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JPH11158633A - Ｃｖｄ反応及びｐｅｃｖｄ反応で反応物ガスの早期混合を防止するための装置並びに方法 - Google Patents

Ｃｖｄ反応及びｐｅｃｖｄ反応で反応物ガスの早期混合を防止するための装置並びに方法

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JPH11158633A
JPH11158633A JP10278177A JP27817798A JPH11158633A JP H11158633 A JPH11158633 A JP H11158633A JP 10278177 A JP10278177 A JP 10278177A JP 27817798 A JP27817798 A JP 27817798A JP H11158633 A JPH11158633 A JP H11158633A
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エミール ルブランク リーヌ
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 化学蒸着により基体上にフイルムを蒸着させ
るＣＶＤ反応及びＰＥＣＶＤ反応で反応物ガスの早期混
合を防止する装置及び方法。 【解決手段】 基体を入れる処理空間を中に有する反応
室；前記処理空間で化学反応を生じさせ、その中の基体
上に蒸着材料フイルムを形成させるために、前記処理空
間に第一及び第二反応物ガスを送るガス送り機構；前記
処理空間へ反応物ガスを分散させるための前記ガス送り
機構に結合したシャワーヘッドで、第一反応物ガスを受
けて分散させる働きをする第一空間を中に有し、前記第
一ガス分散物から分離して第二反応物ガスを受けて分散
する働きをする、前記第一空間から一般に隔離された第
二空間を中に有し、反応物ガスの隔離を維持し、それら
を処理空間中へ導入する前に、一般に前記ガスの早期混
合を防ぐシャワーヘッド；を具えたフイルム蒸着装置。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、一般に化学蒸着
（ＣＶＤ）及びプラズマ強化化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）に
関し、詳しくは、ＣＶＤ及びＰＥＣＶＤ反応で、反応物
ガス成分の混合が反応室で望まれる前に、それらの早期
（早過ぎる）混合が起きるのを防ぐ装置及び方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】集積回路（ＩＣ's）を形成する際に、半
導体ウエーハのような基体の表面上に金属及びメタロイ
ド元素を含むフイルムのような、薄膜又は層を蒸着する
ことが屡々必要になる。そのような薄膜の一つの目的
は、回路に伝導性オーム接触を与え、種々のＩＣ装置間
に伝導性又は障壁層を形成することにある。例えば、基
体の絶縁層の上の接点又はバイアホール(via hole)の露
出表面に希望のフイルムを適用し、絶縁層を貫くフイル
ムにより絶縁層を通る連係線を形成する目的で伝導性材
料のプラグを与える。
【０００３】そのようなフイルムを蒸着するためのよく
知られた一つの方法は、種々の成分又は反応物ガスの間
の化学反応を用いてフイルムを蒸着する化学蒸着（ＣＶ
Ｄ）である。ＣＶＤでは、基体の入った反応室の処理空
間に反応物ガスをポンプで送り込む。それらのガスは基
体近辺の処理空間で反応し、一種以上の反応副生成物を
与える結果になる。反応副生成物は、次に基体上に蒸着
し、露出した基体表面上にフイルムを形成する。
【０００４】広く用いられているＣＶＤ法の別の変形は
一種以上の反応物ガスをイオン化してガスプラズマに
し、反応工程へのエネルギーを与えるプラズマ強化ＣＶ
Ｄ法、即ちＰＥＣＶＤ法である。ＰＥＣＶＤは、標準Ｃ
ＶＤで適切な反応のために通常必要な温度を低下するの
で望ましい。ＰＥＣＶＤでは、電気エネルギーをガス
（一種又は多種）に与えてプラズマを形成し、持続させ
る。一つのそのようなＰＥＣＶＤ法として、処理空間中
に基体及びガス供給部材のような平坦な部材が入ったサ
セプター(susceptor）を、一種類以上の反応物ガスを励
起してイオン化プラズマにするために、電気的にバイア
スをかけてＲＦ電極として作動させる。そのような方法
は、一般に平行板法と呼ばれている。なぜなら、サセプ
ターと他のバイアス印加平坦部材とを全体的に互いに平
行に維持し、バイアス印加部材の間に且つそれらに対し
平行に基体を配置したバイアス印加電極板に類似してい
るからである。
【０００５】ＣＶＤ及びＰＥＣＶＤ法のための反応物ガ
スを、ガス送り機構を通して処理空間及び基体へ送り、
