JPS6247198A - 多層配線基板 - Google Patents
多層配線基板Info
- Publication number
- JPS6247198A JPS6247198A JP18800585A JP18800585A JPS6247198A JP S6247198 A JPS6247198 A JP S6247198A JP 18800585 A JP18800585 A JP 18800585A JP 18800585 A JP18800585 A JP 18800585A JP S6247198 A JPS6247198 A JP S6247198A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- weight
- glass powder
- wiring board
- multilayer wiring
- alumina
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Glass Compositions (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
この発明は1.高集積化したLSIを多数搭載するため
の多層配線基板、特に、コーディエライト系結晶化ガラ
ス粉末と、石英ガラス粉末および/またはアルミナ粉末
との混合物により絶縁層を形成し、これと銀、銀−パラ
ジウム、金など低抵抗金属からなる導体配線層とを積層
してなる多層配線基板に関する。
の多層配線基板、特に、コーディエライト系結晶化ガラ
ス粉末と、石英ガラス粉末および/またはアルミナ粉末
との混合物により絶縁層を形成し、これと銀、銀−パラ
ジウム、金など低抵抗金属からなる導体配線層とを積層
してなる多層配線基板に関する。
LSIを搭載する基板として、従来、つぎのようなもの
があった。アルミナを主材としてグリーンシートを形成
し、このグリーンシー1−」−にタングステンなど高融
点金属の導体配線を厚膜技術により印刷形成する。この
印刷されたグリーンシートを貼り合わせて積層した多層
のグリーンシートを約1500℃前後の高温非酸化雰囲
気で焼結する。このようにして得られたものである。し
かし、上述のようなアルミナ系の多層配線基板では、ア
ルミナの高い比誘電率と、微細化配線タングステン導体
の高い抵抗によって多層内配線を伝播する信号伝達時間
が長くなり、高速化の要望には応え難々)7た。
があった。アルミナを主材としてグリーンシートを形成
し、このグリーンシー1−」−にタングステンなど高融
点金属の導体配線を厚膜技術により印刷形成する。この
印刷されたグリーンシートを貼り合わせて積層した多層
のグリーンシートを約1500℃前後の高温非酸化雰囲
気で焼結する。このようにして得られたものである。し
かし、上述のようなアルミナ系の多層配線基板では、ア
ルミナの高い比誘電率と、微細化配線タングステン導体
の高い抵抗によって多層内配線を伝播する信号伝達時間
が長くなり、高速化の要望には応え難々)7た。
この問題を解決するためには、固有抵抗の低いAu、A
g、Ag−Pd、Cuなどで微細化配線を形成すればよ
いのであるが、これらの金属の融点が、アルミナの焼結
温度より低く、焼結以前に配線パターンが融解して表面
張力で収縮し断線するという問題があった。
g、Ag−Pd、Cuなどで微細化配線を形成すればよ
いのであるが、これらの金属の融点が、アルミナの焼結
温度より低く、焼結以前に配線パターンが融解して表面
張力で収縮し断線するという問題があった。
この問題を解決するため、誘電率が低く、焼結温度の比
較的低いガラス、あるいは、ガラスセラミックスを絶縁
材料として用いて形成された多層配線基板が、特公昭5
7−6257号公報、特開昭54−111517号公報
および特開昭59−178752号公報等に示されてい
る。しかしながら、このような多層配線基板においても
、絶縁+A科料中Na、に、Liなどのアルカリ金属系
元素を含んでいることから、マイグレーションが起きや
すく、絶縁性の点で難点があると言う問題がある。
較的低いガラス、あるいは、ガラスセラミックスを絶縁
材料として用いて形成された多層配線基板が、特公昭5
7−6257号公報、特開昭54−111517号公報
および特開昭59−178752号公報等に示されてい
る。しかしながら、このような多層配線基板においても
、絶縁+A科料中Na、に、Liなどのアルカリ金属系
元素を含んでいることから、マイグレーションが起きや
すく、絶縁性の点で難点があると言う問題がある。
この発明は、このような現状に鑑みて、配線抵抗が小さ
く、マイグレーションを起こす心配のない、しかも、誘
電率の低い多層配線基板を提供することを目的としてい
る。
く、マイグレーションを起こす心配のない、しかも、誘
電率の低い多層配線基板を提供することを目的としてい
る。
この発明は、このような目的を達成するために、重量百
