JPS61223807A - 光合波装置 - Google Patents
光合波装置Info
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- JPS61223807A JPS61223807A JP6621085A JP6621085A JPS61223807A JP S61223807 A JPS61223807 A JP S61223807A JP 6621085 A JP6621085 A JP 6621085A JP 6621085 A JP6621085 A JP 6621085A JP S61223807 A JPS61223807 A JP S61223807A
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- Japan
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- optical
- star coupler
- incident
- light
- terminal
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/12007—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind forming wavelength selective elements, e.g. multiplexer, demultiplexer
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
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- G02B6/12004—Combinations of two or more optical elements
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4204—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms
- G02B6/4215—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms the intermediate optical elements being wavelength selective optical elements, e.g. variable wavelength optical modules or wavelength lockers
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(発明の分野)
本発明は複数のレーザ光源からそれぞれ発せられる複数
の光ビームを1本の光ビームに合成する光合波装置に関
するものであり、特に詳細には、上記合成を容易かつ高
精度に行なうことのできる光合波装置に関するものであ
る。
の光ビームを1本の光ビームに合成する光合波装置に関
するものであり、特に詳細には、上記合成を容易かつ高
精度に行なうことのできる光合波装置に関するものであ
る。
(発明・の技術的背景および先行技術)従来より、光ビ
ームを光偏向器により偏向して走査を行なわしめる各種
走査記録装置、走査読取装置等の光ど一ム走査装置等に
おいて、光ビームを発生させる手段として種々のレーザ
光源が用いられている。これらのレーザ光源のうちでも
特に半導体レーザは、ガスレーザ等に比べて小型、安価
で消費電力が少なく、また駆動電流を変えることによっ
て直接変調を行なうことが可能である等、数々の長所を
有している。しかしながら、その反面この半導体レーザ
は、連続発振させる場合には、現状では発光レーザの波
長が78001のもので、出力がたかだか20〜30−
Wと小さく、従って高エネルギーの走査光を必要とする
光ビーム走査装置、例えば感度の低い記録材料(金属膜
、アモルファス躾等のDRAW材料等)に記録する走査
記録装置や高速記録を行なう走査記録装置等に用いるの
は極めて困難である。
ームを光偏向器により偏向して走査を行なわしめる各種
走査記録装置、走査読取装置等の光ど一ム走査装置等に
おいて、光ビームを発生させる手段として種々のレーザ
光源が用いられている。これらのレーザ光源のうちでも
特に半導体レーザは、ガスレーザ等に比べて小型、安価
で消費電力が少なく、また駆動電流を変えることによっ
て直接変調を行なうことが可能である等、数々の長所を
有している。しかしながら、その反面この半導体レーザ
は、連続発振させる場合には、現状では発光レーザの波
