JPS6334968A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS6334968A JPS6334968A JP17967586A JP17967586A JPS6334968A JP S6334968 A JPS6334968 A JP S6334968A JP 17967586 A JP17967586 A JP 17967586A JP 17967586 A JP17967586 A JP 17967586A JP S6334968 A JPS6334968 A JP S6334968A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 49
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims abstract description 7
- 229920005989 resin Polymers 0.000 abstract description 8
- 239000011347 resin Substances 0.000 abstract description 8
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 abstract description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 5
- 238000007789 sealing Methods 0.000 abstract description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 2
- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 abstract 3
- 238000005476 soldering Methods 0.000 abstract 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002056 binary alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置のリードフレームに関する。
半導体装置の封止構造として、エポキシ樹脂等の樹脂を
充填する構成がある。この樹脂封止型の半導体装置のリ
ードフレームは、鉄にニッケルを４２％含有させた込わ
ゆる二元合金（通称４２合金）や銅を主体とした銅系の
金属薄板を用いてエツチングあるいはプレス加工により
製造されたもので、第２図に示すように、半導体素子４
を固定するだめの半導体素子固定部３と、この半導体素
子４と外部との電気的導通をとるためのリード部２とか
ら成っている。
充填する構成がある。この樹脂封止型の半導体装置のリ
ードフレームは、鉄にニッケルを４２％含有させた込わ
ゆる二元合金（通称４２合金）や銅を主体とした銅系の
金属薄板を用いてエツチングあるいはプレス加工により
製造されたもので、第２図に示すように、半導体素子４
を固定するだめの半導体素子固定部３と、この半導体素
子４と外部との電気的導通をとるためのリード部２とか
ら成っている。
半導体装置の製造工程では、まず金片、銀ペースト等の
σ−材を用いて、リードフレームの半導体素子固定部３
に半導体素子４を固定する。次に金、アルミニウム等の
金属細線７Ｃを用いて、半導体素子４の上の電極と、リ
ードフレームのＩＪ−ド部２とを接続し、半導体素子４
とリード部２の電気的導通をとる。
σ−材を用いて、リードフレームの半導体素子固定部３
に半導体素子４を固定する。次に金、アルミニウム等の
金属細線７Ｃを用いて、半導体素子４の上の電極と、リ
ードフレームのＩＪ−ド部２とを接続し、半導体素子４
とリード部２の電気的導通をとる。
次に、リード部２の一部を除いた部分を、樹脂１で充填
して封止する。この樹脂１が充填されなかった部分のリ
ード部２が外部電極となる。このリード部２を所望の形
状に成形し、品名等を捺印し、半導体装置を形成する。
して封止する。この樹脂１が充填されなかった部分のリ
ード部２が外部電極となる。このリード部２を所望の形
状に成形し、品名等を捺印し、半導体装置を形成する。
最後に外観、電気的特性等の検奔を行ない、半導体装置
が完成する。
が完成する。
前述した従来のリードフレームでは、リードの本数が増
加していくと、製造上、限界がある。
加していくと、製造上、限界がある。
例えば、リードの本数が１００本の場合、約１０簡の正
方形の一辺に２５本のリードを並べる必要がある。この
ためＫは、リード間のピッチが０．４瓢でリードの幅が
０．３鰭程度のリードフレームが必要となる。リードフ
レームに用いる金属板の厚みが０．１５ｍｔ前後である
ため、このようなリードフレームを作製するためには、
金属板の板厚より細かいパターンを加工することになる
。これは、現行のエツチング及びプレス加工の技術では
作製が困難であり、これ以上のリード本数となると、作
製できなくなってしまう。
方形の一辺に２５本のリードを並べる必要がある。この
ためＫは、リード間のピッチが０．４瓢でリードの幅が
０．３鰭程度のリードフレームが必要となる。リードフ
レームに用いる金属板の厚みが０．１５ｍｔ前後である
ため、このようなリードフレームを作製するためには、
金属板の板厚より細かいパターンを加工することになる
。これは、現行のエツチング及びプレス加工の技術では
作製が困難であり、これ以上のリード本数となると、作
製できなくなってしまう。
半導体素子とリード部との距離を犬きくすれば、リード
