JPS605897A - 高耐蝕アルマイト基板の製造法 - Google Patents
高耐蝕アルマイト基板の製造法Info
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- JPS605897A JPS605897A JP11351683A JP11351683A JPS605897A JP S605897 A JPS605897 A JP S605897A JP 11351683 A JP11351683 A JP 11351683A JP 11351683 A JP11351683 A JP 11351683A JP S605897 A JPS605897 A JP S605897A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、高耐蝕アルマイト基板の製造法に関し、特に
高記録密度磁気ディスク基板のように、陽極酸化処理後
封孔処理ができないアルマイト基板においても、高耐蝕
性が得られるアルマイト基板の製造法に関する。
高記録密度磁気ディスク基板のように、陽極酸化処理後
封孔処理ができないアルマイト基板においても、高耐蝕
性が得られるアルマイト基板の製造法に関する。
データ処理装置などに使用される磁気ディスク装置は、
近年急激な記録密度の向上、大容量化が進み、同時に磁
気ヘッドの浮上量も非常に小さくなってきており、その
ため磁気ディスク面の平滑化が一層要求される。そこで
アルミニウム基板を陽極酸化してその表面を硬化させ、
これをボリシングして鏡面化し、これに磁性膜を形成す
る必要がある。
近年急激な記録密度の向上、大容量化が進み、同時に磁
気ヘッドの浮上量も非常に小さくなってきており、その
ため磁気ディスク面の平滑化が一層要求される。そこで
アルミニウム基板を陽極酸化してその表面を硬化させ、
これをボリシングして鏡面化し、これに磁性膜を形成す
る必要がある。
この場合アルマイト基板表面に磁性膜を形成するために
、Ｆｅをスパンクリングしてα状のＦｅ２０３を形成さ
せるが、この場合の酸化、還元工程で３５０℃程度まで
アルマイト基板を高温加熱する必要がある。
、Ｆｅをスパンクリングしてα状のＦｅ２０３を形成さ
せるが、この場合の酸化、還元工程で３５０℃程度まで
アルマイト基板を高温加熱する必要がある。
ところがこのアルマイ［・基板を製造するために陽極酸
化溶液として、硫酸、リン酸あるいは蓚酸などの酸を使
用すると、陽極酸化皮膜生成時に形成された通電微細孔
に酸が残留し、前記酸化、還元工程における加熱により
、陽極酸化皮膜が腐蝕され、更に磁性膜であるγ状のＰ
ｅ１Ｏ：＋皮膜をも腐蝕破壊するという問題がある。
化溶液として、硫酸、リン酸あるいは蓚酸などの酸を使
用すると、陽極酸化皮膜生成時に形成された通電微細孔
に酸が残留し、前記酸化、還元工程における加熱により
、陽極酸化皮膜が腐蝕され、更に磁性膜であるγ状のＰ
ｅ１Ｏ：＋皮膜をも腐蝕破壊するという問題がある。
また陽極酸化後、封孔処理などで通電微細孔に残留した
酸を洗浄、閉塞し、アルマイ１基板の耐蝕性を向上させ
ることも考えられるが、前記酸化、還元工程中におりる
高６１ｈ加！°ｊトの際に、陽極酸化皮膜層にクラック
か発生し、磁気記録媒体におけるヒツトエラーのＩＦ因
となるので、これを行なうこともできない。
酸を洗浄、閉塞し、アルマイ１基板の耐蝕性を向上させ
ることも考えられるが、前記酸化、還元工程中におりる
高６１ｈ加！°ｊトの際に、陽極酸化皮膜層にクラック
か発生し、磁気記録媒体におけるヒツトエラーのＩＦ因
となるので、これを行なうこともできない。
Ｒ［Ｊら第１図に示すようにアルミニウム基板１を陽極
酸化すると、通電孔２が形成されるが、これを１００℃
の水中などで封孔処理すると、第２図に示すように、通
電孔２がγ−＾１２ｏ３ ・１１２０よりなるベーマイ
ト５にＪζり閉塞される。このように封孔処理されたア
ルマイト基板は、アルミニウム基板１と陽極酸化皮膜３
