JPH1130735A - ハイブリッド光回路 - Google Patents
ハイブリッド光回路Info
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- JPH1130735A JPH1130735A JP18614997A JP18614997A JPH1130735A JP H1130735 A JPH1130735 A JP H1130735A JP 18614997 A JP18614997 A JP 18614997A JP 18614997 A JP18614997 A JP 18614997A JP H1130735 A JPH1130735 A JP H1130735A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 光通信に用いる、高機能かつ低コストなハイ
ブリッド光集積回路を課題とする。 【解決手段】 基板上の対向する位置に光入力端および
光出力端を有する光素子と、該光素子の光入力端および
光出力端で光結合を行う光導波回路と、該光素子を固定
するための素子固定部とを含み、前記光素子と前記素子
固定部の、各々相当する位置に位置合わせ用マークが設
けられ、該位置合わせ用マークを、所定の位置関係を有
するように位置合わせを行い、固定されるハイブリッド
光回路において、前記光素子１１の光入力端または光出
力端のどちらか一方に２つ以上の位置合わせ用マーク２
１ａ〜２１ｃ、残りの一方に１つ以上の位置合わせ用マ
ーク２２ａを設けた。
ブリッド光集積回路を課題とする。 【解決手段】 基板上の対向する位置に光入力端および
光出力端を有する光素子と、該光素子の光入力端および
光出力端で光結合を行う光導波回路と、該光素子を固定
するための素子固定部とを含み、前記光素子と前記素子
固定部の、各々相当する位置に位置合わせ用マークが設
けられ、該位置合わせ用マークを、所定の位置関係を有
するように位置合わせを行い、固定されるハイブリッド
光回路において、前記光素子１１の光入力端または光出
力端のどちらか一方に２つ以上の位置合わせ用マーク２
１ａ〜２１ｃ、残りの一方に１つ以上の位置合わせ用マ
ーク２２ａを設けた。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光通信に用いる、
高機能かつ低コストなハイブリッド光集積回路に関する
ものである。
高機能かつ低コストなハイブリッド光集積回路に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、能動光素子と、受動光導波回路と
を組み合わせたハイブリッド光回路の開発が盛んに行わ
れている。ところで光素子と光導波回路との光結合を行
うためには、ミクロン単位の高精度な位置合わせが必要
である。従来の光部品の作製においては、実際に光を用
いて結合が最大になるように調心を行うことで位置合わ
せを行っていた。しかしながらこの調心作業が光部品の
低コスト化を困難にしているとともに、新たな高機能ハ
イブリッド光回路の創出を困難にしている要因となって
いる。この問題を解決するために、光を用いずに簡便に
高精度の位置合わせを行う方法が検討されている。
を組み合わせたハイブリッド光回路の開発が盛んに行わ
れている。ところで光素子と光導波回路との光結合を行
うためには、ミクロン単位の高精度な位置合わせが必要
である。従来の光部品の作製においては、実際に光を用
いて結合が最大になるように調心を行うことで位置合わ
せを行っていた。しかしながらこの調心作業が光部品の
低コスト化を困難にしているとともに、新たな高機能ハ
イブリッド光回路の創出を困難にしている要因となって
いる。この問題を解決するために、光を用いずに簡便に
高精度の位置合わせを行う方法が検討されている。
【０００３】図６は従来のハイブリッド光回路の第一の
例を示している。この例では光素子として２チャンネル
の半導体光アンプ１１、光導波路として光ファイバ１、
素子固定部４としてシリコン基板２を用いた構成となっ
ている。本従来例においては半導体光アンプ１１と光フ
ァイバ１との位置合わせを行うために、シリコン基板２
に、異方性エッチングを用いて形成した高精度な位置決
め用Ｖ溝１５を設けてある。半導体光アンプ１１、およ
び光ファイバ１は、この位置決め用Ｖ溝１５の中に置く
だけで自動的に高精度な位置合わせが完了する。
例を示している。この例では光素子として２チャンネル
の半導体光アンプ１１、光導波路として光ファイバ１、
素子固定部４としてシリコン基板２を用いた構成となっ
