機デバイス用電極を形成するようにしたことを特徴とする有機デバイス用電極の形成方法。 - 有機化合物の性質を利用した機能素子である有機デバイスに用いる有機デバイス用電極の形成方法において、
蒸着可能な有機化合物と、蒸着可能な導電性無機化合物とを、その重量比が4:1〜1:4の範囲となるように制御しつつ有機デバイス用電極形成面へ共蒸着させることで、過剰な導電性無機化合物が微粒子状となった導電性微粒子を有機化合物からなるマトリクスに分散させて有機デバイス用電極を形成するようにしたことを特徴とする有機デバイス用電極の形成方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003299442 | 2003-08-25 | ||
JP2003299442 | 2003-08-25 | ||
PCT/JP2004/012457 WO2005027587A1 (ja) | 2003-08-25 | 2004-08-24 | 有機デバイス用電極、有機デバイス用電極を有する電子機器、および有機デバイス用電極の形成方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010240047A Division JP5089750B2 (ja) | 2003-08-25 | 2010-10-26 | 有機電界効果トランジスタ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2005027587A1 true JPWO2005027587A1 (ja) | 2006-11-24 |
Family
ID=34308378
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005513833A Withdrawn JPWO2005027587A1 (ja) | 2003-08-25 | 2004-08-24 | 有機デバイス用電極、有機デバイス用電極を有する電子機器、および有機デバイス用電極の形成方法 |
JP2010240047A Expired - Fee Related JP5089750B2 (ja) | 2003-08-25 | 2010-10-26 | 有機電界効果トランジスタ |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010240047A Expired - Fee Related JP5089750B2 (ja) | 2003-08-25 | 2010-10-26 | 有機電界効果トランジスタ |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7504049B2 (ja) |
JP (2) | JPWO2005027587A1 (ja) |
CN (1) | CN100551192C (ja) |
WO (1) | WO2005027587A1 (ja) |
Families Citing this family (112)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SG194237A1 (en) * | 2001-12-05 | 2013-11-29 | Semiconductor Energy Lab | Organic semiconductor element |
EP1367659B1 (en) * | 2002-05-21 | 2012-09-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organic field effect transistor |
US7504049B2 (en) * | 2003-08-25 | 2009-03-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electrode device for organic device, electronic device having electrode device for organic device, and method of forming electrode device for organic device |
US7511421B2 (en) * | 2003-08-25 | 2009-03-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Mixed metal and organic electrode for organic device |
CN1965613B (zh) * | 2004-05-21 | 2010-06-16 | 株式会社半导体能源研究所 | 发光元件及使用该元件的发光装置 |
KR101205192B1 (ko) * | 2004-10-01 | 2012-11-27 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 소자 및 발광 장치 |
KR101436791B1 (ko) | 2004-10-29 | 2014-09-03 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 복합 재료, 발광 소자, 발광 장치 및 이의 제조방법 |
US8026531B2 (en) | 2005-03-22 | 2011-09-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
US20060244373A1 (en) * | 2005-04-28 | 2006-11-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and method for manufacturing thereof |
US7943244B2 (en) * | 2005-05-20 | 2011-05-17 | Lg Display Co., Ltd. | Display device with metal-organic mixed layer anodes |
KR101351816B1 (ko) * | 2005-07-06 | 2014-01-15 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 소자, 발광 장치, 및 전자 기기 |
US8659008B2 (en) * | 2005-07-08 | 2014-02-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Composite material and light emitting element, light emitting device, and electronic device using the composite material |
EP1784055A3 (en) * | 2005-10-17 | 2009-08-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Lighting system |
US8008851B2 (en) * | 2006-01-19 | 2011-08-30 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light emitting display |
KR101294845B1 (ko) | 2006-01-19 | 2013-08-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 전계발광소자와 그 제조방법 |
EP3569606B1 (en) | 2006-02-10 | 2022-01-05 | Universal Display Corporation | Metal complexes of cyclometallated imidazo (1,2-f)phenanthridine and diimidazo (1,2-a; 1', 2'-c)quinazoline ligands and isoelectronic and benzannulated analogs thereof |
US20070194321A1 (en) * | 2006-02-17 | 2007-08-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting element, light emitting device, and electronic device |
