JPH1197656A - 半導体光センサデバイス - Google Patents
半導体光センサデバイスInfo
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- JPH1197656A JPH1197656A JP9256486A JP25648697A JPH1197656A JP H1197656 A JPH1197656 A JP H1197656A JP 9256486 A JP9256486 A JP 9256486A JP 25648697 A JP25648697 A JP 25648697A JP H1197656 A JPH1197656 A JP H1197656A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 安定した封止状態により特性の劣化、光学特
性の変動を防止し、過酷な条件での用途に対応できる半
導体光センサデバイスを提供する。 【解決手段】 絶縁材料から構成される筐体１と、筐体
１の内部から外部へ引き出されるリードフレーム２と、
筐体１の底部に固定される半導体光センサチップ６と、
半導体光センサチップ６の表面に設けられた端子と前記
配線部材とを電気的に接続するボンディングワイヤ３
と、筐体１の内部に充填されて半導体光センサチップ６
の上面を覆う透明シリコンゲル４と、この透明シリコン
ゲル４を介して半導体光センサチップ６の上方に設けら
れる透明板５とを備えた半導体光センサデバイスに関す
る。特徴的な構造としては、前記筐体１の底面に穴１
ａ，１ｂを設け、この穴１ａ，１ｂから透明シリコンゲ
ル４の表面を外気に対して露出する。
性の変動を防止し、過酷な条件での用途に対応できる半
導体光センサデバイスを提供する。 【解決手段】 絶縁材料から構成される筐体１と、筐体
１の内部から外部へ引き出されるリードフレーム２と、
筐体１の底部に固定される半導体光センサチップ６と、
半導体光センサチップ６の表面に設けられた端子と前記
配線部材とを電気的に接続するボンディングワイヤ３
と、筐体１の内部に充填されて半導体光センサチップ６
の上面を覆う透明シリコンゲル４と、この透明シリコン
ゲル４を介して半導体光センサチップ６の上方に設けら
れる透明板５とを備えた半導体光センサデバイスに関す
る。特徴的な構造としては、前記筐体１の底面に穴１
ａ，１ｂを設け、この穴１ａ，１ｂから透明シリコンゲ
ル４の表面を外気に対して露出する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体光センサチ
ップが実装される外囲器の構造を改良した半導体光セン
サデバイスに関する。
ップが実装される外囲器の構造を改良した半導体光セン
サデバイスに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＣＣＤ(charge coupled device)
のような半導体光センサデバイスは、セラミック外囲器
に封止された実装形態で用いられている。図９（ａ）、
図１０（ａ）は従来のセラミック外囲器にパッケージン
グされたＣＣＤ画像センサを示す平面図であり、図９
（ｂ）、図１０（ｂ）は各々のＩ−Ｉ断面図、Ｊ−Ｊ断
面図である。この場合、光センサはＣＣＤ画像センサの
他フォトダイオード、赤外線センサなど他の光センサで
も構わない。
のような半導体光センサデバイスは、セラミック外囲器
に封止された実装形態で用いられている。図９（ａ）、
図１０（ａ）は従来のセラミック外囲器にパッケージン
グされたＣＣＤ画像センサを示す平面図であり、図９
（ｂ）、図１０（ｂ）は各々のＩ−Ｉ断面図、Ｊ−Ｊ断
面図である。この場合、光センサはＣＣＤ画像センサの
他フォトダイオード、赤外線センサなど他の光センサで
も構わない。
【０００３】図９（ｂ）に示されたセラミック製外囲器
基体は、半導体光センサチップ５８がダイボンディング
されるセラミック基板５９、収容される半導体チップの
内部端子に対応してパターニングされ、リードピン機能
も兼ね備えるリードフレーム５５、外囲器開口部に透明
板を固着するための絶縁枠となるセラミック外周枠６０
から構成される。
基体は、半導体光センサチップ５８がダイボンディング
されるセラミック基板５９、収容される半導体チップの
内部端子に対応してパターニングされ、リードピン機能
も兼ね備えるリードフレーム５５、外囲器開口部に透明
板を固着するための絶縁枠となるセラミック外周枠６０
から構成される。
【０００４】セラミック基板５９はその底面にダイボン
ディングのための凹部があり、その凹部底面には半導体
光センサチップ５８がダイボンディングされている。リ
ードフレーム５５は収容される半導体光センサチップ５
８の内部端子に対応してパターニングされており、セラ
ミック基板５９とセラミック外周枠６０との間に挟まれ
る形で低融点ガラスまたは接着剤６１によって固着され
ている。収納された半導体光センサチップ５８の各内部
端子は、ボンディングワイヤ５６を介して各々対応する
前記リードフレーム５５に接続されている。
ディングのための凹部があり、その凹部底面には半導体
光センサチップ５８がダイボンディングされている。リ
ードフレーム５５は収容される半導体光センサチップ５
８の内部端子に対応してパターニングされており、セラ
ミック基板５９とセラミック外周枠６０との間に挟まれ
る形で低融点ガラスまたは接着剤６１によって固着され
ている。収納された半導体光センサチップ５８の各内部
端子は、ボンディングワイヤ５６を介して各々対応する
前記リードフレーム５５に接続されている。
【０００５】また、セラミック外周枠６０の上面つまり
セラミック製外囲器基体の開口部端面には、低融点ガラ
スまたは接着剤６２によって透明板５７が固着されてお
り、外囲器内底面部に収容されている半導体光センサチ
ップ５８を封止している。但し、外囲器内部は中空状態
である。上記の構造からなる半導体光センサデバイス
は、透明板５７を透過してくる光を半導体光センサチッ
プ５８が検知し、それによる信号をリードフレーム５５
を介して出力することによりセンサ装置として機能する
ものである。
セラミック製外囲器基体の開口部端面には、低融点ガラ
スまたは接着剤６２によって透明板５７が固着されてお
り、外囲器内底面部に収容されている半導体光センサチ
ップ５８を封止している。但し、外囲器内部は中空状態
である。上記の構造からなる半導体光センサデバイス
は、透明板５７を透過してくる光を半導体光センサチッ
プ５８が検知し、それによる信号をリードフレーム５５
を介して出力することによりセンサ装置として機能する
ものである。
【０００６】図１０（ｂ）は、図９（ｂ）とは異なり、
外囲器内部が中空状態ではなく透明樹脂により封止され
た従来の表面実装タイプのＣＣＤ画像センサを示す断面
図である。図１０（ｂ）において、６３はプラスチック
基板である。このプラスチック基板６３の表面中央部付
近には半導体光センサチップ５８がボンディングされて
