JPH11297872A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板コストの低減を実現するため、基板上へ
の実装容易化を図ったバンプ電極を有する半導体装置を
提供する。 【解決手段】 本発明の半導体装置は、バンプ電極を有
する半導体装置において、上記半導体装置の端面近傍に
ある最外周に位置するバンプ電極から、内周に位置する
バンプ電極へと順に、電気的に接続が必要な信号ピンを
割り当て、残りのバンプ電極に電気的に接続の不要なN
Cピンを割り当てたことを特徴とする。
の実装容易化を図ったバンプ電極を有する半導体装置を
提供する。 【解決手段】 本発明の半導体装置は、バンプ電極を有
する半導体装置において、上記半導体装置の端面近傍に
ある最外周に位置するバンプ電極から、内周に位置する
バンプ電極へと順に、電気的に接続が必要な信号ピンを
割り当て、残りのバンプ電極に電気的に接続の不要なN
Cピンを割り当てたことを特徴とする。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、表面実装型の半導
体装置の内、CSP(Chip Size Package)やBGA(B
all Grid Array)等のバンプ電極を有する半導体装置に
関する。
体装置の内、CSP(Chip Size Package)やBGA(B
all Grid Array)等のバンプ電極を有する半導体装置に
関する。
【0002】
【従来の技術】図8の(a)は、バンプ電極101を有
する従来の半導体装置100の側面図であり、(b)
は、半導体装置100を下側(バンプ電極101が見え
る側)より見た図である。図示するように、通常、バン
プ電極101は、所定のマトリクス状に配置される。バ
ンプ電極の数は、内蔵するICチップの電気的機能及び
特性により様々であるが、少ないもので約10極、多い
もので数百極程である。
する従来の半導体装置100の側面図であり、(b)
は、半導体装置100を下側(バンプ電極101が見え
る側)より見た図である。図示するように、通常、バン
プ電極101は、所定のマトリクス状に配置される。バ
ンプ電極の数は、内蔵するICチップの電気的機能及び
特性により様々であるが、少ないもので約10極、多い
もので数百極程である。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】半導体装置に封止され
るICチップの各電極端子は、その配置に従って、それ
ぞれ近接する位置にあるバンプ電極に接続される。この
ため、各バンプ電極には、当該ICチップに電源を供給
したり、信号やデータの授受を行うため、基板に電気的
に接続するピン(以下、信号ピンという)と、上記IC
チップにより使用されない接続不要なNC(no connect
ion)ピンがランダムに割り当てられることになる。
るICチップの各電極端子は、その配置に従って、それ
ぞれ近接する位置にあるバンプ電極に接続される。この
ため、各バンプ電極には、当該ICチップに電源を供給
したり、信号やデータの授受を行うため、基板に電気的
に接続するピン(以下、信号ピンという)と、上記IC
チップにより使用されない接続不要なNC(no connect
ion)ピンがランダムに割り当てられることになる。
【0004】一般的に知られているマトリクス状に配置
されたバンプ電極の最小ピッチは約0.5mmであり、
バンプ電極の最小の直径は約0.2mm〜0.3mmで
あるのに対して、基板上に設けることのできる配線の最
小幅及び最小ピッチは約0.2mmである。このため、
バンプ電極間には1本の配線しか通すことができず、図
8の(b)に示すようにICチップの電極端子の配置に
従ってNCピン110a〜110hがランダムに割り当
てられたり、特開平6−216271号公報のように最
外周にNCピンを配置した場合、これら内側の領域に位
置する信号ピンの割り当てられた複数のバンプ電極に対
して、単層基板上で配線を行うことは極めて難しくな
る。
されたバンプ電極の最小ピッチは約0.5mmであり、
バンプ電極の最小の直径は約0.2mm〜0.3mmで
あるのに対して、基板上に設けることのできる配線の最
小幅及び最小ピッチは約0.2mmである。このため、
バンプ電極間には1本の配線しか通すことができず、図
8の(b)に示すようにICチップの電極端子の配置に
従ってNCピン110a〜110hがランダムに割り当
てられたり、特開平6−216271号公報のように最
外周にNCピンを配置した場合、これら内側の領域に位
置する信号ピンの割り当てられた複数のバンプ電極に対
して、単層基板上で配線を行うことは極めて難しくな
る。
【0005】従来、内側に位置する複数のバンプ電極へ
の配線を可能にするため、基板の多層化や多スルーホー
ル配置配線等の基板設計手法が採用されていた。図9
は、上記半導体装置100を基板102及び103より
なる2層構造の基板に実装した状態を示す断面図であ
り、図8の(b)に示すC−C’断面を示す図である。
図示するように、最外周に位置するバンプ電極120及
び125は、1層目の基板102表面に設けられた配線
104及び107に接続される。最外周から1つ内周に