ている。本従来例においては半導体光アンプ１１と光フ
ァイバ１との位置合わせを行うために、シリコン基板２
に、異方性エッチングを用いて形成した高精度な位置決
め用Ｖ溝１５を設けてある。半導体光アンプ１１、およ
び光ファイバ１は、この位置決め用Ｖ溝１５の中に置く
だけで自動的に高精度な位置合わせが完了する。
【０００４】しかしながら、このような高精度な位置決
め用Ｖ溝１５を設ける構造を形成することは一般にはか
ならずしも容易ではない。すなわち、石英系光導波路等
の平面光回路と光素子とのハイブリッド光集積の場合に
は、平面光回路基板上に上記構造を設ける必要性が生じ
るが、このような構造を設けるには、作製工程の複雑化
が避けられず、光部品の低コスト化には適していない。
め用Ｖ溝１５を設ける構造を形成することは一般にはか
ならずしも容易ではない。すなわち、石英系光導波路等
の平面光回路と光素子とのハイブリッド光集積の場合に
は、平面光回路基板上に上記構造を設ける必要性が生じ
るが、このような構造を設けるには、作製工程の複雑化
が避けられず、光部品の低コスト化には適していない。
【０００５】図７は第二の従来例を示している。この例
は、光素子として半導体レーザー１０および光導波回路
として石英系光導波路３が用いられている。第一の従来
例と異なる点は、位置合わせ構造として、複雑な凹凸構
造の代わりに極めて簡易な位置合わせ用マーク１２，５
を光素子および素子固定部に設けた点である。位置合わ
せは、これらのマーク１２，５を互いに所定の位置関係
になるように調整することによって容易に達成できる。
ここで、位置合わせ用マーク１２，５は、光素子および
素子固定部の表面を凹凸加工することによっても、また
はメタル等の薄膜を用いることによっても形成すること
は容易であり、複雑な工程を必要としない。したがっ
て、本方法は多くの場合に適用可能であり、かつ低コス
ト化を達成するのに適している。
は、光素子として半導体レーザー１０および光導波回路
として石英系光導波路３が用いられている。第一の従来
例と異なる点は、位置合わせ構造として、複雑な凹凸構
造の代わりに極めて簡易な位置合わせ用マーク１２，５
を光素子および素子固定部に設けた点である。位置合わ
せは、これらのマーク１２，５を互いに所定の位置関係
になるように調整することによって容易に達成できる。
ここで、位置合わせ用マーク１２，５は、光素子および
素子固定部の表面を凹凸加工することによっても、また
はメタル等の薄膜を用いることによっても形成すること
は容易であり、複雑な工程を必要としない。したがっ
て、本方法は多くの場合に適用可能であり、かつ低コス
ト化を達成するのに適している。
【０００６】しかしながら、従来この位置合わせ用マー
クを用いた方法では、半導体光アンプ等の基板上の対向
する位置に光入力端および光出力端を有する光素子と、
光導波回路とのハイブリッド集積化に成功した例はなか
った。
クを用いた方法では、半導体光アンプ等の基板上の対向
する位置に光入力端および光出力端を有する光素子と、
光導波回路とのハイブリッド集積化に成功した例はなか
った。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、従来
の課題であった、基板上の対向する位置に光入力端およ
び光出力端を有する光素子と光導波回路との高精度かつ
簡便な位置合わせを可能とし、これにより低コストかつ
高性能なハイブリッド光回路を提供することにある。
の課題であった、基板上の対向する位置に光入力端およ
び光出力端を有する光素子と光導波回路との高精度かつ
簡便な位置合わせを可能とし、これにより低コストかつ
高性能なハイブリッド光回路を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、基板上の対向する位置に光入力端および光出力端を
有する光素子と、該光素子の光入力端および光出力端で
光結合を行う光導波回路と、該光素子を固定するための
素子固定部とを含み、前記光素子と前記素子固定部の、
各々相当する位置に位置合わせ用マークが設けられ、該
位置合わせ用マークを、所定の位置関係を有するように
位置合わせを行い、固定されるハイブリッド光回路にお
いて、前記光素子の光入力端または光出力端のどちらか
一方に２つ以上、残りの一方に１つ以上の位置合わせ用
マークを設けたことを特徴とする。
は、基板上の対向する位置に光入力端および光出力端を
有する光素子と、該光素子の光入力端および光出力端で
光結合を行う光導波回路と、該光素子を固定するための
素子固定部とを含み、前記光素子と前記素子固定部の、
各々相当する位置に位置合わせ用マークが設けられ、該
