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JPS60169103A - Voltage nonlinear resistor - Google Patents

Voltage nonlinear resistor

Info

Publication number
JPS60169103A
JPS60169103A JP59023656A JP2365684A JPS60169103A JP S60169103 A JPS60169103 A JP S60169103A JP 59023656 A JP59023656 A JP 59023656A JP 2365684 A JP2365684 A JP 2365684A JP S60169103 A JPS60169103 A JP S60169103A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
oxide
resistor
component
voltage
mol
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP59023656A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
渡辺 三鈴
田川 良彦
正夫 林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Meidensha Corp
Meidensha Electric Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Meidensha Corp
Meidensha Electric Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Meidensha Corp, Meidensha Electric Manufacturing Co Ltd filed Critical Meidensha Corp
Priority to JP59023656A priority Critical patent/JPS60169103A/en
Publication of JPS60169103A publication Critical patent/JPS60169103A/en
Pending legal-status Critical Current

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  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
  • Thermistors And Varistors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は酸化亜鉛を主成分とする電圧非直線抵抗体に関
するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of the Invention The present invention relates to a voltage nonlinear resistor whose main component is zinc oxide.

従来技術 一般にこの種の電圧非直線抵抗体は、優れた非直線性を
有しているため電気機器のサージアブソーバ等に好適ζ
二相いられている。この種の電圧非直線抵抗体の製造は
、主成分としての酸化亜鉛(ZnO)に酸化ビスマス(
st*om)を含む数種の添加成分を副成分として混合
し、混合物を成形した後焼成することによって行われる
。ここで酸化ビスマスを添加する理由は、これが酸化亜
鉛に比較して低融点であることがら液相焼結によって酸
化亜鉛粒子の結晶成長を促進することζ二あるが、従来
ではその機能を発揮させるため(二例えば0.3モル饅
以上と多量に酸化ビスマスを用いていた。
Conventional technology In general, this type of voltage nonlinear resistor has excellent nonlinearity, so it is suitable for surge absorbers of electrical equipment, etc.ζ
I'm in two phases. The production of this type of voltage nonlinear resistor requires zinc oxide (ZnO) as the main component and bismuth oxide (
It is carried out by mixing several types of additive components including st*om) as subcomponents, molding the mixture, and then firing it. The reason why bismuth oxide is added here is that it has a lower melting point than zinc oxide and promotes the crystal growth of zinc oxide particles through liquid phase sintering, but conventionally, this function is not achieved. Therefore, a large amount of bismuth oxide was used, for example, 0.3 mole or more.

ところで電圧非直線抵抗体を製造するにあたっては、抵
抗体の寿命特性の向上を図るため、或いは抵抗体外周部
の絶縁コーティングのために、焼結後400〜900℃
の熱処理工程を必要とするが、この焼結後の熱処理によ
って酸化ビスマスの結晶系が変化する。このため電圧非
直線抵抗体の電気特性が大きく低下し、その度合いは熱
処理温度が高い程大きい。この結果従来の抵抗体は、あ
る電流領域(例えば100μA〜IA)ではα(非直線
指数)が20以上であって良好な特性を得ることができ
るが、その領域から外れた領域では非直線指数が相当低
い値となっていた。更にこのよ5な問題点C二かえ添加
物の主成分であるB110.の金属成分Biはクラーク
数が2 X 10−’ と資源的に乏しいものであると
いう問題もある。
By the way, when manufacturing a voltage non-linear resistor, in order to improve the life characteristics of the resistor or to insulate the outer periphery of the resistor, it is necessary to heat the resistor at a temperature of 400 to 900°C after sintering.
This post-sintering heat treatment changes the crystal system of bismuth oxide. For this reason, the electrical characteristics of the voltage nonlinear resistor are greatly reduced, and the degree of this is greater as the heat treatment temperature is higher. As a result, conventional resistors can obtain good characteristics with α (nonlinear index) of 20 or more in a certain current range (for example, 100 μA to IA), but outside that range, the nonlinear index was a fairly low value. Furthermore, there are five problems with B110, which is the main component of the additive. There is also the problem that the metal component Bi has a Clarke number of 2×10-' and is a scarce resource.