との熱線膨張係数の差が約５倍も異なイ〕ため、前記醇
化、還元工程の加！、１）処理において、第３図に示す
如くわん曲し、クラック６が生Ｊ゛るものと嵩えられる
。とごろが封孔処理を行ノ、にわノ、シ′りれば、第１
図に示したように通電孔２かそのまま存在しており、第
４図に示す如（アＪｌ／ ；、 ニラＪ、基板１ トｌ
！：、３１ｉＡ ｒ’ｌ！を化Ｗ ＩＩＦｊ ３ ト（
７１） ；１４％線膨張係数の差による変形（収ｊ１１
１応力）が生じても、通電孔２に吸収され、クランクが
生しないものと考えられる。以上の理由により、磁気デ
ィノ、り基板用のアルマイ１基板は封孔処理を行な・）
ごとができない。
酸化すると、通電孔２が形成されるが、これを１００℃
の水中などで封孔処理すると、第２図に示すように、通
電孔２がγ−＾１２ｏ３ ・１１２０よりなるベーマイ
ト５にＪζり閉塞される。このように封孔処理されたア
ルマイト基板は、アルミニウム基板１と陽極酸化皮膜３
との熱線膨張係数の差が約５倍も異なイ〕ため、前記醇
化、還元工程の加！、１）処理において、第３図に示す
如くわん曲し、クラック６が生Ｊ゛るものと嵩えられる
。とごろが封孔処理を行ノ、にわノ、シ′りれば、第１
図に示したように通電孔２かそのまま存在しており、第
４図に示す如（アＪｌ／ ；、 ニラＪ、基板１ トｌ
！：、３１ｉＡ ｒ’ｌ！を化Ｗ ＩＩＦｊ ３ ト（
７１） ；１４％線膨張係数の差による変形（収ｊ１１
１応力）が生じても、通電孔２に吸収され、クランクが
生しないものと考えられる。以上の理由により、磁気デ
ィノ、り基板用のアルマイ１基板は封孔処理を行な・）
ごとができない。
本発明の目的は、封孔処理を適用できない磁気ディスク
用のアルマイト基板において、封孔処理をしなくてもア
ルマイ１一基板の耐蝕性を向上させ、磁性１９層への腐
蝕拡散を防止することにある。
用のアルマイト基板において、封孔処理をしなくてもア
ルマイ１一基板の耐蝕性を向上させ、磁性１９層への腐
蝕拡散を防止することにある。
この技術的課題を解決するノこめに講した本発明による
技術的手段は、２００ ’ｃ以下の加熱処理により昇華
熱分１ｔＹする有機酸を主成分とする陽極酸化溶液によ
りアルミニウム基板を陽極酸化し、陽極酸化皮膜生成時
に生ずる通電（）′々細孔に残留する有機酸を、熱う）
１ウテ除去する方法を採っている。
技術的手段は、２００ ’ｃ以下の加熱処理により昇華
熱分１ｔＹする有機酸を主成分とする陽極酸化溶液によ
りアルミニウム基板を陽極酸化し、陽極酸化皮膜生成時
に生ずる通電（）′々細孔に残留する有機酸を、熱う）
１ウテ除去する方法を採っている。
２００℃以下の比較的低温で熱分１う１：するイｊ機酸
としては、蓚酸、７１：１ン酸、乳酸、グリー！−ル酸
などがあるが、アルマイＩ−ｆ！ＩＥの点からは、蓚酸
が最も良く、 １８７℃以上で熱分１９’ｉ：する。ま
た本発明の目的を達成するには、陽極酸化後できるたり
早く！：（シ分解除去するごとが望ましく、ｆ１ハ分１
つ１：除去工程までの間はできるだり帖）２Ｖｒ Ｉ、
、水分δＪ、もｂろんのこと低温かつ低湿度雰囲気に保
管することが望ましい。したがってこの残存ＩＴｔ、曵
酸の熱分ｌｌ１ｒ除去は、陽極酸化後たたらに行なうこ
とが有利となる。
としては、蓚酸、７１：１ン酸、乳酸、グリー！−ル酸
などがあるが、アルマイＩ−ｆ！ＩＥの点からは、蓚酸
が最も良く、 １８７℃以上で熱分１９’ｉ：する。ま
た本発明の目的を達成するには、陽極酸化後できるたり
早く！：（シ分解除去するごとが望ましく、ｆ１ハ分１
つ１：除去工程までの間はできるだり帖）２Ｖｒ Ｉ、
、水分δＪ、もｂろんのこと低温かつ低湿度雰囲気に保
管することが望ましい。したがってこの残存ＩＴｔ、曵
酸の熱分ｌｌ１ｒ除去は、陽極酸化後たたらに行なうこ
とが有利となる。
しかしながら先に説明したようにアルミニウム基板と陽
極酸化皮膜とでは、熱線膨張係数が約５借も異なり、陽
