JPS5833154A - 検査装置 - Google Patents
検査装置Info
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- JPS5833154A JPS5833154A JP13146781A JP13146781A JPS5833154A JP S5833154 A JPS5833154 A JP S5833154A JP 13146781 A JP13146781 A JP 13146781A JP 13146781 A JP13146781 A JP 13146781A JP S5833154 A JPS5833154 A JP S5833154A
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/9501—Semiconductor wafers
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Biochemistry (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Pathology (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発−はウェーハ等の画板上の欠陥部のＩＩ＃異点を検
査する装置に関するものである。
査する装置に関するものである。
シリコン基板（ウェーハ）を用いてシリコン牛尋＃装置
を製造する場合、ウェーハの表面に存在する欠陥、例え
ば付着した塵埃やｌ！麹状の異物は製造される早導体装
置の不良原因となる。＠に微細パターン化された最近の
苧尋体１１ｉ１ｅｃおいては。
を製造する場合、ウェーハの表面に存在する欠陥、例え
ば付着した塵埃やｌ！麹状の異物は製造される早導体装
置の不良原因となる。＠に微細パターン化された最近の
苧尋体１１ｉ１ｅｃおいては。
前述したような微細な欠陥も亭導体−驚の良否に大きな
影響をおよイしている。このため、製造に蒙しては欠陥
の検査やその員使Ｍｓの追求が必須のものとされており
、検査装置が要求されるに到っ曵いる− ところｔ％従来のこの種の検査羨置虻おいては、ウェー
ハＩＩＩＩＫ光を照射し、欠陥箇所において発生する乱
反射光を光学的に拡大しかつこれを電気音ＩＫ変換する
ことにより欠陥を検査する構成のものが採用されている
。この装置によれば、ウェーへ壷画の欠陥を煙時間で検
査！きるという利点を有するが、検査可能な欠陥は１μ
諷以上の欠陥であり、しかも光棲釣拡大（ｌｌｌＩＩ黴
鏡）で得られる不鮮明な欠陥像と欠陥数のみであり、欠
陥の状態を詳細に検査し得るのに十分な情報を得すこと
ができないという問題がある。
影響をおよイしている。このため、製造に蒙しては欠陥
の検査やその員使Ｍｓの追求が必須のものとされており
、検査装置が要求されるに到っ曵いる− ところｔ％従来のこの種の検査羨置虻おいては、ウェー
ハＩＩＩＩＫ光を照射し、欠陥箇所において発生する乱
反射光を光学的に拡大しかつこれを電気音ＩＫ変換する
ことにより欠陥を検査する構成のものが採用されている
。この装置によれば、ウェーへ壷画の欠陥を煙時間で検
査！きるという利点を有するが、検査可能な欠陥は１μ
諷以上の欠陥であり、しかも光棲釣拡大（ｌｌｌＩＩ黴
鏡）で得られる不鮮明な欠陥像と欠陥数のみであり、欠
陥の状態を詳細に検査し得るのに十分な情報を得すこと
ができないという問題がある。
したがって本発明の目的は、Ｎ１［上の欠陥を面職食体
にわたって検査する１次検査部と、欠陥部位を詳細に検
査する２次（３次・・・・・・ｎ次）検査部と、これら
両検査部間罠介装した欠陥位置配憶手段とで構成するこ
とにより、ｗＩ！上の欠陥等の轡異点を迅速に検査し得
るのはもとより、欠Ｓ勢の４１１ＪＩ点の状態や微小な
欠Ｓ郷の峙＾点を詳細（検査でき、これＫより多くの情
報を得ることができ検査装置を提供することにある。
にわたって検査する１次検査部と、欠陥部位を詳細に検
査する２次（３次・・・・・・ｎ次）検査部と、これら
両検査部間罠介装した欠陥位置配憶手段とで構成するこ
とにより、ｗＩ！上の欠陥等の轡異点を迅速に検査し得
るのはもとより、欠Ｓ勢の４１１ＪＩ点の状態や微小な
欠Ｓ郷の峙＾点を詳細（検査でき、これＫより多くの情
報を得ることができ検査装置を提供することにある。
以下、本発明を図面の実施ｆ４に１づいて説明する。
図は本発明の検査装置の全体構成図であり、ｌは１次検
査部、２は２次検査部である。１次検査部１は被検ＩＩ
坂であるウェーハ３をＸＹテーブル４上に載置しており
、このウェーハ３１Ｎ１１１にはレーザ光源５からのレ
ーザ党りを照射する。また、ウェーハ３上方には欠陥検
出ＩＩ６を配置し、前記レーず光のウェーハ表両での乱
反射光り。を検出する。更Ｋ、前記ＸＹテーブル４には
座標読電器）を付設し、ＸＹテーブル位置からウェーハ
１０塵榔位置を読み取り、これを座標配憶装置８内のカ
