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JPS60169107A - Voltage nonlinear resistor - Google Patents

Voltage nonlinear resistor

Info

Publication number
JPS60169107A
JPS60169107A JP59024873A JP2487384A JPS60169107A JP S60169107 A JPS60169107 A JP S60169107A JP 59024873 A JP59024873 A JP 59024873A JP 2487384 A JP2487384 A JP 2487384A JP S60169107 A JPS60169107 A JP S60169107A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
oxide
mol
component
zinc
zno
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP59024873A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
田川 良彦
正夫 林
渡辺 三鈴
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Meidensha Corp
Meidensha Electric Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Meidensha Corp
Meidensha Electric Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Meidensha Corp, Meidensha Electric Manufacturing Co Ltd filed Critical Meidensha Corp
Priority to JP59024873A priority Critical patent/JPS60169107A/en
Publication of JPS60169107A publication Critical patent/JPS60169107A/en
Pending legal-status Critical Current

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  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
  • Thermistors And Varistors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明は、酸化亜鉛を主成分とする電圧非直線抵抗体に
関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Technical Field The present invention relates to a voltage nonlinear resistor containing zinc oxide as a main component.

従来技術 酸化亜鉛(ZnO)を主成分とする電圧非直線抵抗体(
以下、 r ZnO素子」という)は、優れた非直脳性
を有しているために、例えばトランジスタやサイリスタ
等の半導体集子または電気機器のサージアプンーバ等に
用いられている。この種のZnO素子は、通常、主成分
としてのZnOに酸化ビスマス(Biass )を含む
数種の添加物を副成分として混合し、その混合物を成形
、焼結して得られる。ここに、 Bi25gは、ZnO
に比較して低融点であることから、液相焼結によってZ
nO粒子の結晶成長を促進するために添加されるもので
ある。しかして、従来では、その機能を充分に発揮させ
るため%Biassを全成分に対して0.3モルチ以上
と多量に用いていた。
Conventional technology Voltage nonlinear resistor (ZnO) whose main component is zinc oxide (ZnO)
The ZnO element (hereinafter referred to as ``rZnO element'') has excellent non-intuitive properties and is therefore used, for example, in semiconductor concentrators such as transistors and thyristors, or in surge amplifiers for electrical equipment. This type of ZnO element is usually obtained by mixing ZnO as a main component with several types of additives including bismuth oxide (Biass) as subcomponents, and molding and sintering the mixture. Here, Bi25g is ZnO
Due to its low melting point compared to
It is added to promote crystal growth of nO particles. Conventionally, in order to fully exhibit its function, %Biass was used in a large amount of 0.3 mole or more based on the total components.

一方、ZnO素子の製造に際しては、 ZnO素子の寿
命特性の向上を図るためおよびZnO累子累月外周部け
る絶縁コーティングのために、焼結後400〜900℃
の熱処理工程を必要とする。ところが、かかる熱処理に
よりs Bi2O5の結晶構造が変化し、ZnO素子の
電気的特性が大きく低下した。その低下の度合いは、熱
処理温度が高い程大きいものである。そして、このよう
な従来のZnO素子は、ある電流領域(例えば100μ
A〜IA)ではα(非直線指数)が20以上となシ満足
できるものであるが、上記領域外ではαが極端に低下す
るという欠点があった。
On the other hand, when manufacturing ZnO elements, in order to improve the life characteristics of the ZnO element and to provide an insulating coating on the outer periphery of the ZnO crystal, a temperature of 400 to 900°C is applied after sintering.
requires a heat treatment process. However, such heat treatment changed the crystal structure of sBi2O5, and the electrical characteristics of the ZnO device were significantly deteriorated. The degree of the decrease is greater as the heat treatment temperature is higher. And, such conventional ZnO elements are limited to a certain current range (for example, 100μ
A to IA) are satisfactory as long as α (nonlinear index) is 20 or more, but there is a drawback that α is extremely reduced outside the above range.

また、前述のように、添加物としてBiassを多量に
用いているが、ビスマス(B1)元素のクラーク数は2
×10 であJ 、Bi、03は資源的に極めて乏しい
ものである。
In addition, as mentioned above, a large amount of Biass is used as an additive, but the Clark number of bismuth (B1) element is 2.
×10 J, Bi, 03 is extremely scarce in terms of resources.

発明の目的 本発明は、かかる従来の問題点に鑑みてなされたもので
、資源的に乏しいBi2O3を用いることなく製造でき
、しかも電気的緒特性に優れた長寿命の電圧非直線抵抗
体を提供することを目的とする。
OBJECTS OF THE INVENTION The present invention has been made in view of such conventional problems, and provides a long-life voltage nonlinear resistor that can be manufactured without using Bi2O3, which is a scarce resource, and has excellent electrical characteristics. The purpose is to

発明の概要 かかる目的を達成するために、第1の発明は、酸化マン
ガン(Mn0z ) 0.1〜5モルモル酸化アンチモ
ン(Sb20g ) 0.1〜5モルチ、酸化クロム(
CrzOs ) 0−1〜5モルラ、酸化珪素(8i0
2)0.1〜5モルモル残部ZnOからなる第1成分に
対し、CrzOs + ZnO+酸化コバルト(002
0B )およびMn0zのうちのいずれか1重以上と酸
化鉛(pbo )および8’JOsとからなる混合物と
を仮焼してなる第2成分を0.2〜20重量%加え、そ
れを焼結してZnO素子としたものである。
Summary of the Invention In order to achieve the above object, the first invention provides manganese oxide (Mn0z) 0.1 to 5 mols antimony oxide (Sb20g) 0.1 to 5 mols, chromium oxide (
CrzOs) 0-1 to 5 molar, silicon oxide (8i0
2) CrzOs + ZnO + cobalt oxide (002
0B) and Mn0z, and a mixture consisting of lead oxide (pbo) and 8'JOs, 0.2 to 20% by weight of the second component is added, and the mixture is sintered. Then, a ZnO element was obtained.

第2の発明は、Mn0z 0.1〜5 モk % 、 
5bzOaO11”−5モル% r 0rzOs Ol
l 〜5 %に% 、 810z0.1〜5モルモル酸
化アルミニウム(AlzCh )0.2/1000〜2
0/1000モル%、残Wf= ZnOからなる第1成
分に対し、前記第2成分を0.2〜20重量%加え、そ
れを焼結してZnO素子としたものである。
The second invention is Mn0z 0.1-5 Mok%,
5bzOaO11”-5 mol% r 0rzOs Ol
l~5% to 810z0.1~5 mol Aluminum oxide (AlzCh) 0.2/1000~2
A ZnO element is obtained by adding 0.2 to 20% by weight of the second component to the first component consisting of 0/1000 mol% and residual Wf=ZnO, and sintering it.