位置合わせ用マークを、所定の位置関係を有するように
位置合わせを行い、固定されるハイブリッド光回路にお
いて、前記光素子の光入力端または光出力端のどちらか
一方に２つ以上、残りの一方に１つ以上の位置合わせ用
マークを設けたことを特徴とする。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下本発明の発明の実施の形態を
説明する。
説明する。
【００１０】従来は、光入力端または光出力端の一方の
近傍にのみ位置合わせ用マークを設けていたのに対し、
本発明は、光入力端および光出力端双方の近傍に位置合
わせ用マークを設け、かつ２点ではなく３点以上の位置
に位置合わせ用マークを設ける点が、従来と異なる。
近傍にのみ位置合わせ用マークを設けていたのに対し、
本発明は、光入力端および光出力端双方の近傍に位置合
わせ用マークを設け、かつ２点ではなく３点以上の位置
に位置合わせ用マークを設ける点が、従来と異なる。
【００１１】すなわち、従来の技術の項で説明した通
り、これまで位置合わせ用マークを用いて、基板上に対
向する位置に光入力端および光出力端を有する光素子と
光導波回路との高精度な位置合わせは実現されていなか
った。この原因として、従来、平面内の位置合わせを行
うためには平面内の２点にマークを設けることが必要十
分条件であると考えられがちであったことがあげられ
る。半導体レーザー等の光入出力端が１個でかつ素子寸
法の小さなものであれば、２点のマークを設けておけば
概ね十分な精度で位置合わせが可能である。しかしなが
ら、半導体光アンプ等の基板上の対向する位置に光入力
端および光出力端を有する光素子の場合には、上記２点
のマークでは光入力端、光出力端の両方を同時に高精度
位置合わせを行うことは困難となる。これは（１）実際
の位置合わせには各々のマークごとに位置合わせ誤差が
存在するため、結果として角度ずれが生じること、
（２）位置合わせの際に光素子と素子固定部との間に平
行度ずれが存在すること、（３）光素子、および素子固
定部の双方に各々反りが存在すること、の３つの理由に
よる。さらにこのことは、半導体光アンプ等に素子寸法
が大きなものに対しては無視できない影響を及ぼすこと
になる。とりわけ第一の理由である角度ずれは、位置合
わせ用マークから十分離れた点の位置合わせ精度を著し
く劣化させる要因となっていた。
り、これまで位置合わせ用マークを用いて、基板上に対
向する位置に光入力端および光出力端を有する光素子と
光導波回路との高精度な位置合わせは実現されていなか
った。この原因として、従来、平面内の位置合わせを行
うためには平面内の２点にマークを設けることが必要十
分条件であると考えられがちであったことがあげられ
る。半導体レーザー等の光入出力端が１個でかつ素子寸
法の小さなものであれば、２点のマークを設けておけば
概ね十分な精度で位置合わせが可能である。しかしなが
ら、半導体光アンプ等の基板上の対向する位置に光入力
端および光出力端を有する光素子の場合には、上記２点
のマークでは光入力端、光出力端の両方を同時に高精度
位置合わせを行うことは困難となる。これは（１）実際
の位置合わせには各々のマークごとに位置合わせ誤差が
存在するため、結果として角度ずれが生じること、
（２）位置合わせの際に光素子と素子固定部との間に平
行度ずれが存在すること、（３）光素子、および素子固
定部の双方に各々反りが存在すること、の３つの理由に
よる。さらにこのことは、半導体光アンプ等に素子寸法
が大きなものに対しては無視できない影響を及ぼすこと
になる。とりわけ第一の理由である角度ずれは、位置合
わせ用マークから十分離れた点の位置合わせ精度を著し
く劣化させる要因となっていた。
【００１２】本発明は、光入力端および光出力端双方の
近傍に位置合わせ用マークを設け、かつ２点ではなく３
点以上の位置に位置合わせ用マークを設けることによ
り、（１）光素子の角度ずれを効果的に抑制し、（２）
かつ光素子と素子固定部との間の平行度ずれ、および光
素子と素子固定部のおのおのに反りが存在する場合に
も、適性な位置合わせを可能とするため、半導体光アン
プ等の基板上に対向する位置に光入力端および光出力端
を有する光素子の場合にも光入力端、光出力端の両方を
同時に高精度かつ簡便に位置合わせを可能とする効果が
ある。
近傍に位置合わせ用マークを設け、かつ２点ではなく３
点以上の位置に位置合わせ用マークを設けることによ
り、（１）光素子の角度ずれを効果的に抑制し、（２）
かつ光素子と素子固定部との間の平行度ずれ、および光
素子と素子固定部のおのおのに反りが存在する場合に
