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JPS60169106A - Voltage nonlinear resistor - Google Patents

Voltage nonlinear resistor

Info

Publication number
JPS60169106A
JPS60169106A JP59024870A JP2487084A JPS60169106A JP S60169106 A JPS60169106 A JP S60169106A JP 59024870 A JP59024870 A JP 59024870A JP 2487084 A JP2487084 A JP 2487084A JP S60169106 A JPS60169106 A JP S60169106A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
zno
oxide
component
mol
reaction product
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP59024870A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
田川 良彦
正夫 林
渡辺 三鈴
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Meidensha Corp
Meidensha Electric Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Meidensha Corp
Meidensha Electric Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Meidensha Corp, Meidensha Electric Manufacturing Co Ltd filed Critical Meidensha Corp
Priority to JP59024870A priority Critical patent/JPS60169106A/en
Publication of JPS60169106A publication Critical patent/JPS60169106A/en
Pending legal-status Critical Current

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  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
  • Thermistors And Varistors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明は、酸化亜鉛を主成分とする電圧非直線抵抗体に
関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Technical Field The present invention relates to a voltage nonlinear resistor containing zinc oxide as a main component.

従来技術 酸化亜鉛(ZnO)を主成分とする電圧非直線抵抗体く
以下、rZnO素子」という)は、優れた非直線性を有
しているために、例えばトランジスタやサイリスタ等の
半導体素子または電気機器のサージアブソーバ等に用い
られている。この種のZnO素子は、通常、主成分とし
てのZnOに酸化ビスマス(B12o3 )を含む数種
の添加物を副成分として混合し、その混合物を成形、焼
結して得られる。ここに、8420gは、ZnOに比較
して低融点であることから、液相焼結によってZnO粒
子の結晶成長を促進するために添加されるものである。
BACKGROUND ART Voltage nonlinear resistors (hereinafter referred to as "rZnO elements") mainly composed of zinc oxide (ZnO) have excellent nonlinearity, so they can be used in semiconductor devices such as transistors and thyristors, or electrical devices. Used in equipment surge absorbers, etc. This type of ZnO element is usually obtained by mixing ZnO as a main component with several types of additives including bismuth oxide (B12o3) as subcomponents, and molding and sintering the mixture. Here, 8420 g is added to promote crystal growth of ZnO particles by liquid phase sintering, since it has a lower melting point than ZnO.

しかして、従来では、その機能を充分に発揮させるため
、Bi20gを全成分に対して0.3モル9以上と多量
に用いていた。
Conventionally, in order to fully exhibit its function, 20 g of Bi was used in a large amount of 0.3 mol 9 or more based on the total components.

一方、ZnO素子の製造に際しては、ZnO素子の寿命
特性の向上を図るためおよびZnO素子外周部における
絶縁コーティングのために、焼結後400〜900℃の
熱処理工程を必要とする。
On the other hand, when manufacturing a ZnO element, a heat treatment step of 400 to 900° C. is required after sintering in order to improve the life characteristics of the ZnO element and to form an insulating coating on the outer periphery of the ZnO element.

ところが、かかる熱処理により、Bi2O5の結晶構造
が変化し、ZnO素子の電気的特性が大きく低下した。
However, due to such heat treatment, the crystal structure of Bi2O5 was changed, and the electrical characteristics of the ZnO element were significantly deteriorated.

その低下の度合いは、熱処理温度が高い程大きいもので
ある。そして、このような従来のZnO素子は、ある電
流領域(例えば100μA〜IA)ではα(非直線指数
)が20以上となり満足できるものであるが、上記領域
外ではαが極端に低下するという欠点があった。
The degree of the decrease is greater as the heat treatment temperature is higher. Such conventional ZnO elements have a satisfactory α (nonlinear index) of 20 or more in a certain current range (for example, 100 μA to IA), but have the disadvantage that α drops extremely outside the above range. was there.

