JPS62244165A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS62244165A JPS62244165A JP61088810A JP8881086A JPS62244165A JP S62244165 A JPS62244165 A JP S62244165A JP 61088810 A JP61088810 A JP 61088810A JP 8881086 A JP8881086 A JP 8881086A JP S62244165 A JPS62244165 A JP S62244165A
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Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B12/00—Dynamic random access memory [DRAM] devices
- H10B12/30—DRAM devices comprising one-transistor - one-capacitor [1T-1C] memory cells
Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体記憶装置、特に１トランジスタ・１キヤ
パシタ型のメモリ・セルを有し、そのキャパシタが５ｉ
Ｏｚ／ＳｉＮ／５ｉＯｚ構造であるＭＯＳダイナミック
・２ノダム・アクセス・メモリにおいて、ＳｉＮの製造
の際に生じるその下層の５ｉｎ２の品質を劣化させる幣
害を除去する製造方法に関する。
パシタ型のメモリ・セルを有し、そのキャパシタが５ｉ
Ｏｚ／ＳｉＮ／５ｉＯｚ構造であるＭＯＳダイナミック
・２ノダム・アクセス・メモリにおいて、ＳｉＮの製造
の際に生じるその下層の５ｉｎ２の品質を劣化させる幣
害を除去する製造方法に関する。
近年、微細加工技術の進歩に従い、ＭＯＳ ＤＲＡＭに
使用する素子の寸法は年々縮小の一途をたどっている。
使用する素子の寸法は年々縮小の一途をたどっている。
その縮小化の一環として、１トランジスタ・１−？ヤパ
シタ型のメモリ・セルにおいて、キャパシタ部の構造と
して、絶縁破壊強度及びピンホール対策のために、Ｓｉ
ｎｇ一層から５ｔ（ｈ／ＳｉＮ／５ｉＯｚの構造がある
。
シタ型のメモリ・セルにおいて、キャパシタ部の構造と
して、絶縁破壊強度及びピンホール対策のために、Ｓｉ
ｎｇ一層から５ｔ（ｈ／ＳｉＮ／５ｉＯｚの構造がある
。
ＭＯ８ＤＲＡＭの大容量化に従い、メモリ・セルのキャ
パシタ部も薄膜化する傾向が強くなっている。そこで、
従来、Ｓ ｉＯｚ膜一層で、製造していたが、薄膜化に
伴ない、絶縁破壊強度は最大のものは上昇するが、平均
すると、ピンホールが増大することから、見掛は上方化
することが知られている。
パシタ部も薄膜化する傾向が強くなっている。そこで、
従来、Ｓ ｉＯｚ膜一層で、製造していたが、薄膜化に
伴ない、絶縁破壊強度は最大のものは上昇するが、平均
すると、ピンホールが増大することから、見掛は上方化
することが知られている。
そこで、５ｉｆｔ膜一層の代わりに、５ｉｎ２／ＳｉＮ
／Ｓ １０２ の三層構造によりピンホールの減少が
見込める。ところが、この場合、ＳｉＮの介在により界
面や膜質が劣化するという欠点がある。
／Ｓ １０２ の三層構造によりピンホールの減少が
見込める。ところが、この場合、ＳｉＮの介在により界
面や膜質が劣化するという欠点がある。
本発明の半導体記憶装置の製造方法は、Ｓ ｉＯ２／Ｓ
ｉＮ／５ｉＯｚの構造で、界面や膜質の上質化を見込を
ためＳｉｎｇの製造の際に、塩素を酸化雰囲気中″に１
％−３１含ませることを特徴としている。
ｉＮ／５ｉＯｚの構造で、界面や膜質の上質化を見込を
ためＳｉｎｇの製造の際に、塩素を酸化雰囲気中″に１
％−３１含ませることを特徴としている。
次に、本発明について、図面を参照して説明する。第１
図は本発明の一実施例の縦断面図である。
図は本発明の一実施例の縦断面図である。
半導体（Ｓｉ）基板上に、絶縁膜（１０２，１０３，１
０４）を形成する。その際、５ｉ０２ （１０２）
をまず、塩素を酸素に対して１％−５ｓ含ませた酸化雰
囲気中で作製し、５ｉｎｓ膜とＳｉ 基板間界面及びＳ
ｉ０ｇ膜の品質を上げておく。次に、下層の５ｉｎｓ膜
（１０２）ｔｃ存在するピンホール、ウィーク・スボ質
化し、ピンホール等を防ぐために、さらに、塩素を酸素
に対して１％−５％含ませた酸化雰囲気以上説明したよ
うに、本発明はメモリ・セルのキヤパシタの絶縁膜とし
て、５ｉ（ｈ／ＳｉＮ／５ｉＯｚ三層膜に帰因する腺及
び界面を５ｉＯｚ形成時に、塩素を酸素に対して、１％
−５％含ませることにより、上質化する効果がある。
０４）を形成する。その際、５ｉ０２ （１０２）
をまず、塩素を酸素に対して１％−５ｓ含ませた酸化雰
囲気中で作製し、５ｉｎｓ膜とＳｉ 基板間界面及びＳ
ｉ０ｇ膜の品質を上げておく。次に、下層の５ｉｎｓ膜
（１０２）ｔｃ存在するピンホール、ウィーク・スボ質
化し、ピンホール等を防ぐために、さらに、塩素を酸素
に対して１％−５％含ませた酸化雰囲気以上説明したよ
うに、本発明はメモリ・セルのキヤパシタの絶縁膜とし
て、５ｉ（ｈ／ＳｉＮ／５ｉＯｚ三層膜に帰因する腺及
び界面を５ｉＯｚ形成時に、塩素を酸素に対して、１％
−５％含ませることにより、上質化する効果がある。
第１図は本発明の一実施例の縦断面図である。
１０１・・・・・・半導体基板（Ｓｉ）、１０２・・・
・・・Ｓｉ０ｇ膜、１０３・・・・・・ＳｉＮ膜、１０
４・・・・＝ＳｉＯｚ膜。
・・・Ｓｉ０ｇ膜、１０３・・・・・・ＳｉＮ膜、１０
４・・・・＝ＳｉＯｚ膜。
Claims (1)
- 平板形のキャパシタを有する半導体記憶装置において、
ＳｉＯ＿２／ＳｉＮ／ＳｉＯ＿２構造を用いた場合、塩
素を含ませた酸化雰囲気中でＳｉＯ＿２を製造すること
を特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61088810A JPS62244165A (ja) | 1986-04-16 | 1986-04-16 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61088810A JPS62244165A (ja) | 1986-04-16 | 1986-04-16 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62244165A true JPS62244165A (ja) | 1987-10-24 |
Family
ID=13953246
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61088810A Pending JPS62244165A (ja) | 1986-04-16 | 1986-04-16 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62244165A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH033357A (ja) * | 1989-05-31 | 1991-01-09 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
| EP0459763A1 (en) * | 1990-05-29 | 1991-12-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Thin-film transistors |
-
1986
- 1986-04-16 JP JP61088810A patent/JPS62244165A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH033357A (ja) * | 1989-05-31 | 1991-01-09 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
| EP0459763A1 (en) * | 1990-05-29 | 1991-12-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Thin-film transistors |
| US6607947B1 (en) | 1990-05-29 | 2003-08-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing a semiconductor device with fluorinated layer for blocking alkali ions |
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