その機構は、ＣＶＤ法のためのガスの適切な流れ及び分
配を与える。一般に、そのようなガス送り機構は、ガス
注入リング又は平坦なシャワーヘッドのようなガス分散
部材を反応室中に有し、そのシャワーヘッドは入ってく
る反応物ガスを処理空間の周辺に散布し、基体に近接し
たガスの均一な分配及び流れを確実に与える。均一で効
果的な蒸着過程、緻密なプラズマ、及び均一な蒸着フイ
ルムのためには均一なガス分配及び流れが望ましい。Ｃ
ＶＤ及びＰＥＣＶＤ法で用いられるガスは反応性なの
で、それらガスを処理空間前に隔離又は非混合状態に維
持するために、各成分ガスのための別々な分散部材を用
いることが屡々必要になる。さもないと、処理空間前に
ガスが混合して、分散部材の内側及びガス送り機構の他
の領域の内側に早期蒸着を起こし、それがガスの均一な
流れを妨げ、蒸着工程を劣化し、蒸着フイルムを汚染す
ることがある。
【０００６】成分ガスを別々に維持するために多重同心
状ガス注入リングを用いて、処理空間前の早期の混合及
び蒸着を防ぐようにされてきた。しかし、処理空間内の
多重ガス注入リングは、ＰＥＣＶＤ法を用いるのを困難
にする。なぜなら、それらリングは、そのようなＰＥＣ
ＶＤ法に必要なＲＦ電極の配置及び作用を妨げるからで
ある。従って、それらリングはプラズマの発生に有害な
影響を与える。
【０００７】慣用的ＲＦ ＰＥＣＶＤ法は、一般に平行
なバイアス印加サセプターに向かい合った平坦なバイア
ス印加ガスシャワーヘッドを用いている。一つのそのよ
うなＰＥＣＶＤ法及び装置は、本願と同じ譲受け人に譲
渡されている米国特許第５，５４７，２４３号明細書に
記載されている。そのような方法は適切なＰＥＣＶＤフ
イルムを生ずるが、利用可能なシャワーヘッドを通して
反応物ガス成分の全てを送り、分散させることにより、
処理空間前にそれらガスの早期混合を生じ、シャワーヘ
ッドの内側又はシャワーヘッド前の系のインラインに望
ましくない蒸着を生ずる。従って、平行板ＰＥＣＶＤの
場合、シャワーヘッド以外の入り口を通って幾つかのガ
スを分散させることが必要であり、基体の所でガス成分
の幾つかの不均一な流れを生じ、或はプラズマの発生を
妨害をしていたりした。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は、ＣＶＤ反応及びＰＥＣＶＤ反応で反応物ガスの早期
混合を減少させ、一般に防止することである。
【０００９】本発明の更に別の目的は、ガス送り機構で
のフイルム材料の蒸着を防ぎ、蒸着工程のための処理空
間に反応物ガスの均一な流れ及び分配を与えることであ
る。
【００１０】本発明の更に別の目的は、反応物ガスの分
離を維持し、一般にそれらの相互作用を、それらが基体
近辺に注入され混合されるまで防止することである。
【００１１】一般的な更に別な目的は、平行板電極を用
いたＰＥＣＶＤ法で、ＲＦプラズマ発生を妨害すること
なくそのような早期の相互作用及び蒸着を防ぐことであ
る。
【００１２】従って、本発明は、これらの目的及び従来
の技術で現在入手できる種々のＣＶＤ及びＰＥＣＶＤの
装置及び方法の欠点に対処するものである。
【００１３】本発明は、ＣＶＤ及びＰＥＣＶＤでの反応
物ガスの早期混合を防ぎ、反応物ガスの分離を維持し、
それらが基体近辺の処理空間中に注入され、混合さるま
で、それらの相互作用を防ぐ。本発明は、更に、反応物
ガスの均一な流れ及び分配を与え、プラズマを妨害する
ことなくＲＦプラズマ及びＰＥＣＶＤ法と共に用いるの
に適している。特に、本発明は、平行板ＰＥＣＶＤ法に
適するようにしながら、必要なガス分離を与えることで
ある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明は、全体的に円状
で平坦なガス分散マニホルド、好ましくは平坦なシャワ
ーヘッドの形をし、反応物ガスを基体近辺の室中へ分散
するための少なくとも二種の異なった反応物ガス導管に
接続されたマニホルドを有する。シャワーヘッドは第一
反応物ガスを受け、分散させる働きをする第一空間をそ
の中に有し、更に第一空間とは隔離され、第一ガスの分
散とは独立に第二ガスを受け、分散させる働きもする第
二空間を有する。本発明のシャワーヘッドは、第一空間
と第二空間中のそれら反応物ガスの間の隔離を維持し、
それらガスが処理空間に入る前のガスの早期混合を防
ぐ。このようにして、ガス送り機構中で、処理空間前の
早期蒸着を一般に防止する。
【００１５】本発明のシャワーヘッドを通過する反応物
ガスを分散させるため、シャワーヘッドは２組の分離し
た複数のガス分離通路を有し、それら通路はシャワーヘ
ッド内の夫々のガス空間の各々と連通しているが、互い
に隔離されている。分散通路は、基体と向かい合ったシ
ャワーヘッド前面の所で開いた出口を有する。別々の反
応物ガスをシャワーヘッドを通って送った時、シャワー
