JPS5940312B2 - 光半導体用レンズキヤツプの製造方法 - Google Patents
光半導体用レンズキヤツプの製造方法Info
- Publication number
- JPS5940312B2 JPS5940312B2 JP54095237A JP9523779A JPS5940312B2 JP S5940312 B2 JPS5940312 B2 JP S5940312B2 JP 54095237 A JP54095237 A JP 54095237A JP 9523779 A JP9523779 A JP 9523779A JP S5940312 B2 JPS5940312 B2 JP S5940312B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lens
- metal shell
- glass
- graphite jig
- manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 10
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 37
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 32
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims description 25
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims description 25
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 5
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims description 4
- 239000006060 molten glass Substances 0.000 description 11
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 7
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 4
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 3
- 230000001603 reducing effect Effects 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910017709 Ni Co Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003267 Ni-Co Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003262 Ni‐Co Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910000833 kovar Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は光導電素子、発光ダイオード等の光半導体素子
を気密封入すると共に、レンズ機能も有するレンズキャ
ップの製造方法に関するものである。
を気密封入すると共に、レンズ機能も有するレンズキャ
ップの製造方法に関するものである。
一般に、発光ダイオードやホトトランジスタ、ＬＡＳＣ
Ｒなどの光半導体素子を有する光半導体装置は、第１図
に示すような構造のものが多い。
Ｒなどの光半導体素子を有する光半導体装置は、第１図
に示すような構造のものが多い。
この第１図に於て、１はステム、２はステム１上に固定
された光半導体素子、３はステム１にガラス４で気密に
封された外部リード線、５は外部リード線３と光半導体
素子２を接続する細線であり、６はステム１上に気密に
固定されたレンズキャップである。このレンズキャップ
６は金属シェルＴにガラスレンズ８を封着した構造を有
する。つまり、金属シェルＴは筒状部７ａと、筒状部７
ａの下端外周縁に一体形成した下部フランジＴｂと、筒
状部Ｔａの上端内周縁に一体形成した上部フランジ７ｃ
で構成され、上部フランジ７ｃの内周端面でレンズ封着
穴９が形成され、このレンズ封着穴、９にガラス円板を
融着して溶融ガラスの表面張力で所定の球面形状のガラ
スレンズ８が形成される。そして、下部フランジ７ｂが
ステム１上に抵抗溶接等で気密に固定される。ところで
、金属シェルＴはコバール（Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金）な
どの金属が一般に使用され、ガラスレンズ８は硼硅酸ガ
ラスなどが使用されている。
された光半導体素子、３はステム１にガラス４で気密に
封された外部リード線、５は外部リード線３と光半導体
素子２を接続する細線であり、６はステム１上に気密に
固定されたレンズキャップである。このレンズキャップ
６は金属シェルＴにガラスレンズ８を封着した構造を有
する。つまり、金属シェルＴは筒状部７ａと、筒状部７
