JPS61251672A - 液晶化合物 - Google Patents
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- JPS61251672A JPS61251672A JP60092752A JP9275285A JPS61251672A JP S61251672 A JPS61251672 A JP S61251672A JP 60092752 A JP60092752 A JP 60092752A JP 9275285 A JP9275285 A JP 9275285A JP S61251672 A JPS61251672 A JP S61251672A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、フェニルピリミジン誘導体に関するもので、
該化合物は液晶材料としての用途を持っている。
該化合物は液晶材料としての用途を持っている。
(従来の技術)
強誘電性を示す液晶化合物として、(8)−2−メチル
フチルP−(P−n−デシロキシペノジリデ7″アノ)
シンナメート(IJOBAMBC)が知られフ ているにのクツ次塩基系列の液晶化合物が強誘電性液晶
の研究対象とされ、種々の化合物が合成された。その−
例として、 (式中Xfl、B 、 Oj、 O’N 、Y ij
C1、C,E、、 *ハネ斉炭素原子を示す。〕 の一般式で示される化合物が知られている。しかし、こ
の系列の化合物は、カイラルスメクチック相を呈する温
度が室温より高いため、室温では液フ 晶材料として使用することができず、又、7ツク塩基系
化合物であるため水分により分解を受は易いなどの欠点
を有している。これらの欠点を改善するために考え出さ
れた化合物として が昶られている。(Fsrroelectriica
24巻509頁(s、980)) この系の化合物は、室温を含む広いm度範囲に亘つてス
メクチックCI相を呈する化合物として注目されたC更
に、B、工、オストロフスキーによって、式 (式中nは9又は101本は不斉炭素原子を示す) で表わされる化合物が、比較的室温に近い1度範囲でカ
イラルスメクチック相を呈すると報告されている。
フチルP−(P−n−デシロキシペノジリデ7″アノ)
シンナメート(IJOBAMBC)が知られフ ているにのクツ次塩基系列の液晶化合物が強誘電性液晶
の研究対象とされ、種々の化合物が合成された。その−
例として、 (式中Xfl、B 、 Oj、 O’N 、Y ij
C1、C,E、、 *ハネ斉炭素原子を示す。〕 の一般式で示される化合物が知られている。しかし、こ
の系列の化合物は、カイラルスメクチック相を呈する温
度が室温より高いため、室温では液フ 晶材料として使用することができず、又、7ツク塩基系
化合物であるため水分により分解を受は易いなどの欠点
を有している。これらの欠点を改善するために考え出さ
れた化合物として が昶られている。(Fsrroelectriica
24巻509頁(s、980)) この系の化合物は、室温を含む広いm度範囲に亘つてス
メクチックCI相を呈する化合物として注目されたC更
に、B、工、オストロフスキーによって、式 (式中nは9又は101本は不斉炭素原子を示す) で表わされる化合物が、比較的室温に近い1度範囲でカ
イラルスメクチック相を呈すると報告されている。
又、E、ZAI30111nによって
Cn)1tn+t −04<’:5−(4m)itm+
。
。
で表わされる化合物のいくつかが、スメクチック相を呈
したとして、明らかにされている。
したとして、明らかにされている。
(J、Prakt C!hemie、 51.7巻61
.7(1,975))1かし、この中に、カイラルスメ
クチック液晶化合物についての記載はなされていないし
、示唆もされていない。
.7(1,975))1かし、この中に、カイラルスメ
クチック液晶化合物についての記載はなされていないし
、示唆もされていない。
(本発明が解決しようとする問題点)
本発明によって提供された化合物は、式%式%
(式中RI m R1は04〜C0のアルキル基で、い
ずれか一方は、その鎖中に不斉炭素原子を有する)で示
される新規物質であって、強誘電性液晶の性質を持って
おり、室温を含む広い温度範囲で、力ネ イラルスメクチツクC相を呈すると共に、化学的安定性
