[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

JPS6371826A - 光半導体装置 - Google Patents

光半導体装置

Info

Publication number
JPS6371826A
JPS6371826A JP61215806A JP21580686A JPS6371826A JP S6371826 A JPS6371826 A JP S6371826A JP 61215806 A JP61215806 A JP 61215806A JP 21580686 A JP21580686 A JP 21580686A JP S6371826 A JPS6371826 A JP S6371826A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
optical
semiconductor device
carriers
optical semiconductor
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP61215806A
Other languages
English (en)
Inventor
Hitoshi Nakamura
均 中村
Shinji Sakano
伸治 坂野
Hiroaki Inoue
宏明 井上
Toshio Katsuyama
俊夫 勝山
Hiroyoshi Matsumura
宏善 松村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Cable Ltd
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Cable Ltd
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Cable Ltd, Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Cable Ltd
Priority to JP61215806A priority Critical patent/JPS6371826A/ja
Priority to US07/094,601 priority patent/US4840446A/en
Publication of JPS6371826A publication Critical patent/JPS6371826A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/015—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on semiconductor elements having potential barriers, e.g. having a PN or PIN junction
    • G02F1/017—Structures with periodic or quasi periodic potential variation, e.g. superlattices, quantum wells
    • G02F1/01708—Structures with periodic or quasi periodic potential variation, e.g. superlattices, quantum wells in an optical wavequide structure
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/015—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on semiconductor elements having potential barriers, e.g. having a PN or PIN junction
    • G02F1/0151—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on semiconductor elements having potential barriers, e.g. having a PN or PIN junction modulating the refractive index
    • G02F1/0152—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on semiconductor elements having potential barriers, e.g. having a PN or PIN junction modulating the refractive index using free carrier effects, e.g. plasma effect
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/29—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the position or the direction of light beams, i.e. deflection
    • G02F1/31—Digital deflection, i.e. optical switching
    • G02F1/313—Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure
    • G02F1/3137—Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure with intersecting or branching waveguides, e.g. X-switches and Y-junctions
    • G02F1/3138—Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure with intersecting or branching waveguides, e.g. X-switches and Y-junctions the optical waveguides being made of semiconducting materials