発明の目的 本発明はこのような背景のもとC71:されたものであ
り、添加成分のうちのBi、O,の含有量を微量に抑え
、しかも非直線特性等の種々の素子特性を向上すること
のできる電圧非直線抵抗体を提供することを目的とする
ものである。
Purpose of the Invention The present invention was developed based on the above background, and aims to suppress the content of Bi and O among the additive components to a trace amount, and improve various device characteristics such as nonlinear characteristics. The object of the present invention is to provide a voltage nonlinear resistor that can perform the following steps.

発明の概要 第1発明の特徴とするところは、酸化亜鉛(ZnO)を
主成分とし酸化マンガン(MnO,)、酸化アンチモン
(Sb、O,)、酸化クロム(CryOs) 、酸化ビ
スマス(nt*os)、を含む第1成分と、酸化鉛(p
bo)及び酸化アンチモン(Sb宜Os)に酸化クロム
(crtos)、酸化亜鉛(ZnO)、酸化コバルト≦
Co1on)及び酸化マンガン(MnOx)のうちの1
種以上を混合し仮焼して得られる第2成分と、硼珪酸亜
鉛ガラスとを混合し焼結体とした点にある。
Summary of the Invention The first invention is characterized by containing zinc oxide (ZnO) as the main component, manganese oxide (MnO,), antimony oxide (Sb, O,), chromium oxide (CryOs), bismuth oxide (nt*os), ), and a first component containing lead oxide (p
bo) and antimony oxide (SbOs), chromium oxide (crtos), zinc oxide (ZnO), cobalt oxide≦
Co1on) and manganese oxide (MnOx).
The second component obtained by mixing and calcining the seeds and zinc borosilicate glass is mixed to form a sintered body.

実施例 本発明の実施例に係る電圧非直線抵抗体は、ZnO98
,47モ/Ll%、MnO,0,5モルq6、sb、0
.0.5モ/Ll t4、Cr10B 0.5モル%、
Bl、0.0.03モル%より成る第1成分と、PbO
,CrtO,、sb、o、をモル比で4:1:1の割合
で含有する混合粉を仮焼して得られる第2成分と、硼珪
酸亜鉛ガラスとを、第2成分の含有割合が2重量%、硼
珪酸亜鉛ガラスの含有割合が0.2重量%となるよう混
合し焼結することによって得たものである。
Example A voltage nonlinear resistor according to an example of the present invention is made of ZnO98
, 47 mo/Ll%, MnO, 0.5 mole q6, sb, 0
.. 0.5 mo/Lt4, Cr10B 0.5 mole%,
A first component consisting of Bl, 0.0.03 mol%, and PbO
, CrtO,, sb, o, in a molar ratio of 4:1:1. 2% by weight and 0.2% by weight of zinc borosilicate glass and sintered.

このような抵抗体の具体的製造例C二ついて述べると、
先ずPbO,Cr、O@、 Sb、0.の各々の粉末を
上記の割合で所定量秤量したものを遠心ボールミルで十
分混合した後アル、ミナツボ中にて温度1000℃で4
時間仮焼し、得られた仮焼粉を遠心ボールミルで粉砕し
て第2成分である反応生成物を得る。
Two specific examples of manufacturing such a resistor are as follows:
First, PbO, Cr, O@, Sb, 0. A predetermined amount of each powder was weighed in the above ratio, thoroughly mixed in a centrifugal ball mill, and then heated in an aluminum pot at a temperature of 1000°C for 4 hours.
After calcining for a period of time, the calcined powder obtained is pulverized in a centrifugal ball mill to obtain a reaction product as a second component.

一方ZnO,B110@、 Mn0tr sb、o、、
 Crt’sの各々の粉末を上記の割合で所定量秤量し
、これに上記の反応生成物及び硼珪酸亜鉛ガラスを夫々
2重量%及び0.2重量係加え、その後回転ボールミル
で十分混合し、円板状に成形する。次いで成形体を空気
中で温度1130℃で6時間焼成した後得られた焼結体
の両端面を研磨して当該両端面にAg電極を塗布し、温
度590℃下1時間の熱処理を行い、以って電圧非直線
抵抗体を得る。ここでpbo、 sb、o、 。
On the other hand, ZnO, B110@, Mn0tr sb, o,,
Weigh out a predetermined amount of each powder of Crt's in the above ratio, add 2% by weight and 0.2% by weight of the above reaction product and zinc borosilicate glass, respectively, and then thoroughly mix with a rotating ball mill, Shape into a disc. Next, the molded body was fired in air at a temperature of 1130°C for 6 hours, then both end faces of the obtained sintered body were polished, Ag electrodes were applied to both end faces, and heat treatment was performed at a temperature of 590°C for 1 hour. Thus, a voltage nonlinear resistor is obtained. Here pbo, sb, o, .

