JPS5959636A - ３，４−ジフルオロ−４′−置換ビフエニル - Google Patents
３，４−ジフルオロ−４′−置換ビフエニルInfo
- Publication number
- JPS5959636A JPS5959636A JP16910082A JP16910082A JPS5959636A JP S5959636 A JPS5959636 A JP S5959636A JP 16910082 A JP16910082 A JP 16910082A JP 16910082 A JP16910082 A JP 16910082A JP S5959636 A JPS5959636 A JP S5959636A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- formula
- difluoro
- give
- liquid crystal
- compound shown
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Liquid Crystal Substances (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
木うれ明１ｒ、Ｌ 、ｉＦのｌ’ｔル市ｙ方１ゞ）・を
示す１カッζ＝１．な（１に品物ｔ）↓に四する。 液晶表示素子は腟品物γｊ１が有する九学兄方性及び誘
）■℃異方Ｐ１を利用１后゛；−ものてイ）るが、−そ
の表７」（方式（ｌ？ＸはＴＮ型、１）ｉｌｌ；す、グ
２．１・・ポス）・型、１） Ａ Ｐ型、ホワイト・テ
ィラー型るど各ＪＩ＋１１の方式があり、それぞれの方
式（ｔこより［小川さハる７１γ、晶物質に要求される
ｌ′ｌ；ｌｉ４、も異る。１・りえＵ、１′祿示素子の
イ（１す１ｊによって、＋’ｆ’ｊ品′１＝、シ目１と
１７でｉＦ’、ｚ ”Ｉｆ（５，Ｉ性力１′１：△εが
１１のものを必要としたり、ｆ′１のものをｌろ“□、
１．）、ｊとしブ（す、或ＶＪ： ’Ｃの中間的ｆ：ｒ
：ｌ的のものがＪ Ｌ ７’もすする。しかしいずれに
し王もｊ９１）１４さ′Ｉｌる／Ｉ：＋ｊ晶！Ｌｉり賀
ｔ：１−ｃきルタＱ）広い７．′、月ＩＪｌ ｉｊ ｊ
’１．囲で（（ダ晶相を示し、又水分、ｆ・・°（、空
気、光などりこ夕・１して安定で折、２、−ｃｌ・彎が
ある。功、在のととる）−１ｊ 、化合′吻でこの（−
１１：す榮件忙ずべて（１ｊ４たずものはなく、数４’
＋’）τの洩晶化イ’：ｒ１１７や非γｌ（＋１？＋化
汁′吻を混合して一応実用に耐え７ももの会・ｆ！ｊ−
Ｌいるσ〕が現状である。 ４１２近低１ｉ７＋（２０℃位）から６記（８（１”ｃ
位）斗で動作するような１１（晶ｔ（［成′吻が求〜’
）ｌ：）Ｊｔで
示す１カッζ＝１．な（１に品物ｔ）↓に四する。 液晶表示素子は腟品物γｊ１が有する九学兄方性及び誘
）■℃異方Ｐ１を利用１后゛；−ものてイ）るが、−そ
の表７」（方式（ｌ？ＸはＴＮ型、１）ｉｌｌ；す、グ
２．１・・ポス）・型、１） Ａ Ｐ型、ホワイト・テ
ィラー型るど各ＪＩ＋１１の方式があり、それぞれの方
式（ｔこより［小川さハる７１γ、晶物質に要求される
ｌ′ｌ；ｌｉ４、も異る。１・りえＵ、１′祿示素子の
イ（１す１ｊによって、＋’ｆ’ｊ品′１＝、シ目１と
１７でｉＦ’、ｚ ”Ｉｆ（５，Ｉ性力１′１：△εが
１１のものを必要としたり、ｆ′１のものをｌろ“□、
１．）、ｊとしブ（す、或ＶＪ： ’Ｃの中間的ｆ：ｒ
：ｌ的のものがＪ Ｌ ７’もすする。しかしいずれに