分率でSi0245〜63%、AI、0318〜31%
、 (好ましくは18〜28%)。
分率でSi0245〜63%、AI、0318〜31%
、 (好ましくは18〜28%)。
MgO14〜28%、 (好ましくは18〜28%)、
Bzo32〜10%からなるガラス粉末を主成分として
60〜95重量%、石英ガラス粉末およびアルミナ粉末
のうち少なくとも1方を副成分として40〜5重量%含
むセラミック絶縁材料層と、低抵抗導体配線層とが交互
に積層されてなる多層配線基板を要旨とする。
Bzo32〜10%からなるガラス粉末を主成分として
60〜95重量%、石英ガラス粉末およびアルミナ粉末
のうち少なくとも1方を副成分として40〜5重量%含
むセラミック絶縁材料層と、低抵抗導体配線層とが交互
に積層されてなる多層配線基板を要旨とする。
以下に、この発明の詳細な説明する。
主成分として用いられるガラス粉末(DI下、「コーデ
ィエライト系ガラス粉末」と称する)は、SiO□、A
l□0.、MgOおよびl’32O3を前述のごとくに
配合してなるものであるから、誘電率がアルミナに比べ
低く、焼結温度も低抵抗金属導体、ずなわち、Au、A
gなどの融点よりも低くテ、しかも、マイグレーション
を起こす心配のあるNa、Liなどを含んでいないもの
であるこの主成分に対して副成分とし2て石英ガラス(
S i Oz )粉末を加えるようにすると、誘電率が
さらに低い絶縁材料層を得ることができる。また、副成
分としてアルミナ粉末を加えるようにすると、熱伝導率
が良くなる。このため、必要に応じて、誘電率、熱伝導
率を制御できるようになっている。
ィエライト系ガラス粉末」と称する)は、SiO□、A
l□0.、MgOおよびl’32O3を前述のごとくに
配合してなるものであるから、誘電率がアルミナに比べ
低く、焼結温度も低抵抗金属導体、ずなわち、Au、A
gなどの融点よりも低くテ、しかも、マイグレーション
を起こす心配のあるNa、Liなどを含んでいないもの
であるこの主成分に対して副成分とし2て石英ガラス(
S i Oz )粉末を加えるようにすると、誘電率が
さらに低い絶縁材料層を得ることができる。また、副成
分としてアルミナ粉末を加えるようにすると、熱伝導率
が良くなる。このため、必要に応じて、誘電率、熱伝導
率を制御できるようになっている。
以下に、この発明を、その実施例に基づいて詳しく説明
する。
する。
まず、通常のガラス製造法および粉砕法によって、重量
百分率でSIO245〜63%、A1゜0318〜31
%、MgO14〜28%(好ましくは16〜28%)、
Bz 032〜10%を満足するG−1〜G−6の6種
類のコーディエライト系ガラス粉末を用意した。この(
、−1〜G−6の6種類のコーディエライト系ガラス粉
末の組成比を第1表に示す。
百分率でSIO245〜63%、A1゜0318〜31
%、MgO14〜28%(好ましくは16〜28%)、
Bz 032〜10%を満足するG−1〜G−6の6種
類のコーディエライト系ガラス粉末を用意した。この(
、−1〜G−6の6種類のコーディエライト系ガラス粉
末の組成比を第1表に示す。
つぎに、所定の粒径の石英ガラス粉末あるいはアルミナ
粉末を用意し、前述の6つの主成分に第2表に示すよう
な組成比で加え、アクリル系樹脂、テトラエチレングリ
コール、アリルスルホン酸および水を加えてボールミル
で混練し、減圧下で脱泡処理してスリップを形成した。
粉末を用意し、前述の6つの主成分に第2表に示すよう
な組成比で加え、アクリル系樹脂、テトラエチレングリ
コール、アリルスルホン酸および水を加えてボールミル
で混練し、減圧下で脱泡処理してスリップを形成した。
このスリップを用いて、ドクタブレード法によりフィル
ムシート上に0.21厚の連続した乾燥シーl−を形成
した。この乾燥シートをフィルムシートからはがし、1
0cm角になるように打ち抜きしてグリーンシートを作
製した。このグリーンシーl−に常法に従いスルーホー
ルを形成し、このスルーホール中に低抵抗金属ペースト
を詰め込んで、さらに、グリーンシート上に低抵抗金属
ペーストで配線パターンをスクリーン印刷した。このよ
うにして準備した複数のシートを順次重ね合わせ、圧力
50kg/cnl、温度110℃の条件下で積層圧着し
た。この積層体を第1図にみるように、まず、毎時15
0°Cの速度で500℃まで昇温し、2時間45分その
ままで保持してグリーンシーI・中の有機物質を除去し
た。その後、毎時2O0 ’Cで所定の焼結温度1、ま
で昇温し、この焼結温度1.で2時間保持して、グリー
ンシートを焼結した。こののち、毎時110℃で400
℃まで降温し、以後放冷して多層配線基板を得た。この
ようにして得た実施例1〜8の多層配線基板の吸水率、
熱膨張率、誘電率および熱伝導率をそれぞれ測定し、比
較例のそれと併せて第2表に示す。
ムシート上に0.21厚の連続した乾燥シーl−を形成
した。この乾燥シートをフィルムシートからはがし、1
