JPS5839058A - 温度センサ−用半導体素子 - Google Patents
温度センサ−用半導体素子Info
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- JPS5839058A JPS5839058A JP13740981A JP13740981A JPS5839058A JP S5839058 A JPS5839058 A JP S5839058A JP 13740981 A JP13740981 A JP 13740981A JP 13740981 A JP13740981 A JP 13740981A JP S5839058 A JPS5839058 A JP S5839058A
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- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 11
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は高い温度感度を有し、歩留まりのよい温度セン
サー用半導体素子に関するものである。
サー用半導体素子に関するものである。
従来より温度を何らかの形で電気信号に変換できるトラ
ンスデエサ、つまり温度センサーとしての役割は益々高
範囲に渡り、濡要も急増の一途をたどっている0例えば
日常生活の中でのエア、コンディショナ(温風器、クー
ラー)、冷蔵庫、電気とたつ、電気毛布、さらに電子レ
ンジ、電気オーブンなどの家庭用電気製品はその一部で
ある。
ンスデエサ、つまり温度センサーとしての役割は益々高
範囲に渡り、濡要も急増の一途をたどっている0例えば
日常生活の中でのエア、コンディショナ(温風器、クー
ラー)、冷蔵庫、電気とたつ、電気毛布、さらに電子レ
ンジ、電気オーブンなどの家庭用電気製品はその一部で
ある。
接触鑞温度センサーの主なものとしては、バイメタル、
サーミスタ、P−%接合半導体、測温抵抗体、熱電対、
液体温度センサー1.、−p接合トランジスタ等が用い
らnている。
サーミスタ、P−%接合半導体、測温抵抗体、熱電対、
液体温度センサー1.、−p接合トランジスタ等が用い
らnている。
特に集積回路化が容重で量産性に優牡たセンサーとして
はP−%接合手導体が有力であシ、その−例として我々
は第1図に示すような構成の温度センサーxOを使用し
ている。ここでは集積化のため、%型基板シリコンを用
いた例について説明する。
はP−%接合手導体が有力であシ、その−例として我々
は第1図に示すような構成の温度センサーxOを使用し
ている。ここでは集積化のため、%型基板シリコンを用
いた例について説明する。
接合トランジスタ1に定電fi(例えば0.1Pム程度
) tR,す定電流回路2を接続すnば、接合トランジ
スタ10ベース、エミッタ間電圧tff1度検出電圧’
Vo%tとした温度センサーを構成する。尚、第1図中
、3は電源電圧の変動に対して出力電圧一定の定電圧回
路を含んだ電源回路である。このシステムにおいて定電
流回路2と定電圧回路を含む電源回路を低消費電力化を
主目的とするため相補型絶縁ゲート電界効果型トランジ
スタC以下、−MOEiと略す)構造で工0化すると、
こnに伴ない接合トランジスタ1としては第2図に示す
ような構造でCMOBと同一プロセスで形成できる5−
P−%プレーナー接合トランジスタが便用1f’Lる。
) tR,す定電流回路2を接続すnば、接合トランジ
スタ10ベース、エミッタ間電圧tff1度検出電圧’
Vo%tとした温度センサーを構成する。尚、第1図中
、3は電源電圧の変動に対して出力電圧一定の定電圧回
路を含んだ電源回路である。このシステムにおいて定電
流回路2と定電圧回路を含む電源回路を低消費電力化を
主目的とするため相補型絶縁ゲート電界効果型トランジ
スタC以下、−MOEiと略す)構造で工0化すると、
こnに伴ない接合トランジスタ1としては第2図に示す
ような構造でCMOBと同一プロセスで形成できる5−
P−%プレーナー接合トランジスタが便用1f’Lる。
第2図(p)は最とも簡単なMPMプレーナーシリコン
接合)ランジスタの構造を示した断面図であ6.82図
の)は平面図である。すなわち、前記トランジスタは舅
