JPS5937629B2 - 固体撮像体 - Google Patents
固体撮像体Info
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- JPS5937629B2 JPS5937629B2 JP50012740A JP1274075A JPS5937629B2 JP S5937629 B2 JPS5937629 B2 JP S5937629B2 JP 50012740 A JP50012740 A JP 50012740A JP 1274075 A JP1274075 A JP 1274075A JP S5937629 B2 JPS5937629 B2 JP S5937629B2
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C17/00—Preparation of halogenated hydrocarbons
- C07C17/26—Preparation of halogenated hydrocarbons by reactions involving an increase in the number of carbon atoms in the skeleton
- C07C17/32—Preparation of halogenated hydrocarbons by reactions involving an increase in the number of carbon atoms in the skeleton by introduction of halogenated alkyl groups into ring compounds
-
- H01L27/14831—
-
- H01L29/42396—
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/40—Extracting pixel data from image sensors by controlling scanning circuits, e.g. by modifying the number of pixels sampled or to be sampled
- H04N25/41—Extracting pixel data from a plurality of image sensors simultaneously picking up an image, e.g. for increasing the field of view by combining the outputs of a plurality of sensors
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
- H04N25/73—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors using interline transfer [IT]
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- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
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Description
【発明の詳細な説明】
例えば電荷結合素子(CCD)を使用した固体撮像体で
、インタラインシフト方式を採るものの代表的な構成例
は第1図に示す通りである。
、インタラインシフト方式を採るものの代表的な構成例
は第1図に示す通りである。
第1図はその原理的な説明図であつて、共通の半導体基
体1上にマトリックス状に配夕Iルた夫々1絵素として
構成される多数の受光部2と、水平走査方向における受
光部2の数即ち水平絵素数と同じ数だけ設けられた垂直
方向にのびる垂直シフトレジスタ3と、更に出力端子側
に蓄積キャリヤを転送させるための水平シフトレジスタ
4とから、この固体撮像体10が構成される。この固体
撮像体10から撮像出力を得るには、まず各受光部2で
蓄積された光情報に基づく少数キャリヤを一旦垂直ライ
ン毎に、垂直シフトレジスタ3に転送(パラレル転送)
し、次いで各垂直シフトレジスタ3により順次垂直方向
に転送(シリアル転送)すると共に、水平シフトレジス
タ4を通じてその蓄積キャリヤを1水平走査毎に読出す
。このようにすれば、水平シフトレジスタ4の出力端子
に目的の撮像出力を得ることができる。ここで、受光部
2の垂直列と垂直シフトレジスタ3とが交互に空間配置
されているから、この転送方式を一般にはインタライン
シフト(又はインタライントランスファ)方式と称する
ものである。
体1上にマトリックス状に配夕Iルた夫々1絵素として
構成される多数の受光部2と、水平走査方向における受
光部2の数即ち水平絵素数と同じ数だけ設けられた垂直