また、前述のように、添加物として8120gを多量に
用いているが、ビスマス(Bi )元素のクラ−り数は
2×10 であり、BizOsは資源的に極めて乏しい
ものである。
Further, as mentioned above, although a large amount of 8120 g is used as an additive, the number of cracks of bismuth (Bi) element is 2×10 5, and BizOs is extremely scarce in terms of resources.

発明の目的 本発明は、かかる従来の問題点に鑑みてなされたもので
、資源的に乏しいBizOsを用いることなく製造でき
、しかも電気的緒特性に優れた長寿命の電圧非直線抵抗
体を提供することを目的とする。
Purpose of the Invention The present invention has been made in view of the above-mentioned conventional problems, and provides a long-life voltage nonlinear resistor that can be manufactured without using BizOs, which is a scarce resource, and has excellent electrical characteristics. The purpose is to

発明の概要 かかる目的を達成するために、本発明は、酸化マンガン
(PJinOz ) 0.1〜5モル%、酸化アンチモ
ン(5bzOz ) 0.1〜5モル%、酸化クロム(
CrzOa)0.1〜5モル%、残部ZnOからなる第
1成分に対し、CrzOs、ZnO,酸化コバルト(C
O2O3) および胤02 のうちのいずれか1m以上
と酸化鉛(pbo)および5b20aとからなる混合物
とを仮焼してなる第2成分を0.2〜20重量%加え、
それを焼結してZnO素子としたものである。
SUMMARY OF THE INVENTION In order to achieve the above object, the present invention has been developed by using manganese oxide (PJinOz) 0.1 to 5 mol%, antimony oxide (5bzOz) 0.1 to 5 mol%, chromium oxide (
CrzOa) 0.1 to 5 mol% and the balance ZnO, CrzOs, ZnO, cobalt oxide (C
Adding 0.2 to 20% by weight of a second component obtained by calcining a mixture of 1 m or more of O2O3) and Seed02, lead oxide (pbo) and 5b20a,
It is sintered to form a ZnO element.

実施例 以下、本発明の一実施例につき詳細に説明する。Example Hereinafter, one embodiment of the present invention will be described in detail.

先ず、PbO,CrxOs、5bzOa cr)各粉末
をモに比にして4:1:1の割合で所定量秤量し、これ
ら秤量した各粉末を遠心ボールミルで十分混合して混合
粉末とした。その後、この混合粉末をアルこの仮焼体を
遠心ボールミルで粉砕して第2成分たる反応生成物を得
た。
First, a predetermined amount of each powder (PbO, CrxOs, 5bzOa cr) was weighed in a ratio of 4:1:1, and the weighed powders were sufficiently mixed in a centrifugal ball mill to obtain a mixed powder. Thereafter, the calcined body of this mixed powder was ground with a centrifugal ball mill to obtain a reaction product as a second component.

一方、第1成分として、Zn0 98.5モル%、Mn
0g Q、5モル%、5bzOa 0.5 モ、TI/
 %、Cr gos O,5そル%を所定量秤量した。
On the other hand, as the first component, Zn0 98.5 mol%, Mn
0g Q, 5mol%, 5bzOa 0.5mol, TI/
A predetermined amount of Cr gos O, 5% was weighed.

そして、この第1成分に対し、上記反応生成物を2重量
%加え、その後回転ボールミルで十分混合し、円板状に
成形した。
Then, 2% by weight of the above reaction product was added to this first component, and then thoroughly mixed in a rotary ball mill and formed into a disk shape.

次に、この成形体を空気中、焼成温度1100℃で6時
間焼成した後、得られた焼結体の両端面を研磨し、この
両端面に銀(Ag ) 電極を塗布し、温度590℃で
1時間の熱処理を行なって、電圧非直線抵抗体(ZnO
索子)を得た。
Next, this molded body was fired in air at a firing temperature of 1100°C for 6 hours, then both end faces of the obtained sintered body were polished, silver (Ag) electrodes were applied to both end faces, and a temperature of 590°C was applied. A voltage nonlinear resistor (ZnO
(Sakuko) was obtained.

