JPS6243620A - 半導体レ−ザ光源装置 - Google Patents
半導体レ−ザ光源装置Info
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- JPS6243620A JPS6243620A JP18360685A JP18360685A JPS6243620A JP S6243620 A JPS6243620 A JP S6243620A JP 18360685 A JP18360685 A JP 18360685A JP 18360685 A JP18360685 A JP 18360685A JP S6243620 A JPS6243620 A JP S6243620A
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- beams
- cross
- laser
- semiconductor lasers
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（発明の分野）
本発明は光ビーム走査装置等に用いられる半導体レーザ
光源装置、特に詳細には複数の半導体レーザから射出さ
れたレーザビームを１本に合成するようにした半導体レ
ーザ光源装置に関するものである。
光源装置、特に詳細には複数の半導体レーザから射出さ
れたレーザビームを１本に合成するようにした半導体レ
ーザ光源装置に関するものである。
（発明の技術的背景および先行技術）
従来より、光ビームを光偏向器により偏向して走査する
光ビーム走査装置が、例えば各種走査記録装置、走査読
取装置等において広く実用に供されている。このような
光ビーム走査装置において光ビームを発生する手段の１
つとして、半導体レーザが従来から用いられている。こ
の半導体レーザは、ガスレーザ等に比べれば小型、安価
で消費電力も少なく、また駆動電流を変えることによっ
て直接変調が可能である等、数々の長所を有している。
光ビーム走査装置が、例えば各種走査記録装置、走査読
取装置等において広く実用に供されている。このような
光ビーム走査装置において光ビームを発生する手段の１
つとして、半導体レーザが従来から用いられている。こ
の半導体レーザは、ガスレーザ等に比べれば小型、安価
で消費電力も少なく、また駆動電流を変えることによっ
て直接変調が可能である等、数々の長所を有している。
しかしながら、その反面この半導体レーザは、連続発振
させる場合には現状では出力がたかだか２０〜３０ｍＷ
と小さく、したがって＾エネルギーの走査光を必要とす
る光ビーム走査装置、例えば感度の低い記録材料（金属
膜、アモルファス膜等のＤＲＡＷ材料等）に記録する走
査記録装置等に用いるのは極めて困難である。
させる場合には現状では出力がたかだか２０〜３０ｍＷ
と小さく、したがって＾エネルギーの走査光を必要とす
る光ビーム走査装置、例えば感度の低い記録材料（金属
膜、アモルファス膜等のＤＲＡＷ材料等）に記録する走
査記録装置等に用いるのは極めて困難である。
また、ある種の螢光体に放射線（Ｘ線、α線、β線、γ
線、電子線、紫外線等）を照射すると、この放射線エネ
ルギーの一部が螢光体中に蓄積され、この螢光体に可視
光等の励起光を照射すると、蓄積されたエネルギーに応
じて螢光体が輝尽発光を示すことが知られており、この
ような蓄積性螢光体を利用して、人体等の被写体の放射
線画像情報を一旦蓄積性螢光体（１ｍ尽性螢光体）から
なる層を有する蓄積性螢光体シートに記録し、この蓄積
性螢光体シートをレーザ光等の励起光で走査して輝尽発
光光を生ぜしめ、得られた輝尽発光光を光電的に読み取
って画像信号を得、この画像信号に基づき被写体の放射
線画像を写真感光材料等の記録材料、ＣＲＴ等に可視像
として出力させる放射線画像情報記録再生システムが本
出願人により既に提案されている（特開昭５５−１２４
２９号、同５５−１１６３４０号、同５５−１６３４７
２号、同５６−１１３９５号、同５６−１０４６４５号