いる。また、プラスチック基板６３の表面には、収容さ
れる半導体光センサチップ５８の内部端子に対応した金
属配線パターン６５が半導体光センサチップ５８のボン
ディングされる位置の近傍までパターニングされてい
る。
外囲器内部が中空状態ではなく透明樹脂により封止され
た従来の表面実装タイプのＣＣＤ画像センサを示す断面
図である。図１０（ｂ）において、６３はプラスチック
基板である。このプラスチック基板６３の表面中央部付
近には半導体光センサチップ５８がボンディングされて
いる。また、プラスチック基板６３の表面には、収容さ
れる半導体光センサチップ５８の内部端子に対応した金
属配線パターン６５が半導体光センサチップ５８のボン
ディングされる位置の近傍までパターニングされてい
る。
【０００７】金属配線パターン６５の半導体光センサチ
ップ５８側の端部は、ボンディングワイヤ５６を介して
半導体光センサチップ５８のボンディングパッドと接続
されている。また、この金属配線パターン６５はプラス
チック基板６３の外縁部でスルーホール６７によってプ
ラスチック基板６３の裏面にパターニングされた実装用
端子６６に接続されている。金属配線パターン６５の上
には半導体光センサチップ５８とのワイヤボンディング
部分を囲む形で、絶縁体外枠６４が接着剤６８によって
プラスチック基板６３と接着固定されている。更に、絶
縁体外枠６４で囲まれた内側には、半導体光センサチッ
プ５８及びボンディングワイヤ５６を完全に封止する形
で透明樹脂６９が充填され、その上には透明板５７がこ
の透明樹脂または接着剤７０によって固着されている。
ップ５８側の端部は、ボンディングワイヤ５６を介して
半導体光センサチップ５８のボンディングパッドと接続
されている。また、この金属配線パターン６５はプラス
チック基板６３の外縁部でスルーホール６７によってプ
ラスチック基板６３の裏面にパターニングされた実装用
端子６６に接続されている。金属配線パターン６５の上
には半導体光センサチップ５８とのワイヤボンディング
部分を囲む形で、絶縁体外枠６４が接着剤６８によって
プラスチック基板６３と接着固定されている。更に、絶
縁体外枠６４で囲まれた内側には、半導体光センサチッ
プ５８及びボンディングワイヤ５６を完全に封止する形
で透明樹脂６９が充填され、その上には透明板５７がこ
の透明樹脂または接着剤７０によって固着されている。
【０００８】上記の構造から成る光センサデバイスは、
基本的な原理は図９に示したものと変わらない。異なる
点は、外囲器内部が中空状態ではなく透明樹脂６９が充
填されていることである。
基本的な原理は図９に示したものと変わらない。異なる
点は、外囲器内部が中空状態ではなく透明樹脂６９が充
填されていることである。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】図９のようにセラミッ
ク外囲器によってパッケージングされた従来の半導体光
センサデバイスは、半導体光センサチップを収容した外
囲器の内部が中空状態になっているので、封止した外囲
器の内部のガスの状態によっては半導体光センサチップ
表面またはボンディングワイヤに劣化を生じるため、外
囲器の内部に不活性ガスを充填しなければならなかっ
た。また不活性ガスを用いたとしても温度、湿度条件を
厳密に制御しなければ特性の低下を回避できないという
問題があった。更に、不活性ガスの充填後はガスのリー
ク検査を行わなければならないので、パッケージコスト
が高くなるという問題があった。
ク外囲器によってパッケージングされた従来の半導体光
センサデバイスは、半導体光センサチップを収容した外
囲器の内部が中空状態になっているので、封止した外囲
器の内部のガスの状態によっては半導体光センサチップ
表面またはボンディングワイヤに劣化を生じるため、外
囲器の内部に不活性ガスを充填しなければならなかっ
た。また不活性ガスを用いたとしても温度、湿度条件を
厳密に制御しなければ特性の低下を回避できないという
問題があった。更に、不活性ガスの充填後はガスのリー
ク検査を行わなければならないので、パッケージコスト
が高くなるという問題があった。
【００１０】また、図１０に示す表面実装タイプの外囲
器では図９に示す内部中空タイプの外囲器とは異なり、
透明樹脂６９によって半導体光センサチップ５８の保護
及び外囲器の封止を行っている。しかし、外囲器の周囲
温度及び外囲器内部の温度の変化によりこの透明樹脂６
９が膨張、収縮し、これが原因で外囲器と透明樹脂６９
との界面で剥離が発生したり、透明樹脂６９の内部に気
泡が発生し、場合によってはボンディングワイヤ５６が
切断されるという問題があった。更に、温度変化による
透明樹脂６９の膨張、収縮により、透明板５７の上面か
ら半導体光センサチップ５８の表面までの距離が変化
し、光学特性が変動する問題もあった。
器では図９に示す内部中空タイプの外囲器とは異なり、
透明樹脂６９によって半導体光センサチップ５８の保護
及び外囲器の封止を行っている。しかし、外囲器の周囲
温度及び外囲器内部の温度の変化によりこの透明樹脂６
９が膨張、収縮し、これが原因で外囲器と透明樹脂６９
との界面で剥離が発生したり、透明樹脂６９の内部に気
泡が発生し、場合によってはボンディングワイヤ５６が
切断されるという問題があった。更に、温度変化による
透明樹脂６９の膨張、収縮により、透明板５７の上面か
ら半導体光センサチップ５８の表面までの距離が変化
し、光学特性が変動する問題もあった。
【００１１】そこで本発明は、上記問題点を解決し、安
定した封止状態により特性の劣化及び光学特性の変動を
防止でき、自動車用など過酷な条件での用途に対応でき
る半導体光センサデバイスを提供するものである。
定した封止状態により特性の劣化及び光学特性の変動を
防止でき、自動車用など過酷な条件での用途に対応でき
る半導体光センサデバイスを提供するものである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、請求項１記載の発明は、絶縁材料から構成される筐
体と、この筐体の内部から外部へ引き出される配線部材
と、筐体の底部に固定される半導体光センサチップと、
この半導体光センサチップ表面に設けられた端子と前記
配線部材とを電気的に接続する手段と、筐体の内部に充
填されて半導体光センサチップの上面を覆う透明充填剤
と、この透明充填剤を介して半導体光センサチップの上
方に設けられる透明板とを備えた半導体光センサデバイ
スに関する。そして、前記筐体の底面に穴を設け、この
穴から前記透明充填剤の表面を外気に対して露出するも
のである。
め、請求項１記載の発明は、絶縁材料から構成される筐
体と、この筐体の内部から外部へ引き出される配線部材
と、筐体の底部に固定される半導体光センサチップと、
この半導体光センサチップ表面に設けられた端子と前記
配線部材とを電気的に接続する手段と、筐体の内部に充
填されて半導体光センサチップの上面を覆う透明充填剤
と、この透明充填剤を介して半導体光センサチップの上
方に設けられる透明板とを備えた半導体光センサデバイ