ココニ、PbO,Cr20a、Sb 20B (1) 
混合粉末t”仮焼してなる前記反応生成物についてX線
回折を行なったところ、そのX線回折図は第1図に示す
ようになった。第1図におけるシグナルを帰属した結果
、前記反応生成物には、パイロクロア結晶pyが主成分
として生成されていることが判った。
Coconi, PbO, Cr20a, Sb 20B (1)
When X-ray diffraction was performed on the reaction product obtained by calcining the mixed powder, the X-ray diffraction pattern was as shown in Figure 1.As a result of assigning the signals in Figure 1, it was found that the reaction product was It was found that the main component of the product was pyrochlore crystal py.

第2図は、本実施例のZnO素子の電圧−電流特性を示
すグラフで、横軸に電流、縦軸に電圧をとったものであ
る。第2図において、実線1は本実施例のZnO素子の
特性を示し、実線2はBi20aを添加物の主成分とす
る従来のZnO素子の特性を示すもので、微小電流領域
および大電流領域においては、実線1の傾きが実線2の
傾きよりも小さくなっている。ここに、αは第2図にお
ける実線の傾きが小さい程大きいので、本実施例のZn
O素子の方が従来のZnO素子よりも非直線特性が優れ
ていることが判る。
FIG. 2 is a graph showing the voltage-current characteristics of the ZnO element of this example, with the horizontal axis representing the current and the vertical axis representing the voltage. In FIG. 2, solid line 1 shows the characteristics of the ZnO device of this example, and solid line 2 shows the characteristics of the conventional ZnO device containing Bi20a as the main additive. , the slope of solid line 1 is smaller than the slope of solid line 2. Here, the smaller the slope of the solid line in FIG. 2, the larger α is, so the Zn of this example
It can be seen that the O element has better nonlinear characteristics than the conventional ZnO element.

また、第3図は、ZnO素子製造工程中の最終段階であ
る熱処理の温度を種々変化せしめた場合の各熱処理温度
と熱処理前後におけるVll臥/mrxおよびαの変化
率との関係を示すグラフで、横軸に熱処理温度、縦軸に
各変化率をとったものである。
Furthermore, FIG. 3 is a graph showing the relationship between each heat treatment temperature and the rate of change in Vll/mrx and α before and after the heat treatment when the temperature of the heat treatment, which is the final stage in the ZnO element manufacturing process, is varied. , the horizontal axis shows the heat treatment temperature, and the vertical axis shows each rate of change.

なお、熱処理時間は、各温度ともに1時間である。Note that the heat treatment time was 1 hour at each temperature.

ここに、■1rrIA/IImとは厚さ11111のZ
nO素子に1mAの電流を流したときの両端電圧であり
、αとはZnO1g子1c I (A)の電流を流した
ときにV(v)れる指数である。Kは非直線抵抗である
。また、このαは電流値によって異なるが、一般にQ、
1mA〜1mAの範囲の電流を流したときの値を用いる
ことが多(、以下ではこの範囲の値を採用する。
Here, ■1rrIA/IIm is Z with a thickness of 11111
It is the voltage across both ends when a current of 1 mA is passed through the nO element, and α is an index of V (v) when a current of 1 mA of ZnO is passed. K is a nonlinear resistance. Also, although this α varies depending on the current value, generally Q,
Values obtained when a current in the range of 1 mA to 1 mA is applied are often used (hereinafter, values within this range will be adopted).

