JPS599992A - 多層配線基板の製造方法 - Google Patents
多層配線基板の製造方法Info
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- JPS599992A JPS599992A JP57117765A JP11776582A JPS599992A JP S599992 A JPS599992 A JP S599992A JP 57117765 A JP57117765 A JP 57117765A JP 11776582 A JP11776582 A JP 11776582A JP S599992 A JPS599992 A JP S599992A
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 12
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 40
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 claims description 18
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 10
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 10
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 24
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 13
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 6
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- -1 generally around 9 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002241 glass-ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920006267 polyester film Polymers 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- VWXGRWMELBPMCU-UHFFFAOYSA-N 5-chloro-1-[3-(dimethylamino)propyl]-3-phenylbenzimidazol-2-one Chemical compound O=C1N(CCCN(C)C)C2=CC=C(Cl)C=C2N1C1=CC=CC=C1 VWXGRWMELBPMCU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100296544 Caenorhabditis elegans pbo-5 gene Proteins 0.000 description 1
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CNLWCVNCHLKFHK-UHFFFAOYSA-N aluminum;lithium;dioxido(oxo)silane Chemical compound [Li+].[Al+3].[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O CNLWCVNCHLKFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 229910052878 cordierite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 1
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 238000011056 performance test Methods 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 1
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052644 β-spodumene Inorganic materials 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4803—Insulating or insulated parts, e.g. mountings, containers, diamond heatsinks
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- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/538—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames the interconnection structure between a plurality of semiconductor chips being formed on, or in, insulating substrates
- H01L23/5383—Multilayer substrates
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H05K1/00—Printed circuits