ａの下端外周縁に一体形成した下部フランジＴｂと、筒
状部Ｔａの上端内周縁に一体形成した上部フランジ７ｃ
で構成され、上部フランジ７ｃの内周端面でレンズ封着
穴９が形成され、このレンズ封着穴、９にガラス円板を
融着して溶融ガラスの表面張力で所定の球面形状のガラ
スレンズ８が形成される。そして、下部フランジ７ｂが
ステム１上に抵抗溶接等で気密に固定される。ところで
、金属シェルＴはコバール（Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金）な
どの金属が一般に使用され、ガラスレンズ８は硼硅酸ガ
ラスなどが使用されている。
又、ガラスレンズ８の封着形成は、金属シェル７の上部
フランジＴｃ上に透明ガラス円板を載置し、このガラス
円板を加熱溶融することにより行゛つている。しかし、
金属シェル７の金属面とガラスとのなじみは非常に悪く
、従つて、金属シェル７の上部フランジＴｃ・にガラス
円板を単に溶着させるだけでは、ガラスレンズ８の封着
強度や気密性に不良が発生する。そこで、従来は金属シ
ヨ エル７とガラスとのなじみを良くするため、金属シ
ェル□の全表面に予め酸化膜を形成して、次の要領でレ
ンズキャップ６を製造していた。即ち、第２図に示すよ
うに、平板状の下部グラファイト治具１０上に予備酸化
した金属シェル７、の上部フランジＴｃ上に所定寸法の
ガラス円板１１を載せておく。
フランジＴｃ上に透明ガラス円板を載置し、このガラス
円板を加熱溶融することにより行゛つている。しかし、
金属シェル７の金属面とガラスとのなじみは非常に悪く
、従つて、金属シェル７の上部フランジＴｃ・にガラス
円板を単に溶着させるだけでは、ガラスレンズ８の封着
強度や気密性に不良が発生する。そこで、従来は金属シ
ヨ エル７とガラスとのなじみを良くするため、金属シ
ェル□の全表面に予め酸化膜を形成して、次の要領でレ
ンズキャップ６を製造していた。即ち、第２図に示すよ
うに、平板状の下部グラファイト治具１０上に予備酸化
した金属シェル７、の上部フランジＴｃ上に所定寸法の
ガラス円板１１を載せておく。
次に金属シェルＴの筒状部７ａの外径よりやや大きな内
径の穴１２を下面に有する上部グラフアイト治具１３を
被せ、穴１２に金属シエル７を嵌挿し、又、上部グラフ
アイト治具１３の下端で下部フランジ７ｂを押える。こ
の状態に於て、ガラス円板１１を加熱溶融させると、溶
融ガラスのーー部はレンズ封着穴９を垂れ下つて表面張
力で湾曲し、又、溶融ガラスの上部は上部フランジ７ｃ
上に表面張力で湾曲して溶着されて、第２図鎖線形状の
ガラスレンズが形成される。しかし、この従来方法には
次の欠点があつた。
径の穴１２を下面に有する上部グラフアイト治具１３を
被せ、穴１２に金属シエル７を嵌挿し、又、上部グラフ
アイト治具１３の下端で下部フランジ７ｂを押える。こ
の状態に於て、ガラス円板１１を加熱溶融させると、溶
融ガラスのーー部はレンズ封着穴９を垂れ下つて表面張
力で湾曲し、又、溶融ガラスの上部は上部フランジ７ｃ
上に表面張力で湾曲して溶着されて、第２図鎖線形状の
ガラスレンズが形成される。しかし、この従来方法には
次の欠点があつた。
つまり、ガラスレンズ８の形状と、金属シエル７との気
密性は金属シエル７表面の予備酸化膜の量に大きく影響
を受ける。例えば、この予備酸化膜の量が少ない場合、
レンズ形状を問題なく出せるが、気密不良を誘発する。
そのため、予備酸化膜の量を十分に多くとつて、気密不
良を防止しているが、この場合はレンズ形状が不安定に
なる欠点があつた。即ち、従来は第２図に示した如く、
金属シエル７の内面を解放した状態でガラス円板１１を
レンズ封着穴９周縁の上部フランジ７ｃに溶着していた
。この時、金属シエル７の予備酸化膜の量を多くしてガ
ラスとのなじみ性を良くしておくと、溶融ガラスは上部
フランジ７ｃの下面から筒状部７ａの内周面にまで沿つ
て流れ、第３図に示すような形状不良のガラスレンズ８
が形成されることがあつた。本発明は上記従来の欠点に
鑑み、これを改良、除去したもので、封着治具の形状改
良により、金属シエル７の予備酸化膜の量を増大させて
も、所定のレンズ形状を確保できる製造方法を提供する
。
密性は金属シエル７表面の予備酸化膜の量に大きく影響
を受ける。例えば、この予備酸化膜の量が少ない場合、
レンズ形状を問題なく出せるが、気密不良を誘発する。
そのため、予備酸化膜の量を十分に多くとつて、気密不
良を防止しているが、この場合はレンズ形状が不安定に
なる欠点があつた。即ち、従来は第２図に示した如く、
金属シエル７の内面を解放した状態でガラス円板１１を
レンズ封着穴９周縁の上部フランジ７ｃに溶着していた
。この時、金属シエル７の予備酸化膜の量を多くしてガ
ラスとのなじみ性を良くしておくと、溶融ガラスは上部
フランジ７ｃの下面から筒状部７ａの内周面にまで沿つ
て流れ、第３図に示すような形状不良のガラスレンズ８
が形成されることがあつた。本発明は上記従来の欠点に
鑑み、これを改良、除去したもので、封着治具の形状改
良により、金属シエル７の予備酸化膜の量を増大させて
も、所定のレンズ形状を確保できる製造方法を提供する
。
．以下本発明を図面を参照して説明する。いま本発明を
第１図に示したレンズキヤツプ６の製造に適用した場合
