JPS61284128A - Signal transmission device - Google Patents
Signal transmission deviceInfo
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- JPS61284128A JPS61284128A JP60125710A JP12571085A JPS61284128A JP S61284128 A JPS61284128 A JP S61284128A JP 60125710 A JP60125710 A JP 60125710A JP 12571085 A JP12571085 A JP 12571085A JP S61284128 A JPS61284128 A JP S61284128A
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は電子機蕃、通信回線等に用いられる信号伝達装
置に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Technical Field] The present invention relates to a signal transmission device used in electronic equipment, communication lines, etc.
従来、この種の装置1例えば非接触コネクタは発光素子
と受光素子の組み合わせて光を媒体として情報を伝達し
ている。この際、情報は直接発光素子を付勢することに
よってデジタル符号化を行なっている。しかし、情報経
路が多くなり、コネクタで接続すべき本数が・増大して
いった場合に、発光素子の個数を増やしていけば、大型
化となりLEDアレー等を用いても大きなコストアップ
となる。Conventionally, this type of device 1, for example, a non-contact connector, uses a combination of a light emitting element and a light receiving element to transmit information using light as a medium. At this time, information is digitally encoded by directly energizing the light emitting element. However, when the number of information paths increases and the number of devices that need to be connected by connectors increases, increasing the number of light emitting elements increases the size and increases the cost even if an LED array or the like is used.
本発明の目的は、上述従来例の欠点を除去するとともに
パラレルに複数の信号線の接続できるコンパクトな信号
伝達装置を提供することにある。SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a compact signal transmission device that eliminates the drawbacks of the conventional example described above and can connect a plurality of signal lines in parallel.
以下1本発明の一実施例を図面を参照して詳細に説明す
る。Hereinafter, one embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
まず本実施例で用いた電気機械素子の1つであるDMD
(Deformable Mirror l1svi
ce)について説明する。First, a DMD, which is one of the electromechanical elements used in this example,
(Deformable Mirror l1svi
ce) will be explained.
DMD素子に関してはI E E Iransact
ion onElectron Device V
ol、E D −30No 、 5544(1983
)に記述がされ、又、光学系についても特開昭59−1
7525に開示されている。Regarding DMD devices, IEE Iransact
ion on Electron Device V
ol, ED-30No, 5544 (1983
), and the optical system was also described in JP-A-59-1.
No. 7525.
第2図(a)にDMDの断面図を示す、1はミラー構造
でkl、Ag等の物質で製造され入射光の反射の役割を
示す、2は1のミラー構造を支持する基板でAuなどで
構成される。3,4は1゜2の支持部材で、3はミラー
コンタクトと呼ばれ、特に電気機械動作をするひんし部
を受けるものであり、4はポリオキサイドSiの絶縁物
質である。Figure 2 (a) shows a cross-sectional view of the DMD. 1 is a mirror structure made of materials such as KL and Ag and plays a role in reflecting incident light. 2 is a substrate that supports the mirror structure 1 and is made of Au, etc. Consists of. Numerals 3 and 4 are 1.degree.2 support members, 3 is called a mirror contact, and is for receiving a diaphragm that performs an electromechanical operation, and 4 is an insulating material of polyoxide Si.
5はポリシリコンゲートでFETMO3)テンシスター
のゲートの役割を示す、6はエアーギャップで、o、e
=〜数牌の空どうである。7はフローティング、フィー
ルドプレートで、8のN+フローティングソースからト
ランジスターのON 、OFF情報により7のフローテ
ィング。5 is a polysilicon gate, which shows the role of the gate of FET MO3) tensister, 6 is an air gap, o, e
=~How many tiles are empty? 7 is a floating field plate, and 7 is floating based on transistor ON/OFF information from the N+ floating source of 8.
フィールドブレードに電圧がかかる。9はN+ドレイン
を示す、これもMO3型FET )ランシスターの構成
の役割をする。10はゲートオキサイド、11はP型シ
リコン基板である。第2図(b)は第2図(a)のA方
向からの斜視図で、12はエアー空隙で13は電気機械
的に摺動するミラ一部、14はひんし部分を示す。15
はDMD表面のミラ一部を示す、DMDはIC又はLS
Iのプロセスと似た工程で製作される。Voltage is applied to the field blade. 9 indicates the N+ drain, which also serves as a configuration of a run sister (MO3 type FET). 10 is a gate oxide, and 11 is a P-type silicon substrate. FIG. 2(b) is a perspective view taken from direction A in FIG. 2(a), where 12 is an air gap, 13 is a part of the mirror that slides electromechanically, and 14 is a bottom part. 15
indicates a mirror part of the DMD surface, DMD is an IC or LS
It is manufactured using a process similar to I.
