JPS61118424A - 可溶性シリコ−ン−イミドコポリマ− - Google Patents
可溶性シリコ−ン−イミドコポリマ−Info
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- JPS61118424A JPS61118424A JP60231489A JP23148985A JPS61118424A JP S61118424 A JPS61118424 A JP S61118424A JP 60231489 A JP60231489 A JP 60231489A JP 23148985 A JP23148985 A JP 23148985A JP S61118424 A JPS61118424 A JP S61118424A
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- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G73/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
- C08G73/06—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
- C08G73/10—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
- C08G73/1057—Polyimides containing other atoms than carbon, hydrogen, nitrogen or oxygen in the main chain
- C08G73/106—Polyimides containing other atoms than carbon, hydrogen, nitrogen or oxygen in the main chain containing silicon
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
- C08G77/42—Block-or graft-polymers containing polysiloxane sequences
- C08G77/452—Block-or graft-polymers containing polysiloxane sequences containing nitrogen-containing sequences
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の背景
本発明はシロキサン単位とイミド単位の両者を有するポ
リマー組成物に係る。 さらに特定すると本発明はジグ
ライム（すなわちジグリコールメチルエーテル類）に可
溶なシロキサン−イミドコポリマーに係る。
リマー組成物に係る。 さらに特定すると本発明はジグ
ライム（すなわちジグリコールメチルエーテル類）に可
溶なシロキサン−イミドコポリマーに係る。
たとえばジアミノシロキサンと、ペンゾフェノンニ無水
物のような二無水物とを反応させて次式（Ｉ）を有する
ポリアミド酸を得ることＫよってシロキサン−イミドコ
ポリマーを製造できることは業界で公知である。
物のような二無水物とを反応させて次式（Ｉ）を有する
ポリアミド酸を得ることＫよってシロキサン−イミドコ
ポリマーを製造できることは業界で公知である。
■
ここで、Ｒは二価の炭化水素基であり、Ｒ′は一価の炭
化水素基であり、ｍは／より大きい４１数であり、ｎは
ＩＯより大きい整数である。 これらのポリアミド酸は
Ｎ−メチルピロリドンのような極性の高い溶媒に可溶で
あり、この形態で末端ユーザーに供給され【いる。
化水素基であり、ｍは／より大きい４１数であり、ｎは
ＩＯより大きい整数である。 これらのポリアミド酸は
Ｎ−メチルピロリドンのような極性の高い溶媒に可溶で
あり、この形態で末端ユーザーに供給され【いる。
典型的な場合、末端ユーザーがポリアミド酸のコーティ
ングを基体上に塗布した後約／！θ℃〜約４ｔＯ先の温
度に加熱して溶媒を除去しかつ環化を起こさせてたとえ
ば次式（，１）を有するシロキサン−イミドコポリマー
を形成することによって、シロキサン−イミドポリマー
が作られる。
ングを基体上に塗布した後約／！θ℃〜約４ｔＯ先の温
度に加熱して溶媒を除去しかつ環化を起こさせてたとえ
ば次式（，１）を有するシロキサン−イミドコポリマー
を形成することによって、シロキサン−イミドポリマー
が作られる。
これらのポリイミドは、半導体その他の電子デバイ、ス
の保護コーティングとし【有用ではあるが、普通の有機
酸のはとんどく不溶であるという欠陥を有している。
このポリアミド酸を／ＩＣ〜グＯＯ℃の温度に加熱する
必要があるというこの方法の別の欠点は、多くの半導体
デバイスが、デバイス自身に悪影響を及ぼすことなしに
は、そのような高温に加熱することができないというこ
とである。 さらに１この７ミド酸は加水分解によりズ
、末端ユーザーが使用しようとする際に、当然完全なイ
ミド化を妨げることになる、カルボン酸を形成し得ると
いうことが当業者には理解されよう。 したがって、７
ミド酸の形態ではなくイミドの形態で塗布し得るポリイ
ミドを提供することが望まれる。
の保護コーティングとし【有用ではあるが、普通の有機
酸のはとんどく不溶であるという欠陥を有している。
このポリアミド酸を／ＩＣ〜グＯＯ℃の温度に加熱する
必要があるというこの方法の別の欠点は、多くの半導体
デバイスが、デバイス自身に悪影響を及ぼすことなしに
は、そのような高温に加熱することができないというこ
とである。 さらに１この７ミド酸は加水分解によりズ
、末端ユーザーが使用しようとする際に、当然完全なイ
ミド化を妨げることになる、カルボン酸を形成し得ると
いうことが当業者には理解されよう。 したがって、７
ミド酸の形態ではなくイミドの形態で塗布し得るポリイ
ミドを提供することが望まれる。
ホルブ（Ｈｏ１ｕｂ ）の米国特許第３３よ解！鍔には
、上記の式（ＩＩ）のポリイミド−シロキサンと、ジア
ミノシロキサンと有機二無水物を反応させ【ポリアミド
酸を形成し、その後このポリアミド酸を加熱してイミド
化させることＫよるその製法とが開示されている。 ホ
ルブ（Ｈｏｌｕｂ）の教示の変形は米国特許第３３タシ
／４ｔ４を号、第３ダ３６，００−号、第３６ｊ″３８
２％、第３．ｊｊｉ７’ｌ／号、第３Ａ６３．７Ｍ号お
よび第３７４ｔＯ，３０６号にみることができる。
、上記の式（ＩＩ）のポリイミド−シロキサンと、ジア
ミノシロキサンと有機二無水物を反応させ【ポリアミド
酸を形成し、その後このポリアミド酸を加熱してイミド
化させることＫよるその製法とが開示されている。 ホ
ルブ（Ｈｏｌｕｂ）の教示の変形は米国特許第３３タシ
／４ｔ４を号、第３ダ３６，００−号、第３６ｊ″３８
２％、第３．ｊｊｉ７’ｌ／号、第３Ａ６３．７Ｍ号お
よび第３７４ｔＯ，３０６号にみることができる。
バーシャー（Ｂｅｒｇｅｒ ）の米国特許第名０１０゜
９グ？号には、 テトラカルボン酸二無水物、有機ジア
ミンおよびジ（アミノアルキル）ポリシロキサンの反応
生成物であるポリイミドコポリマーが開示されている。
９グ？号には、 テトラカルボン酸二無水物、有機ジア
ミンおよびジ（アミノアルキル）ポリシロキサンの反応
生成物であるポリイミドコポリマーが開示されている。
ここでジ（アミノアルキル）ポリシロキサンはポリマ
ーの全アミン必要量の／？〜Ｑモルチを構成している。
ーの全アミン必要量の／？〜Ｑモルチを構成している。
バーシャー （Ｂｅｒｇｅｒ ）の米ＦＩＡ％許第名３
りよ！、２２号には、 次式のシロキサン単位を含有す
るポリイミドによってポリイミドの溶解性と接着性が改
良されることが開示されている。
りよ！、２２号には、 次式のシロキサン単位を含有す
るポリイミドによってポリイミドの溶解性と接着性が改
良されることが開示されている。
ここで、Ｑは置換または非置換の芳香族基であり、−Ｏ
−Ｃ−： であり、Ｄは非置換または置換のヒｔ’ｏ
ｆＪＪｌヒＬｔ’ＹＪ）９、Ｒ，Ｒ”、 Ｒ’、 Ｒ’
、 Ｒ’ ＃よびＲ６はそれぞれ独立し【非置換または
置換のヒドロカルピル基でありｓ Ｘｅ ）’および２
はそれぞれ独立してθ〜１００の値を有する。 一般
にこのよ５なポリイミドは、Ｎ、Ｎ−ジメチル７セト
。
−Ｃ−： であり、Ｄは非置換または置換のヒｔ’ｏ
ｆＪＪｌヒＬｔ’ＹＪ）９、Ｒ，Ｒ”、 Ｒ’、 Ｒ’
、 Ｒ’ ＃よびＲ６はそれぞれ独立し【非置換または
置換のヒドロカルピル基でありｓ Ｘｅ ）’および２
はそれぞれ独立してθ〜１００の値を有する。 一般
にこのよ５なポリイミドは、Ｎ、Ｎ−ジメチル７セト
。
アミド、Ｎ−メチルカプロラクタム、ジメチルスルホキ
シド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、テトラメチル尿素
、ピリジン、ジメチルスルホン、ヘキサメチルホスホ７
ミド、テトラメチレンスルホン、ホルムアミド、Ｎ−メ
チルホルムアミド、ブチロラクトンおよびＮ−７セチル
ーーーピロリドンのような極性溶媒の他に、ジクロロベ
ンゼンおよびトリクロロベンゼンのような塩素化炭化水
素溶媒に可溶であるとされている。 さらにバーシャー
（Ｂｅｒｇｅｒ ）の教示するところでは、出発物の７
つとしてジエーテル含有無水物を使用すると、得られる
ポリイミドは上記の塩素化炭化水素溶媒と極性溶媒ばか
りでなく、これがシロキサン単位を含有する場合、ポリ
イミドはエチレングリフールおよび縮合したポリエチレ
ングリコール類のモノアルキルおよび／またはジアルキ
ルエーテル類および／または！員以上の環を含有する環
状エーテル類から誘導される溶媒、たとえばジグライム
にも可溶である。 しかし、バーシャー（Ｂｅｒｇｅｒ
）はポリイミドのジグライムに対する溶解度には限界が
あることを明らかにしている。 バーシャー（Ｂｅｒｇ
ｅｒ） Ｋよるとジグライムに可溶なイミド−シロキサ
ンポリマーを得たければ普通には使用しない、したがっ
てかなり高価なモノマーを用いる必要があることが当業