、第４図に示すような下部グラフアイト治具１４と上部
グラフアイト治具１５を使用する。
第１図に示したレンズキヤツプ６の製造に適用した場合
、第４図に示すような下部グラフアイト治具１４と上部
グラフアイト治具１５を使用する。
この下部グラフアイト治具１４は上面に金属シエル７の
下部フランジ７ｂの外径よりやや大きい外径と、筒状部
７ａの内径よりやや小さい内径と、筒状部７ａの高さよ
り大きい深さの筒状溝１６を有する。又、この筒状溝１
６で囲まれた円柱状部分１７の上面には金属シエル７
・のレンズ封着穴９に対応する大きさのレンズ逃げ穴１
８が形成されている。又、上部グラフアイト治具１５は
筒状溝１６の外径よりやや小さい外径と、金属シエル７
の筒状部７ａの外径よりやや大きい内径の筒状体で構成
されている。尚、各治具をグラフアイト（或はカーボン
）製にする理由は、グラフアイト面を予備酸化膜面に接
触させて全体加熱すると、グラフアイト面には溶融ガラ
スがなじみ難く、しかもグラフアイト面は予備酸化膜に
対して還元性があつて、予備酸化膜を還元除去する作用
があるためである。次に上記各治具１４，１５によるレ
ンズキヤツプ６の製造要領を説明する。
下部フランジ７ｂの外径よりやや大きい外径と、筒状部
７ａの内径よりやや小さい内径と、筒状部７ａの高さよ
り大きい深さの筒状溝１６を有する。又、この筒状溝１
６で囲まれた円柱状部分１７の上面には金属シエル７
・のレンズ封着穴９に対応する大きさのレンズ逃げ穴１
８が形成されている。又、上部グラフアイト治具１５は
筒状溝１６の外径よりやや小さい外径と、金属シエル７
の筒状部７ａの外径よりやや大きい内径の筒状体で構成
されている。尚、各治具をグラフアイト（或はカーボン
）製にする理由は、グラフアイト面を予備酸化膜面に接
触させて全体加熱すると、グラフアイト面には溶融ガラ
スがなじみ難く、しかもグラフアイト面は予備酸化膜に
対して還元性があつて、予備酸化膜を還元除去する作用
があるためである。次に上記各治具１４，１５によるレ
ンズキヤツプ６の製造要領を説明する。
まず下部グラフアイト治具１４の筒状溝１６に予備酸化
を十分にした金属シエル７の下部フランジ７ｂと筒状部
７ａを嵌挿する。すると金属シエル７の上部フランジ７
ｃの下面が下部グラフアイト治具１４の円柱状部分１７
の上端面に接触し、レンズ封着穴９とレンズ逃げ穴１８
が一致する。つまり、金属シエル７は内面が円柱状部分
１７の上端面及び周向に接触して保持される。次に、金
属シエル７の上部フランジ７ｃ上にガラス円板１１を載
置し、他方、筒状溝１６に上部グラフアイト治具１５を
嵌挿して、上部グラフアイト治具１５を金属シエル７の
下部フランジ７ｂ上に載せる。これが第４図に示す状態
で、この時、上部グラフアイト治具１５は金属シエル７
を押える錘りとして作用し、上部フランジ７ｃの下面を
下部グラフアイト治具１４の円柱状部分１７の上端面に
圧接させると共に、筒状部７ａの外周面に近接する。そ
して、この状態に於て、全体を窒素等の中性ガスや、弱
還元性ガスの雰囲気中に入れて、約１０００℃に加熱す
る。すると、ガラス円板１１が溶融して、第５図に示す
ように、金属シエル７のレンズ封着穴９の周縁にガラス
レンズ８が所定の形状で形成される。つまり、金属シエ
ル７の予備酸化膜の量が多くても、上部フランジ７ｃの
下面は下部グラフアイト治具１４の円柱状部分１７の上
端面に接触して、而も還元されるため、この土部フラン
ジ７ｃの下面には溶融ガラスがなじまず、溶融ガラスは
レンズ逃げ穴１８へ逃げて、ここで表面張力により所定
の大きさに湾曲する。又、上部フランジ７ｃの上面の酸
化膜は還元されないため、ここに溶融ガラスは強くなじ
んで封着され、気密性が確保される。又２筒状部７ａの
外周面には上部グラフアイト治具１５が近接しているた
め、溶融ガラスが筒状部７ａの外周面を流れ落ちること
はなく、従つて、上部フランジ７ｃ上にも表面張力で溶
融ガラスが盛り上り、所定形状のガラスレンズ８が形成
される。尚、下部グラフアイト治具１４と上部ゲラフア
イト治具１５の形状は上記例に限らず、要は金属シエル
７の内面と、レンズ封着面を除く外面の要部に接触や近
接する形状であればよい。
を十分にした金属シエル７の下部フランジ７ｂと筒状部
７ａを嵌挿する。すると金属シエル７の上部フランジ７
ｃの下面が下部グラフアイト治具１４の円柱状部分１７
の上端面に接触し、レンズ封着穴９とレンズ逃げ穴１８
が一致する。つまり、金属シエル７は内面が円柱状部分
１７の上端面及び周向に接触して保持される。次に、金
属シエル７の上部フランジ７ｃ上にガラス円板１１を載
置し、他方、筒状溝１６に上部グラフアイト治具１５を
嵌挿して、上部グラフアイト治具１５を金属シエル７の
下部フランジ７ｂ上に載せる。これが第４図に示す状態
で、この時、上部グラフアイト治具１５は金属シエル７
を押える錘りとして作用し、上部フランジ７ｃの下面を
下部グラフアイト治具１４の円柱状部分１７の上端面に
圧接させると共に、筒状部７ａの外周面に近接する。そ
して、この状態に於て、全体を窒素等の中性ガスや、弱
還元性ガスの雰囲気中に入れて、約１０００℃に加熱す
る。すると、ガラス円板１１が溶融して、第５図に示す
ように、金属シエル７のレンズ封着穴９の周縁にガラス