も、適性な位置合わせを可能とするため、半導体光アン
プ等の基板上に対向する位置に光入力端および光出力端
を有する光素子の場合にも光入力端、光出力端の両方を
同時に高精度かつ簡便に位置合わせを可能とする効果が
ある。
【００１３】
【実施の形態】以下、本発明の好適な一実施の形態を図
面を参照して説明するが、本発明はこれに限定されるも
のではない。
面を参照して説明するが、本発明はこれに限定されるも
のではない。
【００１４】（実施の形態１）図１は本発明の第一の実
施の形態を示している。本実施の形態は、半導体光アン
プ１１と石英系光導波路３とのハイブリッド集積を示し
ている、素子固定部は、あらかじめシリコン基板を凸状
に加工し、その上に形成した石英系光導波路３をエッチ
ングにより加工して形成した。
施の形態を示している。本実施の形態は、半導体光アン
プ１１と石英系光導波路３とのハイブリッド集積を示し
ている、素子固定部は、あらかじめシリコン基板を凸状
に加工し、その上に形成した石英系光導波路３をエッチ
ングにより加工して形成した。
【００１５】位置合わせ用マークは、半導体光アンプ１
１の光入力端側に２個、光出力端側に１個設けた。これ
らのマークを用いた位置合わせの例を図２に示す。ここ
で、本実施の形態の位置合わせ用マークは、半導体光ア
ンプ１１の裏面側に二個の十字状のマーク２１ａ，２１
ｂを光入力端１３側に設けると共に、一個の十字状のマ
ーク２１ｃを光出力端１４側に設けている。そして、こ
れらのマーク２１ａ〜２１ｃに対応するように素子固定
部４側の表面に二個のマーク２２ａ，２２ｂを光入力端
１３側に設けると共に、一個の十字状のマーク２２ｃを
光出力端１４側に設けている。上記固定部４表面のマー
ク２２ａ〜２２ｃの形状は、本実施の形態では、半導体
光アンプ１１に設けた十字状マークと対応するような四
角形の四隅に正方形を配した形状のものを用いたが、本
発明はこれに限定されるものではない。本実施の形態で
は、まず光入力端１３側の２個の対応するマーク２１
ａ，２１ｂ、２２ａ，２２ｂを用いて位置合わせを行
い、次に光出力端の１個の対応するマーク２１ｃ、２２
ｃも合わせた。
１の光入力端側に２個、光出力端側に１個設けた。これ
らのマークを用いた位置合わせの例を図２に示す。ここ
で、本実施の形態の位置合わせ用マークは、半導体光ア
ンプ１１の裏面側に二個の十字状のマーク２１ａ，２１
ｂを光入力端１３側に設けると共に、一個の十字状のマ
ーク２１ｃを光出力端１４側に設けている。そして、こ
れらのマーク２１ａ〜２１ｃに対応するように素子固定
部４側の表面に二個のマーク２２ａ，２２ｂを光入力端
１３側に設けると共に、一個の十字状のマーク２２ｃを
光出力端１４側に設けている。上記固定部４表面のマー
ク２２ａ〜２２ｃの形状は、本実施の形態では、半導体
光アンプ１１に設けた十字状マークと対応するような四
角形の四隅に正方形を配した形状のものを用いたが、本
発明はこれに限定されるものではない。本実施の形態で
は、まず光入力端１３側の２個の対応するマーク２１
ａ，２１ｂ、２２ａ，２２ｂを用いて位置合わせを行
い、次に光出力端の１個の対応するマーク２１ｃ、２２
ｃも合わせた。
【００１６】図２（ａ）から明らかなように、光入力端
１３側の２個のマークを用いて位置合わせを行なった時
点では２個の対応するマーク２１ａ，２１ｂ、２２ａ，
２２ｂそれぞれに位置合わせ誤差が存在するため、半導
体光アンプ全体では角度ずれが生じている。このためマ
ークに比較的近い光入力端１３では概ね位置合わせがで
きているものの、マークから遠い光出力端１４では位置
ずれが生じている。これに対し、図２（ｂ）から明らか
なように、光出力端１４側の１個の対応するマーク２１
ｃ、２２ｃも合わせた後は、角度ずれが抑制され、光入
力端１３、光出力端１４の両方が同時に位置合わせがで
きていることがわかる。
１３側の２個のマークを用いて位置合わせを行なった時
点では２個の対応するマーク２１ａ，２１ｂ、２２ａ，
２２ｂそれぞれに位置合わせ誤差が存在するため、半導
体光アンプ全体では角度ずれが生じている。このためマ
ークに比較的近い光入力端１３では概ね位置合わせがで
きているものの、マークから遠い光出力端１４では位置
ずれが生じている。これに対し、図２（ｂ）から明らか
なように、光出力端１４側の１個の対応するマーク２１
ｃ、２２ｃも合わせた後は、角度ずれが抑制され、光入
力端１３、光出力端１４の両方が同時に位置合わせがで
きていることがわかる。
【００１７】（実施の形態２）図３〜５は本発明の第二
の実施の形態を示している。本実施の形態は、第一の実
施の形態と同様のマークを用いて半導体光アンプと石英