第3の発明は、MnO20,1〜5 モル% + 8b
20s0、1〜5モル%+・0rzOs 0.1〜5モ
ル%、5i020.1〜51モル%、残部ZnOからな
る第1成分と、硼珪酸亜鉛ガラスと、前記第2成分とを
、各成分組成が硼珪酸亜鉛ガラス0.01〜5重鈑チ、
第2成分0.2〜20重量%、残部第1成分となるよう
に混合し、それを焼結してZn、O素子としたものであ
る。
The third invention is MnO20,1 to 5 mol% + 8b
A first component consisting of 20s0, 1 to 5 mol% + 0rzOs 0.1 to 5 mol%, 5i02 0.1 to 51 mol%, the balance ZnO, zinc borosilicate glass, and the second component, each component The composition is borosilicate zinc glass 0.01 to 5 layers,
The second component is mixed in an amount of 0.2 to 20% by weight and the balance is the first component, and the mixture is sintered to form a Zn, O element.

第4の発明は、Mn0z 0.1〜5モル% + S 
b z Oso、 1〜5モル%r 0rzOs 0.
1〜5モル%、81020、1〜5モル饅、 AlzO
s O,2/ 1000〜20/1000モルチ、残部
ZnOからなる第1成分と、硼珪酸亜鉛ガラスと、前記
第2成分とを、各成分組成が硼珪酸亜鉛ガラス0.01
〜5重量%、第2成分0.2〜20重量%、残部第1成
分となるように混合し、それを焼結してZnO素子とし
たものでおる。
The fourth invention is Mn0z 0.1 to 5 mol% + S
b z Oso, 1-5 mol% r 0rzOs 0.
1-5 mol%, 81020, 1-5 mol%, AlzO
A first component consisting of s O,2/1000 to 20/1000 molti, the balance being ZnO, zinc borosilicate glass, and the second component, each component having a composition of 0.01 zinc borosilicate glass.
-5% by weight of the second component, 0.2-20% by weight of the second component, and the remainder the first component, and sintered to form a ZnO element.

実施例 以下、第1から第4の本発明の各実施例につき詳細に説
明する。
EXAMPLES Below, each of the first to fourth examples of the present invention will be described in detail.

1)第1の発明の一実施例 先ず、PbO+ 0r203+ 5bzO+の各粉末を
モル比にして4:1:1の割合で所定量秤量し、これら
秤量した各粉末を遠心ボールミルで十分混合して混合粉
末とした。その後、この混合粉末をアルミナルツボ中、
焼成温度1000℃で4時間仮焼し、この仮焼体を遠心
ボールミルで粉砕して第2成分たる反応生成物を得た。
1) An example of the first invention: First, a predetermined amount of each powder of PbO+ 0r203+ 5bzO+ was weighed at a molar ratio of 4:1:1, and the weighed powders were thoroughly mixed in a centrifugal ball mill. It was made into powder. Then, put this mixed powder in an alumina crucible.
Calcination was performed at a firing temperature of 1000° C. for 4 hours, and the calcined body was ground in a centrifugal ball mill to obtain a reaction product as a second component.

一方、第1成分として、Zn098.0モルチ。On the other hand, as the first component, Zn098.0 molti.

Mn0z 0.5モルfy 、 8bzOx O,5モ
ル% 、 CrzOs 0.5モル% 、5i020.
5モルチを所定量秤量した。そして、この第1成分に対
し、上記反応生成物を2重ffi%加え、その後回転ボ
ールミルで十分混合し、円板状に成形した。
Mn0z 0.5 mol fy, 8bzOx O, 5 mol%, CrzOs 0.5 mol%, 5i020.
A predetermined amount of 5 molti was weighed. Then, double ffi% of the above reaction product was added to the first component, and then thoroughly mixed in a rotary ball mill and formed into a disk shape.

次に、この成形体を空気中、焼成温度1100℃で6時
間焼成した後、得られた焼結体の両端面を研磨し、この
両端面に銀(Ag ) 電極を塗布し、温度590℃で
1時間の熱処理を行なって、電圧非直線抵抗体(ZnO
素子)を得た。
Next, this molded body was fired in air at a firing temperature of 1100°C for 6 hours, then both end faces of the obtained sintered body were polished, silver (Ag) electrodes were applied to both end faces, and a temperature of 590°C was applied. A voltage nonlinear resistor (ZnO
element) was obtained.

ここに、PbO* Cr2b3+ 5bzOsの混合粉
末を仮焼してなる前記反応生成物についてXi回折を行
なったところ、そのXi回折図は第1図に示すようにな
った。第1図におけるシグナルを帰属した結果、前記反
応生成物には、パイロクロア結晶pyが主成分として生
成されていることが判った。
When the reaction product obtained by calcining the PbO*Cr2b3+ 5bzOs mixed powder was subjected to Xi diffraction, the Xi diffraction pattern was as shown in FIG. As a result of assigning the signals in FIG. 1, it was found that the reaction product contained pyrochlore crystals py as a main component.

第2図は、この実施例のZnO素子の電圧−電流特性を
示すグラフで、横軸に電流、縦軸に電圧をとったもので
ある。第2爾において、実線1はこの実施例のZnO素
子の特性を示し、実線2はB120gを添加物の主成分
とする従来のZnO素子の特性を示すもので、微小電流
領域および大電流領域においては、実態1の傾きが実1
d2の傾きよりも小さくなっている。ここに、αは第2
図における実脚の傾きが小さい程大きいので、この実施
例のZnO素子の方が従来のZnO素子よりも非直線特
性が優れていることが判る。
FIG. 2 is a graph showing the voltage-current characteristics of the ZnO element of this example, with the horizontal axis representing the current and the vertical axis representing the voltage. In the second section, solid line 1 shows the characteristics of the ZnO element of this example, and solid line 2 shows the characteristics of the conventional ZnO element containing 120 g of B as the main ingredient, in the micro current region and large current region. is, the slope of reality 1 is reality 1
It is smaller than the slope of d2. Here, α is the second
Since the smaller the slope of the actual leg in the figure, the larger the slope, it can be seen that the ZnO element of this example has better nonlinear characteristics than the conventional ZnO element.

また、第3図は、 ZnO素子製造工程中の最終段階で
ある熱処理の温度を種々変化せしめた場合の各熱処理温
度と熱処理前後におけるv1mA//lll1.+5−
よびαの変化率との関係を示すグラフで、横軸に熱処理
温度、縦軸に6変化率をとったものである。
Furthermore, FIG. 3 shows the respective heat treatment temperatures and v1mA//ll1. +5-
This is a graph showing the relationship between the temperature and the rate of change of α, with the heat treatment temperature plotted on the horizontal axis and the rate of change of 6 on the vertical axis.

