JPH1168025A - マルチチップモジュール基板 - Google Patents
マルチチップモジュール基板Info
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- JPH1168025A JPH1168025A JP22394997A JP22394997A JPH1168025A JP H1168025 A JPH1168025 A JP H1168025A JP 22394997 A JP22394997 A JP 22394997A JP 22394997 A JP22394997 A JP 22394997A JP H1168025 A JPH1168025 A JP H1168025A
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- resin
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- module substrate
- substrate
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 絶縁層と導体配線層との密着強度を低下させ
ることなく、且つ、基板のそりを防止できるマルチチッ
プモジュール基板を提供することである。 【解決手段】 導体配線層２が形成された基板１上に、
ＢＣＢ樹脂中に無機充填剤を分散してなる第１樹脂層３
とＢＣＢ樹脂からなる第２樹脂層４を形成し、絶縁層１
０を形成する。さらに、絶縁層１０の所定位置にビアホ
ール形成孔を形成した後スパッタリングにて銅の薄膜導
体層を形成し、セミアディティブ法によりビアホール６
及び導体配線層５を形成し本発明のマルチチップモジュ
ール基板を作製する。さらに、多層化する場合は、上記
絶縁層１０と導体配線層５の工程を必要回数繰り返すこ
とにより多層化されたマルチチップモジュール基板を作
製できる。
ることなく、且つ、基板のそりを防止できるマルチチッ
プモジュール基板を提供することである。 【解決手段】 導体配線層２が形成された基板１上に、
ＢＣＢ樹脂中に無機充填剤を分散してなる第１樹脂層３
とＢＣＢ樹脂からなる第２樹脂層４を形成し、絶縁層１
０を形成する。さらに、絶縁層１０の所定位置にビアホ
ール形成孔を形成した後スパッタリングにて銅の薄膜導
体層を形成し、セミアディティブ法によりビアホール６
及び導体配線層５を形成し本発明のマルチチップモジュ
ール基板を作製する。さらに、多層化する場合は、上記
絶縁層１０と導体配線層５の工程を必要回数繰り返すこ
とにより多層化されたマルチチップモジュール基板を作
製できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はＬＳＩ、ＶＬＳＩ等
に代表される半導体集積回路の実装に用いられるマルチ
チップモジュール基板に係わり、さらに詳しくは絶縁層
と導体配線層との密着強度の向上を実現させるマルチチ
ップモジュール基板に関する。
に代表される半導体集積回路の実装に用いられるマルチ
チップモジュール基板に係わり、さらに詳しくは絶縁層
と導体配線層との密着強度の向上を実現させるマルチチ
ップモジュール基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のマルチチップモジュール基板は、
図２に示すように絶縁層２３がベンゾシクロブテン（以
下ＢＣＢと称す）樹脂又はＢＣＢ樹脂中に無機充填剤を
添加した樹脂で構成されたマルチチップモジュール基板
であった。
図２に示すように絶縁層２３がベンゾシクロブテン（以
下ＢＣＢと称す）樹脂又はＢＣＢ樹脂中に無機充填剤を
添加した樹脂で構成されたマルチチップモジュール基板
であった。
【０００３】上記のマルチチップモジュール基板におい
て、ＢＣＢ樹脂を使った絶縁層上にスパッタリング等の
ＰＶＤ法にて導体薄膜層を形成し、さらに電解めっきに
て導体層を形成する場合、ＢＣＢ樹脂と導体層との密着
性は、例えば７５０ｇｆ／ｃｍと高い密着強度が得られ
るが、ＢＣＢ樹脂と導体層との熱膨張率の違いにより、
基板に反りが大きく発生し、半導体素子のフェイスダウ
ン実装が困難になったり、基板自身の外部回路への実装
が困難になるという問題がある。
て、ＢＣＢ樹脂を使った絶縁層上にスパッタリング等の
ＰＶＤ法にて導体薄膜層を形成し、さらに電解めっきに
て導体層を形成する場合、ＢＣＢ樹脂と導体層との密着