あるバンプ電極121及び124は、スルーホール11
0及び113を介して2層目の基板103表面に設けら
れた配線105及び108に接続される。一番内周に位
置するバンプ電極122及び123は、スルーホール1
11及び112を介して2層目の基板103裏面に設け
られた配線106及び109に接続される。上記基板の
多層化及び多スルーホール配置配線等の基板設計手法を
採用した基板102及び103は、通常の単層基板より
も設計に時間を要すると共に、構造が複雑になりコスト
高となる問題があった。
の配線を可能にするため、基板の多層化や多スルーホー
ル配置配線等の基板設計手法が採用されていた。図9
は、上記半導体装置100を基板102及び103より
なる2層構造の基板に実装した状態を示す断面図であ
り、図8の(b)に示すC−C’断面を示す図である。
図示するように、最外周に位置するバンプ電極120及
び125は、1層目の基板102表面に設けられた配線
104及び107に接続される。最外周から1つ内周に
あるバンプ電極121及び124は、スルーホール11
0及び113を介して2層目の基板103表面に設けら
れた配線105及び108に接続される。一番内周に位
置するバンプ電極122及び123は、スルーホール1
11及び112を介して2層目の基板103裏面に設け
られた配線106及び109に接続される。上記基板の
多層化及び多スルーホール配置配線等の基板設計手法を
採用した基板102及び103は、通常の単層基板より
も設計に時間を要すると共に、構造が複雑になりコスト
高となる問題があった。
【0006】そこで本発明は、基板構造及び基板設計の
簡単化と基板コストの低減を実現するため、基板上への
実装容易化を図ったバンプ電極を有する半導体装置を提
供することを目的とする。
簡単化と基板コストの低減を実現するため、基板上への
実装容易化を図ったバンプ電極を有する半導体装置を提
供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明の第1の半導体装
置は、複数のバンプ電極を有する半導体装置において、
上記バンプ電極の内、外側の領域に属するバンプ電極に
当該半導体装置を実装する基板に電気的に接続する信号
ピンを割り当て、内側の領域に属するバンプ電極にNC
ピンを割り当てたことを特徴とする。
置は、複数のバンプ電極を有する半導体装置において、
上記バンプ電極の内、外側の領域に属するバンプ電極に
当該半導体装置を実装する基板に電気的に接続する信号
ピンを割り当て、内側の領域に属するバンプ電極にNC
ピンを割り当てたことを特徴とする。
【0008】本発明の第2の半導体装置は、上記第1の
半導体装置において、上記信号ピンを割り当てたバンプ
電極を千鳥状に配置したことを特徴とする。
半導体装置において、上記信号ピンを割り当てたバンプ
電極を千鳥状に配置したことを特徴とする。
【0009】本発明の第3の半導体装置は、上記第1の
半導体装置において、上記バンプ電極の内、外側の領域
に属するバンプ電極であって、隣り合う複数のバンプ電
極に同一の信号ピンを割り当てたことを特徴とする。
半導体装置において、上記バンプ電極の内、外側の領域
に属するバンプ電極であって、隣り合う複数のバンプ電
極に同一の信号ピンを割り当てたことを特徴とする。
【0010】本発明の第1の基板は、複数のバンプ電極
を有する半導体装置を実装した基板であって、上記半導
体装置は、上記バンプ電極の内、外側の領域に属するバ
ンプ電極に信号ピンを割り当て、内側の領域に属するバ
ンプ電極にNCピンを割り当て、上記基板は、上記半導
体装置において信号ピンの割り当てられたバンプ電極へ
の配線を備えることを特徴とする。
を有する半導体装置を実装した基板であって、上記半導
体装置は、上記バンプ電極の内、外側の領域に属するバ
ンプ電極に信号ピンを割り当て、内側の領域に属するバ
ンプ電極にNCピンを割り当て、上記基板は、上記半導
体装置において信号ピンの割り当てられたバンプ電極へ
の配線を備えることを特徴とする。
【0011】本発明の第2の基板は、上記第1の半導体
装置を実装した基板において、上記半導体装置は、上記
信号ピンを割り当てたバンプ電極を千鳥状に配置したこ
とを特徴とする。
装置を実装した基板において、上記半導体装置は、上記
信号ピンを割り当てたバンプ電極を千鳥状に配置したこ
とを特徴とする。
【0012】本発明の第3の基板は、上記第1の半導体
装置を実装した基板において、上記半導体装置は、上記
バンプ電極の内、外側の領域に属するバンプ電極であっ
て、隣り合う複数のバンプ電極に同一の信号ピンを割り
当て、上記基板は、同一の信号ピンが割り当てられた上
記隣り合う複数のバンプ電極同士を接続するバンプ接続
配線を備えることを特徴とする。
装置を実装した基板において、上記半導体装置は、上記
バンプ電極の内、外側の領域に属するバンプ電極であっ
て、隣り合う複数のバンプ電極に同一の信号ピンを割り
当て、上記基板は、同一の信号ピンが割り当てられた上
記隣り合う複数のバンプ電極同士を接続するバンプ接続
配線を備えることを特徴とする。
【0013】本発明の第4の基板は、上記第1乃至第3
の何れかの半導体装置を実装した基板において、上記基
板は、NCピンの割り当てられた全てのバンプ電極を接