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- H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
- H05K3/4611—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards
- H05K3/4626—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards characterised by the insulating layers or materials
- H05K3/4629—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards characterised by the insulating layers or materials laminating inorganic sheets comprising printed circuits, e.g. green ceramic sheets
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、多数の大規模集積回路(LSI)を搭載する
ための配線基板の製造方法、特に低防電率のガラスセラ
ミックスを絶縁材料とする多層配線基板の製造に関する
。
ための配線基板の製造方法、特に低防電率のガラスセラ
ミックスを絶縁材料とする多層配線基板の製造に関する
。
従来、LSIを搭載する配線基板は、アルミナを主材と
するグリーンシート(未焼結基板)上にタングステン等
の高融点金属の導体を厚膜技術により印刷形成し、この
導体を印刷したグリーンシートを貼り合わせて積層し、
これを1500℃の高温非酸化性雰囲気内で焼結して製
造されていた。
するグリーンシート(未焼結基板)上にタングステン等
の高融点金属の導体を厚膜技術により印刷形成し、この
導体を印刷したグリーンシートを貼り合わせて積層し、
これを1500℃の高温非酸化性雰囲気内で焼結して製
造されていた。
一方、近年、特に情報処理装置においては、演算処理の
高速化が望まれているが、従来のアルミナ系の多層配線
基板は、アルミナの比較的高い比誘雷率、一般に9程度
と、タングステン導体による微細配線の高い配線抵抗、
一般に1Ω/a程度のために、多層に構成された配線内
を伝播する信号の遅延時間が大きく、一段と高まった演
算処理の高速化に応じることが困雛であった。このため
、電気抵抗のイバい金属による配線と誘電率の低い絶縁
材料を絹み合わせた多層配線基板が要求されている。
高速化が望まれているが、従来のアルミナ系の多層配線
基板は、アルミナの比較的高い比誘雷率、一般に9程度
と、タングステン導体による微細配線の高い配線抵抗、
一般に1Ω/a程度のために、多層に構成された配線内
を伝播する信号の遅延時間が大きく、一段と高まった演
算処理の高速化に応じることが困雛であった。このため
、電気抵抗のイバい金属による配線と誘電率の低い絶縁
材料を絹み合わせた多層配線基板が要求されている。
この要求に応えるため、特開昭51−127112号に
おいて、絶縁基板の材料としてアルミナの代りにガラス
を用い、これに低抵抗の金属、例えば、金、銀、銅等を
用いた配線を行なうことが提案されている。また、特開
昭54−111517号及び特開昭51−128856
号においては、特にα−コージェライトあるいはβ−ス
ポジュメンを主成分とする結晶化可能なガラス組成物を
絶縁基板の材料として用いることが提案されている。
おいて、絶縁基板の材料としてアルミナの代りにガラス
を用い、これに低抵抗の金属、例えば、金、銀、銅等を
用いた配線を行なうことが提案されている。また、特開
昭54−111517号及び特開昭51−128856
号においては、特にα−コージェライトあるいはβ−ス
ポジュメンを主成分とする結晶化可能なガラス組成物を
絶縁基板の材料として用いることが提案されている。
しかしながら、これらのガラス質絶縁拐料を用いた絶縁
基板は、その比誘電率が5以上であり、より高速演算処
理を可能とするためには、なおその比誘1゛率をさらに
小さくしなければならないという欠点があった。
基板は、その比誘電率が5以上であり、より高速演算処
理を可能とするためには、なおその比誘1゛率をさらに
小さくしなければならないという欠点があった。
本発明の目的は、上記従来技術の欠点を除き、絶縁基板
の比誘電率を極めて小さくすることができ、該絶、縁基
板上に形成される配線導体の抵抗値くするようにした多
層配線基板の製造方法な拵供するにある。
の比誘電率を極めて小さくすることができ、該絶、縁基
板上に形成される配線導体の抵抗値くするようにした多
層配線基板の製造方法な拵供するにある。
この目的を達成するために、本発明は、ホウケイ酸ガラ
スに石英ガラスを温合して絶縁基板を形成し、該絶縁基
板上に低抵抗の導体金属でもって配線導体を形成するよ
うにした点を特徴とする。
スに石英ガラスを温合して絶縁基板を形成し、該絶縁基
板上に低抵抗の導体金属でもって配線導体を形成するよ
うにした点を特徴とする。
一般に、石英ガラス自体は、その機械的な特性から、た
とえば、ホウケイ酸ガラスのような他のガラスに1tべ
て非常にもろく、従来、回路基板の絶縁材料として用い
られていなかった。しがし、石英ガラスの比誘電率は非
常に小さく、4程度である。
とえば、ホウケイ酸ガラスのような他のガラスに1tべ
て非常にもろく、従来、回路基板の絶縁材料として用い
られていなかった。しがし、石英ガラスの比誘電率は非
常に小さく、4程度である。
そこで、本発明者等は、従来の絶縁材料ではもはや銹電
