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JPS5947467B2 - 温度センサ−用半導体素子 - Google Patents

温度センサ−用半導体素子

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Publication number
JPS5947467B2
JPS5947467B2 JP56137408A JP13740881A JPS5947467B2 JP S5947467 B2 JPS5947467 B2 JP S5947467B2 JP 56137408 A JP56137408 A JP 56137408A JP 13740881 A JP13740881 A JP 13740881A JP S5947467 B2 JPS5947467 B2 JP S5947467B2
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JP
Japan
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collector
diffusion layer
temperature sensor
base
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JP56137408A
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昌明 神谷
芳和 小島
小次郎 田中
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Seiko Epson Corp
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Publication date
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は高い温度感度を有し、歩留まりのよい磁度セン
サー用半導体素子に関するものである。
従来より偏度を同らかの形で電気信号に変換できるトラ
ンスデユサ、つまシ温度センサーとしての役割は益々高
範囲に渡り、需要も急増の一途をたどつている。例えば
日常生活の中でのエア、コンディショナ(温風器)、ク
ーラ−)、冷蔵庫、電気ごたつ、電気毛布、さらに電子
レンジ、電気オープンなどの家庭用電気製品はその一部
である。接触型稠度センサーの主なものとしては、バイ
メタル、サーミスタ、P−n接合半導体、測温抵抗体、
熱電対、液体温度センサー、n−P接合トランジスタ等
が用いられている。特に集積回路化が容易で量産性に優
れたセンサーとしてはP−n接合半導体が有力であり、
その一例として我々は第1図に示すような構成の温度セ
ンサーICを使用している。
ここでは集積化のため、n型基板シリコンを用いた例に
ついて説明する。接合トランジスタ1に定電流(例えば
0、lpA程度)を流す電流回路2を接続すれば、接合
トランジスタ1のベース・エミッタ間電圧を温度検出電
圧りoutとした温度センサーを構成する。
伺、第1図中、3は電源電圧の変動に対して出力電圧一
定の定電圧回路を含んだ電源回路である。このシステム
において定電流回路2と定電圧回路を含む電源回路を低
消費電力化を主目的とするため相補型絶縁ゲート電界効
果型トランジスタ(似下C−MOSと略す)構造でIC
化すると、これに伴ない接合トランジスタ1としては第
2図に示すような構造でCMOSと同一プロセスで形成
できるn−P−nプレーナ−接合トランジスタが使用さ
れる。第2図aは最とも簡単なNPNプレーナ−シリコ
ン接合トランジスタの構造を示した断面図であシ、第2
図をは平面図である。
すなわち、前記トランジスタはN−シリコン基板4をコ
レクター、p−シリコン基板5をベース、N+拡散層8
をエミツタ一としている。第2図cにこのトランジスタ
の等価回路を示す。周ここで、7はp+チャネルカツト
、6はN+拡散、9は酸化絶縁膜、10は電極金属、1
1はベース・コレクター端子、12はエミツタ一端子で
ある。接合トランジスタのコレクター4とベース5を同
電位に接続した場合、ベース・エミツタ電流1はダイ万
−ドの電流電圧特性と同様にな9、(1)式で与えられ
る。
Ni真性キヤリア密度 N゜エミツタ注入効率 R :ボルツマン定数 e :単位電荷 V :ベース●エミツタ間電圧 A :接合トランジスタの形状及び少数キヤリアの拡散
距離によ9定まる定数よつて、ベース5、エミツタ8と
の間の電流電圧特性は第3図に示すような特性となり温
度によつて変化する。
ここでTl,T2,T,は温度であり、T1〉T2〉T
3の関係にある。このように、温度センシング素子をC
MOSプロセスで定電流回路、定電圧回路と同一チツプ
上に容易に製作することができ、制御用のチツプ輻度セ
ンサーとして広く応用されている。この場合P−N+接
合面積が、100×1001tm2でP−Well濃度
(ベース拡散濃度)5×1015at0ms,c:Rl
L3順方向一定電流0.1μAにおいて温度係数は、3
mV/℃程度が得られる。この接合トランジスタを用い
た泥度センサーの温度感度は、サーミスタを用いた温度
センサーの温度感度(15mVC)にくらべると低いと
いう欠点を有していたが、最近我々は、第4図aに示し
たような等価回路を有するトランジスタをダーリントン
接続した温度センサーによつて従来の2倍の泥度感度(
6mVC)を得、更に第4図bに示した3段接続のダー
リントントランジスタによる混度センサーでは、9mV
/℃の温度感度を得ることに成功した。(第4図c)し
かしながらそのばらつきは、第5図に示すように、ロッ
ド内で、l段で1mv以内であつたのに対し、2段では
2mV13段では5mVと増加し、またノイズに対する
安定性も、2段、3段と段数をふやすとともに急激に減
少し、3段接続では約1℃以上、つまリ10mV程度の
ゆらぎがあ9、高歩留まリで、ノイズに対して安定があ
るという。1段接続で得られた特性を失い改良の必要に
せまられていた。
そもそも多段構成の温度センサー用半導体素子において
、検出電圧のばらつき、ゆらぎの原因は、第4図aを参