なお、熱処理時間は、谷温度ともに1時間である。Note that the heat treatment time was 1 hour for both the valley temperature and the valley temperature.

ここに、 V1mA/w+ とは厚さ1閣のZnO素子
に1社の電流を流したときの両端電圧であり、αとはZ
nO素子にI (A)の電流を流しだときにV (v)
V α の電圧が発生したとするとI=(−) で表わされる指
数である。Kは非直線抵抗である。また、このαは電流
値によって異なるが、一般に0.1mA〜1mAの範囲
の電流を流したときの値を用いることが多く、以下では
この範囲の値を採用する。
Here, V1mA/w+ is the voltage at both ends when one current is passed through a ZnO element with one thickness, and α is Z
When a current of I (A) flows through the nO element, V (v)
If a voltage of V α is generated, I=(−) is an index. K is a nonlinear resistance. Further, this α varies depending on the current value, but in general, a value when a current in the range of 0.1 mA to 1 mA is applied is often used, and the value in this range will be adopted below.

第3図において、実線3および4はそれぞれ本実施例の
ZnO素子のαおよびV1mA/+mの特性を示し、実
線5および6はそれぞれBi2O3を添加物の主成分と
する従来のZnO素子のαおよびV1mA廟の特性を示
すもので、従来のZnO素子においては、αおよびv1
mA/wIの両者とも熱処理温度が約500℃よシ高く
なると、温度上昇に伴って急激に特性が低下している。
In FIG. 3, solid lines 3 and 4 show the α and V1mA/+m characteristics of the ZnO device of this example, respectively, and solid lines 5 and 6 show the α and V1mA/+m characteristics of the conventional ZnO device containing Bi2O3 as the main additive, respectively. This shows the characteristics of V1mA, and in conventional ZnO elements, α and v1
For both mA/wI, when the heat treatment temperature becomes higher than about 500° C., the characteristics rapidly decrease as the temperature increases.

これに対し、本実施例のZnO素子においては、αおよ
びV1mA/mの両者とも熱処理によって特性がほとん
ど変化しないことが判る。
On the other hand, it can be seen that in the ZnO element of this example, the characteristics of both α and V1mA/m hardly change due to heat treatment.

さらに、第4図は、温度130℃の恒温槽中においてV
1mA/w+の85%の直流電圧を印加したときの漏れ
電流増加率を示すグ27で、横軸に課電時間、縦軸に漏
れ電流増加率をとったものである。第4図において、実
線7はとの実施例のZnO素子の特性を示し、実線8は
Bi20gを添加物の主成分とする従来のZnO素子の
特性を示すもので、この実施例のZnO素子は従来のZ
nO素子に比べて漏れ電流増加率が少なく、寿命特性が
良好でおることが判る。
Furthermore, FIG. 4 shows that V
Figure 27 shows the rate of increase in leakage current when a DC voltage of 85% of 1 mA/w+ is applied, with the horizontal axis representing the charging time and the vertical axis representing the rate of increase in leakage current. In FIG. 4, the solid line 7 shows the characteristics of the ZnO device of Example 2, and the solid line 8 shows the characteristics of the conventional ZnO device containing 20 g of Bi as the main component of the additive. Conventional Z
It can be seen that the rate of increase in leakage current is lower than that of the nO element, and the life characteristics are good.

第5図は、Sighの含有割合を変化させた場合に■1
mA//II++およびαがどのように変化するかを示
すグラフで、横軸に8102の含有割合、縦軸にVxm
人廊およびαをとったものである。第5図中、実線9は
VzmA/+mの特性を示し、実線10はαの特性を示
すもので、他の成分については、Mnoz+5bzOs
+ Or20gをそれぞれ0.5モル饅に固定するとと
もにZnOの含有割合を8102 に対応をせて増減し
、反応生成物の含有割合を2重量愛に固定させた。
Figure 5 shows ■1 when the content ratio of Sigh is changed.
This is a graph showing how mA//II++ and α change, with the horizontal axis representing the content of 8102 and the vertical axis representing Vxm.
This is the nave and α. In FIG. 5, solid line 9 shows the characteristic of VzmA/+m, solid line 10 shows the characteristic of α, and for other components, Mnoz+5bzOs
20 g of +Or was fixed at 0.5 mol each, and the content ratio of ZnO was increased or decreased correspondingly to 8102, and the content ratio of the reaction product was fixed at 2 wt.

第5図に示すように、V1mA24およびαともに良好
な特性を得るためには、8102が0.1〜5モル−〇
範囲で含有されていることが必要である。
As shown in FIG. 5, in order to obtain good characteristics for both V1mA24 and α, it is necessary that 8102 be contained in the range of 0.1 to 5 mol.

なお、上記の如<、5i02の有効な含有割合を確かめ
たのと同様にして、他の添加成分、すなわちMn0z+
 8b20s+ Cr20sr 反応生成物について実
験したところs VxmA/ra およびαともに良好
な特性を得るためには、Mn0zが0.1〜5モル% 
+ 8’bzOsが0.1〜5モル%、0rzOsが0
.1〜5モルチ1反応生成物が第1成分に対し0,2〜
201童褒の範囲でそれぞれ含有されていることが必要
であった。
In addition, in the same way that the effective content ratio of 5i02 was confirmed as described above, other additive components, namely Mn0z+
An experiment on the 8b20s+ Cr20sr reaction product revealed that in order to obtain good characteristics for both VxmA/ra and α, Mn0z should be 0.1 to 5 mol%.
+8'bzOs is 0.1 to 5 mol%, 0rzOs is 0
.. 1 to 5 mol 1 reaction product to the first component 0.2 to
It was necessary that each content be within the range of 201 children's rewards.

11)第2の発明の一実施例 先ず、前記第1の発明の実施例と同様にして、第2成分
たる反応生成物を得た。
11) An example of the second invention First, a reaction product as the second component was obtained in the same manner as in the example of the first invention.

一方、第1成分として、ZnO97,997モルモルM
nOs 0.5モル% 、 5bzOa O,5モル%
 、 0r2030.5モルチ、 81020.5モル
チ、 AtzOa 3/1000モルチを所定量秤量し
た。そして、この第1成分に対し、上記反応生成物を2
重量%加え、その後回転ボールミルで十分混合し、円板
状に成形した。
On the other hand, as the first component, ZnO97,997 mol M
nOs 0.5 mol%, 5bzOa O, 5 mol%
Predetermined amounts of 0r2030.5 molti, 81020.5 molti, and AtzOa 3/1000 molti were weighed. Then, add 2 of the above reaction products to this first component.
% by weight, and then thoroughly mixed in a rotary ball mill and formed into a disk shape.