達の低減化が限界であることから、石英ガラスが非常に
優れた誘電特性を有していることに着目し、各種ガラス
組成物と石英ガラスとの混合物について絶縁基板として
の性能試験を行なった結果、ホウケイ酸ガラスと石英ガ
ラスとの適度な混合比による混合物を用いることにより
、機械的特J11ユに優れ、極めて小さい比誘電率の絶
縁基板をイ↓)ることかできた。
達の低減化が限界であることから、石英ガラスが非常に
優れた誘電特性を有していることに着目し、各種ガラス
組成物と石英ガラスとの混合物について絶縁基板として
の性能試験を行なった結果、ホウケイ酸ガラスと石英ガ
ラスとの適度な混合比による混合物を用いることにより
、機械的特J11ユに優れ、極めて小さい比誘電率の絶
縁基板をイ↓)ることかできた。
かかる絶縁基板は55〜75ル耐゛係のSing、13
25重%・係のB1103.5〜133’−@%のAl
2O3,1〜5重撞%のPbO,MgO,Ba0,1〜
2重量係の11ε0゜K、0の組成をもつホウケイ酸ガ
ラスの粉末と、石英ガラスの粉末の混合物の合削知の1
0〜70重i%を石英ガラスの粉末としたカラス混合物
をグリーンシートにした後焼結したものである。上記ホ
ウケイ酸ガラスの組成例の具体例と、それらの軟化温度
、比誘電率を次表に示す。
25重%・係のB1103.5〜133’−@%のAl
2O3,1〜5重撞%のPbO,MgO,Ba0,1〜
2重量係の11ε0゜K、0の組成をもつホウケイ酸ガ
ラスの粉末と、石英ガラスの粉末の混合物の合削知の1
0〜70重i%を石英ガラスの粉末としたカラス混合物
をグリーンシートにした後焼結したものである。上記ホ
ウケイ酸ガラスの組成例の具体例と、それらの軟化温度
、比誘電率を次表に示す。
上表のように組成したホウケイ酸ガラスと石英ガラスと
の混合物で形成された絶縁基板では、非晶質のポウケイ
酸ガラスのみの場合に、熱処理において生じていたガラ
スの溶融過度の流動による配線などの崩れが生じること
がなく、また、ホウケイ酸ガラス自体の比誘電率よりも
小さい、5以下の比誘電率が得られた。
の混合物で形成された絶縁基板では、非晶質のポウケイ
酸ガラスのみの場合に、熱処理において生じていたガラ
スの溶融過度の流動による配線などの崩れが生じること
がなく、また、ホウケイ酸ガラス自体の比誘電率よりも
小さい、5以下の比誘電率が得られた。
次に、絶縁基板上に形成する配線用導体やスルーホール
に充填する導電体の材料は、金、銀、銅等の低抵抗金属
単独か、あるいは前述した絶縁基板を構成するホウケイ
酸ガラスを、前記低抵抗金属とガラスの合計量に対して
最大10重量係含んだ混合物により構成される。これは
、絶縁基板として焼結する前のグリーンシート自体が非
晶質のホウケイ酸ガラスを含んでおり、焼結時にホウケ
イ酸ガラスがバインダガラスとして配線導体中に浸み込
んで、配線導体と絶縁基板との結合性を向上できるので
、一般には、配線導体の材料である金属中にあらかじめ
バインダガラスを含有させる必要はないが、10重量幅
までのホウケイ酸ガラスを金属中に′Aλ・らかじめ含
イAさせておくことによって、配線導体と絶縁基鈑との
結合性をさらに向上させることができるためである。こ
こで、配線導体用の金属にあらかじめ含有させてお(ホ
ウケイ酸ガラスの量を101景%までとしたのは、こね
より多聞のガラスを含まぜると焼結後の配線導体の配線
抵抗が著しく増大し、配線導体の相料として金、鋏、銅
等の低抵抗金属を用いた効果がなくなるためである。
に充填する導電体の材料は、金、銀、銅等の低抵抗金属
単独か、あるいは前述した絶縁基板を構成するホウケイ
酸ガラスを、前記低抵抗金属とガラスの合計量に対して
最大10重量係含んだ混合物により構成される。これは
、絶縁基板として焼結する前のグリーンシート自体が非
晶質のホウケイ酸ガラスを含んでおり、焼結時にホウケ
イ酸ガラスがバインダガラスとして配線導体中に浸み込
んで、配線導体と絶縁基板との結合性を向上できるので
、一般には、配線導体の材料である金属中にあらかじめ
バインダガラスを含有させる必要はないが、10重量幅
までのホウケイ酸ガラスを金属中に′Aλ・らかじめ含
イAさせておくことによって、配線導体と絶縁基鈑との
結合性をさらに向上させることができるためである。こ
こで、配線導体用の金属にあらかじめ含有させてお(ホ
ウケイ酸ガラスの量を101景%までとしたのは、こね
より多聞のガラスを含まぜると焼結後の配線導体の配線
抵抗が著しく増大し、配線導体の相料として金、鋏、銅
等の低抵抗金属を用いた効果がなくなるためである。
以下、本発明の実施例を図面について説明する。
第1図は本発明による多層配線基板の製造方法によって
祠られ、たグリーンシートの一具体例を示す断面図であ
って、1はグリーンシート、2はスルーホール、3は位
置決め用基準孔、4は充填導体、5は配線導体である。
祠られ、たグリーンシートの一具体例を示す断面図であ
って、1はグリーンシート、2はスルーホール、3は位
置決め用基準孔、4は充填導体、5は配線導体である。
第2図は第1図のクリーンシートを積層し焼結して得ら
れた多層配線基板の一具体例を示す断面図であって、6
は絶縁基板、7はLSI搭載用バット部、8は入出力ピ
ン接続用バット部であり、第1図に対応する部分には同
一符号をつけている。
れた多層配線基板の一具体例を示す断面図であって、6
は絶縁基板、7はLSI搭載用バット部、8は入出力ピ
ン接続用バット部であり、第1図に対応する部分には同
一符号をつけている。
第1図において、導通孔2及び位置決め用の規準孔3を
有しスクリーン印刷法等によって導通孔内充填導体4及
び配線導体5を設けたグリーンシート1を複数枚積みル
゛ねて焼結するものである。