など）。このシステムにおいて放射線画像情報が蓄積記
録されたＭ活性螢光体シートを走査して画像情報の読取
りを行なうのに、半導体レーザを用いた光ビーム走査装
置の使用が考えられているが、蓄積性螢光体を輝尽発光
させるためには、十分に高エネルギーの励起光を該螢光
体に照射する必要があり、したがって前記半導体レーデ
を用いた光ビーム走査装置を、この放射線画像情報記録
再生システムにおいて画像情報読取りのために使用する
ことも極めて難しい。
線、電子線、紫外線等）を照射すると、この放射線エネ
ルギーの一部が螢光体中に蓄積され、この螢光体に可視
光等の励起光を照射すると、蓄積されたエネルギーに応
じて螢光体が輝尽発光を示すことが知られており、この
ような蓄積性螢光体を利用して、人体等の被写体の放射
線画像情報を一旦蓄積性螢光体（１ｍ尽性螢光体）から
なる層を有する蓄積性螢光体シートに記録し、この蓄積
性螢光体シートをレーザ光等の励起光で走査して輝尽発
光光を生ぜしめ、得られた輝尽発光光を光電的に読み取
って画像信号を得、この画像信号に基づき被写体の放射
線画像を写真感光材料等の記録材料、ＣＲＴ等に可視像
として出力させる放射線画像情報記録再生システムが本
出願人により既に提案されている（特開昭５５−１２４
２９号、同５５−１１６３４０号、同５５−１６３４７
２号、同５６−１１３９５号、同５６−１０４６４５号
など）。このシステムにおいて放射線画像情報が蓄積記
録されたＭ活性螢光体シートを走査して画像情報の読取
りを行なうのに、半導体レーザを用いた光ビーム走査装
置の使用が考えられているが、蓄積性螢光体を輝尽発光
させるためには、十分に高エネルギーの励起光を該螢光
体に照射する必要があり、したがって前記半導体レーデ
を用いた光ビーム走査装置を、この放射線画像情報記録
再生システムにおいて画像情報読取りのために使用する
ことも極めて難しい。
そこで上記の通り光出力が低い半導体レーザから十分高
エネルギーの走査ビームを得るために、複数の半導体レ
ーザを使用し、これらの半導体レーザから射出されたレ
ーザビームを１本に合成することが考えられる。このよ
うに複数のレーザビームを合成する半導体レーザ光源装
置として、例えば特願昭５９−１２１０８９号明細書に
示される゛ように、各レーザビームの光軸が互いに平行
となるように各半導体レーザを配置し、各レーザビーム
をそれぞれコリメータレンズによって平行ビームとした
上で互いに平行に１列に配列して、１本に合成するよう
にしたものが考えられている。
エネルギーの走査ビームを得るために、複数の半導体レ
ーザを使用し、これらの半導体レーザから射出されたレ
ーザビームを１本に合成することが考えられる。このよ
うに複数のレーザビームを合成する半導体レーザ光源装
置として、例えば特願昭５９−１２１０８９号明細書に
示される゛ように、各レーザビームの光軸が互いに平行
となるように各半導体レーザを配置し、各レーザビーム
をそれぞれコリメータレンズによって平行ビームとした
上で互いに平行に１列に配列して、１本に合成するよう
にしたものが考えられている。
ところが周知のように半導体レーザから出射するレーザ
ビームは、半導体レーザのｐｎ接接合に平行な方向と直
角な方向とでそれぞれ発散角が異なり、その断面形状は
惰円状となっているので、第４図図示のように、複数の
レーザビーム１０を配列合成すると、合成ビーム１１の
断面形状は縁部が欠けたものとなってしまう。このよう
な合成ビーム１１の縁部は光走査のために有効に利用さ
れ得ず、したがってこのような合成ビームを用いる光走
査装置は、エネルギー利用効率が低いものとなってしま
う。
ビームは、半導体レーザのｐｎ接接合に平行な方向と直
角な方向とでそれぞれ発散角が異なり、その断面形状は
惰円状となっているので、第４図図示のように、複数の
レーザビーム１０を配列合成すると、合成ビーム１１の
断面形状は縁部が欠けたものとなってしまう。このよう
な合成ビーム１１の縁部は光走査のために有効に利用さ
れ得ず、したがってこのような合成ビームを用いる光走