Cr@0@の混合物を仮焼することによって、パイロク
ロア結晶を主成分とする反応物が得られる。このことを
調べるために上記の仮焼粉に漬いてX線回析を行った結
果、X線回折図は第1図に示す通りであった。これによ
り反応物の主成分がパイロクロア結晶であることが判る
By calcining the mixture of Cr@0@, a reactant containing pyrochlore crystals as a main component can be obtained. In order to investigate this, the material was soaked in the above calcined powder and subjected to X-ray diffraction, and the result was an X-ray diffraction pattern as shown in FIG. This shows that the main component of the reactant is pyrochlore crystals.

次(二上述のようにして実際に製造した電圧非直線抵抗
体(これを抵抗体Aとする。)とB110.を添加物の
主成分とする従来の抵抗体とについて素子41を比較し
た結果について述べると、第2図は、横軸に電流、縦軸
に電圧をとった電圧−電流特性を示すグラフ、第3図は
熱処理の温度と熱処理前後におけるv1rILA/■及
びαの変化率との関係を示したもので、横軸(二熱処理
温度、縦軸に各変化率を夫々とったグラフ、第4図は温
度130℃の恒温槽にてv1□/−==の85係の直流
電圧を印加したときの漏れ電流の増加率を示すもので、
横軸ぜ二課電時間、縦軸に漏れ電流の増加率を夫々とっ
たグラフである。第2図〜第4図(二おいて1及び2は
夫々抵抗体A及び従来の抵抗体についての特性を示す。
Next (2) Comparison of element 41 between the voltage nonlinear resistor actually manufactured as described above (this is referred to as resistor A) and a conventional resistor whose main additive is B110. Fig. 2 is a graph showing voltage-current characteristics with current on the horizontal axis and voltage on the vertical axis, and Fig. 3 shows the relationship between heat treatment temperature and rate of change in v1rILA/■ and α before and after heat treatment. This graph shows the relationship between the two heat treatment temperatures on the horizontal axis and the rate of change on the vertical axis. It shows the rate of increase in leakage current when applying
It is a graph in which the horizontal axis represents the voltage application time and the vertical axis represents the rate of increase in leakage current. Figures 2 to 4 (1 and 2 in 2 indicate the characteristics of resistor A and a conventional resistor, respectively.

またV 1 mA/ l!1mlとは1園の厚さの抵抗
体1 mAの電流を流したときの両端電圧であり、αと
は、抵抗体にI(A)の電流を流したときにV (v)
の電圧が発生したとすると、I=(−¥:)ctで表わ
される指数である。Kは非直線抵抗である。またこのα
は電流値によって異なるが、一般に0.1 mA〜1m
Aの範囲の電流を流したときの値を用いることが多く、
以下ではこの範囲の値を採用する。
Also V 1 mA/l! 1 ml is the voltage across a resistor with a thickness of 1 mA when a current of 1 mA is passed through it, and α is the voltage across the resistor when a current of I (A) is passed through the resistor (V (v)
If the voltage is generated, I=(-¥:)ct is an index. K is a nonlinear resistance. Also this α
varies depending on the current value, but generally 0.1 mA to 1 m
The value when a current in the range of A is applied is often used,
In the following, values within this range will be adopted.