系光導波路とのハイブリッド集積を示しているが、光
素子が単体ではなく４チャネルの素子を連結したアレー
素子である点、用いる石英系光導波路基板に反りがあ
る点、および位置合わせ用マークを光入力端および光
出力端のどちら側にも２個ずつ、合計４つのマーク２１
ａ〜２１ｄ、２２ａ〜２２ｄ設けた点が第一の実施の形
態と異なる。一般に光素子１１と素子固定部４は、図３
に示すように、どちらも完全に平坦ではなく微少ながら
反りが存在する場合が多い。そしてこの反りは、半導体
光アンプ等の基板上の対向する位置に光入力端および光
出力端を有する光素子、あるいはアレー素子などの素子
の寸法が大きい場合に問題となる。
の実施の形態を示している。本実施の形態は、第一の実
施の形態と同様のマークを用いて半導体光アンプと石英
系光導波路とのハイブリッド集積を示しているが、光
素子が単体ではなく４チャネルの素子を連結したアレー
素子である点、用いる石英系光導波路基板に反りがあ
る点、および位置合わせ用マークを光入力端および光
出力端のどちら側にも２個ずつ、合計４つのマーク２１
ａ〜２１ｄ、２２ａ〜２２ｄ設けた点が第一の実施の形
態と異なる。一般に光素子１１と素子固定部４は、図３
に示すように、どちらも完全に平坦ではなく微少ながら
反りが存在する場合が多い。そしてこの反りは、半導体
光アンプ等の基板上の対向する位置に光入力端および光
出力端を有する光素子、あるいはアレー素子などの素子
の寸法が大きい場合に問題となる。
【００１８】図４，５は、光入力端の２つの対応するマ
ーク２１ａ，２１ｂ、２２ａ，２２ｂを合わせた後と、
４つの対応するマーク２１ａ〜２１ｄ、２２ａ〜２２ｄ
を合わせた後の様子を示している。図４に示すように光
入力端１３側の２つのマーク２１ａ，２１ｂ、２２ａ，
２２ｂを合わせただけでは、光軸方向のずれが大きくな
る。このため、図４に示すように、特に半導体光アンプ
等の基板上の対向する位置に光入力端１３および光出力
端１４を有する光素子１１の場合には光素子両側で光導
波回路とのギャップに差が生じ、光学特性に悪影響を及
ぼす結果となる。さらに最悪の場合には図に示したよう
に光素子１１と光導波路３とが接触し、素子端を損傷す
ることになりかねない。これに対し、図５に示すよう
に、４つのマーク２１ａ〜２１ｄ、２２ａ〜２２ｄのす
べてを合わせた後は、光軸方向にも適性な位置合わせが
行われている。
ーク２１ａ，２１ｂ、２２ａ，２２ｂを合わせた後と、
４つの対応するマーク２１ａ〜２１ｄ、２２ａ〜２２ｄ
を合わせた後の様子を示している。図４に示すように光
入力端１３側の２つのマーク２１ａ，２１ｂ、２２ａ，
２２ｂを合わせただけでは、光軸方向のずれが大きくな
る。このため、図４に示すように、特に半導体光アンプ
等の基板上の対向する位置に光入力端１３および光出力
端１４を有する光素子１１の場合には光素子両側で光導
波回路とのギャップに差が生じ、光学特性に悪影響を及
ぼす結果となる。さらに最悪の場合には図に示したよう
に光素子１１と光導波路３とが接触し、素子端を損傷す
ることになりかねない。これに対し、図５に示すよう
に、４つのマーク２１ａ〜２１ｄ、２２ａ〜２２ｄのす
べてを合わせた後は、光軸方向にも適性な位置合わせが
行われている。
【００１９】一般に、反りがある場合には、２点以上の
マークを同時に、本来の位置関係を有するように位置合
わせをすることはできない。このため、設定したすべて
のマークについて、ずれ量がすべて等しくなるように合
わせる必要がある。したがって、本実施の形態のような
基本的に２個ではなく多数のマークを設け、これらを同
時に用いて位置合わせを行うことにより、より高精度の
位置合わせが可能となる。
マークを同時に、本来の位置関係を有するように位置合
わせをすることはできない。このため、設定したすべて
のマークについて、ずれ量がすべて等しくなるように合
わせる必要がある。したがって、本実施の形態のような
基本的に２個ではなく多数のマークを設け、これらを同
時に用いて位置合わせを行うことにより、より高精度の
位置合わせが可能となる。
【００２０】本実施の形態からわかるように本発明は、
角度ずれを効果的に抑制するにとどまらず、光素子およ
び素子固定部の間に平行度ずれが存在する場合、あるい
は光素子および素子固定部の双方に反りが存在する場合
にも、適性な位置合わせを可能にする効果がある。
角度ずれを効果的に抑制するにとどまらず、光素子およ
び素子固定部の間に平行度ずれが存在する場合、あるい
は光素子および素子固定部の双方に反りが存在する場合
にも、適性な位置合わせを可能にする効果がある。