第3図において、実線3および4はそれぞれ本実施例の
ZnO素子のαおよびVxmA/msの特性を示し、実
線5および6はそれぞれBi2O3を添加物の主成分と
する従来のZnO素子のαおよびVsmA/Uの特性を
示すもので、従来のZnO素子においては、αおよびV
xm^/yartrの両者とも熱処理温度が約500℃
より高くなると、温度上昇に伴って急激に特性が低下し
ている。これに対し、本実施例のZnO素子においては
、αおよびVtmム/醋の両者とも熱処理によって特性
がほとんど変化しないことが判る。
In FIG. 3, solid lines 3 and 4 show the α and VxmA/ms characteristics of the ZnO device of this example, respectively, and solid lines 5 and 6 show the α and VxmA/ms characteristics of the conventional ZnO device containing Bi2O3 as the main additive, respectively. This shows the characteristics of VsmA/U, and in conventional ZnO elements, α and V
The heat treatment temperature for both xm^/yartr is approximately 500℃.
As the temperature increases, the characteristics rapidly decrease as the temperature rises. On the other hand, it can be seen that in the ZnO element of this example, the characteristics of both α and Vtm hardly change due to heat treatment.

さらに、第4図は、温度130℃の恒温槽中において■
1mh/mmの85%の直流電圧を印加したときの漏れ
電流増加率を示すグラフで、横軸に課電時間、縦軸に漏
れ電流増加率をとったものである。
Furthermore, Fig. 4 shows that ■
This is a graph showing the rate of increase in leakage current when a DC voltage of 85% of 1 mh/mm is applied, with the horizontal axis representing the voltage application time and the vertical axis representing the rate of increase in leakage current.

第4図において、実線7は本実施例のZnO素子の特性
を示し、実線8はBizOaを添加物の主成分とする従
来のZnO素子の特性を示すもので、本実施例のZnO
素子は従来のZnO素子に比べて漏れ電流増加率が少な
く、寿命特性が良好であることが判る。
In FIG. 4, a solid line 7 shows the characteristics of the ZnO element of this example, and a solid line 8 shows the characteristics of a conventional ZnO element containing BizOa as the main additive.
It can be seen that the element has a lower leakage current increase rate and better life characteristics than the conventional ZnO element.

一方、次表は、添加物の成分である前記Mn0z、8b
 20s、CrzOzおよび反応生成物の全部を添加し
た場合と、MnO2,5bzOi、CrzOs または
反応生成物のうちいずれか一成分を除いて添加した場合
とKおけるV1fnA/mlKおよびαの結果を示すも
のである。なお、各配合組成のZnO素子ともに前記実
施例と同様にして製造したものであり、表中第1成分で
あるZnO1Mr+02.5bzOaおよびCrzOs
の各成分組成はモル%で表わした値で、第2成分である
反応生成物は第1成分に対する重量%で表わした値であ
る。
On the other hand, the following table shows the above Mn0z, 8b, which is a component of the additive.
This shows the results of V1fnA/mlK and α when all of 20s, CrzOz and the reaction product were added, and when any one component of MnO2, 5bzOi, CrzOs or the reaction product was added. be. The ZnO elements with each composition were manufactured in the same manner as in the above example, and the first component in the table, ZnO1Mr+02.5bzOa and CrzOs
The composition of each component is expressed in mol %, and the reaction product as the second component is expressed in weight % relative to the first component.

表 この表から、添加物として反応生成物または5bzOa
を除いたものはV1m/+uが極めて小さく、またMy
)02、Sb 203、Cr2O5または反応生成物の
うちいずれか1つの成分でも除いたものはαの値が極め
て/JSさいことが判る。これに対し、例1(本発Fy
l)の如(PJnOz、5bzOs、CrzOa、反応
生成物の4成分を全て添加したものは、V om /m
xおよびαともに値が大きく良好な特性を示すことが判
る。すなわち、上記4成分のうちいずれか1成分でも除
くと特性が悪くなると言える。
Table From this table, the reaction product or 5bzOa as an additive
V1m/+u is extremely small, and My
) 02, Sb 203, Cr2O5 or the reaction product, the value of α is extremely small. In contrast, Example 1 (main Fy
l) As shown in (PJnOz, 5bzOs, CrzOa, when all four components of the reaction product are added, V om /m
It can be seen that both x and α have large values and exhibit good characteristics. That is, it can be said that the characteristics deteriorate if any one of the above four components is removed.

