JPH0432067B2 - - Google Patents
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- JPH0432067B2 JPH0432067B2 JP58160672A JP16067283A JPH0432067B2 JP H0432067 B2 JPH0432067 B2 JP H0432067B2 JP 58160672 A JP58160672 A JP 58160672A JP 16067283 A JP16067283 A JP 16067283A JP H0432067 B2 JPH0432067 B2 JP H0432067B2
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Landscapes
- Heterocyclic Carbon Compounds Containing A Hetero Ring Having Nitrogen And Oxygen As The Only Ring Hetero Atoms (AREA)
- Liquid Crystal Substances (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は正の誘電異方性を示す新規な液晶物質
及びそれを含有する液晶組成物に関する。
及びそれを含有する液晶組成物に関する。
液晶物質が有する光学異方性及び誘電異方性を
利用した液晶表示素子の表示方式にはTN型、
DS型、ゲスト−ホスト型、二周波法型、DAP
型、ホワイト・テイラー型などの各種の方式があ
り、それぞれの方式により使用される液晶物質に
要求される性質が異なる。例えば表示素子の種類
によつて、液晶物質として誘電異方性が正のもの
を必要としたり、負のものを必要としたり、或い
はその中間的な値のものが適したりする。そして
使用される液晶物質はできるだけ広い温度範囲で
液晶相を示し、又水分、熱、空気、光などに対し
て安定である必要がある。現在のところ単一化合
物でこの様な条件をすべて満たすものはなく、数
種の液晶化合物や非液晶化合物を混合して実用に
供している。
利用した液晶表示素子の表示方式にはTN型、
DS型、ゲスト−ホスト型、二周波法型、DAP
型、ホワイト・テイラー型などの各種の方式があ
り、それぞれの方式により使用される液晶物質に
要求される性質が異なる。例えば表示素子の種類
によつて、液晶物質として誘電異方性が正のもの
を必要としたり、負のものを必要としたり、或い
はその中間的な値のものが適したりする。そして
使用される液晶物質はできるだけ広い温度範囲で
液晶相を示し、又水分、熱、空気、光などに対し
て安定である必要がある。現在のところ単一化合
物でこの様な条件をすべて満たすものはなく、数
種の液晶化合物や非液晶化合物を混合して実用に
供している。
最近、広い温度範囲、すなわち低温から高温に
わたつて動作する液晶表示素子がますます要求さ
れる様になつてきた。更に表示素子を駆動させる
のに必要なしきい値電圧、飽和電圧をより低くで
きる液晶組成物が求められている。
わたつて動作する液晶表示素子がますます要求さ
れる様になつてきた。更に表示素子を駆動させる
のに必要なしきい値電圧、飽和電圧をより低くで
きる液晶組成物が求められている。
本発明の目的は液晶組成物の透明点を上昇さ
せ、また該液晶組成物を用いた液晶表示素子の駆
動電圧を低下させることができる新規な液晶化合
物を提供することである。
せ、また該液晶組成物を用いた液晶表示素子の駆
動電圧を低下させることができる新規な液晶化合
物を提供することである。
本発明の第一は、一般式
(式中、XまたはYのいずれか一方は炭素数1〜
15のアルキル基又はアルコキシ基を示し、他方は
はフツ素を示す。)で表わされる3−(p−置換フ
エニル)−5−(p′−置換フエニル)イソオキサゾ
ールである。
15のアルキル基又はアルコキシ基を示し、他方は
はフツ素を示す。)で表わされる3−(p−置換フ
エニル)−5−(p′−置換フエニル)イソオキサゾ
ールである。
本発明の第二は、一般式(式中、XとYは前
記の意味をもつ。)で表わされる3−(p−置換フ
ニエル)−5−(p′−置換フエニル)イソオキサゾ
ールを含有することを特徴とする液晶組成物であ
る。
記の意味をもつ。)で表わされる3−(p−置換フ
ニエル)−5−(p′−置換フエニル)イソオキサゾ
ールを含有することを特徴とする液晶組成物であ
る。
本発明の化合物は、他の液晶化合物、例えばエ
ステル系、シツフ塩基系、ビフエニル系、フエニ