0cm角になるように打ち抜きしてグリーンシートを作
製した。このグリーンシーl−に常法に従いスルーホー
ルを形成し、このスルーホール中に低抵抗金属ペースト
を詰め込んで、さらに、グリーンシート上に低抵抗金属
ペーストで配線パターンをスクリーン印刷した。このよ
うにして準備した複数のシートを順次重ね合わせ、圧力
50kg/cnl、温度110℃の条件下で積層圧着し
た。この積層体を第1図にみるように、まず、毎時15
0°Cの速度で500℃まで昇温し、2時間45分その
ままで保持してグリーンシーI・中の有機物質を除去し
た。その後、毎時2O0 ’Cで所定の焼結温度1、ま
で昇温し、この焼結温度1.で2時間保持して、グリー
ンシートを焼結した。こののち、毎時110℃で400
℃まで降温し、以後放冷して多層配線基板を得た。この
ようにして得た実施例1〜8の多層配線基板の吸水率、
熱膨張率、誘電率および熱伝導率をそれぞれ測定し、比
較例のそれと併せて第2表に示す。
実施例1〜8はいずれも優れた結果を示した。
すなわち、主成分たるコーディエライト系ガラス粉末6
0〜95重量%、好ましくは70〜95重量%、副成分
たる石英ガラス粉末および/またはアルミナ粉末を40
〜5重量%、好ましくは30〜5重量%とじて形成され
た絶縁材料は、多層配線基板のセラミックス絶縁材料と
して求められる以下のような5つの条件をすべて満足さ
せるものであった。
0〜95重量%、好ましくは70〜95重量%、副成分
たる石英ガラス粉末および/またはアルミナ粉末を40
〜5重量%、好ましくは30〜5重量%とじて形成され
た絶縁材料は、多層配線基板のセラミックス絶縁材料と
して求められる以下のような5つの条件をすべて満足さ
せるものであった。
■ 低抵抗導体の融点より低い温度で焼成できる。
■ マイグレーションを起こす心配のあるNa、に、L
i等の元素を含まない。
i等の元素を含まない。
■ 誘電率が低い。
■ 熱膨張係数が30〜60 x 10−’、”cの範
囲でシリコンチップおよび金属導体とマツチングがとれ
る。
囲でシリコンチップおよび金属導体とマツチングがとれ
る。
■ 熱伝導率が良い。
比較例は、吸水率が非常に大きく、マイグレーションを
起こしたり絶縁性に問題がある。この例にみるように、
石英ガラス粉末またはアルミナ粉末が40%を越すと、
吸水率等の点で問題が生じるようになる。これらの粉末
が5%未満では添加効果が生じない。ちなみに、アルミ
ナセラミックスを絶縁材料として用いた場合の焼結温度
は1450°C〜1600°C1吸水率は0.1%以下
、誘電率は10.0、熱伝導率は0.04 cal/c
m−sec’cである。
起こしたり絶縁性に問題がある。この例にみるように、
石英ガラス粉末またはアルミナ粉末が40%を越すと、
吸水率等の点で問題が生じるようになる。これらの粉末
が5%未満では添加効果が生じない。ちなみに、アルミ
ナセラミックスを絶縁材料として用いた場合の焼結温度
は1450°C〜1600°C1吸水率は0.1%以下
、誘電率は10.0、熱伝導率は0.04 cal/c
m−sec’cである。
なお、吸水率の測定はJIS (、−2141に従っ
て行った。誘電率は周波数I M Hzでの値を測定し
た。熱伝導率はレーザーフラッシュ法によって測定した
。
て行った。誘電率は周波数I M Hzでの値を測定し
た。熱伝導率はレーザーフラッシュ法によって測定した
。
この発明の多層配線基板は、以上のように、絶縁層が、
重量百分率で5IO245〜63%、Al2O318〜
31%、MgO14〜28%、B2O32〜10%から
なるコーディエライト系ガラス粉末を主成分として60
〜95重量%、石英ガラスおよび/またはアルミナ粉末
を副成分として40〜5重量%含む絶縁材料で構成され
、低抵抗導体で配線層が形成されているので、誘電率が
低(、熱伝導率に優れ、かつ、マイグレーションが起こ
りにくい。そのため、■、S■搭載基板として用いた場
合に、高速演算処理を可能にすることができる。
重量百分率で5IO245〜63%、Al2O318〜
31%、MgO14〜28%、B2O32〜10%から
なるコーディエライト系ガラス粉末を主成分として60
〜95重量%、石英ガラスおよび/またはアルミナ粉末
を副成分として40〜5重量%含む絶縁材料で構成され
、低抵抗導体で配線層が形成されているので、誘電率が
低(、熱伝導率に優れ、かつ、マイグレーションが起こ
りにくい。そのため、■、S■搭載基板として用いた場
合に、高速演算処理を可能にすることができる。
第1図は、この発明にかかる多層配線基板の焼成プロフ
ィールを表すグラフである。 代理人 弁理士 松 本 武 彦 第1図 侍問
ィールを表すグラフである。 代理人 弁理士 松 本 武 彦 第1図 侍問
Claims (1)
- (1)重量百分率でSiO_245〜63%、Al_2
O_318〜31%、MgO14〜28%、B_2O_
32〜10%からなるガラス粉末を主成分として60〜
