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JP2560128B2 - 半導体レーザ装置 - Google Patents

半導体レーザ装置

Info

Publication number
JP2560128B2
JP2560128B2 JP2133450A JP13345090A JP2560128B2 JP 2560128 B2 JP2560128 B2 JP 2560128B2 JP 2133450 A JP2133450 A JP 2133450A JP 13345090 A JP13345090 A JP 13345090A JP 2560128 B2 JP2560128 B2 JP 2560128B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
cap body
transparent plate
semiconductor laser
receiving member
fixed
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP2133450A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0428279A (ja
Inventor
治夫 田中
裕晃 宅間
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Rohm Co Ltd
Original Assignee
Rohm Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Rohm Co Ltd filed Critical Rohm Co Ltd
Priority to JP2133450A priority Critical patent/JP2560128B2/ja
Publication of JPH0428279A publication Critical patent/JPH0428279A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2560128B2 publication Critical patent/JP2560128B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

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  • Semiconductor Lasers (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、レーザの発光素子として、半導体レーザチ
ップを使用した半導体レーザ装置の改良に関するもので
ある。
〔従来の技術〕
一般に、この種の半導体レーザ装置は、金属製ステム
に一体的に造形したブロック体に、半導体レーザチップ
をダイボンディングし、この半導体レーザチップの部分
に、ガラス製の透明板を備えた金属製のキャップ体を被
嵌し、該キャップ体を前記ステムに対して固着して封止
することにより、前記半導体レーザチップが大気中の湿
度等によって劣化することを防止すると共に、半導体レ
ーザチップを外部衝撃から保護するように構成している
ことは、周知の通りである。
そして、前記金属製のキャップ体にガラス製の透明板
を固着するに際して従来は、例えば、実開昭62−58066
号公報等に記載されているように、前記ガラス製の透明
板を、金属製のキャップ体に対してガラス半田を使用し
て固着したり、或いは、前記透明板をキャップ体に対し
て合成樹脂製の接着剤を使用して固着したりしている。
〔発明が解決しようとする課題〕
そして、前者のように、ガラス製の透明板をキャップ
体に対してガラス半田にて固着するに際しては、前記実
開昭62−58066号公報に詳しく説明されているように、
先づ、ガラス粉末をリング状にプレス成形したのち仮焼
成することによってリング状のガラス半田を作製し、こ
のリング状半田を、別の工程において金属板からの絞り
加工によって製作されたキャップ体に装填したのち、キ
ャップ体に透明板を装填し、この状態で全体を500〜600
℃の高い温度で焼成して前記ガラス半田を溶融すること
によって、前記透明板をガラス半田にてキャップ体に固
着する。次いで、前記の焼成によってキャップ体が変色
するから、全体を酸洗い処理したのち、キャップ体の表
面にニッケル等のメッキを施すようにしている。