レンズ８が所定の形状で形成される。つまり、金属シエ
ル７の予備酸化膜の量が多くても、上部フランジ７ｃの
下面は下部グラフアイト治具１４の円柱状部分１７の上
端面に接触して、而も還元されるため、この土部フラン
ジ７ｃの下面には溶融ガラスがなじまず、溶融ガラスは
レンズ逃げ穴１８へ逃げて、ここで表面張力により所定
の大きさに湾曲する。又、上部フランジ７ｃの上面の酸
化膜は還元されないため、ここに溶融ガラスは強くなじ
んで封着され、気密性が確保される。又２筒状部７ａの
外周面には上部グラフアイト治具１５が近接しているた
め、溶融ガラスが筒状部７ａの外周面を流れ落ちること
はなく、従つて、上部フランジ７ｃ上にも表面張力で溶
融ガラスが盛り上り、所定形状のガラスレンズ８が形成
される。尚、下部グラフアイト治具１４と上部ゲラフア
イト治具１５の形状は上記例に限らず、要は金属シエル
７の内面と、レンズ封着面を除く外面の要部に接触や近
接する形状であればよい。
以上説明したように、本発明によれば金属シエルの予備
酸化膜の量を十分に多くしても、金属シエルのガラスと
の接着の必要部以外はグラフアイト治具で囲まれてガラ
ス溶着されるため、必要部以外に溶融ガラスが流れず、
従つて、ガラスレンズの気密性に対する信頼性を向上で
きると共に、レンズ形状を常に安定して確保でき、製品
の良品率の向上が図れる。
酸化膜の量を十分に多くしても、金属シエルのガラスと
の接着の必要部以外はグラフアイト治具で囲まれてガラ
ス溶着されるため、必要部以外に溶融ガラスが流れず、
従つて、ガラスレンズの気密性に対する信頼性を向上で
きると共に、レンズ形状を常に安定して確保でき、製品
の良品率の向上が図れる。
又、レンズ形状の不安や、気密性不良の心配がなくなる
ため、封着温度の管理幅を緩和できる。
ため、封着温度の管理幅を緩和できる。
第１図は光半導体用レンズキヤツプを用いた光半導体装
置の側断面図、第１図は従来のレンズキヤツプ製造装置
の断面図、第３図は従頼製法による不良レンズキヤツプ
の断面図、第４図は本発明による製造方法を実施する装
置の例を示す断面図、第５図は第４図装置のレンズキヤ
ツプ製造後の断面図である。 ６・・・・・・レンズキヤツプ、７・・・・・・金属シ
エル、７ａ・・・・・・筒状部、７ｂ・・・・・・下部
フランジ、７ｃ・・・・・・上部フランジ、８・・・・
・・ガラスレンズ、９・・・・・・レンズ封着穴． １
１・・・・・・ガラス円板、１４・・・・・・下部グラ
フアイト治具、１５・・・・・・上部グラフアイト治具
、１６・・・・・・筒状溝、１７・・・・・・円柱状部
分、１８・・・・・ルンズ逃げ孔。
置の側断面図、第１図は従来のレンズキヤツプ製造装置
の断面図、第３図は従頼製法による不良レンズキヤツプ
の断面図、第４図は本発明による製造方法を実施する装
置の例を示す断面図、第５図は第４図装置のレンズキヤ
ツプ製造後の断面図である。 ６・・・・・・レンズキヤツプ、７・・・・・・金属シ
エル、７ａ・・・・・・筒状部、７ｂ・・・・・・下部
フランジ、７ｃ・・・・・・上部フランジ、８・・・・
・・ガラスレンズ、９・・・・・・レンズ封着穴． １
１・・・・・・ガラス円板、１４・・・・・・下部グラ
フアイト治具、１５・・・・・・上部グラフアイト治具
、１６・・・・・・筒状溝、１７・・・・・・円柱状部
分、１８・・・・・ルンズ逃げ孔。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 全表面を予備酸化した金属シェルの上端部に穿設し
たレンズ封着穴にガラスを溶着してレンズキャップを形
成する方法に於て、前記金属シェルの少なくともガラス
溶着面以外の部分にグラファイト治具を接触させた状態
で、レンズ封着穴にガラスを溶着するようにしたことを
特徴とする光半導体用レンズキャップの製造方法。 ２ 前記グラファイト治具は、前記金属シェルの下部フ
ランジが嵌入する幅の、かつ金属シェルの筒状部の高さ
よりも深い筒状溝と、この筒状溝で囲まれる円柱状部分
の上端面に金属シェルのレンズ封着孔と対応する大きさ
のレンズ逃げ孔とを有する下部グラファイト治具と、前
記筒状溝に嵌合する筒状の上部グラファイト治具とより
なる、特許請求の範囲第１項に記載の光半導体用レンズ
キャップの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP54095237A JPS5940312B2 (ja) | 1979-07-25 | 1979-07-25 | 光半導体用レンズキヤツプの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP54095237A JPS5940312B2 (ja) | 1979-07-25 | 1979-07-25 | 光半導体用レンズキヤツプの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5619685A JPS5619685A (en) | 1981-02-24 |
| JPS5940312B2 true JPS5940312B2 (ja) | 1984-09-29 |
Family
ID=14132146