−シリコン基板4を;レフター、P−シリコン基板5を
ベース、舅+拡散層811C工建ツタ−としている。第
2図(6)にこのトランジスタの等価回路を示す、尚ζ
こて、7はP+チャネルカット、6は夏+拡散、9は酸
化絶縁膜、10は電極金属、11はベース。コレクタ一
端子、12はエミッタ一端子である。
接合)ランジスタの構造を示した断面図であ6.82図
の)は平面図である。すなわち、前記トランジスタは舅
−シリコン基板4を;レフター、P−シリコン基板5を
ベース、舅+拡散層811C工建ツタ−としている。第
2図(6)にこのトランジスタの等価回路を示す、尚ζ
こて、7はP+チャネルカット、6は夏+拡散、9は酸
化絶縁膜、10は電極金属、11はベース。コレクタ一
端子、12はエミッタ一端子である。
接合トランジスタのコレクター4とベース5tl−同電
位K11k続した場合、ベース、エミッタ電流工はダイ
オードの電流電圧特性と同様になシ、(1)式%式% (1) 旙(:真性キャリア密度 t&:エンツタ注入効率 R=ボルツマノ定数 l:単位電荷 ■=ペース。エミッタ間電圧 ム:接合トランジスタの形状及び少数キャリアの拡散距
離によシ定まる定数。
位K11k続した場合、ベース、エミッタ電流工はダイ
オードの電流電圧特性と同様になシ、(1)式%式% (1) 旙(:真性キャリア密度 t&:エンツタ注入効率 R=ボルツマノ定数 l:単位電荷 ■=ペース。エミッタ間電圧 ム:接合トランジスタの形状及び少数キャリアの拡散距
離によシ定まる定数。
よって、ベース5、エミッタ8との間のmat圧特性は
第3図に示すような特性となり温度によって変化する。
第3図に示すような特性となり温度によって変化する。
ここでτ1 m”禽 *Tmは温度であシ、?、>T
、>”jの関係にある。このように、温度センシング素
子’1−0M0Bプロセスで定電流回路、定電圧回路と
同一チップ上に容易に製作することができ、制御用の1
チップ温度センサーとして広く応用さnている。この場
合P−N十接合面積が、1100x100p”でP −
Wall濃度(ベース拡散濃度) 5 x 10”at
oms、conl 、順方向一定電流O01μムにおい
て温度係数は、3 m ”I / C程度が得らnる。
、>”jの関係にある。このように、温度センシング素
子’1−0M0Bプロセスで定電流回路、定電圧回路と
同一チップ上に容易に製作することができ、制御用の1
チップ温度センサーとして広く応用さnている。この場
合P−N十接合面積が、1100x100p”でP −
Wall濃度(ベース拡散濃度) 5 x 10”at
oms、conl 、順方向一定電流O01μムにおい
て温度係数は、3 m ”I / C程度が得らnる。
この接合トランジスタを用いた温度センサーの温度感度
はサーミスタを用いた温度センサーの温度感度(15m
V / ℃)に(らぺると、低いという欠点含有して
いたが、最近状々は、第4図−)に示したような等価回
路を有するトランジスタをダーリントン接続した温度セ
ンサーによって従来の2倍の温度感度(6m Vlo)
t−得、更に第4図中)に示した3段接続のダーリン
トントラ/ラスタによる温度センサーでは、9sV/C
の温度感度管得ることに成功した。
はサーミスタを用いた温度センサーの温度感度(15m
V / ℃)に(らぺると、低いという欠点含有して
いたが、最近状々は、第4図−)に示したような等価回
路を有するトランジスタをダーリントン接続した温度セ
ンサーによって従来の2倍の温度感度(6m Vlo)
t−得、更に第4図中)に示した3段接続のダーリン
トントラ/ラスタによる温度センサーでは、9sV/C
の温度感度管得ることに成功した。
(第4図(6)) Lかし表がらそのばらつきは、第5
図に示すように、pット内で、一段で1 m V以内で
あったのく対し、2段では2mV、3段では5gLvと
増加し、またノイズに対する安定性も、2段、3段と段
数をふやすとともに急激に減少し、3段接続では約1℃
以上、つまt) 10 m V程度のゆらぎがTo9、
高歩留tbでノイズに対して安定があるという。1段接
続で得られた特性を失い、改良の必要&C1壜らnてい
た。そまそも多段構成の温度センサー用半導体素子にお
いて、検出電圧のばらつき、ゆらぎの原因は、第4図に