続する単一の接続部を備えることを特徴とする。
の何れかの半導体装置を実装した基板において、上記基
板は、NCピンの割り当てられた全てのバンプ電極を接
続する単一の接続部を備えることを特徴とする。
【0014】
【発明の実施の形態】本発明の半導体装置は、下面にバ
ンプ電極を有する半導体装置であって、外側の領域に属
するバンプ電極には、外半導体装置に内蔵するICチッ
プに電源を供給したり、信号やデータの授受を行うた
め、当該半導体装置を実装する基板に電気的に接続する
ピン(以下、単に信号ピンという)を割り当て、内側の
領域に属するバンプ電極には、上記ICチップにより使
用されない接続不要なNC(no connection)ピンを割
り当てたことを特徴とする。これにより内周に位置する
バンプ電極に割り当てる信号ピンの数を減らして基板上
の配線を簡単にする。以下、上記特徴を具備した半導体
装置の実施の形態について説明する。
ンプ電極を有する半導体装置であって、外側の領域に属
するバンプ電極には、外半導体装置に内蔵するICチッ
プに電源を供給したり、信号やデータの授受を行うた
め、当該半導体装置を実装する基板に電気的に接続する
ピン(以下、単に信号ピンという)を割り当て、内側の
領域に属するバンプ電極には、上記ICチップにより使
用されない接続不要なNC(no connection)ピンを割
り当てたことを特徴とする。これにより内周に位置する
バンプ電極に割り当てる信号ピンの数を減らして基板上
の配線を簡単にする。以下、上記特徴を具備した半導体
装置の実施の形態について説明する。
【0015】(1)実施の形態1 一般的に知られているマトリクス状に配置されたバンプ
電極の最小ピッチは約0.5mm、バンプ電極の最小の
直径は約0.2mm〜0.3mm程度である。一方、基
板上での配線の最小幅及び最小間隔は約0.2mmであ
り、バンプ電極間には1本の配線しか通せず配線上の制
約が厳しい。特に、信号ピンの割り当てられたバンプ電
極が上記マトリクスの内側の領域に複数ある場合、単層
基板では配線不可能となることが多い。これに対して、
半導体装置に内蔵するICチップ内の配線幅は約0.2
5μmであり、上記基板上での配線幅の1/1000程
度と非常に小さいため、電極端子の配置を変更してもサ
イズの変化が少なく設計の自由度が高い。そこで、実施
の形態1にかかる半導体装置1は、外側の領域に属する
バンプ電極に信号ピンを割り当て、内側の領域に属する
バンプ電極にNCピンを割り当てることができるように
電極端子の配置が変更されたICチップを採用する。な
お、後に説明する実施の形態2及び3にかかる半導体装
置30及び50についても同様である。
電極の最小ピッチは約0.5mm、バンプ電極の最小の
直径は約0.2mm〜0.3mm程度である。一方、基
板上での配線の最小幅及び最小間隔は約0.2mmであ
り、バンプ電極間には1本の配線しか通せず配線上の制
約が厳しい。特に、信号ピンの割り当てられたバンプ電
極が上記マトリクスの内側の領域に複数ある場合、単層
基板では配線不可能となることが多い。これに対して、
半導体装置に内蔵するICチップ内の配線幅は約0.2
5μmであり、上記基板上での配線幅の1/1000程
度と非常に小さいため、電極端子の配置を変更してもサ
イズの変化が少なく設計の自由度が高い。そこで、実施
の形態1にかかる半導体装置1は、外側の領域に属する
バンプ電極に信号ピンを割り当て、内側の領域に属する
バンプ電極にNCピンを割り当てることができるように
電極端子の配置が変更されたICチップを採用する。な
お、後に説明する実施の形態2及び3にかかる半導体装
置30及び50についても同様である。
【0016】図1の(a)は半導体装置1の側面図であ
り、図1の(b)は半導体装置1を下側(バンプ電極2
が見える側)より見た図である。半導体装置1は、上記
電極端子の配置の変更されたICチップ(図示せず)の
各電極端子を、6×6のマトリクス状に並ぶバンプ電極
2に接続した後に、該ICチップを封止したものであ
る。
り、図1の(b)は半導体装置1を下側(バンプ電極2
が見える側)より見た図である。半導体装置1は、上記
電極端子の配置の変更されたICチップ(図示せず)の
各電極端子を、6×6のマトリクス状に並ぶバンプ電極
2に接続した後に、該ICチップを封止したものであ
る。
【0017】図1の(b)に示すように、斜線で示す信
号ピン領域3、即ち最外周に位置するバンプ電極には、
信号ピンが割り当てられ、点線で囲むNCピン領域4、
即ち上記最外周よりも内側の領域に属するバンプ電極に
は、NCピンが割り当てられる。
号ピン領域3、即ち最外周に位置するバンプ電極には、
信号ピンが割り当てられ、点線で囲むNCピン領域4、
即ち上記最外周よりも内側の領域に属するバンプ電極に
は、NCピンが割り当てられる。
【0018】なお、上記信号ピン領域3の範囲は、信号
ピンの数に応じて変化する。例えば、信号ピンの数が最
外周に位置するバンプ電極の数より少ない場合には、信
号ピン領域3を狭め、最外周に位置するバンプ電極の一
部のみに信号ピンを割り当てる。また、信号ピンの数が
最外周に位置するバンプ電極の数よりも多い場合には、
信号ピン領域3を拡げ、最外周より内側の周に位置する