ルシクロヘキサン系、複素環系などの液晶化合物
との相溶性に優れ、他の液晶化合物と混合した組
成物を用いた液晶表示素子の使用上限温度を上昇
させ、また、その駆動電圧を低下させることがで
きる。
ステル系、シツフ塩基系、ビフエニル系、フエニ
ルシクロヘキサン系、複素環系などの液晶化合物
との相溶性に優れ、他の液晶化合物と混合した組
成物を用いた液晶表示素子の使用上限温度を上昇
させ、また、その駆動電圧を低下させることがで
きる。
これらの効果のほかに屈折率異方性(以下△n
と略記する)の大なることから、液晶セルの基板
間隔不均一による色むらが生じにくいという利点
もある。
と略記する)の大なることから、液晶セルの基板
間隔不均一による色むらが生じにくいという利点
もある。
次に本発明の化合物の製造法について述べる。
p−置換ベンズアルデヒドとp−置換アセトフエ
ノンとをエタノール水溶液中で水酸化ナトリウム
の存在下に加熱することにより、p−置換ベンザ
ル−p′−置換アセトフエノンをつくる。次いで、
この化合物をエタノール水溶液中で水酸化カリウ
ムの存在下、塩酸ヒドロキシルアミンと加熱する
ことにより、3−(p−置換フエニル)−5−
(p′−置換フエニル)イソオキサゾリンが得られ
る。さらにこのイソオキサゾリンを酢酸溶液中で
酸化クロムと加熱することにより、目的の3−
(p−置換フエニル)−5−(p′−置換フエニル)
イソオキサゾールが得られる。
p−置換ベンズアルデヒドとp−置換アセトフエ
ノンとをエタノール水溶液中で水酸化ナトリウム
の存在下に加熱することにより、p−置換ベンザ
ル−p′−置換アセトフエノンをつくる。次いで、
この化合物をエタノール水溶液中で水酸化カリウ
ムの存在下、塩酸ヒドロキシルアミンと加熱する
ことにより、3−(p−置換フエニル)−5−
(p′−置換フエニル)イソオキサゾリンが得られ
る。さらにこのイソオキサゾリンを酢酸溶液中で
酸化クロムと加熱することにより、目的の3−
(p−置換フエニル)−5−(p′−置換フエニル)
イソオキサゾールが得られる。
これを化学式で示すと次のようになる。
以下に実施例により本発明を更に詳細に説明す
る。
る。
実施例 1
3−(p−フルオロフエニル)−5−(p′−ヘキ
シルオキシフエニル)イソオキサゾール 3−(p−フルオロフエニル)−5−(p′−ヘキ
シルオキシフニエル)イソオキサゾリン5.0gを
酢酸200mlに溶解後、酸化クロム3.0gを加え、
80℃にて、1時間撹拌を行なつた。撹拌終了後、
反応溶液を氷水600mlにあけ、過により得た沈
澱をトルエン100mlに溶解させ、水洗水が中性に
なるまで洗浄した。次いでトルエンを減圧留去
し、残つた固体を酢酸エチルで3回再結晶して目
的の3−(p−フルオロフエニル)−5−(p′−ヘ
キシルオキシフエニル)イソオキサゾール1.6g
(32%)を得た。相転移点は、結晶−スメクチツ
ク点:88.0℃、スメクチツク−透明点:154.6℃
であつた。
シルオキシフエニル)イソオキサゾール 3−(p−フルオロフエニル)−5−(p′−ヘキ
シルオキシフニエル)イソオキサゾリン5.0gを
酢酸200mlに溶解後、酸化クロム3.0gを加え、
80℃にて、1時間撹拌を行なつた。撹拌終了後、
反応溶液を氷水600mlにあけ、過により得た沈
澱をトルエン100mlに溶解させ、水洗水が中性に
なるまで洗浄した。次いでトルエンを減圧留去
し、残つた固体を酢酸エチルで3回再結晶して目
的の3−(p−フルオロフエニル)−5−(p′−ヘ
キシルオキシフエニル)イソオキサゾール1.6g
(32%)を得た。相転移点は、結晶−スメクチツ
ク点:88.0℃、スメクチツク−透明点:154.6℃
であつた。
出発物質として用いた3−(p−フルオロフエ
ニル)−5−(p′−ヘキシルオキシフエニル)イソ
オキサゾリンは次の如くして製造した。
ニル)−5−(p′−ヘキシルオキシフエニル)イソ
オキサゾリンは次の如くして製造した。
(a) p−ヘキシルオキシベンズアルデヒド30.9g
とp−フルオロフエノン20.7gのエタノール溶
液150mlに水酸化ナトリウム16gの水溶液100ml
を加え3時間還流した。冷却後トルエン200ml
を加え、水洗水が中性になるまで洗浄した。次
いでトルエンを減圧留去した後、残渣をメタノ
ールで2回結晶してp−ヘキシルオキシベンザ
ル−p′−フルオロアセトフエノン33g(67%)
を得た:融点74℃。
とp−フルオロフエノン20.7gのエタノール溶
液150mlに水酸化ナトリウム16gの水溶液100ml
を加え3時間還流した。冷却後トルエン200ml
を加え、水洗水が中性になるまで洗浄した。次