性は、例えば７５０ｇｆ／ｃｍと高い密着強度が得られ
るが、ＢＣＢ樹脂と導体層との熱膨張率の違いにより、
基板に反りが大きく発生し、半導体素子のフェイスダウ
ン実装が困難になったり、基板自身の外部回路への実装
が困難になるという問題がある。
【０００４】また、ＢＣＢ樹脂中に無機充填剤を添加す
ることにより、ＢＣＢ樹脂と導体層との熱膨張率を合わ
せ、基板の反りを防止するといった試みがなされてい
る。この場合、フィラーをＢＣＢ樹脂に分散させる際に
ＢＣＢ樹脂がフィラー中に吸着され、固定されることが
熱硬化時に運動の妨げとなり、フィラー近傍のＢＣＢ樹
脂の硬化が進まなくなり、膜表面の硬化状態にムラが発
生するといったこと、また、フィラーが存在することに
より樹脂との接着面積が低下するといったこと等により
密着強度（例えば６００ｇｆ／ｃｍ）が低下し、生産及
び半導体素子のリペアでの配線剥離が発生するといった
問題が生じる。
ることにより、ＢＣＢ樹脂と導体層との熱膨張率を合わ
せ、基板の反りを防止するといった試みがなされてい
る。この場合、フィラーをＢＣＢ樹脂に分散させる際に
ＢＣＢ樹脂がフィラー中に吸着され、固定されることが
熱硬化時に運動の妨げとなり、フィラー近傍のＢＣＢ樹
脂の硬化が進まなくなり、膜表面の硬化状態にムラが発
生するといったこと、また、フィラーが存在することに
より樹脂との接着面積が低下するといったこと等により
密着強度（例えば６００ｇｆ／ｃｍ）が低下し、生産及
び半導体素子のリペアでの配線剥離が発生するといった
問題が生じる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、前記問題点
に鑑みなされたものであり、その目的とするところは、
絶縁層と導体配線層との密着強度を低下させることな
く、且つ基板のそりを防止できるマルチチップモジュー
ル基板を提供することにある。
に鑑みなされたものであり、その目的とするところは、
絶縁層と導体配線層との密着強度を低下させることな
く、且つ基板のそりを防止できるマルチチップモジュー
ル基板を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決
するために、まず請求項１においては、導体配線層を絶
縁層によって電気的に絶縁してなるマルチチップモジュ
ール基板において、前記絶縁層がＢＣＢ樹脂中に無機充
填剤を分散してなる第１樹脂層とＢＣＢ樹脂からなる第
２樹脂層の複合層で構成されていることを特徴とするマ
ルチチップモジュール基板としたものである。
するために、まず請求項１においては、導体配線層を絶
縁層によって電気的に絶縁してなるマルチチップモジュ
ール基板において、前記絶縁層がＢＣＢ樹脂中に無機充
填剤を分散してなる第１樹脂層とＢＣＢ樹脂からなる第
２樹脂層の複合層で構成されていることを特徴とするマ
ルチチップモジュール基板としたものである。
【０００７】また、請求項２においては、前記導体配線
層がＢＣＢ樹脂からなる第２樹脂層上に形成されている
ことを特徴とする請求項１記載のマルチチップモジュー
ル基板としたものである。
層がＢＣＢ樹脂からなる第２樹脂層上に形成されている
ことを特徴とする請求項１記載のマルチチップモジュー
ル基板としたものである。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下本発明の実施の形態につき説
明する。図１に本発明のマルチチップモジュール基板の
一実施例の部分断面図を示す。本発明の特徴は、絶縁層
１０がＢＣＢ樹脂中に無機充填剤を分散してなる第１樹
脂層３とＢＣＢ樹脂からなる第２樹脂層４で構成されて
いる点にある。ＢＣＢ樹脂中に無機充填剤を分散してな
る第１樹脂層３で基板のそりを防止し、ＢＣＢ樹脂から
なる第２樹脂層４で導体配線層との密着強度を向上さし
ている。このことから、絶縁層１０を構成している第１
樹脂層と第２樹脂層の層数には限定はないが、絶縁層１
０の最上層には第２樹脂層４が必ず形成されている必要
がある。
明する。図１に本発明のマルチチップモジュール基板の
一実施例の部分断面図を示す。本発明の特徴は、絶縁層
１０がＢＣＢ樹脂中に無機充填剤を分散してなる第１樹
脂層３とＢＣＢ樹脂からなる第２樹脂層４で構成されて
いる点にある。ＢＣＢ樹脂中に無機充填剤を分散してな
る第１樹脂層３で基板のそりを防止し、ＢＣＢ樹脂から
なる第２樹脂層４で導体配線層との密着強度を向上さし
ている。このことから、絶縁層１０を構成している第１
樹脂層と第２樹脂層の層数には限定はないが、絶縁層１
