JPH01103828A - プラズマｃｖｄ装置 - Google Patents
プラズマｃｖｄ装置Info
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- JPH01103828A JPH01103828A JP26140387A JP26140387A JPH01103828A JP H01103828 A JPH01103828 A JP H01103828A JP 26140387 A JP26140387 A JP 26140387A JP 26140387 A JP26140387 A JP 26140387A JP H01103828 A JPH01103828 A JP H01103828A
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、真空室内で高周波電極と対向して配置された
基板電極との間にプラズマを発生させて、容器内に導入
される反応ガスを分解し、前記基板電極に取り付けられ
た基板上に薄膜を形成させるプラズマＣＶＤ装置に関す
る。
基板電極との間にプラズマを発生させて、容器内に導入
される反応ガスを分解し、前記基板電極に取り付けられ
た基板上に薄膜を形成させるプラズマＣＶＤ装置に関す
る。
第２図および第３図は従来装置の概略断面図であり、第
２図は第３図のＢ−Ｂ線に沿った矢視方向の全体的な水
平断面図、第３図は第２図のＡ−Ａ矢視方向の側断面図
であり、多層構造からなる薄膜素子たとえばｐｉｎ構造
の非晶質シリコン層を有する光起電力素子などの薄膜生
成装置に使用されているものである０図において、真空
扉３１を備えた真空前室２１と真空扉３６を備えた出口
側の真空後室２５との間にはそれぞれ真空仕切弁３２〜
３５を備えた隔壁により気密に区画されたＣＶＤ処理室
２２゜２３、２４が設けられ各室はそれぞれ真空源４１
に接続されて真空状態を保持できるよう構成されるとと
もに、ＣＶＤ処理室２２〜２４には、それぞれ成膜反応
ガス導入管４２および電極面が鉛直になるよう器壁に絶
縁支持された高周波電極５が設けられている。また高周
波電極５と対向して、対向する側の面に基板ｌを保持し
、ヒータ等の加熱手段６１および温度制御器６２を内蔵
した基板電極６が配置されている。さらに、第３図に示
すように、高周波電極５と基板１とが互いに平行にかつ
所定の間隔Ｇを保持した状態で真空前室２１からＣＶＤ
処理室２２゜２３、２４を経て真空後室２５へと搬送す
る搬送機構６３と、基板電極の加熱手段６１に移動中に
も常に電力が供給して基板電極６を所定温度に加熱する
電力供給機構部６４とが備えられている。
２図は第３図のＢ−Ｂ線に沿った矢視方向の全体的な水
平断面図、第３図は第２図のＡ−Ａ矢視方向の側断面図
であり、多層構造からなる薄膜素子たとえばｐｉｎ構造
の非晶質シリコン層を有する光起電力素子などの薄膜生
成装置に使用されているものである０図において、真空
扉３１を備えた真空前室２１と真空扉３６を備えた出口
側の真空後室２５との間にはそれぞれ真空仕切弁３２〜
３５を備えた隔壁により気密に区画されたＣＶＤ処理室
２２゜２３、２４が設けられ各室はそれぞれ真空源４１
に接続されて真空状態を保持できるよう構成されるとと
もに、ＣＶＤ処理室２２〜２４には、それぞれ成膜反応
ガス導入管４２および電極面が鉛直になるよう器壁に絶
縁支持された高周波電極５が設けられている。また高周
波電極５と対向して、対向する側の面に基板ｌを保持し
、ヒータ等の加熱手段６１および温度制御器６２を内蔵
した基板電極６が配置されている。さらに、第３図に示
すように、高周波電極５と基板１とが互いに平行にかつ
所定の間隔Ｇを保持した状態で真空前室２１からＣＶＤ
処理室２２゜２３、２４を経て真空後室２５へと搬送す
る搬送機構６３と、基板電極の加熱手段６１に移動中に
も常に電力が供給して基板電極６を所定温度に加熱する
電力供給機構部６４とが備えられている。
上述のように構成されたプラズマＣＶＤ装置において、
真空扉３１を開いて真空前室２１に挿入された複数の基
板１を保持した基板電極６を、真空状態に保持された真
空前室２１内で所定温度に加熱したのち、第一のＣＶＤ
処理室２２を同様に排気した状態で真空仕切弁３２を開
き、搬送機構６３を操作することにより基板電極６を第
一〇〇ＶＤ処理室２２に搬送し、真空仕切弁３２を閉じ
る。ついで、処理室２１の真空を保持しつつ成膜反応ガ
ス導入管４２から第−膜生成用の反応ガスを導入し、高