先ず第2図についてみると、微小電流領域及び大電流領
域において曲線2の傾きよりも小さくなっている。ここ
にαは第2図における曲線の傾きが小さい程大きいので
微小電流領域及び大電流領域においては、抵抗体Aのα
の方が従来の抵抗体のαよりも大きくなっていて非直線
特性が優れていることが理解される。また第3図につい
てみると、従来の抵抗体においてはv1rnA/、11
.、及びαのいずれも熱処理温度が500℃付近よりも
高くなると、温度が高くなるにつれて急激に低くなって
いき、特性の低下が見られるが、実施例の抵抗体Aにお
いては、■、工/、及びαのいずれも熱処理によってほ
とんど変化しなくて特性が低下しないことがわかる。尚
第3図中1′で示した曲線については後述する。更に第
4図についてみると、実施例の抵抗体Aは漏れ電流の増
加率が従来の抵抗体よりも小さく、寿命特性が良好であ
ることが理解される。
First, looking at FIG. 2, the slope is smaller than the slope of curve 2 in the microcurrent region and the large current region. Here, α increases as the slope of the curve in FIG. 2 decreases, so in the micro current region and large current region,
It is understood that α is larger than that of the conventional resistor, and the nonlinear characteristics are superior. Also, looking at Figure 3, in the conventional resistor, v1rnA/, 11
.. When the heat treatment temperature becomes higher than around 500°C, both of , and α hardly change due to heat treatment, indicating that the characteristics do not deteriorate. The curve indicated by 1' in FIG. 3 will be described later. Further, referring to FIG. 4, it can be seen that the resistor A of the example has a smaller rate of increase in leakage current than the conventional resistor, and has good life characteristics.

第5図は硼珪酸亜鉛ガラスの含有割合を変化させた場合
v1fiA、/−及びαがどのように変化するかを調べ
たグラフであり、実線AIは■1mA/mlの変化、B
1はαの変化を示す。ただし他の添加成分については実
施例と同様の組成である。この結果から良好71″特性
を得るためには硼珪酸亜鉛ガラスについては0.01〜
5重量%の含有割合(全体に対する含有割合)で含まれ
ていることが必要である。またMnO,、Sb、0.、
 Crt03.についても同様の測定を行ったところ、
良好72:特性を得るためには各々0.1〜5モルチの
含有割合(第1成分に対して)で含まれていることが必
要であることが判った。反応生成物についても同様の測
定を行ったところ、良好な特性を得るためには0.2〜
20重量%の含有割合(全体に対して)で含まれている
ことが必要であることが判った。
Figure 5 is a graph examining how v1fiA, /- and α change when the content ratio of zinc borosilicate glass is changed.
1 indicates a change in α. However, the other additive components have the same composition as in the example. From this result, in order to obtain good 71" characteristics, for zinc borosilicate glass, it is necessary to
It is necessary that it be contained at a content rate of 5% by weight (content rate relative to the whole). Also, MnO,, Sb, 0. ,
Crt03. Similar measurements were made for
Good 72: It was found that in order to obtain the characteristics, it is necessary to contain each component at a content ratio of 0.1 to 5 moles (relative to the first component). Similar measurements were performed on the reaction products, and it was found that in order to obtain good characteristics, the
It has been found that it is necessary to contain it at a content rate of 20% by weight (relative to the total weight).

上記の反応生成物の配合比については、PbO。Regarding the blending ratio of the above reaction products, PbO.

sb、o、を含むパイロクロア結晶を形成するものであ
ればよく、実施例に示した配合比に限定されるものでは
ない。またその組成についてはpbo 。
Any compound that forms pyrochlore crystals containing sb, o, and is not limited to the blending ratio shown in the examples. Also, regarding its composition, pbo.

Sb箕OH,Cr10gの組み合わせの他、pbo及び
sb、o。
In addition to the combination of Sb Minoo OH and Cr10g, pbo, sb, and o.

と、Cr、OB、 ZnO,Co、OB、 MnO,の
うちの少なくとも工種との組み合わせであれば同様の効
果が得られる。そして上記の反応生成物を得るための仮
焼工程における仮φ温度及び仮焼時間は夫々800〜1
100℃、1〜10時間の範囲であることが望ましい。
A similar effect can be obtained by a combination of at least one of Cr, OB, ZnO, Co, OB, and MnO. The temporary φ temperature and the calcination time in the calcination step to obtain the above reaction product are respectively 800 to 1
The temperature is preferably 100°C for 1 to 10 hours.

