JPS6290953A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
集積回路は樹脂あるいはセラミック等の外囲器にICチ
ップが通常1個封入され、使用に当たりユーザ側で必要
なるIcを複数個プリント板に搭載して目的の回路を構
成する。本発明では樹脂封止型ICでパッケージ内に複
数個のICチップを搭載して、装置の小型化及びコスト
の削減を図った半導体装置を述べる。
ップが通常1個封入され、使用に当たりユーザ側で必要
なるIcを複数個プリント板に搭載して目的の回路を構
成する。本発明では樹脂封止型ICでパッケージ内に複
数個のICチップを搭載して、装置の小型化及びコスト
の削減を図った半導体装置を述べる。
本発明は、樹脂封止型ICパッケージにおいて複数個の
ICチップを搭載した半導体装置に関する。
ICチップを搭載した半導体装置に関する。
現在、大量に生産されている低価格ICバッヶ−ジ構造
としては樹脂封止型ICが広く用いられている。ユーザ
としては装置製作に必要とする回路をこれらのICパッ
ケージを必要数プリント板上に搭載して構成しているが
、使用ICの数に比例した実装コストが掛かる。
としては樹脂封止型ICが広く用いられている。ユーザ
としては装置製作に必要とする回路をこれらのICパッ
ケージを必要数プリント板上に搭載して構成しているが
、使用ICの数に比例した実装コストが掛かる。
1個のICチップはパッケージの寸法に比して著しく小
さいので、1つのICパッケージ内に更に大きな回路構
成のICチップを挿入した合理的なICの出現が要望さ
れている。
さいので、1つのICパッケージ内に更に大きな回路構
成のICチップを挿入した合理的なICの出現が要望さ
れている。
上記に述べたごとく、1つのICパッケージに従来の複
数個分のICチップに相当する回路を1個のチップに集
約して収納することは可能である。
数個分のICチップに相当する回路を1個のチップに集
約して収納することは可能である。
然し、このようなチップを新たに製作するにはウェハー
・プロセスで使用する多くの種類のマスクを準備するこ
とが必要であり需要数が少ない場合は合理的でない。
・プロセスで使用する多くの種類のマスクを準備するこ
とが必要であり需要数が少ない場合は合理的でない。
また、同一のウェハーあるいはチップ上に形成すること
が技術的に不可能の場合も起こり得る。
が技術的に不可能の場合も起こり得る。
1つのチップ上に大規模な回路を収容する方法では、開
発に必要なるマスク等の費用を負担するだけの需要数量
を必要とする。
発に必要なるマスク等の費用を負担するだけの需要数量
を必要とする。
この条件に合致しない場合は、セラミック等の基板上に
複数のICチップ及びその他のチップ部品等を搭載して
封入するハイブリッド集積回路を形成する方法が用いら
れる。
複数のICチップ及びその他のチップ部品等を搭載して
封入するハイブリッド集積回路を形成する方法が用いら
れる。
然し、このハイブリッド集積回路もカスタム製品的なる
要素が大で、低コスト化に対しては必ずしも満足すべき
状態ではない。
要素が大で、低コスト化に対しては必ずしも満足すべき
状態ではない。
樹脂封止型ICパッケージで用いられているリードフレ
ーム上にICチップを搭載し、トランスファ・モールド
装置を用いて樹脂封止する技術は、量産化、低価格には
最適である。
ーム上にICチップを搭載し、トランスファ・モールド
装置を用いて樹脂封止する技術は、量産化、低価格には
最適である。
然し、この技術をそのまま適用して、複数のICチップ
を1つのパッケージ内に収容するためには次のの問題点
の解決を必要とする。
を1つのパッケージ内に収容するためには次のの問題点
の解決を必要とする。
即ち、ICチップをリードフレームに搭載する方法、チ
ップ相互間、あるいはリードフレーム端子との配線の方
法、信頼性確保のためのパッケージ構造等について細か
い配慮が必要である。
ップ相互間、あるいはリードフレーム端子との配線の方
法、信頼性確保のためのパッケージ構造等について細か
い配慮が必要である。
上記問題点は、リードフレームのダイステージ上に複数
の半導体チップを搭載せるプリント板を載置する構造と
、該リードフレームの内部リードの端子と、該半導体チ
ップのパッドと、該プリント板に設けられたパッドとを
相互に配線する構造を有してなる本発明の樹脂封止型半
導体装置によって解決される。
の半導体チップを搭載せるプリント板を載置する構造と
、該リードフレームの内部リードの端子と、該半導体チ
ップのパッドと、該プリント板に設けられたパッドとを
相互に配線する構造を有してなる本発明の樹脂封止型半
導体装置によって解決される。
本発明において、プリント板としては多層プリント板を
用いること、あるいはプリント板の裏面に絶縁層を設け
ることにより本発明の価値を高めることが出来る。
用いること、あるいはプリント板の裏面に絶縁層を設け
ることにより本発明の価値を高めることが出来る。
また、リードフレームのダイステージをデプレッション
構造とすること、またその材料として銅合金を使用する
ことにより信頼性の向上をはかることも出来る。
構造とすること、またその材料として銅合金を使用する
ことにより信頼性の向上をはかることも出来る。
プリント板を介在させてICチップを複数個搭載するこ
とにより、ICチップのパッド部とプリント板のパッド
間の相互配線は別工程で、先に準備しておくことが可能
で、ダイステージに搭載後の内部リードの端子との配線
は自動機をそのまま使用して実施することが出来る。
とにより、ICチップのパッド部とプリント板のパッド
間の相互配線は別工程で、先に準備しておくことが可能
で、ダイステージに搭載後の内部リードの端子との配線
は自動機をそのまま使用して実施することが出来る。
多層プリント板を使用することによりクロス配線を生ず
る場合も何等支障はなく配線可能で、スルーホールでの
短絡の問題は、プリント板の裏面に絶縁層を設けること
により避けること出来る。
る場合も何等支障はなく配線可能で、スルーホールでの
短絡の問題は、プリント板の裏面に絶縁層を設けること
により避けること出来る。
また、プリント板の挿入により配線用のパッドとリード
フレームとの端子部との段差は、リードフレームにデプ
レッション構造を設けることにより同一平面内での配線
で行える。
フレームとの端子部との段差は、リードフレームにデプ
レッション構造を設けることにより同一平面内での配線
で行える。
樹脂封入パッケージ内に従来よりも多くのICチップ、