周波電極５に電圧を印加すると、高周波電極５と基板電
極６との間の間隔Ｇの空間中にグロー放電が発生してプ
ラズマ状態となり、第−膜生成用の反応ガスが分解され
て基板電極６に装着した基板１の表面に反応生成物が堆
積し、第−膜を生成することができる。またこれと併行
して真空前室２１には新たな基板電極６が挿入され予備
加熱が行われる。また第二〇〇ＶＤ処理室２３．第三〇
〇ＶＤ処理室２４における操作も同様である。このよう
にして３層の薄膜が形成された基板１を保持した基板電
極６を出口側の真空後室２５に移し、所定の温度になる
まで冷却したのち、真空後室２５を大気圧状態に戻し、
真空扉３１を開放することにより外部に取出す。
真空扉３１を開いて真空前室２１に挿入された複数の基
板１を保持した基板電極６を、真空状態に保持された真
空前室２１内で所定温度に加熱したのち、第一のＣＶＤ
処理室２２を同様に排気した状態で真空仕切弁３２を開
き、搬送機構６３を操作することにより基板電極６を第
一〇〇ＶＤ処理室２２に搬送し、真空仕切弁３２を閉じ
る。ついで、処理室２１の真空を保持しつつ成膜反応ガ
ス導入管４２から第−膜生成用の反応ガスを導入し、高
周波電極５に電圧を印加すると、高周波電極５と基板電
極６との間の間隔Ｇの空間中にグロー放電が発生してプ
ラズマ状態となり、第−膜生成用の反応ガスが分解され
て基板電極６に装着した基板１の表面に反応生成物が堆
積し、第−膜を生成することができる。またこれと併行
して真空前室２１には新たな基板電極６が挿入され予備
加熱が行われる。また第二〇〇ＶＤ処理室２３．第三〇
〇ＶＤ処理室２４における操作も同様である。このよう
にして３層の薄膜が形成された基板１を保持した基板電
極６を出口側の真空後室２５に移し、所定の温度になる
まで冷却したのち、真空後室２５を大気圧状態に戻し、
真空扉３１を開放することにより外部に取出す。
しかし、非晶質シリコン光起電力素子のためのプラズマ
ＣＶＤ装置の成膜工程においては、第二〇〇ＶＤ処理室
２３における第二膜の厚いｌ膜生成の時間が長く必要な
ため生産性が上がらないという問題があった。この問題
を解決した装置として、第４図に示したように第二のＣ
ＶＤ処理室２３を大きくし、基板電極６を複数組収納し
、第二膜の生成を一度に行う装置が知られている。
ＣＶＤ装置の成膜工程においては、第二〇〇ＶＤ処理室
２３における第二膜の厚いｌ膜生成の時間が長く必要な
ため生産性が上がらないという問題があった。この問題
を解決した装置として、第４図に示したように第二のＣ
ＶＤ処理室２３を大きくし、基板電極６を複数組収納し
、第二膜の生成を一度に行う装置が知られている。
第４図に示したような一つのＣＶＤ処理室に複数の基板
電極６を収納した場合、各基板電極に対向配置される高
周波電極５は、各々の給電部５３を導体５４で結合して
電源５５に接続される。しかし、この場合各基板電極６
の高周波電極５の間の間隙の部分ではプラズマ反応が行
われないため、プラズマ発生状態が均一にならず、基板
１上に生成される膜の膜厚分布が不均一になるという問
題があった。また各高周波電極５の間に電位差が生じ、
あるいは各高周波電極５と基板電極６との間隔に不同が
生じ、プラズマ反応の制御が不安定となる問題があった
。この問題の対策としては、高周波電極を１枚としてプ
ラズマの均一化を図ることが考えられるが、電極寸法が
大きくなり取扱い上不便となる欠点がある。また複数の
高周波電極を密着させて配置することは、処理中の温度
上昇による熱膨張によって電極が湾曲し、そのためにプ
ラズマの不均一が起こるという欠点がある。
電極６を収納した場合、各基板電極に対向配置される高
周波電極５は、各々の給電部５３を導体５４で結合して
電源５５に接続される。しかし、この場合各基板電極６
の高周波電極５の間の間隙の部分ではプラズマ反応が行
われないため、プラズマ発生状態が均一にならず、基板
１上に生成される膜の膜厚分布が不均一になるという問
題があった。また各高周波電極５の間に電位差が生じ、
あるいは各高周波電極５と基板電極６との間隔に不同が
生じ、プラズマ反応の制御が不安定となる問題があった
。この問題の対策としては、高周波電極を１枚としてプ
ラズマの均一化を図ることが考えられるが、電極寸法が
大きくなり取扱い上不便となる欠点がある。また複数の
高周波電極を密着させて配置することは、処理中の温度
上昇による熱膨張によって電極が湾曲し、そのためにプ
ラズマの不均一が起こるという欠点がある。