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Biophysics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Optical Integrated Circuits (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、光変調器、光スイッチ等の光半導体装置に係
り、特に光集積化素子、光交換器等への応用に好適な光
半導体装置に関する。
〔従来の技術〕
半導体材料へのキャリア注入に伴なう屈折率の変化は、
電気光学効果等による屈折率変化と比べ大きいため、光
スイッチ等への応用が回連である（特開昭６０−１３４
２１９号公報参照）。
また、同方式の屈折率変化は、バルク結晶の場合よりも
量子井戸型（ＭＱＷ）構造の場合の方が大きくなること
が予聞できるため、これらを組み合わせることにより原
理的には高効率で動作する光半導体装置、たとえば低し
きい値半ン？１体レーザ５高効率光変調器あるいは光ス
イッチなどが可能である。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上記従来技術においては、ＭＱＷを構成する半導体薄層
の面に垂直な方向からキャリアを注入している。ＭＱＷ
は井戸層（ウェル層）と障壁層（バリア層）を交互に積
層して構成されるが、このようなＭＱＷの而に垂直な方
向からキャリアを注入すると、注入されたキャリアはバ
リア層で妨害されながら移動して注入口より近いウェル
層から順次満たしていくことになる。そして、注入口よ
り０．１〜０．２μｍ以上のウェル層にはキャリアはほ
とんど達しなくなる。したがって、大出力レーザ、光変
調器、光スイッチなど厚さの大きい、例えば５μｍ以上
の導波路（ＭＱＷ層全体を含む）が必要とされる場合に
は、キャリア注入側より０．１〜０．２μｍ離れた井戸
層ではキャリアの注入量が極めて少なくなり、屈折率の
変化などキャリア注入に伴なう効果が乏しくなる。した
がって、消光比などの光半導体装置としての特性の向上
が期待できない。
本発明の目的は、量子井戸構造でなる半導体層の全域に
キャリアが充分に注入されるような構造の光半導体装置
を提供することにある。
上記目的は、量子井戸構造でなる半導体層の層面に平行
にキャリアを注入する構造により達成できる。この場合
、キャリア注入用の電極は量子井戸層の側面に形成され
る（第１図（ｂ）参照）。
〔作用〕
第１図（ｂ）に示すように、量子井戸構造の多層膜の層
面に沿ってキャリアを注入すると、注入されたキャリア
は量子井戸構造内の２次元的ポテンシャルバリアに影響
されず、全ての井戸層に効率よく注入される。また、量
子井戸構造領域の厚さや量子井戸層の層数を増加しても
注入゛効率は低下しない。
〔実施例〕
以下、本発明の詳細な説明する。
第１閤を用いて光スイッチの一例を説明する。
第】図（ａ）に示すように、本光スイッチは・、全反射
方式の２×２Ｘ型である。光導波路１は、ＩｎＰ／Ｉｎ
ＧａＡｓＰ多重量子井戸よりなり、Ｘ型のチャネルスト
ライプを持っ半絶繍性ＴｎＰ基板１に埋め込まれている
。多重縫子井戸は、ｎ　−Ｉ　ｎＰ　（ｎ＝５Ｘ　１０
１８ｒｎ−８）　、　Ｉ囚Ｊ’２５０人のバリア層、お
よびｎ　−ＴｎＧａＡｓＰ（ｎ　＝　５　Ｘ　Ｌ　０１
１１ＣＩ１１−３）、バンドギャップ波長１．３　μｍ
、膜厚１００人よりなり、全膜厚０．７μｍである。第
１図（ｂ）に第１図（ａ）のＡ−Ａ’断面を示す。
導波路交差部の屈折率変化領域（反射領域）７へ　１の
キャリア注入は、三角形状のｐ電＋４２３．ｎ電極４を
通して行なわれる。７へのキャリア注入を行なうため導
波路、基板を含む四角形の領域５，６にそれぞれＢｅ、
Ｓｉを打ち込みｐ領域、　ｒｉ領領域形成した。導波路
や、導波路交差角は、それぞれ８μｍ、１０°とし、キ
ャリア注入部７の巾は２μｍとした。
本実施例の作製プロセスは以下のとうりである。
■　塩酸系の周知のウェットエツチング法によりＸ　ｊ
ｆＪのチャネルを形成する。
■　ＭＯＣＶＤ法により多重量子井戸構造の半導体層を
形成する。
■　通常のホトリソグラフィ法および硫酸系エツチング
液により、導波路交差角の多重縫子井戸層を除去する。