あるいはプリント板等が挿入されているので、封入樹脂
とのマツチングが低下して信頼性を落とすのを避けるた
めリードフレームの材質を銅合金とする方法を用いる。
あるいはプリント板等が挿入されているので、封入樹脂
とのマツチングが低下して信頼性を落とすのを避けるた
めリードフレームの材質を銅合金とする方法を用いる。
本発明の一実施例を図面により詳細説明する。
第1図は本発明の樹脂封止型半導体装置において、完成
品樹脂封止部8を部分的に除去して内部を露出せしめた
上面図を示す。また、第2図はX−Xでの断面図を示す
。
品樹脂封止部8を部分的に除去して内部を露出せしめた
上面図を示す。また、第2図はX−Xでの断面図を示す
。
本実施例では、2個のICチップ2を用い、これらはプ
リント板1に搭載され、更にリードフレーム3のダイス
テージ4に!3!置して固定されている。
リント板1に搭載され、更にリードフレーム3のダイス
テージ4に!3!置して固定されている。
プリント板1は集積度の低いICチップを用いるときは
単層で配線中継用のバッド5のみを設けて使用すること
も可能であるが、搭載チップ数が増加し、またチップの
集積度の高い場合は多層プリント板を使用することが望
ましい。
単層で配線中継用のバッド5のみを設けて使用すること
も可能であるが、搭載チップ数が増加し、またチップの
集積度の高い場合は多層プリント板を使用することが望
ましい。
これはチップ相互間の配線にクロス配線を必要とするこ
とが屡発生するので、この場合、クロス配線をプリント
板の眉間配線層で容易に実施することが可能である。
とが屡発生するので、この場合、クロス配線をプリント
板の眉間配線層で容易に実施することが可能である。
多層プリント板を使用する場合はプリント板の底面には
絶縁層が設けられていることが望ましい・これは多層プ
リント板のとき、そのスルーポールとダイステージを通
して短絡を防止するためである。
絶縁層が設けられていることが望ましい・これは多層プ
リント板のとき、そのスルーポールとダイステージを通
して短絡を防止するためである。
ダイステージ4は、リードフレーム3の内部リード6よ
り一段と低い段差のあるデプレッション構造となってい
る。この理由はプリント板を搭載せる際、プリント板の
バッド5と内部リード6との高さを出来るだけ平面化し
てボンディングを容易とするためである。
り一段と低い段差のあるデプレッション構造となってい
る。この理由はプリント板を搭載せる際、プリント板の
バッド5と内部リード6との高さを出来るだけ平面化し
てボンディングを容易とするためである。
ICチップをプリント板に搭載して、ICチップのバッ
ド7とプリント板のバッド5との配線は別の工程で行っ
ておけば、プリント板1をダイステージ4に搭載して、
内部リード部6とプリント板との配線はすべて従来の装
置を用いて従来と同様の方法により実施することが可能
である。
ド7とプリント板のバッド5との配線は別の工程で行っ
ておけば、プリント板1をダイステージ4に搭載して、
内部リード部6とプリント板との配線はすべて従来の装
置を用いて従来と同様の方法により実施することが可能
である。
配線の終わったアセンブリーは、従来のトランスファ・
モールド装置を用いて、同様に樹脂封止をすることが出
来る。
モールド装置を用いて、同様に樹脂封止をすることが出
来る。
以上に説明せるごとく、本発明の樹脂封止型半導体装置
の構造を適用することにより、複数個のICチップを1
個のパッケージに収容せる集積回路を、従来の装置をそ
のまま使用して極めて低コストで提供することが出来る
。
の構造を適用することにより、複数個のICチップを1
個のパッケージに収容せる集積回路を、従来の装置をそ
のまま使用して極めて低コストで提供することが出来る
。
第1図は本発明にかかわる樹脂封止型半導体装置の上面
図、 第2図は本発明にかかわる樹脂封止型半導体装置の断面
図を示す。 図面において、 1はプリント板、 2はICチップ、 3はリードフレーム、 4はダイステージ、 5はプリント板のバッド、 6は内部リード、 7はICチップのバッド、 8は樹脂封止部、 をそれぞれ示す。
図、 第2図は本発明にかかわる樹脂封止型半導体装置の断面
図を示す。 図面において、 1はプリント板、 2はICチップ、 3はリードフレーム、 4はダイステージ、 5はプリント板のバッド、 6は内部リード、 7はICチップのバッド、 8は樹脂封止部、 をそれぞれ示す。
Claims (5)
- (1)リードフレーム(3)のダイステージ(4)上に
、複数の半導体チップ(2)を搭載せるプリント板(1
)を載置する構造と、 該リードフレームの内部リード(6)と、該半導体チッ
プのパッド(7)と、該プリント板に設けられたパッド
(5)とを相互に配線する構造を有してなることを特徴
とする樹脂封止型半導体装置。 - (2)前記、プリント板(1)として多層プリント板を
用いることを特徴とする特許請求範囲第(1)項記載の
樹脂封止型半導体装置。 - (3)前記、プリント板(1)としてその裏面に絶縁層
を有することを特徴とする特許請求範囲第(1)項記載
の樹脂封止型半導体装置。 - (4)前記、リードフレームのダイステージ(4)をデ
プレッション構造とせることを特徴とする特許請求範囲
第(1)項記載の樹脂封止型半導体装置。 - (5)前記、リードフレーム(3)の材料として銅合金
を使用することを特徴とする特許請求範囲第(1)項記
載の樹脂封止型半導体装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60219624A JPS6290953A (ja) | 1985-10-01 | 1985-10-01 | 樹脂封止型半導体装置 |
KR1019860008118A KR900002908B1 (ko) | 1985-10-01 | 1986-09-27 | 수지 봉지형 반도체 장치 |
US07/207,929 US4903114A (en) | 1985-10-01 | 1988-06-15 | Resin-molded semiconductor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60219624A JPS6290953A (ja) | 1985-10-01 | 1985-10-01 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6290953A true JPS6290953A (ja) | 1987-04-25 |