者には認識されるであろう。
シド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、テトラメチル尿素
、ピリジン、ジメチルスルホン、ヘキサメチルホスホ７
ミド、テトラメチレンスルホン、ホルムアミド、Ｎ−メ
チルホルムアミド、ブチロラクトンおよびＮ−７セチル
ーーーピロリドンのような極性溶媒の他に、ジクロロベ
ンゼンおよびトリクロロベンゼンのような塩素化炭化水
素溶媒に可溶であるとされている。 さらにバーシャー
（Ｂｅｒｇｅｒ ）の教示するところでは、出発物の７
つとしてジエーテル含有無水物を使用すると、得られる
ポリイミドは上記の塩素化炭化水素溶媒と極性溶媒ばか
りでなく、これがシロキサン単位を含有する場合、ポリ
イミドはエチレングリフールおよび縮合したポリエチレ
ングリコール類のモノアルキルおよび／またはジアルキ
ルエーテル類および／または！員以上の環を含有する環
状エーテル類から誘導される溶媒、たとえばジグライム
にも可溶である。 しかし、バーシャー（Ｂｅｒｇｅｒ
）はポリイミドのジグライムに対する溶解度には限界が
あることを明らかにしている。 バーシャー（Ｂｅｒｇ
ｅｒ） Ｋよるとジグライムに可溶なイミド−シロキサ
ンポリマーを得たければ普通には使用しない、したがっ
てかなり高価なモノマーを用いる必要があることが当業
者には認識されるであろう。
別の一面でバーシャー（Ｂｅｒｇｅｒ ）が幽業界に教
示 ′しているのは、シロキサン単位を含有するポリ
イミドが従来のポリイミドのガラス転移温度（Ｔｇ ）
の３ｊＯ’ＣＪＣ比べてずつと低い、たとえば／４ｔθ
℃程度のＴｇを有し【いるということである。 した
がってこれらは従来技術のポリイミドより容易に溶融流
動するであろう。
示 ′しているのは、シロキサン単位を含有するポリ
イミドが従来のポリイミドのガラス転移温度（Ｔｇ ）
の３ｊＯ’ＣＪＣ比べてずつと低い、たとえば／４ｔθ
℃程度のＴｇを有し【いるということである。 した
がってこれらは従来技術のポリイミドより容易に溶融流
動するであろう。
発明の概要
本発明の７つの目的は、通常使用しない高価な材料から
製造するのではない、ジグライムに可溶なシロキサン−
イミドコポリマーを提供することである。
製造するのではない、ジグライムに可溶なシロキサン−
イミドコポリマーを提供することである。
本発明の別の目的は、従来技術のシロキサン−イミドコ
ポリマーや有機イミドポリマーより広い有用な加工処理
範囲を有する組成物を得るべく２つのガラス転移温度を
もつシロキサン−イミドコポリマーを提供することであ
る。
ポリマーや有機イミドポリマーより広い有用な加工処理
範囲を有する組成物を得るべく２つのガラス転移温度を
もつシロキサン−イミドコポリマーを提供することであ
る。
その他の目的と利点は以下の本発明の説明と添付の特許
請求の範囲の記載から当業者には明らかであろう。
請求の範囲の記載から当業者には明らかであろう。
本発明はその最も広い面において、ガラス転移温度が低
いポリマーブロックを少な（とも１つとガラス転移温度
が高いポリマーブロックを少なくとも１つ有するジグラ
イム可溶性シロキサン−イミドコポリマーからなる。
いポリマーブロックを少な（とも１つとガラス転移温度
が高いポリマーブロックを少なくとも１つ有するジグラ
イム可溶性シロキサン−イミドコポリマーからなる。
このジグライム可溶性のシロキサン−イミドコポリマー
は次の一般式を有するのが好ましい。
は次の一般式を有するのが好ましい。
ここで、各Ａｒはそれぞれ独立して選択された芳香族基
であり、Ｒは置換もしくは非置換のヒドロカルビレン基
または次式の基である。
であり、Ｒは置換もしくは非置換のヒドロカルビレン基
または次式の基である。
−Ｑ−Ｚ−Ｒ−。
ただし、Ｑは置換または非置換の芳香族基であり、２１
家 ０ ０ ０ＨＨＯ ｏ ０ ０ であり、Ｒｓは置換または非置換のヒドロカルビレンで
ある。 また上記式中、各Ｒ１はそれぞれ゛ 独立に
選択された置換または非置換のヒドロカルビル基であり
、Ｒ２は （ただし Ｈ４は炭素原子を／〜９個有するアルキル基
であり、Ｒ５は炭素原子を／〜グ個有するフルキレン基
である）から成る群から選択された基であり、Ｙは酸素
またはイオウであり、ａ＠ｂ＠Ｃおよびｎは全て／ｌＣ
等しいかまたはそれ以上の整数である。
家 ０ ０ ０ＨＨＯ ｏ ０ ０ であり、Ｒｓは置換または非置換のヒドロカルビレンで
ある。 また上記式中、各Ｒ１はそれぞれ゛ 独立に
選択された置換または非置換のヒドロカルビル基であり
、Ｒ２は （ただし Ｈ４は炭素原子を／〜９個有するアルキル基
であり、Ｒ５は炭素原子を／〜グ個有するフルキレン基
である）から成る群から選択された基であり、Ｙは酸素
またはイオウであり、ａ＠ｂ＠Ｃおよびｎは全て／ｌＣ
等しいかまたはそれ以上の整数である。
発明の説明
本発明によって、低いガラス転移温度（Ｔｇ、）のポリ
マーブロックを少なくとも７つと高いガラス転移温度（
Ｔｇ□）のポリマーブロックを少なくとも１つとを有す
るジグライム可溶性シロキサン−イミドコポリマーが得
られる。
マーブロックを少なくとも７つと高いガラス転移温度（
Ｔｇ□）のポリマーブロックを少なくとも１つとを有す
るジグライム可溶性シロキサン−イミドコポリマーが得
られる。
通常本発明のジグライム可溶性シロキサン−イミドコポ
リマーは次の一般式（１）をもっている。
リマーは次の一般式（１）をもっている。
ここで、各Ａｒはそれぞれ独立して芳香族基であり、Ｒ
は置換もしくは非置換のヒドロカルビレン基または次式
の基である。
は置換もしくは非置換のヒドロカルビレン基または次式
の基である。
−Ｑ−Ｚ−Ｒ５−。
ただし、Ｑは置換または非置換の芳香族基であり、２１
家 であり Ｒ３は置換または非置換のヒドロカルビレン
である。 また上記一般式（１）中、各８１はそれぞれ
独立に選択された置換または非置換のヒドロカルビル基
であり、Ｒ２は次のものから成る群から選択された基で
ある。
家 であり Ｒ３は置換または非置換のヒドロカルビレン
である。 また上記一般式（１）中、各８１はそれぞれ
独立に選択された置換または非置換のヒドロカルビル基
であり、Ｒ２は次のものから成る群から選択された基で
ある。
ただし ｎ４は炭素原子を１〜り個有するフルキル基で
あり、Ｒ５は炭素原子な／〜ダ個有するアルキレン基で
ある。 さらく上記一般式（１）中、Ｙは酸素またはイ
オウであり、ａｅ ｂｅ ’およびｎは全て／に等しい
かまたはそれより大きい整数である。
あり、Ｒ５は炭素原子な／〜ダ個有するアルキレン基で
ある。 さらく上記一般式（１）中、Ｙは酸素またはイ
オウであり、ａｅ ｂｅ ’およびｎは全て／に等しい
かまたはそれより大きい整数である。
本発明のコポリマーの低いガラス転移温度（約−／１０
〜約θ℃が好ましい）を有するブロックは次式（ＩＶ）
のシロキサン−イミドポリマ一単位から得られる。
〜約θ℃が好ましい）を有するブロックは次式（ＩＶ）
のシロキサン−イミドポリマ一単位から得られる。
さらに、ジオルガノシロキシ単位が存在するためある程
度の柔軟性すなわち可撓性、たとえば低温での弾性も最
終生成物に付与され得る。
度の柔軟性すなわち可撓性、たとえば低温での弾性も最
終生成物に付与され得る。
このようなポリマーの製造は業界で周知であり、たとえ
ば米国特許第３．３２ぶｔｙ−ｔｏ−号および第％３９
５３２７号（これらの両者を援用して本明細書の開示内
容に含める）の教示するところに従って製造できる。
一般に、二無水物をジアミンと、特に本発明ではジアミ
ノで末端停止したポリジオルガノシロキサンと、反応さ
せてポリアミド酸を形成し、その後このポリアミド酸を
加熱して環化することによってポリイミドを製造する。
ば米国特許第３．３２ぶｔｙ−ｔｏ−号および第％３９
５３２７号（これらの両者を援用して本明細書の開示内
容に含める）の教示するところに従って製造できる。
一般に、二無水物をジアミンと、特に本発明ではジアミ
ノで末端停止したポリジオルガノシロキサンと、反応さ
せてポリアミド酸を形成し、その後このポリアミド酸を
加熱して環化することによってポリイミドを製造する。
上記式（ＩＶ）中のＡｒは四価のベンゼンもしくはナフ
タレン核または次式の四価の基であることができる。
タレン核または次式の四価の基であることができる。
ここで、ｍは０または／であり、Ｅは次のものである。
ただしｙは／〜？の整数である。
さらに好ましい態様では、ジグライムに対する最終生成
物の溶解性を高めるよ５なジエーテル結合が式（１ｖ）
のＡｒ Ｋ包含される。 すなわち、このさらに好まし
い態様では式（ＩＶ）のＡｒは次式の四価の残基である
。
物の溶解性を高めるよ５なジエーテル結合が式（１ｖ）
のＡｒ Ｋ包含される。 すなわち、このさらに好まし
い態様では式（ＩＶ）のＡｒは次式の四価の残基である
。
ここでＧはフェニレンまたは次式の基である。
ただしＥとｍは既に定義したとおりである。
特に好ましい式（ｆｆ）のＡｒは次式を有するものであ
る。
る。
０ｉ５Ｃ鴇
適切なＡｒ基と対応する二無水物反応体のさらに完全な
リストは米国籍許第名３９よ！２７号に見い出すことが
できる。
リストは米国籍許第名３９よ！２７号に見い出すことが
できる。
Ｒは置換または非置換のヒドロカルビレン基のいずれで
もよく、たとえば、メチレン、エチレン、プロピレン、
インプロピレン、インブチレンのように炭素原子を約２
θ個まで有する直鎖もしくは分校のフルキレン基、骨格
鎖が７個以上の７エニレン基で中断されており炭素原子
を約２θ個まで有するアルキレン基、または次式の基で
ある。
もよく、たとえば、メチレン、エチレン、プロピレン、
インプロピレン、インブチレンのように炭素原子を約２
θ個まで有する直鎖もしくは分校のフルキレン基、骨格
鎖が７個以上の７エニレン基で中断されており炭素原子
を約２θ個まで有するアルキレン基、または次式の基で
ある。
−Ｑ−Ｚ−Ｒ’−。
ここで、Ｑはフェニレンもしくはナフタレンのような置
換もしくは非置換の芳香族ヒドロカルビレン基のいずれ
かまたは複素環式芳香族基（ただし、ヘテロ原子はＮ、