にもすぐれ、高い電場応答性を有し、更に、他の各種液
晶化合物との混合性にもすぐれている。本発明は、か\
る液晶化合物を提供するものである。
ずれか一方は、その鎖中に不斉炭素原子を有する)で示
される新規物質であって、強誘電性液晶の性質を持って
おり、室温を含む広い温度範囲で、力ネ イラルスメクチツクC相を呈すると共に、化学的安定性
にもすぐれ、高い電場応答性を有し、更に、他の各種液
晶化合物との混合性にもすぐれている。本発明は、か\
る液晶化合物を提供するものである。
ここにおいて、(1)式で示される化合物におけるさ
置換基式としては0nH1n+、−で示あれる直鎖アル
キル基であるか、または と同じものが挙げられる。ただし、R1とR3が同じ型
のアルキル基であることはない。
キル基であるか、または と同じものが挙げられる。ただし、R1とR3が同じ型
のアルキル基であることはない。
(1)式及び(2)式で示される化合物をメタノール。
エタノール、イソプロパツールなどの低級アルコール溶
媒、ベンゼン、トルエンなどの芳香族溶媒。
媒、ベンゼン、トルエンなどの芳香族溶媒。
ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド。
テトラヒドロ7ランなどの溶媒中、ナトリウムメトキ7
ド、ナトリウムエトギクド、水素化ナトリウム、金属ナ
トリウムなどの触媒の存在下、室温乃至加熱して反応さ
せる。
ド、ナトリウムエトギクド、水素化ナトリウム、金属ナ
トリウムなどの触媒の存在下、室温乃至加熱して反応さ
せる。
(問題点を解決するための手段)
本発明によって提供される新規なカイラルスメクチック
C相を呈する液晶化合物は次のようにして遺られる。即
ち、概略を化学反応式で示せば次の通りである。
C相を呈する液晶化合物は次のようにして遺られる。即
ち、概略を化学反応式で示せば次の通りである。
(式中、R,、R,は前記と同じ)
かくて得られた(3)式で示される化合物を、水、ピリ
ジン、ジメチルスルホキシド、ジメチルホルムアミド、
テトラヒドロフラン、ジオキサンなどの溶媒中、クロム
酸−硫酸1重クロム酸ピリジニウム塩、クロム酸−酢酸
などの酸化剤を用いて酸化することによって、本発明の
目的化合物は得られる。
ジン、ジメチルスルホキシド、ジメチルホルムアミド、
テトラヒドロフラン、ジオキサンなどの溶媒中、クロム
酸−硫酸1重クロム酸ピリジニウム塩、クロム酸−酢酸
などの酸化剤を用いて酸化することによって、本発明の
目的化合物は得られる。
以下!!施例を記述して本発明を更に詳述する。
実捲例1
(イ)(日)−5−n−オクチル−2−(it−(1,
−ヒドロキシ−6−メチルオクチル)フェニルコピ11
ミジンの合成 <8)−4−(1−ヒドロギン−6−メチルオクチルベ
ンズアミジン塩酸塩Q、82t、β−n −、t クチ
ルーα−ジメチルアミノアクロレイン0.56Fヲ入し
、乾燥エタノール20−に溶解した後。
−ヒドロキシ−6−メチルオクチル)フェニルコピ11
ミジンの合成 <8)−4−(1−ヒドロギン−6−メチルオクチルベ
ンズアミジン塩酸塩Q、82t、β−n −、t クチ
ルーα−ジメチルアミノアクロレイン0.56Fヲ入し
、乾燥エタノール20−に溶解した後。
28%ナトリウムメチラート、メタノール溶液2、at
ttを加え、還流下、15時間反応した。反応終了後、
氷水に流し込み、塩酸酸性とし、反工6生成物を酢酸エ
チルで抽出した。酢酸エチル層は、水、飽和食塩水で洗
浄後、乾燥し、溶媒を留去した。得られた粗生成物を、
シリカゲルクロマトグラフィー、再結晶にて精製し、光
学活性な5−n−オクチル−2−(a−(t−ヒドロキ
シ−6−メチルオクチル)フェニル〕ピリミジンα64
?を得た。
ttを加え、還流下、15時間反応した。反応終了後、
氷水に流し込み、塩酸酸性とし、反工6生成物を酢酸エ
チルで抽出した。酢酸エチル層は、水、飽和食塩水で洗
浄後、乾燥し、溶媒を留去した。得られた粗生成物を、
シリカゲルクロマトグラフィー、再結晶にて精製し、光
学活性な5−n−オクチル−2−(a−(t−ヒドロキ
シ−6−メチルオクチル)フェニル〕ピリミジンα64
?を得た。
工RI/max″−’ : 5260,1595.ts
ssIaao、ao。
ssIaao、ao。
