JPS6126776A - プラズマｃｖｄ装置 - Google Patents
プラズマｃｖｄ装置Info
- Publication number
- JPS6126776A JPS6126776A JP14604384A JP14604384A JPS6126776A JP S6126776 A JPS6126776 A JP S6126776A JP 14604384 A JP14604384 A JP 14604384A JP 14604384 A JP14604384 A JP 14604384A JP S6126776 A JPS6126776 A JP S6126776A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- drums
- raw material
- material gas
- electrodes
- drum
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/54—Apparatus specially adapted for continuous coating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/24—Deposition of silicon only
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
［技術分野Ｊ
本発明は、プラズマＣＶＤ技術を用いてドラム等の円筒
状基体の表面にアモルファス・シリコン等の膜を蒸着し
て、例えば、電子写真用感光体ドラムを連続的に生産す
ることができるプラズマＣＶＤ装置に関し、特にその原
料ガスを適切に処理してドラム表面にアモルファス・シ
リコン膜を均等に蒸着することができるプラズマＣＶＤ
装置に関するものである。 ［従来技術］ この種の装置は、プラズマＣＶＤ装置の電極配置方式か
ら分類すれば、従来の容量結合型プラズマＣＶＯ装置と
同様の構造を有する。 しかしながら、この構造を主に電子写真用感光体ドラム
作製用のプラズマＣＶＤ装置に適用すると、カソード電
極とアノード電極（ドラム）とが同心円状に配置されて
いるため、ドラム収納個数が制約され、装置構造が複雑
になる。
状基体の表面にアモルファス・シリコン等の膜を蒸着し
て、例えば、電子写真用感光体ドラムを連続的に生産す
ることができるプラズマＣＶＤ装置に関し、特にその原
料ガスを適切に処理してドラム表面にアモルファス・シ
リコン膜を均等に蒸着することができるプラズマＣＶＤ
装置に関するものである。 ［従来技術］ この種の装置は、プラズマＣＶＤ装置の電極配置方式か
ら分類すれば、従来の容量結合型プラズマＣＶＯ装置と
同様の構造を有する。 しかしながら、この構造を主に電子写真用感光体ドラム
作製用のプラズマＣＶＤ装置に適用すると、カソード電
極とアノード電極（ドラム）とが同心円状に配置されて
いるため、ドラム収納個数が制約され、装置構造が複雑
になる。
【目的１
そこで本発明の目的は、以上のような問題を解消して、
例えばアモルファス・シリコン感光体材料を用いる電子
写真用感光体ドラムの量産装置を得ることにあり、さら
に上述の従来例のごとき複雑な装置構造を大幅に簡素化
し、ドラムの収納側数を増やし、かつ電極配置方法、及
び形状を改善することにより、例えば従来の装置では困
難であった電子写真用ドラム等の量産、及び高速成膜を
有利に可能ならしめた装置を提供することにある。 【実施例】 第１図は本発明にかかるプラズマＣＶＤ装置の一実施例
の平面を示し、図中１５は表面にアモルファス・シリコ
ン膜を形成するようにアルミニウム製の基板をドラム状
に形成した円筒状基体としてのドラムである。 ｌはドラム１５を加熱するための加熱室、２は加熱室１
に続けて設けられ、ドラム１５の表面にプラズマＣＶＤ
法によりアモルファス拳シリコン膜ヲ形成するための反
応室、および３は反応室２に続けて設けられ、膜形成後
のドラム１５を冷却するための冷却室である。これらの
室！、２および３は気密構造を有している。８は保持枠
であって、複数のドラム１５を軸中心に回転させると共
に、これらの中心軸が互いに同一平面上になるように、
かつ各軸が平行になるように直立して保持し、さらにド
ラム回転搬送機構を有する。 ４は加熱室ｌ内に各室１．２および３の連続方向に沿う
ように配置された一対のヒーターである。 この一対のヒーター４は、互いに平行になるように直立
して配置され、かつその間に配列方向がヒーター４に平
