JPS6220359A - 紫外線消去型半導体装置 - Google Patents
紫外線消去型半導体装置Info
- Publication number
- JPS6220359A JPS6220359A JP15937885A JP15937885A JPS6220359A JP S6220359 A JPS6220359 A JP S6220359A JP 15937885 A JP15937885 A JP 15937885A JP 15937885 A JP15937885 A JP 15937885A JP S6220359 A JPS6220359 A JP S6220359A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ultraviolet ray
- ultraviolet
- resin
- thin
- semiconductor element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Non-Volatile Memory (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は紫外線消去型半導体装置に関し％特にＩＣカー
ド等の薄型基板構造の半導体装置に関する。
ド等の薄型基板構造の半導体装置に関する。
従来、この種の半導体装置は、第３図の断面図に示すよ
うに、紫外線消去型半導体素子１をセラミックまたはガ
ラス等のパッケージ２に％ＡＩ線。
うに、紫外線消去型半導体素子１をセラミックまたはガ
ラス等のパッケージ２に％ＡＩ線。
Ａｕ線等のワイヤ３で接続し、石英ガラス、サファイヤ
、紫外線透過アルミナ、紫外線透過樹脂等の紫外線透過
材からなるキャップ８を、接着剤９を用いて刺止してい
た。しかし近年、ＩＣカード。
、紫外線透過アルミナ、紫外線透過樹脂等の紫外線透過
材からなるキャップ８を、接着剤９を用いて刺止してい
た。しかし近年、ＩＣカード。
メモリーカード等の薄型化が進み、紫外線消去型半導体
素子１を、パッケージ２に代る樹脂薄板あるいは繊維強
化樹脂薄板等の薄型基板に搭載し、Ａｌ線、 Ａ ｕ線
等のワイヤ３で接続し、前記紫外線透過材から力るギャ
ップ８で封止したカードが出ている。
素子１を、パッケージ２に代る樹脂薄板あるいは繊維強
化樹脂薄板等の薄型基板に搭載し、Ａｌ線、 Ａ ｕ線
等のワイヤ３で接続し、前記紫外線透過材から力るギャ
ップ８で封止したカードが出ている。
上述１−だ従来の薄型化した紫外線消去型半導体装置は
、フレキンビリティに乏しく、曲けたシするとワイヤー
の断線不良が発生し、１だ、樹脂薄板等は耐湿性が悪く
、水分が半導体素子上に浸透し、特性不良の原因となっ
ていた。
、フレキンビリティに乏しく、曲けたシするとワイヤー
の断線不良が発生し、１だ、樹脂薄板等は耐湿性が悪く
、水分が半導体素子上に浸透し、特性不良の原因となっ
ていた。
そこで本発明Ｌ１上上記点を無くす為に、ポリイミドあ
るいはガラスエポキシ等の絶縁フィルム上に形成された
Ｃｕリードに、紫外線消去型半導体素子をインナー・リ
ードｅボンディング（ＩＬＢ）し、樹脂薄板あるいは繊
維強化樹脂薄板等の薄型基板に搭載したのち、該半導体
素子表面を紫外線透過樹脂で榎い、その後、石英ガラス
、サファイヤ、紫外線透過アルξす、紫外線透過樹脂等
の紫外線透過材料で封止することを特徴とするものであ
る。
るいはガラスエポキシ等の絶縁フィルム上に形成された
Ｃｕリードに、紫外線消去型半導体素子をインナー・リ
ードｅボンディング（ＩＬＢ）し、樹脂薄板あるいは繊
維強化樹脂薄板等の薄型基板に搭載したのち、該半導体
素子表面を紫外線透過樹脂で榎い、その後、石英ガラス
、サファイヤ、紫外線透過アルξす、紫外線透過樹脂等
の紫外線透過材料で封止することを特徴とするものであ
る。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の半導体装置の一実施例を示す断面図、
また、第２図は紫外線消去型半導体素子がボンデインク
された本発明に使用するフィルムキャリアの斜視図であ
る。まず第２図に示すように、ポリイミドあるいはガラ
スエポキシ等の絶縁フィルム４上に密着してＣｕリード
５が形成され、とのＣｕリード５の先端と紫外線消去型
半導体素子１の電極とが熱圧着ボンディングされている
。
また、第２図は紫外線消去型半導体素子がボンデインク
された本発明に使用するフィルムキャリアの斜視図であ
る。まず第２図に示すように、ポリイミドあるいはガラ
スエポキシ等の絶縁フィルム４上に密着してＣｕリード
５が形成され、とのＣｕリード５の先端と紫外線消去型
半導体素子１の電極とが熱圧着ボンディングされている
。
次に％第１図に示すように、樹脂薄板あるいは繊維強化
樹脂薄板等の薄型基板６の凹部に、フィルムキャリアの
絶縁フィルム４から切断されたＣｕ１Ｊ−ド５の付いた
紫外線消去型半導体素子１をＡｕ−８ｉろう材やＡｇペ
ースト等を用いて搭載した後、薄型基板６の配線バター
ツク・リード５とを熱圧着にニジボンディングする。次
に紫外線消去型半導体素子ｌの表面を、７リコン等の紫
外線透過樹脂７で覆ったのち、石英ガラス、サファイヤ
、紫外線透過アルミナ、紫外線透過樹脂等のキャップ８
をエポキシやクリコーン樹脂等の接着剤９を介して封止
する。接着剤９は、熱硬化や紫外線硬化させて封止でき
る。
樹脂薄板等の薄型基板６の凹部に、フィルムキャリアの
絶縁フィルム４から切断されたＣｕ１Ｊ−ド５の付いた
紫外線消去型半導体素子１をＡｕ−８ｉろう材やＡｇペ
ースト等を用いて搭載した後、薄型基板６の配線バター
ツク・リード５とを熱圧着にニジボンディングする。次
に紫外線消去型半導体素子ｌの表面を、７リコン等の紫
外線透過樹脂７で覆ったのち、石英ガラス、サファイヤ