■　イオン注入法によりＲ８，３１を領域５，６に選択
的に打ち込む。
■　赤外線ランプによりアニールを行なう。
■　ｐｆｆｉ極（Ｃｒ／Ａ　ｒ）３．ｎＴｆｉ極（Ａｕ
ＧｓＮｊ／Ｐｄ／Ａｕ）４を抵抗加熱蒸着により形成す
る。
以上の工程により得られた光スイッチに波長１．３μｍ
の光を入力端８より入射して素子特性を測定した。電極
３，４に電流を流さない場合、出力端１０．ｉｌよりの
出射光の比ＰＩＯ／Ｐｉ↓は約１５ｃｉＢであった。電
流を流すにつれてＰ　＋ｏ／ｐＨは減少し電流値３０ｍ
Ａでほぼ飽和した。その時の消光比Ｐ１０／ＰＬ１は約
−２０ｄ　Ｂであった。
本実施例は、導波路材料にＩ　ｎ）’　／　Ｔ　ｎ（’
ｒＩＩＡｓＰを用いたが、ＩｎＰ／ＩｎＱａＡｓ、Ｔｎ
ＡＱＡ、ｓ／ＩｎＧａＡｓ、Ｇａｒｂ／ＧａＡ　Ｑ　Ｓ
ｂ、ＧａＡｑ／ＧａＡＱＡｓ等の材料を用いても実施で
きた。
また本発明は、他の４９１造の光スイッチにおいても適
用可能である。以下、第１図に示した２×２全反射型光
スイッチをＪ）：Ｊ　＊構造とした実施例のａ−ａ断面
図を示す、第２図はリッジ型、第３図は完全埋込型の例
である。また、第４図では多重量子井戸層よりなる先導
波路交差部の中央部にＰＮ接合を設けたものである。こ
れらも、上述の方法に準じて、周知の技術を用いてｖａ
造することができる。いずれの構造においても、そのス
イッチング速度が１０−９ｓｅｃ以下の良好なスイッチ
ング特性で、かつ駆動電流１００ｍＡにおいて２０ｄＢ
の消光比特性が得られた。因みに、従来技術においては
駆動電流を１００ｍＡ以上にしても５ｄＦ３以上の消光
比特性は得られなかった。
〔発明の効果〕
本発明によれば、多重量子井戸層の全膜厚に関係なく効
率よくキャリアを多重量子井戸内に注入することが可能
であるので同領域内の屈折率を膜厚方向にそって均一に
大きく変化させることができ、光スイッチ、光変調器の
大幅な性能向上をもたらし、その結果、素子の小型化、
低消通電力化。
高い消光比の光半導体装置が実現できる。
【図面の簡単な説明】
第１図の（ａ）は本発明の光スイッチの平面図、（ｂ）
は（ａ）のＡ−Ａ’断面図、第２，３および４図は、各
実施例の光スイッチの第１図（ａ）のＡ−Ａ’断面回で
ある。 １・・・多重量子井戸層、２・・・半絶縁性基板、３・
・・ｐ−電極、４・・・ｎ−電極、５・・・ｐ型領域、
６・・・ｎ型領域、７・・・屈折率変化領域、８，９，
１０．１１・・・光スイッチ入、出射ボート。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、半導体基板上に、半導体薄層を積層した多重量子井
    戸（以下、ＭＱＷ）構造を有し、当該構造の領域のキャ
    リア数の増減により生じる屈折率変化に伴なつて動作す
    る半導体装置において、当該ＭＱＷ構造領域に当該ＭＱ
    Ｗを構成する半導体薄層の面に平行な方向から当該キャ
    リアを注入することを特徴とする光半導体装置。 ２、前記光半導体装置が半導体レーザ装置である特許請
    求の範囲第１項記載の光半導体装置。 ３、前記光半導体装置が光変調器である特許請求の範囲
    第１項記載の光半導体装置。 ４、前記光半導体装置が光スイッチである特許請求の範
    囲第１項記載の光半導体装置。 ５、前記ＭＱＷ構造が、前記基板上に設けられた複数の
    光導波路が交差する領域の全部もしくは一部に設けられ
    ていることを特徴とする特許請求の範囲第４項記載の光
    半導体装置。 ６、前記ＭＱＷを構成する半導体がIII−Ｖ族化合物半
    導体であることを特徴とする特許請求の範囲第１項から
    第５項のいずれかに記載の光半導体装置。
JP61215806A 1986-09-16 1986-09-16 光半導体装置 Pending JPS6371826A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61215806A JPS6371826A (ja) 1986-09-16 1986-09-16 光半導体装置
US07/094,601 US4840446A (en) 1986-09-16 1987-09-09 Photo semiconductor device having a multi-quantum well structure