バンプ電極にも信号ピンを割り当てる。
ピンの数に応じて変化する。例えば、信号ピンの数が最
外周に位置するバンプ電極の数より少ない場合には、信
号ピン領域3を狭め、最外周に位置するバンプ電極の一
部のみに信号ピンを割り当てる。また、信号ピンの数が
最外周に位置するバンプ電極の数よりも多い場合には、
信号ピン領域3を拡げ、最外周より内側の周に位置する
バンプ電極にも信号ピンを割り当てる。
【0019】図2は、半導体装置1を単層基板20に実
装した状態を示す断面図であり、図1の(b)に示すA
−A’断面を示す図である。図示するように、信号ピン
の割り当てられているバンプ電極5及び10に対しての
み配線11及び16が設けられる。NCピンの割り当て
られているバンプ電極6、7、8、9は、単に基板20
上にはんだ付けされているだけである。
装した状態を示す断面図であり、図1の(b)に示すA
−A’断面を示す図である。図示するように、信号ピン
の割り当てられているバンプ電極5及び10に対しての
み配線11及び16が設けられる。NCピンの割り当て
られているバンプ電極6、7、8、9は、単に基板20
上にはんだ付けされているだけである。
【0020】図3は、基板20に実装した半導体装置1
を上から見た図である。図示するように、斜線で示す信
号ピン領域3のバンプ電極(例えば5及び10)だけが
基板20上に設けられた配線(例えば11及び16)に
接続されている。その他の点線で囲まれるNCピン領域
4のバンプ電極(例えば6、7、8及び9)は、単に基
板20上にはんだ付けされているだけである。
を上から見た図である。図示するように、斜線で示す信
号ピン領域3のバンプ電極(例えば5及び10)だけが
基板20上に設けられた配線(例えば11及び16)に
接続されている。その他の点線で囲まれるNCピン領域
4のバンプ電極(例えば6、7、8及び9)は、単に基
板20上にはんだ付けされているだけである。
【0021】図2及び図3に示すように、半導体装置1
では最外周に位置するバンプ電極だけに信号ピンが割り
当てられているため、最外周より内側に位置するバンプ
電極への配線が不要となる。これにより、半導体装置1
を実装する基板20を単層構造にすることができ、基板
設計の簡単化及び基板コストの低減を図ることができ
る。
では最外周に位置するバンプ電極だけに信号ピンが割り
当てられているため、最外周より内側に位置するバンプ
電極への配線が不要となる。これにより、半導体装置1
を実装する基板20を単層構造にすることができ、基板
設計の簡単化及び基板コストの低減を図ることができ
る。
【0022】また、信号ピンの数が多く、最外周よりも
内周に位置するバンプ電極にも信号ピンを割り当てた場
合であっても、信号ピンがランダムに割り当てられた場
合に比べれば、内側に位置するバンプ電極に割り当てら
れる信号ピンの数が少ないため、基板構造と基板設計の
簡単化、及び、基板コストの低減を図ることができる。
内周に位置するバンプ電極にも信号ピンを割り当てた場
合であっても、信号ピンがランダムに割り当てられた場
合に比べれば、内側に位置するバンプ電極に割り当てら
れる信号ピンの数が少ないため、基板構造と基板設計の
簡単化、及び、基板コストの低減を図ることができる。
【0023】図4は、上記半導体装置1の基板20への
実装方法の変形例を示す図である。半導体装置1では、
内側に位置するバンプ電極にはNCピンだけが割り当て
られる。そこで本変形例ではNCピンの割り当てられた
全てのバンプ電極(例えば6、7、8及び9)を単一の
はんだ部17にはんだ付けする。これにより、基板上へ
の実装強度を向上することができる。
実装方法の変形例を示す図である。半導体装置1では、
内側に位置するバンプ電極にはNCピンだけが割り当て
られる。そこで本変形例ではNCピンの割り当てられた
全てのバンプ電極(例えば6、7、8及び9)を単一の
はんだ部17にはんだ付けする。これにより、基板上へ
の実装強度を向上することができる。
【0024】(2)実施の形態2 図5は、実施の形態2にかかる半導体装置30の基板4
5への実装状態を上から見た図である。半導体装置30
は、バンプ電極が千鳥状(例えばバンプ電極33〜38
とバンプ電極39〜44の位置関係を意味する)に配置
されており、斜線で示す信号ピン領域31にあるバンプ
電極、即ち、最外周及び最外周より1つ内周のバンプ電
極に信号ピンが割り当てられている。当該構成を採用す
ることで、上記実施の形態1にかかる半導体装置1より
も多くのバンプ電極を、直線状の簡単な配線で接続する
ことができる。これにより基板45の構造を簡単にする
ことができ、基板コストの低減を図ることができる。な
お、NCピン領域32に位置するバンプ電極は、単一の
はんだ部にはんだ付けしても良い。この場合、半導体装
置30の基板45への実装強度が向上する。
5への実装状態を上から見た図である。半導体装置30
は、バンプ電極が千鳥状(例えばバンプ電極33〜38
とバンプ電極39〜44の位置関係を意味する)に配置
されており、斜線で示す信号ピン領域31にあるバンプ
電極、即ち、最外周及び最外周より1つ内周のバンプ電
極に信号ピンが割り当てられている。当該構成を採用す