０およびＳから選択される）であり、２は Ｏ００ であり ＢＳは凡の範囲内に入るヒドロカルビレン基
である。 Ｒは低級フルキレン基が好ましく、プロピレ
ンが最も好ましい。 これらの基とその他の適当なＲ基
は業界で全知であり、米国特許第３．３２３．’ｌ夕Ｑ
号および第名３９或！コ２号にさらに詳しく記載されて
いる。
換もしくは非置換の芳香族ヒドロカルビレン基のいずれ
かまたは複素環式芳香族基（ただし、ヘテロ原子はＮ、
０およびＳから選択される）であり、２は Ｏ００ であり ＢＳは凡の範囲内に入るヒドロカルビレン基
である。 Ｒは低級フルキレン基が好ましく、プロピレ
ンが最も好ましい。 これらの基とその他の適当なＲ基
は業界で全知であり、米国特許第３．３２３．’ｌ夕Ｑ
号および第名３９或！コ２号にさらに詳しく記載されて
いる。
Ｒ′基はそれぞれ独立に選択された一価で置換または非
置換の、ポリシロキサンのケイ素原子に結合している典
製的な基のいずれでもよい。
置換の、ポリシロキサンのケイ素原子に結合している典
製的な基のいずれでもよい。
さらに好ましいＲ１基にはメチル、エチル、プロピルま
たはブチル基のような低級フルキル基、フェニル基、ビ
ニル基、１．３．３−トリフルオロプロピル基等がある
。 当業者は最終生成物の所望の特性に応じて適当な８
１基とその他の基を、余分な実験をすることなく適当な
割合で選択することができる。
たはブチル基のような低級フルキル基、フェニル基、ビ
ニル基、１．３．３−トリフルオロプロピル基等がある
。 当業者は最終生成物の所望の特性に応じて適当な８
１基とその他の基を、余分な実験をすることなく適当な
割合で選択することができる。
上記の式（１）とＣ■）で、ａは／＆Ｃ等しいかまたは
それより大きい任意の整数であることができ、１０より
大きいと好ましい。 また、ｎは／より大きい任意の整
数であることができ、夕〜約１０゜が好ましい。
それより大きい任意の整数であることができ、１０より
大きいと好ましい。 また、ｎは／より大きい任意の整
数であることができ、夕〜約１０゜が好ましい。
本発明では式（ＩＶ）で表わされる前記のポリマ一単位
に加えて、次式（Ｖ）の有機ポリイミド単位のブロック
も少なくとも１つ存在する必要がある。
に加えて、次式（Ｖ）の有機ポリイミド単位のブロック
も少なくとも１つ存在する必要がある。
これＫよって、本発明のコポリマーの高いガラス転移温
度（約／θＱ〜３００℃が典型であり、７９〜３００℃
が好ましい）を有するブロックが得らねる。
度（約／θＱ〜３００℃が典型であり、７９〜３００℃
が好ましい）を有するブロックが得らねる。
このような単位によって最終生成物が熱可星性を有する
ようになることは当業者には理解されよう。 したがっ
て、本発明の新規な組成物は「熱可腹性エラストマー」
と最も良く表わすことができる。
ようになることは当業者には理解されよう。 したがっ
て、本発明の新規な組成物は「熱可腹性エラストマー」
と最も良く表わすことができる。
式（Ｖ）のＡｒは二価の芳香族基のいずれであることも
でき、式（ＩＶ）のＡｒ基よりは多少狭いのが好ましい
。 すなわち、式（Ｖ）の は、その芳香族基がＹを介し【フェニル基に二価結合す
る必要があるという点で式（ＩＶ）のＡｒの亜群と考え
ることができる。 Ｙは酸素またはイオウ原子であり、
酸素原子が好ましい。 式（Ｖ）の適轟なＡｒ基は当業
者が容易に決定できる。
でき、式（ＩＶ）のＡｒ基よりは多少狭いのが好ましい
。 すなわち、式（Ｖ）の は、その芳香族基がＹを介し【フェニル基に二価結合す
る必要があるという点で式（ＩＶ）のＡｒの亜群と考え
ることができる。 Ｙは酸素またはイオウ原子であり、
酸素原子が好ましい。 式（Ｖ）の適轟なＡｒ基は当業
者が容易に決定できる。
本発明に従つ℃ジグライム可溶性シロキサンーイミドコ
ポリマーを得るのく重大なことは、Ｒ２が次のものから
成る群から選択された基でなければならないということ
である。
ポリマーを得るのく重大なことは、Ｒ２が次のものから
成る群から選択された基でなければならないということ
である。
ここで １４は炭素原子を／〜９個有するフルキル基で
あり、炭素原子１〜３個が好ましく、メチルが最も好ま
しい。 またＲ５は炭素原子を／〜グ個有するフルキレ
ン基であり、炭素原子／または２個が好ましく、メチレ
ンが最も好ましい。
あり、炭素原子１〜３個が好ましく、メチルが最も好ま
しい。 またＲ５は炭素原子を／〜グ個有するフルキレ
ン基であり、炭素原子／または２個が好ましく、メチレ
ンが最も好ましい。
式（Ｖ）でｂは／に等しいかまたはこれより大きい任意
の整数であることができ、／θより太きいのが好ましい
。
の整数であることができ、／θより太きいのが好ましい
。
本発明の特に好ましい態様では式（ＩＶ）の構造単位の
有機ポリイミド部分は式（Ｖ）の構造単位と同じである
。 こうすると当業者は、式（ＩＶ）と（Ｖ）の中間体
ポリマーを最初に形成する必要なく一段階で本発明の組
成物を共重合することができる。 たとえば、式（ＩＶ
）の中間体ポリマーは次式（Ａ）の二無水物と次式（Ｂ
）の７ミノで末端停止したシロキサンを反応させて製造
し、 式（Ｖ）の中間体ポリマーは （Ｃ） と、たとえば次式 のジアミンとを反応させて製造する。
有機ポリイミド部分は式（Ｖ）の構造単位と同じである
。 こうすると当業者は、式（ＩＶ）と（Ｖ）の中間体
ポリマーを最初に形成する必要なく一段階で本発明の組
成物を共重合することができる。 たとえば、式（ＩＶ
）の中間体ポリマーは次式（Ａ）の二無水物と次式（Ｂ
）の７ミノで末端停止したシロキサンを反応させて製造
し、 式（Ｖ）の中間体ポリマーは （Ｃ） と、たとえば次式 のジアミンとを反応させて製造する。
反応体（Ａ）のＡｒが次式を有する場合、これは反応体
（Ｃ）と同じである。 反応体（Ｃ）と（Ｄ）の反応は
反応体（Ａ）と（Ｂ）の反応に比べて極めて速いことが
判明した。 したがって、反応体（Ｄ）が全部使い尽さ
れるまでは有機ポリアミド酸ブロックのみが形成され、
次いで残っている二無水物（すなわちＡとＣ）と７ミノ
シロキサンから酸アミドーシロキサンブロックが形成さ
れる。
（Ｃ）と同じである。 反応体（Ｃ）と（Ｄ）の反応は
反応体（Ａ）と（Ｂ）の反応に比べて極めて速いことが
判明した。 したがって、反応体（Ｄ）が全部使い尽さ
れるまでは有機ポリアミド酸ブロックのみが形成され、
次いで残っている二無水物（すなわちＡとＣ）と７ミノ
シロキサンから酸アミドーシロキサンブロックが形成さ
れる。
しかし、反応対（Ａ）と（Ｃ）が同一でない場合、ブロ
ックコポリマーを得るためにはまず業界で公知の方法に
よって式（４）と（５）の中間体ポリマーを形成する必
要がある。 これらの中間体ポリマーが形成されたらこ
れらを互いに重合させて本発明の組成物を形成する。
本発明のコポリマーの他の製造方法は当業者には自明で
あろう。
ックコポリマーを得るためにはまず業界で公知の方法に
よって式（４）と（５）の中間体ポリマーを形成する必
要がある。 これらの中間体ポリマーが形成されたらこ
れらを互いに重合させて本発明の組成物を形成する。
本発明のコポリマーの他の製造方法は当業者には自明で
あろう。
上述した組成物は半導体、電子デバイス等の保護コーテ
ィングの分野で特に有用であろう。
ィングの分野で特に有用であろう。
本発明のコポリマーは単に従来技術の有機ポリイミドと
シロキサン−イミドの中間のガラス転移温度を示し、し
たがつ【そのような従来技術の組成物の中間の有用な加
工範囲を示すだけであると予想されるであろうが、全＜
鴬（べきことに、本発明をなすこのような従来技術のポ
リイミドの組み合せではコ種の異なるガラス転移温度を
有すると考えられる組成物が得られる。 こうし【、本
発明によって、従来技術の教示から予期されるであろ５
よりもずっと広い温度範囲で有用な新規なコポリマーが
得られるのである。
シロキサン−イミドの中間のガラス転移温度を示し、し
たがつ【そのような従来技術の組成物の中間の有用な加
工範囲を示すだけであると予想されるであろうが、全＜
鴬（べきことに、本発明をなすこのような従来技術のポ
リイミドの組み合せではコ種の異なるガラス転移温度を
有すると考えられる組成物が得られる。 こうし【、本
発明によって、従来技術の教示から予期されるであろ５
よりもずっと広い温度範囲で有用な新規なコポリマーが
得られるのである。
本発明の別の一面において、かつ本明細書中に開示した
組成物のジグライム溶解性の結果として、ホトレジスト
の製造に有用な組成物゛を調製することが可能である。
組成物のジグライム溶解性の結果として、ホトレジスト
の製造に有用な組成物゛を調製することが可能である。
／り♂弘年／月２４を日に出願されたＷ、Ｄ、クレイ（
Ｋｒａｙ）の同時係属中の米国出願醤号第！７３ｒ♂３
号およびＧ、ディビス（Ｄａｖｉｓ）の米国出願（これ
ら双方とも本発明の譲受人Ｋ１ｍ渡されており、援用に
よって本明細書中に包含する）Ｋは、次式の感光性ポリ
アミド酸組成物からホトレジストが製造できることが開
示されている。
Ｋｒａｙ）の同時係属中の米国出願醤号第！７３ｒ♂３
号およびＧ、ディビス（Ｄａｖｉｓ）の米国出願（これ
ら双方とも本発明の譲受人Ｋ１ｍ渡されており、援用に
よって本明細書中に包含する）Ｋは、次式の感光性ポリ
アミド酸組成物からホトレジストが製造できることが開
示されている。
ここで、Ｒは四価の有機基または四価のオルガノシロキ
サン含有基であり Ｒ１は二価の有機基または二価のオ
ルガノシロキサン含有基であり、人は感光性のアクリレ
ート、シンナメートまたはλ。
サン含有基であり Ｒ１は二価の有機基または二価のオ
ルガノシロキサン含有基であり、人は感光性のアクリレ
ート、シンナメートまたはλ。
３−ジフェニルシクロプロペノールエステル含有基であ
る。
る。
たとえば、クレイ（Ｋｒａｙ）が業界に教示しているよ
うに、ポリアミド酸をシリコンウェーへのような基板に
塗布し、次にこの基板にマスクを付け、マスクされてい
ない部分に架橋を起こさせるように光源にさらし、その
後架橋したポリアミドは浴けないが架橋していないポリ
アミド酸は＃ける溶媒にホトレジストをさらすことによ