し王もｊ９１）１４さ′Ｉｌる／Ｉ：＋ｊ晶！Ｌｉり賀
ｔ：１−ｃきルタＱ）広い７．′、月ＩＪｌ ｉｊ ｊ
’１．囲で（（ダ晶相を示し、又水分、ｆ・・°（、空
気、光などりこ夕・１して安定で折、２、−ｃｌ・彎が
ある。功、在のととる）−１ｊ 、化合′吻でこの（−
１１：す榮件忙ずべて（１ｊ４たずものはなく、数４’
＋’）τの洩晶化イ’：ｒ１１７や非γｌ（＋１？＋化
汁′吻を混合して一応実用に耐え７ももの会・ｆ！ｊ−
Ｌいるσ〕が現状である。 ４１２近低１ｉ７＋（２０℃位）から６記（８（１”ｃ
位）斗で動作するような１１（晶ｔ（［成′吻が求〜’
）ｌ：）Ｊｔで
【〜ている。！持に低温ｐｉｌｌにおけ
る粘；Ｕの１１（、いものＶｃｌつい′Ｃの彎求が大き
い。 本発明の化合ｌ吻ｅま、’ｌ’与ＶＣ低７／１Ａ ｌ’
：’： Ｖ（二Ｉ’ｓ ｋ Ｊ ２３７（’ｉ晶嵌示の
改善のためにイずべＩ７に用いることかできるものであ
る。 即ち、本発明は一般式 （」二人中Ｒ←［炭素）、グ１〜１０をイｆするアルキ
ル基又はγノ１コキ７ノー１，１を７ドす）テｉ、４わ
されル４３ 、４−シフ ル、＋ｉ 「、ｒ −４’
−１ｆｌ’、ｊ換ヒフェニルである。 木星間の３，４−ジフルオロ−４７−メクチルビフー１
１− ニルｌｄ ｊｒ、、ｐ、 ２５．１〜２６．Ｊ
’に Ｎ−工点一］９．５℃の七ノト口し′ツク）
’！；を晶化？、 ’ｊ：；：Ｉ＋であ？ｉｌｋ粘件な
グにめ計晶シ１）載物の一成分として使用することによ
り、ネマチック液晶ｉ辞ＩＩ！、範囲を低モ１．＾ｆｔ
！ＩＩ ＋−ζ拡げか：）Ｉｌｔ、粘１′１□な液晶組
成物をイ：することができる。 りぎに本発明の］ＪＬ’７造法について述べる。 −４−ｊ’ ３．４−ジフルＡ自フロモベンゼンを金楓
マグネノウムと反応させ：３．４−ジフルオロベンゼン
マグネ／ウムブロミドとし、これを４−１１″讐換／ク
ロへキザノンと反応させ−１３１４−ジフルオロ−（４
′−１ｒｃＪｉ／クロへギザノー１′−メール）べ／ゼ
ンとする。次にこれを（１４’ （’、ｆ水バカバカリ
ウム水して３．４−ジフルオロ−（４’ −ｉＪｇ、４
／クロヘギセン−１′−イル）ベンゼンとする。これを
クロラニルで脱水素して３．４−ジフルオロ−４’−ｌ
■”挨ビフェニルをイ：Ｉる。 以」二を化学式で示すと、次のようになる１、以下、実
施例により本発明の化合物のＪＪｊＪ造法及び１小用例
についてさらに詳、Ｉｌｌ Ｖｃ説明する。 実施例 （２，４−ジフルオロ−４′−オクチルビフェニルの製
造〕 削り状マグネ／ラム１．２ ｆ （０，０４９モル）を
３つロフラスコに入れ、３，４−ジフルメロブロモベン
ゼン９．５ ＃ （０，０４９モル）をテトラビトロフ
ランに滑かした液２５＋１１７４を、Ｎ２気流中反応需
則を３５℃４テＰに１呆ち乃−からゆっくりとｊＦ、＋
ｌ・°［７ていくと反応して３時間でマグネ／ラムｔ
Ｊ、’ （ｆ：けてｐノーにηｋ）：３．４−ジフルオ
ロベンゼンマグネ／ウノ、プロミドを生じ−る。これに
４−オクチル／り「】ヘキサノンＢ、２．９ （０，０
３９モル）ヲテトンヒドロフランに溶かして５０ ｍｌ
としたものを、反応θ１λ１（１−を２０℃以下に１呆
らつつ速かにＭ’Ｆする。負、蝙下後１時間還？Ａ「、
させついで３Ｎ−塩酸１００ｎｌｌ！を加える１゜反応
液をｎ−ヘプタ７ ｋｌ）Ｏｉｌで８３回抽出１−．、
合わせた油層を洗液が中Ｖにになるまで水γノＩ： ｔ
〜、ｎ−ヘプタンを減ロミ留去する。残留しプＣ油４１
、ｌ向ｉｔ ３１４−ジフルオロ−（４′−オクチルシ
クロへキシル−１′−オール）ベンゼンであり、これに