ることで、上記実施の形態1にかかる半導体装置1より
も多くのバンプ電極を、直線状の簡単な配線で接続する
ことができる。これにより基板45の構造を簡単にする
ことができ、基板コストの低減を図ることができる。な
お、NCピン領域32に位置するバンプ電極は、単一の
はんだ部にはんだ付けしても良い。この場合、半導体装
置30の基板45への実装強度が向上する。
【0025】(3)実施の形態3 図6は、実施の形態3にかかる半導体装置50を下側
(バンプ電極の見える側)より見た図であり、説明の便
宜のため、基板80に設けるバンプ接続配線(図7を参
照)を太線で示す図である。半導体装置50では、斜線
で示す信号ピン領域52に属するバンプ電極であって、
最外周及び最外周より1つ内周に位置し、隣り合う複数
のバンプ電極(図中、太線で示すバンプ接続配線により
接続される複数のバンプ電極がこれに相当する。)に同
一の信号ピンを割り当て、点線で囲むNCピン領域51
に属するバンプ電極にはNCピンを割り当てたことを特
徴とする。
(バンプ電極の見える側)より見た図であり、説明の便
宜のため、基板80に設けるバンプ接続配線(図7を参
照)を太線で示す図である。半導体装置50では、斜線
で示す信号ピン領域52に属するバンプ電極であって、
最外周及び最外周より1つ内周に位置し、隣り合う複数
のバンプ電極(図中、太線で示すバンプ接続配線により
接続される複数のバンプ電極がこれに相当する。)に同
一の信号ピンを割り当て、点線で囲むNCピン領域51
に属するバンプ電極にはNCピンを割り当てたことを特
徴とする。
【0026】例えば、信号ピン領域52内の左上隅に位
置する4つのバンプ電極60、61、62及び63に
は、同一の信号ピンが割り当てられる。上記バンプ電極
60、61、62及び63は、基板80上に設けるバン
プ接続配線53により互いに接続される。残りの3つの
隅にある各々4つのバンプ電極には、それぞれ同一の信
号ピンが割り当てられる。上記3つの隅にある各々4つ
のバンプ電極は、基板80上に設けるバンプ接続配線5
4、55、56により互いに接続される。また、端面に
平行に並ぶバンプ電極、例えば64と65、74と75
には、それぞれ同一の信号ピンが割り当てられる。上記
端面に平行に並ぶバンプ電極、例えば64と65、74
と75は、基板80上に設けるバンプ接続配線66、6
7により互いに接続される。
置する4つのバンプ電極60、61、62及び63に
は、同一の信号ピンが割り当てられる。上記バンプ電極
60、61、62及び63は、基板80上に設けるバン
プ接続配線53により互いに接続される。残りの3つの
隅にある各々4つのバンプ電極には、それぞれ同一の信
号ピンが割り当てられる。上記3つの隅にある各々4つ
のバンプ電極は、基板80上に設けるバンプ接続配線5
4、55、56により互いに接続される。また、端面に
平行に並ぶバンプ電極、例えば64と65、74と75
には、それぞれ同一の信号ピンが割り当てられる。上記
端面に平行に並ぶバンプ電極、例えば64と65、74
と75は、基板80上に設けるバンプ接続配線66、6
7により互いに接続される。
【0027】図7は、上記半導体装置50を基板80に
実装した状態を示す断面図であって、図6に示すB−
B’断面を示す図である。同一の信号ピンが割り当てら
れているバンプ電極70及び71は、バンプ接続配線6
7により互いに接続されると共に、配線76に接続され
る。同様に、同一の信号ピンの割り当てられているバン
プ電極74及び75は、バンプ接続配線68により互い
に接続されると共に、配線79に接続されている。ま
た、NCピンの割り当てられているバンプ電極72及び
73は、はんだ部77及び78に接続されている。
実装した状態を示す断面図であって、図6に示すB−
B’断面を示す図である。同一の信号ピンが割り当てら
れているバンプ電極70及び71は、バンプ接続配線6
7により互いに接続されると共に、配線76に接続され
る。同様に、同一の信号ピンの割り当てられているバン
プ電極74及び75は、バンプ接続配線68により互い
に接続されると共に、配線79に接続されている。ま
た、NCピンの割り当てられているバンプ電極72及び
73は、はんだ部77及び78に接続されている。
【0028】上記構成を採用することで、環境温度の変
化による基板80の伸縮や、取り扱い時に該基板80に
対して与えられる応力により、上記同一の信号ピンを割
り当てた複数のバンプ電極の1つのはんだが剥がれて
も、残りのバンプ電極により電気的な接続を維持するこ
とができ、信号ピンの割り当てられたバンプ電極の基板
80に対する接続信頼性を向上することができる。
化による基板80の伸縮や、取り扱い時に該基板80に
対して与えられる応力により、上記同一の信号ピンを割
り当てた複数のバンプ電極の1つのはんだが剥がれて
も、残りのバンプ電極により電気的な接続を維持するこ
とができ、信号ピンの割り当てられたバンプ電極の基板
80に対する接続信頼性を向上することができる。
【0029】なお、上記バンプ接続配線(例えば53、
54、55、56、66、67及び68)により互いに
接続されるバンプ電極は、バンプ接続配線のかわりに、
単一のはんだ部にはんだ付けして接続するのが好まし
い。これにより、信号ピンの割り当てられたバンプ電極