本発明の目的は、上述の問題を解決し、一つのＣＶＤ処
理室に収納された基板装着電極と広い面積で対向する高
周波電極との間に均一なプラズマを発生させ、各基板上
に均一な膜厚の成膜を行うことのできるプラズマＣＶＤ
装置を提供することにある。
理室に収納された基板装着電極と広い面積で対向する高
周波電極との間に均一なプラズマを発生させ、各基板上
に均一な膜厚の成膜を行うことのできるプラズマＣＶＤ
装置を提供することにある。
上記の目的を達成するために、本発明は、一つの真空室
に基板装着電極に対向して高周波電源に接続される高周
波電極が配置されるプラズマＣＶＤ装置の高周波電極が
複数であり、隣接する高周波電極の一面に当接する平面
を有する接続板を備えて電極間隔を可変にして結合する
接続体によって互いに電気的に接続されたものとする。
に基板装着電極に対向して高周波電源に接続される高周
波電極が配置されるプラズマＣＶＤ装置の高周波電極が
複数であり、隣接する高周波電極の一面に当接する平面
を有する接続板を備えて電極間隔を可変にして結合する
接続体によって互いに電気的に接続されたものとする。
隣接高周波電極間にそれと等電位の接続体が存在するた
め、接続板部分と基板電極との間にもプラズマが発生し
、また高周波電極の一面に当接する平面を有する接続板
により隣接電極の表面が同一平面となるため、基板電極
と高周波電極との間隔も均一になるため、基板電極と高
周波電極および接続体との間に均一なプラズマが発生し
、基板面上の成膜厚さが均一となる。さらに、接続体は
隣接高周波電極を電極間隔を可変にして結合するため、
高周波電極が熱膨張してもその膨張が吸収され、変形す
ることがない。
め、接続板部分と基板電極との間にもプラズマが発生し
、また高周波電極の一面に当接する平面を有する接続板
により隣接電極の表面が同一平面となるため、基板電極
と高周波電極との間隔も均一になるため、基板電極と高
周波電極および接続体との間に均一なプラズマが発生し
、基板面上の成膜厚さが均一となる。さらに、接続体は
隣接高周波電極を電極間隔を可変にして結合するため、
高周波電極が熱膨張してもその膨張が吸収され、変形す
ることがない。
以下図を引用して本発明の実施例について説明する。第
２．３．４図を含め各図において共通の部分には同一の
符号が付される。
２．３．４図を含め各図において共通の部分には同一の
符号が付される。
第１図において、三つの高周波電極５は、第ニー のＣ
ＶＤ処理室２３の中で搬送機構によって真空仕切弁３３
を介して移送された基板１を保持する基板電極６と対向
して配置される。高周波電極５の数は、第二〇〇ＶＤ処
理室２３で処理しようとする基板ｌの数量９寸法より決
定される。このような構成において、隣接高周波電極５
は接続板７を介してボルト７１によって接続されて一つ
の高周波電極−を形成している。これにより第二〇ＣＶ
Ｄ処理室２３に搬送機構によって真空仕切弁３３を介し
て移送された３組の基板電極６に装着される基板１上へ
の膜生成は、高周波電極５間の隙間による電位差の影響
がなくなり、また高周波電極５と基板電極６との間隔が
一定するため、安定したプラズマ反応が得られ膜厚分布
の均一な薄膜を生成することができる。さらに、接続板
７のボルト７１のためのボルト穴を高周波電極５の配列
方向の長大とすることにより、処理中の高周波電極の熱
膨張を吸収できる。
ＶＤ処理室２３の中で搬送機構によって真空仕切弁３３
を介して移送された基板１を保持する基板電極６と対向
して配置される。高周波電極５の数は、第二〇〇ＶＤ処
理室２３で処理しようとする基板ｌの数量９寸法より決
定される。このような構成において、隣接高周波電極５
は接続板７を介してボルト７１によって接続されて一つ
の高周波電極−を形成している。これにより第二〇ＣＶ
Ｄ処理室２３に搬送機構によって真空仕切弁３３を介し
て移送された３組の基板電極６に装着される基板１上へ
の膜生成は、高周波電極５間の隙間による電位差の影響
がなくなり、また高周波電極５と基板電極６との間隔が
一定するため、安定したプラズマ反応が得られ膜厚分布
の均一な薄膜を生成することができる。さらに、接続板
７のボルト７１のためのボルト穴を高周波電極５の配列
方向の長大とすることにより、処理中の高周波電極の熱
膨張を吸収できる。
第５図は、本発明の他の実施例の部分詳細図を示し、第
１図で説明した接続機構を変形したものである。すなわ
ち、隣接高周波電極５の間隙にばね７２によって引っば
られる２枚の接続板７によって高周波電極５をはさみ込