In−N MFI (60MHz 、 0DcJ3)δ
(ppm) : a 67 (s 、 2 F )ao
5(a、2B) 7、50 (d 、 2 B ) a、77(t、+B) 2.2〜2.8(m、 ) (0) (S)−5−n−オクチn、 −2−(4−
(,6−メチルオクタノイル)フェニル〕ピリミジンの
合成 重クロム酸ピリジニウムCL 1.07 f 、乾燥し
たN、N−ジメチルホルムアミド5−を入れた。次に、
乾燥したN、N−ジメチルホルムアミド2−に溶解した
(8) −5−n−オクチル−’l−[4−(1−ヒド
ロキシ−6−メチルオクチル〕フェニル]ピリミジンl
1OBt1に室温下、ゆっくりと滴下した。滴下終了後
、さらに室温で、2時間反応したC反応終了後、エーテ
ルを加え希釈し、不溶物をハイクロス−パーセルを用い
てヂ別し、反応生成物をエーテル抽出した。エーテル層
は希塩酸水、水で洗浄後、乾燥し、溶媒を留去した。得
られた粗生成物を、シリカゲルクロマトグラフィー、再
結晶によシ精製し、(8) −5−n−オクチル−2−
〔4−(6−メチルオクタノイル)フェニル〕ピリミジ
ン(LO28fを得た。
(ppm) : a 67 (s 、 2 F )ao
5(a、2B) 7、50 (d 、 2 B ) a、77(t、+B) 2.2〜2.8(m、 ) (0) (S)−5−n−オクチn、 −2−(4−
(,6−メチルオクタノイル)フェニル〕ピリミジンの
合成 重クロム酸ピリジニウムCL 1.07 f 、乾燥し
たN、N−ジメチルホルムアミド5−を入れた。次に、
乾燥したN、N−ジメチルホルムアミド2−に溶解した
(8) −5−n−オクチル−’l−[4−(1−ヒド
ロキシ−6−メチルオクチル〕フェニル]ピリミジンl
1OBt1に室温下、ゆっくりと滴下した。滴下終了後
、さらに室温で、2時間反応したC反応終了後、エーテ
ルを加え希釈し、不溶物をハイクロス−パーセルを用い
てヂ別し、反応生成物をエーテル抽出した。エーテル層
は希塩酸水、水で洗浄後、乾燥し、溶媒を留去した。得
られた粗生成物を、シリカゲルクロマトグラフィー、再
結晶によシ精製し、(8) −5−n−オクチル−2−
〔4−(6−メチルオクタノイル)フェニル〕ピリミジ
ン(LO28fを得た。
工、R、v max”″”: t680.*6tQ、t
580’B−N、M、R,(60MHz 、 OL+C
!j3)δ(ppm) : Cl3〜2.2(m 、
50 E )2.64 (te 211) 五Os ((1,211) aロア (d、 2B) &55 (d、2B) &66 (s、2 H) この液晶化合物の相転移温度を記す。
580’B−N、M、R,(60MHz 、 OL+C
!j3)δ(ppm) : Cl3〜2.2(m 、
50 E )2.64 (te 211) 五Os ((1,211) aロア (d、 2B) &55 (d、2B) &66 (s、2 H) この液晶化合物の相転移温度を記す。
またこの液晶化合物を、PVAラビングの一軸配向処理
を施した基盤間に挾持し、液晶層厚を2.5μmとし、
±ZOVの電圧印加で、直交ニコル下で応答測定したが
、61℃で200μsの値を示した。
を施した基盤間に挾持し、液晶層厚を2.5μmとし、
±ZOVの電圧印加で、直交ニコル下で応答測定したが
、61℃で200μsの値を示した。
本発明で使用される原料化合物は1例えば次のようにし
て造られる。
て造られる。
P−ブロムベンズアルデヒドにC!nH1n+1 Mg
、*薬を反応させて で示される化合物を得る。得られた化合物を無水酢酸−
ピリジンで水酸基をアセチル化する。次いで、ジメチル
ホルムアミド、ジメチA/ x xホ″P′/ドなどの
溶媒中シアン他第−鋼を反応させてベンゾニトリルへ誘
導する。得られたベンゾニトリル誘導体は・アルコール
溶媒中、塩化水素を反応させたのち、アンモニアを反応
させてベンズアミジン誘導体の塩酸塩を得る。
、*薬を反応させて で示される化合物を得る。得られた化合物を無水酢酸−
ピリジンで水酸基をアセチル化する。次いで、ジメチル
ホルムアミド、ジメチA/ x xホ″P′/ドなどの
溶媒中シアン他第−鋼を反応させてベンゾニトリルへ誘
導する。得られたベンゾニトリル誘導体は・アルコール
溶媒中、塩化水素を反応させたのち、アンモニアを反応