の基板80への接続信頼性を更に向上することができ
る。また、NCピン領域51に位置するバンプ電極(例
えば72及び73)は、単一のはんだ部にはんだ付けし
ても良い。この場合、半導体装置50の基板80への実
装強度を向上することができる。
54、55、56、66、67及び68)により互いに
接続されるバンプ電極は、バンプ接続配線のかわりに、
単一のはんだ部にはんだ付けして接続するのが好まし
い。これにより、信号ピンの割り当てられたバンプ電極
の基板80への接続信頼性を更に向上することができ
る。また、NCピン領域51に位置するバンプ電極(例
えば72及び73)は、単一のはんだ部にはんだ付けし
ても良い。この場合、半導体装置50の基板80への実
装強度を向上することができる。
【0030】
【発明の効果】本発明の第1の半導体装置では、外側の
領域に属するバンプ電極に信号ピンを割り当て、内側の
領域に属するバンプ電極にNCピンを割り当てたこと
で、最外周より内側に位置するバンプ電極への配線を減
らすことができ、当該半導体装置を実装する基板の構造
と設計の簡単化、及び、基板コストの低減を図ることが
できる。
領域に属するバンプ電極に信号ピンを割り当て、内側の
領域に属するバンプ電極にNCピンを割り当てたこと
で、最外周より内側に位置するバンプ電極への配線を減
らすことができ、当該半導体装置を実装する基板の構造
と設計の簡単化、及び、基板コストの低減を図ることが
できる。
【0031】本発明の第2の半導体装置では、上記第1
の半導体装置において、信号ピンの割り当てられたバン
プ電極を千鳥状に配置したことで、当該半導体装置の最
外周及び最外周から1つ内側の周に位置するバンプ電極
は、直線状の簡単な配線により基板に接続することがで
きる。これにより、設計の容易化が図られる。
の半導体装置において、信号ピンの割り当てられたバン
プ電極を千鳥状に配置したことで、当該半導体装置の最
外周及び最外周から1つ内側の周に位置するバンプ電極
は、直線状の簡単な配線により基板に接続することがで
きる。これにより、設計の容易化が図られる。
【0032】本発明の第3の半導体装置では、上記第1
の半導体装置において、更に、上記バンプ電極の内、外
側の領域に属するバンプ電極であって、隣り合う複数の
バンプ電極に同一の信号ピンを割り当てることで、当該
半導体装置を実装する基板構造と基板設計の簡単化、及
び、基板コストの低減を図ることができる他、信号ピン
の接続強度を向上し、基板の撓み等によって組を構成す
る1つのバンプ電極が剥がれた場合であっても、組を構
成する他のバンプ電極により基板との接続を維持するこ
とができる。
の半導体装置において、更に、上記バンプ電極の内、外
側の領域に属するバンプ電極であって、隣り合う複数の
バンプ電極に同一の信号ピンを割り当てることで、当該
半導体装置を実装する基板構造と基板設計の簡単化、及
び、基板コストの低減を図ることができる他、信号ピン
の接続強度を向上し、基板の撓み等によって組を構成す
る1つのバンプ電極が剥がれた場合であっても、組を構
成する他のバンプ電極により基板との接続を維持するこ
とができる。
【0033】本発明の第1の半導体装置を実装した基板
では、外側の領域に属するバンプ電極に信号ピンを割り
当て、内側の領域に属するバンプ電極にNCピンを割り
当てた半導体装置を採用することで、より簡単な配線の
基板に半導体装置を確実に実装することができる。これ
により、当該半導体装置を実装した基板構造の簡単化及
び基板コストの低減を図ることができる。
では、外側の領域に属するバンプ電極に信号ピンを割り
当て、内側の領域に属するバンプ電極にNCピンを割り
当てた半導体装置を採用することで、より簡単な配線の
基板に半導体装置を確実に実装することができる。これ
により、当該半導体装置を実装した基板構造の簡単化及
び基板コストの低減を図ることができる。
【0034】本発明の第2の半導体装置を実装した基板
では、上記第1の半導体装置を実装した基板であって、
半導体装置の備える信号ピンの割り当てられたバンプ電
極を千鳥状に配列したことで、当該半導体装置の最外周
及び最外周から1つ内側の周に位置するバンプ電極は、
直線状の簡単な配線により基板に接続することができ
る。
では、上記第1の半導体装置を実装した基板であって、
半導体装置の備える信号ピンの割り当てられたバンプ電
極を千鳥状に配列したことで、当該半導体装置の最外周
及び最外周から1つ内側の周に位置するバンプ電極は、
直線状の簡単な配線により基板に接続することができ
る。
【0035】本発明の第3の半導体装置を実装した基板
では、更に、上記バンプ電極の内、外側の領域に属する
バンプ電極であって、隣り合う複数のバンプ電極に同一
の信号ピンを割り当てることで、基板構造と基板設計の
簡単化、及び、基板コストの低減を図ることができる
他、信号ピンの接続信頼性を向上し、基板の撓み等によ
って組を構成する1つのバンプ電極が剥がれた場合であ
っても、組を構成する他のバンプ電極により基板との電
気的接続を維持することができる。
では、更に、上記バンプ電極の内、外側の領域に属する
バンプ電極であって、隣り合う複数のバンプ電極に同一
の信号ピンを割り当てることで、基板構造と基板設計の