EP1821579A3 (en) * | 2006-02-17 | 2008-04-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting element, light emitting device, and electronic appliance |
US7528418B2 (en) * | 2006-02-24 | 2009-05-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device |
US8247801B2 (en) * | 2006-03-31 | 2012-08-21 | Imec | Organic semi-conductor photo-detecting device |
JP2008108530A (ja) * | 2006-10-25 | 2008-05-08 | Hitachi Displays Ltd | 有機el表示装置 |
CN101836307A (zh) * | 2007-08-17 | 2010-09-15 | 西北大学 | p型半导体镍氧化物在体相异质结太阳能电池中作为增效阳极界面层 |
JP5347377B2 (ja) * | 2007-08-31 | 2013-11-20 | 大日本印刷株式会社 | 縦型有機トランジスタ、その製造方法及び発光素子 |
KR101508806B1 (ko) * | 2008-04-28 | 2015-04-06 | 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 | 정공 주입 수송층을 갖는 디바이스, 및 그 제조 방법, 및 정공 주입 수송층 형성용 잉크 |
US8288187B2 (en) | 2010-01-20 | 2012-10-16 | Universal Display Corporation | Electroluminescent devices for lighting applications |
JP2012038541A (ja) * | 2010-08-06 | 2012-02-23 | Asahi Glass Co Ltd | プラズモン共鳴型光電変換素子の製造方法、およびプラズモン共鳴型光電変換素子 |
US9525152B2 (en) | 2011-08-26 | 2016-12-20 | Sumitomo Chemical Company Limited | Permeable electrodes for high performance organic electronic devices |
US9386657B2 (en) | 2012-03-15 | 2016-07-05 | Universal Display Corporation | Organic Electroluminescent materials and devices |
US9540329B2 (en) | 2012-07-19 | 2017-01-10 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US9252363B2 (en) | 2012-10-04 | 2016-02-02 | Universal Display Corporation | Aryloxyalkylcarboxylate solvent compositions for inkjet printing of organic layers |
US9196860B2 (en) | 2012-12-04 | 2015-11-24 | Universal Display Corporation | Compounds for triplet-triplet annihilation upconversion |
US8716484B1 (en) | 2012-12-05 | 2014-05-06 | Universal Display Corporation | Hole transporting materials with twisted aryl groups |
US9653691B2 (en) | 2012-12-12 | 2017-05-16 | Universal Display Corporation | Phosphorescence-sensitizing fluorescence material system |
US10400163B2 (en) | 2013-02-08 | 2019-09-03 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
JP6156797B2 (ja) * | 2013-08-22 | 2017-07-05 | 国立大学法人山形大学 | 有機電子デバイス |
US9876173B2 (en) | 2013-12-09 | 2018-01-23 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US9864248B2 (en) * | 2013-12-27 | 2018-01-09 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor device and display device |
US9450198B2 (en) | 2014-04-15 | 2016-09-20 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US9929361B2 (en) | 2015-02-16 | 2018-03-27 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US11056657B2 (en) | 2015-02-27 | 2021-07-06 | University Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US9859510B2 (en) | 2015-05-15 | 2018-01-02 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US10418568B2 (en) | 2015-06-01 | 2019-09-17 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US11127905B2 (en) | 2015-07-29 | 2021-09-21 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US10361381B2 (en) | 2015-09-03 | 2019-07-23 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US20170229663A1 (en) | 2016-02-09 | 2017-08-10 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US10236456B2 (en) | 2016-04-11 | 2019-03-19 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US10672997B2 (en) | 2016-06-20 | 2020-06-02 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US11482683B2 (en) | 2016-06-20 | 2022-10-25 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US10862054B2 (en) | 2016-06-20 | 2020-12-08 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US10608186B2 (en) | 2016-09-14 | 2020-03-31 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US10680187B2 (en) | 2016-09-23 | 2020-06-09 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US11196010B2 (en) | 2016-10-03 | 2021-12-07 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US11011709B2 (en) | 2016-10-07 | 2021-05-18 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US20180130956A1 (en) | 2016-11-09 | 2018-05-10 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US10680188B2 (en) | 2016-11-11 | 2020-06-09 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US11780865B2 (en) | 2017-01-09 | 2023-10-10 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US10844085B2 (en) | 2017-03-29 | 2020-11-24 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US10944060B2 (en) | 2017-05-11 | 2021-03-09 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US12098157B2 (en) | 2017-06-23 | 2024-09-24 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US11228010B2 (en) | 2017-07-26 | 2022-01-18 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US11744142B2 (en) | 2017-08-10 | 2023-08-29 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
CN109390149B (zh) * | 2017-08-11 | 2020-08-11 | 钰邦科技股份有限公司 | 多层式堆叠结构的制作设备以及薄膜电容器的制作方法 |
CN109671577A (zh) * | 2017-10-13 | 2019-04-23 | 钰邦科技股份有限公司 | 多层式堆叠结构的制作设备以及薄膜电容器的制作方法 |
US20190161504A1 (en) | 2017-11-28 | 2019-05-30 | University Of Southern California | Carbene compounds and organic electroluminescent devices |
EP3492480B1 (en) | 2017-11-29 | 2021-10-20 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US11937503B2 (en) | 2017-11-30 | 2024-03-19 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US11542289B2 (en) | 2018-01-26 | 2023-01-03 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US20200075870A1 (en) | 2018-08-22 | 2020-03-05 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
CN111244307B (zh) * | 2018-11-29 | 2021-10-22 | Tcl科技集团股份有限公司 | 一种量子点发光二极管及其制备方法 |
US20200176691A1 (en) * | 2018-12-04 | 2020-06-04 | The University Of Hong Kong | Transition metal luminescent complexes and methods of use |
US12116378B2 (en) | 2018-12-04 | 2024-10-15 | The University Of Hong Kong | Transition metal luminescent complexes and methods of use |
US11737349B2 (en) | 2018-12-12 | 2023-08-22 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US11780829B2 (en) | 2019-01-30 | 2023-10-10 | The University Of Southern California | Organic electroluminescent materials and devices |
US20200251664A1 (en) | 2019-02-01 | 2020-08-06 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
JP2020158491A (ja) | 2019-03-26 | 2020-10-01 | ユニバーサル ディスプレイ コーポレイション | 有機エレクトロルミネセンス材料及びデバイス |
US20210032278A1 (en) | 2019-07-30 | 2021-02-04 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
JP2021031490A (ja) | 2019-08-16 | 2021-03-01 | ユニバーサル ディスプレイ コーポレイション | 有機エレクトロルミネセンス材料及びデバイス |
US20210135130A1 (en) | 2019-11-04 | 2021-05-06 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US20210217969A1 (en) | 2020-01-06 | 2021-07-15 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US20220336759A1 (en) | 2020-01-28 | 2022-10-20 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
EP3937268A1 (en) | 2020-07-10 | 2022-01-12 | Universal Display Corporation | Plasmonic oleds and vertical dipole emitters |
KR102392914B1 (ko) * | 2020-08-24 | 2022-04-29 | 고려대학교 산학협력단 | 유기발광소자용 전극 및 그 전극을 포함하는 유기발광소자 |
US20220158096A1 (en) | 2020-11-16 | 2022-05-19 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US20220165967A1 (en) | 2020-11-24 | 2022-05-26 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US20220162243A1 (en) | 2020-11-24 | 2022-05-26 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US20220271241A1 (en) | 2021-02-03 | 2022-08-25 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
EP4060758A3 (en) | 2021-02-26 | 2023-03-29 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