その理由は仮焼温度が800℃よりも低いか或いは仮焼
時間が1時間よりも短いと反応が十分性われず、また仮
焼温度が1100℃よりも高いか、仮焼時間が10時間
よりも長いとPbOの揮散の程度が大きくなり非直線特
性が悪くなるからである。
The reason for this is that if the calcination temperature is lower than 800°C or the calcination time is shorter than 1 hour, the reaction will not occur sufficiently, and if the calcination temperature is higher than 1100°C or the calcination time is shorter than 10 hours. This is because if the length is too long, the degree of PbO volatilization will increase and the nonlinear characteristics will deteriorate.

第1成分と第2成分とを混合した後の焼成工程における
焼成温度及び焼成時間は、夫々950〜1350℃及び
1〜20時間が望ましい。その理由は、焼成温度が95
0℃よりも低いか、或いは焼成時間が1時間よりも短い
と緻密で均一な焼結体が得られず、また焼成温度が13
50℃よりも高いか、或いは焼成時間が20時間よりも
長いと表面付近のPbOとBi、O,との揮発の程度が
大きくて非直線特性が悪くなるからである。
The firing temperature and firing time in the firing step after mixing the first component and the second component are preferably 950 to 1350°C and 1 to 20 hours, respectively. The reason is that the firing temperature is 95
If the temperature is lower than 0°C or the firing time is shorter than 1 hour, a dense and uniform sintered body cannot be obtained;
This is because if the temperature is higher than 50° C. or the firing time is longer than 20 hours, the degree of volatilization of PbO, Bi, and O near the surface will be large, resulting in poor nonlinear characteristics.

ここでBi、O,の役割について述べると、第6図は第
1成分と第2成分とを混合した後の焼成工程における焼
成温度と、α及びv17rQ/1mとの関係を、Bi、
0.を添加した場合と添加しない場合とについて調べた
結果を示し、実線3,4は、夫々0,03モルチのBi
、O,を添加したちのC二ついてのV8、(の変化、α
の変化を示し、実線5,6は夫々Bi、0゜を添加しな
いものについてのv1mA/1111の変化、αの変化
を示している。この場合抵抗体の!他の、添加成分は抵
抗体Aと同じである。同図から明らかなように微量のB
l、0.を添加することによって最適焼成温度範囲を広
げることができる。そして最適焼成温度が広げられると
いう効果を得るためにはBi、0.の含有割合が0.0
11以上であることが必要である。このような効果を奏
する理由はB110gと前記反応生成物とを組み合わせ
て添加したことによると考えられる。一方、Bi、01
の含有割合が高くなるにつれて、熱処理後のαの低下率
が大きくなりその度合は熱処理温度が高い程大きい。第
3図の実線1′はBi、0.を0.1モル俤添加したち
のについてのαの変化率を示し、この実線1′と同図の
実線1 (Bi、0.0.03チ添加)とを比較すると
、Bi2O2を0.1モル俤添加したものの方がBi、
0.を0.03モルチ添加したものよりもαの低下率が
大きい。そして実線1′と実線2.(従来の抵抗体)と
の比較から、Bi、O,を0.1モル俤添加したものは
、従来の抵抗体よりも良好な特性が得られるが、Bi、
0.の含有割合が0.1モルチを越えると従来品のもの
に特性が近づくため効果がすくすってしまう。したがっ
てBi、O,の含有割合は0.01〜0.1モルチの範
囲であることが必要である。
Here, talking about the roles of Bi, O, and Figure 6 shows the relationship between the firing temperature in the firing process after mixing the first component and the second component, and α and v17rQ/1m.
0. The solid lines 3 and 4 show the results of the investigation with and without the addition of Bi.
, O, is added to V8, (change in α
The solid lines 5 and 6 show the change in v1mA/1111 and the change in α for the case where Bi and 0° are not added, respectively. In this case of the resistor! The other additive components are the same as those for resistor A. As is clear from the figure, a trace amount of B
l, 0. By adding , the optimum firing temperature range can be expanded. In order to obtain the effect of expanding the optimum firing temperature, Bi, 0. The content ratio of is 0.0
It needs to be 11 or more. The reason for such an effect is thought to be that 110 g of B and the reaction product were added in combination. On the other hand, Bi, 01
As the content ratio of α increases, the rate of decrease in α after heat treatment increases, and the degree of decrease increases as the heat treatment temperature increases. The solid line 1' in FIG. 3 indicates Bi, 0. The rate of change in α is shown when 0.1 mol of Bi is added, and when this solid line 1' is compared with the solid line 1 (addition of 0.0.03 mol of Bi), it is found that when Bi2O2 is added by 0.1 mol, The one with molar addition is more Bi,
0. The rate of decrease in α is greater than that in which 0.03 molt of is added. And solid line 1' and solid line 2. (Conventional resistor), the one with 0.1 mol of Bi and O added has better characteristics than the conventional resistor, but Bi,
0. If the content exceeds 0.1 molt, the properties will approach those of conventional products and the effectiveness will diminish. Therefore, it is necessary that the content ratio of Bi and O is in the range of 0.01 to 0.1 mol.