行になるように配置されたドラム１５を加熱する。５は
各室の一側壁に設けられ、各室を真空に保つためのフィ
ルター及びバッフルを備えた排気系である。なお、反応
室２は、その両側壁に排気系５を有する。 ７はカソード電極としての一対の平板状電極であって、
互いに平行になるように直立して反応室２内に配置され
ている。保持枠６によって、複数のドラム１５は一対の
平板状電極７の間の所定の位置に配置される。この一対
の電極７は原料ガス供給のため二重構造となし、また、
ヒータ４０を有する。さらに一対の電極７の各々は、前
記所定位置に配置した複数のドラム１５の間の間隙に向
って原料ガスが噴出するように、その内側に原料ガスの
噴出用の孔７Ａを形成する。 ８は平板状電極７の外側に接続された。同電極７の二重
構造内に原料ガスを供給するための原料ガス供給パイプ
、８は電極７にパイプ８を介して接続して同電極７をカ
ソード電極とし、かつこの電極７に高周波パワーを供給
するための電源、１０は保持枠６に保持されたドラム１
５を７ノード電極とするためのアースである。 １１は一対め冷却板であって、互いに平行になるように
直立して冷却室３内に配置されている。一対の冷却板１
１はその間にある膜形成の終ったドラム１５を冷却する
ために内部に水等の冷媒流路を有する。 １２は冷却板
ｌｌ内に供給する水等の冷媒である。 １３は各室！、２および３を隔離し、かつドラム１５が
保持枠８とともに移動するときに開状態になる。 ように制御されるゲート・バルブ、１４は加熱室ｌ及び
冷却室３の排気系５に設けられ各室１および３を大気に
戻すためのり−ク・バルブである。 以上のような構成のプラズマＣＶＤ装置の作用について
以下に説明する。 保持枠６に固定されたドラム１５は、第１図中左端のゲ
ート・バルブ１３内を通って、加熱室ｌに保持枠Ｂとと
もに搬入され、排気系５により真空にされた後、加熱室
１内において図中矢印のように回転しながらヒーター４
により加熱される。 加熱されたドラム１５は両室１および２間のゲート・バ
ルブ１３内を通って排気系５により真空に保たれた反応
室２に保持枠Ｂとともに搬入されて、所定位置に配置さ
れる０反応室２に入ったドラム１５はアース１０に接続
されて、カソード電極としての一対の電極７に対する７
ノード電極を形成する。電極７と電場を形成し、図中矢
印で示すように回転しながら、ヒーターにより加熱され
たドラム１５の表面には、原料ガス供給パイプ８を介し
て一対の平板状電極７の内側の孔７Ａから反応室２内に
供給されたシラン等の原料ガスがプラズマ中で分解する
ことによってアモルファス・シリコン膜が形成される。 膜形成に寄与したガスは、反応室２の両側壁の排気系５
から外に排気される。 なお、ドラム１５の表面にアモルファス・シリコンの膜
が堆積する速度は、放電強度が強いほど、およびガス密
度が高いほど（原料ガス流量が多いほど）速い、ドラム
１５に関して、反応室２内の放電強度は電極７に近い部
分はど強く、そこから離れるほど弱い、したがってドラ
ム１５の間の間隙における放電強度が最も弱い、一方、
原料ガスを反応室２内の所定位置に配置されたドラム１
５の間の間隙に向って電極７の孔７Ａから噴出させるこ
とによって、反応室２内の原料ガス密度を、ドラム１５
の間の間隙が最も高く、そこからドラム１５の周方向に
遠ざかるにしたがって低くすることができる。 したがって、放電強度が弱い部分におけるガス密度を高
く、放電強度が強い部分におけるガス密度を低くするこ
とができる。その結果、ドラム１５の表面へのアモルフ
ァス・シリコンの堆積速度をその周方向に均一化するこ
とができ、かくして、ドラム！５の表面に堆積するアモ
ルファス・シリコンの膜厚および膜質を均一にすること
ができる。 膜形成の終ったドラム１５は反応室２と冷却室３との間
のゲート・バルブ１３内を通って、排気系５により真空
に保たれた冷却室３に入り、図中矢印のように回転しな
がら冷却板１１を介して冷媒！２と熱交換して冷却され
、リーク・バルブ１４により大気に戻された冷却室３か
ら第１図中右端のゲー）−バルブ１３内を通って冷却室
３外に出される。 また、上記実施例では、一対の電極７は共に高周波電源
８に接続してカソード電極としたが、これらのいずれか
一方をカソード電極とし、他方を高周波電源８に接続せ
ずにアースして一１７ノード電極としてもよい（ドラム
１５はいずれの場合も７−スする）。 【効果１ 以上説明したように本発明によれば、膜厚および膜質が
均一であり、電気的特性に優れたアモルファスリシリコ
ン等の膜を表面に有する円筒状基体を効率的に得ること
ができる。