簡単化、及び、基板コストの低減を図ることができる
他、信号ピンの接続信頼性を向上し、基板の撓み等によ
って組を構成する1つのバンプ電極が剥がれた場合であ
っても、組を構成する他のバンプ電極により基板との電
気的接続を維持することができる。
【0036】本発明の第4の半導体装置を実装した基板
では、上記第1乃至第3の何れかの半導体装置を実装し
た基板であって、半導体装置内側の領域に集められたN
Cピンを単一の接続部に接続することで、半導体装置の
基板への実装強度を向上することができる。
では、上記第1乃至第3の何れかの半導体装置を実装し
た基板であって、半導体装置内側の領域に集められたN
Cピンを単一の接続部に接続することで、半導体装置の
基板への実装強度を向上することができる。
【図1】 実施の形態1にかかる半導体装置の構成を示
す図である。
す図である。
【図2】 実施の形態1にかかる半導体装置の実装状態
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図3】 実施の形態1にかかる半導体装置の実装状態
を上から見た図である。
を上から見た図である。
【図4】 実施の形態1にかかる半導体装置の実装方法
の変形例を示す断面図である。
の変形例を示す断面図である。
【図5】 実施の形態2にかかる半導体装置の実装状態
を上から見た図である。
を上から見た図である。
【図6】 実施の形態3にかかる半導体装置を下側より
見た図である。
見た図である。
【図7】 実施の形態3にかかる半導体装置の実装状態
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図8】 従来の半導体装置の構成を示す図である。
【図9】 従来の半導体装置の実装状態を示す断面図で
ある。
ある。
1,30,50,100 半導体装置、2,5,6,
7,8,9,10,33,34,35,36,37,3
8,39,40,41,42,43,44,60,6
1,62,63,64,65,70,71,72,7
3,74,75,100a,100b,100c,10
0d,100e,100f,100g,100h,12
0,121,122,123,124,125 バンプ
電極、11,12,13,14,15,16,17,7
6,77,78,79 配線、53,54,55,56
バンプ接続配線、20,45,80,102,103
基板
7,8,9,10,33,34,35,36,37,3
8,39,40,41,42,43,44,60,6
1,62,63,64,65,70,71,72,7
3,74,75,100a,100b,100c,10
0d,100e,100f,100g,100h,12
0,121,122,123,124,125 バンプ
電極、11,12,13,14,15,16,17,7
6,77,78,79 配線、53,54,55,56
バンプ接続配線、20,45,80,102,103
基板
Claims (7)
- 【請求項1】 複数のバンプ電極を有する半導体装置に
おいて、 上記バンプ電極の内、外側の領域に属するバンプ電極に
は、当該半導体装置を実装する基板に電気的に接続する
信号ピンを割り当て、内側の領域に属するバンプ電極に
は、NCピンを割り当てたことを特徴とする半導体装
置。 - 【請求項2】 請求項1に記載する半導体装置におい
て、 上記信号ピンを割り当てたバンプ電極を千鳥状に配置し
たことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項3】 請求項1に記載する半導体装置におい
て、 上記バンプ電極の内、外側の領域に属するバンプ電極で
あって、隣り合う複数のバンプ電極に同一の信号ピンを
割り当てたことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項4】 複数のバンプ電極を有する半導体装置を
実装した基板において、 上記半導体装置は、上記バンプ電極の内、外側の領域に
属するバンプ電極に信号ピンを割り当て、内側の領域に
属するバンプ電極にNCピンを割り当て、 上記基板は、上記半導体装置において信号ピンの割り当
てられたバンプ電極への配線を備えることを特徴とする
半導体装置を実装した基板。 - 【請求項5】 請求項4に記載の半導体装置を実装した
基板において、 上記半導体装置は、上記信号ピンを割り当てたバンプ電
極を千鳥状に配置したことを特徴とする半導体装置を実
装した基板。 - 【請求項6】 請求項4に記載の半導体装置を実装した
基板において、 上記半導体装置は、上記バンプ電極の内、外側の領域に
属するバンプ電極であって、隣り合う複数のバンプ電極
に同一の信号ピンを割り当て、 上記基板は、同一の信号ピンが割り当てられた上記隣り
合う複数のバンプ電極同士を接続するバンプ接続配線を
備えることを特徴とする半導体装置を実装した基板。 - 【請求項7】 請求項4乃至請求項6の何れかに記載の
半導体装置を実装した基板において、 上記基板は、NCピンの割り当てられた全てのバンプ電
極を接続する単一の接続部を備えることを特徴とする半