いでトルエンを減圧留去した後、残渣をメタノ
ールで2回結晶してp−ヘキシルオキシベンザ
ル−p′−フルオロアセトフエノン33g(67%)
を得た:融点74℃。
(b) p−ヘルシルオキシベンザル−p′−フルオロ
アセトフエノン33gのエタノール溶液300mlに
塩酸ヒドロキシルアミ11g、水酸化カリウム20
gの水溶液100mlを加え3時間還流した。冷却
後、過し沈澱をトルエン100mlに溶解させ、
水洗水が中性になるまで洗浄した。次いでトル
エンを減圧留去した後、残渣をエタノールで2
回再結晶して3−(p−フルオロフエニル)−5
−(p′−ヘキシルオキシフエニル)イソオキサ
ゾリン8g(23%)を得た:融点104℃。
アセトフエノン33gのエタノール溶液300mlに
塩酸ヒドロキシルアミ11g、水酸化カリウム20
gの水溶液100mlを加え3時間還流した。冷却
後、過し沈澱をトルエン100mlに溶解させ、
水洗水が中性になるまで洗浄した。次いでトル
エンを減圧留去した後、残渣をエタノールで2
回再結晶して3−(p−フルオロフエニル)−5
−(p′−ヘキシルオキシフエニル)イソオキサ
ゾリン8g(23%)を得た:融点104℃。
実施例 2
3−(p−オクチルオキシフエニル)−5−
(p′−フルオロフエニル)イソオキサゾール 3−(p−オクチルオキシフエニル)−5−
(p′−フルオロフエニル)イソオキサゾリン2.8g
を用いて実施例1と同様な手順により、目的の3
−(p−オクチルオキシフエニル)−5−(p′−フ
ルオロフエニル)イソオキサゾール0.5g(18%)
を得た。相転移点は結晶−スメクチツク点:97.7
℃、スメクチツク−透明点:148.5℃であつた。
(p′−フルオロフエニル)イソオキサゾール 3−(p−オクチルオキシフエニル)−5−
(p′−フルオロフエニル)イソオキサゾリン2.8g
を用いて実施例1と同様な手順により、目的の3
−(p−オクチルオキシフエニル)−5−(p′−フ
ルオロフエニル)イソオキサゾール0.5g(18%)
を得た。相転移点は結晶−スメクチツク点:97.7
℃、スメクチツク−透明点:148.5℃であつた。
実施例 3(応用例)
トランス−4−プロピル−(4′−シアノフエニ
ル)シクロヘキサン 30%重量 トランス−4−ペンチル−(4′−シアノフエニ
ル)シクロヘキサン 40%重量 トランス−4−ヘプチル−(4′−シアノフエニ
ル)シクロヘキサン 30%重量 からなる組成の液晶混合物(以下Aと略す)のネ
マチツク−透明点は52℃、誘電異方性値(以下△
εと略す)は+11.2、光学異方性値(以下△nと
略す)は0.119である。液晶セルとして酸化ケイ
素をコーテイング、ラピング処理した酸化スズ透
明電極を有する基板を対向させて組み立てた電極
間隔が10μmのものを用意し、前記液晶組成物(A)
を封入して液晶セルとし、20℃でその特性を測定
したところ、しきい値電圧1.54V、飽和電圧
2.13Vであつた。
ル)シクロヘキサン 30%重量 トランス−4−ペンチル−(4′−シアノフエニ
ル)シクロヘキサン 40%重量 トランス−4−ヘプチル−(4′−シアノフエニ
ル)シクロヘキサン 30%重量 からなる組成の液晶混合物(以下Aと略す)のネ
マチツク−透明点は52℃、誘電異方性値(以下△
εと略す)は+11.2、光学異方性値(以下△nと
略す)は0.119である。液晶セルとして酸化ケイ
素をコーテイング、ラピング処理した酸化スズ透
明電極を有する基板を対向させて組み立てた電極
間隔が10μmのものを用意し、前記液晶組成物(A)
を封入して液晶セルとし、20℃でその特性を測定
したところ、しきい値電圧1.54V、飽和電圧
2.13Vであつた。
この液晶組成物(A)90重量部と本発明の実施例1
の3−(p−フルオロフエニル)−5−(p′−ヘキ
シルオキシフエニル)イソオキサゾール10重量部
とからなる組成物のネマチツク−透明点は56℃、
△εは+10.7、△nは0.128、この組成物を用い
た液晶セルのしきい値電圧は1.44V、飽和電圧は
2.03Vであつた。
の3−(p−フルオロフエニル)−5−(p′−ヘキ
シルオキシフエニル)イソオキサゾール10重量部
とからなる組成物のネマチツク−透明点は56℃、
△εは+10.7、△nは0.128、この組成物を用い
た液晶セルのしきい値電圧は1.44V、飽和電圧は
2.03Vであつた。
実施例 4(応用例)
実施例3の液晶組成物(A)90重量部と本発明の実
施例2の3−(p−オクチルオキシフエニル)−5
−(p′−フルオロフエニル)イソオキサゾール10
重量部とからなる組成物のネマチツク−透明点は
56℃、△εは+10.3、△nは0.122、該組成物を
