JPS59115589A - 立体配線形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 発明の技術分野 本発明はサーマルプリンタのサーマルヘッド等に用いら
れる立体配線形成方法の改良に関するものである。

従来技術と問題点 この種の立体配線形成方法として、従来広の各種の方法
が採用されている。

（ａ）　　薄膜を用いたフォトリソグラフ法（ｂ）　　
厚膜印刷法 （Ｃ）　　テープキャリアボンディング法（ｄ）　　チ
ップ搭載法 しかしながら、これらの従来の方法には次のような欠点
があった。

すなわち、（ａｌの場合は上下導体間に介在する絶縁層
の信頼性が低くかつスルーホールでのコンタクト（通常
蒸着法）不良が発生し易く、（ｂ）の場合は導体間隔を
狭くできず、（ｅ）　、　（ｄｉの場合はボンディング
点数が多くかつ導体間隔を狭くできない。

そして、特に（ｂ）　、　（ｃｌ　、　（ｄ）の場合の
導体間隔を狭くできないことは、立体配線形成部が全領
域の半分以上金占めるサーマルヘッドに適用した場合、
小型化を進める上で大きな障害となっている。

発明の目的 本発明は上述の各種の欠点を解決するためのもので、ボ
ンディングを必要とせずしかも導体間隔を狭くして適用
対象物の小型化を可能にする信頼性の優れた立体配線形
成方法を提供することを目的としている。

発明の構成 本発明では、上述の目的を達成するため、下部導体上に
感光性ドライフィルムを積層して絶縁層を構成するとと
もに、該フィルムにそのパターニング性を利用して上下
導体接続用のスルーホールを形成した後、その上全面に
スルーホール内壁を含んで無電解メッキによυ第１の導
体膜を形成し、次にその上の上部導体パターンとなる部
分以外をレジストで憶って該レジスト形成部以外の部分
に部分電解メッキによシ第２の導体膜を形成し、最後に
前記第２の導体膜をマスクとして前記第１の導体膜をエ
ツチングして立体配線を形成している。

発明の実施例 以下、図面に関連して本発明の詳細な説明する。

立体配線の形成に際しては、筐ず第１図（ａ）に示すよ
うに、基板１の表面に下部導体２を形成する。

次に、第１図（ｂ）に示すように、この上に感光性ドラ
イフィルム３を積層して該ドライフィルム３に上下導体
接続用のスルーホール４を形成する。

このスルーホール４の形成は、ドライフィルム３のバタ
ーニング性を利用してフォトエツチングにより容易に行
うことができる。第２図はこの工程完了状態の平面図で
ある。ドライフィルム３の膜厚は１５〜３０μ程度であ
る。

次に、第１図（ｅ）に示すように、この上のスルーホー
ル４の内壁を含む全面に無電解メッキによシ第１の導体
膜５を形成する。この工程によシ下部導体２とスルーホ
ール４のコンタクトが確実に成立する。

次に、この上の上部導体パターンとなる部分以外をレジ
ストで覆い、該レジスト形成部以外の部分に部分電解メ
ッキにより第１図（ｄ）に示すように第２の導体膜６ｔ
−形成する。第３図はこの工程完了状態の平面図である
。

なお、第２の導体膜６は、第１の導体膜５をＣｕとした
ときはＮｉ又はＡｕとし、導体膜５１Ｎｉとしたときは
ＣＵ又はＡｌｌとする。

最後に、レジストを除去し導体膜６をマスクとして導体
膜５をエツチングすることにより導体膜６のパターンの
上部導体を形成して立体配線が完了する。

発明の効果 本発明は以上のように構成されているので、次に述べる
ような各種の優れた効果を奏することが可能である。

（１）上部導体は第１の導体膜上でノくターニングされ
たレジスト以外の部分に部分電解メッキにより形成され
た第２の導体膜をマスクとしてエツチングすることによ
り形成されるため、導体間隔を狭（（２００μピツチ以
下）することができ、下部導体も同様に導体間隔を狭く
することができるため、サーマルヘッド等の適用対象を
小型化することができる。

（２）スルーホールでの上部、下部導体のコンタクトを
確実にすることが可能である。

（３）　　絶縁層を感光性ドライフィルムによシ形成し
ているため、従来感光性樹脂等を使用する場合のごみ混
入によるピンホール発生をなくすることができ、（２）
項と関連して信頼性を向上させることが可能である。

【図面の簡単な説明】

図面は本発明に係る立体配線形成方法の実施例金示すも
ので、第１図（ａ）　、　（ｂＪ　、　（（！ｌ　、　
（ｄ）は作業順に示した工程図、第２図は第１図（ｂｌ
の工程完了状態を示す平面図、第３図は第１図（ｄｌの
工程完了状態を示す平面図である。 図中、１は基板、２は下部導体、３は感光性ドライフィ
ルム、４はスルーホール、５は第１の導体膜、６は第２
の導体膜である。 特許出願人　富士通株式会社 代理人弁理士　玉　蟲　久五　部（外３名）第１図 第２図 第３図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 基板上に下部導体を形成した後、その上全面に感光性ド
   ライフィルムを積層し該感光性ドライフィルムにフォト
   エツチングによシ上下導体接続用スルーホールを形成し
   、次にその上のスルーホール内壁を含む全面に無電解メ
   ッキに上り第１の導体膜を形成した後、その上の上部導
   体パターンとなる部分以外をレジストで覆って該レジス
   ト形成部以外の部分に部分電解メッキにより第２の導体
   膜を形成し、最後に該第２の導体膜をマスクとして前記
   第１の導体膜をエツチングして上部導体を形成すること
   を特徴とする立体配線形成方法。