導体装置を実装した基板。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10101131A JPH11297872A (ja) | 1998-04-13 | 1998-04-13 | 半導体装置 |
US09/144,643 US6144091A (en) | 1998-04-13 | 1998-08-31 | Semiconductor device |
BE9900151A BE1012885A3 (fr) | 1998-04-13 | 1999-03-04 | Appareil de selection de canal muni d'une fonction de prereglage automatique. |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10101131A JPH11297872A (ja) | 1998-04-13 | 1998-04-13 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11297872A true JPH11297872A (ja) | 1999-10-29 |
Family
ID=14292534
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10101131A Pending JPH11297872A (ja) | 1998-04-13 | 1998-04-13 | 半導体装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6144091A (ja) |
JP (1) | JPH11297872A (ja) |
BE (1) | BE1012885A3 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7411295B2 (en) | 2004-04-02 | 2008-08-12 | Fujitsu Limited | Circuit board, device mounting structure, device mounting method, and electronic apparatus |
Families Citing this family (13)
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---|---|---|---|---|
US6548907B1 (en) * | 1998-04-28 | 2003-04-15 | Fujitsu Limited | Semiconductor device having a matrix array of contacts and a fabrication process thereof |
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JP4341187B2 (ja) * | 2001-02-13 | 2009-10-07 | 日本電気株式会社 | 半導体装置 |
GB2377080B (en) * | 2001-09-11 | 2003-05-07 | Sendo Int Ltd | Integrated circuit package and printed circuit board arrangement |
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SG121707A1 (en) * | 2002-03-04 | 2006-05-26 | Micron Technology Inc | Method and apparatus for flip-chip packaging providing testing capability |
US6762495B1 (en) * | 2003-01-30 | 2004-07-13 | Qualcomm Incorporated | Area array package with non-electrically connected solder balls |
US7262509B2 (en) * | 2004-05-11 | 2007-08-28 | Intel Corporation | Microelectronic assembly having a perimeter around a MEMS device |
JP2006344824A (ja) * | 2005-06-09 | 2006-12-21 | Nec Electronics Corp | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
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US7871831B1 (en) * | 2006-03-01 | 2011-01-18 | Cadence Design Systems, Inc. | Method for connecting flip chip components |
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