長が78001のもので、出力がたかだか20〜30−
Wと小さく、従って高エネルギーの走査光を必要とする
光ビーム走査装置、例えば感度の低い記録材料(金属膜
、アモルファス躾等のDRAW材料等)に記録する走査
記録装置や高速記録を行なう走査記録装置等に用いるの
は極めて困難である。
また、ある種の螢光体に放射線(X線、α線。
β線、γ線5電子線、紫外線等)を照射すると、この放
射線エネルギーの一部が螢光体中に蓄積され、この螢光
体に可視光等の励起光を照射すると、蓄積されたエネル
ギーに応じて螢光体が輝尽発光を示すことが知られてお
り、このような蓄積性螢光体を利用して、人体等の被写
体の放射線画像情報を一旦蓄積性螢光体からなる層を有
する蓄積性螢光体シートに記録し、この蓄積性螢光体シ
ートをレーザ光等の励起光で走査して輝尽発光光を生ぜ
しめ、得られた輝尽発光光を光電的に読み取って画像信
号を得、この画像信号に基づき被写体の放射線画像を写
真感光材料等の記録材料、CRT等に可視像として出力
させる放射線画像情報記録再生システムが本出願人によ
り既に提案されている(特開昭55−12429号、同
55−116340号、同55−163472号、同5
6−11395号、同56−104645号など)。
射線エネルギーの一部が螢光体中に蓄積され、この螢光
体に可視光等の励起光を照射すると、蓄積されたエネル
ギーに応じて螢光体が輝尽発光を示すことが知られてお
り、このような蓄積性螢光体を利用して、人体等の被写
体の放射線画像情報を一旦蓄積性螢光体からなる層を有
する蓄積性螢光体シートに記録し、この蓄積性螢光体シ
ートをレーザ光等の励起光で走査して輝尽発光光を生ぜ
しめ、得られた輝尽発光光を光電的に読み取って画像信
号を得、この画像信号に基づき被写体の放射線画像を写
真感光材料等の記録材料、CRT等に可視像として出力
させる放射線画像情報記録再生システムが本出願人によ
り既に提案されている(特開昭55−12429号、同
55−116340号、同55−163472号、同5
6−11395号、同56−104645号など)。
このシステムにおいて、放射線画像情報が蓄積記録され
た蓄積性螢光体シートを走査して蓄積性螢光体を輝尽発
光させ、画像情報の読取りを行なうためには十分に高エ
ネルギーの励起光を前記螢光体に照射する必要がある。
た蓄積性螢光体シートを走査して蓄積性螢光体を輝尽発
光させ、画像情報の読取りを行なうためには十分に高エ
ネルギーの励起光を前記螢光体に照射する必要がある。
このため、この放射線画像情報記録再生システムにおい
て、励起光を発する光源として上記のように光出力の小
さい半導体レーザ等を用いることは極めて難しい。
て、励起光を発する光源として上記のように光出力の小
さい半導体レーザ等を用いることは極めて難しい。
そこで、光出力の低い半導体レーザから十分高エネルギ
ーの走査ビームを得たり、他のレーザ光源を用いた場合
でも、光出力をさらに増加させたりする際には、複数の
レーザ光源を使用し、これらのレーザ光源から射出され
た光ビームを1本に合成することが考えられる。複数の
光ビームを1本に合成するためには、複数のレーザ光源
からそれぞれ射出された光ビームの各光路上に、反射ミ
ラー等の光学素子を設けて各光ビームの光路を変更せし
めるとともに、各種レンズ等を光ビームの光路上に設け
て光ビームを所望の位置において望ましいビーム径を有
する1本の光ビームに合成するという方法が考えられる
。しかしながら上記の方法を実施する装置は、光ビーム
合成のための光学系がIJIMになり、装置全体が大型
化するとともに、各光ビームを所望の位置において合成
するために、ミラー等の位置精度を高めなければならず
、光学系の設計および各ミラー等の調整が難しいという
問題がある。また、一旦高精度の位置調整を行なった後
も、使用しているうちにミラー等に位置ずれが生じるこ
とがあるため、常に点検、調整を繰り返さなければなら
ず、装置の性能を維持するための保守管理に手間がかか
るという不都合も生じていた。
ーの走査ビームを得たり、他のレーザ光源を用いた場合
でも、光出力をさらに増加させたりする際には、複数の
レーザ光源を使用し、これらのレーザ光源から射出され
た光ビームを1本に合成することが考えられる。複数の
光ビームを1本に合成するためには、複数のレーザ光源
からそれぞれ射出された光ビームの各光路上に、反射ミ
ラー等の光学素子を設けて各光ビームの光路を変更せし
めるとともに、各種レンズ等を光ビームの光路上に設け
て光ビームを所望の位置において望ましいビーム径を有
する1本の光ビームに合成するという方法が考えられる
。しかしながら上記の方法を実施する装置は、光ビーム
合成のための光学系がIJIMになり、装置全体が大型
