JPS6126779A - プラズマｃｖｄ装置 - Google Patents
プラズマｃｖｄ装置Info
- Publication number
- JPS6126779A JPS6126779A JP14604684A JP14604684A JPS6126779A JP S6126779 A JPS6126779 A JP S6126779A JP 14604684 A JP14604684 A JP 14604684A JP 14604684 A JP14604684 A JP 14604684A JP S6126779 A JPS6126779 A JP S6126779A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrodes
- drums
- drum
- pair
- plasma cvd
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/24—Deposition of silicon only
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/54—Apparatus specially adapted for continuous coating
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
ｒ技術分野】
本発明は、プラズマＣＶＤ装置を用いてドラム等の円ｆ
ｌ［基体の表面にアモルファス・シリコン等の膜を蒸着
して、例えば、電子写真用感光体ドラムを連続的に生産
することができるプラズマＣＶＤ装置に関し、特にドラ
ム表面にアモルファスφシリコン膜を均等に蒸着するこ
とができるプラズマＣＶＤ装置に関するものである。
ｌ［基体の表面にアモルファス・シリコン等の膜を蒸着
して、例えば、電子写真用感光体ドラムを連続的に生産
することができるプラズマＣＶＤ装置に関し、特にドラ
ム表面にアモルファスφシリコン膜を均等に蒸着するこ
とができるプラズマＣＶＤ装置に関するものである。
【従来技術］
この種の装置は、プラズマＣＶＤ装置の電極配置方式か
ら分類すれば、従来の容量結合型プラズマＣＶＤ装置と
同様の構造を有するが、この構造を主に電子写真用感光
体ドラム作製用のプラズマＣＶＤ装置に適用すると、カ
ソード電極とアノード電極（ドラム）とが同心円状に配
置されているため、ドラム収納個数が制約され、装置構
造が複雑になる。 そこで以上のような問題を考慮して、主としてアモルフ
ァス・シリコン感光体材料を用いる電千写真用感光体ド
ラムの量産装置を得べく、上述の従来例のごとき複雑な
装置構造を大幅に簡素化し、ドラムの収納個数を増やし
、かつ電極配置方法、及び形状を改善することにより、
従来の装置では困難であった電子写真用ドラム等の量産
、及び高速成膜を有利に可能ならしめた装置が提案され
た。 第１図はこのようなプラズマＣＶＤ装置を示し、図中１
５は表面にアモルファス・シリコン膜を形成するように
アルミニウム製の基板をドラム状に形成した円筒状基体
としてのドラムである。 １はドラム１５を加熱するための加熱室、２は加熱室ｌ
に続けて設けられ、ドラム１５の表面にプラズマＣＶＤ
法によりアモルファスΦシリコン膜を形成するための反
応室、および３は反応室２に続けて設けられ、膜形成後
のドラム１５を冷却するための冷却室である。これらの
室１．２および３は気密構造を有している。６は保持枠
であって、複数のドラム１５を軸中心に回転させると共
に、これらの中心軸 が互いに同一平面上になるように
、かつ各軸が平行になるように直立して保持し、さらに
ドラム回転搬送機構を有する。 ４は加熱室１内に各室１．２および３の連続方向５沿う
ように配置された一対のヒーターである。 この一対のヒーター４は、互いに平行になるように直立
して配置され、かつその間に配列方向がヒーター４に平
行になるように配置されたドラム１５を加熱する。５は
各室の一側壁に設けられ、各室を真空に保つためのフィ
ルタ１及びバッフルを備えた排気系である。 ７はカソード電極としての一対の平板状電極であって、
互いに平・行になるように直立して反応室２内に配置さ
れている。この一対の電極７は、原料ガス供給のため二
重構造となし、その間に配列方向が電極７・と平行にな
るように配置されたドラム１５に向ってガスを噴出する
多数の孔７Ａを内側全面にわたって有し、さらに外側に
はヒータを有する。８は平板状電極７の外側に接続され
た、同電極７の二重構造内に原料ガスを供給するための
原料ガス供給パイプ、Ｉｌｌは電極７にパイプ８を介し
て接続して同電極７をカソード電極とし、かつこの電極
７に高周波パワーを供給するための電源。 −１−０−Ｊｔ保持枠６に保持されたドラム１５を７ノ
ード電極とするためのアースである。 １１は一対の冷却板であって、互いに平行になるように