)を参照して説明スると、第1段目のトランジス/TR
Iにおいてベース電流X讐、コレクタ電流工1oとの関
係は、 Il、=β、×工0.。0.。、 (2ここでβ5は各
トランジスタの電流増幅率である。また、トランジスタ
TR2においては、工1.=β、X工16.。。。(3
) であるから仮にβ、=β、=100とすると、となシト
ランジスタTRIのベース電流値が極めて低くなる。こ
のため1段目のトランジスタTR1は2段目に較べ流れ
るペース電流が大きく違うために、ノイズに対して敏感
になシ、検出電圧をばらつかせる。tた、一般に電流増
幅率βは値が大きい程ばらつきも大きくなり、こ扛が検
出電圧そのもののばらつきを大きくしている。従って我
々が求める温度センサーに用いる理想的なP−欝接合ト
ランジスタの特性は、β=1なるトランジスタでダーリ
ントン接続したもので、工、=工暫=工1.であること
が望まれる。
図に示すように、pット内で、一段で1 m V以内で
あったのく対し、2段では2mV、3段では5gLvと
増加し、またノイズに対する安定性も、2段、3段と段
数をふやすとともに急激に減少し、3段接続では約1℃
以上、つまt) 10 m V程度のゆらぎがTo9、
高歩留tbでノイズに対して安定があるという。1段接
続で得られた特性を失い、改良の必要&C1壜らnてい
た。そまそも多段構成の温度センサー用半導体素子にお
いて、検出電圧のばらつき、ゆらぎの原因は、第4図に
)を参照して説明スると、第1段目のトランジス/TR
Iにおいてベース電流X讐、コレクタ電流工1oとの関
係は、 Il、=β、×工0.。0.。、 (2ここでβ5は各
トランジスタの電流増幅率である。また、トランジスタ
TR2においては、工1.=β、X工16.。。。(3
) であるから仮にβ、=β、=100とすると、となシト
ランジスタTRIのベース電流値が極めて低くなる。こ
のため1段目のトランジスタTR1は2段目に較べ流れ
るペース電流が大きく違うために、ノイズに対して敏感
になシ、検出電圧をばらつかせる。tた、一般に電流増
幅率βは値が大きい程ばらつきも大きくなり、こ扛が検
出電圧そのもののばらつきを大きくしている。従って我
々が求める温度センサーに用いる理想的なP−欝接合ト
ランジスタの特性は、β=1なるトランジスタでダーリ
ントン接続したもので、工、=工暫=工1.であること
が望まれる。
本発明はこのような欠点改良に鑑みなされた構造的改良
であシ、温度感度が高く、ばらつきが小さく、ノイズに
対して安定で、工0化に適した非常圧有力な温度センサ
ー用半導体素子を提供するものである。
であシ、温度感度が高く、ばらつきが小さく、ノイズに
対して安定で、工0化に適した非常圧有力な温度センサ
ー用半導体素子を提供するものである。
以下、図面を用いて本発明の実施例を詳細に述べる。
本発明の電流増幅率βを低減した温度センサー用P−、
接合Fランジスタの一実施例を第6図(構造断面図)を
用いて詳述する0M−シリコン基板4t−コレクター、
P″″シリコンfi板5tペース、夏+拡散層8t−エ
ミッターとした第2図(ロ))の基本構造に加え、エミ
ッタとしての舅+拡散領域8の周辺に1これよシ深い拡
散長を持つ、P十拡散領域13t−形成する。これにょ
シェミッタ(N十拡散領域8)よ)注入されたキャリア
の一部はベース領域に到達する以前に消滅し、結果とし
て、コレクター電流が減少す。こnで、電流増幅率βを
低減させたことになる。
接合Fランジスタの一実施例を第6図(構造断面図)を
用いて詳述する0M−シリコン基板4t−コレクター、
P″″シリコンfi板5tペース、夏+拡散層8t−エ
ミッターとした第2図(ロ))の基本構造に加え、エミ
ッタとしての舅+拡散領域8の周辺に1これよシ深い拡
散長を持つ、P十拡散領域13t−形成する。これにょ
シェミッタ(N十拡散領域8)よ)注入されたキャリア
の一部はベース領域に到達する以前に消滅し、結果とし
て、コレクター電流が減少す。こnで、電流増幅率βを
低減させたことになる。
又、本発明の他の実施例として、第7図に示すように、
第6図の本発明の構造に加えて、第7図に示すように、
コレクターの働きをするN十拡散領域14(第2のコレ
クタ〕を設はベースに注入さ扛たキャリアーの一部ft
第2のコレクターから吸収し、ベースに返すことにより