極１１（ε化皮膜Ｉｎとし“（はできるだり曹い力が、
加熱に対するｉ＋ｉｊクラック性は有利となる。ところ
か高記！？′、Ａ密度用０り性媒体、！２板としてボリ
シングにより’ａ３’２面を１７るには、陽極酸化皮膜
層はある程度厚くなげれば、ε°工面をＩｌることは’
ｊｉ［シい。したかって残存イｊ機酷の４：ｌ、７分Ｉ
Ｑ’Ｘ除去は、クラックを避りるために、できるたり低
温で分１！１７させるのが望ましい。本発明の（バ成要
（］１として、２００°Ｃ以下でｉ；１１分）す１゛す
る有１現酸とし７だＱ几１、陽極酸化皮１ｔｓ：ｊ 層
の厚さが２００°Ｃで１２μｍまではクランクが生シ；
’、１： イ）コメ−（： ；Ｊ） リ、ｒ）Ｍ ｊＱ
： ｈ！Ｉ；体吉し’（＋１１＋Ｊ ）ｌｌ′’ ＪＴ
ｏ ｊ生を向」ニさせるための配応、からごある。
極酸化皮膜とでは、熱線膨張係数が約５借も異なり、陽
極１１（ε化皮膜Ｉｎとし“（はできるだり曹い力が、
加熱に対するｉ＋ｉｊクラック性は有利となる。ところ
か高記！？′、Ａ密度用０り性媒体、！２板としてボリ
シングにより’ａ３’２面を１７るには、陽極酸化皮膜
層はある程度厚くなげれば、ε°工面をＩｌることは’
ｊｉ［シい。したかって残存イｊ機酷の４：ｌ、７分Ｉ
Ｑ’Ｘ除去は、クラックを避りるために、できるたり低
温で分１！１７させるのが望ましい。本発明の（バ成要
（］１として、２００°Ｃ以下でｉ；１１分）す１゛す
る有１現酸とし７だＱ几１、陽極酸化皮１ｔｓ：ｊ 層
の厚さが２００°Ｃで１２μｍまではクランクが生シ；
’、１： イ）コメ−（： ；Ｊ） リ、ｒ）Ｍ ｊＱ
： ｈ！Ｉ；体吉し’（＋１１＋Ｊ ）ｌｌ′’ ＪＴ
ｏ ｊ生を向」ニさせるための配応、からごある。
本発明による高１Ｉｉｉ１蝕アルマ・イ１−基板の製造
法と従来の方法との相違点を明確にするために、まず第
５図（イ）の工桿図にしたがって従来の実施例を説明す
る。
法と従来の方法との相違点を明確にするために、まず第
５図（イ）の工桿図にしたがって従来の実施例を説明す
る。
実施例−１（従来例）
＋ｌ）陽極酸化溶液として硫酸を用い、アルミニウム基
板を陽極酸化する。
板を陽極酸化する。
（２）次いでボリシングにより、陽極酸化皮１１Ｑ＝面
を鏡面化する。
を鏡面化する。
（３）その上にＦｅをスパ／タリングし、α扶り月＋ｅ
、！０３を形成さＵ−る。
、！０３を形成さＵ−る。
（４）次に３５０℃に加ＦＴ、ＸＬされた水崇炉におい
て還元処理し、Ｉ’（！３０１を得る。
て還元処理し、Ｉ’（！３０１を得る。
（５）これを３５０℃に加熱された大気炉において酸化
処理し、磁性膜であるγ状の１・０ｉ０３を形成さ−Ｕ
る。
処理し、磁性膜であるγ状の１・０ｉ０３を形成さ−Ｕ
る。
このようにし°ζｊ４Ｔられた磁気ディスク基板を；１
１．７を度４０℃、相対湿度９５％にｆλｉノこれノこ
恒６１１．１亘／！ｕｌ！ Ｊｆ”７に入れ、その耐蝕
性を目視により氾ｌ乙−した結果を第１表に示す。
１．７を度４０℃、相対湿度９５％にｆλｉノこれノこ
恒６１１．１亘／！ｕｌ！ Ｊｆ”７に入れ、その耐蝕
性を目視により氾ｌ乙−した結果を第１表に示す。
実施例−２（従来例）
第５図（イ）の上程に従い、今度は陽極酸化溶液として
蓚酸を用い、アルミニウムＪ、興反を陽極酸化し、以下
実施例−１と間柱の二■二程で、γ状のＦｅ２Ｏ３を形
成さ−［、温度４０′Ｃ１相対湿度９５％に保たれた恒
温恒ｆＡ槽に入れ、その耐蝕性を目視により観察した結
果を第１表に示す。
蓚酸を用い、アルミニウムＪ、興反を陽極酸化し、以下
実施例−１と間柱の二■二程で、γ状のＦｅ２Ｏ３を形
成さ−［、温度４０′Ｃ１相対湿度９５％に保たれた恒
温恒ｆＡ槽に入れ、その耐蝕性を目視により観察した結
果を第１表に示す。
実施例−３（本発明による実施例）
第５図（ロ）の工程図に従い、
（１）まず陽極酸化溶液として蓚酸を用い、アルミニウ
ム基板を陽極酸化する。
ム基板を陽極酸化する。
（２）次にこれを２００℃に加熱された電気炉において