化するとともに、各光ビームを所望の位置において合成
するために、ミラー等の位置精度を高めなければならず
、光学系の設計および各ミラー等の調整が難しいという
問題がある。また、一旦高精度の位置調整を行なった後
も、使用しているうちにミラー等に位置ずれが生じるこ
とがあるため、常に点検、調整を繰り返さなければなら
ず、装置の性能を維持するための保守管理に手間がかか
るという不都合も生じていた。
(発明の目的)
本発明は上記のような問題点に鑑みてなされたものであ
り、複数のレーザ光源から発せられた光ビームを1本の
光ビームに合成する光合波装置において、設計が容易で
各素子の調整も簡単に行なうことができるとともに、小
型化が図れ、使用中の再調整もほとんど必要としない光
合波装置を提供することを目的とするものである。
り、複数のレーザ光源から発せられた光ビームを1本の
光ビームに合成する光合波装置において、設計が容易で
各素子の調整も簡単に行なうことができるとともに、小
型化が図れ、使用中の再調整もほとんど必要としない光
合波装置を提供することを目的とするものである。
(発明の構成)
本発明の光合波装置は複数のレーザ光源から発せられた
複数の光ビームを、複数の入射用端子および1つの射出
用端子を有するスターカプラーにそれぞれ入射せしめ、
スターカプラーにより1本の光ビームに合成することを
特徴とするものである。すなわち、各レーザ光源から発
せられた光ビームは、それぞれカップリングレンズを介
して、射出端面である一端がそれぞれ前記スターカプラ
ーの入射用端子に接続されている光ファイバーの、入射
端面である他端に入射せしめられ、この光ファイバーを
介してスターカプラー内に入射せしめられる。本発明に
おけるスターカプラーは、入射した光ビームが案内され
る導光路の入射用端子側部分が複数本に枝分かれしてお
り、射出用端子側に近づくにつれて1本に統合されてい
るため、スターカプラーの複数の入射用端子からそれぞ
れ入射した複数の光ビームはスターカプラーの導光路内
を伝えられて射出用端部から1本の光ビームとして射出
される。なおスターカプラーは、特にローカルエリアネ
ットワーク(LAN)における光回路部品として公知で
あるが(参考: E 1jiOkuda、 Ichi
ro Tanaka、and Tetsuya Ya
iascircuit and 5tar cou l
er (APPL I EDOPTIC8/1 J
une1984/Vol、23.kll)、本発明は、
通常1入力端子から入力される光信号を複数に分割した
り、複数の端末同士を接続する手段として用いられてい
るスターカプラーを複数の端子を入射用、1つの端子を
射出用とじて用いることにより、光ビームを合成する手
段として用いたものである。
複数の光ビームを、複数の入射用端子および1つの射出
用端子を有するスターカプラーにそれぞれ入射せしめ、
スターカプラーにより1本の光ビームに合成することを
特徴とするものである。すなわち、各レーザ光源から発
せられた光ビームは、それぞれカップリングレンズを介
して、射出端面である一端がそれぞれ前記スターカプラ
ーの入射用端子に接続されている光ファイバーの、入射
端面である他端に入射せしめられ、この光ファイバーを
介してスターカプラー内に入射せしめられる。本発明に
おけるスターカプラーは、入射した光ビームが案内され
る導光路の入射用端子側部分が複数本に枝分かれしてお
り、射出用端子側に近づくにつれて1本に統合されてい
るため、スターカプラーの複数の入射用端子からそれぞ
れ入射した複数の光ビームはスターカプラーの導光路内
を伝えられて射出用端部から1本の光ビームとして射出
される。なおスターカプラーは、特にローカルエリアネ
ットワーク(LAN)における光回路部品として公知で
あるが(参考: E 1jiOkuda、 Ichi
ro Tanaka、and Tetsuya Ya
iascircuit and 5tar cou l
er (APPL I EDOPTIC8/1 J
une1984/Vol、23.kll)、本発明は、
通常1入力端子から入力される光信号を複数に分割した
り、複数の端末同士を接続する手段として用いられてい
るスターカプラーを複数の端子を入射用、1つの端子を
射出用とじて用いることにより、光ビームを合成する手
段として用いたものである。
(実施態様)
以下、図面を参照して本発明の実施態様について説明す
る。
る。
第1図は本発明の一実施態様による光合波装置の概要を
示す平面図である。
示す平面図である。
一例として3つの半導体レーザ1,2.3は互いに光ビ
ーム射出軸を平行に揃えて配置され、これらの半導体レ
ーザ1.2.3のそれぞれに対して、その入射端面21
a 、 22a 、 23aをそれぞれ対向させてなる