直立して冷却室３内に配置されている。一対の冷却板１
１はその間にある膜形成の終ったドラム１５を冷却する
ために内部に水等の冷媒流路を有する。１２は冷却板ｌ
ｌ内に供給する水等の冷媒である。 １３は各室１，２および３を隔離し、かつドラム１５が
保持枠８とともに移動するときに開状態になるように制
御されるゲート・バルブ、１４は加熱室１及び冷却室３
の排気系５に設けられ各室１および３を大気に戻すため
のリーク・バルブである。 保持枠６に固定されたドラム１５は、第１図中左端のゲ
ート・バルブ１３内を通って、加熱室１に保持枠６とと
もに搬入され、排気系５により真空にされた後、加熱室
１内において図中矢印のように回転しながらヒーター４
により加熱される。 加熱されたドラム１５は両室１およ°び２間のゲート・
バルブ１３内を通って排気系５により真空に保たれた反
応室２に保持枠６とともに搬入されて、所定位置に配置
される０反応室２に入ったドラム１５は保持枠６ととも
にアース１０に接続されて、カソード電極としての一対
の電極７に対するアノード電極を形成する。電極７と電
場を形成し、図中矢印で示すように回転しながら、ヒー
ターにより加熱されたドラム１５の表面には、原料ガス
供給パイプ８を介して一対の平板状電極７の内側の孔７
Ａから反応室２内に供給されたシラン等の原料ガスがプ
ラズマ中で分解することによってアモルファス・シリコ
ン膜が形成される。膜形成に寄与したガスは、反応室２
の排気系５から外に排気される。 膜形成の終ったドラム１５は反応室２と冷却室３との間
のゲート・バルブ１３内を通って、排気系５により真空
に保たれた冷却室３に入り、図中矢印のように回転しな
がら冷却板１１を介して冷媒１２と熱交換して冷却され
、リーク・バルブ１４により。 大気に戻された冷却室３から第１図中右端のゲートφバ
ルブ１３内を通って冷却室３外に出される。 しかしながら以上のような構成のプラズマＣＶＤ装置に
おいては次のような欠点がある。すなわち、ドラム！５
の表面にアモルファス・シリコンの膜が堆積する速度は
、放電強度が強いほど速い。 ドラム１５に関して、反応室２内の放電強度は電極７に
近い部分はど強く、そこから離れるほど弱い。 したがってドラム１５の間の間隙に該当する部分の放電
強度が最も弱い。 その結果、ドラム１５の周方向に、アモルファス書シリ
コンの堆積速度が不均一になりやすく、そのため、ドラ
ム１５の表面に得られたアモルファス・シリコンの膜厚
および膜質は不均一になりやすい。 ｒ目的】 本発明の目的は以上のような問題を解消し、膜厚および
膜質の均一なドラム等の円筒状基体が得られるプラズマ
ＣＶＤ装置を提供することにある。 ［実施例］ 第２図は本発明の一実施例にかかるプラズマＣＶＤ装置
の平面図である０本発明にかかるプラズマＣＶＤ装置に
おいては、反応室内の電極および原料ガス供給排気のた
めの構造を除いて第１図に示したプラズマＣＶＤ装置と
同様な構成であるので、以下、反応室について主に説明
する。 すなわち第２図に示すように、本発明にかかるプラズマ
ＣＶＤ装置における反応室２１内には、一対の平板状電
極７が互いに平行になるように直立して配置されている
。 一対の電極７の間の所定位置には、従来の保持枠Ｂと同
様な構成の保持枠８１によって、複数のドラム１５が配
置される。 なお、排気系５は、反応室２１の両側壁に設けられてい
る。 ドラム１５はアースされて、アノード電極となっている
。 一対の電極７の間の所定位置に配置された複数のドラム
１５の間の間隙およびその配列方向の両端の外側部分に
は、カソード電極の一部を構成する棒状補助電極１Ｂを
各々配置する。各電極１８は、カソード電極としての一
対の電極７に電気的に接続する。各電極ｌＢは、例えば
反応室２１の天井壁を貫通して昇降可能になるように適
当な昇降手段に取付け、この昇降手段によって、一対の
電極７の間の所定位置に配置した複数のドラム１５の間
の間隙およびその配列方向の両端の外側部分に配置する
。なお、各電極１Ｂは、反応室２１の天井壁および保持
枠８１と絶縁する。 以上のような構成による本′発明プラズマＣｖＤ装置の
反応室における作用を次に説明する。 まず、棒状補助電極１Ｂを上げておき、反応室２１内の
一対の電極７の間の所定位置に複数のドラム１５を配置
し、アースする。ついで複数のドラム１５の間の間隙お
よびそ配列方向の両端の外側部分に適当な昇降手段によ
って下降させた棒状補助電極１Ｂを各々配置する。つい
で第２図に矢印で示すように、原料ガスを、一対の電極
７の内側の孔から複数のドラム１５に向って噴出し、一
対の電極７および棒状補助電極１Ｂに電極８から高周波
電力を供給する。このように補助電極１Ｂを設けること
によって、複数のドラム１５の間の間隙および配列方向
の両端の外側部分の放電強度の不足を補うことができ、