（＋’、１１： ｆ’ｌ＋を水素カリウｌ、 ４１をＩ
Ｊｌｌえ、１４２爪流中Ｊ、６０℃で２時間脱水する。 冷却（ｌ Ｈ−ヘプタン２ ＋ｉｌ Ｏｍ ７を加え硫
「１安水素カリウムを瀘別し、ヘゲタン層欠σｒ’、
／Ｉ＆が中１（１−になる寸で水洗し、６’； ｌ）：
ｉ：’茫減１−ト留去する。残留物をｎ−へブタンとエ
タノールで１１■結晶してイｊｉらｉｌたのが３，４−
ジフルオロ−（４’−ｄクチルシクロヘキセン−１７−
イル）ベンゼンで、！＋ り 、このもの４．０．９
（０，０１３モル）をキ／レン１００ｍＩ！に溶かしク
ロラニル６．５．９ （０，０２６七ル）をカ１１え２
０時間還流する。冷却後トルエン５０ｍ１を加えアルカ
リ洗浄を行ない水洗を／ｌｊ′＋ｉこした１牽、溶媒を
留去する。ｎ−ヘプタンでｒＩ）結＊ｌ’＋ ｋ （Ｔ
’１． イ、目的の３゜４−ジフルオロ−４，′−オ
クチルビフェニルを？！ｆだ。 収量０．５１゜ その融点け２５．１〜２６．１℃、Ｎ −Ｉ）ｊｌ、
（ｄ−１９、５℃であった。 実施例２，３ 実施例１と同様の方法で次の化合・吻を慴た３、３＋４
−ジフルオロ−４′−ヘキ／ルビノエニルｍ、Ｔｌ、
２．０〜２．８ ”ｃ３＋４−ジフルオロ
−４７−ペンブルオキ７ヒ゛フコニニル ｍｊ＋、１６．Ｏ〜２２．６’（、’ 笑施１ジ１１４（使用例） トう°ンスー４−グロビルー （４′−シノーノフェニ
ル）シクロヘキザン ２４ワ ｌ−ランス−４−ベンチルー （４１−ノアノフェニル
）シクロヘキザン ３６俤 トランス−４−へブチル＝（４′−／アノフェニル）シ
クロヘキザン ２５係 トランス−４−ベンチルー（４／／、、−７アノビフエ
ニル）／クロヘキザン １５チ なる液晶組成物のネマチック温度範囲ｉｊ、−１０〜’
ｉ’ ２．１°Ｃであり、２０℃に訃ける粘１ｊ（１」
２ Ｂ を二ｐ１透１３ＪＪ“ｉｉｊ、４永をノイ（シ
、た 厚さ１０μｍのＴＮ士ルに１・１人したしきい値
山Ｆｆは１．７ Ｖ ｊ％和電圧１ｄ：２．ＩＶであっ
た。 コノモの９０部に木イと明の３．ｌ［−ジフルオロ−４
′−へキンルビフェニル１０部を加えた液晶組成物ノネ
マチツクｊ）、、＋ １．１１１ 、＋！、ｉ、 ）、
１．’ ５ ’／、ｌ°（、と１代−１・したものの２
０℃における本１ヨＩＪ−を２ ’７ Ｌ２ ｐしξ１
１）、７１．°ｌ、でき、」二へ己セルに封入し〆ζし
きい値ｉｉｊ圧ｅま”” ＶＸＦｒ、Ｑ １．１１７＋
ｉ。 圧１ｄ： ２，００ Ｖとｊｑ４巾１１ ’ｒｌｊ １
．Ｅ ’ａオさえる（とができた。 以 」二
る粘；Ｕの１１（、いものＶｃｌつい′Ｃの彎求が大き
い。 本発明の化合ｌ吻ｅま、’ｌ’与ＶＣ低７／１Ａ ｌ’
：’： Ｖ（二Ｉ’ｓ ｋ Ｊ ２３７（’ｉ晶嵌示の
改善のためにイずべＩ７に用いることかできるものであ
る。 即ち、本発明は一般式 （」二人中Ｒ←［炭素）、グ１〜１０をイｆするアルキ
ル基又はγノ１コキ７ノー１，１を７ドす）テｉ、４わ
されル４３ 、４−シフ ル、＋ｉ 「、ｒ −４’
−１ｆｌ’、ｊ換ヒフェニルである。 木星間の３，４−ジフルオロ−４７−メクチルビフー１
１− ニルｌｄ ｊｒ、、ｐ、 ２５．１〜２６．Ｊ
’に Ｎ−工点一］９．５℃の七ノト口し′ツク）
’！；を晶化？、 ’ｊ：；：Ｉ＋であ？ｉｌｋ粘件な
グにめ計晶シ１）載物の一成分として使用することによ
り、ネマチック液晶ｉ辞ＩＩ！、範囲を低モ１．＾ｆｔ
！ＩＩ ＋−ζ拡げか：）Ｉｌｔ、粘１′１□な液晶組
成物をイ：することができる。 りぎに本発明の］ＪＬ’７造法について述べる。 −４−ｊ’ ３．４−ジフルＡ自フロモベンゼンを金楓