次に、前記第1の発明の実施例と同様にして、この成形
体を焼成し、両端面にAg電極を塗布し。
Next, in the same manner as in the embodiment of the first invention, this molded body was fired, and Ag electrodes were applied to both end faces.

熱処理を行なって、ZnO素子を得た。Heat treatment was performed to obtain a ZnO element.

第6図は、この実施例のZnO素子の電圧−電流t#性
を示すグラフで、横軸に電流、縦軸に電圧をとったもの
である。第6図において、実線11はこの実施例のZn
O素子の特性を示し、笑様2はBi20gを添加物の主
成分とする従来のZnO素子の特性を示すもので、微小
電流領域および大電流領域においては、実線11の傾き
が実線2の傾きよシも小石くなっており、この実施例の
ZnO素子の方が従来品よりも非直線特性が優れている
ことが判る。特に、 ALxOsを含有せしめたため、
大電流領域におけるαが大きくなる。
FIG. 6 is a graph showing the voltage-current t# characteristic of the ZnO element of this example, with the horizontal axis representing the current and the vertical axis representing the voltage. In FIG. 6, the solid line 11 represents the Zn of this example.
Figure 2 shows the characteristics of a conventional ZnO element containing 20g of Bi as the main additive. In the microcurrent region and large current region, the slope of solid line 11 is the slope of solid line 2. It is clear that the ZnO element of this example has better nonlinear characteristics than the conventional product. In particular, because it contains ALxOs,
α becomes large in the large current region.

また、第7図は、温度130℃の恒温槽中においてVt
mA/n++nの85チの直流電圧を印加したときの漏
れ電流増加率を示すグラフで、横軸に昧電時間。
In addition, Figure 7 shows that Vt in a constant temperature bath at a temperature of 130°C.
This is a graph showing the rate of increase in leakage current when a DC voltage of 85 cm of mA/n++n is applied, and the horizontal axis shows the leakage time.

縦軸に漏れ電流増加率をとったものである。第7図にお
いて、実i12はこの実施例のZnO素子の特性を示し
、実#I8はBitO!を龜加物の主成分とする従来品
の特性を示し、実酬13はこの実施例において特にAt
20 mの含有割合を20/1000モルモルした場合
のZnO素子の特性を示すもので、この実施例および実
線13で示す他の実施例のZnO素子ともに、従来品に
比べて漏れ電流増加率が少なく、寿命特性が良好である
ことが判る。
The vertical axis represents the rate of increase in leakage current. In FIG. 7, real i12 shows the characteristics of the ZnO element of this example, and real #I8 shows BitO! This shows the characteristics of the conventional product containing At as the main component of additives.
This shows the characteristics of the ZnO element when the content ratio of 20 m is 20/1000 mol. Both the ZnO elements of this example and the other examples shown by the solid line 13 have a smaller leakage current increase rate than the conventional product. , it can be seen that the life characteristics are good.

ざらに、第8図は、SiO2またはAtzOa の各含
有割合を変化させた場合にαがどのように変化するかを
示すグラフで、横軸に各成分の含有割合、縦軸にαをと
ったものである。第8図において、実IVi114は8
10.の含有割合を変化場せ、Mn0z rSbzO3
+ CrtOs+ AtzOs の含有割合を実施例と
同様にするとともにZnOの含有割合を8102に対応
させて増減し、反応生成物の含有割合を2重量優に同定
したときのαの特性を示す。また、実+1ilI!15
はAt20 aの含有割合を変化させ、5i02を添加
せずにMnO2+ 5bzOs、 Or20mを0.5
モルチに固定するとともにZnOの含有割合をAtzO
sに対応させて増減し、反応生成物の含有割合を2重童
優に固定したときのαの特性を示す。
Roughly speaking, Figure 8 is a graph showing how α changes when each content ratio of SiO2 or AtzOa is changed, with the content ratio of each component on the horizontal axis and α on the vertical axis. It is something. In FIG. 8, the actual IVi114 is 8
10. By changing the content ratio of Mn0z rSbzO3
The characteristics of α are shown when the content ratio of + CrtOs + AtzOs is the same as in the example, and the content ratio of ZnO is increased or decreased corresponding to 8102, and the content ratio of the reaction product is identified by 2 weights. Also, fruit +1ilI! 15
The content ratio of At20a was changed, and MnO2+ 5bzOs, Or20m was 0.5 without adding 5i02.
While fixing it in mortar, the content ratio of ZnO was changed to AtzO.
It shows the characteristics of α when it increases or decreases in response to s and the content ratio of the reaction product is fixed at a double ratio.

第8図に示すように、良好な特性を得るためにはb 5
iOzが0.1〜5モル−〇範囲で含有されていること
が必要である。また、Al2Omについては、前述の如
く大電流領域のαを大きくする役割を果たすため0.2
/1000モル係以上含有されていることが必要である
が、第8図に示すように、 20/1000モルチを越
えると却ってαが小きくなってしまうので0.2/10
00〜20/1000モルモル範囲で含有されているこ
とが必要である。
As shown in Figure 8, in order to obtain good characteristics, b 5
It is necessary that iOz be contained in a range of 0.1 to 5 moles. In addition, as mentioned above, Al2Om plays a role of increasing α in the large current region, so 0.2
/1000 mole or more, but as shown in Figure 8, if it exceeds 20/1000 mole, α becomes smaller, so it should be 0.2/10.
It is necessary that the content be in the range of 00 to 20/1000 mol.

なお、上述の如(、Sin、の有効な含有割合を確かめ
たのと同様にして、他の添加成分、すなわちMn0z+
 8bzOs+ 0rzO3+ 反応生成物について実
験したところ、良好な特性を得るためには、 Mn0z
が0.1〜5モルモル Sb40gが0.1〜5モルモ
ル0rzOaが0.1〜5モルモル反応生成物が第1成
分に対し0.2〜20重量−の範囲でそれぞれ含有され
ていることが必要であった。
In addition, in the same way that the effective content ratio of (Sin) was confirmed as described above, other additive components, namely, Mn0z+
An experiment on the 8bzOs+ 0rzO3+ reaction product revealed that in order to obtain good properties, Mn0z
is 0.1 to 5 mol mol, Sb40g is 0.1 to 5 mol mol, and rzOa is 0.1 to 5 mol mol.It is necessary that the reaction product is contained in a range of 0.2 to 20 mol mol relative to the first component. Met.

l11)第3の発明の一実施例 先ず、前記第1の発明の実施例と同様にして、第2成分
たる反応生成物を得た。
l11) Example of the third invention First, a reaction product as the second component was obtained in the same manner as in the example of the first invention.

一方、第1成分として、ZnO98,0モルチ。On the other hand, as the first component, 98.0% of ZnO was used.