EP4059915A3 (en) | 2021-02-26 | 2022-12-28 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US20220298192A1 (en) | 2021-03-05 | 2022-09-22 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US20220298190A1 (en) | 2021-03-12 | 2022-09-22 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US20220298193A1 (en) | 2021-03-15 | 2022-09-22 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US20220340607A1 (en) | 2021-04-05 | 2022-10-27 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
EP4075531A1 (en) | 2021-04-13 | 2022-10-19 | Universal Display Corporation | Plasmonic oleds and vertical dipole emitters |
US20220352478A1 (en) | 2021-04-14 | 2022-11-03 | Universal Display Corporation | Organic eletroluminescent materials and devices |
US20230006149A1 (en) | 2021-04-23 | 2023-01-05 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US20220407020A1 (en) | 2021-04-23 | 2022-12-22 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US20230133787A1 (en) | 2021-06-08 | 2023-05-04 | University Of Southern California | Molecular Alignment of Homoleptic Iridium Phosphors |
EP4151699A1 (en) | 2021-09-17 | 2023-03-22 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US20240343970A1 (en) | 2021-12-16 | 2024-10-17 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
EP4231804A3 (en) | 2022-02-16 | 2023-09-20 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US20230292592A1 (en) | 2022-03-09 | 2023-09-14 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US20230337516A1 (en) | 2022-04-18 | 2023-10-19 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US20230389421A1 (en) | 2022-05-24 | 2023-11-30 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
EP4293001A1 (en) | 2022-06-08 | 2023-12-20 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US20240016051A1 (en) | 2022-06-28 | 2024-01-11 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US20240107880A1 (en) | 2022-08-17 | 2024-03-28 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US20240180025A1 (en) | 2022-10-27 | 2024-05-30 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US20240196730A1 (en) | 2022-10-27 | 2024-06-13 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US20240188316A1 (en) | 2022-10-27 | 2024-06-06 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US20240188419A1 (en) | 2022-10-27 | 2024-06-06 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US20240188319A1 (en) | 2022-10-27 | 2024-06-06 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US20240247017A1 (en) | 2022-12-14 | 2024-07-25 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06188074A (ja) * | 1992-12-15 | 1994-07-08 | Canon Inc | 電界発光素子 |
JPH08259843A (ja) * | 1995-03-17 | 1996-10-08 | Daiken Kagaku Kogyo Kk | 複合被覆無機粉体およびその製造法 |
JPH1115408A (ja) * | 1997-06-20 | 1999-01-22 | Casio Comput Co Ltd | 表示装置及びその駆動方法 |
WO2000001203A1 (fr) * | 1998-06-26 | 2000-01-06 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Dispositif luminescent |
JP2000260572A (ja) * | 1999-03-04 | 2000-09-22 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 有機エレクトロルミネッセンスパネル |
JP2000315581A (ja) * | 1999-04-30 | 2000-11-14 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 |
JP2002088487A (ja) * | 2000-09-12 | 2002-03-27 | Japan Science & Technology Corp | 金属微粒子の導電性材料表面への光析出・固定方法 |
JP2003045676A (ja) * | 2001-07-26 | 2003-02-14 | Junji Kido | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
JP2003089522A (ja) * | 2001-09-12 | 2003-03-28 | Mitsui Chemicals Inc | 複合修飾金属カルコゲン化物超微粒子 |
JP2003095656A (ja) * | 2001-09-20 | 2003-04-03 | Fuji Photo Film Co Ltd | 半導体微粒子の製造方法 |
Family Cites Families (34)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4552927A (en) * | 1983-09-09 | 1985-11-12 | Rockwell International Corporation | Conducting organic polymer based on polypyrrole |
JP2846503B2 (ja) | 1990-06-14 | 1999-01-13 | 出光興産株式会社 | 素子用薄膜電極及びそれを有するエレクトロルミネッセンス素子並びにそれらの製造方法 |
US5364654A (en) | 1990-06-14 | 1994-11-15 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Process for production of a thin film electrode and an electroluminescence device |