方向にのびる垂直シフトレジスタ3と、更に出力端子側
に蓄積キャリヤを転送させるための水平シフトレジスタ
4とから、この固体撮像体10が構成される。この固体
撮像体10から撮像出力を得るには、まず各受光部2で
蓄積された光情報に基づく少数キャリヤを一旦垂直ライ
ン毎に、垂直シフトレジスタ3に転送(パラレル転送)
し、次いで各垂直シフトレジスタ3により順次垂直方向
に転送(シリアル転送)すると共に、水平シフトレジス
タ4を通じてその蓄積キャリヤを1水平走査毎に読出す
。このようにすれば、水平シフトレジスタ4の出力端子
に目的の撮像出力を得ることができる。ここで、受光部
2の垂直列と垂直シフトレジスタ3とが交互に空間配置
されているから、この転送方式を一般にはインタライン
シフト(又はインタライントランスファ)方式と称する
ものである。
なお、第1図に示される複数の矢印はキャリヤ、の転送
方向を示すが、インタレース的な走査方式を採用する場
合では、破線矢印が或る偶数フィールドでの転送を示す
ことになる。依つて、奇数フィールドでは実線矢印のみ
転送される。本発明はこのようなインタライシフト方式
を採る固体撮像体に係り、垂直シフトレジスタにおける
電極の面積を大きくしてキャリヤの転送効率を従来より
も格段と向上せしめたものである。
方向を示すが、インタレース的な走査方式を採用する場
合では、破線矢印が或る偶数フィールドでの転送を示す
ことになる。依つて、奇数フィールドでは実線矢印のみ
転送される。本発明はこのようなインタライシフト方式
を採る固体撮像体に係り、垂直シフトレジスタにおける
電極の面積を大きくしてキャリヤの転送効率を従来より
も格段と向上せしめたものである。
即ち、本発明では垂直方向に配列されるべき絵素をl水
平走査に対応して1水平走査おきに設け、、空いている
その絵素領域を有効に利用して上述の本発明目的を達成
したものである。以下図面を参照して本発明による固体
撮像体を説明するも、第1図に示した固体撮像体におい
て、その水平走査方向に関して奇数番目の絵素を2aと
し、偶数番目の絵素を2bとする。又、奇数番目の水平
走査線を5aで、偶数番目のそれを5bで示そう。第2
図はこの発明の説明に供する固体撮像体10の要部を全
体として示す。絵素は1水平走査おきに配される。この
例では偶数番目の水平走査線5b上に位置すべき絵素を
設けないようにした場合であつて、従つてその平面的構
成は図の通りである。ところで、第2図中に一点鎖線で
示される領域はキヤリヤ蓄積用及びその転送用の電極及
びその領域を示すものである。
平走査に対応して1水平走査おきに設け、、空いている
その絵素領域を有効に利用して上述の本発明目的を達成
したものである。以下図面を参照して本発明による固体
撮像体を説明するも、第1図に示した固体撮像体におい
て、その水平走査方向に関して奇数番目の絵素を2aと
し、偶数番目の絵素を2bとする。又、奇数番目の水平
走査線を5aで、偶数番目のそれを5bで示そう。第2
図はこの発明の説明に供する固体撮像体10の要部を全
体として示す。絵素は1水平走査おきに配される。この
例では偶数番目の水平走査線5b上に位置すべき絵素を
設けないようにした場合であつて、従つてその平面的構
成は図の通りである。ところで、第2図中に一点鎖線で
示される領域はキヤリヤ蓄積用及びその転送用の電極及
びその領域を示すものである。
φaはキヤリヤ蓄積用電極、φIは蓄積キヤリヤを各垂
直シフトレジスタ3″に移すためゲート領域6に設けら
れたゲート電極である。又、本例では2相クロツクでキ
ヤリヤ転送を行うようにした場合であるので、垂直シフ
トレジスタ3′に設けられる電極は2個(φ1,φ2)
で、その総数は垂直方向における絵素数の2倍である。
この例では上述した水平走査おきに省かれた絵素の形成
されるべき領域7までも、垂直シフトレジスタ3″の電
極φ1(又はφ2)が延長され、電極部の面積拡大が図
られる。
直シフトレジスタ3″に移すためゲート領域6に設けら
れたゲート電極である。又、本例では2相クロツクでキ
ヤリヤ転送を行うようにした場合であるので、垂直シフ
トレジスタ3′に設けられる電極は2個(φ1,φ2)
で、その総数は垂直方向における絵素数の2倍である。
この例では上述した水平走査おきに省かれた絵素の形成
されるべき領域7までも、垂直シフトレジスタ3″の電
極φ1(又はφ2)が延長され、電極部の面積拡大が図
られる。
それがため、シフトレジスタ3′は図のように左右に蛇
行した蛇行パターンとなされる。このように構成された
固体撮像体10の横断面図及び縦断面図は第3図及び第
4図に示す通りである。
行した蛇行パターンとなされる。このように構成された
固体撮像体10の横断面図及び縦断面図は第3図及び第
4図に示す通りである。
本例では半導体基体1としてN型のものが使用され、そ
の上面1aの所望とする個所にはSiO2等の絶縁層7
aを介して上述した複数の電極が被着形成される。これ