第2図(C)は電気的等価図を示す、16は1.2のミ
ラー及び支持部材にかかる電圧VMを示す、17は8に
かかる電圧VF を示す、18はトランジスター構成を
示しており、9のD(ドレイン)信号、5のG(ゲート
)信号のON。FIG. 2(C) shows an electrical equivalent diagram, 16 shows the voltage VM applied to the mirror and support member of 1.2, 17 shows the voltage VF applied to 8, 18 shows the transistor configuration, Turn on the D (drain) signal of 9 and the G (gate) signal of 5.
OFFにJ:すVF (7)電圧が8+7)ON 、O
FFされる。この時1.2に電圧V%がかかっており。OFF J:S VF (7) Voltage is 8 + 7) ON, O
It will be FF. At this time, voltage V% is applied to 1.2.
1.2と8間に電位差がON 、OFF信号により増減
されることになる。この時、電位差に応じて6.7間に
つぎの式に応じた力Fが生じ。The potential difference between 1.2 and 8 is increased or decreased by the ON and OFF signals. At this time, a force F according to the following equation is generated between 6.7 and 6.7 depending on the potential difference.
FφKV” (K:定数 v:it位差α:定a F
:曲げ力)
ミラー1.2はひんじ部14で揺動される。第2図(a
)の左図は1.2と8の間に電圧差が大きく有る場合で
、ミラーはひんじ部から折れ曲がり、この作用のため入
射光はミラーのふれ角の2倍角度をかえて反射される。FφKV” (K: constant v: it position difference α: constant a F
: bending force) The mirror 1.2 is swung by the hinge portion 14. Figure 2 (a
) The left figure shows the case where there is a large voltage difference between 1.2 and 8, the mirror bends from the hinge, and due to this action, the incident light is reflected at an angle twice the deflection angle of the mirror. .
一方電圧差が少ない場合は第2図(&)の右図に示すよ
うに、1.2のミラ一部は7によりひっばられる力が少
なく湾曲されない、従って入射光はミラーのふれない状
態で反射されることとなる。DMD素子とは電気的ON
、OFFをミラーの揺動のON、OFFに変換し、さ
らに光のふれ角に変換するものである。On the other hand, when the voltage difference is small, as shown in the right figure of Figure 2 (&), part of the mirror 1.2 is pulled by 7 and is not bent, so the incident light does not touch the mirror. It will be reflected. DMD element is electrically ON
, OFF is converted into ON/OFF of the rocking of the mirror, and further converted into the deflection angle of the light.
上述したDMD素子を用いて電気信号を光信号に変換す
る。An electrical signal is converted into an optical signal using the DMD element described above.
第1図は本実施例の基本構成を示した図である。FIG. 1 is a diagram showing the basic configuration of this embodiment.
第1図において100はDMD素子である。In FIG. 1, 100 is a DMD element.
102は受光素子であり、フォトトランジスタ。102 is a light receiving element, which is a phototransistor.
或いは固体撮像素子(COD)等である。101はDM
D素子の駆動回路であり、該駆動回路101に入力され
る信号に基づいてDMD素子100を駆動する。103
は受光素子102からの信号を一時記憶するバッファで
ある。105はDMD素子lOOから受光素子102に
照射される光をそれぞれ対応したDMD素子から受光素
子102に照射させる為の短焦点レンズである。Alternatively, it may be a solid-state image sensor (COD) or the like. 101 is DM
This is a driving circuit for the D element, and drives the DMD element 100 based on a signal input to the driving circuit 101. 103
is a buffer that temporarily stores the signal from the light receiving element 102. Reference numeral 105 denotes a short focus lens for causing the light irradiated from the DMD element lOO to the light receiving element 102 to be irradiated from the corresponding DMD element to the light receiving element 102, respectively.
第3図は一実施例の構成を示した図である。FIG. 3 is a diagram showing the configuration of one embodiment.
第3図においてllOはプラグ、111はソケットであ
り、104はDMD素子100に光を照射する光の発光
源であり、ハロゲンランプ等の電球、或いは発光ダイオ
ード(LED)等によって構成されている。なお、発光
源は1個のものでもよいし、複数個設けるようにしても
よい。In FIG. 3, 111 is a plug, 111 is a socket, and 104 is a light source for illuminating the DMD element 100, which is composed of a light bulb such as a halogen lamp, a light emitting diode (LED), or the like. Note that the light emitting source may be one, or a plurality of light sources may be provided.