3本の光ファイバー21.22.23が設けられている
。前記半導体レーザ1.2.3と光ファイバーの入射端
面21a 、 22a 、 23aの間には、それぞれ
、セルフォックマイクロレンズ、ポロカプラー等のカッ
プリングレンズ11.12.13が設けられている。こ
れらのカンプリングレンゲは半導体レーザから発せられ
た光ビームを効率よく前記光ファイバーに入射させるも
のであり、3本の光ビームはそれぞれ前記入射端面21
a 、 22a 、 23aから光ファイバー21.2
2.23に入射して各ファイバー内を伝達される。
ーム射出軸を平行に揃えて配置され、これらの半導体レ
ーザ1.2.3のそれぞれに対して、その入射端面21
a 、 22a 、 23aをそれぞれ対向させてなる
3本の光ファイバー21.22.23が設けられている
。前記半導体レーザ1.2.3と光ファイバーの入射端
面21a 、 22a 、 23aの間には、それぞれ
、セルフォックマイクロレンズ、ポロカプラー等のカッ
プリングレンズ11.12.13が設けられている。こ
れらのカンプリングレンゲは半導体レーザから発せられ
た光ビームを効率よく前記光ファイバーに入射させるも
のであり、3本の光ビームはそれぞれ前記入射端面21
a 、 22a 、 23aから光ファイバー21.2
2.23に入射して各ファイバー内を伝達される。
前記光ファイバー21.22.23の射出端面21b。
22b 、 23b ハスターカプラー30の入射用端
子31a。
子31a。
32a 、 33aにそれぞれ接続されている。このス
ターカプラー30は前記3つの入射用端子31a 、
32a 。
ターカプラー30は前記3つの入射用端子31a 、
32a 。
33aから入射した光ビームを、1つの射出用端子30
bから1つの光ビームとして射出せしめるものであり、
入射用端子と射出用端子を結んで設けられ、入射用端子
から入射した光ビームを案内する導光路30Aは入射用
端子側で3本に枝分かれしており、射出用端子近傍で1
本に統合されている。
bから1つの光ビームとして射出せしめるものであり、
入射用端子と射出用端子を結んで設けられ、入射用端子
から入射した光ビームを案内する導光路30Aは入射用
端子側で3本に枝分かれしており、射出用端子近傍で1
本に統合されている。
従って入射端面31a 、 32a 、 33aからそ
れぞれ入射した3本の光ビームはスターカプラー30を
通過して射出端面30bから1本の光ビームとして射出
する。さらに、前記射出端面30bに対向する位置にコ
リメータレンズ40を設けておけば、スターカプラー3
0から射出した光ビームを平行ビームとすることができ
る。このようにスターカプラーを用いたことにより、極
めて容易に光ビームの合成を行なうことができ、光出力
の低い半導体レーザからも十分に高エネルギーの光ビー
ムを得、走査ビーム等として幅広く用いることが可能と
なる。また本発明の光合波装置は設計が容易であるとと
もに、光ビームの合成を効率的に行なうためには組立て
時における各素子の位置合わせのみに留意すればよく、
レンズ、ミラー等を用いた光合波装置のような^精度な
位置決めを行なう必要はなくなる。また一旦各素子の位
置を決めてしまえば経時とともに位置ずれが生じること
がほとんどないことから、点検、調整といった保守管理
がほとんど不用となる。さらに本発明の装置においては
光ビームの合成は、直接にはスターカプラーによっての
み行なわれているために装置全体の小型化を図ることが
できるとともに装置のスペースが限られている場合にも
スペースを有効に用いて光ビームの合成を行なうことが
できる。この点について第2図を参照して説明する。
れぞれ入射した3本の光ビームはスターカプラー30を
通過して射出端面30bから1本の光ビームとして射出
する。さらに、前記射出端面30bに対向する位置にコ
リメータレンズ40を設けておけば、スターカプラー3
0から射出した光ビームを平行ビームとすることができ
る。このようにスターカプラーを用いたことにより、極
めて容易に光ビームの合成を行なうことができ、光出力
の低い半導体レーザからも十分に高エネルギーの光ビー
ムを得、走査ビーム等として幅広く用いることが可能と
なる。また本発明の光合波装置は設計が容易であるとと
もに、光ビームの合成を効率的に行なうためには組立て
時における各素子の位置合わせのみに留意すればよく、
レンズ、ミラー等を用いた光合波装置のような^精度な
位置決めを行なう必要はなくなる。また一旦各素子の位
置を決めてしまえば経時とともに位置ずれが生じること
がほとんどないことから、点検、調整といった保守管理
がほとんど不用となる。さらに本発明の装置においては
光ビームの合成は、直接にはスターカプラーによっての