JP3224829B2 (ja) * | 1991-08-15 | 2001-11-05 | 株式会社東芝 | 有機電界効果型素子 |
JP3631845B2 (ja) * | 1996-06-11 | 2005-03-23 | セイコープレシジョン株式会社 | 有機el素子 |
JPH10270171A (ja) | 1997-01-27 | 1998-10-09 | Junji Kido | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
US5757139A (en) | 1997-02-03 | 1998-05-26 | The Trustees Of Princeton University | Driving circuit for stacked organic light emitting devices |
JP3333130B2 (ja) * | 1998-01-28 | 2002-10-07 | 松下電器産業株式会社 | 複合電極、その製造方法、およびリチウム二次電池 |
JP3884564B2 (ja) | 1998-05-20 | 2007-02-21 | 出光興産株式会社 | 有機el発光素子およびそれを用いた発光装置 |
US6657300B2 (en) | 1998-06-05 | 2003-12-02 | Lumileds Lighting U.S., Llc | Formation of ohmic contacts in III-nitride light emitting devices |
JP3937113B2 (ja) * | 1998-06-05 | 2007-06-27 | 日産化学工業株式会社 | 有機−無機複合導電性ゾル及びその製造法 |
JP3125763B2 (ja) * | 1998-09-04 | 2001-01-22 | 日本電気株式会社 | 電池用電極、二次電池、及びそれらの製造方法 |
US6486413B1 (en) * | 1999-11-17 | 2002-11-26 | Ebara Corporation | Substrate coated with a conductive layer and manufacturing method thereof |
JP2002170687A (ja) * | 2000-09-22 | 2002-06-14 | Fuji Name Plate Kk | 有機エレクトロルミネッセンス素子及び有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
US6841932B2 (en) * | 2001-03-08 | 2005-01-11 | Xerox Corporation | Display devices with organic-metal mixed layer |
AU2002304247A1 (en) * | 2001-06-14 | 2003-01-02 | Showa Denko K.K. | Method for producing composite material for electrode comprising quinoxaline based polymer, such material, electrode and battery using the same |
JP4054631B2 (ja) | 2001-09-13 | 2008-02-27 | シャープ株式会社 | 半導体発光素子およびその製造方法、ledランプ並びにled表示装置 |
JP3983037B2 (ja) | 2001-11-22 | 2007-09-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置およびその作製方法 |
SG194237A1 (en) | 2001-12-05 | 2013-11-29 | Semiconductor Energy Lab | Organic semiconductor element |
US6872472B2 (en) * | 2002-02-15 | 2005-03-29 | Eastman Kodak Company | Providing an organic electroluminescent device having stacked electroluminescent units |
JP3933591B2 (ja) | 2002-03-26 | 2007-06-20 | 淳二 城戸 | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
EP1367659B1 (en) | 2002-05-21 | 2012-09-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organic field effect transistor |
JP4334907B2 (ja) * | 2002-05-21 | 2009-09-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 有機電界効果トランジスタ |
EP1388903B1 (en) | 2002-08-09 | 2016-03-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organic electroluminescent device |
JP4493951B2 (ja) | 2002-08-09 | 2010-06-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
TWI272874B (en) | 2002-08-09 | 2007-02-01 | Semiconductor Energy Lab | Organic electroluminescent device |
TWI277363B (en) | 2002-08-30 | 2007-03-21 | Semiconductor Energy Lab | Fabrication system, light-emitting device and fabricating method of organic compound-containing layer |
WO2004028214A1 (en) | 2002-09-20 | 2004-04-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Fabrication system and manufacturing method of light emitting device |
US6717358B1 (en) | 2002-10-09 | 2004-04-06 | Eastman Kodak Company | Cascaded organic electroluminescent devices with improved voltage stability |
JP4429917B2 (ja) | 2002-12-26 | 2010-03-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置、表示装置及び電子機器 |
US20040124505A1 (en) * | 2002-12-27 | 2004-07-01 | Mahle Richard L. | Semiconductor device package with leadframe-to-plastic lock |
JP4394890B2 (ja) * | 2003-03-10 | 2010-01-06 | 株式会社Kri | 導電性組成物、導電膜、樹脂複合材料 |
US7511421B2 (en) * | 2003-08-25 | 2009-03-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Mixed metal and organic electrode for organic device |
US7504049B2 (en) * | 2003-08-25 | 2009-03-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electrode device for organic device, electronic device having electrode device for organic device, and method of forming electrode device for organic device |