マグネノウムと反応させ：３．４−ジフルオロベンゼン
マグネ／ウムブロミドとし、これを４−１１″讐換／ク
ロへキザノンと反応させ−１３１４−ジフルオロ−（４
′−１ｒｃＪｉ／クロへギザノー１′−メール）べ／ゼ
ンとする。次にこれを（１４’ （’、ｆ水バカバカリ
ウム水して３．４−ジフルオロ−（４’ −ｉＪｇ、４
／クロヘギセン−１′−イル）ベンゼンとする。これを
クロラニルで脱水素して３．４−ジフルオロ−４’−ｌ
■”挨ビフェニルをイ：Ｉる。 以」二を化学式で示すと、次のようになる１、以下、実
施例により本発明の化合物のＪＪｊＪ造法及び１小用例
についてさらに詳、Ｉｌｌ Ｖｃ説明する。 実施例 （２，４−ジフルオロ−４′−オクチルビフェニルの製
造〕 削り状マグネ／ラム１．２ ｆ （０，０４９モル）を
３つロフラスコに入れ、３，４−ジフルメロブロモベン
ゼン９．５ ＃ （０，０４９モル）をテトラビトロフ
ランに滑かした液２５＋１１７４を、Ｎ２気流中反応需
則を３５℃４テＰに１呆ち乃−からゆっくりとｊＦ、＋
ｌ・°［７ていくと反応して３時間でマグネ／ラムｔ
Ｊ、’ （ｆ：けてｐノーにηｋ）：３．４−ジフルオ
ロベンゼンマグネ／ウノ、プロミドを生じ−る。これに
４−オクチル／り「】ヘキサノンＢ、２．９ （０，０
３９モル）ヲテトンヒドロフランに溶かして５０ ｍｌ
としたものを、反応θ１λ１（１−を２０℃以下に１呆
らつつ速かにＭ’Ｆする。負、蝙下後１時間還？Ａ「、
させついで３Ｎ−塩酸１００ｎｌｌ！を加える１゜反応
液をｎ−ヘプタ７ ｋｌ）Ｏｉｌで８３回抽出１−．、
合わせた油層を洗液が中Ｖにになるまで水γノＩ： ｔ
〜、ｎ−ヘプタンを減ロミ留去する。残留しプＣ油４１
、ｌ向ｉｔ ３１４−ジフルオロ−（４′−オクチルシ
クロへキシル−１′−オール）ベンゼンであり、これに
（＋’、１１： ｆ’ｌ＋を水素カリウｌ、 ４１をＩ
Ｊｌｌえ、１４２爪流中Ｊ、６０℃で２時間脱水する。 冷却（ｌ Ｈ−ヘプタン２ ＋ｉｌ Ｏｍ ７を加え硫
「１安水素カリウムを瀘別し、ヘゲタン層欠σｒ’、
／Ｉ＆が中１（１−になる寸で水洗し、６’； ｌ）：
ｉ：’茫減１−ト留去する。残留物をｎ−へブタンとエ
タノールで１１■結晶してイｊｉらｉｌたのが３，４−
ジフルオロ−（４’−ｄクチルシクロヘキセン−１７−
イル）ベンゼンで、！＋ り 、このもの４．０．９
（０，０１３モル）をキ／レン１００ｍＩ！に溶かしク
ロラニル６．５．９ （０，０２６七ル）をカ１１え２
０時間還流する。冷却後トルエン５０ｍ１を加えアルカ
リ洗浄を行ない水洗を／ｌｊ′＋ｉこした１牽、溶媒を
留去する。ｎ−ヘプタンでｒＩ）結＊ｌ’＋ ｋ （Ｔ
’１． イ、目的の３゜４−ジフルオロ−４，′−オ
クチルビフェニルを？！ｆだ。 収量０．５１゜ その融点け２５．１〜２６．１℃、Ｎ −Ｉ）ｊｌ、
（ｄ−１９、５℃であった。 実施例２，３ 実施例１と同様の方法で次の化合・吻を慴た３、３＋４
−ジフルオロ−４′−ヘキ／ルビノエニルｍ、Ｔｌ、
２．０〜２．８ ”ｃ３＋４−ジフルオロ
−４７−ペンブルオキ７ヒ゛フコニニル ｍｊ＋、１６．Ｏ〜２２．６’（、’ 笑施１ジ１１４（使用例） トう°ンスー４−グロビルー （４′−シノーノフェニ
ル）シクロヘキザン ２４ワ ｌ−ランス−４−ベンチルー （４１−ノアノフェニル
）シクロヘキザン ３６俤 トランス−４−へブチル＝（４′−／アノフェニル）シ
クロヘキザン ２５係 トランス−４−ベンチルー（４／／、、−７アノビフエ
ニル）／クロヘキザン １５チ なる液晶組成物のネマチック温度範囲ｉｊ、−１０〜’