は電荷結合素子CCDとしての構成を採るので目的の撮
像体10となる。そして、半導体基体1内にはチヤンネ
ルストツパとなる領域8が形成され、この場合、第3図
からも明らかなように、左右に規則正しく蛇行したシフ
トレジスタざのパターンに溢つて、チャンネルストツパ
領域も蛇行パターンとなる。なお、領域8内に形成され
るオーバーフロードレイン領域9の導電型式は基体1の
それとは異るp+型である。
の上面1aの所望とする個所にはSiO2等の絶縁層7
aを介して上述した複数の電極が被着形成される。これ
は電荷結合素子CCDとしての構成を採るので目的の撮
像体10となる。そして、半導体基体1内にはチヤンネ
ルストツパとなる領域8が形成され、この場合、第3図
からも明らかなように、左右に規則正しく蛇行したシフ
トレジスタざのパターンに溢つて、チャンネルストツパ
領域も蛇行パターンとなる。なお、領域8内に形成され
るオーバーフロードレイン領域9の導電型式は基体1の
それとは異るp+型である。
又、この例ではこの領域9はチヤンネルストツパの領域
8に対し、非常に狭くなつているが、この領域8の大き
さに応じてオーバーフロードレイン領域9の巾及び形状
を選定しうるは勿論である。ところで、固体撮像体にお
けるキヤリヤの転送は界面準位によるトラツピングのた
め悪化するので、通常は電気的又は光学的に与えられた
フアツトゼロ(FatzerO)で転送効率を改善する
ようにしている。
8に対し、非常に狭くなつているが、この領域8の大き
さに応じてオーバーフロードレイン領域9の巾及び形状
を選定しうるは勿論である。ところで、固体撮像体にお
けるキヤリヤの転送は界面準位によるトラツピングのた
め悪化するので、通常は電気的又は光学的に与えられた
フアツトゼロ(FatzerO)で転送効率を改善する
ようにしている。
従つて、このフアツトゼロと相俟つて垂直シフトレジス
タ3′の電極面積を拡大すれば、上述した界面準位によ
る少数キヤリヤのトラツピングの影響が更に小さくなり
転送効率を一層向上せしめることができる。即ち、転送
効率の善し悪しを定める1つの目安は垂直シフトレジス
タ3′の面積Sとフアツトゼロによつてもカバーできな
いキャリアトラッピングに供する辺の長さlとの比であ
る。
タ3′の電極面積を拡大すれば、上述した界面準位によ
る少数キヤリヤのトラツピングの影響が更に小さくなり
転送効率を一層向上せしめることができる。即ち、転送
効率の善し悪しを定める1つの目安は垂直シフトレジス
タ3′の面積Sとフアツトゼロによつてもカバーできな
いキャリアトラッピングに供する辺の長さlとの比であ
る。
ここで、トラツピングに供する辺(エツジ)の長さとは
、転送用の電極によつて形成される空乏層の境界面のう
ち、フアツトゼロによつて覆われない境界面を構成する
辺の長さを指し、依つて、第5図の矢印のように転送方
向を選ぶと、この転送方向に直交する境界面9a,9b
はフアツトゼロ及び信号キヤリャの転送にて覆われるか
ら、これ以外の境界面における辺(斜線重畳部)の長さ
が問題になる。依つて、この辺の長さlに比し、面積S
の方が大きければ即ちS/lが大であれば、この境界面
におけるトラツピングの影響が小さくなり、結果的に転
速効率を向上せしめることができる。従つて、電極面積
を拡大すれば転送効率の向上を容易に図られるは明らか
であろう。具体的な数値は後述するとして、従来に比し
20〜50%程度の向上が認められる。なお、第2図に
示した固体撮像体の例は1Hおきの水平走査線上に対応
する絵素2を省略して構成した場合で、この固体撮像体
10から撮像出力を得るにあつてはその回路系を第6図
で示すように構成すればよい。
、転送用の電極によつて形成される空乏層の境界面のう
ち、フアツトゼロによつて覆われない境界面を構成する
辺の長さを指し、依つて、第5図の矢印のように転送方
向を選ぶと、この転送方向に直交する境界面9a,9b
はフアツトゼロ及び信号キヤリャの転送にて覆われるか
ら、これ以外の境界面における辺(斜線重畳部)の長さ
が問題になる。依つて、この辺の長さlに比し、面積S
の方が大きければ即ちS/lが大であれば、この境界面
におけるトラツピングの影響が小さくなり、結果的に転
速効率を向上せしめることができる。従つて、電極面積
を拡大すれば転送効率の向上を容易に図られるは明らか
であろう。具体的な数値は後述するとして、従来に比し
20〜50%程度の向上が認められる。なお、第2図に
示した固体撮像体の例は1Hおきの水平走査線上に対応
する絵素2を省略して構成した場合で、この固体撮像体
10から撮像出力を得るにあつてはその回路系を第6図
で示すように構成すればよい。
図において、21は被写体、22は光学レンズ系、23
は1Hの遅延回路、24は1H毎に反転するスイツチで
、奇数番目の水平走査線5a上の光情報を出力として読
出すときには常に実線図示のように切換えられる。従つ
て、偶数番目の光情報は1H前の情報を、そのときの情