み行なわれているために装置全体の小型化を図ることが
できるとともに装置のスペースが限られている場合にも
スペースを有効に用いて光ビームの合成を行なうことが
できる。この点について第2図を参照して説明する。
上述した、第1図に示す実施M様においては、各半導体
レーザは、−例として互いにレーザビーム射出軸を平行
に揃えて配置されているが、各半導体レーザは任意の位
置にそれぞれ設けることができる。すなわち、第2図に
示す他の実施態様におけるように、−例として4つの半
導体レーザ4゜5.6.7および各半導体レーザに対応
するカップリングレンズ14.15.16.17をそれ
ぞれ不規則に並べてもよい。この場合にも光ファイバー
24゜25、26.27により各半導体レーザから発せ
られた光ビームをスターカプラー30の入射用端子34
a。
レーザは、−例として互いにレーザビーム射出軸を平行
に揃えて配置されているが、各半導体レーザは任意の位
置にそれぞれ設けることができる。すなわち、第2図に
示す他の実施態様におけるように、−例として4つの半
導体レーザ4゜5.6.7および各半導体レーザに対応
するカップリングレンズ14.15.16.17をそれ
ぞれ不規則に並べてもよい。この場合にも光ファイバー
24゜25、26.27により各半導体レーザから発せ
られた光ビームをスターカプラー30の入射用端子34
a。
35a 、 36a 、 37aに導くようにすれば、
入射用端子34a 、 35a 、 36a 、 3γ
aから入射した光ビームはスターカプラー30の射出用
端子306から1本の光ビームとなって射出する。ざら
に本発明の光合波装置を一例として走査読取装置内にお
いて用いた際に、前記スターカプラーの射出用端子の背
後に光偏向器や走査レンズ等を設ける余地がない場合に
は、図示のように射出用端子30bに光フフイバー50
を接続して任意の位置に合成された光ビームを導き、導
かれた位置においてコリメータレンズ40を介して合成
された光ビームを射出せしめればよい。このように本発
明の装置においては各半導体レーザ等をそれぞれ任意の
位置に配することも可能であるので、半導体レーザを配
置するスペースが限られていて、なお高出力のレーザビ
ームを得たい場合等に極めて好都合である。なお、以上
レーザ光源として半導体レーザを用いた場合を例にとっ
て説明したが、レーザ光源としては半導体レーザ以外の
ものを用いてもよいことは言うまでもない。
入射用端子34a 、 35a 、 36a 、 3γ
aから入射した光ビームはスターカプラー30の射出用
端子306から1本の光ビームとなって射出する。ざら
に本発明の光合波装置を一例として走査読取装置内にお
いて用いた際に、前記スターカプラーの射出用端子の背
後に光偏向器や走査レンズ等を設ける余地がない場合に
は、図示のように射出用端子30bに光フフイバー50
を接続して任意の位置に合成された光ビームを導き、導
かれた位置においてコリメータレンズ40を介して合成
された光ビームを射出せしめればよい。このように本発
明の装置においては各半導体レーザ等をそれぞれ任意の
位置に配することも可能であるので、半導体レーザを配
置するスペースが限られていて、なお高出力のレーザビ
ームを得たい場合等に極めて好都合である。なお、以上
レーザ光源として半導体レーザを用いた場合を例にとっ
て説明したが、レーザ光源としては半導体レーザ以外の
ものを用いてもよいことは言うまでもない。
(発明の効果ン
以上説明したように、本発明の光合波装置によれば、複
数のレーザ光源から発せられた光ビームをスターカプラ
ーの複数の入射用端子に伝達し、スターカプラーにより
1本の光ビームに合成することにより、設計の自由度が
高く、各素子の調整も容易な手段により、容易に複数の
光ビームを1本の光ビームに合成することが可能となる
。従って本発明の光合波装置を用いれば、複雑な光学系
に依らなくても高出力の光ビームを容易に作り出すこと
が可能となる。また、本発明の光合波装置によれば装置
全体を小型化することが可能であるとともに、各素子の
位置点検、再調整を行なう必要もほとんどなくなるなど
、その実用上の価値は極めて大きい。
数のレーザ光源から発せられた光ビームをスターカプラ
ーの複数の入射用端子に伝達し、スターカプラーにより
1本の光ビームに合成することにより、設計の自由度が
高く、各素子の調整も容易な手段により、容易に複数の
光ビームを1本の光ビームに合成することが可能となる
。従って本発明の光合波装置を用いれば、複雑な光学系
に依らなくても高出力の光ビームを容易に作り出すこと
が可能となる。また、本発明の光合波装置によれば装置
全体を小型化することが可能であるとともに、各素子の
位置点検、再調整を行なう必要もほとんどなくなるなど