101′はDMD素子100と駆動回路101より成る
送信部である。102’は受光素子102とバッファ1
03より成る受信部である。Reference numeral 101' denotes a transmitting section consisting of a DMD element 100 and a drive circuit 101. 102' is the light receiving element 102 and the buffer 1
03.
DMD素子100の駆動回路101に入力される信号が
OFFの場合(「0」信号の場合)DMD素子100の
ミラ一部は湾曲されないため、発光源104からの光は
DMD素子100のミラ一部で反射され光遮断部105
′で遮られ受信部102’には光が到達しない。When the signal input to the drive circuit 101 of the DMD element 100 is OFF (in the case of a "0" signal), the mirror part of the DMD element 100 is not curved, so the light from the light emitting source 104 is transmitted to the mirror part of the DMD element 100. The light is reflected by the light blocking section 105
', and the light does not reach the receiving section 102'.
又、上記入力信号がONの場合(「l」信号の場合)、
DMD素子100のミラ一部は湾曲されミラ一部で反射
された発光源104からの光は短焦点レンズ105を通
って受信部102′に到達する。Also, when the above input signal is ON (in the case of "l" signal),
A portion of the mirror of the DMD element 100 is curved, and the light from the light emitting source 104 reflected by the portion of the mirror passes through a short focal length lens 105 and reaches the receiving section 102'.
受信部102′の受光素子102は光を検出すると、バ
ッフ7103にON信号(「1」信号)を出力し、光を
検出しない場合はOFF信号(「0」信号)を出力する
。そしてバッファ103によって一時スドックされた後
に出力信号として出力される。When the light receiving element 102 of the receiving section 102' detects light, it outputs an ON signal (a "1" signal) to the buffer 7103, and when it does not detect light, it outputs an OFF signal (a "0" signal). The signal is then temporarily docked by the buffer 103 and then output as an output signal.
DMD素子は50弘間隔でSi基板上に構成することが
できるため、多数個の電気機械変換素子をライン状に並
べることができる。これによって第1図のように複数個
のDMD素子と複数個の受光素子によって複数の情報を
パラレルに伝達することができる。Since DMD elements can be formed on a Si substrate at intervals of 50 hiro, a large number of electromechanical transducer elements can be arranged in a line. This allows a plurality of pieces of information to be transmitted in parallel by a plurality of DMD elements and a plurality of light receiving elements as shown in FIG.
又、第1図、第3図においては、短焦点レンズ105を
用いて発光源104からの光をそれぞれ対応したDMD
素子から受光素子に照射されるように構成したが、発光
源104とDMD素子lOOとの間に短焦点レンズを配
置して平行光をつくることによってそれぞれ対応したD
MD素子から受光素子に光が照射されるようにしてもよ
い、又、短焦点レンズのかわりにそれぞれに光ファイバ
を用いてもよい。In addition, in FIGS. 1 and 3, a short focus lens 105 is used to direct light from a light emitting source 104 to a corresponding DMD.
Although the configuration is such that the light is irradiated from the element to the light-receiving element, a short focus lens is placed between the light emitting source 104 and the DMD element lOO to create parallel light.
Light may be irradiated from the MD element to the light receiving element, or an optical fiber may be used for each instead of a short focal length lens.
第3図では各素子がハウジング内に納められそれぞれの
信号線を出すように構成したが、第4図にはプリント基
板上にそのまま各素子を配置し、プリント基板間の通信
ができるように構成した例を示した図である。In Figure 3, each element is housed in a housing and outputs its own signal line, but in Figure 4, each element is placed directly on a printed circuit board and is configured to allow communication between printed circuit boards. FIG.
第4図において106,107はプリント基板であり、
プリント基板はガイドレール等によって位置決めされて
いる。入力信号ビン109.出力信号ビン108はそれ
ぞれプリント基板106゜107上に直接接続されてい
る。In FIG. 4, 106 and 107 are printed circuit boards,
The printed circuit board is positioned using guide rails or the like. Input signal bin 109. Output signal bins 108 are each connected directly onto printed circuit boards 106 and 107.
送信部ioo’と受信部102′の動作は第3図の場合
と同様であるが、第4図の場合は発光源104と送信部
10σの間に短焦点レンズ105を設は平行光を送信部
100’のDMD素子100のミラ一部に照射する様に
構成されている。この場合それぞれ対応するDMD素子
から受光素子に光が照射される様にプリント基板106
,107を固定しなければならない。The operations of the transmitter ioo' and the receiver 102' are the same as in the case of FIG. 3, but in the case of FIG. It is configured to irradiate a portion of the mirror of the DMD element 100 in the section 100'. In this case, the printed circuit board 106 is arranged so that light is irradiated from the corresponding DMD elements to the light receiving elements.