０の最上層には第２樹脂層４が必ず形成されている必要
がある。
【０００９】ＢＣＢ樹脂中に無機充填剤を分散してなる
第１樹脂層３は使用する導体配線層の導体層の材質、膜
厚等から、無機充填剤の配合比及び第１樹脂層の膜厚を
適宜選定することにより基板のそりを防止する条件を設
定することができる。
第１樹脂層３は使用する導体配線層の導体層の材質、膜
厚等から、無機充填剤の配合比及び第１樹脂層の膜厚を
適宜選定することにより基板のそりを防止する条件を設
定することができる。
【００１０】ＢＣＢ樹脂からなる第２樹脂層４はスパッ
ター等のＰＶＤ法で導体薄膜を形成する場合導体薄膜と
の接着層としてのアンカーの役目を有しており、最終的
に形成される導体配線層５との所定の密着強度が確保で
きるようになっている。
ター等のＰＶＤ法で導体薄膜を形成する場合導体薄膜と
の接着層としてのアンカーの役目を有しており、最終的
に形成される導体配線層５との所定の密着強度が確保で
きるようになっている。
【００１１】まず、ＢＣＢ樹脂（ダウケミカル社製）と
シリカ粉末とを混合し三本ロール法によりシリカ粉末を
分散させた後メシチレン等で希釈し樹脂溶液Ａを作製す
る。
シリカ粉末とを混合し三本ロール法によりシリカ粉末を
分散させた後メシチレン等で希釈し樹脂溶液Ａを作製す
る。
【００１２】次に、前記樹脂溶液Ａをロールコート法に
より導体配線層２が形成された基板１の表面に塗布し、
１００℃のオーブン中で約３０分間キュアして第１樹脂
層３を形成する。
より導体配線層２が形成された基板１の表面に塗布し、
１００℃のオーブン中で約３０分間キュアして第１樹脂
層３を形成する。
【００１３】次に、ＢＣＢ樹脂（ダウケミカル社製）を
メシチレン等で希釈して樹脂溶液Ｂを作製し、同じくロ
ールコート法により第１樹脂層３上に塗布し、窒素雰囲
気のオーブン中で７５℃で約２０分、１００℃で約１５
分、１５０℃で約１５分、２００℃で約３０分硬化し、
第２樹脂層４を形成する。
メシチレン等で希釈して樹脂溶液Ｂを作製し、同じくロ
ールコート法により第１樹脂層３上に塗布し、窒素雰囲
気のオーブン中で７５℃で約２０分、１００℃で約１５
分、１５０℃で約１５分、２００℃で約３０分硬化し、
第２樹脂層４を形成する。
【００１４】次に、スパッタリング法により、例えばＣ
ｕをスパッタして、例えば０．３μｍ厚の薄膜導体層を
形成する。薄膜導体層の形成にあたってはＰＶＤ法等の
ドライめっきであればいずれの方式でも良いが、第２樹
脂層４との密着性を考慮した場合スパッタリング法が好
適である。
ｕをスパッタして、例えば０．３μｍ厚の薄膜導体層を
形成する。薄膜導体層の形成にあたってはＰＶＤ法等の
ドライめっきであればいずれの方式でも良いが、第２樹
脂層４との密着性を考慮した場合スパッタリング法が好
適である。
【００１５】次に、薄膜導体層上に所定厚の感光層を形
成し、パターニング処理してレジストパターンを形成す
る。このレジストパターンは電解めっきで導体配線層を
形成するためのレジストパターンである。さらに、感光
層の膜厚は後工程で形成される導体配線層５の膜厚を決
定するので導体配線層５の膜厚によって適宜設定する。
成し、パターニング処理してレジストパターンを形成す
る。このレジストパターンは電解めっきで導体配線層を
形成するためのレジストパターンである。さらに、感光
層の膜厚は後工程で形成される導体配線層５の膜厚を決
定するので導体配線層５の膜厚によって適宜設定する。
【００１６】次に、レジストパターンをマスクにして電
解銅めっきを行い、レジストパターンと同一膜厚まで銅
めっき層を形成し、レジストパターンを剥離し、レジス
トパターン下の薄膜導体層をソフトエッチングし、導体
配線層５を形成することで本発明のマルチチップモジュ
ール基板を作製する。
解銅めっきを行い、レジストパターンと同一膜厚まで銅
めっき層を形成し、レジストパターンを剥離し、レジス
トパターン下の薄膜導体層をソフトエッチングし、導体
配線層５を形成することで本発明のマルチチップモジュ
ール基板を作製する。
【００１７】さらに、多層化する場合は上記絶縁層１０
と導体配線層５の工程を必要回数繰り返すことにより多
層配線層を有するマルチチップモジュール基板を作製す
ることができる。
と導体配線層５の工程を必要回数繰り返すことにより多
層配線層を有するマルチチップモジュール基板を作製す
ることができる。
【００１８】本発明に係わるマルチチップモジュール基
板の場合、絶縁層１０がＢＣＢ樹脂中に無機充填剤が分