み接続した。これにより安定したプラズマ反応が得られ
膜厚分布の均一な薄膜を生成することができる。高周波
電極５はばね力で接続板７間に挟着されているので、洗
浄。
１図で説明した接続機構を変形したものである。すなわ
ち、隣接高周波電極５の間隙にばね７２によって引っば
られる２枚の接続板７によって高周波電極５をはさみ込
み接続した。これにより安定したプラズマ反応が得られ
膜厚分布の均一な薄膜を生成することができる。高周波
電極５はばね力で接続板７間に挟着されているので、洗
浄。
補修作業時の分解９組立が容易となり、かつ温度上昇に
よる熱膨張にも対応でき、大きな面積の一つの高周波電
極として働く。
よる熱膨張にも対応でき、大きな面積の一つの高周波電
極として働く。
第６図は、本発明のさらに別の実施例を示し、第７図は
その動作説明図である。
その動作説明図である。
第６図において各高周波電極５１．５２は、それぞれス
テンレス鋼製で接地される処理室扉８１に絶縁して固定
され、ＣＶＤ処理室２３の中で、搬送機構によって真空
仕切弁３３を介して移送された基板装着電極６と対向し
て配置される。しかし、各高周波電極５１．５２は処理
室扉８１と共に処理室壁８２に固定された第一回転軸９
１および第一回転軸９１に固定された第二回転軸９２の
周りにヒンジ９３を介して回転可能である。一方の高周
波電極５２の一面の端部に接続板７が固定され、その接
続板にさらに接触ばね板７３が固定される。接続板７が
他方の高周波電極５１の一面の端部に接触すると共に、
ばね板７３が高周波電極５１の側面に接触することによ
り、両高周波電極５１．５２が接続されている。
テンレス鋼製で接地される処理室扉８１に絶縁して固定
され、ＣＶＤ処理室２３の中で、搬送機構によって真空
仕切弁３３を介して移送された基板装着電極６と対向し
て配置される。しかし、各高周波電極５１．５２は処理
室扉８１と共に処理室壁８２に固定された第一回転軸９
１および第一回転軸９１に固定された第二回転軸９２の
周りにヒンジ９３を介して回転可能である。一方の高周
波電極５２の一面の端部に接続板７が固定され、その接
続板にさらに接触ばね板７３が固定される。接続板７が
他方の高周波電極５１の一面の端部に接触すると共に、
ばね板７３が高周波電極５１の側面に接触することによ
り、両高周波電極５１．５２が接続されている。
次に第７図を引用してこの装置の高周波電極の組立方法
を説明する。第７図（ａ）は高周波電極５２が既に基板
装着電極６と対向する位置にあり、高周波電極５１はＣ
ＶＤ処理室扉８１と共に処理室２３の外にあることを示
す、第７図〜）においては、高周波電極５１を固定した
処理室扉８１がヒンジ９３を介して第一回転軸９１を中
心にＣＶＤ処理室２３に向けて回転し、図示しないスト
ッパにより処理室壁８２と間隔Ｆを保つ位置まで移動す
る０次いでストッパを外すことにより、処理室扉８１お
よび高周波電極５１を第二回転軸９２を中心にヒンジ９
３を介して回転させる。その結果、第７図（Ｃ）に示す
ように処理室扉８１は処理室壁８２に接触して処理室を
閉塞し、同時に高周波電極５１は第７図（ｂ）に矢印１
０で示すように移動して高周波電極５２に固定された接
続板７に接触し、基板電極６に近接した位置に達する。
を説明する。第７図（ａ）は高周波電極５２が既に基板
装着電極６と対向する位置にあり、高周波電極５１はＣ
ＶＤ処理室扉８１と共に処理室２３の外にあることを示
す、第７図〜）においては、高周波電極５１を固定した
処理室扉８１がヒンジ９３を介して第一回転軸９１を中
心にＣＶＤ処理室２３に向けて回転し、図示しないスト
ッパにより処理室壁８２と間隔Ｆを保つ位置まで移動す
る０次いでストッパを外すことにより、処理室扉８１お
よび高周波電極５１を第二回転軸９２を中心にヒンジ９
３を介して回転させる。その結果、第７図（Ｃ）に示す
ように処理室扉８１は処理室壁８２に接触して処理室を
閉塞し、同時に高周波電極５１は第７図（ｂ）に矢印１
０で示すように移動して高周波電極５２に固定された接
続板７に接触し、基板電極６に近接した位置に達する。
その際、高周波電極５１の側面はばね板７３を押しなが
ら接触する。このあと両高周波電極５１．５２から引き
出された給電部５３と高周波電源を導体５４により接続
する。このようにして接続板７および接触ばね板７３に
より接続された二つの高周波電極５１．５２よりなる大
面積の高周波電極が形成される。三つの基板装着電極６
に一定の間隔を保って対向するため、均一なプラズマが