セットテープ９内に記憶で倉る。
査部、２は２次検査部である。１次検査部１は被検ＩＩ
坂であるウェーハ３をＸＹテーブル４上に載置しており
、このウェーハ３１Ｎ１１１にはレーザ光源５からのレ
ーザ党りを照射する。また、ウェーハ３上方には欠陥検
出ＩＩ６を配置し、前記レーず光のウェーハ表両での乱
反射光り。を検出する。更Ｋ、前記ＸＹテーブル４には
座標読電器）を付設し、ＸＹテーブル位置からウェーハ
１０塵榔位置を読み取り、これを座標配憶装置８内のカ
セットテープ９内に記憶で倉る。
一方、２次検査ｌＩ！はＸＹテーブル１０上に載置した
ウェーハを気書状ＩＩＫ収納する真空試料型１１を有し
、かつウェーハ３の上方には電子１ＩＩ１１１鋺１２お
よびこれに連設した螢光ＸＩＩ分析ｓ１３を設けている
。また、ＸＹテーブルＩＯＫは座標１１ｍｌＨ４とテー
プデツキ１５を連設し、前記カセットチー１９をテープ
デツキｌｌ５Ｋて絖み出すことによりカセット内に記憶
された位置にウェーハを移動させ為ことができる。１６
はモニタである。
ウェーハを気書状ＩＩＫ収納する真空試料型１１を有し
、かつウェーハ３の上方には電子１ＩＩ１１１鋺１２お
よびこれに連設した螢光ＸＩＩ分析ｓ１３を設けている
。また、ＸＹテーブルＩＯＫは座標１１ｍｌＨ４とテー
プデツキ１５を連設し、前記カセットチー１９をテープ
デツキｌｌ５Ｋて絖み出すことによりカセット内に記憶
された位置にウェーハを移動させ為ことができる。１６
はモニタである。
以上の構威虻よれば、１次検査＠１ではＸＹ予−プル４
上のウェーハ３表ＩＩＫレーザ党を照射すれは、ウェー
への欠陥箇所↑レーザ光は乱反射され欠陥検出ｓ６に入
射する。欠陥検出ｓ６は乱反射光を光学的に拡大しかつ
電気傷号Ｋｌｌ＋換した上で所定の検査ＩＩ（Ｉｆ示せ
ず）へ送り欠陥検査出力とする。一般的な量童工１１ｃ
おいて欠陥数レベル情報を得る場合はこの段階で評ｇＡ
８れる。前記検査器への出力と同時に、出力の一部は烏
標記憶鋏１１ＢＫ入力され、ここでＸＹテーブル４の座
標読取器７の出力備考と共にカセットテープ９に記憶さ
れる。
上のウェーハ３表ＩＩＫレーザ党を照射すれは、ウェー
への欠陥箇所↑レーザ光は乱反射され欠陥検出ｓ６に入
射する。欠陥検出ｓ６は乱反射光を光学的に拡大しかつ
電気傷号Ｋｌｌ＋換した上で所定の検査ＩＩ（Ｉｆ示せ
ず）へ送り欠陥検査出力とする。一般的な量童工１１ｃ
おいて欠陥数レベル情報を得る場合はこの段階で評ｇＡ
８れる。前記検査器への出力と同時に、出力の一部は烏
標記憶鋏１１ＢＫ入力され、ここでＸＹテーブル４の座
標読取器７の出力備考と共にカセットテープ９に記憶さ
れる。
そして、欠陥の更に詳細な情報を得るためには前記ウェ
ーハ３を２次検査＠７１のＸＹテーブル１゜上に載置す
る一方、カセットテープ９のテープデツキ１５内にセッ
トする。これにより、カセットテープ９内に記憶された
座標位置が読み出され、塵榔貌堆器１４と協働してウェ
ーハ３の対応する欠陥を電子顯黴鏡１２に対同位置させ
る。これＫより、この欠陥を電子原黴鏡１２および螢光
ＸＩＩ分析＠ １３ Ｋて評１ｌｌＫ検査することがで
きる。
ーハ３を２次検査＠７１のＸＹテーブル１゜上に載置す
る一方、カセットテープ９のテープデツキ１５内にセッ
トする。これにより、カセットテープ９内に記憶された
座標位置が読み出され、塵榔貌堆器１４と協働してウェ
ーハ３の対応する欠陥を電子顯黴鏡１２に対同位置させ
る。これＫより、この欠陥を電子原黴鏡１２および螢光
ＸＩＩ分析＠ １３ Ｋて評１ｌｌＫ検査することがで
きる。
したがって、この検１１１１１＃ｃよれ＃ｉミーラニー
ハル１ｍ存在する火陥の概要や敷部は１次検査部ｌのみ
で迅速に検査することができる一方、欠陥の形状、付着
異物の場合の材質等は２次検査部２を併用することによ
り検出でき、しかもこの２次検査部の検査において番エ
ウエーハの食面を対象とする必要はな（１次検査ＩＩＩ
において配憶されたウェーハ箇所のみでよいために検査
時間の短縮化を図ること−できる。そし【、２次検査部
２においては、１μ翼以下の欠除−鮮＠に検査でき、欠
陥の状態や原因を検査する上での十分な情報を得ること
ができる。
ハル１ｍ存在する火陥の概要や敷部は１次検査部ｌのみ
で迅速に検査することができる一方、欠陥の形状、付着
異物の場合の材質等は２次検査部２を併用することによ
り検出でき、しかもこの２次検査部の検査において番エ
ウエーハの食面を対象とする必要はな（１次検査ＩＩＩ
において配憶されたウェーハ箇所のみでよいために検査
時間の短縮化を図ること−できる。そし【、２次検査部
２においては、１μ翼以下の欠除−鮮＠に検査でき、欠
陥の状態や原因を検査する上での十分な情報を得ること
ができる。
ここで、前例のｌｌｌ−では１次、２次の各検査部を儒
ｊｌＪｓｃ験けているが、これを機械的に一体のものと
して構成することは極めて膵島である。また、欠陥の位
置記憶手段は前例のテープＫＷｋらず牛導体装置のメモ
リを刹期するようにしてもよい。更に、 ２次検査ＩＢ