させてベンズアミジン誘導体の塩酸塩を得る。
で示される化合物に、アルコール(例えばメタノール、
エタノール〕を酸触媒(例えば、F−)ルエンスルホン
酸、メタンスルホン酸〕と反応させてアセタール化合物
に誘導し、これに、ジメチルホルムアミドとハロゲン化
剤(例えば塩化チオニル、オキシ塩化燐、トリクロロメ
チルクロロホルメート、三臭化燐など)とから得られる
ビルスマイヤー試薬を反応させると を得る。
エタノール〕を酸触媒(例えば、F−)ルエンスルホン
酸、メタンスルホン酸〕と反応させてアセタール化合物
に誘導し、これに、ジメチルホルムアミドとハロゲン化
剤(例えば塩化チオニル、オキシ塩化燐、トリクロロメ
チルクロロホルメート、三臭化燐など)とから得られる
ビルスマイヤー試薬を反応させると を得る。
原料化合物の合成の一例を以下に記述する。
参考例1
(0(S)−4−(t−アセトキシ−6−メチルオフチ
ル)ブロムベンゼンの合成 (S)−アミルアルコ−” (〔α〕”’−aa°cn
eat)よシ合成した1−ブロム−5−メチルへブタン
142、金属マグネクラム1.74 F 、乾燥テトラ
ヒドロフランを用いてグ11ニャール試薬をA製した。
ル)ブロムベンゼンの合成 (S)−アミルアルコ−” (〔α〕”’−aa°cn
eat)よシ合成した1−ブロム−5−メチルへブタン
142、金属マグネクラム1.74 F 、乾燥テトラ
ヒドロフランを用いてグ11ニャール試薬をA製した。
このグ11ニヤール試薬は、4−ブロムベンズアルし
デヒドを五atrを含む乾燥テトラにドロフラン120
−の溶液に氷冷下1時間にわたって滴下した。滴下終了
後、さらに室温で6時間反応し、塩化アンモニウムを加
え、反応を中止した。反応生成物は、エーテル抽出し、
エーテルrtttta、水、飽和食塩水で洗浄後、乾燥
し、溶媒を留去した。得られた残渣油状物はピリジン2
0−にとかし、氷冷下、無水酢酸を加え、アセチル化を
行なった。
−の溶液に氷冷下1時間にわたって滴下した。滴下終了
後、さらに室温で6時間反応し、塩化アンモニウムを加
え、反応を中止した。反応生成物は、エーテル抽出し、
エーテルrtttta、水、飽和食塩水で洗浄後、乾燥
し、溶媒を留去した。得られた残渣油状物はピリジン2
0−にとかし、氷冷下、無水酢酸を加え、アセチル化を
行なった。
反応生成物は、エーテル抽出し、エーテル層は、2N塩
酸、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、水。
酸、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、水。
飽和食塩水で順次洗浄後、乾燥し、溶媒を留去した。得
られた油状物を、カラムクロマトグラフィーで精製し、
6.1tの(S)−4−(1−アセトキン−6−メチル
オくチル)プロムベンゼンヲ得た。
られた油状物を、カラムクロマトグラフィーで精製し、
6.1tの(S)−4−(1−アセトキン−6−メチル
オくチル)プロムベンゼンヲ得た。
■、R,jZmaXCM−1: 1.742 、1.6
0G、1.240’B−N M R(60MHz 、
0DOJ3)δ・(pl)m):2.05(s、5E)
5.68(s、+H) 7、22 (d 、 2 E )7、52 (
d 、 2 B ) (ロ)(S)−4−(t−アセトキク−6−メチルオク
チル〕ベンゾニトリルの合成 乾燥N、N−ジメチルホルムアミド50 at 、 (
s)−4−(i−アセトキク−6−メチルオクチル)ブ
ロムベンゼン2.4?、シアン化第を銅(L 755t
を入れ、還流下、4時間反応した。反応終了後反応生成
物をエーテル抽出した。エーテル層は、水、a和食塩水
で洗浄後、乾燥し、溶媒を留去した。得られた残渣を、
シリカゲルクロマトグラフィーにて精製し、光学活性な
4−(+−アセトキシ−6−メチルオクチル)ベンゾニ
トリル1.1tを得た。
0G、1.240’B−N M R(60MHz 、
0DOJ3)δ・(pl)m):2.05(s、5E)
5.68(s、+H) 7、22 (d 、 2 E )7、52 (
d 、 2 B ) (ロ)(S)−4−(t−アセトキク−6−メチルオク
チル〕ベンゾニトリルの合成 乾燥N、N−ジメチルホルムアミド50 at 、 (
s)−4−(i−アセトキク−6−メチルオクチル)ブ