２時間加ｉ：１．．５し、通電孔に残存した蓚酸を熱分
解１除去 しノこ。
２時間加ｉ：１．．５し、通電孔に残存した蓚酸を熱分
解１除去 しノこ。
（３）次いでボリシングにより、陽極酸化皮膜表面を鏡
面化する。
面化する。
（４）その上にＦｅをスパフタリングし、α状のＦ１３
２０３を形成させる。
２０３を形成させる。
（５）次に３５０°Ｃに加熱された水素；ｊｌにおいて
通光処理し、Ｆｅｚｅ４をｆｌる。
通光処理し、Ｆｅｚｅ４をｆｌる。
（６）これを３５０°Ｃに加熱された大気炉において酸
化処理し、磁性膜であるα状のＦｅｚ Ｏｚを形成させ
る。
化処理し、磁性膜であるα状のＦｅｚ Ｏｚを形成させ
る。
このようにして得られた磁気ディスク基板をｄｌｌ。
度４０℃、相対湿度９５％に保たれた恒温恒湿槽に入れ
、その耐蝕性を目視により観察した結果を第１表に示す
。
、その耐蝕性を目視により観察した結果を第１表に示す
。
第１表
即ち従来の方法による実施例−１および実施例−２では
、陽極酸化処理後第１図の通電孔２に残留した酸４が残
り、第６図（イ）に７で示すように陽極酸化皮膜３およ
びアルミニウム基板ｌがｌｉｄ蝕し、更に進行して磁性
１模も破壊される。ところが本発明の方法による実施例
−３では、陽極酸化処理後、第１１２１の通電孔２に残
留した酸４が残るが、第５図（ロ）の（２）の加熱分解
処理において、第６図（ロ）に示すよ・）に、残留した
蓚酸が昇華熱分解除去され、アルマイト基板響３および
磁性膜の腐蝕破壊が起こらなかったものである。
、陽極酸化処理後第１図の通電孔２に残留した酸４が残
り、第６図（イ）に７で示すように陽極酸化皮膜３およ
びアルミニウム基板ｌがｌｉｄ蝕し、更に進行して磁性
１模も破壊される。ところが本発明の方法による実施例
−３では、陽極酸化処理後、第１１２１の通電孔２に残
留した酸４が残るが、第５図（ロ）の（２）の加熱分解
処理において、第６図（ロ）に示すよ・）に、残留した
蓚酸が昇華熱分解除去され、アルマイト基板響３および
磁性膜の腐蝕破壊が起こらなかったものである。
以上のように本発明の製造法に、１−れば、比較的低い
温度で昇華熱分１９’ｆするイｉ機酸を主成分とする陽
極酸化溶液でアルミニウム基板を陽極酸化し、その際に
形成された通電１）攻細孔に残留する有機酸を、加熱に
よって熱分ＩＱｌｉｌ除去したｔ＆、磁性１１テを形成
する。従って通電微細孔中に、陽極酸化皮膜や磁性膜を
感触させる有機酸が残存することはなく、封孔処理を行
なうごとなしに、耐蝕性を向上させることができる。そ
のため、磁気ディスク用アルマイト基板のように封孔処
理を行なえない基板において、極めて顕著な効果を奏す
る。
温度で昇華熱分１９’ｆするイｉ機酸を主成分とする陽
極酸化溶液でアルミニウム基板を陽極酸化し、その際に
形成された通電１）攻細孔に残留する有機酸を、加熱に
よって熱分ＩＱｌｉｌ除去したｔ＆、磁性１１テを形成
する。従って通電微細孔中に、陽極酸化皮膜や磁性膜を
感触させる有機酸が残存することはなく、封孔処理を行
なうごとなしに、耐蝕性を向上させることができる。そ
のため、磁気ディスク用アルマイト基板のように封孔処
理を行なえない基板において、極めて顕著な効果を奏す
る。
第１図は陽極酸化後のす′ルマ・イト基板を示ず１す１
面図、第２図は従来の方法により封孔処理されたアルマ
イト基板を示す断面図、第３図は第２図のアルマイト基
板に加熱処理工程でクランクが発生した状態を示す断面
図、第４図ば封孔処理を行なわないアルマイト基板を加
熱した状態を示す断面図、第５図（イ）は従来の製造法
を示す二［程図、第５図（ロ）は本発明による製造法を
示す工程図、第６図（伺は通電微細孔に残存しノミ酸で
アルミニウム基板が腐蝕した状態を示す断面図、同図（
ロ）は本発明の製造法により通電微細孔の酸が除去され
た状態を示す断面図である。 図において１はアルミニウム基板、２ば通電微細孔、３
ば陽極酸化皮膜、４は残留酸、６はクラック、７ば腐蝕