例えばアモルファス・シリコン感光体材料を用いる電子
写真用感光体ドラムの量産装置を得ることにあり、さら
に上述の従来例のごとき複雑な装置構造を大幅に簡素化
し、ドラムの収納側数を増やし、かつ電極配置方法、及
び形状を改善することにより、例えば従来の装置では困
難であった電子写真用ドラム等の量産、及び高速成膜を
有利に可能ならしめた装置を提供することにある。 【実施例】 第１図は本発明にかかるプラズマＣＶＤ装置の一実施例
の平面を示し、図中１５は表面にアモルファス・シリコ
ン膜を形成するようにアルミニウム製の基板をドラム状
に形成した円筒状基体としてのドラムである。 ｌはドラム１５を加熱するための加熱室、２は加熱室１
に続けて設けられ、ドラム１５の表面にプラズマＣＶＤ
法によりアモルファス拳シリコン膜ヲ形成するための反
応室、および３は反応室２に続けて設けられ、膜形成後
のドラム１５を冷却するための冷却室である。これらの
室！、２および３は気密構造を有している。８は保持枠
であって、複数のドラム１５を軸中心に回転させると共
に、これらの中心軸が互いに同一平面上になるように、
かつ各軸が平行になるように直立して保持し、さらにド
ラム回転搬送機構を有する。 ４は加熱室ｌ内に各室１．２および３の連続方向に沿う
ように配置された一対のヒーターである。 この一対のヒーター４は、互いに平行になるように直立
して配置され、かつその間に配列方向がヒーター４に平
行になるように配置されたドラム１５を加熱する。５は
各室の一側壁に設けられ、各室を真空に保つためのフィ
ルター及びバッフルを備えた排気系である。なお、反応
室２は、その両側壁に排気系５を有する。 ７はカソード電極としての一対の平板状電極であって、
互いに平行になるように直立して反応室２内に配置され
ている。保持枠６によって、複数のドラム１５は一対の
平板状電極７の間の所定の位置に配置される。この一対
の電極７は原料ガス供給のため二重構造となし、また、
ヒータ４０を有する。さらに一対の電極７の各々は、前
記所定位置に配置した複数のドラム１５の間の間隙に向
って原料ガスが噴出するように、その内側に原料ガスの
噴出用の孔７Ａを形成する。 ８は平板状電極７の外側に接続された。同電極７の二重
構造内に原料ガスを供給するための原料ガス供給パイプ
、８は電極７にパイプ８を介して接続して同電極７をカ
ソード電極とし、かつこの電極７に高周波パワーを供給
するための電源、１０は保持枠６に保持されたドラム１
５を７ノード電極とするためのアースである。 １１は一対め冷却板であって、互いに平行になるように
直立して冷却室３内に配置されている。一対の冷却板１
１はその間にある膜形成の終ったドラム１５を冷却する
ために内部に水等の冷媒流路を有する。 １２は冷却板
ｌｌ内に供給する水等の冷媒である。 １３は各室！、２および３を隔離し、かつドラム１５が
保持枠８とともに移動するときに開状態になる。 ように制御されるゲート・バルブ、１４は加熱室ｌ及び
冷却室３の排気系５に設けられ各室１および３を大気に
戻すためのり−ク・バルブである。 以上のような構成のプラズマＣＶＤ装置の作用について
以下に説明する。 保持枠６に固定されたドラム１５は、第１図中左端のゲ
ート・バルブ１３内を通って、加熱室ｌに保持枠Ｂとと
もに搬入され、排気系５により真空にされた後、加熱室
１内において図中矢印のように回転しながらヒーター４
により加熱される。 加熱されたドラム１５は両室１および２間のゲート・バ
ルブ１３内を通って排気系５により真空に保たれた反応
室２に保持枠Ｂとともに搬入されて、所定位置に配置さ
れる０反応室２に入ったドラム１５はアース１０に接続
されて、カソード電極としての一対の電極７に対する７
ノード電極を形成する。電極７と電場を形成し、図中矢
印で示すように回転しながら、ヒーターにより加熱され
たドラム１５の表面には、原料ガス供給パイプ８を介し
て一対の平板状電極７の内側の孔７Ａから反応室２内に
供給されたシラン等の原料ガスがプラズマ中で分解する
ことによってアモルファス・シリコン膜が形成される。 膜形成に寄与したガスは、反応室２の両側壁の排気系５
から外に排気される。 なお、ドラム１５の表面にアモルファス・シリコンの膜
が堆積する速度は、放電強度が強いほど、およびガス密
度が高いほど（原料ガス流量が多いほど）速い、ドラム
１５に関して、反応室２内の放電強度は電極７に近い部
分はど強く、そこから離れるほど弱い、したがってドラ
ム１５の間の間隙における放電強度が最も弱い、一方、
原料ガスを反応室２内の所定位置に配置されたドラム１
５の間の間隙に向って電極７の孔７Ａから噴出させるこ