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP54095237A Expired JPS5940312B2 (ja) | 1979-07-25 | 1979-07-25 | 光半導体用レンズキヤツプの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5940312B2 (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0736452B2 (ja) * | 1985-04-30 | 1995-04-19 | 関西日本電気株式会社 | レンズキヤツプの製造方法 |
| JP4504662B2 (ja) * | 2003-04-09 | 2010-07-14 | シチズン電子株式会社 | Ｌｅｄランプ |
| EP1810348B1 (en) | 2004-10-21 | 2010-05-05 | Panasonic Corporation | Illumination device |
| JP4679264B2 (ja) * | 2005-06-27 | 2011-04-27 | パナソニック株式会社 | レンズキャップの製造方法 |
| KR100774218B1 (ko) | 2006-09-28 | 2007-11-08 | 엘지전자 주식회사 | 렌즈, 그 제조방법 및 발광 소자 패키지 |
| JP2014145859A (ja) * | 2013-01-28 | 2014-08-14 | Panasonic Corp | レンズ付き蓋体の製造方法 |
| WO2014118838A1 (ja) * | 2013-01-29 | 2014-08-07 | パナソニック株式会社 | 紫外線発光装置 |
| DE102018105171A1 (de) * | 2018-03-07 | 2019-09-12 | Schott Ag | Linsenkappe, Fotodiode mit einer Linsenkappe sowie Verfahren zu deren Herstellung |
-
1979
- 1979-07-25 JP JP54095237A patent/JPS5940312B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5619685A (en) | 1981-02-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3190952A (en) | Welded hermetic seal | |
| JPS5940312B2 (ja) | 光半導体用レンズキヤツプの製造方法 | |
| JP4385062B2 (ja) | 赤外線検知器の製造方法 | |
| US2977561A (en) | Hermetically sealed electrical component and method of making the same | |
| JPH0637401A (ja) | 光半導体容器 | |
| JP2560129B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JP2560136B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JP2560128B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| US3125709A (en) | Housing assembly | |
| US3117179A (en) | Transistor capsule and header therefor | |
| JP2588517Y2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JP2560135B2 (ja) | 半導体レーザ装置における透明樹脂の充填方法 | |
| JPS622771Y2 (ja) | ||
| JPS5915080Y2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH01239958A (ja) | 気密封止型半導体素子 | |
| JPS604390Y2 (ja) | 気密端子 | |
| KR830002575B1 (ko) | 기밀단자(氣密端子)의 제조방법 | |
| KR800001154Y1 (ko) | 압입형 스템 | |
| JPS588586B2 (ja) | 半導体装置の封止方法 | |
| JPS5842764A (ja) | メツキ方法 | |
| JPH0342686Y2 (ja) | ||
| JPS5941309B2 (ja) | レンズキヤツプの製造方法 | |
| JPS59172255A (ja) | ア−スリ−ド線を有する気密端子およびその製造方法 | |
| JPS63122250A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH04121768U (ja) | 半導体レーザ装置 |