って露光した基板を現像し、最後に現像したホトレジス
トをポリアミド酸がポリイミドに転換されるのに充分な
温度に加熱する。 上述した理由により、ホトレジスト
の製造に本発明のジグライム可溶性組成物を使用するこ
とが望ましいであろう。 これは、式（１）のＲ基の７
個以上にたとえば式− Ｃ−ＯＨの基を結合することＫ
よって容易に達成することができる。 このカルボン酸
基は、本発明の組成物をイミド化した後、次式の感光性
化合物と反応させることができる。
うに、ポリアミド酸をシリコンウェーへのような基板に
塗布し、次にこの基板にマスクを付け、マスクされてい
ない部分に架橋を起こさせるように光源にさらし、その
後架橋したポリアミドは浴けないが架橋していないポリ
アミド酸は＃ける溶媒にホトレジストをさらすことによ
って露光した基板を現像し、最後に現像したホトレジス
トをポリアミド酸がポリイミドに転換されるのに充分な
温度に加熱する。 上述した理由により、ホトレジスト
の製造に本発明のジグライム可溶性組成物を使用するこ
とが望ましいであろう。 これは、式（１）のＲ基の７
個以上にたとえば式− Ｃ−ＯＨの基を結合することＫ
よって容易に達成することができる。 このカルボン酸
基は、本発明の組成物をイミド化した後、次式の感光性
化合物と反応させることができる。
ここで、Ｗは炭素原子を／〜１個有する二価の基であり
、Ｂは感光性のアクリレート、シンナメートまたは認、
３−ジフェニルシクロプロペノールエステルを含有する
基である。 こうして、感光性ポリアミド酸組成物では
なく感光性ポリイミド組成物が得られ、これは常用の方
法によってシリコンウェーへのような基板に塗布するこ
とができ、この塗被基体を所望のパターンが得られるよ
うにマスクで被覆した後適当な光源にこの基体を露光し
、その後この露光した基体を、適当な溶媒にさらすこと
によって現像する。 クレイ（Ｋｒａｙ）の場合と同様
に架橋していない組成物は溶媒に可溶であり、一方架橋
した組成物は不溶である。 感光性の基が結合している
本発明の組成物を使用することの利点は、ホトレジスト
を高温にさらしてイミド化を起こさせる必要がないこと
である。
、Ｂは感光性のアクリレート、シンナメートまたは認、
３−ジフェニルシクロプロペノールエステルを含有する
基である。 こうして、感光性ポリアミド酸組成物では
なく感光性ポリイミド組成物が得られ、これは常用の方
法によってシリコンウェーへのような基板に塗布するこ
とができ、この塗被基体を所望のパターンが得られるよ
うにマスクで被覆した後適当な光源にこの基体を露光し
、その後この露光した基体を、適当な溶媒にさらすこと
によって現像する。 クレイ（Ｋｒａｙ）の場合と同様
に架橋していない組成物は溶媒に可溶であり、一方架橋
した組成物は不溶である。 感光性の基が結合している
本発明の組成物を使用することの利点は、ホトレジスト
を高温にさらしてイミド化を起こさせる必要がないこと
である。
当業者が本発明をさらによ（理解できるように以下に限
定するためではなく例示のために実施例を挙げる。 他
に特記しない限り部は全て重量による。
定するためではなく例示のために実施例を挙げる。 他
に特記しない限り部は全て重量による。
実施例
以下の実施例で本発明の実施を例示するために使用した
モノマーは次のとおりである。
モノマーは次のとおりである。
ＳＤＡ ３．３’−スルホニルジアニリンＢＴＤＡ
３．３’、’１．弘′−ベンゾフェノンテトラカルボ
ン酸二無水物 ＴＤＡ ２．４を一トルエンジアニリンＭＤＡ
メチレンジアニリン ＯＤＡ オキシジアニリン ＢＰＡＤＡ ビスフェノール−Ａ−二無水物ＰＭＤＡ
ピロメリト酸二無水物 実施例 ／ａ ７００−の丸底フラスコにＢＰＡＤＡをユ乙ｏｇＣＯＯ
Ｏ６モル）および無水Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）
を２！ｄ入れた。 ＢＰＡＤＡを溶解した後室温でＳＤ
Ａを／、認１’（θθθ！モル）加えた。
３．３’、’１．弘′−ベンゾフェノンテトラカルボ
ン酸二無水物 ＴＤＡ ２．４を一トルエンジアニリンＭＤＡ
メチレンジアニリン ＯＤＡ オキシジアニリン ＢＰＡＤＡ ビスフェノール−Ａ−二無水物ＰＭＤＡ
ピロメリト酸二無水物 実施例 ／ａ ７００−の丸底フラスコにＢＰＡＤＡをユ乙ｏｇＣＯＯ
Ｏ６モル）および無水Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）
を２！ｄ入れた。 ＢＰＡＤＡを溶解した後室温でＳＤ
Ａを／、認１’（θθθ！モル）加えた。
激しく攪拌しながら室温でλグ時間反応を続けた。
可溶性ポリアミド波溶液を得た。
実施例 ／ｂ
実施例／ａに記載の手順を繰り返した。 ただし、反応
体としては無水ＮＭＰ ２θ鱈中のＢＰＡＤＡ ｉ２０
ｇ（００／％ＪＬ） とＴＤＡ／、２Ｊ（θθ１モル）
を使用した。 室温で」グ時間反応させて可溶性のポリ
アミド酸を得た。
体としては無水ＮＭＰ ２θ鱈中のＢＰＡＤＡ ｉ２０
ｇ（００／％ＪＬ） とＴＤＡ／、２Ｊ（θθ１モル）
を使用した。 室温で」グ時間反応させて可溶性のポリ
アミド酸を得た。
実施例 ／Ｃ
実施例／ａに記載の手順を繰り返した。 ただし、反応
体としては無水ＮＭＰ−□ｄ中のＢＰＡＤＡ Ｑ６０１
１（，０００ｊ−Ｅ ル）とＭＤＡ ４り？ｙ（θＱＯ
！モル）を使用した。 室温で２ダ時間反応させて可溶
性のポリアミド酸を得た。
体としては無水ＮＭＰ−□ｄ中のＢＰＡＤＡ Ｑ６０１
１（，０００ｊ−Ｅ ル）とＭＤＡ ４り？ｙ（θＱＯ
！モル）を使用した。 室温で２ダ時間反応させて可溶
性のポリアミド酸を得た。
実施例 ／ｄ
実施例／ａＫ記載の手順を繰り返した。 ただし、反応
体としては無水ＮＭＰ３０Ｍｌ中のＢＰＡＤＡ ４Ｊｇ
ｉθ０／、２”ｆ：ｎ ） トＯＤＡ Ｑ４１９９（０
０７，２モル）を使用した。 室温でＪ時袖反応させて
可溶性のポリアミド酸を得た。
体としては無水ＮＭＰ３０Ｍｌ中のＢＰＡＤＡ ４Ｊｇ
ｉθ０／、２”ｆ：ｎ ） トＯＤＡ Ｑ４１９９（０
０７，２モル）を使用した。 室温でＪ時袖反応させて
可溶性のポリアミド酸を得た。
実施例 ２ａ
丸底フラスコＶｃＢＴＤＡをｌ、￥４ｔｌｌＣθθ２モ
ノりと無水ＮＭＰを２７９入れた。 ＢＴＤＡが溶解し
た後溶液ＫＴＤＡを３没ｉ（９０３モル）室温で加えた
。 別のフラスコで、ＢＴＤＡ ｌｚ￥４ｔｌｉｃθｏ
２モル）を無水ＮＭＰ ３４＃中テＧＡＰＰｓ−５’
Ｆ４ｔ０９（θθ／モノりと反応させた。 これらの２
８ｔの溶液を７６時間反応させ、この時点で２つを一緒
にし、さらに４ｔ？時間室温で反応させて均質なポリア
ミド酸溶液を得た。
ノりと無水ＮＭＰを２７９入れた。 ＢＴＤＡが溶解し
た後溶液ＫＴＤＡを３没ｉ（９０３モル）室温で加えた
。 別のフラスコで、ＢＴＤＡ ｌｚ￥４ｔｌｉｃθｏ
２モル）を無水ＮＭＰ ３４＃中テＧＡＰＰｓ−５’
Ｆ４ｔ０９（θθ／モノりと反応させた。 これらの２
８ｔの溶液を７６時間反応させ、この時点で２つを一緒
にし、さらに４ｔ？時間室温で反応させて均質なポリア
ミド酸溶液を得た。
実施例 ２ｂ
丸底フラスコにＰＭＤ Ａをよ４１３１１Ｃθｏ２モル
）、ＯＤＡを久θθ１１ＣＯθコモル）、および無水Ｎ
ＭＰをｊ−ｊ−Ｍｌ入れた。 反応を室温で２時間行な
い、この時点で溶液にＧＡＰＰＳ−２をとグθ１ｃＯＯ
１モル）加えた。 反応をさらに４ｔ？時間続けて可溶
性のポリアミド酸溶液を得た。
）、ＯＤＡを久θθ１１ＣＯθコモル）、および無水Ｎ
ＭＰをｊ−ｊ−Ｍｌ入れた。 反応を室温で２時間行な
い、この時点で溶液にＧＡＰＰＳ−２をとグθ１ｃＯＯ
１モル）加えた。 反応をさらに４ｔ？時間続けて可溶
性のポリアミド酸溶液を得た。
実施例 ３ａ
７００ｄの丸底フラスコにＢＰＡＤＡを７２Ｆｆｌ（θ
０／４ｔモル）、ＧＡＰＤＳを３．４！ｒ！／Ｃθ０／
グモル）、および無水ＮＭＰを３０’ｌｌｌ入れた。
反応を室温で２４を時間実施してポリアミド酸溶液を得
た。
０／４ｔモル）、ＧＡＰＤＳを３．４！ｒ！／Ｃθ０／
グモル）、および無水ＮＭＰを３０’ｌｌｌ入れた。
反応を室温で２４を時間実施してポリアミド酸溶液を得
た。
実施例 ３ｂ
ｉｏｏＭｔの丸底フラＸ ：Ｉ Ｋ ＢＰＡＤＡを’ｙ
、ｒｏｉ（００１６モル）、ＴＤＡを／、２２１Ｃθθ
１モル）、および無水ＮＭＰを４ｔ０−入れた。 室温
で３分間激しく攪拌した後、ＧＡＰＰＳ−９を弘＝θＩ
（θα刀。
、ｒｏｉ（００１６モル）、ＴＤＡを／、２２１Ｃθθ
１モル）、および無水ＮＭＰを４ｔ０−入れた。 室温
で３分間激しく攪拌した後、ＧＡＰＰＳ−９を弘＝θＩ
（θα刀。
モル）加えた。 反応を２Ｚ時間続けて可溶性のポリア
ミド酸溶液を得た。
ミド酸溶液を得た。
実施例 ３Ｃ
／θＱＭＩの丸底フラス：１ＫＢＰＡＤＡを／θ４ｔ９
（θＯ，，２モル）、ＧＡＰＰＳ−９をｉ’ｙ、ｔｙ−
ｙ＜００２１モル）、およびＮＭＰを６０−人れた。
別のフラスコで、ＢＰＡＤＡ久６／Ｉ（０００９モル）
ｈ ＭＤＡ／、ｊｒｌ、 １１ （００（Ｈモル）を
無水ＮＭＰ−〇ＷＩＫ加えた。 次に、これら２種の溶
液を室温で２４を時間反応させ、この時点でこれらを一
緒にし、さらに％ｒ時間室温で反応させ【ポリアミド酸
溶液を得た。
（θＯ，，２モル）、ＧＡＰＰＳ−９をｉ’ｙ、ｔｙ−
ｙ＜００２１モル）、およびＮＭＰを６０−人れた。
別のフラスコで、ＢＰＡＤＡ久６／Ｉ（０００９モル）
ｈ ＭＤＡ／、ｊｒｌ、 １１ （００（Ｈモル）を
無水ＮＭＰ−〇ＷＩＫ加えた。 次に、これら２種の溶
液を室温で２４を時間反応させ、この時点でこれらを一
緒にし、さらに％ｒ時間室温で反応させ【ポリアミド酸
溶液を得た。
実施例 ３ｄ
１００−の丸底フラスコＫＢＰＡＤＡを／乙／コ＃（０
０３１モル）、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）？θｇ中
のＯＤＡを６０９（００３モル）、および無水ＮＭＰを
３！Ｉ入れた。 もう７つの１００−の丸底フラスコに
ＢＰＡＤＡを／θ１ｉｔ（００２モル）、ＭＥＫ ４ｔ
０１中のＧＡＰＤＳを久９７Ｉ（００２１モル）、およ
び無水ＮＭＰを／！−人れた。 弘時間の反応後これら