査装置は、エネルギー利用効率が低いものとなってしま
う。
また合成ビームの強度を高めるためには、合成するレー
ザビームの数を増やせばよいが、多数本のレーザビーム
を１列に配列合成すると合成ビームの断面形状が細長く
なり、実際の光走査に利用できなくなるという問題が生
じる。
ザビームの数を増やせばよいが、多数本のレーザビーム
を１列に配列合成すると合成ビームの断面形状が細長く
なり、実際の光走査に利用できなくなるという問題が生
じる。
（発明の目的）
本発明は上記のような事情に鑑みてなされたものであり
、正円に近い断面形状を有し、しかも極めＣ光強度が高
い合成ビームを得ることができる半導体レーザ光源装置
を提供することを目的とするものである。
、正円に近い断面形状を有し、しかも極めＣ光強度が高
い合成ビームを得ることができる半導体レーザ光源装置
を提供することを目的とするものである。
（発明の構成）
本発明の半導体レーザ光源装置は、複数の半導体レーザ
から発せられた断面惰円状のレーザビームをコリメート
した土でビーム断面短軸が略一線にｌｉｄうように配列
して、断面の縦横の長さが略等しいビーム束として射出
する第１のビーム射出系と、これとｌｉ′ｉ１様に形成
され上記ビーム束と略同じ断面形状のビーム束を射出す
る第２のビーム射出系と、ｔ＝ｔビームスプリッタとを
、第１のビーム射出系から射出されたビーム束はビーム
スプリッタの偏光膜を透過し、一方第２のビーム射出系
から射出されたど−ム束は上記偏光膜において反射する
ように配置して各ビーム射出系からのビーム束を合成す
るとともに、第１のビーム射出系からのビーム束と第２
のビーム射出系からのビーム束とを、上記偏光膜上にお
いてそれぞれのビーム配列方向が略直交し、かつそれぞ
れのビーム東中心が略重なり合うように偏光ビームスプ
リッタに入射させるようにしたことを特徴とするもので
ある。
から発せられた断面惰円状のレーザビームをコリメート
した土でビーム断面短軸が略一線にｌｉｄうように配列
して、断面の縦横の長さが略等しいビーム束として射出
する第１のビーム射出系と、これとｌｉ′ｉ１様に形成
され上記ビーム束と略同じ断面形状のビーム束を射出す
る第２のビーム射出系と、ｔ＝ｔビームスプリッタとを
、第１のビーム射出系から射出されたビーム束はビーム
スプリッタの偏光膜を透過し、一方第２のビーム射出系
から射出されたど−ム束は上記偏光膜において反射する
ように配置して各ビーム射出系からのビーム束を合成す
るとともに、第１のビーム射出系からのビーム束と第２
のビーム射出系からのビーム束とを、上記偏光膜上にお
いてそれぞれのビーム配列方向が略直交し、かつそれぞ
れのビーム東中心が略重なり合うように偏光ビームスプ
リッタに入射させるようにしたことを特徴とするもので
ある。
（実施態様）
以下、図面に示す実施態様に基づいて本発明の詳細な説
明する。
明する。
第１図は本発明の半導体レーザ光源装置の一実施態様を
示すものである。−例として３つの半導体レーザ２０ａ
、 ２０ｂ 、 ２０ｃは互いにビーム射出軸を平行
に揃えて配置され、これらの半導体レーザ２０ａ 、
２０ｂ 、 ２０ｃのそれぞれに対してコリメータレン
ズ２１ａ１２１ｂ、２１ｃと、反１ｉｆ１２２ａ 、
２２ｂ 。
示すものである。−例として３つの半導体レーザ２０ａ
、 ２０ｂ 、 ２０ｃは互いにビーム射出軸を平行
に揃えて配置され、これらの半導体レーザ２０ａ 、
２０ｂ 、 ２０ｃのそれぞれに対してコリメータレン
ズ２１ａ１２１ｂ、２１ｃと、反１ｉｆ１２２ａ 、
２２ｂ 。
２２ｃが設けられて、第１のビーム射出系２５が形成さ
れている。各半導体レーザ２０ａ、２０ｂ、２０ｃから
射出されたレーザビーム２３ａ 、２３ｂ、２３Ｃは上
記コリメータレンズ２１ａ、２１ｂ、２１ｃによって平
行ビームとされ、これらの平行ビームは上記反射鏡２２
ａ、２２ｂ、２２ｃにおいて反射し、互いに密接するよ
うに間隔を狭めビーム束２６となってＰ＠光ビームを透
過し、Ｓ偏光ビームを反射する偏光膜４０△を有する偏