ロムベンゼン2.4?、シアン化第を銅(L 755t
を入れ、還流下、4時間反応した。反応終了後反応生成
物をエーテル抽出した。エーテル層は、水、a和食塩水
で洗浄後、乾燥し、溶媒を留去した。得られた残渣を、
シリカゲルクロマトグラフィーにて精製し、光学活性な
4−(+−アセトキシ−6−メチルオクチル)ベンゾニ
トリル1.1tを得た。
工、R,vmax−−” = 2255.t742.
*6t5+ 240 ”B−NMR(60MBz、0IJOj、)δ(ppm
) : 2.08 (t 、 5)1 )5.79(t
、IB) 7、47 (d 、 2 B ) 7、a2(tl、2B) (ハ)(S) −4−(+−ヒドロキシ−6−メチルオ
クチル)ベンズアミジン塩酸塩の合成 (S)−4−(1−アセトキシ−6−メチルオクチル〕
ベンゾニトリル1ft乾燥エタノール2〇−を入れた。
*6t5+ 240 ”B−NMR(60MBz、0IJOj、)δ(ppm
) : 2.08 (t 、 5)1 )5.79(t
、IB) 7、47 (d 、 2 B ) 7、a2(tl、2B) (ハ)(S) −4−(+−ヒドロキシ−6−メチルオ
クチル)ベンズアミジン塩酸塩の合成 (S)−4−(1−アセトキシ−6−メチルオクチル〕
ベンゾニトリル1ft乾燥エタノール2〇−を入れた。
この混合物に、乾燥した塩化水素ガスを水冷下吹き込ん
だ。imで二昼夜放置後、溶媒及び過剰の塩化水素を減
圧下留去した。得られた残渣は、乾燥エタノール20−
に溶解した。次に、アンモニア1vを含む乾燥エタノー
ル10−を室温下ゆっくり加えた。加えた後、室温で二
昼夜放置した。過剰のアンモニア、エタノールを留去し
くs) −a −(+−ヒドロキシ−6−メチルオクチ
ル)ベンズアミジン塩酸塩192を得た。
だ。imで二昼夜放置後、溶媒及び過剰の塩化水素を減
圧下留去した。得られた残渣は、乾燥エタノール20−
に溶解した。次に、アンモニア1vを含む乾燥エタノー
ル10−を室温下ゆっくり加えた。加えた後、室温で二
昼夜放置した。過剰のアンモニア、エタノールを留去し
くs) −a −(+−ヒドロキシ−6−メチルオクチ
ル)ベンズアミジン塩酸塩192を得た。
■、R,vrmxcn′−”= 5750〜2 A 0
0’H−IJMR(60M11Z、IIMSO−4,)
δ(PPm)ニア52 (cl、2)1)7.92(
d、2E) 9.5〜1lL6 (m 、 5 B )参考例2 β−n−オクチル−α−ジメチルアミノアクロレインの
合成 (イ)n−デシルアルデヒドジエチルアセタールの合成 n−デシルアルデヒド127f、脱水された工1/−ル
250m、脱水されたベンゼン10〇−P−トルエンス
ルホン酸21.Ofをソックスレー抽出器をセットした
フラスコ中で還流し、約30時間反応させた。
0’H−IJMR(60M11Z、IIMSO−4,)
δ(PPm)ニア52 (cl、2)1)7.92(
d、2E) 9.5〜1lL6 (m 、 5 B )参考例2 β−n−オクチル−α−ジメチルアミノアクロレインの
合成 (イ)n−デシルアルデヒドジエチルアセタールの合成 n−デシルアルデヒド127f、脱水された工1/−ル
250m、脱水されたベンゼン10〇−P−トルエンス
ルホン酸21.Ofをソックスレー抽出器をセットした
フラスコ中で還流し、約30時間反応させた。
減圧下に、ベンゼン、エタノールを留去し残渣をエーテ
ル抽出した。エーテルを留去し、残渣を減圧蒸溜した。
ル抽出した。エーテルを留去し、残渣を減圧蒸溜した。
得i11.27 jF (bp 106〜108℃/
5 W E? )(ロ) β−〇−オクチルーα−ジ
メチルアミノアクロレインの合成 n−fジルアルデヒドジエチルアセタール57tをジク
ロロエタン4QfRtにとかし、これとジメチルホルム
アミドaatとトリクロロメチルクロロホルメート(9
2係以上)412とをジクロロエタン240−中で反応
させて得られたビルスマイヤー試薬とを、加温しながら
反応させた。冷却後、水中に反応物を注ぎ、炭酸カリウ
ム水溶液でアルカリ性としたのち、溶媒留去し、残渣を
減圧蒸留した。
5 W E? )(ロ) β−〇−オクチルーα−ジ
メチルアミノアクロレインの合成 n−fジルアルデヒドジエチルアセタール57tをジク
ロロエタン4QfRtにとかし、これとジメチルホルム