とによって、反応室２内の原料ガス密度を、ドラム１５
の間の間隙が最も高く、そこからドラム１５の周方向に
遠ざかるにしたがって低くすることができる。 したがって、放電強度が弱い部分におけるガス密度を高
く、放電強度が強い部分におけるガス密度を低くするこ
とができる。その結果、ドラム１５の表面へのアモルフ
ァス・シリコンの堆積速度をその周方向に均一化するこ
とができ、かくして、ドラム！５の表面に堆積するアモ
ルファス・シリコンの膜厚および膜質を均一にすること
ができる。 膜形成の終ったドラム１５は反応室２と冷却室３との間
のゲート・バルブ１３内を通って、排気系５により真空
に保たれた冷却室３に入り、図中矢印のように回転しな
がら冷却板１１を介して冷媒！２と熱交換して冷却され
、リーク・バルブ１４により大気に戻された冷却室３か
ら第１図中右端のゲー）−バルブ１３内を通って冷却室
３外に出される。 また、上記実施例では、一対の電極７は共に高周波電源
８に接続してカソード電極としたが、これらのいずれか
一方をカソード電極とし、他方を高周波電源８に接続せ
ずにアースして一１７ノード電極としてもよい（ドラム
１５はいずれの場合も７−スする）。 【効果１ 以上説明したように本発明によれば、膜厚および膜質が
均一であり、電気的特性に優れたアモルファスリシリコ
ン等の膜を表面に有する円筒状基体を効率的に得ること
ができる。
第１図は電子写真感光体ドラム製造用の本発明にかかる
プラズマＣＶＤ装置の平面図である。 ２・・・反応室、 ７・・・平板状電極、 ７Ａ・・・原料ガスの噴射用の孔、 １５・・・ドラム。
プラズマＣＶＤ装置の平面図である。 ２・・・反応室、 ７・・・平板状電極、 ７Ａ・・・原料ガスの噴射用の孔、 １５・・・ドラム。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 互いに平行になるように配置した一対の平行平板電極と
、 各中心軸が前記平行平板電極と平行な一同一平面上に位
置し、かつ互いに平行になるように複数の円筒状基体を
前記一対の平行平板電極の間の所定位置に配置するため
の基体保持手段とを具え、少なくとも１つの前記平行平
板電極は、前記所定位置に配置した複数の円筒状基体の
間の間隙に向って原料ガスを噴出する原料ガスの噴出部
を有することを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14604384A JPS6126776A (ja) | 1984-07-16 | 1984-07-16 | プラズマｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14604384A JPS6126776A (ja) | 1984-07-16 | 1984-07-16 | プラズマｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6126776A true JPS6126776A (ja) | 1986-02-06 |
Family
ID=15398808
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14604384A Pending JPS6126776A (ja) | 1984-07-16 | 1984-07-16 | プラズマｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6126776A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5970528A (en) * | 1995-07-07 | 1999-10-26 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Warm-water washing device |
-
1984
- 1984-07-16 JP JP14604384A patent/JPS6126776A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5970528A (en) * | 1995-07-07 | 1999-10-26 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Warm-water washing device |
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