したがって、複数のドラム１５に関して。 その周方向における放電強度の不均一が良好に改善され
る。 その結果、アモルファス・シリコンの堆積速度をドラム
１５の周方向に均一化することができ、ドラム１５の表
面には膜厚および膜質が均一なアモルファス・シリコン
膜が形成される。 加熱室１および冷却室３におけるドラム１５の処理は従
来と同様である。
ら分類すれば、従来の容量結合型プラズマＣＶＤ装置と
同様の構造を有するが、この構造を主に電子写真用感光
体ドラム作製用のプラズマＣＶＤ装置に適用すると、カ
ソード電極とアノード電極（ドラム）とが同心円状に配
置されているため、ドラム収納個数が制約され、装置構
造が複雑になる。 そこで以上のような問題を考慮して、主としてアモルフ
ァス・シリコン感光体材料を用いる電千写真用感光体ド
ラムの量産装置を得べく、上述の従来例のごとき複雑な
装置構造を大幅に簡素化し、ドラムの収納個数を増やし
、かつ電極配置方法、及び形状を改善することにより、
従来の装置では困難であった電子写真用ドラム等の量産
、及び高速成膜を有利に可能ならしめた装置が提案され
た。 第１図はこのようなプラズマＣＶＤ装置を示し、図中１
５は表面にアモルファス・シリコン膜を形成するように
アルミニウム製の基板をドラム状に形成した円筒状基体
としてのドラムである。 １はドラム１５を加熱するための加熱室、２は加熱室ｌ
に続けて設けられ、ドラム１５の表面にプラズマＣＶＤ
法によりアモルファスΦシリコン膜を形成するための反
応室、および３は反応室２に続けて設けられ、膜形成後
のドラム１５を冷却するための冷却室である。これらの
室１．２および３は気密構造を有している。６は保持枠
であって、複数のドラム１５を軸中心に回転させると共
に、これらの中心軸 が互いに同一平面上になるように
、かつ各軸が平行になるように直立して保持し、さらに
ドラム回転搬送機構を有する。 ４は加熱室１内に各室１．２および３の連続方向５沿う
ように配置された一対のヒーターである。 この一対のヒーター４は、互いに平行になるように直立
して配置され、かつその間に配列方向がヒーター４に平
行になるように配置されたドラム１５を加熱する。５は
各室の一側壁に設けられ、各室を真空に保つためのフィ
ルタ１及びバッフルを備えた排気系である。 ７はカソード電極としての一対の平板状電極であって、
互いに平・行になるように直立して反応室２内に配置さ
れている。この一対の電極７は、原料ガス供給のため二
重構造となし、その間に配列方向が電極７・と平行にな
るように配置されたドラム１５に向ってガスを噴出する
多数の孔７Ａを内側全面にわたって有し、さらに外側に
はヒータを有する。８は平板状電極７の外側に接続され
た、同電極７の二重構造内に原料ガスを供給するための
原料ガス供給パイプ、Ｉｌｌは電極７にパイプ８を介し
て接続して同電極７をカソード電極とし、かつこの電極
７に高周波パワーを供給するための電源。 −１−０−Ｊｔ保持枠６に保持されたドラム１５を７ノ
ード電極とするためのアースである。 １１は一対の冷却板であって、互いに平行になるように
直立して冷却室３内に配置されている。一対の冷却板１
１はその間にある膜形成の終ったドラム１５を冷却する
ために内部に水等の冷媒流路を有する。１２は冷却板ｌ
ｌ内に供給する水等の冷媒である。 １３は各室１，２および３を隔離し、かつドラム１５が
保持枠８とともに移動するときに開状態になるように制
御されるゲート・バルブ、１４は加熱室１及び冷却室３
の排気系５に設けられ各室１および３を大気に戻すため
のリーク・バルブである。 保持枠６に固定されたドラム１５は、第１図中左端のゲ
ート・バルブ１３内を通って、加熱室１に保持枠６とと
もに搬入され、排気系５により真空にされた後、加熱室
１内において図中矢印のように回転しながらヒーター４
により加熱される。 加熱されたドラム１５は両室１およ°び２間のゲート・
バルブ１３内を通って排気系５により真空に保たれた反
応室２に保持枠６とともに搬入されて、所定位置に配置
される０反応室２に入ったドラム１５は保持枠６ととも
にアース１０に接続されて、カソード電極としての一対
の電極７に対するアノード電極を形成する。電極７と電
場を形成し、図中矢印で示すように回転しながら、ヒー
ターにより加熱されたドラム１５の表面には、原料ガス
供給パイプ８を介して一対の平板状電極７の内側の孔７
Ａから反応室２内に供給されたシラン等の原料ガスがプ
ラズマ中で分解することによってアモルファス・シリコ
ン膜が形成される。膜形成に寄与したガスは、反応室２
の排気系５から外に排気される。 膜形成の終ったドラム１５は反応室２と冷却室３との間
のゲート・バルブ１３内を通って、排気系５により真空
に保たれた冷却室３に入り、図中矢印のように回転しな
がら冷却板１１を介して冷媒１２と熱交換して冷却され
、リーク・バルブ１４により。 大気に戻された冷却室３から第１図中右端のゲートφバ
