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JPS588586B2 - 半導体装置の封止方法 - Google Patents

半導体装置の封止方法

Info

Publication number
JPS588586B2
JPS588586B2 JP7522577A JP7522577A JPS588586B2 JP S588586 B2 JPS588586 B2 JP S588586B2 JP 7522577 A JP7522577 A JP 7522577A JP 7522577 A JP7522577 A JP 7522577A JP S588586 B2 JPS588586 B2 JP S588586B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
lead frame
sealing
glass
semiconductor device
semiconductor devices
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP7522577A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS549582A (en
Inventor
大坂修一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP7522577A priority Critical patent/JPS588586B2/ja
Publication of JPS549582A publication Critical patent/JPS549582A/ja
Publication of JPS588586B2 publication Critical patent/JPS588586B2/ja
Expired legal-status Critical Current

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  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は半導体装置の封止方法に係り、特にそのガラ
ス封正方法の改良に関するものである。
現在広く用いられているフラットパッケージ形もしくは
デュアルインライン形のガラス封止半導体装置では、ア
ルミナ磁器などのセラミックス外囲器とリードフレーム
とを各種のガラスで封止し内部に形成した中空部に半導
体ペレットを装着して形成されている。
第１図はこのような半導体装置に用いられるリードフレ
ームの一例を示す平面図、第２図は悌来のデュアルイン
ライン形のガラス封止半導体装置の一例を示す縦断面図
である。
図において、１はリードフレーム、２はリードフレーム
１上にアルミニュウムを蒸着もしくは圧着によってとり
つけたボンデイング部である。
以下第２図について組立ての手順に従って説明する。
絶縁性ガラス３をあらかじめ塗布した絶縁性セラミック
基板４の上にリードフレーム１を載せ、加熱してリード
フレーム１を固着させる。
半導体素子５のダイボンデイング、および金属細線６に
よる半導体素子５とリードフレーム１上のボンデイング
２との接続を周知の方法で行った後に、封止用ガラス７
をあらかじめ塗布した絶縁性セラミック蓋８を載せ加熱
して固着させて封止組立は完了する。
ところで、以上従来の方法による半導体装置においては
リードフレーム１はボンデイング部２のみが、金もしく
はアルミニウムなどの金属薄膜が形成されているのみで
、他は通称４２アロイと呼ばれるフレーム素材のまま使
用されている。
すなわち、従来の装置ではガラスによる封着工程にいた
るまでの各種工程において、リードフレーム１の素材表
面が酸化されることを利用して絶縁性ガラス３および７
との密着性を得ていた。
しかし、この途中工程において受ける酸化のばらつきに
よって、リードフレーム１と絶縁性ガラス３，７との密
着性にもばらつきを生じ、気密性を悪くしたり、はなは
だしいものはリードフレーム１のリードが脱離するなど
の不都合を生じている。
この発明は以上の点に鑑みてなされたもので、リードフ
レームの封着部表面の酸化を確実にし、封止用絶縁性ガ
ラスとリードフレームとの密着の良好な半導体装置の封
止方法を提供せんとするものである。
第３図はこの発明によって製作されたガラス封止半導体
装置の一例を示す縦断面図である。
この発明の方法は、リードフレーム１に酸化を容易にす
る前処理を施す以外は、第２図について説明した従来の
方法と略同一であるので、前処理の部分のみを説明する
。
リードフレーム１の封止用絶縁性ガラス３，７に固着す
る部分にアルミニウム、鉄、銅、ニッケル、銀など比較
的低温で容易に緻密な酸化膜を作る金属薄膜９を蒸着も
しくは圧着によって形成したものを用いる。
その他は第２図について述べたと同様の工程によって封
止を行うのであるが、絶縁性ガラス３，７の固着の際の
４００℃〜５５０℃の加熱によって上記金属薄膜９は容
易に緻密な酸化膜１０を形成し、この酸化膜１０はガラ
スとの化学的な結合性が強いので、リードフレーム１と
絶縁性ガラス３，７とは強く固着され、従来のような欠
陥の発生は防止できる。
上述の説明ではリードフレーム１のボンデイング部２の
アルミニウム薄膜と封止部の金属薄膜９とを別個に設け
るように述べたが、ボンデイング部２のアルミニウム薄
膜を封止部まで延長して、これを金属薄膜９として用い
てもよい。
以上詳述したように、この発明では封止されるリードフ
レームの封止ガラスに接する部分の表面に予め低温で緻
密な酸化膜を形成する金属薄膜を被着することによって
、カラス封止時の加熱によって生ずる上記酸化膜が封止
カラスと良く固着し、ガラス封止を完全ならしめること
ができる。
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明に用いられるリードフレームの一例を
示す平面図、第２図は従来のデュアルインライン形のガ
ラス封止半導体装置の一例を示す縦断面図、第３図はこ
の発明によって製作されたガラス封止半導体装置の一例
を示す縦断面図である。 図において、１はリードフレーム、２はボンデイング部
、３および７は封止用カラス、４および８はセラミック
ス外囲器、５は半導体素子、６は金属細線、９は金属薄
膜、１０は酸化膜である。 なお、図中同一符号は同一もしくは相当部分を示す。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １ リードフレームに設けられた複数本のリード線のそ
    れぞれのボンデイング部を半導体素子に金属細線を介し
    て接続した後に、上記半導体素子と金属細線とリード線
    のボンデイング部とを所定外囲器内にガラス封止する方
    法において、少なくとも上記封止ガラスに接する部分の
    表面に低温で緻密な酸化膜を形成するような金属薄膜を
    被着したリードフレームを用いることを特徴とする半導
    体装置の封止方法。
JP7522577A 1977-06-23 1977-06-23 半導体装置の封止方法 Expired JPS588586B2 (ja)

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Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS549582A JPS549582A (en) 1979-01-24
JPS588586B2 true JPS588586B2 (ja) 1983-02-16

Family

ID=13570059

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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58170046A (ja) * 1982-03-31 1983-10-06 Fujitsu Ltd 半導体装置
JPS58190048A (ja) * 1982-04-30 1983-11-05 Hitachi Ltd プラスチツク封止電子部品のパツケ−ジ
JPH0342194A (ja) * 1989-07-10 1991-02-22 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 舶用プロペラ
US5877042A (en) * 1996-08-28 1999-03-02 Motorola, Inc. Glass/Metal package and method for producing the same

Also Published As

Publication number Publication date
JPS549582A (en) 1979-01-24

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