ｉ’ ２．１°Ｃであり、２０℃に訃ける粘１ｊ（１」
２ Ｂ を二ｐ１透１３ＪＪ“ｉｉｊ、４永をノイ（シ
、た 厚さ１０μｍのＴＮ士ルに１・１人したしきい値
山Ｆｆは１．７ Ｖ ｊ％和電圧１ｄ：２．ＩＶであっ
た。 コノモの９０部に木イと明の３．ｌ［−ジフルオロ−４
′−へキンルビフェニル１０部を加えた液晶組成物ノネ
マチツクｊ）、、＋ １．１１１ 、＋！、ｉ、 ）、
１．’ ５ ’／、ｌ°（、と１代−１・したものの２
０℃における本１ヨＩＪ−を２ ’７ Ｌ２ ｐしξ１
１）、７１．°ｌ、でき、」二へ己セルに封入し〆ζし
きい値ｉｉｊ圧ｅま”” ＶＸＦｒ、Ｑ １．１１７＋
ｉ。 圧１ｄ： ２，００ Ｖとｊｑ４巾１１ ’ｒｌｊ １
．Ｅ ’ａオさえる（とができた。 以 」二
Claims (2)
- （１）一般式 ％式％ ・・べ↑ラー、］−・ （上式中Ｒｉ′Ｊ炭素数１〜１５を１１−するｒルキル
基又はｒルコキシ基を示す）で岩わさＪする；つ、４−
ジフルオロ−４′−（〆ｆ： １１．ＩＩビフェニル、
。 - （２）（ｃｌ乏技 、Ｆ Ｒ−Ｃ−ラー〇−・ （」、式中Ｒｔｉｔ炭素数１〜１５をイＪする〕゛ルキ
ル裁又（：１−アルコキノ茫荀示す）で＞１．、：わさ
れる３、４−ジフル岡ロー４ ’ −ＩＡ’（４ｆ２３
ビフエニルヲ少々＜ トモＪｔｌｒ。 含有することをＶ−１゛肯′１（と１−る液晶＋ｔ：ｌ
Ｉ成ｌ吻。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16910082A JPS5959636A (ja) | 1982-09-28 | 1982-09-28 | ３，４−ジフルオロ−４′−置換ビフエニル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16910082A JPS5959636A (ja) | 1982-09-28 | 1982-09-28 | ３，４−ジフルオロ−４′−置換ビフエニル |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5959636A true JPS5959636A (ja) | 1984-04-05 |
| JPH0216737B2 JPH0216737B2 (ja) | 1990-04-18 |
Family
ID=15880305
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16910082A Granted JPS5959636A (ja) | 1982-09-28 | 1982-09-28 | ３，４−ジフルオロ−４′−置換ビフエニル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5959636A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4695398A (en) * | 1985-03-12 | 1987-09-22 | Chisso Corporation | Cyclohexane derivative |
| US4822519A (en) * | 1986-09-01 | 1989-04-18 | Chisso Corporation | Nematic liquid crystal composition |
-
1982