従って、前者のガラス半田による方法は、キャップ体
に対するガラス製透明板の固着が強固にできる利点を有
する反面、リング状のガラス半田を製作する工程、及び
高温で焼成する工程、並びに前記焼成の後処理としての
酸洗い・メッキ工程等の複雑な工程を数多く必要とする
ことに加えて、ガラス製の透明板には、焼成後における
酸洗い及びメッキ工程に際して当該透明板の表面を損傷
することがないようにするための保護膜を予め形成して
おく必要があるから、透明板を備えたキャップ体の製造
コストが著しくアップすると言う問題がある。
一方、後者のように、透明板をキャップ体に対して合
成樹脂製の接着剤にて固着する方法は、前者のような複
雑な工程を数多く必要としないので、製造コストを大幅
に低減できると言う利点を有する。しかし、その反面、
キャップ体に対する透明板の接着剤による固着強度を高
くするために、当該接着剤として、硬化性の接着剤を使
用しなければならないが、硬化性の接着剤を使用する
と、この硬化した接着剤には、当該接着剤と金属製キャ
ップ体との間の熱膨張差、及び当該接着剤と透明板との
間の熱膨張差、並びにキャップ体と透明板との間の熱膨
張差等によって、微細な亀裂が無数に発生することにな
るから、キャップ体内における気密状態が低下し、半導
体レーザチップの耐久性が、前者のように、透明板をガ
ラス半田を使用して固着する場合よりも劣ると言う問題
がある。
本発明は、キャップ体の外観形状を損なうことなく、
前記した問題を解消した半導体レーザ装置を提供するこ
とを目的とするものである。
〔課題を解決するための手段〕
この目的を達成するため本発明は、 「半導体レーザチップを設けた金属製のステムと、こ
のステムに前記半導体レーザチップを覆うように固着し
た金属板製のキャップ体と、このキャップ体に装着した
透明板とから成る半導体レーザ装置において、前記キャ
ップ体を、上端を開口した筒状に形成して、この内部
に、前記透明板を挿入すると共に、この透明板の下面を
支持する受け部材を固着し、前記キャップ体における周
壁板の上端に、内向きへの折り曲げ部を一体的に設ける
一方、前記透明板と受け部材との間、又は、前記透明板
と前記折り曲げ部との間に軟質弾性体製のリング状シー
ル体を介挿する。」 と言う構成にした。
〔発明の作用・効果〕
このように構成することにより、キャップ体内に挿入
した透明板と、キャップ体内に固着した受け部材との
間、又は、前記透明板とキャップ体における折り曲げ部
との間に介挿した軟質弾性体製のリング状シール体を、
透明板及び受け部材又は折り曲げ部に対して押圧・密接
することができるから、キャップ体の内部を、高い気密
状態に保持することができるのであり、しかも、前記シ
ール体は、軟質弾性体製であることにより、キャップ体
と透明板との間における熱膨張差を、当該シール体の弾
性変形によって吸収することができると共に、当該シー
ル体に亀裂が発生することがないから、前記の高い気密
状態が、熱膨張差等によって低下することを確実に防止
できるのであり、また、前記透明板に対する受け部材
は、キャップ体内に設けた構成であるから、前記キャッ
プ体の外観形状を損なうことがないのである。
その上、前記のように構成したことにより、キャップ
体に対する透明板の固着した後において、前記従来のガ
ラス半田を使用したもののように、後処理としての酸洗
い・メッキを必要としないから、透明板の表面に、酸洗
い及びメッキに耐える保護膜を形成しておくことを省略
できるのである。
従って、本発明によると、キャップ体に対して透明板
を固着することに要するコスト、つまり、透明板付きキ
ャップ体の製造コストを、半導体レーザチップの耐久性
の低下を招来することなく、大幅に低減できるのであ
り、しかも、キャップ体内に挿入した透明板に対する受
け部材を、キャップ体内に固着したことにより、前記キ
ャップ体の外観形状を損なうことがないと言う効果を有
する。
〔実施例〕
以下、本発明の実施例を図面について説明する。
第1図〜第4図は、第1の実施例を示し、この図にお
いて符号1は、炭素鋼等の金属にて円盤型に形成したス
テム2と、ガラス等の透明板4を備えた炭素鋼等の金属
板製のキャップ体3とによって構成された半導体レーザ
装置を示す。
前記ステム2の上面には、ブロック体5が一体的に設
けられ、このブロック体5の側面には、半導体レーザチ
ップ6がモニター用ホォトダイオード付き半導体基板7
を介してダイボンディングされている一方、前記半導体
レーザチップ6に対する三本のリード端子8a,8b,8cのう