用いた液晶セルのしきい値電圧は、1.51V、飽和
電圧は2.04Vであつた。
施例2の3−(p−オクチルオキシフエニル)−5
−(p′−フルオロフエニル)イソオキサゾール10
重量部とからなる組成物のネマチツク−透明点は
56℃、△εは+10.3、△nは0.122、該組成物を
用いた液晶セルのしきい値電圧は、1.51V、飽和
電圧は2.04Vであつた。
この様に本発明を適用して液晶表示素子のしき
い値電圧、飽和電圧を降下させることができた。
い値電圧、飽和電圧を降下させることができた。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 一般式 (式中、X又はYのいずれか一方は炭素数1〜15
のアルキル基又はアルコキシ基を示し、他方はフ
ツ素を示す)で表される3−(p−置換フエニル)
−5−(p′−置換フエニル)イソオキサゾール。 2 一般式 (式中、X又はYのいずれか一方は炭素数1〜15
のアルキル基又はアルコキシ基を示し、他方はフ
ツ素を示す)で表される3−(p−置換フエニル)
−5−(p′−置換フエニル)イソオキサゾールを
含有する液晶組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16067283A JPS6054375A (ja) | 1983-09-01 | 1983-09-01 | イソオキサゾ−ル類 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16067283A JPS6054375A (ja) | 1983-09-01 | 1983-09-01 | イソオキサゾ−ル類 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6054375A JPS6054375A (ja) | 1985-03-28 |
JPH0432067B2 true JPH0432067B2 (ja) | 1992-05-28 |
Family
ID=15719981
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP16067283A Granted JPS6054375A (ja) | 1983-09-01 | 1983-09-01 | イソオキサゾ−ル類 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6054375A (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10333113A (ja) * | 1997-06-03 | 1998-12-18 | Sharp Corp | 液晶化合物、液晶組成物および強誘電性液晶組成物、並びに液晶表示素子 |
KR19990011062A (ko) * | 1997-07-21 | 1999-02-18 | 손욱 | 이소옥사졸리딘 고리 함유 액정화합물 및 이를 포함하고 있는 액정 조성물 |
DE19953801A1 (de) | 1999-11-09 | 2001-05-10 | Clariant Gmbh | Isoxazol-Derivate und ihre Verwendung in flüssigkristallinen Mischungen |
US6579880B2 (en) | 2000-06-06 | 2003-06-17 | Ortho-Mcneil Pharmaceutical, Inc. | Isoxazoles and oxadiazoles as anti-inflammatory inhibitors of IL-8 |
KR100544347B1 (ko) * | 2003-12-11 | 2006-01-23 | 한국생명공학연구원 | 디아릴이소옥사졸계 화합물을 유효성분으로 함유하는 암 예방 및 치료용 약학적 조성물 |
-
1983
- 1983-09-01 JP JP16067283A patent/JPS6054375A/ja active Granted
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
CHEMICAL ABSTRACTS=1982 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6054375A (ja) | 1985-03-28 |
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