２種の溶液を互いに混合し、次いでさらに／６時間反応
を続けて均質なポリアミド酸浴液を得た。
０３１モル）、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）？θｇ中
のＯＤＡを６０９（００３モル）、および無水ＮＭＰを
３！Ｉ入れた。 もう７つの１００−の丸底フラスコに
ＢＰＡＤＡを／θ１ｉｔ（００２モル）、ＭＥＫ ４ｔ
０１中のＧＡＰＤＳを久９７Ｉ（００２１モル）、およ
び無水ＮＭＰを／！−人れた。 弘時間の反応後これら
２種の溶液を互いに混合し、次いでさらに／６時間反応
を続けて均質なポリアミド酸浴液を得た。
実施例 ４ｔａ
１０Ｏ′ＩＬｔの丸底フラスコにＢＰＡＤＡを／θ４ｔ
Ｉ（００２モル）、ＧＡＰＰＳ−９を／２４４ｔ＃（θ
０２／モ″ル）、および無水ＮＭＰを６θ−人れた。
別の７００ｄの丸底フラスコＫＢＴＤＡを久１ｒｔｒｉ
＜００７３モル）、ＴＤＡを／４ｔ、ｇ、ｇ、？（００
７２モル）、および無水ＮＭＰを２！−人れた。 これ
らの溶液を各々２４を時間反応させ、この時点でこれら
を互いに混合し、可溶性のポリアミド酸を得るようにさ
らにグ１時間反応させた。
Ｉ（００２モル）、ＧＡＰＰＳ−９を／２４４ｔ＃（θ
０２／モ″ル）、および無水ＮＭＰを６θ−人れた。
別の７００ｄの丸底フラスコＫＢＴＤＡを久１ｒｔｒｉ
＜００７３モル）、ＴＤＡを／４ｔ、ｇ、ｇ、？（００
７２モル）、および無水ＮＭＰを２！−人れた。 これ
らの溶液を各々２４を時間反応させ、この時点でこれら
を互いに混合し、可溶性のポリアミド酸を得るようにさ
らにグ１時間反応させた。
実施例 ！
上記の溶液を００７０ Ｘ ４ｔＸ ４！インチのテフ
ロン（Ｔｅｆｌｏｎ［株］）製金型内に注ぎ、強制空気
流オーブン巾約／２！℃で２０時間、その後側の強制空
気流オーブン中約２夕先で４！ｊ分間加熱するととによ
ってイミド化を実施した。 、、２０インチ／分のク
ロスヘッド速度を用いる標準法によって各サンプルの引
張強さをテストした。 結果を表Ｉに示す。
ロン（Ｔｅｆｌｏｎ［株］）製金型内に注ぎ、強制空気
流オーブン巾約／２！℃で２０時間、その後側の強制空
気流オーブン中約２夕先で４！ｊ分間加熱するととによ
ってイミド化を実施した。 、、２０インチ／分のク
ロスヘッド速度を用いる標準法によって各サンプルの引
張強さをテストした。 結果を表Ｉに示す。
実施例 乙
次に、引張強さの測定に使用した注形フィルムの小片を
！〜コθ倍の重量のジグライム中に入れ、９０℃で約／
夕分加熱した。 このジグライム溶解性テストの結果も
表１に示す。
！〜コθ倍の重量のジグライム中に入れ、９０℃で約／
夕分加熱した。 このジグライム溶解性テストの結果も
表１に示す。
表Ｉ
／ｂ （ＢＰＡＤＡ−ＴＤＡ） なし
３！θＱ３ａ ＢＰＡＤＡ−ＧＡＰＤＳ あり
！３！０これらの結果が示しているのは、本明
細書中に開示した教示を実施したときＫだけ、低ガラス
転移温度のポリマーブロックを少なくとも７つと高ガラ
ス転移温度のポリマーブロックを少なくとも７つを有す
るジグライムに可溶なポリイミドが得られるということ
である。
３！θＱ３ａ ＢＰＡＤＡ−ＧＡＰＤＳ あり
！３！０これらの結果が示しているのは、本明
細書中に開示した教示を実施したときＫだけ、低ガラス
転移温度のポリマーブロックを少なくとも７つと高ガラ
ス転移温度のポリマーブロックを少なくとも７つを有す
るジグライムに可溶なポリイミドが得られるということ
である。
Claims (25)
- （１）ガラス転移温度が低いポリマーブロック少なくと
も１つとガラス転移温度が高いポリマーブロック少なく
とも１つとを有するシロキサン−イミドコポリマー組成
物。 - （２）ガラス転移温度が低い少なくとも１つのポリマー
ブロックが式： ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、Ａｒは四価の芳香族基であり、Ｒ＾は置換もし
くは非置換のヒドロカルビレン基または式：−Ｑ−Ｚ−
Ｒ＾３− （式中、Ｑは置換または非置換の芳香族基であり、Ｚは
−Ｏ−、−Ｓ−、▲数式、化学式、表等があります▼、
▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼
、▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式
、表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります
▼または▲数式、化学式、表等があります▼であ り、Ｒ＾３は置換または非置換のヒドロカルビレンであ
る）の基であり、各Ｒ＾１はそれぞれ独立に選択された
置換または非置換のヒドロカルビル基であり、ｎは１に
等しいかまたはこれより大きい整数である〕を有するこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の組成物。 - （３）ガラス転移温度が高い少なくとも１つのポリマー
ブロックが式： ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、Ａｒは二価の芳香族基であり、Ｒ＾２は▲数式
、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、表等が
あります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼および▲数式、化学
式、表等があります▼ （式中、Ｒ＾４は炭素原子を１〜９個有するアルキル基
であり、Ｒ＾５炭素原子を１〜４個有するアルキレン基
である）から成る群から選択された基であり、Ｙは酸素
またはイオウである〕を有することを特徴とする特許請
求の範囲第１項または第２項に記載の組成物。 - （４）一般式： ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、各Ａｒはそれぞれ独立に選択された芳香族基で
あり、Ｒは置換もしくは非置換のヒドロカルビレン基ま
たは式： −Ｑ−Ｚ−Ｒ＾３− （式中、Ｑは置換または非置換の芳香族基であり、Ｚは −Ｏ−、−Ｓ−、▲数式、化学式、表等があります▼、
▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼
、▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式
、表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります
▼または▲数式、化学式、表等があります▼であり、Ｒ
＾３は置換または非置換のヒドロカルビレンである）の
基であり、各Ｒ＾１はそれぞれ独立に選択された置換ま
たは非置換のヒドロカルビル基であり、Ｒ＾２は ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼および▲数式、化学
式、表等があります▼ （式中、Ｒ＾４は炭素原子を１〜９個有するアルキル基
であり、Ｒ＾５は炭素原子を１〜４個有するアルキレン
基である）から成る群から選択された基であり、Ｙは酸
素またはイオウであり、ａ、ｂ、ｃおよびｎは全て１に
等しいかまたはこれより大きい整数である〕を有するジ
グライム可溶性シロキサン−イミドコポリマー組成物。 - （５）少なくとも１個のＡｒがベンゼン核、ナフタレン
核または式： ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、ｍは０または１であり、Ｅは−Ｏ−、−Ｓ−、
▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼
または−Ｃ＿ｙＨ＿２＿ｙ−（ただし、ｙは１〜８の整
数である）である〕の核を有することを特徴とする特許
請求の範囲第４項に記載の組成物。 - （６）少なくとも１個のＡｒが式： ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、Ｇはフェニレンまたは式： ▲数式、化学式、表等があります▼ ｛式中、ｍは０または１であり、Ｅは−Ｏ−、−Ｓ−、
▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼
または−Ｃ＿ｙＨ＿２＿ｙ−（ただし、ｙは１〜８の整
数である）である｝の基である〕を有することを特徴と
する特許請求の範囲第４項に記載の組成物。 - （７）少なくとも１個のＡｒ基が式： ▲数式、化学式、表等があります▼ を有することを特徴とする特許請求の範囲第４項に記載
の組成物。 - （８）Ｒが低級アルキレン基であることを特徴とする特
許請求の範囲第４項、第５項または第６項のいずれかに
記載の組成物。 - （９）Ｒ＾１がメチル、エチル、プロピル、ブチル、フ
ェニル、ビニルおよび３，３，３−トリフルオロプロピ
ル基からそれぞれ独立に選択されることを特徴とする特
許請求の範囲第８項に記載の組成物。 - （１０）ｎが５〜１００の整数であることを特徴とする
特許請求の範囲第８項に記載の組成物。 - （１１）Ｙが酸素であることを特徴とする特許請求の範
囲第８項に記載の組成物。 - （１２）Ｒ＾４が炭素原子を１〜３個有しており、Ｒ＾
５が炭素原子を１または２個有していることを特徴とす
る特許請求の範囲第８項に記載の組成物。 - （１３）感光性の基を少なくとも１つ含有することを特
徴とする特許請求の範囲第８項に記載の組成物。 - （１４）前記感光性の基がアクリレート類、シンナメー
ト類、２，３−ジフェニルシクロプロペノールエステル
類またはこれらの混合物であることを特徴とする特許請
求の範囲第１３項に記載の組成物。 - （１５）（Ａ）適当な溶媒中で、 （ｉ）有機二無水物を、−ジアミノで末端停止したポリ
シロキサンと、および （ｉｉ）有機二無水物を有機ジアミンと、反応させ、（
Ｂ）（Ａ）（ｉ）の反応生成物を（Ａ）（ｉｉ）の反応
生成物と混合し、これらを反応させ、 （Ｃ）（Ｂ）の反応生成物を加熱してイミド化すること
からなる、ガラス転移温度が低いポリマーブロックを少