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61215806A JPS6371826A (ja) 1986-09-16 1986-09-16 光半導体装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS6371826A true JPS6371826A (ja) 1988-04-01

Family

ID=16678565

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP61215806A Pending JPS6371826A (ja) 1986-09-16 1986-09-16 光半導体装置

Country Status (2)

Country Link
US (1) US4840446A (ja)
JP (1) JPS6371826A (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02116820A (ja) * 1988-10-27 1990-05-01 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 光スイッチ
JPH02132415A (ja) * 1988-11-14 1990-05-21 Fujitsu Ltd 光変調器
EP0385671A2 (en) * 1989-03-02 1990-09-05 AT&T Corp. Low loss waveguide intersection
US5031989A (en) * 1987-09-16 1991-07-16 Osaka Electric And Communication University Optical filter coupler
JPH05259567A (ja) * 1992-03-13 1993-10-08 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 導波形多重量子井戸光制御素子

Families Citing this family (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4878723A (en) * 1986-02-06 1989-11-07 Gte Laboratories Incorporated Optically controlled semiconductor waveguide interferometer apparatus
JP2928532B2 (ja) * 1988-05-06 1999-08-03 株式会社日立製作所 量子干渉光素子
US5045894A (en) * 1988-06-29 1991-09-03 Hitachi, Ltd. Compound semiconductor light emitting device
US4943133A (en) * 1988-08-08 1990-07-24 Bell Communications Research, Inc. Low loss semiconductor optical phase modulator
JP2698394B2 (ja) * 1988-09-30 1998-01-19 キヤノン株式会社 非線形光学素子
US5033811A (en) * 1988-11-04 1991-07-23 The Furukawa Electric Co., Ltd. Optical switch
JP2746326B2 (ja) * 1989-01-10 1998-05-06 株式会社日立製作所 半導体光素子
US4923264A (en) * 1989-01-18 1990-05-08 University Of Pittsburgh Of The Commonwealth System Of Higher Education Resonance coupled optical coupler with semiconductor waveguide layer comprising a multi-quantum-well structure
US4958898A (en) * 1989-03-15 1990-09-25 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Silicon double-injection electro-optic modulator with insulated-gate and method of using same
US4999485A (en) * 1989-10-18 1991-03-12 At&T Bell Laboratories Nonlinerar optical device structure with compound semiconductor having graded chemical composition
US5101294A (en) * 1990-03-30 1992-03-31 The University Of Connecticut Surface acoustic wave optical modulator
US5067828A (en) * 1990-08-09 1991-11-26 Rockwell International Corporation Transferred electron effective mass modulator
DE69115205T2 (de) * 1990-09-24 1996-06-27 Philips Electronics Nv Optisch schaltbare Vorrichtung.
JPH04291304A (ja) * 1991-03-20 1992-10-15 Fujitsu Ltd 光導波路および光信号の制御方法
US5138416A (en) * 1991-07-12 1992-08-11 Xerox Corporation Multi-color photosensitive element with heterojunctions
US5270225A (en) * 1992-02-21 1993-12-14 Motorola, Inc. Method of making a resonant tunneling semiconductor device
US5276699A (en) * 1992-11-05 1994-01-04 Eastman Kodak Company Depressed-index ridge waveguide laser diode containing a stabilizing region
US5307361A (en) * 1992-11-05 1994-04-26 Eastman Kodak Company Ridge waveguide laser diode with a depressed-index cladding layer
JPH0720506A (ja) * 1993-06-30 1995-01-24 Mitsubishi Electric Corp 光スイッチ及びその製造方法
US5488679A (en) * 1994-10-27 1996-01-30 Northern Telecom Limited Polarization independent wavelength tunable filter based on birefringence compensation
US6022671A (en) * 1997-03-11 2000-02-08 Lightwave Microsystems Corporation Method of making optical interconnects with hybrid construction
US6144779A (en) * 1997-03-11 2000-11-07 Lightwave Microsystems Corporation Optical interconnects with hybrid construction
US5970186A (en) * 1997-03-11 1999-10-19 Lightwave Microsystems Corporation Hybrid digital electro-optic switch
GB2340616B (en) * 1998-08-13 2000-12-27 Bookham Technology Ltd Electro optic modulator
AU2843100A (en) 1998-11-10 2000-05-29 Lightwave Microsystems Corporation Photonic devices comprising thermo-optic polymer
JP3038383B1 (ja) * 1999-06-08 2000-05-08 東京大学長 光デバイス
US6526195B1 (en) * 2001-01-22 2003-02-25 Nortel Networks Limited Protecting optical switches
US6697552B2 (en) 2001-02-23 2004-02-24 Lightwave Microsystems Corporation Dendritic taper for an integrated optical wavelength router
JP4105403B2 (ja) 2001-04-26 2008-06-25 日本オプネクスト株式会社 半導体光集積素子の製造方法
JP4678143B2 (ja) * 2004-06-04 2011-04-27 横河電機株式会社 光スイッチ
KR100815848B1 (ko) 2007-06-04 2008-03-24 한국표준과학연구원 초고분해능 광 간섭계를 위한 양자얽힘상태 광자 생성장치
US9002146B2 (en) * 2011-02-18 2015-04-07 National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology Optical gate switch
US8852695B2 (en) * 2012-09-10 2014-10-07 The Research Foundation For The State University Of New York Optical barriers, waveguides, and methods for fabricating barriers and waveguides for use in harsh environments
US9500929B2 (en) * 2015-04-15 2016-11-22 Chen-Kuo Sun Vertical electro-optically coupled switch
US20160306256A1 (en) * 2015-04-15 2016-10-20 Chen-Kuo Sun Method for configuring an optical modulator
US20180081253A9 (en) * 2015-04-15 2018-03-22 Chen-Kuo Sun Optical modulator
US10036855B1 (en) * 2017-07-13 2018-07-31 Chen-Kuo Sun Reverse bias modulating waveguide/diode
US10126496B1 (en) 2017-07-13 2018-11-13 Chen-Kuo Sun Reverse bias modulating multi-material waveguide/diode
US10409137B2 (en) 2017-08-22 2019-09-10 Chen-Kuo Sun System and method for controlling energy flux modulation
US10895764B1 (en) 2019-10-24 2021-01-19 Veo, Inc. Dielectric electro-optic phase shifter