95重量%、石英ガラス粉末およびアルミナ粉末のうち
少なくとも1方を副成分として40〜5重量%含むセラ
ミック絶縁材料層と、低抵抗導体配線層とが交互に積層
されてなる多層配線基板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18800585A JPS6247198A (ja) | 1985-08-27 | 1985-08-27 | 多層配線基板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18800585A JPS6247198A (ja) | 1985-08-27 | 1985-08-27 | 多層配線基板 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6247198A true JPS6247198A (ja) | 1987-02-28 |
JPH0250638B2 JPH0250638B2 (ja) | 1990-11-02 |
Family
ID=16215974
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP18800585A Granted JPS6247198A (ja) | 1985-08-27 | 1985-08-27 | 多層配線基板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6247198A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6451346A (en) * | 1987-08-18 | 1989-02-27 | Asahi Glass Co Ltd | Glass ceramic composition |
JPH0287558A (ja) * | 1988-09-24 | 1990-03-28 | Murata Mfg Co Ltd | Icチップ |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58156552A (ja) * | 1982-03-11 | 1983-09-17 | Nec Corp | 絶縁性セラミツクペ−スト用無機組成物 |
JPS599992A (ja) * | 1982-07-08 | 1984-01-19 | 株式会社日立製作所 | 多層配線基板の製造方法 |
JPS59130005A (ja) * | 1983-01-18 | 1984-07-26 | 旭硝子株式会社 | 厚膜回路絶縁層用組成物 |
JPS59178752A (ja) * | 1983-03-30 | 1984-10-11 | Hitachi Ltd | 多層配線基板 |
JPS61275161A (ja) * | 1985-05-29 | 1986-12-05 | 株式会社ノリタケカンパニーリミテド | 低温焼成多層セラミツク基板 |
-
1985
- 1985-08-27 JP JP18800585A patent/JPS6247198A/ja active Granted
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58156552A (ja) * | 1982-03-11 | 1983-09-17 | Nec Corp | 絶縁性セラミツクペ−スト用無機組成物 |
JPS599992A (ja) * | 1982-07-08 | 1984-01-19 | 株式会社日立製作所 | 多層配線基板の製造方法 |
JPS59130005A (ja) * | 1983-01-18 | 1984-07-26 | 旭硝子株式会社 | 厚膜回路絶縁層用組成物 |
JPS59178752A (ja) * | 1983-03-30 | 1984-10-11 | Hitachi Ltd | 多層配線基板 |
JPS61275161A (ja) * | 1985-05-29 | 1986-12-05 | 株式会社ノリタケカンパニーリミテド | 低温焼成多層セラミツク基板 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6451346A (en) * | 1987-08-18 | 1989-02-27 | Asahi Glass Co Ltd | Glass ceramic composition |
JPH0287558A (ja) * | 1988-09-24 | 1990-03-28 | Murata Mfg Co Ltd | Icチップ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0250638B2 (ja) | 1990-11-02 |
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