Family
ID=16738444
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60219624A Pending JPS6290953A (ja) | 1985-10-01 | 1985-10-01 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4903114A (ja) |
JP (1) | JPS6290953A (ja) |
KR (1) | KR900002908B1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100420880B1 (ko) * | 1999-06-02 | 2004-03-02 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 멀티칩의 실장 구조, 전기 광학 장치 및 전자 기기 |
Families Citing this family (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2734463B2 (ja) * | 1989-04-27 | 1998-03-30 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置 |
US5231304A (en) * | 1989-07-27 | 1993-07-27 | Grumman Aerospace Corporation | Framed chip hybrid stacked layer assembly |
US5196992A (en) * | 1989-08-25 | 1993-03-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Resin sealing type semiconductor device in which a very small semiconductor chip is sealed in package with resin |
JP2848682B2 (ja) * | 1990-06-01 | 1999-01-20 | 株式会社東芝 | 高速動作用半導体装置及びこの半導体装置に用いるフィルムキャリア |
US5086335A (en) * | 1990-07-31 | 1992-02-04 | Hewlett-Packard Company | Tape automated bonding system which facilitate repair |
JPH04280664A (ja) * | 1990-10-18 | 1992-10-06 | Texas Instr Inc <Ti> | 半導体装置用リードフレーム |
JPH04352436A (ja) * | 1991-05-30 | 1992-12-07 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
US5138430A (en) * | 1991-06-06 | 1992-08-11 | International Business Machines Corporation | High performance versatile thermally enhanced IC chip mounting |
GB2257827B (en) * | 1991-07-17 | 1995-05-03 | Lsi Logic Europ | Support for semiconductor bond wires |
JPH0536756A (ja) * | 1991-07-30 | 1993-02-12 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置用テープキヤリア及びその製造方法 |
US5532934A (en) * | 1992-07-17 | 1996-07-02 | Lsi Logic Corporation | Floorplanning technique using multi-partitioning based on a partition cost factor for non-square shaped partitions |
US5340772A (en) * | 1992-07-17 | 1994-08-23 | Lsi Logic Corporation | Method of increasing the layout efficiency of dies on a wafer and increasing the ratio of I/O area to active area per die |
JPH06151685A (ja) * | 1992-11-04 | 1994-05-31 | Mitsubishi Electric Corp | Mcp半導体装置 |
JP2809945B2 (ja) * | 1992-11-05 | 1998-10-15 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
WO1994025979A1 (en) * | 1993-04-30 | 1994-11-10 | Lsi Logic Corporation | Integrated circuit with lead frame package having internal power and ground busses |
US5561086A (en) * | 1993-06-18 | 1996-10-01 | Lsi Logic Corporation | Techniques for mounting semiconductor dies in die-receiving areas having support structure having notches |
US5455387A (en) * | 1994-07-18 | 1995-10-03 | Olin Corporation | Semiconductor package with chip redistribution interposer |
US5818102A (en) * | 1995-12-29 | 1998-10-06 | Lsi Logic Corporation | System having integrated circuit package with lead frame having internal power and ground busses |