有しスクリーン印刷法等によって導通孔内充填導体4及
び配線導体5を設けたグリーンシート1を複数枚積みル
゛ねて焼結するものである。
焼結されて得た多層配線基板は、第2図に示すように、
複数枚のグリーンシートが一体となった絶縁基板6と、
該絶縁基板6内に多層に構成された配線導体5及び導通
孔内充填導体4と、絶縁基板6の上面及び下面に構成さ
れた配線導体5、LSI搭載用部子バット部7、入出力
ピン接続用バット部8により構成される。
複数枚のグリーンシートが一体となった絶縁基板6と、
該絶縁基板6内に多層に構成された配線導体5及び導通
孔内充填導体4と、絶縁基板6の上面及び下面に構成さ
れた配線導体5、LSI搭載用部子バット部7、入出力
ピン接続用バット部8により構成される。
実施例1
■Sho、 61 N、8%、Bzog 22重量%、
AlIO35篤量係、pbo5 g量係、Mg03重量
%、Ba0 4li%、Na2O1重′#、係、K、0
1 重量%から成る、平均粒径2.5μm、比誘電率4
.5、軟化温度743℃の前記表の資料遅3として示し
たホウケイ酸ガラス粉末100gと、平均粒径2.0μ
mの石英ガラス粉末100gとをボールミルで混合し、
粘結剤としてポリビニルブチラール樹脂20g、可塑剤
としてブチルフタリルベンジルグリコレート3a!、揮
発化溶剤100Mを加えてボールミルで24時間混練後
、減圧下で脱泡処理してガラススリップを調製した。
AlIO35篤量係、pbo5 g量係、Mg03重量
%、Ba0 4li%、Na2O1重′#、係、K、0
1 重量%から成る、平均粒径2.5μm、比誘電率4
.5、軟化温度743℃の前記表の資料遅3として示し
たホウケイ酸ガラス粉末100gと、平均粒径2.0μ
mの石英ガラス粉末100gとをボールミルで混合し、
粘結剤としてポリビニルブチラール樹脂20g、可塑剤
としてブチルフタリルベンジルグリコレート3a!、揮
発化溶剤100Mを加えてボールミルで24時間混練後
、減圧下で脱泡処理してガラススリップを調製した。
■前述のようにして調製したガラススリップをドクター
ブレード法によりポリエステルフィルム上に、0.15
m1M厚の連続した乾燥シートとして形成し、ポリエス
テルフィルムシートからはがして切)li シ、10c
mX10c+aのガラスセラミックのグリーンシート1
を作成し、このグリーンシート1に回路上必要なスルー
ホール2と印刷及び積層のための位置決め用基準孔3を
形成した。
ブレード法によりポリエステルフィルム上に、0.15
m1M厚の連続した乾燥シートとして形成し、ポリエス
テルフィルムシートからはがして切)li シ、10c
mX10c+aのガラスセラミックのグリーンシート1
を作成し、このグリーンシート1に回路上必要なスルー
ホール2と印刷及び積層のための位置決め用基準孔3を
形成した。
■金粉末100gにエチルセルローズを溶解したα−デ
ルビネオール溶液20ゴ及υ・30m1を加えてロール
ミルで混細し、ペースト粘度50万Cpsと20万cp
sの2種類の導体ペーストを調製した。
ルビネオール溶液20ゴ及υ・30m1を加えてロール
ミルで混細し、ペースト粘度50万Cpsと20万cp
sの2種類の導体ペーストを調製した。
■粘度5()万cpsの高粘度ペーストをグリーンシー
)1のスルホール2内に充填して充填導体4を形成し、
粘度20万cpsの低粘度ペーストをグリーンシート上
に印刷して所定のパターンを有する配線導体5、LSI
搭載搭載用端子パッド及7入出力ピン接続用パッド部8
の必要なものを形成した。
)1のスルホール2内に充填して充填導体4を形成し、
粘度20万cpsの低粘度ペーストをグリーンシート上
に印刷して所定のパターンを有する配線導体5、LSI
搭載搭載用端子パッド及7入出力ピン接続用パッド部8
の必要なものを形成した。
■所定の回路パターンを形成したグリーンシート1を位
置決め用基準孔3を基準として順次重ね合わせ、圧力4
0に9/Cd、温度120”C(7)条件で10分間加
圧して積層し、位置決め用基準孔3等のグリーンシート
の余白部を切断除去して必要な回路基板部を残した積層
体を形成した。
置決め用基準孔3を基準として順次重ね合わせ、圧力4
0に9/Cd、温度120”C(7)条件で10分間加
圧して積層し、位置決め用基準孔3等のグリーンシート
の余白部を切断除去して必要な回路基板部を残した積層
体を形成した。
■前述の積層体を毎時200℃で400 ’Cまで昇温
し、これを1時間保持してグリーンシート1内の粘結剤
等の有機物質を除去した後、さらに、毎時200℃で8
50℃まで昇温し、これを1時間保持して焼結し複数枚
のグリーンシート1を絶縁基板6として一体化させた多
層配線基板を形成した。
し、これを1時間保持してグリーンシート1内の粘結剤
等の有機物質を除去した後、さらに、毎時200℃で8
50℃まで昇温し、これを1時間保持して焼結し複数枚
のグリーンシート1を絶縁基板6として一体化させた多
層配線基板を形成した。
前述した製造工程において、工程■〜■により第1図に
示したグリーンシート1が形成され、工程■〜■の全工
程終了後、第2図に示した多層配基板が形成される。
示したグリーンシート1が形成され、工程■〜■の全工
程終了後、第2図に示した多層配基板が形成される。
このようにして形成した多層配線基板における配線導体
5の抵抗は、配線導体5の配線幅を75μmとしたとき
、0.4Ω/cTn、絶縁基板6の比誘電率は、4.3
といずれも極めて小さなものとすることができた。
5の抵抗は、配線導体5の配線幅を75μmとしたとき
、0.4Ω/cTn、絶縁基板6の比誘電率は、4.3
といずれも極めて小さなものとすることができた。
実施例2
■Sing 55重量%、B、OH25重量%、A1.