【００２１】また、本実施の形態では光素子上の４点に
設けたマークのうち１個は損傷により正確な形状ではな
くなっている。このような場合にも多数のマークを設け
ることにより精度を落とすことなく位置合わせが可能で
ある。
設けたマークのうち１個は損傷により正確な形状ではな
くなっている。このような場合にも多数のマークを設け
ることにより精度を落とすことなく位置合わせが可能で
ある。
【００２２】また、位置合わせ用マーク２１ａ〜２２
１，２２ａ〜２２ｄは、対応するマークによって容易に
一致させることができる印・形状とするものであっても
よく、さらに平面状のものに限定されず、光素子および
素子固定部の表面を凹凸加工することによっても、また
はメタル等の薄膜を用いることによっても形成すること
は容易であり、複雑な工程を必要としない。したがっ
て、本方法は多くの場合に適用可能であり、かつ低コス
ト化を達成するのに適している。
１，２２ａ〜２２ｄは、対応するマークによって容易に
一致させることができる印・形状とするものであっても
よく、さらに平面状のものに限定されず、光素子および
素子固定部の表面を凹凸加工することによっても、また
はメタル等の薄膜を用いることによっても形成すること
は容易であり、複雑な工程を必要としない。したがっ
て、本方法は多くの場合に適用可能であり、かつ低コス
ト化を達成するのに適している。
【００２３】
【発明の効果】上記説明したように、本発明は、基板上
の対向する位置に光入力端および光出力端を有する光素
子の光入力端または光出力端のどちらか一方に２つ以
上、残りの一方に１つ以上の位置合わせ用マークを設け
ることにより、以下の効果を有する。すなわち （１）光入力端および光出力端の両方を高精度かつ簡便
に位置合わせを可能とした。 （２）光素子と素子固定部の間に平行度ずれが存在する
場合にも高精度な位置合わせを可能とした。 （３）光素子または素子固定部に反りがある場合にも高
精度な位置合わせを可能とした。 したがって、本発明の目的である、基板上の対向する位
置に光入力端および光出力端を有する光素子と光導波回
路との高精度かつ簡便な位置合わせを可能とし、これに
より低コストかつ高性能なハイブリッド光回路を提供す
ることが可能となった。
の対向する位置に光入力端および光出力端を有する光素
子の光入力端または光出力端のどちらか一方に２つ以
上、残りの一方に１つ以上の位置合わせ用マークを設け
ることにより、以下の効果を有する。すなわち （１）光入力端および光出力端の両方を高精度かつ簡便
に位置合わせを可能とした。 （２）光素子と素子固定部の間に平行度ずれが存在する
場合にも高精度な位置合わせを可能とした。 （３）光素子または素子固定部に反りがある場合にも高
精度な位置合わせを可能とした。 したがって、本発明の目的である、基板上の対向する位
置に光入力端および光出力端を有する光素子と光導波回
路との高精度かつ簡便な位置合わせを可能とし、これに
より低コストかつ高性能なハイブリッド光回路を提供す
ることが可能となった。
【図１】第一の実施の形態を示す斜視図である。
【図２】第一の実施の形態における位置合わせの様子で
ある。
ある。
【図３】第二の実施の形態を示す断面図である、
【図４】第二の実施の形態における位置合わせの様子で
ある。
ある。
【図５】第二の実施の形態における位置合わせの様子で
ある。
ある。
【図６】第一の従来例である。
【図７】第二の従来例である。
１ 光ファイバ ２ Ｓｉ基板 ３ 石英系光導波路 ４ 素子固定部 ５，２２ａ〜２２ｄ 素子固定部に設けた位置合わせ用
マーク １０ 半導体レーザー １１ 半導体光アンプ １２，２１ａ〜２１ｄ 光素子に設けた位置合わせ用マ
ーク １３ 光素子の光入力端 １４ 光素子の光出力端 １５ Ｖ溝
マーク １０ 半導体レーザー １１ 半導体光アンプ １２，２１ａ〜２１ｄ 光素子に設けた位置合わせ用マ
ーク １３ 光素子の光入力端 １４ 光素子の光出力端 １５ Ｖ溝
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 海老澤 文博 東京都新宿区西新宿三丁目19番２号 日本 電信電話株式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】 基板上の対向する位置に光入力端および
光出力端を有する光素子と、該光素子の光入力端および
光出力端で光結合を行う光導波回路と、該光素子を固定
するための素子固定部とを含み、前記光素子と前記素子
固定部の、各々相当する位置に位置合わせ用マークが設
けられ、該位置合わせ用マークを、所定の位置関係を有