, 107 must be fixed.
そこで第5UgJで示す様に入力信号ビン109と出力
信号ビン108を光ファイバ112によって接続しても
よい。Therefore, the input signal bin 109 and the output signal bin 108 may be connected by an optical fiber 112 as shown by the fifth UgJ.
第5図の光ファイバ112はそれぞれのDMD素子に1
本の光ファイバが対応するようになっており、第5図の
場合も複数の情報をパラレルに送れるようになっている
。The optical fiber 112 in FIG.
This corresponds to the optical fiber of the book, and in the case of Fig. 5, multiple pieces of information can be sent in parallel.
以上では入出力信号がデジタル信号の場合について説明
したが、DMD素子はアナログ信号に応じてミラーの振
れ角が代わり、それによって受光素子に照射される光量
が変化するので光量を検出する様に構成すれば入出力信
号がアナログ信号でもよい。In the above, we have explained the case where the input/output signal is a digital signal, but the DMD element is configured to detect the amount of light because the deflection angle of the mirror changes depending on the analog signal and the amount of light irradiated to the light receiving element changes accordingly. In this case, the input/output signals may be analog signals.
又、受光素子によって光を検出する場合に所定光量での
閾値を設けることによってアナログ入力信号をデジタル
信号として出力することができる。Further, when light is detected by the light receiving element, an analog input signal can be output as a digital signal by providing a threshold value at a predetermined amount of light.
以上説明した様に本発明によれば、電気機械変換素子と
受光素子を用いる為、複数の情報をパラレルに伝えるこ
とが出来る小型で低価絡めコネクタを提供できる。As explained above, according to the present invention, since an electromechanical transducer and a light receiving element are used, it is possible to provide a compact and low-cost interlocking connector that can transmit a plurality of pieces of information in parallel.
第1図は本実施例の基本構成を示した図、第2図はDM
Dの構成を示した図、
第3図は本実施例の構成を示した図。
第4図は本実施例の応用1例を示した図、第5図は本実
施例の応用例を示した図である。
100はDMD素子、101は駆動回路。
102は受光素子、 103はバッファ、104は発
光源、 105は短焦点レンズ、1・05’は遮光
板である。Figure 1 shows the basic configuration of this embodiment, Figure 2 shows the DM
FIG. 3 is a diagram showing the configuration of this embodiment. FIG. 4 is a diagram showing an example of application of this embodiment, and FIG. 5 is a diagram showing an example of application of this embodiment. 100 is a DMD element, and 101 is a drive circuit. 102 is a light receiving element, 103 is a buffer, 104 is a light emitting source, 105 is a short focus lens, and 1.05' is a light shielding plate.
Claims (1)
基づいて上記電気機械変換素子を制御する制御手段、 上記電気機械変換素子からの光を検出する検出手段を有
し、 上記制御手段と上記電気機械変換素子によって入力信号
を光信号に変換し上記検出手段によって光信号を電気信
号として出力することを特徴とする信号伝達装置。[Scope of Claims] An electromechanical transducer that reflects light from a light source, a control means that controls the electromechanical transducer based on an input signal, and a detection means that detects the light from the electromechanical transducer. . A signal transmission device, characterized in that the control means and the electromechanical conversion element convert an input signal into an optical signal, and the detection means outputs the optical signal as an electric signal.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60125710A JPS61284128A (en) | 1985-06-10 | 1985-06-10 | Signal transmission device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60125710A JPS61284128A (en) | 1985-06-10 | 1985-06-10 | Signal transmission device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61284128A true JPS61284128A (en) | 1986-12-15 |
Family
ID=14916823
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60125710A Pending JPS61284128A (en) | 1985-06-10 | 1985-06-10 | Signal transmission device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61284128A (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01132233A (en) * | 1987-11-18 | 1989-05-24 | Stanley Electric Co Ltd | Light transmitter |
JPH04103738U (en) * | 1992-01-07 | 1992-09-07 | スタンレー電気株式会社 | optical transmitter |
-
1985
- 1985-06-10 JP JP60125710A patent/JPS61284128A/en active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01132233A (en) * | 1987-11-18 | 1989-05-24 | Stanley Electric Co Ltd | Light transmitter |
JPH04103738U (en) * | 1992-01-07 | 1992-09-07 | スタンレー電気株式会社 | optical transmitter |
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