光ビームスプリッタ４０に入射する。
れている。各半導体レーザ２０ａ、２０ｂ、２０ｃから
射出されたレーザビーム２３ａ 、２３ｂ、２３Ｃは上
記コリメータレンズ２１ａ、２１ｂ、２１ｃによって平
行ビームとされ、これらの平行ビームは上記反射鏡２２
ａ、２２ｂ、２２ｃにおいて反射し、互いに密接するよ
うに間隔を狭めビーム束２６となってＰ＠光ビームを透
過し、Ｓ偏光ビームを反射する偏光膜４０△を有する偏
光ビームスプリッタ４０に入射する。
ここで上記第１のビーム射出系２５の各半導体レ−’、
Ｆ２０ａ〜Ｇは、ｐｎ接合面が第１図においてＸ−ｙ平
面と平行となるように配置されており、したがって各半
導体レー＋ｆ２０ａ〜Ｃから射出されたレーザビーム２
３ａ〜Ｃは矢印Ａ１で示すように、ｘ−ｙ平面と平行な
面内で直線偏光するものとなっている。偏光ビームスプ
リッタ４０の偏光１１Ｑ４０Ａは、上記の向きに偏光（
Ｐ偏光）したレーザビーム２３ａ〜Ｃを透過さけるよう
に配置されている。
Ｆ２０ａ〜Ｇは、ｐｎ接合面が第１図においてＸ−ｙ平
面と平行となるように配置されており、したがって各半
導体レー＋ｆ２０ａ〜Ｃから射出されたレーザビーム２
３ａ〜Ｃは矢印Ａ１で示すように、ｘ−ｙ平面と平行な
面内で直線偏光するものとなっている。偏光ビームスプ
リッタ４０の偏光１１Ｑ４０Ａは、上記の向きに偏光（
Ｐ偏光）したレーザビーム２３ａ〜Ｃを透過さけるよう
に配置されている。
偏光ビームスプリッタ４０に入射フるレーザビーム２３
ａ”Ｃは周知の通り半導体レージ゛２０ａ−ｃのｐｎ接
合面に平行な方向と直角な方向とでそれぞれ光故角が冑
なり、ぞの断面形状は楕円状となっているが、本実施態
様においては上記断面の短軸と長軸との比が１：３稈度
のビーム２３ａ〜Ｃ＠射出する半導体レーザ２０ａ〜Ｃ
が用いられている。
ａ”Ｃは周知の通り半導体レージ゛２０ａ−ｃのｐｎ接
合面に平行な方向と直角な方向とでそれぞれ光故角が冑
なり、ぞの断面形状は楕円状となっているが、本実施態
様においては上記断面の短軸と長軸との比が１：３稈度
のビーム２３ａ〜Ｃ＠射出する半導体レーザ２０ａ〜Ｃ
が用いられている。
そして偏光ビームスプリッタ４０に入射するレーザビー
ム２３ａ〜Ｃは、それぞれの短軸が略一線に揃うように
配列されているので、これらレーザビーム２３ａ −Ｃ
からなるビーム束２６の断面形状は、縦横の良さが略等
しいものとなっている。
ム２３ａ〜Ｃは、それぞれの短軸が略一線に揃うように
配列されているので、これらレーザビーム２３ａ −Ｃ
からなるビーム束２６の断面形状は、縦横の良さが略等
しいものとなっている。
一方上記第１のビーム射出系２５とは別に、３つの半導
体レーザ３０ａ 、 ３０ｂ 、 ３０ｃが互いにビー
ム射出軸を平行に揃えて配置され、これらの半導体レー
ザ３０ａ、３０ｂ、３０Ｃのそれぞれに対してコリメー
’） し＞７３１ａ 、 ３１ｂ 、 ３１ｃ ト、反
射１ｉ３２ａ。
体レーザ３０ａ 、 ３０ｂ 、 ３０ｃが互いにビー
ム射出軸を平行に揃えて配置され、これらの半導体レー
ザ３０ａ、３０ｂ、３０Ｃのそれぞれに対してコリメー
’） し＞７３１ａ 、 ３１ｂ 、 ３１ｃ ト、反
射１ｉ３２ａ。
３２ｂ、３２ｃが設けられて、第２のビーム射出系３５
が形成されている。上記半導体レーザ３０ａ、３０ｂ１
３０ｃから射出されたレーザビーム３３ａ 、３３ｂ、
３３Ｃはコリメータレンズ３１ａ、３１ｂ、３１ｃによ
って平行ビームとされ、これらの平行ビームは上記反射
鏡３２ａ、３２ｂ、３２ｃにおいて反射し、互いに密接
するように間隔を狭めビーム束３６となって偏光ビーム
スプリッタ４０に入射する。ここで第２のビーム射出系
３５の半導体レーザ３０ａ−ｃは、前記第１のビーム射
出系２５の半導体レーザ２０ａ〜Ｃと同様のものが使用
され、そして偏光ビームスプリッタ４０に入射するレー
ザビーム３３ａ−ｃも、それぞれの短軸が略一線に揃う
ように配列されているので、これらレーザビーム３３ａ
〜Ｃからなるビーム束３６の断面形状は、第１のビーム
射出系２５からのビーム束２６の断面形状と同じものと