US6064116A (en) | 1997-06-06 | 2000-05-16 | Micron Technology, Inc. | Device for electrically or thermally coupling to the backsides of integrated circuit dice in chip-on-board applications |
JP3315644B2 (ja) * | 1998-05-14 | 2002-08-19 | 富士通株式会社 | 弾性表面波素子 |
JP3631120B2 (ja) * | 2000-09-28 | 2005-03-23 | 沖電気工業株式会社 | 半導体装置 |
US7199477B1 (en) * | 2000-09-29 | 2007-04-03 | Altera Corporation | Multi-tiered lead package for an integrated circuit |
JP2003188262A (ja) * | 2001-12-14 | 2003-07-04 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体素子 |
US6908843B2 (en) * | 2001-12-28 | 2005-06-21 | Texas Instruments Incorporated | Method and system of wire bonding using interposer pads |
KR100819794B1 (ko) * | 2002-04-02 | 2008-04-07 | 삼성테크윈 주식회사 | 리드프레임 및, 그것을 이용한 반도체 패키지 제조 방법 |
DE102004004422A1 (de) * | 2004-01-29 | 2005-08-18 | Conti Temic Microelectronic Gmbh | Elektronisches Gerät sowie Verfahren zum Bonden eines elektronischen Gerätes |
CN102487025B (zh) * | 2010-12-08 | 2016-07-06 | 飞思卡尔半导体公司 | 用于长结合导线的支撑体 |
US20120286409A1 (en) * | 2011-05-10 | 2012-11-15 | Jitesh Shah | Utilizing a jumper chip in packages with long bonding wires |
US8994157B1 (en) * | 2011-05-27 | 2015-03-31 | Scientific Components Corporation | Circuit system in a package |
US8951847B2 (en) | 2012-01-18 | 2015-02-10 | Intersil Americas LLC | Package leadframe for dual side assembly |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4208698A (en) * | 1977-10-26 | 1980-06-17 | Ilc Data Device Corporation | Novel hybrid packaging scheme for high density component circuits |
JPS58210650A (ja) * | 1982-06-01 | 1983-12-07 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
JPS58220434A (ja) * | 1982-06-16 | 1983-12-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
JPS60250A (ja) * | 1983-06-15 | 1985-01-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ヒ−トポンプ給湯機 |
JPH0751295B2 (ja) * | 1992-07-15 | 1995-06-05 | 株式会社新潟鉄工所 | 回転テーブルの支持装置 |
JPH1195A (ja) * | 1997-06-11 | 1999-01-06 | Yotsugi Kk | 蔓性植物の巻上がり防止装置 |
-
1985
- 1985-10-01 JP JP60219624A patent/JPS6290953A/ja active Pending
-
1986
- 1986-09-27 KR KR1019860008118A patent/KR900002908B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1988
- 1988-06-15 US US07/207,929 patent/US4903114A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100420880B1 (ko) * | 1999-06-02 | 2004-03-02 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 멀티칩의 실장 구조, 전기 광학 장치 및 전자 기기 |
US6775149B1 (en) | 1999-06-02 | 2004-08-10 | Seiko Epson Corporation | Multichip mounted structure, electro-optical apparatus, and electronic apparatus |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4903114A (en) | 1990-02-20 |
KR870004507A (ko) | 1987-05-11 |
KR900002908B1 (ko) | 1990-05-03 |
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