するように位置合わせを行い、固定されるハイブリッド
光回路において、 前記光素子の光入力端または光出力端のどちらか一方に
２つ以上、残りの一方に１つ以上の位置合わせ用マーク
を設けたことを特徴とするハイブリッド光回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18614997A JPH1130735A (ja) | 1997-07-11 | 1997-07-11 | ハイブリッド光回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18614997A JPH1130735A (ja) | 1997-07-11 | 1997-07-11 | ハイブリッド光回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1130735A true JPH1130735A (ja) | 1999-02-02 |
Family
ID=16183247
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18614997A Pending JPH1130735A (ja) | 1997-07-11 | 1997-07-11 | ハイブリッド光回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1130735A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0685258A4 (en) * | 1993-12-21 | 1996-05-15 | Toray Industries | MATERIAL WITH SELECTIVE ADSORPTION PROPERTIES FOR INORGANIC MATERIALS AND THEIR PRODUCTION METHOD. |
| JP2006243516A (ja) * | 2005-03-04 | 2006-09-14 | Hitachi Chem Co Ltd | Ｖ溝集積型光導波路の製造方法 |
| EP1736817A3 (en) * | 2003-07-17 | 2007-03-07 | Dow Corning Corporation | An electro-optic gap-cell for waveguide deployment |
| JP2008134662A (ja) * | 2008-02-15 | 2008-06-12 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 平面光回路部品及びその作製方法 |
-
1997
- 1997-07-11 JP JP18614997A patent/JPH1130735A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0685258A4 (en) * | 1993-12-21 | 1996-05-15 | Toray Industries | MATERIAL WITH SELECTIVE ADSORPTION PROPERTIES FOR INORGANIC MATERIALS AND THEIR PRODUCTION METHOD. |
| EP1736817A3 (en) * | 2003-07-17 | 2007-03-07 | Dow Corning Corporation | An electro-optic gap-cell for waveguide deployment |
| JP4750026B2 (ja) * | 2003-07-17 | 2011-08-17 | ダウ・コーニング・コーポレイション | 導波管配置用の電気−光ギャップセル |
| JP2006243516A (ja) * | 2005-03-04 | 2006-09-14 | Hitachi Chem Co Ltd | Ｖ溝集積型光導波路の製造方法 |
| JP2008134662A (ja) * | 2008-02-15 | 2008-06-12 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 平面光回路部品及びその作製方法 |
| JP4504435B2 (ja) * | 2008-02-15 | 2010-07-14 | 日本電信電話株式会社 | 平面光回路部品及びその作製方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20021126 |