第5図から第8図までは、それぞれMnO2,8b20
s、Cr xoa、反応生成物の各含有割合を変化させ
た場合にV1m人/龍およびαがどのように変化するか
を示すグラフで、横軸に各成分の含有割合、縦軸にVx
mA/mtiおよびαをとったものである。各図中、実
線A1〜A4はVxmム/闘の特性を示し、実線81〜
B4はαの特性を示す。ここに、第5図から第7図に示
すように、MnO2,5b203、CrzOs の3成
分のうち1成分の含有割合を変化させたものについては
、その3成分のうちの他の2成分の各含有割合をそれぞ
れ0.5モル%に固定するとともにZnOの含有割合を
増減し、反応生成物の含有割合を2重量%に固定してい
る。また、第8図に示すものは、ZnO98,5モ/l
/%、Mn0z □、5モル%、5bzOs 0.5 
モル%、CBQa O,5% A/%からなる第1成分
を固定し、この第1成分に対する反応生成物の含有割合
を変化させたものである。
From Fig. 5 to Fig. 8, MnO2 and 8b20 are respectively shown.
This is a graph showing how V1m/dragon and α change when the content ratios of s, Cr xoa, and reaction products are changed. The horizontal axis shows the content ratio of each component, and the vertical axis shows Vx
mA/mti and α are taken. In each figure, solid lines A1 to A4 indicate the characteristics of Vxm/force, and solid lines 81 to
B4 shows the characteristic of α. Here, as shown in Figures 5 to 7, when the content ratio of one of the three components MnO2, 5b203, and CrzOs is changed, each of the other two of the three components is changed. The content ratios are each fixed at 0.5 mol%, the ZnO content is increased or decreased, and the reaction product content is fixed at 2% by weight. In addition, the one shown in Fig. 8 is ZnO98,5 mo/l.
/%, Mn0z □, 5 mol%, 5bzOs 0.5
The first component consisting of mol%, CBQa O, 5% A/% is fixed, and the content ratio of the reaction product to this first component is varied.

第5図から第8図までに示すように、VtmA/muお
よびαともに良好な特性を得るためには、Mn0zが0
.1〜5モル%、5b20sが0.1〜5モル%、Cr
 *Osが0.1〜5モル%、反応生成物が0.2〜2
0重量%の範囲でそれぞれ含有されていることが必要で
ある。なお、第8図において、反応生成物としてではな
く、反応生成物の構成成分(第2成分)であるPbO,
5bzOa、CrzOs を反応させることなく各成分
を混合して用いた場合の特性を鎖線で示す。鎖線A5は
V+mi7’mrnの特性、鎖線B5はαの特性を示す
。第8図に示すように、PbO1Sb20a、Crab
sを反応させることなく各成分を単に混合して用いた場
合には、パイロクロア結晶が生成されないので、良好な
特性を得ることができない。
As shown in FIGS. 5 to 8, in order to obtain good characteristics for both VtmA/mu and α, Mn0z must be 0.
.. 1 to 5 mol%, 0.1 to 5 mol% of 5b20s, Cr
*Os is 0.1-5 mol%, reaction product is 0.2-2
It is necessary that each content be within the range of 0% by weight. In addition, in FIG. 8, PbO, which is a constituent component (second component) of the reaction product, is not shown as a reaction product.
The chain line shows the characteristics when each component is mixed and used without reacting 5bzOa and CrzOs. The dashed line A5 shows the characteristics of V+mi7'mrn, and the dashed line B5 shows the characteristics of α. As shown in FIG. 8, PbO1Sb20a, Crab
If the components are simply mixed together without reacting s, no pyrochlore crystals will be produced, making it impossible to obtain good properties.