間のピッチを広くすることができる。しかし、こうする
と半導体素子上の電極とリード部とを接続する金属細線
の長さも長くなってしまう。
間のピッチを広くすることができる。しかし、こうする
と半導体素子上の電極とリード部とを接続する金属細線
の長さも長くなってしまう。
金属細線が長くなると、自重で垂れ下がってしまい、所
望のループ形状が得られなくなってしまう。金属細線が
垂れ下がり、半導体素子の周辺部等に接触すると、電気
的に短絡されてしまい、半導体装置の所定の動作や特性
等が得られなくなってしまう。
望のループ形状が得られなくなってしまう。金属細線が
垂れ下がり、半導体素子の周辺部等に接触すると、電気
的に短絡されてしまい、半導体装置の所定の動作や特性
等が得られなくなってしまう。
また、金属細線が長すぎると、封止用の樹脂を充填する
ときに、金属細線が樹脂におされて変形しやすくなる。
ときに、金属細線が樹脂におされて変形しやすくなる。
また、変形したときの変位量も大きくなる。このため隣
シ合う金属細線どうしが接触してし甘うことがある。こ
うなると、リード間が短絡されてしまい、やはり半導体
装置としての機能をはたさなくなってしまう。以上のよ
うに、半導体素子とリード部との距離には限度があシ、
むやみに長くすることはできない。
シ合う金属細線どうしが接触してし甘うことがある。こ
うなると、リード間が短絡されてしまい、やはり半導体
装置としての機能をはたさなくなってしまう。以上のよ
うに、半導体素子とリード部との距離には限度があシ、
むやみに長くすることはできない。
本発明の目的は、前記欠点を解決し、リードの数が多く
なっても短絡事故等が生じないようにした半導体装置の
リードフレームを提供することにある。
なっても短絡事故等が生じないようにした半導体装置の
リードフレームを提供することにある。
本発明の半導体装置のリードフレームの構成は、半導体
素子が固着される主面を備えた固定部のうち、前記半導
体素子が固着されない部分の前記主面に、絶縁物を取り
付け、この絶縁物の上に配線のための導電パターンを形
成していることを特徴とする。
素子が固着される主面を備えた固定部のうち、前記半導
体素子が固着されない部分の前記主面に、絶縁物を取り
付け、この絶縁物の上に配線のための導電パターンを形
成していることを特徴とする。
次に図面を参照しながら本発明の詳細な説明する。
第１図は本発明の実施例の半導体装置のリードフレーム
の断面図である。同図において、半導体素子固定部３の
主面周辺部に、金片等のロー材を用いて絶縁物５が設け
られている。この絶縁物５の上には、導電体の配線パタ
ーン６が設けられている。まず、半導体素子固定部３の
主面中央に金片等のロー材を用いて半導体素子４をロー
付けする。
の断面図である。同図において、半導体素子固定部３の
主面周辺部に、金片等のロー材を用いて絶縁物５が設け
られている。この絶縁物５の上には、導電体の配線パタ
ーン６が設けられている。まず、半導体素子固定部３の
主面中央に金片等のロー材を用いて半導体素子４をロー
付けする。
次に、半導体素子４の電極と配線パターン６とを金属細
線７ａで接続する。更に、配線パターン６とリード部２
を金属細線７ｂで接続する。これで、配線パターン６を
介して半導体素子４とリード部２との電気的導通がとら
れる。
線７ａで接続する。更に、配線パターン６とリード部２
を金属細線７ｂで接続する。これで、配線パターン６を
介して半導体素子４とリード部２との電気的導通がとら
れる。
次に、リード部２の一部を除いた部分を封止樹脂１で充
填して、外気からし中断する。
填して、外気からし中断する。
本実施例では、半導体素子４とリード部２との間に配線
パターン６を設け、両者の電気的導通の中介をするため
、金属細線７ａ、７ｂの長さを長くせずに、半導体素子
４とリード部２との距離を大きくすることができる。
パターン６を設け、両者の電気的導通の中介をするため
、金属細線７ａ、７ｂの長さを長くせずに、半導体素子
４とリード部２との距離を大きくすることができる。
このため、従来作製が困難だったリード本数が１００本
以上のリードフレームも容易に作製することができる。
以上のリードフレームも容易に作製することができる。
以上説明したように、本発明は、半導体装置用リードフ
レームの半導体素子固定部の周辺部に絶縁物を取り付け
、前記絶縁物の上に配線用の導電体のパターンを設けた
ことにより、リード本数が１００本以上のリードフレー
ムを容易に作製することができる。
レームの半導体素子固定部の周辺部に絶縁物を取り付け
、前記絶縁物の上に配線用の導電体のパターンを設けた
ことにより、リード本数が１００本以上のリードフレー
ムを容易に作製することができる。
第１図は本発明の実施例の半導体装置のリードフレーム
の断面図、第２図は従来の半導体装置のリードフレーム
の断面図である。 １・・・・・・封止樹脂、２・・・・・・リード、３・
・・・・・半導体素子の固定部、４・・・・・・半導体
素子、５・・・・・・絶縁物、６・・・・・・導電体の
配線パターン、７ａ、７ｂ、７ｃ・・・・・・金属細線
。 代理人 弁理士 内 原 晋 売１ワ 峯Ｚ珊
の断面図、第２図は従来の半導体装置のリードフレーム
の断面図である。 １・・・・・・封止樹脂、２・・・・・・リード、３・
・・・・・半導体素子の固定部、４・・・・・・半導体
素子、５・・・・・・絶縁物、６・・・・・・導電体の
配線パターン、７ａ、７ｂ、７ｃ・・・・・・金属細線
。 代理人 弁理士 内 原 晋 売１ワ 峯Ｚ珊
Claims (1)
- 半導体素子が固着される主面を備えた固定部のうち、前
記半導体素子が固着されない部分の前記主面に、絶縁物
を取り付け、この絶縁物の上に配線のための導電パター