なっている。
が形成されている。上記半導体レーザ３０ａ、３０ｂ１
３０ｃから射出されたレーザビーム３３ａ 、３３ｂ、
３３Ｃはコリメータレンズ３１ａ、３１ｂ、３１ｃによ
って平行ビームとされ、これらの平行ビームは上記反射
鏡３２ａ、３２ｂ、３２ｃにおいて反射し、互いに密接
するように間隔を狭めビーム束３６となって偏光ビーム
スプリッタ４０に入射する。ここで第２のビーム射出系
３５の半導体レーザ３０ａ−ｃは、前記第１のビーム射
出系２５の半導体レーザ２０ａ〜Ｃと同様のものが使用
され、そして偏光ビームスプリッタ４０に入射するレー
ザビーム３３ａ−ｃも、それぞれの短軸が略一線に揃う
ように配列されているので、これらレーザビーム３３ａ
〜Ｃからなるビーム束３６の断面形状は、第１のビーム
射出系２５からのビーム束２６の断面形状と同じものと
なっている。
しかしここで偏光ビームスプリッタ４０に入射するビー
ム束２６においては、各レーザビーム２３８〜Ｃ′Ｉｆ
ｉｙ軸方向に配列されているのに対し、偏光ビームスプ
リッタ４０に入射するビーム束３６においては、上記ｙ
軸に対して直角な２軸方向に並べられている。つまり半
導体レーザ３０ａ〜Ｃは、ｐｎ接合面がｙ−ｚ平面と平
行となるように配されており、偏光ビームスプリッタ４
０に入射するレーザビーム３３ａ−ｃは矢印Ａ２で示ず
ように、ｙ−ｚ平面と平行な面内で直線偏光するものと
なっている。
ム束２６においては、各レーザビーム２３８〜Ｃ′Ｉｆ
ｉｙ軸方向に配列されているのに対し、偏光ビームスプ
リッタ４０に入射するビーム束３６においては、上記ｙ
軸に対して直角な２軸方向に並べられている。つまり半
導体レーザ３０ａ〜Ｃは、ｐｎ接合面がｙ−ｚ平面と平
行となるように配されており、偏光ビームスプリッタ４
０に入射するレーザビーム３３ａ−ｃは矢印Ａ２で示ず
ように、ｙ−ｚ平面と平行な面内で直線偏光するものと
なっている。
偏光ビームスプリッタ４０の偏光膜４０Ａは、このよう
に前記レーザビーム２３ａ −ｃの偏光面に対して９０
°回転した面内で偏光（Ｓ偏光）しているレーザビーム
３３ａ −ｃを反射するので、偏光ビームスプリッタ４
０からは、これらレーザビーム３３８〜Ｃとからなるビ
ーム束３６と、前記レーザビーム２３ａ〜Ｃからなるビ
ーム束２６が合成されてなる合成ビーム４１が射出され
る。
に前記レーザビーム２３ａ −ｃの偏光面に対して９０
°回転した面内で偏光（Ｓ偏光）しているレーザビーム
３３ａ −ｃを反射するので、偏光ビームスプリッタ４
０からは、これらレーザビーム３３８〜Ｃとからなるビ
ーム束３６と、前記レーザビーム２３ａ〜Ｃからなるビ
ーム束２６が合成されてなる合成ビーム４１が射出され
る。
そして第２図に示すように、ビーム束２６とビーム束３
６とは、偏光ビームスプリッタ４０の偏光４１４゜Ａ上
おいて各ビーム束中心が車なり合うようにして該偏光ビ
ームスプリッタ４０に入射されるようになっている。し
たがって上記合成ビーム４１は、６本のレーザビーム２
３ａ〜ｃ、３３ａ〜Ｃが高密度に合成され、しかも縁部
の欠けが無く正円に近い断面形状を有するものとなって
いる。
６とは、偏光ビームスプリッタ４０の偏光４１４゜Ａ上
おいて各ビーム束中心が車なり合うようにして該偏光ビ
ームスプリッタ４０に入射されるようになっている。し
たがって上記合成ビーム４１は、６本のレーザビーム２
３ａ〜ｃ、３３ａ〜Ｃが高密度に合成され、しかも縁部
の欠けが無く正円に近い断面形状を有するものとなって
いる。
この合成ご一ム４１は例えば第１図において矢印Ｂ方向
に往復回動する光偏向器４２により偏向され、偏向され
た合成ビーム４１は共通の集束レンズ４３に入射し、該
集束レンズ４３により１つの合成ビームスポットＳに集
中されるとともに、それぞれがこのスポットＳにおいて
集束される。したがって上記スポットＳが照射される位
置に被走査面４４を配置すれば、該被走査面４４は、６
木のレーザビーム２３ａ〜ｃ、３３ａ〜Ｃが合成されて
極めて高エネルギーとなった走査ビームによって矢印Ｃ
