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JPS60116128A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法

Info

Publication number
JPS60116128A
JPS60116128A JP22493483A JP22493483A JPS60116128A JP S60116128 A JPS60116128 A JP S60116128A JP 22493483 A JP22493483 A JP 22493483A JP 22493483 A JP22493483 A JP 22493483A JP S60116128 A JPS60116128 A JP S60116128A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
film
semiconductor substrate
ion implantation
oxide film
impurity layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP22493483A
Other languages
English (en)
Inventor
Takao Akiba
隆雄 秋葉
Takashi Hosaka
俊 保坂
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Instruments Inc
Original Assignee
Seiko Instruments Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Instruments Inc filed Critical Seiko Instruments Inc
Priority to JP22493483A priority Critical patent/JPS60116128A/ja
Publication of JPS60116128A publication Critical patent/JPS60116128A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26—Bombardment with radiation
    • H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、不純物を半導体基板内にイオン打込みによっ
てイオン注入する工程による、半導体装置の製造方法に
１６１コするものである。
第１図に従来の半グ、一体装置の製造方法を示す。
半導体基板内１に不純物層をイオン打込みによって形成
する場合、イオン注入をする箇所以外はマスク２（例と
して、フォトレジスト、５４ｏ２’、など）でおおい薄
い酸化膜３を通して（酸化膜３はない場合もある）、イ
オン注入を行う。この方法では、マスク２Ｉ酸化膜３．
フィールド酸化膜４０表面付近や内部に電荷が帯電して
しまう。したがって酸化膜３が半導体基板１との電位差
による破簸や、フィールド酸化膜４内の電荷帯電による
、フィールド部の反転の原因になる。従来の製造方法は
、この様な欠点があった。
本発明はイオン打込み前に半導体基板１全表面に導電性
被膜を形成後、イオン打込みを行う事によって上記欠点
を除去した半導体装置の製造方法を目的としたものであ
る。
以下第２図Ｃαｌ−（Ｑｌ　ｆ参照して本発明の一実施
例を説明する。
第２図（ロ）は、イオン注入によって不純物層を作成す
る工程を行う前に、半導体基板１全表面に導電性被膜５
（例えばＡｉ、ドープドＰｏ１ｙ　８ｉなど）を被着さ
せたものを示す。次に通常のイオン打込み工程を行う。
一定箇所に不純物層を作成する場合は、第２図（６）に
示すように導伝性被膜５上にマスクとなるものを被着さ
せ、フォトリソ工程によシ、バターニングを行い、イオ
ン注入を行う。
イオン打込み工程終了後、マスク２．導伝性被膜５を除
去すれば良い。
上記実施例は先に導伝性被膜５全被着させた後イオン注
入を行う工程を説明した。次にその逆の工程を第２図（
ｃ）に示す、まず先にマスク２となるものを被着させ、
フォトリソによシバターニングを行う。その後全表面に
導伝性被膜５．被着させた後、イオン打込みによシ、不
純物層を作成する事は可能である。また、上記実施例は
一部分に不純物層を形成することを示しているが、半導
体基板１全表面にイオン打込みする場合にでも、導伝性
被膜５を被着させた後、イオン注入を行う事によっても
、本発明の目的を達成することができることはいうまで
もない。
以上の様に本発明は、導伝性被膜５を被着後、イオン注
入工程を行う場合、イオン注入時に起る静電荷の帯電全
導伝性被膜５からディスチャージし帯電を防ぐ事によっ
て向い酸化膜の破壊、フィールド部での反転を防ぐとい
う、効果がある。また帯電防止のために、電子シャワー
という装置をイオン注入機に取付けてイオン打込みを行
っているが、本発明金層いる事によって仁の様な装置を
使用しないでイオン注入を行えるという効果もある。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来のイオン打込みによる不純物層の形成の製
造方法を示した断面図、第２図＠〜（ｃ）は本発明の半
導体装置の製造方法の一笑施例の工程順を説明するため
の断面図である。 １・・半導体基板　２・・マスク ８・・薄い酸化膜　４・・フィールド酸化膜５・・導伝
性被膜 以　上 出願人　セイコー電子工業株式会社 代理人　弁理士　最　上　務

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. イオン注入機を用いて不純物を半導体基板に注入する工
    程において、イオン注入前に半導体基板１全面に導伝性
    被膜を被着させておく事を特徴とする半導体装置の製造
    方法。
JP22493483A 1983-11-29 1983-11-29 半導体装置の製造方法 Pending JPS60116128A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61295627A (ja) * 1985-06-24 1986-12-26 Nec Kansai Ltd イオン注入方法
JPS63234520A (ja) * 1987-03-23 1988-09-29 Nec Corp 半導体装置の製造方法
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