JPS61188817A - 透明導電膜及びその形成方法 - Google Patents
透明導電膜及びその形成方法Info
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- JPS61188817A JPS61188817A JP2956485A JP2956485A JPS61188817A JP S61188817 A JPS61188817 A JP S61188817A JP 2956485 A JP2956485 A JP 2956485A JP 2956485 A JP2956485 A JP 2956485A JP S61188817 A JPS61188817 A JP S61188817A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- transparent conductive
- conductive film
- substrate
- bismuth
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/34—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions
- C03C17/3411—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions with at least two coatings of inorganic materials
- C03C17/3417—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions with at least two coatings of inorganic materials all coatings being oxide coatings
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- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は透明導電膜及びその形成方法に関するものであ
る。
る。
従来の技術
透明導電膜は、液晶表示などの平面ディスプレイデバイ
スや太陽電池などの不可欠な構成材料として需要が大き
いが、最近では更に透明タッチスイッチなどの入力装置
の構成材料としても重要となりつつある。特に、マイコ
ンなど情報機器の家電分野への進出と共に、複雑なスイ
ッチ機能の簡略化という問題を解決する手段としてこの
種のスイッチの重要性が高まると予想され、透明導電膜
の需要も今後大きく増加すると思われる。
スや太陽電池などの不可欠な構成材料として需要が大き
いが、最近では更に透明タッチスイッチなどの入力装置
の構成材料としても重要となりつつある。特に、マイコ
ンなど情報機器の家電分野への進出と共に、複雑なスイ
ッチ機能の簡略化という問題を解決する手段としてこの
種のスイッチの重要性が高まると予想され、透明導電膜
の需要も今後大きく増加すると思われる。
現在、透明導電膜として最も一般的に使用されている材
料は酸化インジウムにスズをドープした薄膜（以下ＩＴ
Ｏ膜と呼ぶ）であり、製造法としては、スパッタリング
や蒸着が主流である。この膜は、４〜５Ｘ１０−’Ωｍ
の比抵抗を有し、硬く基板に対する付着力も良好であり
、エレクトロニクス分野で透明電極として望まれる性能
を満足するものである。しかしながら、製造工程中に真
空系を要するため大面積の基板に均一に形成することが
難しくまたこのだめには、製造コストが高くなるという
欠点がある。
料は酸化インジウムにスズをドープした薄膜（以下ＩＴ
Ｏ膜と呼ぶ）であり、製造法としては、スパッタリング
や蒸着が主流である。この膜は、４〜５Ｘ１０−’Ωｍ
の比抵抗を有し、硬く基板に対する付着力も良好であり
、エレクトロニクス分野で透明電極として望まれる性能
を満足するものである。しかしながら、製造工程中に真
空系を要するため大面積の基板に均一に形成することが
難しくまたこのだめには、製造コストが高くなるという
欠点がある。
この欠点を補うため、透明導電膜の形成法として検討さ
れているものとして、形成用塗布液の塗布、焼成による
形成法がある。従来、この種の塗布液として、アセチル
アセトンに硝酸インジウムを溶解したものか、その生成
物と、アセチルアセトンと硝酸にスズを溶解したものを
、メタノール。
れているものとして、形成用塗布液の塗布、焼成による
形成法がある。従来、この種の塗布液として、アセチル
アセトンに硝酸インジウムを溶解したものか、その生成
物と、アセチルアセトンと硝酸にスズを溶解したものを
、メタノール。
エタノール及びアセトンに溶解した液や、インジウム及
びスズの有機酸塩を、溶媒に溶解したもの、及び塩化イ
ンジウム溶液などが発明されている。
びスズの有機酸塩を、溶媒に溶解したもの、及び塩化イ
ンジウム溶液などが発明されている。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら、上記塗布液の塗布、焼成による透明導電
膜は、抵抗値の点で実用に耐えるものが得られる反面、
酸化インジウム膜の基体（主にガラス板）に対する付着
力に限度があるため、物理的、化学的な強度が小さいと
いう欠点があって未だ実用には至っていない。特に、安