MnOx 0.5モル%* sbmos 0.5モル%
 、0rtOs O55モルモル 5ins 0.5モ
ルチを所定量秤量した。その後、この第1成分を97.
8重量%、上記反応生成物を2重量%、硼珪酸亜鉛ガラ
スを0.2重量%それぞれ秤量し、これらを回転ボール
ミルで十分混合して、円板状に成形した。
MnOx 0.5 mol%* sbmos 0.5 mol%
A predetermined amount of 0rtOs O55 mol 5ins 0.5 mol was weighed. Then, add 97% of this first component.
8% by weight, 2% by weight of the above reaction product, and 0.2% by weight of zinc borosilicate glass, and these were thoroughly mixed in a rotary ball mill and formed into a disk shape.

次に、前記第1の発明の実施例と同様にして、この成形
体を焼成し、両端面にAg’を極を塗布し、熱処理を行
なって、ZnO素子を得た。
Next, in the same manner as in the first embodiment of the invention, this molded body was fired, Ag' electrodes were applied to both end faces, and heat treatment was performed to obtain a ZnO element.

第9図は、この実施例のZnO素子の電圧−電流特性を
示すグラフで、横軸に電流、縦軸に電圧をとったもので
ある。第9図において、実線16はこの実施例のZnO
素子の特性を示し、実線2はBigoBを添加物の主成
分とする従来のZnO素子の特性を示すもので、微小電
流領域および大電流領域においては、実線16の傾きが
実勝2の傾きよシも小さくなっておシ、この実施例のZ
nO素子の方が従来品よりも非直蜘特性が優れているこ
とが判る。
FIG. 9 is a graph showing the voltage-current characteristics of the ZnO element of this example, with the horizontal axis representing the current and the vertical axis representing the voltage. In FIG. 9, the solid line 16 represents the ZnO of this example.
The solid line 2 shows the characteristics of a conventional ZnO device containing BigoB as the main additive.In the microcurrent region and large current region, the slope of the solid line 16 is greater than that of Jikkou 2. Z also becomes smaller, and Z in this example
It can be seen that the nO element has better non-direction characteristics than the conventional product.

また、第10図は、温度130℃の恒温槽中においてV
smh/mの85チの直流電圧を印加したときの漏れ電
流増加率を示すグラフで、横軸に課電時間。
In addition, Fig. 10 shows the V
This is a graph showing the rate of increase in leakage current when a DC voltage of 85 cm of smh/m is applied, and the horizontal axis shows the voltage application time.

縦軸に漏れ電流増加率をとったものである。第10図に
おいて、実[17はこの実施例のZnO素子の特性を示
し、実?fM8はBi2O3を添加物の主成分とする従
来品の特性を示すもので、この実施例のZnO素子は、
従来品に比べて漏れ電流増加率が少ガく、寿命特性が良
好であることが判る。
The vertical axis represents the rate of increase in leakage current. In FIG. 10, actual [17] shows the characteristics of the ZnO element of this example, and actual ? fM8 shows the characteristics of a conventional product containing Bi2O3 as the main additive, and the ZnO element of this example has the following characteristics:
It can be seen that the leakage current increase rate is lower than that of conventional products, and the life characteristics are good.

さらに、第11図は、810.の含有割合を変化きせた
場合に、αがどのように変化するかを示すグラフで、横
軸に8102の含有゛割合、縦軸にαをとったものであ
る。第11図において、実@isは5102の含有割合
を便化させ、MnO2+ 8bzOs、 Or20gの
含有割合を実施例と同様にするとともにZnOの含有割
合を8102に対応させて増減し、反応生成物および硼
珪酸亜鉛ガラスの各含有割合をそれぞれ2重量%および
0.2重量%に固定したときのαの特性を示す。
Furthermore, FIG. 11 shows 810. This is a graph showing how α changes when the content ratio of 8102 is changed, with the horizontal axis representing the content ratio of 8102 and the vertical axis representing α. In FIG. 11, for the actual @is, the content ratio of 5102 was simplified, the content ratio of MnO2+ 8bzOs, Or20g was made the same as in the example, and the content ratio of ZnO was increased or decreased corresponding to 8102, and the reaction products and The characteristics of α are shown when the respective content ratios of zinc borosilicate glass are fixed at 2% by weight and 0.2% by weight, respectively.

第11図に示すように、良好な特性を得るためには、 
Sighの有効な含有割合を確かめたのと同様にして、
他の添加成分、すなわち?Lin0z+ 81)203
1”20B +反応生成物、硼珪酸亜鉛ガラスについて
実験したところ、 Mn0zが0.1−5モル% + 
8bzO3がO,1〜5モル% + 0r20Bが0.
1〜5モ#%1反応生成物が全成分における0、2〜2
0重量%、硼珪酸亜鉛ガラスが全成分における0、01
〜5重量−の範囲でそれぞれ含有されていることが必要
であった。
As shown in Figure 11, in order to obtain good characteristics,
In the same way as confirming the effective content ratio of Sigh,
Other added ingredients, ie? Lin0z+ 81) 203
1"20B + reaction product, borosilicate zinc glass was tested and found that Mn0z was 0.1-5 mol% +
8bzO3 is O, 1 to 5 mol% + 0r20B is 0.
1-5 mo#%1 reaction product is 0, 2-2 in all components
0% by weight, zinc borosilicate glass is 0.01 in all components
It was necessary that each content be in the range of 5 to 5% by weight.

lv) 第4の発明の一実施例 先ず、前記第1の発明の実施例と同様にして、第2成分
たる反応生成物を得た。
lv) An Example of the Fourth Invention First, a reaction product as the second component was obtained in the same manner as in the Example of the first invention.

一方、第1成分として1. ZnO97,997モルモ
ルMn0z 0.5モル%、 5bzOs O,5モ/
’ % r 0r20s O,5モルチ、 5i020
.5モルチ、AlzO33/ 1000モルチを所定量
秤量した。その後、この第1成分を97.8重量%、上
記反応生成物を2重量%、硼珪酸亜鉛ガラスを0.2重
量%それぞれ秤量し、これらを回転ボールミルで十分混
合して、円板状に成形した。
On the other hand, as the first component, 1. ZnO 97,997 mol mol Mn0z 0.5 mol %, 5bzOs O, 5 mol/
' % r 0r20s O,5molti, 5i020
.. Predetermined amounts of 5 molti and AlzO33/1000 molti were weighed. Thereafter, 97.8% by weight of this first component, 2% by weight of the above reaction product, and 0.2% by weight of zinc borosilicate glass were each weighed, and these were sufficiently mixed in a rotating ball mill to form a disc. Molded.

次に、前記第1の発明の実施例と同様にして、この成形
体を焼成し、両端面にAg電極を塗布し、熱処理を行な
って、 ZnO素子を得た。
Next, in the same manner as in the first embodiment of the invention, this molded body was fired, Ag electrodes were applied to both end faces, and heat treatment was performed to obtain a ZnO element.