、更に電流増幅率βを低減させるものである。
第6図の本発明の構造に加えて、第7図に示すように、
コレクターの働きをするN十拡散領域14(第2のコレ
クタ〕を設はベースに注入さ扛たキャリアーの一部ft
第2のコレクターから吸収し、ベースに返すことにより
、更に電流増幅率βを低減させるものである。
尚、鋪6図と第7図の4はM−基板、6はN十拡散コレ
クター、8はN十拡散エミッター、E2は酸化膜、10
は電極金属、11はコ、レクター、ベース端子、12は
エミッタ一端子である。13は本発明のβ低減のための
P十拡散領域、14は、同じくβ低減のために設けた夏
+拡散領域である。
クター、8はN十拡散エミッター、E2は酸化膜、10
は電極金属、11はコ、レクター、ベース端子、12は
エミッタ一端子である。13は本発明のβ低減のための
P十拡散領域、14は、同じくβ低減のために設けた夏
+拡散領域である。
更に、本発明の他の実施例は前述したβ低減のためのP
十拡散領域を設けたP−N接合プレーナートランジスタ
t−2段、3段、あるいは更に多段のダーリントン接続
に用いたものである。
十拡散領域を設けたP−N接合プレーナートランジスタ
t−2段、3段、あるいは更に多段のダーリントン接続
に用いたものである。
以上詳述したごとく、本発明は、0.−MOBプロセス
で製造することができ、工○化が答易なNPNプレーナ
接合トランジスタを用いた温度センサーにおいて、構造
的にその電流増幅率βを本発明の構造で低減することに
よシ、2段、3段あるいは更に多段のダーリントン接続
を施した場合、その検出電圧Vrefのばらつきを低減
することができ、またノイズによるゆらぎを減少させ、
歩留まシを向上させることができる。こ牡による温度感
度は、1段で3w*v/C124段で6憤v/℃、3段
で9 my / Cの高感度、高歩留まりでノイズに対
して安定な温度センサー用牛導体素手を提供するもので
ある。ここではシリコンKPM接合プレーナートランジ
スタを用いた温度センサーについて述べたが、P)IP
接合トッンジスタを用いても同様の効果を得ることがで
き、またシリコン以外の他の半導体材料においても同様
に実現可能である。
で製造することができ、工○化が答易なNPNプレーナ
接合トランジスタを用いた温度センサーにおいて、構造
的にその電流増幅率βを本発明の構造で低減することに
よシ、2段、3段あるいは更に多段のダーリントン接続
を施した場合、その検出電圧Vrefのばらつきを低減
することができ、またノイズによるゆらぎを減少させ、
歩留まシを向上させることができる。こ牡による温度感
度は、1段で3w*v/C124段で6憤v/℃、3段
で9 my / Cの高感度、高歩留まりでノイズに対
して安定な温度センサー用牛導体素手を提供するもので
ある。ここではシリコンKPM接合プレーナートランジ
スタを用いた温度センサーについて述べたが、P)IP
接合トッンジスタを用いても同様の効果を得ることがで
き、またシリコン以外の他の半導体材料においても同様
に実現可能である。
第1図は接合トランジスタを用いた従来の温度センナ−
の回路図。 第2図−)は接合トランジスタを用いた従来の温度セン
サー用牛導体素子の断面図。 第2図0)はその平面図。 第2図(6)はそれをあられしたトランジスタ記号を示
す図。 tIL3図は接合トランジスタのコレクターとベースを
同電位にした場合の電流、電圧特性図、第4図(α)は
従来の温度センサーとしての接合トランジスタのダーリ
ントン2段接続の接続図、第4図偵)は、従来の温度セ
ンサーとしてのダーリントン3段接続の接続図。 @4図(6)は、トランジスタ1段の場合と、ダーリン
トン2段接続と、3段接続の場合の温度感度をあられす
グラフ。 第5図はダーリントン接続の段数に対する検出電圧のロ
ット内ばらつきの大きさt−iられすグラフ、 第6図は本発明による温度センサー−実施例の構造断面
図、 第7図は本発明による温度センサーの他の実施例の構造
断面図である。 4゜。N−シリコン基板コレクタ領域 5.。
の回路図。 第2図−)は接合トランジスタを用いた従来の温度セン
サー用牛導体素子の断面図。 第2図0)はその平面図。 第2図(6)はそれをあられしたトランジスタ記号を示
す図。 tIL3図は接合トランジスタのコレクターとベースを