スに関する。そして、前記筐体の底面に穴を設け、この
穴から前記透明充填剤の表面を外気に対して露出するも
のである。
【００１３】請求項２記載の発明は、前記透明充填剤の
上面のうち前記透明板に当接する部分を除いた領域を、
外気に対して露出するものである。すなわち、透明充填
剤の上面のうち一部に透明板を載置し、残りの部分を外
気に対して露出させる。
上面のうち前記透明板に当接する部分を除いた領域を、
外気に対して露出するものである。すなわち、透明充填
剤の上面のうち一部に透明板を載置し、残りの部分を外
気に対して露出させる。
【００１４】請求項３記載の発明は、請求項１に記載し
た半導体光センサデバイスにおいて、請求項２の発明と
同様に、前記透明樹脂層の上面のうち前記透明板に当接
する部分を除いた領域を、外気に対して露出するもので
ある。
た半導体光センサデバイスにおいて、請求項２の発明と
同様に、前記透明樹脂層の上面のうち前記透明板に当接
する部分を除いた領域を、外気に対して露出するもので
ある。
【００１５】請求項４記載の発明は、請求項２または３
記載の半導体光センサデバイスにおいて、前記透明板
を、前記筐体に設けられた支柱により支持するものであ
る。この支柱は、例えば筐体の内周面または底面に一体
的に形成される。
記載の半導体光センサデバイスにおいて、前記透明板
を、前記筐体に設けられた支柱により支持するものであ
る。この支柱は、例えば筐体の内周面または底面に一体
的に形成される。
【００１６】請求項５記載の発明は、請求項１と同様に
筐体の底面に透明充填剤に通じる穴を設けると共に、こ
の穴を覆う薄膜を前記筐体の底面に取り付けるものであ
る。
筐体の底面に透明充填剤に通じる穴を設けると共に、こ
の穴を覆う薄膜を前記筐体の底面に取り付けるものであ
る。
【００１７】請求項６記載の発明は、請求項１と同様に
筐体の底面に透明充填剤に通じる穴を設けると共に、こ
の穴に臨む透明充填剤の表面にコーティングを施すもの
である。
筐体の底面に透明充填剤に通じる穴を設けると共に、こ
の穴に臨む透明充填剤の表面にコーティングを施すもの
である。
【００１８】なお、上記各請求項記載の発明において
は、請求項７に記載するように、前記透明充填剤として
例えば透明シリコンゲルが用いられる。
は、請求項７に記載するように、前記透明充填剤として
例えば透明シリコンゲルが用いられる。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、図に沿って本発明の実施形
態を説明する。図１（ａ）は本発明の第１実施形態の平
面図、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ断面図である。
この実施形態は請求項１に記載した発明の実施形態に相
当する。図１（ｂ）において、プラスチック筐体１は、
上面と、半導体光センサチップ６のボンディング位置と
それを支える部分を除いた底面との２面が開放された構
造となっている。すなわち、プラスチック筐体１の底面
に穴１ａ，１ｂを有する。このプラスチック筐体１は、
配線部材としてのリードフレーム２が内部から外部へ貫
通している。
態を説明する。図１（ａ）は本発明の第１実施形態の平
面図、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ断面図である。
この実施形態は請求項１に記載した発明の実施形態に相
当する。図１（ｂ）において、プラスチック筐体１は、
上面と、半導体光センサチップ６のボンディング位置と
それを支える部分を除いた底面との２面が開放された構
造となっている。すなわち、プラスチック筐体１の底面
に穴１ａ，１ｂを有する。このプラスチック筐体１は、
配線部材としてのリードフレーム２が内部から外部へ貫
通している。
【００２０】また、プラスチック筐体１の底部にはＣＣ
Ｄ画像センサ、フォトダイオード、赤外線センサ等の半
導体光センサチップ６がボンディングされており、この
チップ６のボンディング部分とそれをプラスチック筐体
１の周辺部に接続しボンディング部分を固定している部
分を除いて開放状態となっている。ボンディングされて
いる半導体光センサチップ６表面の内部端子とリードフ
レーム２とは、ボンディングワイヤ３を介して接続され
ている。更に、プラスチック筐体１の上縁部には、透明
板５が接着または溶着により固着されている。このプラ
スチック筐体１の内部には透明充填剤としての透明シリ
コンゲル４が充填され、この透明シリコンゲル４はプラ
スチック筐体１底部の穴１ａ，１ｂにおいて外気に対し
露出している。
Ｄ画像センサ、フォトダイオード、赤外線センサ等の半
導体光センサチップ６がボンディングされており、この
チップ６のボンディング部分とそれをプラスチック筐体
１の周辺部に接続しボンディング部分を固定している部
分を除いて開放状態となっている。ボンディングされて
いる半導体光センサチップ６表面の内部端子とリードフ
レーム２とは、ボンディングワイヤ３を介して接続され
ている。更に、プラスチック筐体１の上縁部には、透明
板５が接着または溶着により固着されている。このプラ
スチック筐体１の内部には透明充填剤としての透明シリ
コンゲル４が充填され、この透明シリコンゲル４はプラ
スチック筐体１底部の穴１ａ，１ｂにおいて外気に対し
露出している。
【００２１】第１実施形態では、プラスチック筐体１の
内部が透明シリコンゲル４で完全に満たされ、半導体光
センサチップ６及びボンディングワイヤ３は透明シリコ
ンゲル４で完全に封止され、保護されている。従って、
従来のように封止に用いられるガス状態が半導体光セン
サチップに影響することはなく、安定した特性を維持す
ることができる。また、第１実施形態では、プラスチッ
ク筐体１の底面が穴１ａ，１ｂによって開放されてお
り、透明シリコンゲル４がこれらの穴１ａ，１ｂから露
出した形態となっている。このため、温度変化により透
明シリコンゲル４が膨張、収縮してもプラスチック筐体
１底部のシリコンゲル露出部が上下し、透明シリコンゲ
ル４の温度変化による体積変動を吸収する。従って、従
来の透明充填剤（透明樹脂）により筐体内部が完全に密
封されている構造のように、充填剤の膨張、収縮に起因
する、充填剤内部における気泡の発生や外気の吸引、充
填剤と筐体との界面剥離は発生せず、安定した特性を維
持することができる。更に、第１実施形態では、透明板
５がプラスチック筐体１の上面に固着されているので、
筐体内部の透明シリコンゲル４が膨張、収縮しても、透
明板５の表面から半導体光センサチップ６の表面までの
距離は変わらない。従って、透明シリコンゲル４の体積
変化が光学特性に影響することはなく、安定した特性を
維持することができる。この第１実施形態の実施方法を
以下に示す。金型に金属板（リードフレーム２）を挿入
し熱可塑性樹脂で射出成形したプラスチック筐体１に半
導体光センサチップ６をボンディングし、そしてボンデ
ィングワイヤ３のボンディングを行ない、透明板５をプ
ラスチック筐体１に接着剤により接着または溶剤、超音