-
2004
- 2004-08-17 US US10/919,334 patent/US7504049B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2004-08-24 WO PCT/JP2004/012457 patent/WO2005027587A1/ja active Application Filing
- 2004-08-24 JP JP2005513833A patent/JPWO2005027587A1/ja not_active Withdrawn
- 2004-08-24 CN CNB2004800314107A patent/CN100551192C/zh not_active Expired - Fee Related
-
2010
- 2010-10-26 JP JP2010240047A patent/JP5089750B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06188074A (ja) * | 1992-12-15 | 1994-07-08 | Canon Inc | 電界発光素子 |
JPH08259843A (ja) * | 1995-03-17 | 1996-10-08 | Daiken Kagaku Kogyo Kk | 複合被覆無機粉体およびその製造法 |
JPH1115408A (ja) * | 1997-06-20 | 1999-01-22 | Casio Comput Co Ltd | 表示装置及びその駆動方法 |
WO2000001203A1 (fr) * | 1998-06-26 | 2000-01-06 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Dispositif luminescent |
JP2000260572A (ja) * | 1999-03-04 | 2000-09-22 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 有機エレクトロルミネッセンスパネル |
JP2000315581A (ja) * | 1999-04-30 | 2000-11-14 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 |
JP2002088487A (ja) * | 2000-09-12 | 2002-03-27 | Japan Science & Technology Corp | 金属微粒子の導電性材料表面への光析出・固定方法 |
JP2003045676A (ja) * | 2001-07-26 | 2003-02-14 | Junji Kido | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
JP2003089522A (ja) * | 2001-09-12 | 2003-03-28 | Mitsui Chemicals Inc | 複合修飾金属カルコゲン化物超微粒子 |
JP2003095656A (ja) * | 2001-09-20 | 2003-04-03 | Fuji Photo Film Co Ltd | 半導体微粒子の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2005027587A1 (ja) | 2005-03-24 |
US7504049B2 (en) | 2009-03-17 |
CN1871878A (zh) | 2006-11-29 |
JP5089750B2 (ja) | 2012-12-05 |
JP2011077044A (ja) | 2011-04-14 |
US20050123751A1 (en) | 2005-06-09 |
CN100551192C (zh) | 2009-10-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5089750B2 (ja) | 有機電界効果トランジスタ | |
JP4666633B2 (ja) | 有機電界効果トランジスタ | |
US7521113B2 (en) | Light-emitting devices with fullerene layer | |
US7358538B2 (en) | Organic light-emitting devices with multiple hole injection layers containing fullerene | |
US6720572B1 (en) | Organic light emitters with improved carrier injection | |
US20060228543A1 (en) | Metal/fullerene anode structure and application of same | |
US20080191611A1 (en) | Composite Material, Light Emitting Element and Light Emitting Device | |
EP1950818B1 (en) | Organic light-emitting device including fluorine-containing compound and carbon-based compound | |
EP1653529B1 (en) | Organic electroluminescent device and method of manufacturing the same | |
EP1175470A1 (en) | Electronic device comprising organic compound having p-type semiconducting characteristics | |
TW200412182A (en) | Organic electroluminescent device | |
WO2007119490A1 (ja) | トランジスタ素子及びその製造方法並びに発光素子及びディスプレイ | |
KR20050017169A (ko) | 애노드 표면 개질층을 사용하는 유기 전계 발광 소자 | |
US20060099448A1 (en) | Top light-emitting devices with fullerene layer | |
KR101246247B1 (ko) | 전계발광소자 및 그것을 구비한 발광장치 | |
KR100637178B1 (ko) | 유기 전계 발광 소자 | |
KR20040070561A (ko) | 유기 전계 발광 소자 | |
TW200421934A (en) | Organic lighting emitting element, organic lighting emitting device having the organic lighting emitting element, and electronic device having the organic lighting emitting device | |
KR100864140B1 (ko) | 할로겐화 풀러렌 유도체를 이용한 유기 전계 발광 소자 | |
WO2001001452A2 (en) | Organic light emitters with improved carrier injection |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070709 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070709 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100202 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100302 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20100803 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101026 |
|
A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20101028 |