また、前記実施例において、反応生成物の配合比はPb
O: 5b20s : Cr20g = 4 : 1 
: 1としたが1本発明はかかる実施例に限定されるも
のではない。すなわち、仮焼後にパイロクロア結晶が生
成される配合比であればよい。また、成分についてもp
bo、5bzOa、CrzOs (i)組合わせに限定
されず、Cr20a、ZnO,CO2O3およびM+1
02 (Qうちのいずれか1種以上とPbOおよびSb
 203とのあらゆる組合わせを用いてもパイロクロア
結晶が生成され、同様の効果が得られる。さらに、反応
生成物を得るための仮焼工程における仮焼温度および仮
焼時間は、それぞれ800〜1100℃および1〜10
時間の範囲であることが好ましい。仮焼温度が800℃
未満の場合には反応が遅く、1100℃を越える場合に
はPbOの揮発が多量となってしまい、また仮焼時間が
1時間未満では反応が不十分で、10時間を越えるとP
bOの揮発の程度が大きくなってしまうからである。
In addition, in the above examples, the blending ratio of the reaction products was Pb
O: 5b20s: Cr20g = 4: 1
1, but the present invention is not limited to such embodiments. In other words, it is sufficient that the blending ratio is such that pyrochlore crystals are generated after calcination. Also, regarding the ingredients, p.
bo, 5bzOa, CrzOs (i) Not limited to combinations, Cr20a, ZnO, CO2O3 and M+1
02 (Any one or more of Q and PbO and Sb
Pyrochlore crystals are produced even when using any combination with 203, and the same effect can be obtained. Furthermore, the calcination temperature and time in the calcination step to obtain the reaction product are 800 to 1100°C and 1 to 10°C, respectively.
Preferably a range of hours. Calcining temperature is 800℃
If the calcination time is less than 1,100°C, the reaction will be slow; if the calcination time exceeds 1100°C, a large amount of PbO will volatilize; if the calcination time is less than 1 hour, the reaction will be insufficient; if it exceeds 10 hours, the PbO will evaporate.
This is because the degree of volatilization of bO becomes large.

一方、第1成分と第2成分(反応生成物)とを混合した
後の焼成工程における焼成温度および焼成時間は、それ
ぞれ1000〜1300℃および1〜20時間の範囲で
あることが好ましい。焼成温度が1000℃未満の場合
には緻密な焼結体が得られず、1300℃を越える場合
にはPbOの揮散が起こって非直線特性が悪くなってし
まい、また焼成時間が1時間未満では均一な焼結体が得
られず、20時間を越えると表面付近のPbOが揮発し
【しまい非直線特性が悪くなってしまうからである。
On the other hand, the firing temperature and firing time in the firing step after mixing the first component and the second component (reaction product) are preferably in the range of 1000 to 1300°C and 1 to 20 hours, respectively. If the firing temperature is less than 1000°C, a dense sintered body will not be obtained, if it exceeds 1300°C, PbO will volatilize and the nonlinear characteristics will deteriorate, and if the firing time is less than 1 hour, it will not be possible to obtain a dense sintered body. This is because a uniform sintered body cannot be obtained, and if the time exceeds 20 hours, PbO near the surface will volatilize, resulting in poor nonlinear characteristics.

また、焼結体の熱処理温度は500〜850℃の範囲で
あることが好ましい。熱処理温度が500℃未満では得
られたZnO素子の寿命特性が悪く、850℃を越える
と非直線特性が悪くなってしまうからである。
Moreover, it is preferable that the heat treatment temperature of the sintered body is in the range of 500 to 850°C. This is because if the heat treatment temperature is less than 500°C, the life characteristics of the obtained ZnO element will be poor, and if it exceeds 850°C, the nonlinear characteristics will be poor.