同電位にした場合の電流、電圧特性図、第4図(α)は
従来の温度センサーとしての接合トランジスタのダーリ
ントン2段接続の接続図、第4図偵)は、従来の温度セ
ンサーとしてのダーリントン3段接続の接続図。 @4図(6)は、トランジスタ1段の場合と、ダーリン
トン2段接続と、3段接続の場合の温度感度をあられす
グラフ。 第5図はダーリントン接続の段数に対する検出電圧のロ
ット内ばらつきの大きさt−iられすグラフ、 第6図は本発明による温度センサー−実施例の構造断面
図、 第7図は本発明による温度センサーの他の実施例の構造
断面図である。 4゜。N−シリコン基板コレクタ領域 5.。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 (1)第1導電盟の第1のコレクタとして動作する基板
と、前記基板表面部分に形成さnた第2導電型のペース
拡散層と、前記ペース拡散層内の表面部分に形成された
第2導電型の拡散層と、前記−拡散層内の表面部分に形
成さf′した第1導電呈のエミッタ拡散層とからなるプ
レーナー接合トランジスタを用いることを特徴とする温
度センサー用半導体素子。 (2プレーナー接合トラ/ジスタ’tw数個ダーリント
ン接続したことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載
の温度センサー用半導体素子。 (3)拡散層の周囲のペース表面部分にaI2のコレク
タを設けたことt−特徴とする特許請求の範囲第1項ま
たは第2項記載の温度センサー用半導体素子。 (4)拡散層の拡散の深さと、第2のコレクタの拡散の
深さとが同程度であることt’特徴とする特許請求の範
囲第3項記載の温度センサー用半導体素子。 (5)第2のコレクタと第1のコレクタとして動作する
基板とが電極によ)接続されていることを特徴とする特
許請求の範囲第4項記載の温度センサー用半導体素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13740981A JPS5839058A (ja) | 1981-09-01 | 1981-09-01 | 温度センサ−用半導体素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13740981A JPS5839058A (ja) | 1981-09-01 | 1981-09-01 | 温度センサ−用半導体素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5839058A true JPS5839058A (ja) | 1983-03-07 |
Family
ID=15197962
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13740981A Pending JPS5839058A (ja) | 1981-09-01 | 1981-09-01 | 温度センサ−用半導体素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5839058A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04138235A (ja) * | 1990-09-29 | 1992-05-12 | Seikosha Co Ltd | 自動成形方法 |
JP5220947B1 (ja) * | 2012-10-16 | 2013-06-26 | シグマツクス株式会社 | 射出成形機監視装置 |
-
1981
- 1981-09-01 JP JP13740981A patent/JPS5839058A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04138235A (ja) * | 1990-09-29 | 1992-05-12 | Seikosha Co Ltd | 自動成形方法 |
JP5220947B1 (ja) * | 2012-10-16 | 2013-06-26 | シグマツクス株式会社 | 射出成形機監視装置 |
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