なくとも１つとガラス転移温度が高いポリマーブロック
を少なくとも１つ有するシロキサン−イミドコポリマー
組成物の製造方法。 - （１６）さらに、反応溶媒を蒸発させることを含むこと
を特徴とする特許請求の範囲第１５項に記載の方法。 - （１７）さらに、無溶媒組成物をジグライムに溶解させ
ることを含むことを特徴とする特許請求の範囲第１６項
に記載の方法。 - （１８）（Ａ）適当な溶媒中で、 （ｉ）有機二無水物、有機ジアミン、およびジアミンで
末端停止したポリシロキサン（ただし、有機二線水物の
モル量は有機ジアミンとジアミノで末端停止したポリシ
ロキサンのモル量の和にほぼ等しい）を反応させ、 （Ｂ）反応生成物を加熱してイミド化する ことからなる、ガラス転移温度が低いポリマーブロック
を少なくとも１つとガラス転移温度が高いポリマーブロ
ックを少なくとも１つ有するシロキサン−イミドコポリ
マー組成物の製造方法。 - （１９）さらに、反応溶媒を蒸発させることを含むこと
を特徴とする特許請求の範囲第１８項に記載の方法。 - （２０）さらに、無溶媒組成物をジグライムに溶解させ
ることを含むことを特徴とする特許請求の範囲第１９項
に記載の方法。 - （２１）基体上に、特許請求の範囲第１項、第２項、第
３項または第４項に記載の組成物を有する物品。 - （２２）基体が電子デバイスであることを特徴とする特
許請求の範囲第２１項に記載の物品。 - （２３）特許請求の範囲第１項、第２項、第３項または
第４項に記載の組成物を基体に塗布することからなる物
品の製造方法。 - （２４）組成物を溶媒中で塗布することを特徴とする特
許請求の範囲第２３項に記載の方法。 - （２５）加熱して溶媒を蒸発させることを特徴とする特
許請求の範囲第２４項に記載の方法。
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|---|---|---|---|
| US662930 | 1984-10-19 | ||
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|---|---|
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|---|---|---|---|
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|---|---|
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Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6261100A (ja) * | 1985-09-11 | 1987-03-17 | カシオ計算機株式会社 | ベ−ス音作成装置 |
| JPS62223228A (ja) * | 1986-03-25 | 1987-10-01 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 耐熱性樹脂の製造方法 |
| JPS6341565A (ja) * | 1986-07-28 | 1988-02-22 | ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ | 煙抑制剤としてのホウ酸亜鉛 |
| JPS63260924A (ja) * | 1987-03-31 | 1988-10-27 | オクシデンタル ケミカル コーポレーション | 新規可溶性ポリイミドシロキサン及びその製法及び用途 |
| JPS63289024A (ja) * | 1987-03-25 | 1988-11-25 | ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ | ポリエーテルイミド共重合体の製造方法 |
| JPS6456731A (en) * | 1987-06-18 | 1989-03-03 | Gen Electric | Silicone-polyimide and its production |
| JPH0243221A (ja) * | 1988-06-10 | 1990-02-13 | Occidental Chem Corp | 新規可溶性ポリイミドシロキサン及びその製法及び用途 |
| JPH03195730A (ja) * | 1989-12-25 | 1991-08-27 | Hitachi Chem Co Ltd | シロキサン変性ポリイミド及びその前駆体 |
| US5643986A (en) * | 1995-03-17 | 1997-07-01 | Ube Industries, Ltd. | Polyimidosiloxane compositions |
| US5859181A (en) * | 1996-12-20 | 1999-01-12 | Nippon Mektron, Limited | Siloxane polymide and heat-resistant adhesive containing the same |
| US5942592A (en) * | 1997-02-05 | 1999-08-24 | Nippon Mektron, Limited | Siloxane polyimide and heat-resistant adhesive containing the same |
| US6297341B1 (en) | 1999-04-30 | 2001-10-02 | Dow Corning Toray Silicone Company Ltd | Silicone-containing polyimide resin, silicon-containing polyamic acid, and methods for manufacture |
| JP2005232383A (ja) * | 2004-02-20 | 2005-09-02 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | ポリアミド酸誘導体 |
| US7041766B2 (en) | 2002-10-10 | 2006-05-09 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd | Colorless and transparent polyimidesilicone resin having thermosetting functional groups |
| JP2014162801A (ja) * | 2013-02-21 | 2014-09-08 | Toray Ind Inc | ポリイミド樹脂、これを含有する樹脂組成物、これを用いた積層フィルムおよび積層体 |
Families Citing this family (36)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4968757A (en) * | 1984-10-19 | 1990-11-06 | Microsi, Inc. | Soluble silicone-imide copolymers |
| JPH069222B2 (ja) * | 1986-01-07 | 1994-02-02 | 日立化成工業株式会社 | 多層配線構造の製造法 |
| EP0266595A3 (en) * | 1986-11-03 | 1989-03-08 | General Electric Company | Flame resistant polyetherimide resin blends |
| US5280085A (en) * | 1987-05-05 | 1994-01-18 | General Electric Company | Polyphenylene ether/siloxane polyetherimide copolymer |
| EP0307670B1 (en) * | 1987-09-04 | 1994-09-21 | General Electric Company | Flame resistant polyetherimide-siloxane-polyetherimide copolymer blends |
| US5026667A (en) * | 1987-12-29 | 1991-06-25 | Analog Devices, Incorporated | Producing integrated circuit chips with reduced stress effects |
| US4853452A (en) * | 1988-02-09 | 1989-08-01 | Occidental Chemical Corporation | Novel soluble polyimidesiloxanes and methods for their preparation using a flourine containing anhydride |
| US4996278A (en) * | 1988-02-09 | 1991-02-26 | Occidental Chemical Corporation | Novel polyimidesiloxanes and methods for their preparation and use based on diamines with pendant fluorine groups |
| US4829131A (en) * | 1988-02-09 | 1989-05-09 | Occidental Chemical Corporation | Novel soluble polymidesiloxanes and methods for their preparation and use |
| US4913930A (en) * | 1988-06-28 | 1990-04-03 | Wacker Silicones Corporation | Method for coating semiconductor components on a dielectric film |