、紫外線透過アルミナ、紫外線透過樹脂等のキャップ８
をエポキシやクリコーン樹脂等の接着剤９を介して封止
する。接着剤９は、熱硬化や紫外線硬化させて封止でき
る。
以上説明したように、本発明は接続強度の高いフィルム
キャリア方式を採用し、更に紫外線透過樹脂とキャップ
とで紫外線消去型半導体素子表面を２重に扱う方式とし
たことによシ、接続線の断線、水分の浸透等の不良発生
原因を防止することができる。又、フィルムキャリア方
式による接続法であるため、ワイヤーボンディング方式
よシも半導体装置やモジュールを薄くでき、ＩＣカード
等に適している。
キャリア方式を採用し、更に紫外線透過樹脂とキャップ
とで紫外線消去型半導体素子表面を２重に扱う方式とし
たことによシ、接続線の断線、水分の浸透等の不良発生
原因を防止することができる。又、フィルムキャリア方
式による接続法であるため、ワイヤーボンディング方式
よシも半導体装置やモジュールを薄くでき、ＩＣカード
等に適している。
すなわち従来の３０μｍ径のＡＩ線やＡｕ線を使うワイ
ヤーポンチインク方式と異々夛、フィルムキャリアの接
続線は、約３５μｍ厚、１００μｍ幅のＣｕリードであ
るため、ボンディング強度は５〜１０倍ぐらい強く、紫
外線透過樹脂で埋められても、接続線切れを発生するこ
とはガく、高信頼性の半導体装置及びモジュールが得ら
れる。
ヤーポンチインク方式と異々夛、フィルムキャリアの接
続線は、約３５μｍ厚、１００μｍ幅のＣｕリードであ
るため、ボンディング強度は５〜１０倍ぐらい強く、紫
外線透過樹脂で埋められても、接続線切れを発生するこ
とはガく、高信頼性の半導体装置及びモジュールが得ら
れる。
また、第１図に示す実施例では、紫外線消去型半導体素
子を後っている紫外線透過樹脂とキャップとの間に空間
部が存在するが、この空間部が紫外線透過樹脂で完全に
充満されていてもよいことは明らかである。
子を後っている紫外線透過樹脂とキャップとの間に空間
部が存在するが、この空間部が紫外線透過樹脂で完全に
充満されていてもよいことは明らかである。
第１図は本発明の半導体装置の一実施例を示す断面図、
第２図は本発明に用いるフィルムキャリアの斜視図、第
３図は従来の半導体装置の断面図である。 工・・・・・・紫外線消去型半導体素子、２・・・・・
・バック−ジ、３・・・・・・ワイヤ、４・・・・・・
絶縁フィルム、５・・・・・・Ｃｕリード、６・・・・
・・薄型基板、７・・・・・・紫外線透過樹脂、８・−
・・・・キャップ、９・・・・・・接着剤。
第２図は本発明に用いるフィルムキャリアの斜視図、第
３図は従来の半導体装置の断面図である。 工・・・・・・紫外線消去型半導体素子、２・・・・・
・バック−ジ、３・・・・・・ワイヤ、４・・・・・・
絶縁フィルム、５・・・・・・Ｃｕリード、６・・・・
・・薄型基板、７・・・・・・紫外線透過樹脂、８・−
・・・・キャップ、９・・・・・・接着剤。
Claims (1)
- フィルムキャリア方式でボンディングされた紫外線消去
型半導体素子を薄型基板に搭載し、該半導体素子表面を
紫外線透過樹脂で覆い、更にその上から紫外線透過材の
キャップを用いて封止したことを特徴とする紫外線消去
型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15937885A JPS6220359A (ja) | 1985-07-18 | 1985-07-18 | 紫外線消去型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15937885A JPS6220359A (ja) | 1985-07-18 | 1985-07-18 | 紫外線消去型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6220359A true JPS6220359A (ja) | 1987-01-28 |
Family
ID=15692505
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15937885A Pending JPS6220359A (ja) | 1985-07-18 | 1985-07-18 | 紫外線消去型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6220359A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05109914A (ja) * | 1992-04-10 | 1993-04-30 | Nec Corp | 紫外線消去型半導体装置 |
| US6121675A (en) * | 1997-09-22 | 2000-09-19 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor optical sensing device package |
-
1985
- 1985-07-18 JP JP15937885A patent/JPS6220359A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05109914A (ja) * | 1992-04-10 | 1993-04-30 | Nec Corp | 紫外線消去型半導体装置 |
| US6121675A (en) * | 1997-09-22 | 2000-09-19 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor optical sensing device package |
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