波等により溶着する。溶着を行なう場合は、プラスチッ
ク筐体１と透明板５は同じ材質であることが望ましい。
その後、プラスチック筐体１を逆さにし底部の穴１ａ、
穴１ｂより未硬化の透明シリコンゲル４を充填し、恒温
槽に入れ透明シリコンゲル４を熱硬化する。
内部が透明シリコンゲル４で完全に満たされ、半導体光
センサチップ６及びボンディングワイヤ３は透明シリコ
ンゲル４で完全に封止され、保護されている。従って、
従来のように封止に用いられるガス状態が半導体光セン
サチップに影響することはなく、安定した特性を維持す
ることができる。また、第１実施形態では、プラスチッ
ク筐体１の底面が穴１ａ，１ｂによって開放されてお
り、透明シリコンゲル４がこれらの穴１ａ，１ｂから露
出した形態となっている。このため、温度変化により透
明シリコンゲル４が膨張、収縮してもプラスチック筐体
１底部のシリコンゲル露出部が上下し、透明シリコンゲ
ル４の温度変化による体積変動を吸収する。従って、従
来の透明充填剤（透明樹脂）により筐体内部が完全に密
封されている構造のように、充填剤の膨張、収縮に起因
する、充填剤内部における気泡の発生や外気の吸引、充
填剤と筐体との界面剥離は発生せず、安定した特性を維
持することができる。更に、第１実施形態では、透明板
５がプラスチック筐体１の上面に固着されているので、
筐体内部の透明シリコンゲル４が膨張、収縮しても、透
明板５の表面から半導体光センサチップ６の表面までの
距離は変わらない。従って、透明シリコンゲル４の体積
変化が光学特性に影響することはなく、安定した特性を
維持することができる。この第１実施形態の実施方法を
以下に示す。金型に金属板（リードフレーム２）を挿入
し熱可塑性樹脂で射出成形したプラスチック筐体１に半
導体光センサチップ６をボンディングし、そしてボンデ
ィングワイヤ３のボンディングを行ない、透明板５をプ
ラスチック筐体１に接着剤により接着または溶剤、超音
波等により溶着する。溶着を行なう場合は、プラスチッ
ク筐体１と透明板５は同じ材質であることが望ましい。
その後、プラスチック筐体１を逆さにし底部の穴１ａ、
穴１ｂより未硬化の透明シリコンゲル４を充填し、恒温
槽に入れ透明シリコンゲル４を熱硬化する。
【００２２】図２（ａ）は第２実施形態の平面図、図２
（ｂ）は図２（ａ）のＢ−Ｂ断面図である。この実施形
態も請求項１に記載した発明の実施形態に相当する。こ
の第２実施形態は、第１実施形態と異なり、プラスチッ
ク筐体１の半導体光センサチップ６のボンディング位置
に金属ダイパッド７を備えたものである。金属ダイパッ
ド７は、半導体光センサチップ６のパッケージの電位を
グラウンドに落としたり、または、半導体光センサチッ
プ６とプラスチック筐体１との接着性を良くするために
挿入されるものである。なお、この金属ダイパッド７が
配置されるプラスチック筐体１の部分には、穴１ｃが形
成されている。この穴１ｃはプラスチック筐体１の射出
成形時に金属ダイパッド７を射出される樹脂により動か
ないように支えるためのピンが挿入される穴である。そ
の他の構成は第１の実施形態と全く同一である。
（ｂ）は図２（ａ）のＢ−Ｂ断面図である。この実施形
態も請求項１に記載した発明の実施形態に相当する。こ
の第２実施形態は、第１実施形態と異なり、プラスチッ
ク筐体１の半導体光センサチップ６のボンディング位置
に金属ダイパッド７を備えたものである。金属ダイパッ
ド７は、半導体光センサチップ６のパッケージの電位を
グラウンドに落としたり、または、半導体光センサチッ
プ６とプラスチック筐体１との接着性を良くするために
挿入されるものである。なお、この金属ダイパッド７が
配置されるプラスチック筐体１の部分には、穴１ｃが形
成されている。この穴１ｃはプラスチック筐体１の射出
成形時に金属ダイパッド７を射出される樹脂により動か
ないように支えるためのピンが挿入される穴である。そ
の他の構成は第１の実施形態と全く同一である。
【００２３】図３（ａ）は第３実施形態の平面図、図３
（ｂ）は図３（ａ）のＣ−Ｃ断面図である。この実施形
態は請求項２に記載した発明の実施形態に相当する。プ
ラスチック筐体１はリードフレーム２が内部から外部へ
貫通している。また、プラスチック筐体１の内側底部の
半導体光センサチップ６のボンディング位置には、半導
体光センサチップ６のボンディング用の凹部１ｄが設け
られている。この凹部１ｄには半導体光センサチップ６
がボンディングされており、半導体光センサチップ６表
面の内部端子とリードフレーム２とはボンディングワイ
ヤ３を介して接続されている。プラスチック筐体１の内
部には透明シリコンゲル４が充填され、更にこの透明シ
リコンゲル４の表面の中央部には透明板５が、プラスチ
ック筐体１には接せず透明シリコンゲル４の表面に浮い
た状態で接着されている。すなわち、透明シリコンゲル
４の上面のうち透明板５に当接する部分を除いた領域が
外気に対して露出しており、言い換えれば、透明シリコ
ンゲル４の上面のうち一部に透明板５を載置し、残りの
部分を外気に対して露出させている。
（ｂ）は図３（ａ）のＣ−Ｃ断面図である。この実施形
態は請求項２に記載した発明の実施形態に相当する。プ
ラスチック筐体１はリードフレーム２が内部から外部へ
貫通している。また、プラスチック筐体１の内側底部の
半導体光センサチップ６のボンディング位置には、半導
体光センサチップ６のボンディング用の凹部１ｄが設け
られている。この凹部１ｄには半導体光センサチップ６
がボンディングされており、半導体光センサチップ６表
面の内部端子とリードフレーム２とはボンディングワイ
ヤ３を介して接続されている。プラスチック筐体１の内
部には透明シリコンゲル４が充填され、更にこの透明シ
リコンゲル４の表面の中央部には透明板５が、プラスチ
ック筐体１には接せず透明シリコンゲル４の表面に浮い
た状態で接着されている。すなわち、透明シリコンゲル
４の上面のうち透明板５に当接する部分を除いた領域が
外気に対して露出しており、言い換えれば、透明シリコ
ンゲル４の上面のうち一部に透明板５を載置し、残りの
部分を外気に対して露出させている。
【００２４】第３実施形態では、プラスチック筐体１の
内部が透明シリコンゲル４で完全に満たされ、半導体光
センサチップ６及びボンディングワイヤ３は透明シリコ
ンゲル４で完全に封止され、保護されている。従って、
従来のように封止に用いられるガス状態が半導体チップ
に影響することはなく、安定した特性を維持することが
できる。また、上記構造ではプラスチック筐体１の上面
が開放されており透明シリコンゲル４が一部で露出した
形態となっている。このため、温度変化により透明シリ
コンゲル４が膨張、収縮すると透明シリコンゲル４の露
出面及び透明板５が上下し、透明シリコンゲル４の温度
変化による体積変動を吸収する。従って、従来の透明充
填剤（透明樹脂）により筐体内部が完全に密封されてい
る構造のように充填剤の膨張、収縮に起因する、充填剤
内部の気泡の発生及び外気の吸引、充填剤と筐体との界