報として読出すようにしている。通常は垂直相関がある
ので、このような信号処理を施しても画像は殆んど劣化
しない。但し、従来の水平走査方向における絵素数の%
程度にその絵素数を選ぶならば十分満足しうる画質を得
ることができる。カラー像を取扱う場合の一例を第7図
において説明するも、本例では上述した構成の固体撮像
体が3個使用され、夫々の前面にはR.G.Bの単色フ
イルタ25R〜25Bが配され、被写体21の所望とし
た色分解像がこれら固体撮像体10R〜10Bで撮像さ
れる。
は1Hの遅延回路、24は1H毎に反転するスイツチで
、奇数番目の水平走査線5a上の光情報を出力として読
出すときには常に実線図示のように切換えられる。従つ
て、偶数番目の光情報は1H前の情報を、そのときの情
報として読出すようにしている。通常は垂直相関がある
ので、このような信号処理を施しても画像は殆んど劣化
しない。但し、従来の水平走査方向における絵素数の%
程度にその絵素数を選ぶならば十分満足しうる画質を得
ることができる。カラー像を取扱う場合の一例を第7図
において説明するも、本例では上述した構成の固体撮像
体が3個使用され、夫々の前面にはR.G.Bの単色フ
イルタ25R〜25Bが配され、被写体21の所望とし
た色分解像がこれら固体撮像体10R〜10Bで撮像さ
れる。
なお、26a,26bはハーフミラー、27a,27b
はミラーである。色分解像と固体撮像体10R〜10B
との相対的位置関係は夫々に関して+τH(τHは水平
走査方向における絵素の配列ピツチである)だけ水平走
査方向にずれるように選ばれ、従つて位相的には120
0の位相差をもつて色分解像が投影される。夫々の固体
撮像体10R〜10Bから得られる撮像出力は1Hずつ
順次交互に読出され、これらは加算器28及び第6図に
示した信号処理回路40を通じてカツトオフ周波数が2
MHz程度のローパスフイルタ29に供給される。
はミラーである。色分解像と固体撮像体10R〜10B
との相対的位置関係は夫々に関して+τH(τHは水平
走査方向における絵素の配列ピツチである)だけ水平走
査方向にずれるように選ばれ、従つて位相的には120
0の位相差をもつて色分解像が投影される。夫々の固体
撮像体10R〜10Bから得られる撮像出力は1Hずつ
順次交互に読出され、これらは加算器28及び第6図に
示した信号処理回路40を通じてカツトオフ周波数が2
MHz程度のローパスフイルタ29に供給される。
フイルタ29を介在させるのは後述する構成と相俟つて
垂直方向の解像度を劣化されないようにするためで、解
像度に影響を及ぼす低域成分は信号処理しないように構
成している。フイルタ出力は帯域の制限されない合成出
力と共に減算器30に供給され、高域成分のみ取出した
のち、1Hだけ遅延させ(31はその遅延回路を示す)
、そののち上述した合成出力と共に加算器32に加えら
れる。
垂直方向の解像度を劣化されないようにするためで、解
像度に影響を及ぼす低域成分は信号処理しないように構
成している。フイルタ出力は帯域の制限されない合成出
力と共に減算器30に供給され、高域成分のみ取出した
のち、1Hだけ遅延させ(31はその遅延回路を示す)
、そののち上述した合成出力と共に加算器32に加えら
れる。
従つて、この加算出力には演算処理系を通さない低域成
分が含まれることになるが、以上のようにして得た加算
出力は5.0MHzのカツトオフ周波数になされたロー
パスフイルタ33に供給され、変調成分(直流成分)が
取出される。一方、この加算出力はバンドパスフイルタ
34を通じたのち所望の復調軸(検波軸)をもつた復調
器35A,35Bに供給され、色成分が復調さGtl:
5れる。
分が含まれることになるが、以上のようにして得た加算
出力は5.0MHzのカツトオフ周波数になされたロー
パスフイルタ33に供給され、変調成分(直流成分)が
取出される。一方、この加算出力はバンドパスフイルタ
34を通じたのち所望の復調軸(検波軸)をもつた復調
器35A,35Bに供給され、色成分が復調さGtl:
5れる。
例えば、復調器35AよりR−?なる成分を、他方の復
調器35BよりG−Bなる成分を夫々復調できるから、
これら成分と先に説明した変調成分とを後段のマトリツ
クス回路36に供給することにより、夫々の端子36a
〜36cから所望とする例えばNTSC方式の輝度信号
Y及び色差信号R−Y,B−Yを得ることができるもの
である。この発明では以上説明したような電極面積の拡
大の考えを、絵素が市松パターン状に配列された固体撮
像体に応用したものであり、第8図に示す例は市松パタ
ーンで、かつインターレースを考慮した固体撮像体にこ
の発明を適用した場合である。
調器35BよりG−Bなる成分を夫々復調できるから、
これら成分と先に説明した変調成分とを後段のマトリツ
クス回路36に供給することにより、夫々の端子36a
〜36cから所望とする例えばNTSC方式の輝度信号
Y及び色差信号R−Y,B−Yを得ることができるもの