虻は寸法検査器１色調検査器部■釣に応じて他の器機を
設置するようにしてもよい。
ｊｌＪｓｃ験けているが、これを機械的に一体のものと
して構成することは極めて膵島である。また、欠陥の位
置記憶手段は前例のテープＫＷｋらず牛導体装置のメモ
リを刹期するようにしてもよい。更に、 ２次検査ＩＢ
虻は寸法検査器１色調検査器部■釣に応じて他の器機を
設置するようにしてもよい。
以上のよ５に＊尭−の欠陥検査出力によれば、ｗＩ［の
食菌を検査して欠陥を検出する１次検査部と、１次検査
ｗＫて検出された欠陥を詳細に検出する２次検査部と、
これら両検査部間に介鋏して１次検査部でのｍｓの欠陥
位置を記憶する欠陥位置記憶手段とを備えているので、
欠陥の概要を迅速に検出できるのはもとより、欠陥の状
態やその原因、更には徽小欠鍮を％短時間でかっ詳細に
検出）き、欠陥の検査において十分な情報を得ることが
できるという効果を奏する。
食菌を検査して欠陥を検出する１次検査部と、１次検査
ｗＫて検出された欠陥を詳細に検出する２次検査部と、
これら両検査部間に介鋏して１次検査部でのｍｓの欠陥
位置を記憶する欠陥位置記憶手段とを備えているので、
欠陥の概要を迅速に検出できるのはもとより、欠陥の状
態やその原因、更には徽小欠鍮を％短時間でかっ詳細に
検出）き、欠陥の検査において十分な情報を得ることが
できるという効果を奏する。
！＠ＩＩＩの簡単な説−
図は本発明装置の全体構成図である。
ｌ−”−を次検査部、２・・・２次検査部、３・・・ウ
エーハ、６・・・欠陥検査器、８・−座標記憶装置、９
カ竜ットテープ、１２・・・電子顕微鏡、１３・・・
螢光Ｘ−分析器、１５−・テープデツキ。
エーハ、６・・・欠陥検査器、８・−座標記憶装置、９
カ竜ットテープ、１２・・・電子顕微鏡、１３・・・
螢光Ｘ−分析器、１５−・テープデツキ。
代履人 弁理士 薄 １）刹 幸
Claims (1)
- ｉ、 ｍｓ上の央瑚状異物等の欠陥等を検出する検査
装置において゛、前記Ｗ＊上を検査して特異点を検出す
る１次検査部と、前記１次検査部において検出された特
異点を部分的かつ詳細に少なくともＩＩＩＡＬ上検査す
るｎ次検査部と、これらの複数段階の検査部間虻介装し
て両検査部を連結しかつ前記検出した特異点の位置を記
憶する特異点位置記憶手段とを備えることを特徴とする
検査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13146781A JPS5833154A (ja) | 1981-08-24 | 1981-08-24 | 検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13146781A JPS5833154A (ja) | 1981-08-24 | 1981-08-24 | 検査装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5833154A true JPS5833154A (ja) | 1983-02-26 |
| JPH0325738B2 JPH0325738B2 (ja) | 1991-04-08 |
Family
ID=15058637
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13146781A Granted JPS5833154A (ja) | 1981-08-24 | 1981-08-24 | 検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5833154A (ja) |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60194535A (ja) * | 1984-02-22 | 1985-10-03 | ケイエルエイ・インストラメンツ・コ−ポレ−シヨン | ウエハ−検査装置の電気的制御装置 |
| JPS60202949A (ja) * | 1984-02-22 | 1985-10-14 | ケイエルエイ・インストラメンツ・コ−ポレ−シヨン | パターン化されたウエハーの自動的な検査装置 |
| JPS6199845A (ja) * | 1984-10-22 | 1986-05-17 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | 光学的欠陥検出装置 |
| JPS61253758A (ja) * | 1985-04-30 | 1986-11-11 | Shimadzu Corp | 微小部分析装置 |
| JPS61267246A (ja) * | 1985-05-21 | 1986-11-26 | Hitachi Ltd | 異物検出装置 |
| JPS625547A (ja) * | 1985-07-01 | 1987-01-12 | Ulvac Corp | 基板表面上の異物観察装置 |