面剥離は発生せず、安定した特性を維持することができ
る。
内部が透明シリコンゲル４で完全に満たされ、半導体光
センサチップ６及びボンディングワイヤ３は透明シリコ
ンゲル４で完全に封止され、保護されている。従って、
従来のように封止に用いられるガス状態が半導体チップ
に影響することはなく、安定した特性を維持することが
できる。また、上記構造ではプラスチック筐体１の上面
が開放されており透明シリコンゲル４が一部で露出した
形態となっている。このため、温度変化により透明シリ
コンゲル４が膨張、収縮すると透明シリコンゲル４の露
出面及び透明板５が上下し、透明シリコンゲル４の温度
変化による体積変動を吸収する。従って、従来の透明充
填剤（透明樹脂）により筐体内部が完全に密封されてい
る構造のように充填剤の膨張、収縮に起因する、充填剤
内部の気泡の発生及び外気の吸引、充填剤と筐体との界
面剥離は発生せず、安定した特性を維持することができ
る。
【００２５】なお、第３実施形態においても、必要に応
じて、プラスチック筐体１の内側底部の半導体光センサ
チップ６のボンディング位置に金属ダイパッドを備える
ことが可能である。また、図示されていないが、図３の
構造においてプラスチック筐体１の底面に図１のような
穴１ａ，１ｂを形成しても良い。その場合の構造が請求
項３に記載した発明の実施形態に相当する。
じて、プラスチック筐体１の内側底部の半導体光センサ
チップ６のボンディング位置に金属ダイパッドを備える
ことが可能である。また、図示されていないが、図３の
構造においてプラスチック筐体１の底面に図１のような
穴１ａ，１ｂを形成しても良い。その場合の構造が請求
項３に記載した発明の実施形態に相当する。
【００２６】図４（ａ）は第４実施形態の平面図、図４
（ｂ）は図４（ａ）のＤ−Ｄ断面図である。この実施形
態は、請求項４に記載した発明の実施形態に相当する。
第４実施形態は、プラスチック筐体１の上面が開放され
ており、透明板５がプラスチック筐体１底部に透明板固
定支柱８１によって固定されているものである。ここ
で、透明板固定支柱８１は、半導体光センサチップ６の
周囲四隅においてプラスチック筐体１の底面に立設され
ている。プラスチック筐体１はリードフレーム２が内部
から外部へ貫通しており、またプラスチック筐体１内側
の半導体光センサチップ６のボンディング位置には第３
実施形態と同様に凹部１ｄが設けられている。この凹部
１ｄには半導体光センサチップ６がボンディングされて
おり、半導体光センサチップ６表面の内部端子とリード
フレーム２とはボンディングワイヤ３を介して接続され
ている。プラスチック筐体１の内部には透明シリコンゲ
ル４が充填され、更にこの透明シリコンゲル４の表面に
は透明板５が透明板固定支柱８１を介してプラスチック
筐体１に固定されている。この場合、透明板５はプラス
チック筐体１には接触せず、透明シリコンゲル４表面に
透明板５の底面が接した状態で固定されている。
（ｂ）は図４（ａ）のＤ−Ｄ断面図である。この実施形
態は、請求項４に記載した発明の実施形態に相当する。
第４実施形態は、プラスチック筐体１の上面が開放され
ており、透明板５がプラスチック筐体１底部に透明板固
定支柱８１によって固定されているものである。ここ
で、透明板固定支柱８１は、半導体光センサチップ６の
周囲四隅においてプラスチック筐体１の底面に立設され
ている。プラスチック筐体１はリードフレーム２が内部
から外部へ貫通しており、またプラスチック筐体１内側
の半導体光センサチップ６のボンディング位置には第３
実施形態と同様に凹部１ｄが設けられている。この凹部
１ｄには半導体光センサチップ６がボンディングされて
おり、半導体光センサチップ６表面の内部端子とリード
フレーム２とはボンディングワイヤ３を介して接続され
ている。プラスチック筐体１の内部には透明シリコンゲ
ル４が充填され、更にこの透明シリコンゲル４の表面に
は透明板５が透明板固定支柱８１を介してプラスチック
筐体１に固定されている。この場合、透明板５はプラス
チック筐体１には接触せず、透明シリコンゲル４表面に
透明板５の底面が接した状態で固定されている。
【００２７】第４実施形態では、第３実施形態と同様に
プラスチック筐体１の内部が透明シリコンゲル４で完全
に満たされ、半導体光センサチップ６及びボンディング
ワイヤ３は透明シリコンゲル４で完全に封止され、保護
されている。従って、従来のように封止に用いられるガ
ス状態が半導体チップに影響することはなく、安定した
特性を維持することができる。また、温度変化により透
明シリコンゲル４が膨張、収縮した場合に透明シリコン
ゲル４の露出面が上下し、透明シリコンゲル４の温度変
化による体積変動を吸収する。従って、従来の透明充填
剤（透明樹脂）による密封構造のように充填剤の膨張、
収縮に起因する、充填剤内部の気泡の発生及び外気の吸
引、充填剤と筐体との界面剥離は発生せず、安定した特
性を維持することができる。
プラスチック筐体１の内部が透明シリコンゲル４で完全
に満たされ、半導体光センサチップ６及びボンディング
ワイヤ３は透明シリコンゲル４で完全に封止され、保護
されている。従って、従来のように封止に用いられるガ
ス状態が半導体チップに影響することはなく、安定した
特性を維持することができる。また、温度変化により透
明シリコンゲル４が膨張、収縮した場合に透明シリコン
ゲル４の露出面が上下し、透明シリコンゲル４の温度変
化による体積変動を吸収する。従って、従来の透明充填
剤（透明樹脂）による密封構造のように充填剤の膨張、
収縮に起因する、充填剤内部の気泡の発生及び外気の吸
引、充填剤と筐体との界面剥離は発生せず、安定した特
性を維持することができる。
【００２８】更に、第４実施形態では、透明板５がプラ
スチック筐体１の底面に透明板固定支柱８１によって固
着されているので、筐体内部の透明シリコンゲル４が膨
張、収縮しても、透明板５の表面から半導体光センサチ
ップ６の表面までの距離は変わらない。従って、透明シ
リコンゲル４の体積変化が光学特性に影響することなく
安定した特性を維持することができる。なお、第４実施
形態においても、必要に応じて、プラスチック筐体１の
内側底部の半導体光センサチップ６のボンディング位置
に金属ダイパッドを備えることが可能である。
スチック筐体１の底面に透明板固定支柱８１によって固
着されているので、筐体内部の透明シリコンゲル４が膨
張、収縮しても、透明板５の表面から半導体光センサチ
ップ６の表面までの距離は変わらない。従って、透明シ
リコンゲル４の体積変化が光学特性に影響することなく
安定した特性を維持することができる。なお、第４実施
形態においても、必要に応じて、プラスチック筐体１の
内側底部の半導体光センサチップ６のボンディング位置
に金属ダイパッドを備えることが可能である。
【００２９】図５（ａ）は第５実施形態の平面図、図５
（ｂ）は図５（ａ）のＥ−Ｅ断面図である。この実施形
態も、請求項４に記載した発明の実施形態に相当する。
第５実施形態は、プラスチック筐体１の上面及び底面の
２面が開放されており、透明板５が筐体１の内周面の二