である。この発明では以上説明したような電極面積の拡
大の考えを、絵素が市松パターン状に配列された固体撮
像体に応用したものであり、第8図に示す例は市松パタ
ーンで、かつインターレースを考慮した固体撮像体にこ
の発明を適用した場合である。
従つて、隣り合う水平走査区間における絵素を1組とし
、これら組の絵素が1つおきに配されて固体撮像体10
が構成されるものである。第8図にこれら関係を拡大し
て示すも、この構成においてはオーバーフロードレイン
領域9も図のようなジグザグパターンとなされる。第9
図以下は本発明の他の例を示すが、これら変形例はとも
に、インタレース方式を踏襲した場合の例である。
、これら組の絵素が1つおきに配されて固体撮像体10
が構成されるものである。第8図にこれら関係を拡大し
て示すも、この構成においてはオーバーフロードレイン
領域9も図のようなジグザグパターンとなされる。第9
図以下は本発明の他の例を示すが、これら変形例はとも
に、インタレース方式を踏襲した場合の例である。
これら変形例の基本的構成は第9図に示すように垂直シ
フトレジスタ3′の両側に絵素が交互に配され、これら
2本の絵素例の光情報を1本の垂直シフトレジスタ3′
で転送するようにしたもので、上述の本発明構成に基づ
く効果と相俟つて、垂直シフトレジスタ3′の本数の逓
減を図ることにより斯種固体撮像体の構成を簡略化し、
もつてその製造を容易にする効果をも得ようとするもの
である。従つて、第9図で示すように、オーバーフロー
ドレイン領域9で囲まれる領域11が水平走査方向にお
ける単位領域となされ、この単位領域11内には共用の
シフトレジスタ3′と、2本の絵素列とが設けられてい
る。
フトレジスタ3′の両側に絵素が交互に配され、これら
2本の絵素例の光情報を1本の垂直シフトレジスタ3′
で転送するようにしたもので、上述の本発明構成に基づ
く効果と相俟つて、垂直シフトレジスタ3′の本数の逓
減を図ることにより斯種固体撮像体の構成を簡略化し、
もつてその製造を容易にする効果をも得ようとするもの
である。従つて、第9図で示すように、オーバーフロー
ドレイン領域9で囲まれる領域11が水平走査方向にお
ける単位領域となされ、この単位領域11内には共用の
シフトレジスタ3′と、2本の絵素列とが設けられてい
る。
従つて、第10図及び第11図に夫々示す実施例はこの
基本思想をも導入した具体的な固体撮像体の構成を示し
、この場合、レジスタ用の転送電極φ1,φ2の形成領
域を図のように絵素のない部分まで突出させれば、第2
図の場合よりも=層電極面積の拡大が図れる。
基本思想をも導入した具体的な固体撮像体の構成を示し
、この場合、レジスタ用の転送電極φ1,φ2の形成領
域を図のように絵素のない部分まで突出させれば、第2
図の場合よりも=層電極面積の拡大が図れる。
以上説明したように、本発明では市松パターン状に絵素
が配列された固体撮像体において、絵素のない部分の電
極部分をこの絵素のない部分まで張り出す如く形成して
、シフトレジスタの電極面積を第2図に示す場合よりも
さらに拡大したから、キャリヤの転送効率を従来よりも
格段と向上しうる大きな特徴を有する。
が配列された固体撮像体において、絵素のない部分の電
極部分をこの絵素のない部分まで張り出す如く形成して
、シフトレジスタの電極面積を第2図に示す場合よりも
さらに拡大したから、キャリヤの転送効率を従来よりも
格段と向上しうる大きな特徴を有する。
即ち、第2図以下に例を挙げけ各種の変形例を採ること
によつて、従来に比し20〜50%程度向上できるもの
である。説明を容易にするため、従来例と、第10図に
示す変形例とを比較してみる。即ち、第12図Aに示す
従来の場合ではS/l−4.5であるのに対し本例では
1=11+12+13+14=44(μm)に対し、S
は297(μm)となるので、S/l−6.8となり、
50%程度の転送効率の向上を図りうることが判る。な
お、この電極面積の拡大に伴つて、取扱いうるキヤリヤ
も増加するので、雑音の軽減を図りうる効果がある。
によつて、従来に比し20〜50%程度向上できるもの
である。説明を容易にするため、従来例と、第10図に
示す変形例とを比較してみる。即ち、第12図Aに示す
従来の場合ではS/l−4.5であるのに対し本例では
1=11+12+13+14=44(μm)に対し、S
は297(μm)となるので、S/l−6.8となり、
50%程度の転送効率の向上を図りうることが判る。な
お、この電極面積の拡大に伴つて、取扱いうるキヤリヤ
も増加するので、雑音の軽減を図りうる効果がある。
又、第9図以下に示してあるように垂直シフトレジスタ
ざの両側に絵素を配すると共に、垂直方向に関してこの
絵素を交互に配列するように構成すれば、原理的には水
平方向の絵素数の%に垂直シフトレジスタの数を減少さ
せうると共に、水平方向の絵素数そのものも、従来に比
べ%にすることができる。
ざの両側に絵素を配すると共に、垂直方向に関してこの
絵素を交互に配列するように構成すれば、原理的には水