| JPS6391947A (ja) * | 1986-10-03 | 1988-04-22 | Jeol Ltd | Ｘ線マイクロアナライザ− |
| JPH01147513A (ja) * | 1987-12-04 | 1989-06-09 | Hitachi Ltd | 異物解析装置 |
| JPH03181848A (ja) * | 1989-12-12 | 1991-08-07 | Sharp Corp | 半導体材料評価装置 |
| EP0685731A1 (en) * | 1994-06-02 | 1995-12-06 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Positioning method and analysis method of fine foreign matter and analyzer used therefor |
| JP2002168793A (ja) * | 2000-11-30 | 2002-06-14 | Fuji Photo Film Co Ltd | 表面欠陥検査装置および表面欠陥検査方法 |
| JP2004170092A (ja) * | 2002-11-18 | 2004-06-17 | Hitachi Electronics Eng Co Ltd | 表面検査方法及び表面検査装置 |
| JP2008014822A (ja) * | 2006-07-06 | 2008-01-24 | Canon Chemicals Inc | 板状体の検査装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5165362A (ja) * | 1974-11-30 | 1976-06-05 | Nissin Electric Co Ltd | |
| JPS5618708A (en) * | 1979-07-23 | 1981-02-21 | Siemens Ag | Optoelectronic inspector |
-
1981
- 1981-08-24 JP JP13146781A patent/JPS5833154A/ja active Granted
Patent Citations (2)
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Cited By (16)
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| JPH0528466B2 (ja) * | 1986-10-03 | 1993-04-26 | Nippon Electron Optics Lab | |
| JPS6391947A (ja) * | 1986-10-03 | 1988-04-22 | Jeol Ltd | Ｘ線マイクロアナライザ− |
| JPH01147513A (ja) * | 1987-12-04 | 1989-06-09 | Hitachi Ltd | 異物解析装置 |
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| EP0685731A1 (en) * | 1994-06-02 | 1995-12-06 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Positioning method and analysis method of fine foreign matter and analyzer used therefor |
| US5715052A (en) * | 1994-06-02 | 1998-02-03 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of detecting the position and the content of fine foreign matter on substrates and analyzers used therefor |
| JP2002168793A (ja) * | 2000-11-30 | 2002-06-14 | Fuji Photo Film Co Ltd | 表面欠陥検査装置および表面欠陥検査方法 |
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| JP2008014822A (ja) * | 2006-07-06 | 2008-01-24 | Canon Chemicals Inc | 板状体の検査装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0325738B2 (ja) | 1991-04-08 |
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