また焼結体の熱処理温度は500〜850℃が好ましく
、500℃よりも低いと寿命特性が悪く、850℃より
も高いと非直線特性が悪くなる。
Further, the heat treatment temperature of the sintered body is preferably 500 to 850°C; if it is lower than 500°C, the life characteristics will be poor, and if it is higher than 850°C, the nonlinear characteristics will be poor.

尚、上述実施例では、抵抗体を製造するにあたつて遠心
ボールミルやアルミナルツボを使用したが、器具の種類
は目的に沿うものであればよく、これらに限定されるも
のではない。
In the above embodiments, a centrifugal ball mill and an aluminium crucible were used to manufacture the resistor, but the type of equipment may be any suitable for the purpose and is not limited to these.

発明の効果 以上のよう(二本発明によれば、多量のBi、03を添
加物の主成分とするのではなく、PbO,Sb、0゜を
含むパイロクロア結晶を主成分とする反応生成物と、Z
nOを主成分とし、MnO,、sb、o、、 Cry’
s。
Effects of the Invention As described above (2) According to the present invention, instead of using a large amount of Bi, 03 as the main component of the additive, a reaction product containing pyrochlore crystals containing PbO, Sb, and 0° as the main component is used. ,Z
With nO as the main component, MnO,, sb, o,, Cry'
s.

6甲へを添加成分とする第1成分と、硼珪酸亜鉛ガラス
とより成るものであるため、Bi 、0.を微量に抑え
ygsら、良好な特性を得ることができる。
Since it is composed of the first component having 6A as an additive component and zinc borosilicate glass, Bi, 0. It is possible to suppress the amount of ygs to a very small amount and obtain good characteristics.

しかもその特性はB1101を添加物の主成分としてい
た抵抗体に比べて良好である。即ち、従来のBi、0.
を多量に添加する電圧非直線抵抗体に比べ焼結後の熱処
理による電気特性の低下が小さく、熱処理工程における
通常の温度範囲(400℃〜900℃)で熱処理を行う
ことによってはほとんど電気特性が低下しない。この結
果微小電流領域及び大電流領域における非直線指数が従
来のものに比べて大きく、そして微小電流領域における
非直線指数が大きいことがら課電時における漏れ電流が
小さい。その上長期課電による漏れ電流の増加が小さく
て長寿命のサージ吸収素子が得られる。
Furthermore, its characteristics are better than those of resistors containing B1101 as the main additive. That is, conventional Bi, 0.
Compared to voltage non-linear resistors that add a large amount of , the electrical properties decrease less due to heat treatment after sintering, and the electrical properties can be almost completely changed by heat treatment in the normal temperature range (400°C to 900°C) in the heat treatment process. Does not decrease. As a result, the nonlinear index in the microcurrent region and the large current region is larger than that of the conventional device, and since the nonlinear index in the microcurrent region is large, the leakage current during power application is small. Moreover, the increase in leakage current due to long-term energization is small, and a long-life surge absorbing element can be obtained.

そして第2成分である反応生成物とBi、O,とを組み
合わせて添加することにより最適焼成温度範囲を広げる
ことが可能となり製造工程における制御が容易になる。
By adding a reaction product as a second component in combination with Bi, O, etc., it is possible to widen the optimum firing temperature range, and control in the manufacturing process becomes easier.