- 1982-09-28 JP JP16910082A patent/JPS5959636A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4695398A (en) * | 1985-03-12 | 1987-09-22 | Chisso Corporation | Cyclohexane derivative |
| US4822519A (en) * | 1986-09-01 | 1989-04-18 | Chisso Corporation | Nematic liquid crystal composition |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0216737B2 (ja) | 1990-04-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS5959636A (ja) | ３，４−ジフルオロ−４′−置換ビフエニル | |
| JPS5980652A (ja) | ３−クロル−４−シアノフエニル４−置換ベンゾエ−ト類 | |
| JPS6313411B2 (ja) | ||
| JP3186225B2 (ja) | トラン誘導体及びそれを含有する液晶組成物及びそれを用いた液晶表示素子 | |
| JPS5916840A (ja) | ３−フルオロ−４−置換−〔トランス−４′−（トランス−４″−アルキルシクロヘキシル）シクロヘキシル〕ベンゼン | |
| JPS62195355A (ja) | シアノインダン誘導体化合物およびそれを用いた液晶組成物 | |
| JPS6332051B2 (ja) | ||
| JP2011068591A (ja) | ４環性アジン化合物 | |
| JP3882948B2 (ja) | 非対称アジン類 | |
| JP2743390B2 (ja) | シクロヘキシルシクロヘキセン環を有するフッ素系液晶化合物、その合成中間体及びこれらの化合物の製造方法 | |
| JP2000001463A (ja) | ４−シアノベンゼン誘導体の製造方法 | |
| JPH0432067B2 (ja) | ||
| JPS6084230A (ja) | １−トランス−４’−（トランス−４”−アルキルシクロヘキシル）シクロヘキシル−２−（４′′′−置換フエニル）エタン | |
| JPS6033822B2 (ja) | 液晶相を示す新規ジフエニルエステル | |
| JPH0338572A (ja) | ピリミジン誘導体 | |
| JPS6069049A (ja) | トランス，トランス−４−アルキル−４，−アルコキシビシクロヘキシル | |
| JPH0359884B2 (ja) | ||
| JPS5859930A (ja) | ４−〔トランス−４′−（トランス−４′′−アルキルシクロヘキシル）シクロヘキシル〕基を有するヨ−ドベンゼン誘導体 | |
| JP4314643B2 (ja) | フェニルトラン誘導体 | |
| JP2750468B2 (ja) | フツ素化合物 | |
| JPH0223540B2 (ja) | ||
| JPH0229055B2 (ja) | Jishikurohekishirubenzenjudotai | |
| JPS5916841A (ja) | ３−フルオロ−４−置換−〔４′−（トランス−４″−アルキルシクロヘキシル）シクロヘキセン−１′−イル〕ベンゼン | |
| JPH06298685A (ja) | ３，５−ジフルオロビフェニル誘導体 | |
| JPS63303969A (ja) | フェニルピリジン誘導体 |