価なソーダ石炭ガラス板を基体とする場合、その変形を
防ぐために焼成温度は５００〜５５０℃以下にするのが
望ましいが、これによって上記欠点は更に大きな問題と
なる。
膜は、抵抗値の点で実用に耐えるものが得られる反面、
酸化インジウム膜の基体（主にガラス板）に対する付着
力に限度があるため、物理的、化学的な強度が小さいと
いう欠点があって未だ実用には至っていない。特に、安
価なソーダ石炭ガラス板を基体とする場合、その変形を
防ぐために焼成温度は５００〜５５０℃以下にするのが
望ましいが、これによって上記欠点は更に大きな問題と
なる。
本発明は、塗布、焼成によって形成する透明導電膜の前
記のような、物理的、化学的耐久性が弱いという問題点
を解決するために発明されたものである。
記のような、物理的、化学的耐久性が弱いという問題点
を解決するために発明されたものである。
問題点を解決するための手段
本発明では、透明導電層であるＩＴＯ膜と、基体との間
に、基体とＩＴＯ膜の両者に対する付着力の強い第二の
透明層を設けることによって、前記問題点を解決した。
に、基体とＩＴＯ膜の両者に対する付着力の強い第二の
透明層を設けることによって、前記問題点を解決した。
この第二の透明層の構成材料は、上記のような性質だけ
でなく、光透過率が良いこと、ＩＴＯ透明導電層の導電
性に悪影響のないことと、などの条件を満たすべきであ
るが、本発明では、このような材料として酸化ビスマス
を用いた。
でなく、光透過率が良いこと、ＩＴＯ透明導電層の導電
性に悪影響のないことと、などの条件を満たすべきであ
るが、本発明では、このような材料として酸化ビスマス
を用いた。
作 用
酸化ビスマスは、比較的低融６点の酸化物であシ、例え
ば２−エチルヘキサン酸ビスマス（以下、オクチル酸ビ
スマスと呼ぶ。）などの熱分解によって約４００〜５５
０℃において基体上に強固な薄膜を形成する。この膜は
、厚みが大きくなると黄色に着色するが、本発明の目的
のために設ける程度の膜厚では、光透過率に影響はなく
、また上に設けるＩＴＯ膜の伝導度にも影響はなかった
。
ば２−エチルヘキサン酸ビスマス（以下、オクチル酸ビ
スマスと呼ぶ。）などの熱分解によって約４００〜５５
０℃において基体上に強固な薄膜を形成する。この膜は
、厚みが大きくなると黄色に着色するが、本発明の目的
のために設ける程度の膜厚では、光透過率に影響はなく
、また上に設けるＩＴＯ膜の伝導度にも影響はなかった
。
更に、この酸化ビスマス薄膜と、ＩＴＯ膜間の付着力は
良好であるため、問題点を解決する手段中の第二の透明
層として、都合が良い。
良好であるため、問題点を解決する手段中の第二の透明
層として、都合が良い。
実施例
以下に実施例をあげて本発明の詳細な説明する０表１及
び２に示すような組成で各塗布液を調製し、アルカリ性
洗剤で洗浄、純水すすぎを行ったサンプル試片（市販ソ
ーダ石灰ガラス板、３０ ｒａｎ Ｘ ３０−、ｔ＝１
．１欄）に、まず酸化ビスマス薄膜形成用塗布液を２０
０Ｏｒｐｍ 、 ２０秒でスピンコードする。常温〜８
０℃（溶媒の種類によって適当に変える）で乾燥後、５
００℃あるいは５５０℃の電気炉中で３０分間加熱した
後、天水によるエツチングで段差を設け、膜厚を測定す
る。実施例で用いた塗布液では、最大の膜厚が７６０人
程度であった。
び２に示すような組成で各塗布液を調製し、アルカリ性
洗剤で洗浄、純水すすぎを行ったサンプル試片（市販ソ
ーダ石灰ガラス板、３０ ｒａｎ Ｘ ３０−、ｔ＝１
．１欄）に、まず酸化ビスマス薄膜形成用塗布液を２０
０Ｏｒｐｍ 、 ２０秒でスピンコードする。常温〜８
０℃（溶媒の種類によって適当に変える）で乾燥後、５
００℃あるいは５５０℃の電気炉中で３０分間加熱した
後、天水によるエツチングで段差を設け、膜厚を測定す
る。実施例で用いた塗布液では、最大の膜厚が７６０人
程度であった。
この後、ＩＴＯ透明導電膜形成用塗布液を３０００ ｒ
ｐｍ、 ２０秒でスピンコードする。同様に乾燥後、６
００℃か５５０℃の電気炉中で１時間加熱する。この層
の膜厚は、最初にエツチングで落とした部分に形成した
ＩＴＯを天水でエツチングすることにより段差を形成し
て測定した。実施例中の塗布液では、最大１０ｏＯ人の
ＩＴＯ層が得られた。
ｐｍ、 ２０秒でスピンコードする。同様に乾燥後、６
００℃か５５０℃の電気炉中で１時間加熱する。この層
の膜厚は、最初にエツチングで落とした部分に形成した
ＩＴＯを天水でエツチングすることにより段差を形成し
て測定した。実施例中の塗布液では、最大１０ｏＯ人の
ＩＴＯ層が得られた。
このようにして得たサンプルに対し、物理的強度の評価
を、荷重６Ｆのダイヤモンドチップによる引っかきで、
膜切断までの回数で表わし、化学的強度の評価を、常温
の天水に浸漬した際の膜の溶解する時間（溶解またはは
く離によって膜がなくなるまでの時間）で表わした。
を、荷重６Ｆのダイヤモンドチップによる引っかきで、
膜切断までの回数で表わし、化学的強度の評価を、常温
の天水に浸漬した際の膜の溶解する時間（溶解またはは
く離によって膜がなくなるまでの時間）で表わした。
結果を表１及び表２に示す０表１は、酸化ビスマス薄膜
を５ｏｏｒ：で形成したもの、表２はこの膜を、５５０
℃で形成したサンプルについての結果である。また、各
表中、比抵抗、物理的強度及び化学的強度の欄で、上段
の数値は、ＩＴＯ膜をＳＯＯ℃で形成したもの、下段の
は５５Ｃ）Ｃで形成したものを表わす。