照して説明すると、第1段目のトランジスタTRlにお
いてベース電流1ぃコレクタ電流1。との関係は、ここ
でβnは各トランジスタの電流増幅率である。
またトランジスタTR2においては、であるから仮にβ
1 =β2=100とすると、となりトランジスタTR
Iのベース電流値が極めて低くなる。
このためl段目のトランジスタTRlは2段目に較べ流
れるベース電流が大きく違うために、ノイズに対して敏
感になり、検出電圧をばらつかせる。また、一般に電流
増幅率βは値が大きい程ばらつきも大きくな9、これが
検出電圧そのもののばらつきをも大きくしている。従つ
て我我が求める温度センサーに用いる理想的なP−n接
合トランジスタの特性は、β=1なるトランジスタでダ
ーリントン接続したもので、IO=I?)=I″oであ
ることら望まれる。本発明はこのような欠点改良に鑑み
なされた構造的改良であジ、温度感度が高く、ばらつき
が小さく、ノイズに対して安定で、IC化に適した非常
に有力な温度センサー用半導体素子を提供するものであ
る。
以下、図面を用いて本発明の実施例を詳細に述べる。
前述のようにβを低減した温度センサー用、P一n接合
トランジスタを得るために成された本発明の第1の実施
例を第6図の構造断面図を用いて詳述する。
N−シリコン基板4をコレクター、p−シリコン基板5
をベース、N+拡散層8をエミツタ一として第2図aに
示す温度センサー用半導体素子の基本構造に加え、エミ
ツタとしてのN+拡散領域8の周辺にp+チヤネルカツ
ト13を介してN+拡散層14を設けてある。これを金
属配線10を通じて、コレクタとしてのN+拡散層6と
接続する。すなわちN+拡散層14は第2のコレクター
として機能し、エミツタ一から注入されたキヤリアの一
部は、新たに設けられた第2コレクターN+拡散層14
に吸いこまれるようになる。これを図式的に表わすと第
8図のごとくコレクターからベースへ電流(IclとI
c2)を戻す経路ができ、βを低減することができる。
このダブルコレクター(コレクターと第2のコレクタ)
を用いることによ9、我々は、検出電圧Vrefのばら
つきを約20%低減することができた。更にこのダブル
コレクノ一の威力を増し、ばらつきを低減させるために
成されたのが本発明の第2に示す構造で、第7図に示す
ごとく、エミツタ一N+拡散領域8よりも更に深い拡散
を施したN+拡散領域コレクター14を設けたものであ
る。向第6図、第7図の4はN一基板、6はN+拡散コ
レクター、13はp+チヤネルカツト、8はN+拡散エ
ミツタ一、本発明のポイントである14はN+拡散コレ
クター 12は酸化膜、10は電極金属11がコレクタ
ー、ベース端子、12がエミツタ一端子である。本発明
による第3の改善は前述したダブルコレクター領域14
を2段、3段、あるいは更に多段のダーリントン接続に
用いたものである。以上詳述したごとく、本発明の温度
センサー用半導体素子は、C−MOSプロセスで製造す
ることができ、IC化が容易なN−P−Nプレーナ接合
トランジスタを用いて構造的に、その電流増幅率βを低
減することにより、2段、3段あるいは更に多段のダー
リントン接続を施した場合、その検出電圧VOutのば
らつきをいつそう低減することができ、またノイズによ
るゆらぎを減少させ、歩留りを向上させることができる
これによる温度感度は、1段で3m/℃、2段で6mV
/℃3段で9mV/℃の高感度、高歩留ま9でノイズに
対して安定な混度センサー用半導体素子を提供するもの
である。伺本発明はシリコンNPN接合プレーナ−トラ
ンジスタを用いた温度センサーについて述べたが、PN
P接合トランジスタを用いても同様の効果を得ることが
でき、また他のシリコン以外の半導体材料においても同
様に実現可能である。
【図面の簡単な説明】
第1図は、接合トランジスタを用いた温度センサーの回
路例を示す図、第2図aは接合トランジスタを用いた温
度センサー用半導体素子の断面図第2図bは、その平面
図、第2図cは、それをあられしたトランジスタ記号を
示す図、第3図は、接合トランジスタのコレクターとベ
ース同電位にした場合の電流、電圧特性図、第4図aは
、接合トランジスタのダーリントン2段接続の接続図、
第4図bは、ダーリントン3段接続の接続図、第4図c
はトランジスタl段の場合とダーリントン2段接続と、
3段接続の場合のそれぞれの温度感度をあられすグラフ
、第5図は、ダーリントン接続の段数に対する検出電圧
のロッド内ばらつきの大きさをあられすグラフ、第6図
は、本発明による、接合型プレーナ−トランジスタの構
造断面図第7図は、本発明の第2の実施例の構造断面図
、第8図は、本発明のマルチコレクタトランジスタをダ
ーリントン接続した図である。 4・・・・・・N−シリコン基板コレクター領域、5・
・・・・・p−ウエルベース領域、6・・・・・・N+
拡散層、7・・・・・・p+拡散層、8・・・・・・N
+拡散領域エミツタ一領域、9・・・・・・酸化膜、1
0・・・・・・Al電極領域、11・・・・・・ベース
・コレクタ一端子、12・・・・・・エミツター端子。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 第1導電型の第1のコレクタとして動作する基板と
    、前記基板表面部分に形成された第2導電型のベース拡
    散層と、前記ベース拡散層内の表面部分に形成された第
    1導電型のエミッタ拡散層と、前記エミッタ拡散層の周
    囲のベース表面部分にチャンネルカットを介して設けら
    れた第2のコレクタとを備え、かつ前記第2のコレクタ
    の拡散の深さが、前記チャンネルカット及び前記エミッ
    タ拡散層の深さより深く構成されているプレーナー接合
    トランジスタを、複数個ダーリントン接続して成る温度
    センサー用半導体素子。 2 第2のコレクタと第1のコレクタとして動作する基
    板とが電極により接続されている特許請求の範囲第1項
    記載の温度センサー用半導体素子。
JP56137408A 1981-09-01 1981-09-01 温度センサ−用半導体素子 Expired JPS5947467B2 (ja)

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