方向に走査されるゆなａ３通常上記被走査面４４は平面
とされ、そのために集束レンズ４３としてｆθレンズが
用いられる。
に往復回動する光偏向器４２により偏向され、偏向され
た合成ビーム４１は共通の集束レンズ４３に入射し、該
集束レンズ４３により１つの合成ビームスポットＳに集
中されるとともに、それぞれがこのスポットＳにおいて
集束される。したがって上記スポットＳが照射される位
置に被走査面４４を配置すれば、該被走査面４４は、６
木のレーザビーム２３ａ〜ｃ、３３ａ〜Ｃが合成されて
極めて高エネルギーとなった走査ビームによって矢印Ｃ
方向に走査されるゆなａ３通常上記被走査面４４は平面
とされ、そのために集束レンズ４３としてｆθレンズが
用いられる。
上記半導体レーザ光源袋口においては、前述の通り合成
ビーム４１が、縁部の欠けが無く正円に近い断面形状を
有し、強度分布が略均−なものとなっているので、６本
のレーザビーム２３ａ〜Ｃ１３３ａ〜Ｃのエネルギーが
有効に光走査に利用されるようになる。
ビーム４１が、縁部の欠けが無く正円に近い断面形状を
有し、強度分布が略均−なものとなっているので、６本
のレーザビーム２３ａ〜Ｃ１３３ａ〜Ｃのエネルギーが
有効に光走査に利用されるようになる。
なお以上説明した実施態様においては、第１および第２
のビーム射出系２５．３５から、それぞれ同数でまた断
面形状も等しいレーザビーム２３ａ−ｃおよび３３ａ
−ｃが射出されるようになっているが、例えば第３図に
示すように、第１のビーム射出系からのビーム束５０と
第２のビーム射出系からのビーム束６０とを、それぞれ
異なる本数、異なる断面形状のレーザビーム５１ａ、５
１ｂ、５１ｃおよび６１ａ１６１ｂから構成するように
してもよい。このようにしても、ビーム束５０とビーム
束６０のそれぞれの断面形状が、縦横の長さが略等しく
、そして互いに略等しいものとなっていれば、前述した
ような効果が得られる。
のビーム射出系２５．３５から、それぞれ同数でまた断
面形状も等しいレーザビーム２３ａ−ｃおよび３３ａ
−ｃが射出されるようになっているが、例えば第３図に
示すように、第１のビーム射出系からのビーム束５０と
第２のビーム射出系からのビーム束６０とを、それぞれ
異なる本数、異なる断面形状のレーザビーム５１ａ、５
１ｂ、５１ｃおよび６１ａ１６１ｂから構成するように
してもよい。このようにしても、ビーム束５０とビーム
束６０のそれぞれの断面形状が、縦横の長さが略等しく
、そして互いに略等しいものとなっていれば、前述した
ような効果が得られる。
また第１および第２のビーム射出系から射出させるレー
ザビームの本数は、勿論以上説明した本数に限られるも
のではなく、２本以上であれば何本であってもよい。そ
してｌｉ数の半導体レーデから射出されたレーザビーム
をそのまま配列してビーム束とする場合には、配列する
ビーム本数はレーザビームの断面形状（短軸と長軸の比
）によって自ずと決まってしまうが、半導体レーザから
忰１出されたレーザビームをビーム整形器を用いてより
偏平となるように整形すれば、より多数のレーザビーム
によってビーム束を構成することができ、結局より多数
のレーザビームを高密度に合成できるようになる。
ザビームの本数は、勿論以上説明した本数に限られるも
のではなく、２本以上であれば何本であってもよい。そ
してｌｉ数の半導体レーデから射出されたレーザビーム
をそのまま配列してビーム束とする場合には、配列する
ビーム本数はレーザビームの断面形状（短軸と長軸の比
）によって自ずと決まってしまうが、半導体レーザから
忰１出されたレーザビームをビーム整形器を用いてより
偏平となるように整形すれば、より多数のレーザビーム
によってビーム束を構成することができ、結局より多数
のレーザビームを高密度に合成できるようになる。
（発明の効果）
以上詳細に説明した通り本発明の半導体レーザ光源装置
は、多数の半導体レーザから射出されたレーザビームを
ＩＱ密度に合成して極めて高エネルギーのビームを得る
ことができるから、例えば前述したように高１ネルギー