第12図は、この実施例のZnO素子の電圧−電流特性
を示すグラフで、横軸に電流、縦軸に電圧をとったもの
である。第12図において、実線19はこの実施例のZ
nO素子の特性を示し、実線2はBi2’sを添加物の
主成分とする従来のZnO素子の特性を示すもので、微
小電流領域および大電流領域においては、実線19の傾
きが実扉2の傾きよりも小さくなっており、この実施例
のZnO素子の方が従来品よりも非直勝特性が優れてい
ることが判る。特に、Atx03を含有せしめたため、
大電流領域におけるαが大きくなる。
FIG. 12 is a graph showing the voltage-current characteristics of the ZnO element of this example, with the horizontal axis representing the current and the vertical axis representing the voltage. In FIG. 12, a solid line 19 indicates Z of this embodiment.
The solid line 2 shows the characteristics of a conventional ZnO element containing Bi2's as the main additive.In the micro current region and the large current region, the slope of the solid line 19 is It can be seen that the ZnO element of this example has better non-direct winning characteristics than the conventional product. In particular, since it contains Atx03,
α becomes large in the large current region.

また、第13図は、温度130℃の恒温槽中においてM
l騒、4の85チの直流電圧を印加したときの漏れ電流
増加率を示すグラフで、横軸に課電時間。
In addition, Fig. 13 shows that the M
This is a graph showing the rate of increase in leakage current when a DC voltage of 85 cm is applied, with the horizontal axis representing the voltage application time.

縦軸に漏れ電流増加率をとったものである。第13図に
おいて、実線20はこの実施例のZnO素子の特性を示
し、実線8はBit03を添加物の主成分とする従来品
の特性を示し、実線21はこの実施例において特にA1
1asの含有割合を20/1000モルモルした場合の
ZnO素子の特性を示すもので、この実施例および実線
21で示す他の実施例のZnO素子ともに、従来品に比
べて漏れ電流増加率が少なく、4命特性が良好であるこ
とが判る。
The vertical axis represents the rate of increase in leakage current. In FIG. 13, a solid line 20 shows the characteristics of the ZnO element of this example, a solid line 8 shows the characteristics of the conventional product containing Bit03 as the main component of the additive, and a solid line 21 shows the characteristics of the ZnO element of this example.
This shows the characteristics of the ZnO element when the content ratio of 1as is 20/1000 mol. Both the ZnO element of this example and the other examples shown by the solid line 21 have a smaller leakage current increase rate than the conventional product. It can be seen that the four life characteristics are good.

さらに、第14図は% 5iOzまたは硼珪亜鉛ガラス
の各含有割合を変化させた場合にαがどのように変化す
るかを示すグラフで、横軸に各成分の含有割合、縦軸に
αをとったものでbる。第14図において、実?fM2
2は5i(hの含有割合を変化させ% MnO2+8J
Os+ 0raOs+ At20gの含有割合を実施例
と同様にするとともにZnOの含有割合を5iOzに対
応させて増減し、反応生成物および硼珪酸亜鉛ガラスの
各含有割合をそれぞれ2重量%および0.2重量%に固
定したときのαの特性を示す。また、実線23は、硼珪
酸亜鉛ガラスの含有割合を変化式せ、反応生成物の含有
割合を2重量−に固定するとともに、第1成分内におけ
る各成分は実施例と同様にして第1成分全体の含有割合
を硼珪酸亜鉛ガラスに対応させて増減したときのαの特
性を示す。
Furthermore, Figure 14 is a graph showing how α changes when each content ratio of %5iOz or borosilicate zinc glass is changed, with the content ratio of each component on the horizontal axis and α on the vertical axis. I'll be happy with what I took. In Figure 14, fruit? fM2
2 is 5i (change the content ratio of h% MnO2 + 8J
The content ratio of Os + 0raOs + 20g of At was the same as in the example, the content ratio of ZnO was increased or decreased corresponding to 5 iOz, and the content ratio of the reaction product and zinc borosilicate glass was 2% by weight and 0.2% by weight, respectively. The characteristics of α are shown when fixed at . In addition, the solid line 23 shows that the content ratio of zinc borosilicate glass is varied, the content ratio of the reaction product is fixed at 2 weight -, and each component in the first component is changed as in the example. The characteristics of α are shown when the overall content ratio is increased or decreased depending on the zinc borosilicate glass.

第14図に示すように、良好な特性を得るためには、8
1Chが0.1〜5モルモル硼珪酸亜鉛ガラスが全体に
おける0、01〜5重量−の範囲で含有されていること
が必要である。
As shown in Figure 14, in order to obtain good characteristics, 8
It is necessary that borosilicate zinc glass be contained in an amount of 0.1 to 5 mol mol per Ch in the total weight range of 0.01 to 5 mol.

なお、上記の如(,810,等の有効な含有割合を確か
めたのと同様にして、他の添加成分、すなわちMn0z
+ 5bzOs+ 0rzOa+ At203+反応生
成物について実験したところ、良好な特性を得るために
は、MnO2が0.1〜5モル% + 5bzOsが0
.1〜5モルモル0rzO*が0.1〜5 モル% 、
 A1.zOsが02/1ooO〜20/1000モル
チ1反応生成物が全体における0、2〜20重量%の範
囲でそれぞれ含有されていることが必要であった。
In addition, in the same way that the effective content ratio of (,810, etc.) was confirmed as described above, other additive components, namely, Mn0z
+ 5bzOs+ 0rzOa+ At203+ reaction product was tested and found that in order to obtain good properties, MnO2 should be 0.1-5 mol% + 5bzOs should be 0.
.. 1 to 5 mol 0rzO* is 0.1 to 5 mol %,
A1. It was necessary for the zOs to be contained in the range of 02/1ooO to 20/1000 mole 1, and the reaction product to be contained in the range of 0, 2 to 20% by weight, respectively.

ところで、第2から第4の発明の各実施例におけるZn
O素子について、 ZnO累子電子工程中の最終段階で
ある熱処理の温度を種々変化せしめた場合の熱処理前後
におけるv1mA/++++およびαの変化を調べたと
ころ、第1の発明の実施例におけるZnO素子と同様に
、熱処理によって特性がほとんど変化しなかった。
By the way, Zn in each example of the second to fourth inventions
Regarding the O element, we investigated the changes in v1mA/+++++ and α before and after the heat treatment when the temperature of the heat treatment, which is the final step in the ZnO electron process, was varied variously. Similarly, the properties hardly changed due to heat treatment.