| US4948400A (en) * | 1988-06-30 | 1990-08-14 | Nippon Steel Chemical Co., Ltd. | Separation membranes and process for preparing the same |
| JPH02124972A (ja) * | 1988-11-02 | 1990-05-14 | Shin Etsu Chem Co Ltd | ポリイミド樹脂溶液組成物 |
| US5051483A (en) * | 1988-11-14 | 1991-09-24 | General Electric Company | Flame resistant polyetherimide resin blends |
| USRE33797E (en) * | 1988-11-14 | 1992-01-14 | Occidental Chemical Corporation | Novel polyimidesiloxanes and methods for their preparation and use |
| US5077370A (en) * | 1988-11-14 | 1991-12-31 | Occidental Chemical Corporation | Novel polyimidesiloxanes and methods for their preparation and use |
| JP2609140B2 (ja) * | 1988-11-21 | 1997-05-14 | チッソ株式会社 | 低弾性率ポリイミドおよびその製造法 |
| US4931539A (en) * | 1989-03-06 | 1990-06-05 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Highly-soluble, amorphous siloxane polyimides |
| US5045159A (en) * | 1989-07-18 | 1991-09-03 | International Business Machines Corporation | Derivatives of compounds containing a carbonyl group conjugated to an aromatic moiety and electrophilic methods of fabrication thereof |
| US4997908A (en) * | 1989-11-13 | 1991-03-05 | Occidental Chemical Corporation | Solvent resistant polymidesiloxane |
| US5206337A (en) * | 1990-05-10 | 1993-04-27 | Sumitomo Bakelite Company Limited | Solvent-soluble polyimidesiloxane oligomer and process for producing the same |
| US5106915A (en) * | 1990-11-02 | 1992-04-21 | General Electric Company | Flame resistant polyetherimide resin blends |
| US5177181A (en) * | 1991-06-06 | 1993-01-05 | Occidental Chemical Corporation | Diamines and photosensitive polyimides made therefrom |
| US5209981A (en) * | 1991-06-13 | 1993-05-11 | Occidental Chemical Corporation | Polyimidesiloxane extended block copolymers |
| US6096480A (en) * | 1995-07-28 | 2000-08-01 | Ube Industries, Ltd. | Photosensitive polyimidosiloxane compositions and insulating films made thereof |
| JPH09100350A (ja) * | 1995-07-28 | 1997-04-15 | Ube Ind Ltd | 感光性ポリイミドシロキサン、組成物および絶縁膜 |
| CN1324402C (zh) * | 2001-10-30 | 2007-07-04 | 钟渊化学工业株式会社 | 感光性树脂组合物、使用该组合物的感光性薄膜及层压体 |
| US20060199920A1 (en) * | 2003-04-15 | 2006-09-07 | Koji Okada | Photosensitive resin composition capable of being developed with aqueous developer and photosensitive dry film resist, and use thereof |
| US7264637B2 (en) * | 2004-08-31 | 2007-09-04 | The United States Of America, As Represented By The Secretary Of Agriculture | Method of inhibiting the burning of natural fibers, synthetic fibers, or mixtures thereof, or fabric or yarn composed of natural fibers, synthetic fibers, or mixtures thereof, and products produced by such methods |
| US8168726B2 (en) * | 2006-06-22 | 2012-05-01 | Sabic Innovative Plastics Ip B.V. | Process for making polysiloxane/polymide copolymer blends |
| US8491997B2 (en) * | 2006-06-22 | 2013-07-23 | Sabic Innovative Plastics Ip B.V. | Conductive wire comprising a polysiloxane/polyimide copolymer blend |
| US8071693B2 (en) * | 2006-06-22 | 2011-12-06 | Sabic Innovative Plastics Ip B.V. | Polysiloxane/polyimide copolymers and blends thereof |
| US20080236864A1 (en) * | 2007-03-28 | 2008-10-02 | General Electric Company | Cross linked polysiloxane/polyimide copolymers, methods of making, blends thereof, and articles derived therefrom |
| US8410620B2 (en) * | 2007-09-20 | 2013-04-02 | Nippon Kayaku Kabushiki Kaisha | Primer resin for semiconductor device and semiconductor device |
| US8623253B2 (en) * | 2010-02-26 | 2014-01-07 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Low-melt poly(amic acids) and polyimides and their uses |
| JP6702616B2 (ja) * | 2014-12-23 | 2020-06-03 | モメンティブ パフォーマンス マテリアルズ ゲーエムベーハーＭｏｍｅｎｔｉｖｅ Ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ ＧｍｂＨ | 高純度のアミノシロキサン |
| CN106256542B (zh) * | 2015-06-17 | 2019-03-26 | 长兴材料工业股份有限公司 | 聚酰亚胺树脂及含聚酰亚胺树脂的金属被覆积层板 |
Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4030948A (en) * | 1975-07-21 | 1977-06-21 | Abe Berger | Polyimide containing silicones as protective coating on semiconductor device |
| JPS5555555A (en) * | 1978-09-18 | 1980-04-23 | Gen Electric | Semiconductor coating polymer |
| JPS55144026A (en) * | 1979-03-01 | 1980-11-10 | M & T Chemicals Inc | Precursor solution of silicone copolymer |
| JPS57143327A (en) * | 1981-02-27 | 1982-09-04 | Nitto Electric Ind Co Ltd | Production of siloxane-modified polyimide precursor |