平方向の絵素数の%に垂直シフトレジスタの数を減少さ
せうると共に、水平方向の絵素数そのものも、従来に比
べ%にすることができる。
この場合、垂直相関を利用して信号処理すれば画質の劣
化は殆んどない。又、現在のテレビジヨン画像と同等の
画質を得るには%程度の絵素数とそれに伴う垂直シフト
レジスタを用いればよい。例えば、水平の絵素数を28
0個程度とすれば十分な解像度が得られる。依つて、垂
直シフトレジスタざの本数は140本程度の固体撮像体
10とすればよい。このように、第9図以下に示す構成
も加えれば固体撮像体そのものの製造が容易となる実用
上の効果を併せて有するものである。
化は殆んどない。又、現在のテレビジヨン画像と同等の
画質を得るには%程度の絵素数とそれに伴う垂直シフト
レジスタを用いればよい。例えば、水平の絵素数を28
0個程度とすれば十分な解像度が得られる。依つて、垂
直シフトレジスタざの本数は140本程度の固体撮像体
10とすればよい。このように、第9図以下に示す構成
も加えれば固体撮像体そのものの製造が容易となる実用
上の効果を併せて有するものである。
第1図は従来の固体撮像体の→uを示す平面図、第2図
は本発明の説明に供する固体撮像体の一例を示す平面図
、第3図はその横断面図、第4図は同様にその縦断面図
、第5図は垂直シフトレジスタの拡大平面図、第6図は
この固体撮像体を使用した場合の白黒像における信号処
理の一例を示す系統図、第7図はカラー像における系統
図、第8図乃至第11図は夫々本発明の一例を示す平面
図、第12図は本発明による固体撮像体の効果の一例を
説明するための図である。 10は固体撮像体、2{2a,2b}は絵素、3,3′
は垂直の、4は水平の各シフトレジスタ、9はオーバー
フロードレイン、11は単位領域、6はゲート領域、8
はチヤンネルストツパ、φ,,φ2は転送電極、φI,
φはゲート電極、φA,φbは蓄積電極、21は被写体
、25R〜25Bはフイルタである。
は本発明の説明に供する固体撮像体の一例を示す平面図
、第3図はその横断面図、第4図は同様にその縦断面図
、第5図は垂直シフトレジスタの拡大平面図、第6図は
この固体撮像体を使用した場合の白黒像における信号処
理の一例を示す系統図、第7図はカラー像における系統
図、第8図乃至第11図は夫々本発明の一例を示す平面
図、第12図は本発明による固体撮像体の効果の一例を
説明するための図である。 10は固体撮像体、2{2a,2b}は絵素、3,3′
は垂直の、4は水平の各シフトレジスタ、9はオーバー
フロードレイン、11は単位領域、6はゲート領域、8
はチヤンネルストツパ、φ,,φ2は転送電極、φI,
φはゲート電極、φA,φbは蓄積電極、21は被写体
、25R〜25Bはフイルタである。
Claims (1)
- 1 垂直方向に延長されて形成される平行した複数のシ
フトレジスタに隣接して市松パターンとなる如く所定の
ピッチで配列された複数の絵素を有する固体撮像体にお
いて、夫々の絵素を、ゲート領域を介して隣接したシフ
トレジスタと結合すると共に、上記シフトレジスタの電
極部分のうち、上記市松パターン状に配列された絵素の
ない部分の電極部分をこの絵素のない部分まで張り出す
如く形成して、電極面積Sとキャリアトラッピングに供
する電極の辺の長さlとの比S/lの大きいシフトレジ
スタを形成するようにしたことを特徴とする電荷転送素
子を有する固体撮像体。
Priority Applications (13)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP50012740A JPS5937629B2 (ja) | 1975-01-30 | 1975-01-30 | 固体撮像体 |
DE2602800A DE2602800C3 (de) | 1975-01-30 | 1976-01-26 | Festkörper-Bildsensor |
US05/652,116 US4012587A (en) | 1975-01-30 | 1976-01-26 | Solid state image sensor |
AU10567/76A AU494522B2 (en) | 1975-01-30 | 1976-01-27 | Solid state image sensor |
GB3331/76A GB1521881A (en) | 1975-01-30 | 1976-01-28 | Solid state image sensor devices |
CA244,389A CA1050640A (en) | 1975-01-30 | 1976-01-28 | Solid state image sensor |
AT62376A AT349550B (de) | 1975-01-30 | 1976-01-29 | Feststoff-bildabtaster |
CH109676A CH607333A5 (ja) | 1975-01-30 | 1976-01-29 | |