なお、第1から第4の本発明は、前記各実施例に限定さ
れるものではない。すなわち、前記各実施例において、
反応生成物の配合比はi’bo : 8b20s:0r
zOx=4:1:1 としたが、本発明はかかる実施例
に限定されるものではない。すなわち、仮焼後にパイロ
クロア結晶が生成される配合比でおればよい。また、成
分についてもPbO+ 8b203+0rzOsの組合
わせに限定されず、0r20s + ZnOrOo20
3およびMnO2のうちのいずれか1種以上とPbOお
よび5b2o、とのあらゆる組合わせを用いてもパイロ
クロア結晶が生成きれ、同様の効果が得られる。をらに
、反応生成物を得るための仮焼工程における仮焼温度お
よび仮焼時間は、それぞれ800〜1100℃および1
〜10時間の範囲であることが好ましい。仮焼温度が8
00℃未満の場合には反応が遅(,1100℃ を越え
る場合にはPboO挿発が多量となってしまい、また仮
焼時間が1時間未満では反応が不十分で、10時間を越
えるとPbOの揮発の程度が大きくなってしまうからで
ある。
Note that the first to fourth aspects of the present invention are not limited to the above embodiments. That is, in each of the above embodiments,
The mixing ratio of the reaction products is i'bo: 8b20s:0r
Although zOx=4:1:1, the present invention is not limited to this example. That is, the blending ratio may be such that pyrochlore crystals are generated after calcination. Furthermore, the components are not limited to the combination of PbO + 8b203 + 0rzOs, but also the combination of 0r20s + ZnOrOo20
Pyrochlore crystals can be produced using any combination of PbO and 5b2o with any one or more of 3 and MnO2, and the same effect can be obtained. Furthermore, the calcination temperature and time in the calcination step to obtain the reaction product are 800 to 1100°C and 1,100°C, respectively.
It is preferable that it is in the range of 10 hours. The calcination temperature is 8
If the temperature is less than 00°C, the reaction is slow (and if it exceeds 1100°C, a large amount of PboO is generated).If the calcination time is less than 1 hour, the reaction is insufficient, and if it exceeds 10 hours, the reaction is slow. This is because the degree of volatilization increases.

一方、第1成分と第2成分(反応生成物へを混合した後
の*=工程における決成温度および焼成時間は、それぞ
れ1000〜1300℃および1〜20時間の範囲であ
ることが好ましい。焼成温度が1000℃未満の場合に
は緻密な焼結体が得られず、1300℃ を越える場合
にはPbOの揮散が起こって非直線特性が悪くなってし
まい、また焼成時間が1時間未満では均一な焼結体が得
られず、 20時間を越えると表面付近のPbOが揮発
してしまい非直NM特性が悪くなってしまうからである
On the other hand, the determined temperature and firing time in the *= step after mixing the first component and the second component (into the reaction product) are preferably in the range of 1000 to 1300°C and 1 to 20 hours, respectively. If the temperature is less than 1000°C, a dense sintered body cannot be obtained, if it exceeds 1300°C, PbO volatilization occurs and the nonlinear characteristics deteriorate, and if the firing time is less than 1 hour, a uniform sintered body cannot be obtained. This is because if the heating time exceeds 20 hours, PbO near the surface will volatilize and the non-direct NM characteristics will deteriorate.

また、焼結体の熱処理温度は500〜850℃の範囲で
あることが好ましい。熱処理温度が5001?、未満で
は得られたZnO素子の寿命特性が悪<、850℃を越
えると非直#l特性が悪くなってしまうからである。
Moreover, it is preferable that the heat treatment temperature of the sintered body is in the range of 500 to 850°C. The heat treatment temperature is 5001? If the temperature is less than , the life characteristics of the obtained ZnO element will be poor. If it exceeds 850° C., the non-linear characteristics will be poor.

なお、前、記名実施例では、ZnO素子の製造にあたシ
、遠心ボールミルやアルミナルツボ等を使用したが、こ
れら器具の種類は目的に沿うものであればよく、前記各
実施例で使用した器具に限定きれるものではない。
In addition, in the above-mentioned examples, a centrifugal ball mill, an aluminum crucible, etc. were used to manufacture the ZnO element, but the types of these devices may be of any type as long as they meet the purpose. It is not limited to equipment.

発明の効果 以上のように、第1から第4の本発明によれば、従来添
加物として多量に用いていたBix0iを全く使用しな
いので、熱処理により非直線特性が低下しない。微小電
流領域および大電流領域における非直線指数が従来のも
のに比し大きく、特に微小電流領域における非直線指数
が大きいので課電時における漏れ電流が小さい。また、
長期課電による漏れ電流の増加が小さいので、長寿命の
サージ吸収素子が得られる。さらに、クラーク数が2×
10 で資源的に乏しいB1□o3に代えて、クラーク
数が1.5 X 10 のPbO等を用いているので、
資源的に有利である等の効果を奏する。
Effects of the Invention As described above, according to the first to fourth aspects of the present invention, BixOi, which has conventionally been used in large amounts as an additive, is not used at all, so that the nonlinear characteristics do not deteriorate due to heat treatment. The non-linear index in the micro-current region and the large-current region is larger than that of the conventional one, and the non-linear index in the micro-current region is especially large, so that the leakage current during energization is small. Also,
Since the increase in leakage current due to long-term energization is small, a surge absorbing element with a long life can be obtained. Furthermore, Clark number is 2×
Since PbO, etc. with a Clark number of 1.5 x 10 is used instead of B1□o3, which is 10 and is a scarce resource,
It has effects such as being advantageous in terms of resources.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は第1の発明の一実施例で用いた反応生成物のX
線回折図、第2図は第1の発明の一実施例によるZnO
素子の電圧−電流特性図、第3図はZnO素子の熱処理
温度に対するVl mh/lanおよびαの変化を示す
グラフ、第4図はZnO素子の課電時間に対する漏れ電
流増加率を示すグラフ、第5図は第1の発明において8
102の含有割合を変化させた場合のVlmA、’*お
よびαを示すグラフ、第6図は第2の発明の一実施例に
よるZnO素子の電圧−電流特性図、第7図はZnO素
子の課電時間に対する漏れ電流増加率を示すグラフ、第
8図は第2の発明においてS iozまたはAtzCh
の各含有割合を変化させた場合のαを示すグラフ、第9
図1−1:第3の発明の一実施例によるZnO素子の電
圧−電流特性図、第10図はZnO素子の課電時間に対
する漏れ電流増加率を示すグラフ、第11図は第3の発
明において8102の含有割合を変化させた場合のαを
示すグラフ、第12図は第4の発明の一実施例によるZ
nO素子の電圧−電流特性図、第13図はZnO素子の
課電時間に対する漏れ電流増加率を示すグラフ、第14
図は第4の発明において5102または硼珪緻亜鉛ガラ
スの各含有割合を変化させた場合のαを示すグラフであ
る。 電 3糺(A) 熱恋摺温度(0C) 第4図 第5図 s、o2ぐし負υY≧0りし010)
Figure 1 shows the reaction product X used in an example of the first invention.
A line diffraction diagram, FIG. 2 shows ZnO according to an embodiment of the first invention.
Voltage-current characteristic diagram of the device, FIG. 3 is a graph showing changes in Vl mh/lan and α with respect to heat treatment temperature of ZnO device, FIG. 4 is a graph showing leakage current increase rate with respect to energization time of ZnO device, FIG. Figure 5 shows 8 in the first invention.
A graph showing VlmA, '* and α when the content ratio of 102 is changed, FIG. 6 is a voltage-current characteristic diagram of a ZnO element according to an embodiment of the second invention, and FIG. FIG. 8 is a graph showing the rate of increase in leakage current with respect to the current time.
Graph showing α when each content ratio of is changed, No. 9
Figure 1-1: Voltage-current characteristic diagram of a ZnO element according to an embodiment of the third invention, Figure 10 is a graph showing the leakage current increase rate with respect to energization time of the ZnO element, Figure 11 is a diagram of the third invention FIG. 12 is a graph showing α when the content ratio of 8102 is changed in Z according to an embodiment of the fourth invention.
The voltage-current characteristic diagram of the nO element, Fig. 13 is a graph showing the leakage current increase rate with respect to the energization time of the ZnO element, and the 14th
The figure is a graph showing α when each content ratio of 5102 or borosilicate zinc glass is changed in the fourth invention. Electricity 3 糺 (A) Netsukoizuri temperature (0C) Fig. 4 Fig. 5 s, o2 gushi negative υY ≧ 0 rishi 010)