なお、前記実施例では、ZnO素子の製造にあたり、遠
心ボールミルやアルミナルツボ等を使用したが、これら
器具の種類は目的に溢5ものであればよく、前記実施例
で使用した器具に限定されるものではない。
In addition, in the above example, a centrifugal ball mill, an aluminium crucible, etc. were used to manufacture the ZnO element, but the types of these devices may be varied as long as they meet the purpose, and are limited to the devices used in the above example. It's not a thing.

発明の効果 以上のように本発明によれば、従来添加物として多量に
用いていたBi2O3を全く使用しないので、熱処理に
より非直線特性が低下しない。微小電流領域および大電
流領域における非直線指数が従来のものに比し大きく、
特に微小電流領域における非直線指数が大きいので課電
時における漏れ電流が小さい。また、長期課電による漏
れ電流の増加が小さいので、長却命のサージ吸収素子が
得られる。さらに、り2−り数が2×10 で資源的に
乏しいBi20gに代えて、クラーク数が1.5X10
のPbO等を用いているので、資源的に有利である等の
効果を奏する。
Effects of the Invention As described above, according to the present invention, since Bi2O3, which has conventionally been used in large quantities as an additive, is not used at all, the nonlinear characteristics do not deteriorate due to heat treatment. The nonlinear index in the micro current region and large current region is larger than that of conventional products.
In particular, since the nonlinear index is large in the microcurrent region, the leakage current during power application is small. Furthermore, since the increase in leakage current due to long-term energization is small, a surge absorbing element with a long life can be obtained. Furthermore, instead of Bi20g, which has a resource-poor number of 2×10, Clark number is 1.5×10.
Since it uses PbO, etc., it has advantages such as being advantageous in terms of resources.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明の一実施例で用いた反応生成物のX線回
折図、第2図は本発明の一実施例によるZnO素子の電
圧−電流特性図、第3図はZnO素子の熱処理温麓に対
する”l/1mA/Hxおよびαの変化を示すグラフ、
第4図はZnO素子の課電時間に対する漏れ電流増加率
を示すグラフ、第5図から第8図はそれぞれZnO素子
の添加物の各成分毎に含有割合を変化させた場合のV1
mA/Hzおよびαを示すグラフである。 第2図 電5糺(A) 第3図 前処式j!Jl (’C) 第5図 Mno2 捻濱富1?:(モル10) 第6図
Figure 1 is an X-ray diffraction diagram of a reaction product used in an example of the present invention, Figure 2 is a voltage-current characteristic diagram of a ZnO device according to an example of the present invention, and Figure 3 is a heat treatment diagram of a ZnO element. Graph showing changes in l/1mA/Hx and α with respect to warm foothills,
Figure 4 is a graph showing the rate of increase in leakage current with respect to the electrification time of the ZnO element, and Figures 5 to 8 are graphs showing V1 when the content ratio of each component of the additive of the ZnO element is changed.
It is a graph showing mA/Hz and α. Figure 2: Den 5 (A) Figure 3: Pretreatment formula j! Jl ('C) Figure 5 Mno2 Nejihamatomi 1? : (mol 10) Figure 6

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] (1) il!化マンガン0.1〜5モル%、酸化アン
チモン0.1〜5モル%、酸化クロム0.1〜5モル%
、残部酸化亜鉛からなる第1成分に対し、酸化クロム、
酸化亜鉛、酸化コバルトおよび酸化マンガンのうちのい
ずれか1種以上と酸化呻および酸化アンチモンとからな
る混合物を仮焼してなる第2成分を0.2〜20重量%
加え、焼結してなることを特徴とする電圧非直線抵抗体
(1) il! Manganese oxide 0.1-5 mol%, antimony oxide 0.1-5 mol%, chromium oxide 0.1-5 mol%
, chromium oxide,
0.2 to 20% by weight of a second component obtained by calcining a mixture consisting of at least one of zinc oxide, cobalt oxide, and manganese oxide, and antimony oxide and antimony oxide.
In addition, a voltage nonlinear resistor characterized by being made by sintering.
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