ルブ１３内を通って冷却室３外に出される。 しかしながら以上のような構成のプラズマＣＶＤ装置に
おいては次のような欠点がある。すなわち、ドラム！５
の表面にアモルファス・シリコンの膜が堆積する速度は
、放電強度が強いほど速い。 ドラム１５に関して、反応室２内の放電強度は電極７に
近い部分はど強く、そこから離れるほど弱い。 したがってドラム１５の間の間隙に該当する部分の放電
強度が最も弱い。 その結果、ドラム１５の周方向に、アモルファス書シリ
コンの堆積速度が不均一になりやすく、そのため、ドラ
ム１５の表面に得られたアモルファス・シリコンの膜厚
および膜質は不均一になりやすい。 ｒ目的】 本発明の目的は以上のような問題を解消し、膜厚および
膜質の均一なドラム等の円筒状基体が得られるプラズマ
ＣＶＤ装置を提供することにある。 ［実施例］ 第２図は本発明の一実施例にかかるプラズマＣＶＤ装置
の平面図である０本発明にかかるプラズマＣＶＤ装置に
おいては、反応室内の電極および原料ガス供給排気のた
めの構造を除いて第１図に示したプラズマＣＶＤ装置と
同様な構成であるので、以下、反応室について主に説明
する。 すなわち第２図に示すように、本発明にかかるプラズマ
ＣＶＤ装置における反応室２１内には、一対の平板状電
極７が互いに平行になるように直立して配置されている
。 一対の電極７の間の所定位置には、従来の保持枠Ｂと同
様な構成の保持枠８１によって、複数のドラム１５が配
置される。 なお、排気系５は、反応室２１の両側壁に設けられてい
る。 ドラム１５はアースされて、アノード電極となっている
。 一対の電極７の間の所定位置に配置された複数のドラム
１５の間の間隙およびその配列方向の両端の外側部分に
は、カソード電極の一部を構成する棒状補助電極１Ｂを
各々配置する。各電極１８は、カソード電極としての一
対の電極７に電気的に接続する。各電極ｌＢは、例えば
反応室２１の天井壁を貫通して昇降可能になるように適
当な昇降手段に取付け、この昇降手段によって、一対の
電極７の間の所定位置に配置した複数のドラム１５の間
の間隙およびその配列方向の両端の外側部分に配置する
。なお、各電極１Ｂは、反応室２１の天井壁および保持
枠８１と絶縁する。 以上のような構成による本′発明プラズマＣｖＤ装置の
反応室における作用を次に説明する。 まず、棒状補助電極１Ｂを上げておき、反応室２１内の
一対の電極７の間の所定位置に複数のドラム１５を配置
し、アースする。ついで複数のドラム１５の間の間隙お
よびそ配列方向の両端の外側部分に適当な昇降手段によ
って下降させた棒状補助電極１Ｂを各々配置する。つい
で第２図に矢印で示すように、原料ガスを、一対の電極
７の内側の孔から複数のドラム１５に向って噴出し、一
対の電極７および棒状補助電極１Ｂに電極８から高周波
電力を供給する。このように補助電極１Ｂを設けること
によって、複数のドラム１５の間の間隙および配列方向
の両端の外側部分の放電強度の不足を補うことができ、
したがって、複数のドラム１５に関して。 その周方向における放電強度の不均一が良好に改善され
る。 その結果、アモルファス・シリコンの堆積速度をドラム
１５の周方向に均一化することができ、ドラム１５の表
面には膜厚および膜質が均一なアモルファス・シリコン
膜が形成される。 加熱室１および冷却室３におけるドラム１５の処理は従
来と同様である。
以上説明したように本発明によれば、膜厚および膜質が
均一であり、電気的特性に優れたアモルファス・シリコ
ン等の膜を表面に有する円筒状基体を効率的に得ること
ができる。
均一であり、電気的特性に優れたアモルファス・シリコ
ン等の膜を表面に有する円筒状基体を効率的に得ること
ができる。
第１図は電子写真感光体ドラム製造用の従来のプラズマ
ＣＶＤ装置の平面図、 第２図は電子写真感光体ドラム製造用の本発明にかかる
プラズマＣＶＤ装置の一実施例を示す平面図である。 １５・・・ドラム、 １６・・・棒状補助電極、 区
２１・・・反応室、 −派
ＣＶＤ装置の平面図、 第２図は電子写真感光体ドラム製造用の本発明にかかる
プラズマＣＶＤ装置の一実施例を示す平面図である。 １５・・・ドラム、 １６・・・棒状補助電極、 区
２１・・・反応室、 −派
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 互いに平行になるように配置した一対の平行平板電極と
、 各中心軸が前記電極と平行な同一平面上に位置し、かつ
互いに平行になるように複数の円筒状基体を前記一対の
電極の間の所定位置に配置するための基体保持手段と、 前記所定位置に配置した複数の円筒状基体の間の間隙中
に配置した棒状補助電極とを具えたことを特徴とするプ
ラズマＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14604684A JPS6126779A (ja) | 1984-07-16 | 1984-07-16 | プラズマｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14604684A JPS6126779A (ja) | 1984-07-16 | 1984-07-16 | プラズマｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6126779A true JPS6126779A (ja) | 1986-02-06 |
Family
ID=15398875
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14604684A Pending JPS6126779A (ja) | 1984-07-16 | 1984-07-16 | プラズマｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6126779A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010031363A (ja) * | 2008-06-30 | 2010-02-12 | Canon Inc | 堆積膜形成装置 |
-
1984
- 1984-07-16 JP JP14604684A patent/JPS6126779A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010031363A (ja) * | 2008-06-30 | 2010-02-12 | Canon Inc | 堆積膜形成装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4998968A (en) | Plasma CVD apparatus | |
| WO2005064660A1 (ja) | マイクロ波プラズマ処理方法、マイクロ波プラズマ処理装置及びそのプラズマヘッド | |
| JPS62203328A (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| JPS6126779A (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| JPS6010618A (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| JPH0427293B2 (ja) | ||
| JPS6126777A (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| JPS6126776A (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| JPS6239532B2 (ja) | ||
| JPS616277A (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| JPH01103828A (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| JPS6126778A (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| JPH0152052B2 (ja) | ||
| JPS616276A (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| JP2907403B2 (ja) | 堆積膜形成装置 | |
| JP3259452B2 (ja) | プラズマｃｖｄ装置に用いる電極及びプラズマｃｖｄ装置 | |
| JPS616278A (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| JPS616275A (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| JPH06120153A (ja) | 成膜装置 | |
| JPH05217915A (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| JP2001214276A (ja) | 堆積膜形成装置 | |
| JPS62139878A (ja) | プラズマによる成膜装置 | |
| JP2920637B2 (ja) | グロー放電分解装置 | |
| JPH11106930A (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| JPS6010619A (ja) | グロ−放電による膜形成方法 |