の走査ビームが必要なりＲＡＷ材料への記録、あるいは
蓄積性螢光体シートからの放射線画像情報の読取り等に
も使用可能であり、既ｊホした半導体レーザの数々の特
長を活かして広範な分野に使用されうるちのとなる。
は、多数の半導体レーザから射出されたレーザビームを
ＩＱ密度に合成して極めて高エネルギーのビームを得る
ことができるから、例えば前述したように高１ネルギー
の走査ビームが必要なりＲＡＷ材料への記録、あるいは
蓄積性螢光体シートからの放射線画像情報の読取り等に
も使用可能であり、既ｊホした半導体レーザの数々の特
長を活かして広範な分野に使用されうるちのとなる。
しかも本発明装置によれば、断面形状が正円に近く、強
度分布が略均−な合成ビームを得ることがぐさるので、
レーザじ−ムのエネルギーを光走査等のために極めて有
効に利用できるようになる。
度分布が略均−な合成ビームを得ることがぐさるので、
レーザじ−ムのエネルギーを光走査等のために極めて有
効に利用できるようになる。
第１図は本発明の半導体レーザ光源装置の一実ＩＩｌ！
ｌ態はを示す斜視図、 第２図は上記実施態様装δにおけるレーザビームの合成
の様子を示！１′概略図、 第３図は本発明装置によるレーザビームの合成のイ１方
の別の例を示す概略図、 第４図は従来装置におけるレーザビームの合成の仕方の
一例を示す概略図である。 ２０ａ 、２０ｂ 、２０ｃ 、３０ａ 、３０ｂ、３
０ｃ・・・半導体レーザ ２１ａ、２１ｂ、２１ｃ 、 ３１ａ 、 ３１ｂ 、
３１ｃ・・・］リメータレンズ ２３ａ、２３ｂ、２３ｃ、３３ａ、３３ｂ、３３ｃ。 ５＋ａ 、 ５１ｂ 、 ５１ｃ 、６１ａ 、 ６１
ｂ・・・レーザビーム ２５・・・第１のビーム射出系 ２６．３６．５０．６０・・・ビーム束３５・・・第２
のビーム射出系 ４０・・・偏光ビームスプリッタ ４０Ａ・・・偏光
膜４１・・・合成ビーム 第１０１ 第２図 第３図 ０Ａ 第４図 ユ
ｌ態はを示す斜視図、 第２図は上記実施態様装δにおけるレーザビームの合成
の様子を示！１′概略図、 第３図は本発明装置によるレーザビームの合成のイ１方
の別の例を示す概略図、 第４図は従来装置におけるレーザビームの合成の仕方の
一例を示す概略図である。 ２０ａ 、２０ｂ 、２０ｃ 、３０ａ 、３０ｂ、３
０ｃ・・・半導体レーザ ２１ａ、２１ｂ、２１ｃ 、 ３１ａ 、 ３１ｂ 、
３１ｃ・・・］リメータレンズ ２３ａ、２３ｂ、２３ｃ、３３ａ、３３ｂ、３３ｃ。 ５＋ａ 、 ５１ｂ 、 ５１ｃ 、６１ａ 、 ６１
ｂ・・・レーザビーム ２５・・・第１のビーム射出系 ２６．３６．５０．６０・・・ビーム束３５・・・第２
のビーム射出系 ４０・・・偏光ビームスプリッタ ４０Ａ・・・偏光
膜４１・・・合成ビーム 第１０１ 第２図 第３図 ０Ａ 第４図 ユ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 複数の半導体レーザから発せられた断面惰円状のレーザ
ビームをコリメートした上でビーム断面短軸が略一線に
揃うように配列して、断面の縦横の長さが略等しいビー
ム束として射出する第１のビーム射出系と、 この第１のビーム射出系から射出されたビーム束を透過
するように配された偏光膜を有する偏光ビームスプリッ
タと、 複数の半導体レーザから発せられた断面惰円状のレーザ
ビームをコリメートした上でビーム断面短軸が略一線に
揃うように配列して、前記ビーム束と略同じ断面形状の
ビーム束として射出し、このビーム束が前記偏光ビーム
スプリッタの前記偏光膜において反射して前記第１のビ
ーム射出系からのビーム束と合成されるように配された
第２のビーム射出系とからなり、 前記第１のビーム射出系からのビーム束と前記第２のビ
ーム射出系からのビーム束とが、前記偏光膜上において
それぞれのビーム配列方向が略直交し、かつそれぞれの
ビーム束中心が略重なり合うように前記偏光ビームスプ
リッタに入射されるようになっていることを特徴とする