面から内側に向けて突設された透明板固定支柱８２によ
って支持されている。そして、プラスチック筐体１は、
上面と半導体光センサチップ６のボンディング位置とそ
れを支える部分を除いた底面との２面が開放された構造
となっている。このプラスチック筐体１はリードフレー
ム２が内部から外部へ貫通している。また、プラスチッ
ク筐体１の底部は半導体光センサチップ６がボンディン
グされており、このチップ６のボンディング部分とそれ
をプラスチック筐体１の周辺部に接続しボンディング部
分を固定している部分を除いて開放状態となっている。
（ｂ）は図５（ａ）のＥ−Ｅ断面図である。この実施形
態も、請求項４に記載した発明の実施形態に相当する。
第５実施形態は、プラスチック筐体１の上面及び底面の
２面が開放されており、透明板５が筐体１の内周面の二
面から内側に向けて突設された透明板固定支柱８２によ
って支持されている。そして、プラスチック筐体１は、
上面と半導体光センサチップ６のボンディング位置とそ
れを支える部分を除いた底面との２面が開放された構造
となっている。このプラスチック筐体１はリードフレー
ム２が内部から外部へ貫通している。また、プラスチッ
ク筐体１の底部は半導体光センサチップ６がボンディン
グされており、このチップ６のボンディング部分とそれ
をプラスチック筐体１の周辺部に接続しボンディング部
分を固定している部分を除いて開放状態となっている。
【００３０】すなわち、この実施形態は、第１実施形態
と同様にプラスチック筐体１の底面に穴１ａ，１ｂを有
する。ボンディングされている半導体光センサチップ６
表面の内部端子とリードフレーム２とはボンディングワ
イヤ３を介して接続されている。このプラスチック筐体
１の内部は透明シリコンゲル４で充填され、更にこの透
明シリコンゲル４の表面には透明板５が透明板固定支柱
８２によりプラスチック筐体１に支持されている。この
場合、透明板５はプラスチック筐体１には接せず透明シ
リコンゲル４表面に透明板５の底面が接した状態で固定
されている。
と同様にプラスチック筐体１の底面に穴１ａ，１ｂを有
する。ボンディングされている半導体光センサチップ６
表面の内部端子とリードフレーム２とはボンディングワ
イヤ３を介して接続されている。このプラスチック筐体
１の内部は透明シリコンゲル４で充填され、更にこの透
明シリコンゲル４の表面には透明板５が透明板固定支柱
８２によりプラスチック筐体１に支持されている。この
場合、透明板５はプラスチック筐体１には接せず透明シ
リコンゲル４表面に透明板５の底面が接した状態で固定
されている。
【００３１】第５実施形態では、プラスチック筐体１の
内部が透明シリコンゲル４で完全に満たされ、半導体光
センサチップ６及びボンディングワイヤ３は透明シリコ
ンゲル４で完全に封止され、保護されている。従って、
従来のように封止に用いられるガス状態が半導体チップ
に影響することはなく、安定した特性を維持することが
できる。また、第５実施形態では、プラスチック筐体１
の上面及び底面が開放されており透明シリコンゲル４が
露出した形態となっている。このため温度変化により透
明シリコンゲル４が膨張、収縮してもプラスチック筐体
１底部のシリコンゲル露出部が上下し、透明シリコンゲ
ル４の温度変化による体積変動を吸収する。従って、従
来の透明充填剤（透明樹脂）による密封構造のように充
填剤の膨張、収縮に起因する、充填剤内部の気泡の発生
及び外気の吸引、充填剤と筐体との界面剥離は発生せ
ず、安定した特性を維持することができる。
内部が透明シリコンゲル４で完全に満たされ、半導体光
センサチップ６及びボンディングワイヤ３は透明シリコ
ンゲル４で完全に封止され、保護されている。従って、
従来のように封止に用いられるガス状態が半導体チップ
に影響することはなく、安定した特性を維持することが
できる。また、第５実施形態では、プラスチック筐体１
の上面及び底面が開放されており透明シリコンゲル４が
露出した形態となっている。このため温度変化により透
明シリコンゲル４が膨張、収縮してもプラスチック筐体
１底部のシリコンゲル露出部が上下し、透明シリコンゲ
ル４の温度変化による体積変動を吸収する。従って、従
来の透明充填剤（透明樹脂）による密封構造のように充
填剤の膨張、収縮に起因する、充填剤内部の気泡の発生
及び外気の吸引、充填剤と筐体との界面剥離は発生せ
ず、安定した特性を維持することができる。
【００３２】更に、第５実施形態では、透明板５がプラ
スチック筐体１の内周面に取り付けられた透明板固定支
柱８２によって支持されているので、筐体内部の透明シ
リコンゲル４が膨張、収縮しても、透明板５の表面から
半導体光センサチップ６の表面までの距離は変わらな
い。従って、透明シリコンゲル４の体積変化が光学特性
に影響することなく安定した特性を維持することができ
る。なお、第５実施形態においても、必要に応じて、プ
ラスチック筐体１の内側底部の半導体光センサチップ６
のボンディング位置に金属ダイパッドを備えることが可
能である。
スチック筐体１の内周面に取り付けられた透明板固定支
柱８２によって支持されているので、筐体内部の透明シ
リコンゲル４が膨張、収縮しても、透明板５の表面から
半導体光センサチップ６の表面までの距離は変わらな
い。従って、透明シリコンゲル４の体積変化が光学特性
に影響することなく安定した特性を維持することができ
る。なお、第５実施形態においても、必要に応じて、プ
ラスチック筐体１の内側底部の半導体光センサチップ６
のボンディング位置に金属ダイパッドを備えることが可
能である。
【００３３】図６（ａ）は第６実施形態の平面図、図６
（ｂ）は図６（ａ）のＦ−Ｆ断面図である。この実施形
態は、請求項５に記載した発明の実施形態に相当する。
第６実施形態は、第１実施形態のプラスチック筐体１の
底部に、更に穴１ａ，１ｂを覆う薄膜２１を付加したも
のである。薄膜２１は、筐体１の内部に充填されている
透明シリコンゲル４を保護するため外気からの水分、異
物等の侵入を防ぐ。この薄膜２１の筐体開放部の遮断部
分は、透明シリコンゲル４の膨張、収縮に伴い膨らんだ
り、へこんだりするものである。この薄膜２１は、ゴ
ム、プラスチック、合成樹脂等のフィルムでできてお
り、光を通さない工夫（黒色に着色等）を施されている
ことが望ましい。
（ｂ）は図６（ａ）のＦ−Ｆ断面図である。この実施形
態は、請求項５に記載した発明の実施形態に相当する。
第６実施形態は、第１実施形態のプラスチック筐体１の
底部に、更に穴１ａ，１ｂを覆う薄膜２１を付加したも
のである。薄膜２１は、筐体１の内部に充填されている
透明シリコンゲル４を保護するため外気からの水分、異
物等の侵入を防ぐ。この薄膜２１の筐体開放部の遮断部
分は、透明シリコンゲル４の膨張、収縮に伴い膨らんだ
り、へこんだりするものである。この薄膜２１は、ゴ
ム、プラスチック、合成樹脂等のフィルムでできてお
り、光を通さない工夫（黒色に着色等）を施されている
ことが望ましい。
【００３４】図７（ａ）は第７実施形態の平面図、図７