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] (1) cIi化マンガン0.1〜5モルモル歌化アン
チモy 0.1〜5モル%、酸化クロム0ニ〜5酸化珪
素0.1〜5モルモル残部酸化亜鉛からなる第1成分に
対し、酸化クロム、酸化亜鉛,酸化コバルトおよび酸化
マンガンのうちいずれか一種以上と酸化鉛および酸化ア
ンチモンとからなる混合物を仮焼してなる第2成分を0
.2〜20重thlitチ加え、焼結してなることを特
徴とする電圧弁ilk源抵抗体。
(1) Manganese chloride 0.1 to 5 mol% Antimoy chloride 0.1 to 5 mol%, chromium oxide 0 to silicon oxide 0.1 to 5 mol% The balance zinc oxide, and the first component is oxidized. The second component is made by calcining a mixture of at least one of chromium, zinc oxide, cobalt oxide, and manganese oxide, and lead oxide and antimony oxide.
.. A voltage valve ILK source resistor characterized in that it is made by adding 2 to 20 layers of thlit and sintering it.
(2)酸化マンガン0.1〜5モルモル酸化アンチモア
0.1〜5モル%.ff化クロム0.1〜5モルモル酸
化珪素0.1〜5モルモル酸化アルミニウム0、2/1
000〜2 0/1 0 0 0モルチ,残部酸化亜鉛
からなる第1成分に対し、醸化クロム、酸化亜鉛。 酸化コバルトおよび酸化マンガンのうちのいずれかl種
以上と酸化鉛および酸化アンチモンとからなる混合物を
仮焼してなる第2成分を0.2〜2ON量チ加え、焼結
してなることを特徴とする電圧非直脚抵抗体。
(2) Manganese oxide 0.1-5 mol% Antimore oxide 0.1-5 mol%. ff chromium 0.1-5 mols silicon oxide 0.1-5 mols aluminum oxide 0.2/1
000 to 20/1000 molti, the balance being the first component consisting of zinc oxide, fermented chromium, and zinc oxide. A second component obtained by calcining a mixture of one or more of cobalt oxide and manganese oxide, lead oxide, and antimony oxide is added in an amount of 0.2 to 2 ON, and the mixture is sintered. Voltage non-straight leg resistor.
(3)酸化マンガン0.1〜5モルモル酸化アンチモン
0.1〜5モルチ.酸化クロム0.1〜5モルモル酸化
珪素0,1〜5モルモル残部酸化亜鉛からなる第1成分
と、硼珪酸亜鉛ガラスと、酸化クロム。 酸化亜鉛,酸化コバルトおよび酸化マンガンのうちのい
ずれかlaf以上と酸化鉛および酸化アンチモンとから
なる混合物を仮焼してなる第2成分とを、各成分組成が
硼珪酸亜鉛ガラス0.01〜5重量%、第2成分0.2
〜20重11%、残部第1成分となるように混合し、焼
結してなることを特徴とする電圧非直線抵抗体。
(3) 0.1 to 5 mol of manganese oxide 0.1 to 5 mol of antimony oxide. A first component consisting of 0.1 to 5 mol chromium oxide, 0.1 to 5 mol silicon oxide, and the balance zinc oxide, zinc borosilicate glass, and chromium oxide. A second component formed by calcining a mixture consisting of any one of zinc oxide, cobalt oxide, and manganese oxide laf or more and lead oxide and antimony oxide, and a zinc borosilicate glass having a composition of each component of 0.01 to 5 Weight %, second component 0.2
A voltage nonlinear resistor characterized in that the voltage nonlinear resistor is obtained by mixing and sintering 20% by weight and 11% by weight, the remainder being a first component.
(4)酸化マンガン0.1〜5モルモル酸化アンチモア
 0.1〜5モルi酸化クロム0.1〜5モルチ。 酸化迷電0.1〜5モル%、*化アルミニウム0.2/
1000〜20/1000モルチ 、残部酸化亜鉛から
なる第1成分と、硼珪酸亜鉛ガラスと、酸化クロム、酸
化亜鉛、酸化コバルトおよび酸化マンガンのうちのいず
れか1種以上と酸化鉛および酸化アンチモンとからなる
混合物を仮焼してなる第2成分とを、各成分組成が硼珪
酸亜鉛ガラス0.01〜5重蓋チ、第2成分0.2〜2
0重量%、残部第1成分となるように混合し、焼結して
なることを特徴とする電圧非直線抵抗体。
(4) Manganese oxide 0.1-5 mol Antimore oxide 0.1-5 mol i Chromium oxide 0.1-5 mol. Oxidation stray electricity 0.1-5 mol%, *Aluminum oxide 0.2/
1000 to 20/1000 molti, the balance being zinc oxide, a first component consisting of zinc borosilicate glass, any one or more of chromium oxide, zinc oxide, cobalt oxide and manganese oxide, and lead oxide and antimony oxide. A second component formed by calcining a mixture of
1. A voltage nonlinear resistor, characterized in that the voltage nonlinear resistor is obtained by mixing and sintering the mixture so that the balance is 0% by weight and the remainder is a first component.
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