散してなる第１樹脂層３とＢＣＢ樹脂のみの第２樹脂層
４とで構成されているため、絶縁層１０と導体配線層５
との密着強度が向上し、且つ基板の反りが防止される。
板の場合、絶縁層１０がＢＣＢ樹脂中に無機充填剤が分
散してなる第１樹脂層３とＢＣＢ樹脂のみの第２樹脂層
４とで構成されているため、絶縁層１０と導体配線層５
との密着強度が向上し、且つ基板の反りが防止される。
【００１９】
【実施例】以下実施例により本発明を詳細に説明する。
ＢＣＢ樹脂（ダウケミカル社製）１００重量部と平均粒
径１００オングストロームのシリカ粉末４重量部とを混
合し、三本ロールにてシリカ粉末を分散させた後メシチ
レン７０重量部で希釈し、樹脂溶液Ａを作製した。
ＢＣＢ樹脂（ダウケミカル社製）１００重量部と平均粒
径１００オングストロームのシリカ粉末４重量部とを混
合し、三本ロールにてシリカ粉末を分散させた後メシチ
レン７０重量部で希釈し、樹脂溶液Ａを作製した。
【００２０】次に、前記樹脂溶液Ａをロールコート法に
より導体配線層２が形成された基板１の表面に塗布し、
１００℃のオーブン中で約３０分間キュアし、２０μｍ
厚の第１樹脂層３を形成した。
より導体配線層２が形成された基板１の表面に塗布し、
１００℃のオーブン中で約３０分間キュアし、２０μｍ
厚の第１樹脂層３を形成した。
【００２１】次に、ＢＣＢ樹脂（ダウケミカル社製）１
００重量部をメシチレン１００重量部で希釈して樹脂溶
液Ｂを作製し、ロールコート法にて上記第１樹脂層３上
に塗布し、窒素雰囲気のオーブン中で７５℃で約２０
分、１００℃で約１５分、１５０℃で約１５分、２００
℃で約３０分キュアし、５μｍ厚の第２樹脂層４を形成
した。
００重量部をメシチレン１００重量部で希釈して樹脂溶
液Ｂを作製し、ロールコート法にて上記第１樹脂層３上
に塗布し、窒素雰囲気のオーブン中で７５℃で約２０
分、１００℃で約１５分、１５０℃で約１５分、２００
℃で約３０分キュアし、５μｍ厚の第２樹脂層４を形成
した。
【００２２】次に、エキシマレーザ（ビーム強度３０ｍ
ｊ、周波数５００Ｈｚ）により、絶縁層１０の所定位置
にビアホール形成孔を形成した。
ｊ、周波数５００Ｈｚ）により、絶縁層１０の所定位置
にビアホール形成孔を形成した。
【００２３】次に、スパッタリング法にて、Ａｒガスに
て逆スパッタを行った後Ｃｕをスパッタして０．３μｍ
厚の薄膜導体層を形成した。
て逆スパッタを行った後Ｃｕをスパッタして０．３μｍ
厚の薄膜導体層を形成した。
【００２４】次に、薄膜導体層上に感光性レジストＡＺ
ーＰＬＰ３０（ヘキスト社製）を塗布し、１０μｍ厚の
感光層を形成し、露光・現像等のパターニング処理して
導体配線層を形成するための１０μｍ厚のレジストパタ
ーンを形成した。
ーＰＬＰ３０（ヘキスト社製）を塗布し、１０μｍ厚の
感光層を形成し、露光・現像等のパターニング処理して
導体配線層を形成するための１０μｍ厚のレジストパタ
ーンを形成した。
【００２５】次に、硫酸銅めっき液を使った電解めっき
により、電流密度５Ａ／ｄｍ2 でレジストパターン以外
の薄膜導体層上に銅めっきを行い、１０μｍ厚の銅の導
体層を形成した。
により、電流密度５Ａ／ｄｍ2 でレジストパターン以外
の薄膜導体層上に銅めっきを行い、１０μｍ厚の銅の導
体層を形成した。
【００２６】次に、レジストパターンを剥離して、レジ
ストパターン下の薄膜導体層をソフトエッチングして、
ビアホール６及び導体配線層５を形成し、本発明のマル
チチップモジュール基板を作製した。
ストパターン下の薄膜導体層をソフトエッチングして、
ビアホール６及び導体配線層５を形成し、本発明のマル
チチップモジュール基板を作製した。
【００２７】さらに、多層化する場合は上記絶縁層１０
と導体配線層５の工程を必要回数繰り返すことにより多
層化されたマルチチップモジュール基板を作製できる。
と導体配線層５の工程を必要回数繰り返すことにより多
層化されたマルチチップモジュール基板を作製できる。
【００２８】
【発明の効果】上記したように、導体配線層を電気的に
絶縁する絶縁層が、ＢＣＢ樹脂中に無機充填剤が分散し
てなる第１樹脂層とＢＣＢ樹脂のみの第２樹脂層で構成
されているため、絶縁層と導体配線層の密着強度が向上
し、且つ、基板の反りのないマルチチップモジュール基
板を得ることができる。
絶縁する絶縁層が、ＢＣＢ樹脂中に無機充填剤が分散し
てなる第１樹脂層とＢＣＢ樹脂のみの第２樹脂層で構成
されているため、絶縁層と導体配線層の密着強度が向上