0s5iii−i%、B2L05重量%、Mg05重量
%、PbO1重量%、Nano 2重量%、K2O2重
量係から成る平均粒径2.3μm、比誘電率5.1、軟
化温度685°Cの前記表の資料N1として示したホウ
ケイ酸ガラス粉末60gと、平均粒径2.0μmの石英
ガラス粉末140gとを用いて、実施例1により説明し
たと同様な工程により、0.15m+++厚のグリーン
シート1を形成した。
0s5iii−i%、B2L05重量%、Mg05重量
%、PbO1重量%、Nano 2重量%、K2O2重
量係から成る平均粒径2.3μm、比誘電率5.1、軟
化温度685°Cの前記表の資料N1として示したホウ
ケイ酸ガラス粉末60gと、平均粒径2.0μmの石英
ガラス粉末140gとを用いて、実施例1により説明し
たと同様な工程により、0.15m+++厚のグリーン
シート1を形成した。
■銀粉末90gに前述のグリーンシート形式に用いたと
同一組成のホウケイ酸ガラスLogを加え、櫓機バイン
ダと溶剤を加えて導体ペーストを調整した。この導体ペ
ーストを用〜・、前述の実施形成し、スルーホール2内
に充填導体4を形成した後、グリーンシートの積層を行
ない、400℃で1時間の有機物質除去、800℃で3
0分間の焼結を行なって多層配線基板を形成した。
同一組成のホウケイ酸ガラスLogを加え、櫓機バイン
ダと溶剤を加えて導体ペーストを調整した。この導体ペ
ーストを用〜・、前述の実施形成し、スルーホール2内
に充填導体4を形成した後、グリーンシートの積層を行
ない、400℃で1時間の有機物質除去、800℃で3
0分間の焼結を行なって多層配線基板を形成した。
このようにして形成した多層配線基板における配線導体
5の抵抗は、配線導体5の配線幅を75μmとしたとき
O,り0/crn%絶縁基板6の比誘電率は4.3であ
った。
5の抵抗は、配線導体5の配線幅を75μmとしたとき
O,り0/crn%絶縁基板6の比誘電率は4.3であ
った。
実施例3
■s1o、 75 fi量係、Jo、 13重量%、A
l記Os5重量係、PbO1重量%、Mg03重量%、
Ba01重量%、Na、BO1重量%、K、01重量%
から成る平均粒径2.7μm、比誘電率4.3、軟化温
度805°Cの前記表の資料洩6として示したホウケイ
酸ガラス粉末180gと、平均粒径2.0μmの石英ガ
ラス粉末20gとを用いて、実施例1により説明したと
同様な工程により、0.1511厚のグリーンシート1
を形成した。
l記Os5重量係、PbO1重量%、Mg03重量%、
Ba01重量%、Na、BO1重量%、K、01重量%
から成る平均粒径2.7μm、比誘電率4.3、軟化温
度805°Cの前記表の資料洩6として示したホウケイ
酸ガラス粉末180gと、平均粒径2.0μmの石英ガ
ラス粉末20gとを用いて、実施例1により説明したと
同様な工程により、0.1511厚のグリーンシート1
を形成した。
■銅粉末を用い、実施例1の場合と同様に導体ペースト
を調製し、このペーストを用い、実施例1の場合と同様
に配線パターン5及び充填導体4を形成した後、グリー
ンシートの積層を行なった。
を調製し、このペーストを用い、実施例1の場合と同様
に配線パターン5及び充填導体4を形成した後、グリー
ンシートの積層を行なった。
■積層されたグリーンシートを600°Cの7に素−水
蒸気−窒素の混合気体中で1時加熱し、有機物質を除去
した後、900℃の窒素中で1時間焼結し、多層配線基
板を形成する。
蒸気−窒素の混合気体中で1時加熱し、有機物質を除去
した後、900℃の窒素中で1時間焼結し、多層配線基
板を形成する。
このようにして形成した多層配線基板における配線導体
5の抵抗は、配線導体5の配線1陥を75μmとl−だ
とき帆4Ω/函であり、絶縁基板6の比誘電率は4.2
であった。
5の抵抗は、配線導体5の配線1陥を75μmとl−だ
とき帆4Ω/函であり、絶縁基板6の比誘電率は4.2
であった。
以上説明したように、本発明によれに丁、絶縁基板の比
誘電率を極めて小さくすることカーでき、自己線導体の
抵抗値も充分に小さくすること力tて゛きるから、信号
伝播遅延時間が極めて短縮された多層配線基板をイロる
ことができ、前記従来技乎財の欠点を除いて優れた機能
の多層配線基板の製造方法を折供することができる。
誘電率を極めて小さくすることカーでき、自己線導体の
抵抗値も充分に小さくすること力tて゛きるから、信号