発生し、安定したプラズマ反応により膜厚分布の均一な
薄膜が生成できる。
ら接触する。このあと両高周波電極５１．５２から引き
出された給電部５３と高周波電源を導体５４により接続
する。このようにして接続板７および接触ばね板７３に
より接続された二つの高周波電極５１．５２よりなる大
面積の高周波電極が形成される。三つの基板装着電極６
に一定の間隔を保って対向するため、均一なプラズマが
発生し、安定したプラズマ反応により膜厚分布の均一な
薄膜が生成できる。
そして処理中の高周波電極の熱膨張はばね板７３の変形
により吸収される。また、高周波電極および処理室扉を
二つの回転軸により回転移動することにより回転半径を
小さくすることができ、ＣＶＤ処理室を小型化できて設
備費の低減および原料ガスの節約を図ることができる。
により吸収される。また、高周波電極および処理室扉を
二つの回転軸により回転移動することにより回転半径を
小さくすることができ、ＣＶＤ処理室を小型化できて設
備費の低減および原料ガスの節約を図ることができる。
さらに高周波電極および処理室扉の回転移動により、Ｃ
ＶＤ処理室の清掃、補修が容易となる。
ＶＤ処理室の清掃、補修が容易となる。
本発明によれば、真空室内に複数枚の分割高周波電極を
配置し、各々隣り合う高周波電極を電極間隔を可変にし
て結合する接続体により電気的に接続し、一つの高周波
電極を形成したことにより、多数の基板上への薄膜生成
を一度にでき、接続体が各高周波電極間の間隙を塞いだ
ことにより、電極間の電位差がなくなり、各高周波電極
面に当接する接続板によって基板装着電極との間隙も一
定になるので広い範囲に安定したプラズマ反応が制御で
き、均一な薄膜を生成することができる。さらには、大
面積基板への均一な薄膜生成にも有効に適用できる。
配置し、各々隣り合う高周波電極を電極間隔を可変にし
て結合する接続体により電気的に接続し、一つの高周波
電極を形成したことにより、多数の基板上への薄膜生成
を一度にでき、接続体が各高周波電極間の間隙を塞いだ
ことにより、電極間の電位差がなくなり、各高周波電極
面に当接する接続板によって基板装着電極との間隙も一
定になるので広い範囲に安定したプラズマ反応が制御で
き、均一な薄膜を生成することができる。さらには、大
面積基板への均一な薄膜生成にも有効に適用できる。
第１図は本発明の一実施例の要部水平断面図、第２図、
第３図は従来のプラズマＣＶＤ装置を示し、第２図は第
３図のＢ−Ｂ線矢視断面図、第３図は第２図のＡ−Ａ線
矢視断面図、第４図は従来装置の異なる例の要部水平断
面図、第５図は本発明の別の実施例の高周波電極断面図
、第６図はさらに別の実施例の要部水平断面図、第７図
（ａ）〜（ｅ）は第６図の装置の組立工程を順次示す水
平断面図である。 １：成膜基板、２２．２３．２４： ＣＶＤ処理室、５
゜５１．５２：高周波電極、６：基板装着電極、７：接
続板、７１：ボルト、７２：ばね、７３：接触ばね板。 第６図 第７図
第３図は従来のプラズマＣＶＤ装置を示し、第２図は第
３図のＢ−Ｂ線矢視断面図、第３図は第２図のＡ−Ａ線
矢視断面図、第４図は従来装置の異なる例の要部水平断
面図、第５図は本発明の別の実施例の高周波電極断面図
、第６図はさらに別の実施例の要部水平断面図、第７図
（ａ）〜（ｅ）は第６図の装置の組立工程を順次示す水
平断面図である。 １：成膜基板、２２．２３．２４： ＣＶＤ処理室、５
゜５１．５２：高周波電極、６：基板装着電極、７：接
続板、７１：ボルト、７２：ばね、７３：接触ばね板。 第６図 第７図
Claims (1)
- １）一つの真空室に基板装着電極に対向して高周波電源
に接続される高周波電極が配置されるものにおいて、高
周波電極が複数であり、隣接する高周波電極の一面に当
接する接続板を備えて電極間隔を可変にして結合する接
続体によって互いに電気的に接続されたことを特徴とす
るプラズマＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26140387A JPH01103828A (ja) | 1987-10-16 | 1987-10-16 | プラズマｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26140387A JPH01103828A (ja) | 1987-10-16 | 1987-10-16 | プラズマｃｖｄ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01103828A true JPH01103828A (ja) | 1989-04-20 |