し、且つ、基板の反りのないマルチチップモジュール基
板を得ることができる。
【図１】本発明のマルチチップモジュール基板の一実施
例の構成を示す部分断面図である。
例の構成を示す部分断面図である。
【図２】従来のマルチチップモジュール基板の構成を示
す部分断面図である。
す部分断面図である。
１、２１……基板 ２、２２……導体配線層 ３…… ＢＢＣ樹脂中に無機充填剤を添加した第１樹脂
層 ４…… ＢＢＣ樹脂からなる第２樹脂層 ５、２４……導体配線層 ６……ビアホール １０、２３……絶縁層
層 ４…… ＢＢＣ樹脂からなる第２樹脂層 ５、２４……導体配線層 ６……ビアホール １０、２３……絶縁層
Claims (2)
- 【請求項１】導体配線層を絶縁層によって電気的に絶縁
してなるマルチチップモジュール基板において、前記絶
縁層がベンゾシクロブテン樹脂中に無機充填剤を分散し
てなる第１樹脂層とベンゾシクロブテン樹脂からなる第
２樹脂層の複合層で構成されていることを特徴とするマ
ルチチップモジュール基板。 - 【請求項２】前記導体配線層がベンゾシクロブテン樹脂
からなる第２樹脂層上に形成されていることを特徴とす
る請求項１記載のマルチチップモジュール基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22394997A JPH1168025A (ja) | 1997-08-20 | 1997-08-20 | マルチチップモジュール基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22394997A JPH1168025A (ja) | 1997-08-20 | 1997-08-20 | マルチチップモジュール基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1168025A true JPH1168025A (ja) | 1999-03-09 |
Family
ID=16806230
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22394997A Pending JPH1168025A (ja) | 1997-08-20 | 1997-08-20 | マルチチップモジュール基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1168025A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001217514A (ja) * | 2000-02-03 | 2001-08-10 | Denso Corp | 多層配線基板 |
| US7019404B2 (en) | 2002-01-24 | 2006-03-28 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Multilayered circuit substrate, semiconductor device and method of producing same |
-
1997
- 1997-08-20 JP JP22394997A patent/JPH1168025A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001217514A (ja) * | 2000-02-03 | 2001-08-10 | Denso Corp | 多層配線基板 |
| US7019404B2 (en) | 2002-01-24 | 2006-03-28 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Multilayered circuit substrate, semiconductor device and method of producing same |
| US7250355B2 (en) | 2002-01-24 | 2007-07-31 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Multilayered circuit substrate, semiconductor device and method of producing same |
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