を５ｏｏｒ：で形成したもの、表２はこの膜を、５５０
℃で形成したサンプルについての結果である。また、各
表中、比抵抗、物理的強度及び化学的強度の欄で、上段
の数値は、ＩＴＯ膜をＳＯＯ℃で形成したもの、下段の
は５５Ｃ）Ｃで形成したものを表わす。
これらの表より、本発明のような酸化ビスマス−ＩＴＯ
薄膜の二層構造としたサンプル（屋１〜Ａ６及びＡ Ｉ
’〜Ａ ６’ ）は、従来の構成のもの（４７〜通９）
に比較すると、いずれの焼成条件においても、その物理
的、化学的強度が大きく向上していることが分る。
薄膜の二層構造としたサンプル（屋１〜Ａ６及びＡ Ｉ
’〜Ａ ６’ ）は、従来の構成のもの（４７〜通９）
に比較すると、いずれの焼成条件においても、その物理
的、化学的強度が大きく向上していることが分る。
なお、本実施例で用いたもの以外のビスマス化合物、イ
ンジウム化合物及びスズ化合物でも、適当な溶媒に溶け
、焼成によって膜の得られるものであれば、本発明の目
的に使用することができる。
ンジウム化合物及びスズ化合物でも、適当な溶媒に溶け
、焼成によって膜の得られるものであれば、本発明の目
的に使用することができる。
発明の効果
以上のように、本発明は、基体上に、酸化ビスマス薄膜
と、この上にＩＴＯ薄膜を、それぞれビスマス化合物溶
液と、インジウム及びスズ化合物溶液を塗布し、５５０
℃以下で焼成することにより設けるという構成で、大面
積の基板に均一に、耐久性の良い透明導電膜を形成でき
る。
と、この上にＩＴＯ薄膜を、それぞれビスマス化合物溶
液と、インジウム及びスズ化合物溶液を塗布し、５５０
℃以下で焼成することにより設けるという構成で、大面
積の基板に均一に、耐久性の良い透明導電膜を形成でき
る。
Claims (3)
- （１）基体上に酸化ビスマスから成る膜を設け、その膜
上に、スズをドープした酸化インジウム膜を設けてなる
ことを特徴とする透明導電膜。 - （２）ビスマス化合物を溶媒に溶解した液を基体上に塗
布し、これを大気中で焼成して酸化ビスマスから成る膜
を設けた後、この上にインジウム化合物とスズ化合物を
溶媒に溶解した液を塗布し、大気中で焼成することを特
徴とする透明導電膜の形成方法。 - （３）温度が５５０℃以下であることを特徴とする特許
請求の範囲第２項記載の透明導電膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2956485A JPS61188817A (ja) | 1985-02-18 | 1985-02-18 | 透明導電膜及びその形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2956485A JPS61188817A (ja) | 1985-02-18 | 1985-02-18 | 透明導電膜及びその形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61188817A true JPS61188817A (ja) | 1986-08-22 |
Family
ID=12279622
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2956485A Pending JPS61188817A (ja) | 1985-02-18 | 1985-02-18 | 透明導電膜及びその形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61188817A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1994013851A1 (en) * | 1992-12-15 | 1994-06-23 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Transparent conductive film, transparent conductive base material, and conductive material |
-
1985
- 1985-02-18 JP JP2956485A patent/JPS61188817A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1994013851A1 (en) * | 1992-12-15 | 1994-06-23 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Transparent conductive film, transparent conductive base material, and conductive material |
| US5972527A (en) * | 1992-12-15 | 1999-10-26 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Transparent electrically conductive layer, electrically conductive transparent substrate and electrically conductive material |
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