伝播遅延時間が極めて短縮された多層配線基板をイロる
ことができ、前記従来技乎財の欠点を除いて優れた機能
の多層配線基板の製造方法を折供することができる。
第1図は本発明による多層配線基板の製造ブチ法によっ
て得られたグリーンシートの一具体例を示す断面図、第
2図は第1図のグリーンシートを積層し焼結して得られ
た多層配線基板の一具体例を示す断面図である。 1・・・・・・グリーンシー1−12・・・・・・スル
ーホール、3・・・・・・位置決め用基準孔、4・・・
・・・導通孔内充填導体、5・・・・・・配線導体、6
・・・・・・絶縁基板、7・・・・・・LSI搭載用端
子バット部、8・・・・・・入出力ピン接続用バット部
て得られたグリーンシートの一具体例を示す断面図、第
2図は第1図のグリーンシートを積層し焼結して得られ
た多層配線基板の一具体例を示す断面図である。 1・・・・・・グリーンシー1−12・・・・・・スル
ーホール、3・・・・・・位置決め用基準孔、4・・・
・・・導通孔内充填導体、5・・・・・・配線導体、6
・・・・・・絶縁基板、7・・・・・・LSI搭載用端
子バット部、8・・・・・・入出力ピン接続用バット部
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 配線導体が形成されたグリーンシートを複数枚積層し焼
結してなる多層配線基板の製造方法において、55−7
5重量係のSing、13−25重量係のB1IO3,
5〜13重量係のA1108、夫々1〜51L−x%の
PbO、MgO、BaO、夫々1〜2重量゛係のNan
o 、 KgOからなるホウケイ酸ガラス粉末と石英ガ
ラス粉末とを混合し全重量に対して10〜70重1係の
該石英ガラスを含んだグリーンシートを調製する工程と
、該グリーンシートに低抵抗の導電材料からなる導体を
形成する工程と、該導体が形成されたグリーンシートを
多層に積層し焼結する工程とからなることを特徴とする
多層配線基板の製造方法。 (2、特許請求の範囲第(11項において、前記導体配
線基板の製造方法
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57117765A JPS599992A (ja) | 1982-07-08 | 1982-07-08 | 多層配線基板の製造方法 |
US06/511,482 US4547625A (en) | 1982-07-08 | 1983-07-07 | Glass multilayer wiring board and method for its manufacture |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57117765A JPS599992A (ja) | 1982-07-08 | 1982-07-08 | 多層配線基板の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS599992A true JPS599992A (ja) | 1984-01-19 |
JPH0361359B2 JPH0361359B2 (ja) | 1991-09-19 |
Family
ID=14719764
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57117765A Granted JPS599992A (ja) | 1982-07-08 | 1982-07-08 | 多層配線基板の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4547625A (ja) |
JP (1) | JPS599992A (ja) |
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1983
- 1983-07-07 US US06/511,482 patent/US4547625A/en not_active Expired - Lifetime
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4547625A (en) | 1985-10-15 |
JPH0361359B2 (ja) | 1991-09-19 |
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