ンを形成していることを特徴とする半導体装置のリード
フレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61179675A JPH0666354B2 (ja) | 1986-07-29 | 1986-07-29 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61179675A JPH0666354B2 (ja) | 1986-07-29 | 1986-07-29 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6334968A true JPS6334968A (ja) | 1988-02-15 |
| JPH0666354B2 JPH0666354B2 (ja) | 1994-08-24 |
Family
ID=16069908
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61179675A Expired - Lifetime JPH0666354B2 (ja) | 1986-07-29 | 1986-07-29 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0666354B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0378209A2 (en) * | 1989-01-11 | 1990-07-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Hybrid resin-sealed semiconductor device |
| JPH0372585A (ja) * | 1989-05-29 | 1991-03-27 | Tomoegawa Paper Co Ltd | 接着シート及び半導体装置 |
| JPH03163858A (ja) * | 1989-08-25 | 1991-07-15 | Toshiba Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
| JPH04192450A (ja) * | 1990-11-27 | 1992-07-10 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 複合リードフレーム |
| JPH04192429A (ja) * | 1990-11-27 | 1992-07-10 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 複合リードフレーム |
| JPH04192449A (ja) * | 1990-11-27 | 1992-07-10 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 複合リードフレーム |
| JPH04239161A (ja) * | 1991-01-11 | 1992-08-27 | Nec Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
-
1986
- 1986-07-29 JP JP61179675A patent/JPH0666354B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0378209A2 (en) * | 1989-01-11 | 1990-07-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Hybrid resin-sealed semiconductor device |
| JPH0372585A (ja) * | 1989-05-29 | 1991-03-27 | Tomoegawa Paper Co Ltd | 接着シート及び半導体装置 |
| JPH03163858A (ja) * | 1989-08-25 | 1991-07-15 | Toshiba Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
| JPH04192450A (ja) * | 1990-11-27 | 1992-07-10 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 複合リードフレーム |
| JPH04192429A (ja) * | 1990-11-27 | 1992-07-10 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 複合リードフレーム |
| JPH04192449A (ja) * | 1990-11-27 | 1992-07-10 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 複合リードフレーム |
| JP2516709B2 (ja) * | 1990-11-27 | 1996-07-24 | 住友金属鉱山株式会社 | 複合リ―ドフレ―ム |
| JPH04239161A (ja) * | 1991-01-11 | 1992-08-27 | Nec Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0666354B2 (ja) | 1994-08-24 |
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