部をそれぞれ示す。 特許出願人 富士通株式会社 代理人 −弁理士 青 柳 稔
面図、第２図は従来の方法により封孔処理されたアルマ
イト基板を示す断面図、第３図は第２図のアルマイト基
板に加熱処理工程でクランクが発生した状態を示す断面
図、第４図ば封孔処理を行なわないアルマイト基板を加
熱した状態を示す断面図、第５図（イ）は従来の製造法
を示す二［程図、第５図（ロ）は本発明による製造法を
示す工程図、第６図（伺は通電微細孔に残存しノミ酸で
アルミニウム基板が腐蝕した状態を示す断面図、同図（
ロ）は本発明の製造法により通電微細孔の酸が除去され
た状態を示す断面図である。 図において１はアルミニウム基板、２ば通電微細孔、３
ば陽極酸化皮膜、４は残留酸、６はクラック、７ば腐蝕
部をそれぞれ示す。 特許出願人 富士通株式会社 代理人 −弁理士 青 柳 稔
Claims (1)
- ２００℃以下の加熱処理により昇華熱分解する有機酸を
主成分とする陽極酸化溶液によりアルミニウム基板を陽
極酸化し、陽極酸化皮膜生成時に生ずる通電微細孔に残
留する有１ａ酸を、熱分解除去することを特徴とする高
爾蝕アルマイト基板の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11351683A JPS605897A (ja) | 1983-06-22 | 1983-06-22 | 高耐蝕アルマイト基板の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11351683A JPS605897A (ja) | 1983-06-22 | 1983-06-22 | 高耐蝕アルマイト基板の製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS605897A true JPS605897A (ja) | 1985-01-12 |
Family
ID=14614317
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11351683A Pending JPS605897A (ja) | 1983-06-22 | 1983-06-22 | 高耐蝕アルマイト基板の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS605897A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008202112A (ja) * | 2007-02-21 | 2008-09-04 | Fujifilm Corp | 微細構造体および製造方法 |
| JP2012081473A (ja) * | 2012-01-30 | 2012-04-26 | Fujifilm Corp | 精密フィルターユニットの製造方法 |
| JP2012140708A (ja) * | 2012-01-27 | 2012-07-26 | Fujifilm Corp | 微細構造体および製造方法 |
-
1983
- 1983-06-22 JP JP11351683A patent/JPS605897A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008202112A (ja) * | 2007-02-21 | 2008-09-04 | Fujifilm Corp | 微細構造体および製造方法 |
| JP2012140708A (ja) * | 2012-01-27 | 2012-07-26 | Fujifilm Corp | 微細構造体および製造方法 |
| JP2012081473A (ja) * | 2012-01-30 | 2012-04-26 | Fujifilm Corp | 精密フィルターユニットの製造方法 |
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