（ｂ）は図７（ａ）のＧ−Ｇ断面図である。この実施形
態は、請求項６に記載した発明の実施形態に相当する。
第７実施形態は、プラスチック筐体１の内部に充填され
ている透明シリコンゲル４の筐体底部開放部の表面（穴
１ａ，１ｂにおける透明シリコンゲル４の表面）に、ゴ
ムまたは合成樹脂等をコーティングしてコーティング膜
２２ａ，２２ｂを形成したものである。コーティング膜
２２ａ，２２ｂは、筐体内部に充填されている透明シリ
コンゲル４を保護するため外気からの水分、異物等の侵
入を防ぐ。このコーティング膜２２ａ，２２ｂは、透明
シリコンゲル４の膨張、収縮による露出部の上下動に伴
って上下する。
（ｂ）は図７（ａ）のＧ−Ｇ断面図である。この実施形
態は、請求項６に記載した発明の実施形態に相当する。
第７実施形態は、プラスチック筐体１の内部に充填され
ている透明シリコンゲル４の筐体底部開放部の表面（穴
１ａ，１ｂにおける透明シリコンゲル４の表面）に、ゴ
ムまたは合成樹脂等をコーティングしてコーティング膜
２２ａ，２２ｂを形成したものである。コーティング膜
２２ａ，２２ｂは、筐体内部に充填されている透明シリ
コンゲル４を保護するため外気からの水分、異物等の侵
入を防ぐ。このコーティング膜２２ａ，２２ｂは、透明
シリコンゲル４の膨張、収縮による露出部の上下動に伴
って上下する。
【００３５】図８（ａ）は第８実施形態の平面図、図８
（ｂ）は図８（ａ）のＨ−Ｈ断面図である。第８実施形
態は、第１実施形態におけるプラスチック筐体１の底部
に、更に穴２４ａ，２４ｂを有する保護板２３を取り付
けたものである。保護板２３は、外気からの水分、異物
等の侵入を防ぎ、しかも筐体内部に充填されている透明
シリコンゲル４を保護するために開口面積を小さくする
と良い。
（ｂ）は図８（ａ）のＨ−Ｈ断面図である。第８実施形
態は、第１実施形態におけるプラスチック筐体１の底部
に、更に穴２４ａ，２４ｂを有する保護板２３を取り付
けたものである。保護板２３は、外気からの水分、異物
等の侵入を防ぎ、しかも筐体内部に充填されている透明
シリコンゲル４を保護するために開口面積を小さくする
と良い。
【００３６】なお、上記第６、第７、第８実施形態にお
いても、必要に応じてプラスチック筐体１の内側底部の
半導体光センサチップ６のボンディング位置に金属ダイ
パッドを備えることが可能である。また、第６、第７、
第８実施形態においても、第１実施形態に示したように
筐体の底部が開放された構造だけでなく、第３、第４、
第５実施形態の技術的特徴を付加することができる。
いても、必要に応じてプラスチック筐体１の内側底部の
半導体光センサチップ６のボンディング位置に金属ダイ
パッドを備えることが可能である。また、第６、第７、
第８実施形態においても、第１実施形態に示したように
筐体の底部が開放された構造だけでなく、第３、第４、
第５実施形態の技術的特徴を付加することができる。
【００３７】なお、本発明の適用範囲は上記実施形態に
限定されるものではなく、例えば、図１０の表面実装タ
イプの外囲器を用いてその内部に透明充填剤を充填した
場合にも、同様に適用することが可能である。また、上
述した全ての実施形態では、外囲器内部に充填される透
明充填剤として透明シリコンゲルを挙げたが、これに限
らず、透明シリコンゴム、透明合成樹脂等を適用するこ
とも可能である。絶縁筐体についても、上記実施形態で
はプラスチック筐体を挙げたが、筐体材料としてプラス
チックの他、セラミック、セラミック／プラスチックコ
ンポジット材、等の適用が可能である。また、プラスチ
ック筐体の製造方法として、第１実施形態から第８実施
形態では、プラスチック筐体１を熱可塑性樹脂による射
出成形で作っているが、エポキシ系樹脂のような熱硬化
性樹脂による注型成形で作ることも可能である。更に、
上記実施形態において、半導体光センサチップ表面の内
部端子と絶縁筐体の配線パターン間の接続にボンディン
グワイヤを挙げたが、これに限らずバンプによる接続手
段の適用も可能である。
限定されるものではなく、例えば、図１０の表面実装タ
イプの外囲器を用いてその内部に透明充填剤を充填した
場合にも、同様に適用することが可能である。また、上
述した全ての実施形態では、外囲器内部に充填される透
明充填剤として透明シリコンゲルを挙げたが、これに限
らず、透明シリコンゴム、透明合成樹脂等を適用するこ
とも可能である。絶縁筐体についても、上記実施形態で
はプラスチック筐体を挙げたが、筐体材料としてプラス
チックの他、セラミック、セラミック／プラスチックコ
ンポジット材、等の適用が可能である。また、プラスチ
ック筐体の製造方法として、第１実施形態から第８実施
形態では、プラスチック筐体１を熱可塑性樹脂による射
出成形で作っているが、エポキシ系樹脂のような熱硬化
性樹脂による注型成形で作ることも可能である。更に、
上記実施形態において、半導体光センサチップ表面の内
部端子と絶縁筐体の配線パターン間の接続にボンディン
グワイヤを挙げたが、これに限らずバンプによる接続手
段の適用も可能である。
【００３８】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、半導体光
センサデバイスの外囲器として安定した封止状態を維持
でき、特性の劣化を防止し、ひいては高い信頼性、デバ
イスの長寿命化を図ることができる。
センサデバイスの外囲器として安定した封止状態を維持
でき、特性の劣化を防止し、ひいては高い信頼性、デバ
イスの長寿命化を図ることができる。
【図１】図１（ａ）は第１実施形態の平面図、図１
（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ断面図である。
（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ断面図である。
【図２】図２（ａ）は第２実施形態の平面図、図２
（ｂ）は図２（ａ）のＢ−Ｂ断面図である。
（ｂ）は図２（ａ）のＢ−Ｂ断面図である。
【図３】図３（ａ）は第３実施形態の平面図、図３
（ｂ）は図３（ａ）のＣ−Ｃ断面図である。
（ｂ）は図３（ａ）のＣ−Ｃ断面図である。
【図４】図４（ａ）は第４実施形態の平面図、図４
（ｂ）は図４（ａ）のＤ−Ｄ断面図である。
（ｂ）は図４（ａ）のＤ−Ｄ断面図である。
【図５】図５（ａ）は第５実施形態の平面図、図５
（ｂ）は図５（ａ）のＥ−Ｅ断面図である。
（ｂ）は図５（ａ）のＥ−Ｅ断面図である。
【図６】図６（ａ）は第６実施形態の平面図、図６
（ｂ）は図６（ａ）のＦ−Ｆ断面図である。
（ｂ）は図６（ａ）のＦ−Ｆ断面図である。
【図７】図７（ａ）は第７実施形態の平面図、図７
（ｂ）は図７（ａ）のＧ−Ｇ断面図である。
（ｂ）は図７（ａ）のＧ−Ｇ断面図である。
【図８】図８（ａ）は第８実施形態の平面図、図８
（ｂ）は図８（ａ）のＨ−Ｈ断面図である。
（ｂ）は図８（ａ）のＨ−Ｈ断面図である。
【図９】図９（ａ）は従来技術の半導体光センサデバイ
スの平面図、図９（ｂ）は図９（ａ）のＩ−Ｉ断面図で
ある。