IT19760/76A IT1054590B (it) | 1975-01-30 | 1976-01-30 | Sensore di immagini a stato solido |
FR7602697A FR2299775A1 (fr) | 1975-01-30 | 1976-01-30 | Detecteur d'image en technique etat solide |
ES444819A ES444819A1 (es) | 1975-01-30 | 1976-01-30 | Captador de imagen de estado solido. |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5187913A JPS5187913A (ja) | 1976-07-31 |
JPS5937629B2 true JPS5937629B2 (ja) | 1984-09-11 |
Family
ID=11813813
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP50012740A Expired JPS5937629B2 (ja) | 1975-01-30 | 1975-01-30 | 固体撮像体 |
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CH (1) | CH607333A5 (ja) |
DE (1) | DE2602800C3 (ja) |
ES (1) | ES444819A1 (ja) |
FR (1) | FR2299775A1 (ja) |
GB (1) | GB1521881A (ja) |
IT (1) | IT1054590B (ja) |
NL (1) | NL187420C (ja) |
SE (1) | SE404642B (ja) |
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---|---|---|---|---|
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JPS51132719A (en) | 1975-05-13 | 1976-11-18 | Sony Corp | Solid-image pickup device |
JPS5217771A (en) * | 1975-07-31 | 1977-02-09 | Sony Corp | Charge transfer device |
JPS593066B2 (ja) * | 1975-09-18 | 1984-01-21 | ソニー株式会社 | コタイサツゾウタイ |
US4141024A (en) * | 1975-09-25 | 1979-02-20 | Sony Corporation | Solid state image sensing device |
DE2606308C2 (de) | 1976-02-17 | 1985-05-23 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Zweidimensionaler optoelektronischer Halbleitersensor |
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JPS5396720A (en) * | 1977-02-04 | 1978-08-24 | Hitachi Ltd | Solid image pickup element |
JPS5451318A (en) * | 1977-09-29 | 1979-04-23 | Sony Corp | Solid pickup unit |
US4185292A (en) * | 1977-10-07 | 1980-01-22 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Potential troughs for charge transfer devices |
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DE2813254C2 (de) * | 1978-03-28 | 1979-12-06 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Eindimensionaler CCD-Sensor mit Überlaufvorrichtung |
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-
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