、その実用上の価値は極めて大きい。
第1図は本発明の一実施態様による光合波装置のltM
を示す平面図、 第2図は本発明の他の実施態様による光合波装置の概要
を示す平面図である。 1.2.3.4.5.6.7・・・半導体レーザ11.
12,13,14,15,16.17・・・カップリン
グレンズ21.22,23,24,25,26.27・
・・光ファイバー30・・・スターカプラー 30
b・・・射出用端子31a、32a、33a、34a、
35a、36a、37a・・・入射用端子40・・・コ
リメータレンズ
を示す平面図、 第2図は本発明の他の実施態様による光合波装置の概要
を示す平面図である。 1.2.3.4.5.6.7・・・半導体レーザ11.
12,13,14,15,16.17・・・カップリン
グレンズ21.22,23,24,25,26.27・
・・光ファイバー30・・・スターカプラー 30
b・・・射出用端子31a、32a、33a、34a、
35a、36a、37a・・・入射用端子40・・・コ
リメータレンズ
Claims (1)
- 複数の入射用端子および1つの射出用端子を有するスタ
ーカプラー、前記入射用端子にそれぞれ一端が接続され
てなる複数の光ファイバー、該光ファイバーの他端に対
向して各々設けられた複数のレーザ光源、および前記各
光ファイバーの他端と前記各レーザ光源との間にそれぞ
れ設けられたカップリングレンズからなる光合波装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6621085A JPS61223807A (ja) | 1985-03-29 | 1985-03-29 | 光合波装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6621085A JPS61223807A (ja) | 1985-03-29 | 1985-03-29 | 光合波装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61223807A true JPS61223807A (ja) | 1986-10-04 |
Family
ID=13309233
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6621085A Pending JPS61223807A (ja) | 1985-03-29 | 1985-03-29 | 光合波装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61223807A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0278408A2 (de) * | 1987-02-06 | 1988-08-17 | Siemens Aktiengesellschaft | Monolithisch integrierte Wellenleiter-Fotodiodenkombination |
US5274487A (en) * | 1989-12-29 | 1993-12-28 | Fujitsu Limited | Photonic switching system |
US20220107459A1 (en) * | 2019-01-29 | 2022-04-07 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Optical Circuit |
-
1985
- 1985-03-29 JP JP6621085A patent/JPS61223807A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0278408A2 (de) * | 1987-02-06 | 1988-08-17 | Siemens Aktiengesellschaft | Monolithisch integrierte Wellenleiter-Fotodiodenkombination |
US5274487A (en) * | 1989-12-29 | 1993-12-28 | Fujitsu Limited | Photonic switching system |
US20220107459A1 (en) * | 2019-01-29 | 2022-04-07 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Optical Circuit |
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