アミドaatとトリクロロメチルクロロホルメート(9
2係以上)412とをジクロロエタン240−中で反応
させて得られたビルスマイヤー試薬とを、加温しながら
反応させた。冷却後、水中に反応物を注ぎ、炭酸カリウ
ム水溶液でアルカリ性としたのち、溶媒留去し、残渣を
減圧蒸留した。
得ii1 15.I t (bp I 67〜170
℃15鴫BP)以 上
℃15鴫BP)以 上
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中R_1、R_2はC_4〜C_1_5のアルキル
基でいずれか一方は、その鎖中に不斉炭素原子を有する
)で示されるフェニルピリミジン誘導体液晶化合物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60092752A JPS61251672A (ja) | 1985-04-30 | 1985-04-30 | 液晶化合物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60092752A JPS61251672A (ja) | 1985-04-30 | 1985-04-30 | 液晶化合物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61251672A true JPS61251672A (ja) | 1986-11-08 |
JPH055831B2 JPH055831B2 (ja) | 1993-01-25 |
Family
ID=14063147
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60092752A Granted JPS61251672A (ja) | 1985-04-30 | 1985-04-30 | 液晶化合物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61251672A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5064566A (en) * | 1985-04-27 | 1991-11-12 | Merck Patent Gesellschaft Mit Beschrankter Haftung | Smectic liquid crystal phases |
US5279762A (en) * | 1985-04-27 | 1994-01-18 | Merck Patent Gesellschaft Mit Beschrankter Haftung | Smectic liquid crystal phases |
JPH1053770A (ja) * | 1985-05-24 | 1998-02-24 | Hoechst Ag | スメクチック液晶組成物 |
-
1985
- 1985-04-30 JP JP60092752A patent/JPS61251672A/ja active Granted
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5064566A (en) * | 1985-04-27 | 1991-11-12 | Merck Patent Gesellschaft Mit Beschrankter Haftung | Smectic liquid crystal phases |
US5279762A (en) * | 1985-04-27 | 1994-01-18 | Merck Patent Gesellschaft Mit Beschrankter Haftung | Smectic liquid crystal phases |
JPH1053770A (ja) * | 1985-05-24 | 1998-02-24 | Hoechst Ag | スメクチック液晶組成物 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH055831B2 (ja) | 1993-01-25 |
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