半導体レーザ光源装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18360685A JPS6243620A (ja) | 1985-08-21 | 1985-08-21 | 半導体レ−ザ光源装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18360685A JPS6243620A (ja) | 1985-08-21 | 1985-08-21 | 半導体レ−ザ光源装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6243620A true JPS6243620A (ja) | 1987-02-25 |
Family
ID=16138738
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18360685A Pending JPS6243620A (ja) | 1985-08-21 | 1985-08-21 | 半導体レ−ザ光源装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6243620A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5009472A (en) * | 1987-01-08 | 1991-04-23 | Asahi Kogaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Light scanning device with polarizing device to make light transmission more uniform |
| EP1081460A2 (de) * | 1999-08-28 | 2001-03-07 | HILTI Aktiengesellschaft | Laseranordnung für ein mehrstrahliges Laserrichtgerät |
| WO2005101487A1 (en) * | 2004-04-19 | 2005-10-27 | Eo Technics Co., Ltd. | Laser processing apparatus |
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| JP2012118302A (ja) * | 2010-12-01 | 2012-06-21 | Seiko Epson Corp | 光源装置及びプロジェクター |
| JP2012118122A (ja) * | 2010-11-29 | 2012-06-21 | Sony Corp | 照明装置、投影型表示装置および直視型表示装置 |
| JP2014123013A (ja) * | 2012-12-21 | 2014-07-03 | Casio Comput Co Ltd | 光源装置、プロジェクタ |
| JP2015501508A (ja) * | 2011-10-11 | 2015-01-15 | 深▲せん▼市光峰光電技術有限公司Ａｐｐｏｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ Ｌｉｍｉｔｅｄ | 光源システムおよびレーザ光源 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5455184A (en) * | 1977-10-11 | 1979-05-02 | Canon Inc | Semiconductor laser light source unit |
-
1985
- 1985-08-21 JP JP18360685A patent/JPS6243620A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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