スの平面図、図９（ｂ）は図９（ａ）のＩ−Ｉ断面図で
ある。
【図１０】図１０（ａ）は従来技術の半導体光センサデ
バイスの平面図、図１０（ｂ）は図１０（ａ）のＪ−Ｊ
断面図である。
バイスの平面図、図１０（ｂ）は図１０（ａ）のＪ−Ｊ
断面図である。
１ プラスチック筐体 １ａ，１ｂ，１ｃ 穴 １ｄ 凹部 ２ リードフレーム ３ ボンディングワイヤ ４ 透明シリコンゲル ５ 透明板 ６ 半導体光センサチップ ７ 金属ダイパッド ２１ 薄膜 ２２ コーティング膜 ２３ 保護板 ２４ａ，２４ｂ 穴 ８１，８２ 透明板固定支柱
Claims (7)
- 【請求項１】 絶縁材料から構成される筐体と、この筐
体の内部から外部へ引き出される配線部材と、筐体の底
部に固定される半導体光センサチップと、この半導体光
センサチップ表面に設けられた端子と前記配線部材とを
電気的に接続する手段と、筐体の内部に充填されて半導
体光センサチップの上面を覆う透明充填剤と、この透明
充填剤を介して半導体光センサチップの上方に設けられ
る透明板とを備えた半導体光センサデバイスにおいて、 前記筐体の底面に穴を設け、この穴から前記透明充填剤
の表面を外気に対して露出することを特徴とする半導体
光センサデバイス。 - 【請求項２】 絶縁材料から構成される筐体と、この筐
体の内部から外部へ引き出される配線部材と、筐体の底
部に固定される半導体光センサチップと、この半導体光
センサチップ表面に設けられた端子と前記配線部材とを
電気的に接続する手段と、筐体の内部に充填されて半導
体光センサチップの上面を覆う透明充填剤と、この透明
充填剤を介して半導体光センサチップの上方に設けられ
る透明板とを備えた半導体光センサデバイスにおいて、 前記透明充填剤の上面のうち前記透明板に当接する部分
を除いた領域を、外気に対して露出することを特徴とす
る半導体光センサデバイス。 - 【請求項３】 請求項１記載の半導体光センサデバイス
において、 前記透明充填剤の上面のうち前記透明板に当接する部分
を除いた領域を、外気に対して露出することを特徴とす
る半導体光センサデバイス。 - 【請求項４】 請求項２または３記載の半導体光センサ
デバイスにおいて、 前記透明板を、前記筐体に設けられた支柱により支持す
ることを特徴とする半導体光センサデバイス。 - 【請求項５】 絶縁材料から構成される筐体と、この筐
体の内部から外部へ引き出される配線部材と、筐体の底
部に固定される半導体光センサチップと、この半導体光
センサチップ表面に設けられた端子と前記配線部材とを
電気的に接続する手段と、筐体の内部に充填されて半導
体光センサチップの上面を覆う透明充填剤と、この透明
充填剤を介して半導体光センサチップの上方に設けられ
る透明板とを備えた半導体光センサデバイスにおいて、 前記筐体の底面に、前記透明充填剤に通じる穴を設ける
と共に、この穴を覆う薄膜を前記筐体の底面に取り付け
ることを特徴とする半導体光センサデバイス。 - 【請求項６】 絶縁材料から構成される筐体と、この筐
体の内部から外部へ引き出される配線部材と、筐体の底
部に固定される半導体光センサチップと、この半導体光
センサチップ表面に設けられた端子と前記配線部材とを
電気的に接続する手段と、筐体の内部に充填されて半導
体光センサチップの上面を覆う透明充填剤と、この透明
充填剤を介して半導体光センサチップの上方に設けられ
る透明板とを備えた半導体光センサデバイスにおいて、 前記筐体の底面に、前記透明充填剤に通じる穴を設ける
と共に、この穴に臨む前記透明充填剤の表面にコーティ
ングを施すことを特徴とする半導体光センサデバイス。 - 【請求項７】 請求項１、２、３、４、５または６記載
の半導体光センサデバイスにおいて、 前記透明充填剤は透明シリコンゲルであることを特徴と
する半導体光センサデバイス。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9256486A JPH1197656A (ja) | 1997-09-22 | 1997-09-22 | 半導体光センサデバイス |
| US09/153,741 US6121675A (en) | 1997-09-22 | 1998-09-15 | Semiconductor optical sensing device package |
| KR1019980038376A KR100589922B1 (ko) | 1997-09-22 | 1998-09-17 | 반도체 광 센서 디바이스 |
| DE19842881A DE19842881A1 (de) | 1997-09-22 | 1998-09-18 | Halbleiter-Optosensor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9256486A JPH1197656A (ja) | 1997-09-22 | 1997-09-22 | 半導体光センサデバイス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1197656A true JPH1197656A (ja) | 1999-04-09 |
Family
ID=17293317
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9256486A Pending JPH1197656A (ja) | 1997-09-22 | 1997-09-22 | 半導体光センサデバイス |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6121675A (ja) |
| JP (1) | JPH1197656A (ja) |
| KR (1) | KR100589922B1 (ja) |
| DE (1) | DE19842881A1 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2016076669A (ja) * | 2014-10-09 | 2016-05-12 | クラスターテクノロジー株式会社 | 半導体素子実装パッケージおよびその製造方法、ならびに当該パッケージ製造のための基板プレート |
| JP6567241B1 (ja) * | 2018-06-12 | 2019-08-28 | 三菱電機株式会社 | パワー半導体モジュール及び電力変換装置 |
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- 1998-09-17 KR KR1019980038376A patent/KR100589922B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1998-09-18 DE DE19842881A patent/DE19842881A1/de not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20020423 |