| JPH0573327B2 JPH0573327B2 (ja) | 1993-10-14 |
Family
ID=17361384
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26140387A Granted JPH01103828A (ja) | 1987-10-16 | 1987-10-16 | プラズマｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01103828A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5718769A (en) * | 1994-03-22 | 1998-02-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Plasma processing apparatus |
| US5855679A (en) * | 1995-03-30 | 1999-01-05 | Nec Corporation | Semiconductor manufacturing apparatus |
| JP2002184706A (ja) * | 2000-12-19 | 2002-06-28 | Ulvac Japan Ltd | 真空処理装置 |
| US6526910B2 (en) | 1999-12-03 | 2003-03-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Apparatus and method for forming a deposited film by means of plasma CVD |
| US6632284B2 (en) | 2000-01-31 | 2003-10-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Apparatus and method for forming deposited film |
| US20090266488A1 (en) * | 2005-04-05 | 2009-10-29 | Kiyoshi Arita | Plasma Processing Apparatus |
| WO2018055700A1 (ja) * | 2016-09-21 | 2018-03-29 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法および電極固定ユニット |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS6192054U (ja) * | 1984-11-22 | 1986-06-14 |
-
1987
- 1987-10-16 JP JP26140387A patent/JPH01103828A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6192054U (ja) * | 1984-11-22 | 1986-06-14 |
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| US6846521B2 (en) | 2000-01-31 | 2005-01-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Apparatus and method for forming deposited film |
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| JPWO2018055700A1 (ja) * | 2016-09-21 | 2019-01-31 | 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ | 基板処理装置、半導体装置の製造方法および電極固定ユニット |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0573327B2 (ja) | 1993-10-14 |
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