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60500639A (ja) * 1983-02-28 1985-05-02 アメリカン テレフオン アンド テレグラフ カムパニ− 多重量子井戸使用による光制御用半導体装置
JPS60252329A (ja) * 1984-05-29 1985-12-13 Hitachi Ltd 光スイツチ
JPS61212823A (ja) * 1985-03-18 1986-09-20 Nec Corp 光変調器

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3246159A (en) * 1962-04-30 1966-04-12 Rca Corp Modulators for light radiation employing carrier injection
US4594718A (en) * 1983-02-01 1986-06-10 Xerox Corporation Combination index/gain guided semiconductor lasers
JP2583480B2 (ja) * 1983-12-23 1997-02-19 株式会社日立製作所 光スイッチ及び光スイッチアレイ
US4716449A (en) * 1984-03-14 1987-12-29 American Telephone And Telegraph Company At&T Bell Laboratories Nonlinear and bistable optical device
JPH0750807B2 (ja) * 1984-03-28 1995-05-31 東北大学長 接合型半導体発光素子
JPS6110293A (ja) * 1984-06-25 1986-01-17 Sharp Corp 光半導体装置
US4705361A (en) * 1985-11-27 1987-11-10 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator
US4727557A (en) * 1985-12-30 1988-02-23 Xerox Corporation Phased array semiconductor lasers fabricated from impurity induced disordering

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60500639A (ja) * 1983-02-28 1985-05-02 アメリカン テレフオン アンド テレグラフ カムパニ− 多重量子井戸使用による光制御用半導体装置
JPS60252329A (ja) * 1984-05-29 1985-12-13 Hitachi Ltd 光スイツチ
JPS61212823A (ja) * 1985-03-18 1986-09-20 Nec Corp 光変調器

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5031989A (en) * 1987-09-16 1991-07-16 Osaka Electric And Communication University Optical filter coupler
JPH02116820A (ja) * 1988-10-27 1990-05-01 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 光スイッチ
JPH02132415A (ja) * 1988-11-14 1990-05-21 Fujitsu Ltd 光変調器
EP0385671A2 (en) * 1989-03-02 1990-09-05 AT&T Corp. Low loss waveguide intersection
JPH05259567A (ja) * 1992-03-13 1993-10-08 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 導波形多重量子井戸光制御素子

Also Published As

Publication number Publication date
US4840446A (en) 1989-06-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS6371826A (ja) 光半導体装置
US5276748A (en) Vertically-coupled arrow modulators or switches on silicon
JPH0348476A (ja) 半導体光素子
JPS62174728A (ja) 光スイツチ
JPH0721594B2 (ja) 光スイツチ
JPS6332988A (ja) 分布帰還形半導体レ−ザ
JPS60252329A (ja) 光スイツチ
JP2503558B2 (ja) 光スイッチ
US6891986B2 (en) Optical switch
JP6622152B2 (ja) 光素子
JPH06130236A (ja) 交差型光スイッチ
JPH023024A (ja) 半導体光スイッチ
WO2021001918A1 (ja) 光変調器
JPH07325328A (ja) 半導体光変調器
JPH0548889B2 (ja)
JPH03174793A (ja) 半導体レーザ
JPS61148427A (ja) 導波形光変調器
JPH01270035A (ja) 光変調装置
JPS5967680A (ja) 光双安定素子
JPH01259329A (ja) 光スイツチ
JPH023025A (ja) 半導体光スイッチ
JPH05119359A (ja) 基板型光スイツチ及びその製造方法
JPS5967679A (ja) 光双安定素子
JPH0331824A (ja) 電極装荷交差型光スイッチ
JPH02146530A (ja) 半導体光スイッチとその製造方法