またB1101 (Biのクラーク数2×10”)を多
量C二相いる場合に比して資源的に有利である。その理
由は、添加成分として用いる金属成分のうち、クラーク
数の小さいものはCo(クラ’Z 数4XIQ−8)、
Pb (り5−1数1.5X10−”)、sb (クラ
ーク数5X10−’)であるか、このうちCo 、 P
bはBit二比して存在量がはるかに多いし、sbはB
lと同様に存在量が少ないが従来の場合のBiのようC
:含有割合が大きくないためである。
In addition, B1101 (Clark number of Bi: 2 x 10") is more advantageous in terms of resources than when a large amount of C is present in two phases. The reason is that among the metal components used as additive components, those with a small Clark number are Co. (Kura'Z number 4XIQ-8),
Pb (ri5-1 number 1.5X10-''), sb (Clarke number 5X10-'), among which Co, P
b is much more abundant than Bit2, and sb is B
Similar to l, the abundance is small, but like Bi in the conventional case, C
: This is because the content ratio is not large.

尚以上のような効果に加えて、PbOを含む反応生成物
と微量のBl、0.とを組み合わせて用いることにより
PbO,Bi、0.の揮散がほとんどなく、 労働衛生
環境上も有利である。
In addition to the above-mentioned effects, the reaction product containing PbO and a trace amount of Bl, 0. PbO, Bi, 0. There is almost no volatilization, which is advantageous in terms of occupational health and environment.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明で用いる反応生成物の一例のX線回折図
、第2図は電圧非直線抵抗体の電圧−電流特性図、第3
図は電圧非直線抵抗体の熱処理温度に対するvl、7m
及びαの変化を示すグラフ、第4図は電圧非直線抵抗体
の課電時間に対する漏れ電流増加率を示すグラフ、第5
図は電圧非直線抵抗体の添加物の成分の含有割合に対す
る非直線特性を示すグラフ、第6図は電圧非直線抵抗体
の焼成温度に対する非直線特性を示すグラフである。
Figure 1 is an X-ray diffraction diagram of an example of the reaction product used in the present invention, Figure 2 is a voltage-current characteristic diagram of a voltage nonlinear resistor, and Figure 3 is a diagram of voltage-current characteristics of a voltage nonlinear resistor.
The figure shows vl and 7m versus heat treatment temperature for voltage nonlinear resistor.
Figure 4 is a graph showing the change in α and α;
The figure is a graph showing the nonlinear characteristics of the voltage nonlinear resistor with respect to the content ratio of additive components, and FIG. 6 is the graph showing the nonlinear characteristics of the voltage nonlinear resistor with respect to the firing temperature.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)酸化マンガン0,1〜5モルチ、酸化アンチモン
0.1〜5モルチ、酸化クロム0.1〜5モル転酸化ビ
スマス0.61〜0.1モルチ、残部酸化亜鉛より成る
第1成分と、酸化クロム、酸化亜鉛、酸化コバルト及び
酸化マンガンのうちの1種以上と酸化鉛及び酸化アンチ
モンとより成る混合物を仮焼して得られる第2成分と、
硼珪酸亜鉛ガラスとを混合し焼結して成り、第2成分の
含有割合が0.2〜20重量%、硼珪酸亜鉛ガラスの含
有割合が0.01〜5重量%、残部が第1成分であるこ
とを特徴とする電圧非直線抵抗体。
(1) A first component consisting of 0.1 to 5 mol of manganese oxide, 0.1 to 5 mol of antimony oxide, 0.1 to 5 mol of chromium oxide, 0.61 to 0.1 mol of bismuth oxide, and the balance zinc oxide; , a second component obtained by calcining a mixture consisting of one or more of chromium oxide, zinc oxide, cobalt oxide, and manganese oxide, and lead oxide and antimony oxide;
The content of the second component is 0.2 to 20% by weight, the content of the zinc borosilicate glass is 0.01 to 5% by weight, and the balance is the first component. A voltage nonlinear resistor characterized by:
JP59023656A 1984-02-10 1984-02-10 Voltage nonlinear resistor Pending JPS60169103A (en)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0357113A2 (en) * 1988-08-03 1990-03-07 Philips Patentverwaltung GmbH Production process of a non-linear voltage-dependent resistor

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