ち一本のリード端子8aは、前記ステム2の下面に溶接に
て固着され、他の二本のリード端子8b,8cは、ステム2
に穿設した孔2a,2b内に、ガラス等の絶縁シール材9に
て絶縁シール状態で固着されている。
また、前記キャップ体3は、前記半導体レーザチップ
6及びブロック体5に被嵌にしたのち、当該キャップ体
3の下端に形成した外向きフランジ部3aの全周を前記ス
テム2の上面に対して抵抗溶接することによって固着さ
れている。
そして、前記キャップ体3に対して前記透明板4を固
着するに際して、本発明は、以下のように構成する。
すなわち、キャップ体3を、上端を開口した筒状に形
成して、その周壁板の上端に内向きへの折り曲げ部3bを
設け、そして、前記キャップ体3内に、前記透明板4を
挿入し、このとき、当該透明板4と前記折り曲げ部3bと
の間に軟質弾性体製のリング状シール体を介挿する。
次いで、前記キャップ体3内に、金属板にて筒状に形
成した受け部材11を挿入し、この受け部材11を、キャッ
プ体3内への圧入又はキャップ体3への接着等により、
当該受け部材11にて前記透明板4を前記折り曲げ部3bに
対して押圧するような状態で、キャップ体3に固着す
る。
なお、この受け部材11のキャップ体3に対する固着
は、受け部材11をキャップ体3に対して圧入して嵌合す
ることによって行うようにしたり、又は、受け部材11を
板ばね製にして、その下端をキャップ体3の内周面に対
して食い込ませることによって行うようにしたり、或い
は、受け部材11をキャップ体3に接着剤にて接着する等
の手段によって行うようにしても良いのである。
このように構成することにより、キャップ体3内に挿
入した透明板4とキャップ体3における折り曲げ部3bと
の間に介挿した軟質弾性製のリング状シール体10を、透
明板4及び折り曲げ部3bの両方に対して押圧・密接する
ことができるのであり、また、前記透明板4に対する受
け部材11は、キャップ体3内に設けた構成であるから、
前記キャップ体3の外観形状を損なうことがないのであ
る。
この場合、第2の実施例としては、第5図に示すよう
に、キャップ体3内に挿入した受け部材11における下端
11aを、キャップ体3における外向きフランジ部3aから
適宜寸法δだけ突出し、キャップ体3における外向きフ
ランジ部3aをステム2に対して抵抗溶接するときにおい
て、前記受け部材11を前記適宜寸法δだけ押し込むこと
によって、シール体10を締め付けるように構成しても良
いのである。
また、前記シール体10は、第5図に示すように、透明
板4と受け部材11との間に介挿するようにしても良いこ
とは勿論である。
【図面の簡単な説明】
図面は本発明の実施例を示し、第1図は第1実施例の縦
断正面図、第2図は第1図のII−II断面図、第3図はキ
ャップ体の断面図、第4図は第3図のキャップ体の分解
図、第5図は第2実施例のキャップ体の断面図である。 1……半導体レーザ装置、2……ステム、3……キャッ
プ体、3b……折り曲げ部、4……透明板、5……ブロッ
ク体、6……半導体レーザチップ、7……半導体基板、
8a,8b,8c……リード端子、10……シール体、11……受け
部材。

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】半導体レーザチップを設けた金属製のステ
    ムと、このステムに前記半導体レーザチップを覆うよう
    に固着した金属板製のキャップ体と、このキャップ体に
    装着した透明板とから成る半導体レーザ装置において、
    前記キャップ体を、上端を開口した筒状に形成して、こ
    の内部に、前記透明板を挿入すると共に、この透明板の
    下面を支持する受け部材を固着し、前記キャップ体にお
    ける周壁板の上端に、内向きへの折り曲げ部を一体的に
    設ける一方、前記透明板と受け部材との間、又は、前記
    透明板と前記折り曲げ部との間に軟質弾性体製のリング
    状シール体を介挿したことを特徴とする半導体レーザ装
    置。
JP2133450A 1990-05-23 1990-05-23 半導体レーザ装置 Expired - Lifetime JP2560128B2 (ja)

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JP5228412B2 (ja) * 2006-11-21 2013-07-03 日亜化学工業株式会社 半導体発光装置
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