| JPS57168943A (en) * | 1981-04-13 | 1982-10-18 | Hitachi Ltd | Coating liquid for thin film formation |
| JPS587473A (ja) * | 1981-07-07 | 1983-01-17 | Hitachi Chem Co Ltd | 接着剤組成物 |
| JPS5827721A (ja) * | 1981-08-10 | 1983-02-18 | Hitachi Chem Co Ltd | ポリアミド酸シリコン型中間体及びポリイミドシリコン共重合体樹脂の製造法 |
| JPS58152018A (ja) * | 1982-03-05 | 1983-09-09 | Hitachi Chem Co Ltd | 半導体装置の保護被膜材料用組成物 |
| JPS60231489A (ja) * | 1984-04-26 | 1985-11-18 | Seiko Epson Corp | 単結晶の製造方法 |
| JPS6162525A (ja) * | 1984-08-10 | 1986-03-31 | マイクロサイ，インコーポレイテッド | 半導体素子の製造方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3325450A (en) * | 1965-05-12 | 1967-06-13 | Gen Electric | Polysiloxaneimides and their production |
| US4140572A (en) * | 1976-09-07 | 1979-02-20 | General Electric Company | Process for selective etching of polymeric materials embodying silicones therein |
| US4395527A (en) * | 1978-05-17 | 1983-07-26 | M & T Chemicals Inc. | Siloxane-containing polymers |
| US4331799A (en) * | 1980-01-10 | 1982-05-25 | General Electric Company | Copolymers of etherimides and amideimides |
-
1984
- 1984-10-19 US US06/662,930 patent/US4586997A/en not_active Expired - Lifetime
-
1985
- 1985-10-11 CA CA000492885A patent/CA1233585A/en not_active Expired
- 1985-10-18 JP JP60231489A patent/JPH0735440B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4030948A (en) * | 1975-07-21 | 1977-06-21 | Abe Berger | Polyimide containing silicones as protective coating on semiconductor device |
| JPS5555555A (en) * | 1978-09-18 | 1980-04-23 | Gen Electric | Semiconductor coating polymer |
| JPS55144026A (en) * | 1979-03-01 | 1980-11-10 | M & T Chemicals Inc | Precursor solution of silicone copolymer |
| JPS57143327A (en) * | 1981-02-27 | 1982-09-04 | Nitto Electric Ind Co Ltd | Production of siloxane-modified polyimide precursor |
| JPS57168943A (en) * | 1981-04-13 | 1982-10-18 | Hitachi Ltd | Coating liquid for thin film formation |
| JPS587473A (ja) * | 1981-07-07 | 1983-01-17 | Hitachi Chem Co Ltd | 接着剤組成物 |
| JPS5827721A (ja) * | 1981-08-10 | 1983-02-18 | Hitachi Chem Co Ltd | ポリアミド酸シリコン型中間体及びポリイミドシリコン共重合体樹脂の製造法 |
| JPS58152018A (ja) * | 1982-03-05 | 1983-09-09 | Hitachi Chem Co Ltd | 半導体装置の保護被膜材料用組成物 |
| JPS60231489A (ja) * | 1984-04-26 | 1985-11-18 | Seiko Epson Corp | 単結晶の製造方法 |
| JPS6162525A (ja) * | 1984-08-10 | 1986-03-31 | マイクロサイ，インコーポレイテッド | 半導体素子の製造方法 |
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6261100A (ja) * | 1985-09-11 | 1987-03-17 | カシオ計算機株式会社 | ベ−ス音作成装置 |
| JPS62223228A (ja) * | 1986-03-25 | 1987-10-01 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 耐熱性樹脂の製造方法 |
| JPS6341565A (ja) * | 1986-07-28 | 1988-02-22 | ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ | 煙抑制剤としてのホウ酸亜鉛 |
| JPS63289024A (ja) * | 1987-03-25 | 1988-11-25 | ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ | ポリエーテルイミド共重合体の製造方法 |
| JPS63260924A (ja) * | 1987-03-31 | 1988-10-27 | オクシデンタル ケミカル コーポレーション | 新規可溶性ポリイミドシロキサン及びその製法及び用途 |
| JPS6456731A (en) * | 1987-06-18 | 1989-03-03 | Gen Electric | Silicone-polyimide and its production |
| JPH0243221A (ja) * | 1988-06-10 | 1990-02-13 | Occidental Chem Corp | 新規可溶性ポリイミドシロキサン及びその製法及び用途 |
| JPH03195730A (ja) * | 1989-12-25 | 1991-08-27 | Hitachi Chem Co Ltd | シロキサン変性ポリイミド及びその前駆体 |
| US5643986A (en) * | 1995-03-17 | 1997-07-01 | Ube Industries, Ltd. | Polyimidosiloxane compositions |
| US5859181A (en) * | 1996-12-20 | 1999-01-12 | Nippon Mektron, Limited | Siloxane polymide and heat-resistant adhesive containing the same |
| US5942592A (en) * | 1997-02-05 | 1999-08-24 | Nippon Mektron, Limited | Siloxane polyimide and heat-resistant adhesive containing the same |
| US6297341B1 (en) | 1999-04-30 | 2001-10-02 | Dow Corning Toray Silicone Company Ltd | Silicone-containing polyimide resin, silicon-containing polyamic acid, and methods for manufacture |
| US7041766B2 (en) | 2002-10-10 | 2006-05-09 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd | Colorless and transparent polyimidesilicone resin having thermosetting functional groups |
| JP2005232383A (ja) * | 2004-02-20 | 2005-09-02 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | ポリアミド酸誘導体 |
| JP2014162801A (ja) * | 2013-02-21 | 2014-09-08 | Toray Ind Inc | ポリイミド樹脂、これを含有する樹脂組成物、これを用いた積層フィルムおよび積層体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4586997A (en) | 1986-05-06 |
| JPH0735440B2 (ja) | 1995-04-19 |
| CA1233585A (en) | 1988-03-01 |
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