ヘッド内で混合は起きず、反応物ガスの各々は希望通り
に基体近辺での混合とは独立に分散される。各第一空間
及び第二空間の各々へのガス分散通路が、シャワーヘッ
ドの下側前面の周りの協同するグリッド中に配置され、
基体近辺でガスを均一に分散し、混合する。
【００１６】本発明の別の態様に従い、シャワーヘッド
は全体的に平坦で、従ってコンパクトなデザインを有
し、それはＲＦエネルギーでバイアスをかけた時、電気
的に平行板としての機能を果たす。従って、本発明のシ
ャワーヘッドは、プラズマを妨害することなく、平行板
ＰＥＣＶＤ法のために用いることができる。そのように
して、反応物ガスは別々に均一に分散され、安定で均一
なプラズマ及びフィルムの均一な蒸着を与える。
【００１７】本発明のシャワーヘッドは、平坦な第二空
間と全体的に平行な平面内に、その第二空間より下に位
置する平坦な第一空間を有する。即ち、シャワーヘッド
中、第二空間は第一空間より上に積み重なっている。そ
れら空間に通じた入り口を通って夫々の空間の各々にガ
スが導入され、それら反応物ガスは平坦な空間を通って
広がり、分散通路のグリッドにより基体近辺で均一に分
散するようになる。
【００１８】本発明の一つの態様として、第一ガス空間
は、シャワーヘッドを通って伸びる複数の長い円筒状通
路を有する。それら通路は円状シャワーヘッドの周辺の
一つの領域から始まり、シャワーヘッドの反対側の別の
周辺領域まで伸びている。長い通路は一般にそれらの長
手方向に沿って互いに隔離されているが、同一平面上に
あり、互いに隣合って伸び、平坦な第一空間を定める。
長い第一空間通路の反対の端は夫々周辺結合器に結合さ
れており、その結合器は単一の入り口と広い出口を有
し、長い通路の端の各々に同時に接続されている。二つ
の結合器は長い通路の端の各々に同時にガスを与え、円
状シャワーヘッドの周辺に導入されたガスが第一空間内
でシャワーヘッドの周りに均一に分配するようになる。
長い通路は全体的に各結合器から角度をもって出、シャ
ワーヘッド前面の最大領域に達し、次に反対側の結合器
へ角度をもって戻る。
【００１９】第二空間は第一空間の長い通路の上にある
開放円筒状空間である。シャワーヘッドの向かい合った
周辺上の点に位置する二つの入り口を通って第二空間へ
第二反応物ガスを導入する。第二ガスを導入するための
入り口は、シャワーヘッド周辺上で、周辺にある第一ガ
ス結合器からほぼ９０°ずれた位置にあり、第一空間の
ための結合器と干渉しないようになっている。
【００２０】１組のガス分散通路が、シャワーヘッドの
グリッド内に配列されており、第二ガス空間とシャワー
ヘッドの前面との間を連通し、第二ガスが処理空間へ送
られるようになっている。その組からの各通路は、第二
空間から伸び、長い第一空間通路を通り、第一空間通路
と交わることなくシャワーヘッド前面で開いている。こ
のようにして、ガスはシャワーヘッド内で分離された状
態に維持される。同じくグリッド配列として別の組の分
散通路が第一空間の長い通路と連通しており、そこから
ガスを送る。
【００２１】本発明の別の態様として、反応物ガスをシ
ャワーヘッドの中心へその周辺以外の所から導入する。
そのためには、シャワーヘッドは第一ガス及び第二ガス
夫々のための二つの通路及び二つの入り口を有する中心
ステムを有する。中心ステムは、全体的にシャワーヘッ
ドの面に対し垂直に伸び、ガス入り口の一つは第二空間
内に直接開いている。入って来る第二ガスを第一空間の
面と平行に送るため、９０°結合器を用いるのが好まし
い。中心ステムは、ＰＥＣＶＤ処理に望ましい場合、Ｒ
Ｆエネルギーでバイアスをかけてもよい。
【００２２】第一ガス入り口は、シャワーヘッド中、第
一及び第二空間の上に位置する直径方向の通路と通じ、
その通路はガスをシャワーヘッドの周辺の方へ送り出
す。第一ガス空間は、シャワーヘッドの周辺の周りに第
一ガスを分配させる周辺溝を有する。ガス分配フインガ
ーは、夫々その一端で開いており、溝に結合されてお
り、シャワーヘッドの直径線の方へ伸びており、直径線
の近くで終わっている。フィンガーは同一平面内にあ
り、一般に互いに平行で、フィンガーのある組はシャワ
ーヘッドの一方の半分へガスを分配し、フィンガーの別
の組は円状シャワーヘッドの他の半分へガスを分配す
る。
【００２３】ガス分配通路の複数の組みが、前に記述し
た態様と同様、相互作用グリッド中に配列されており、
分散通路が各第一及び第二ガス空間とシャワーヘッド前
面との間を連通している。第二空間通路は第一空間のフ
ィンガーの間に伸び、反応物ガスがシャワーヘッドの前
面及び基体近辺で分散する前に、それら反応物ガスが混
合しないようにしている。
【００２４】このように本発明は、基体の入った処理空
間に反応物ガスが入る前のフイルム材料の蒸着を減少さ
せながら、反応物ガスの隔離された均一な分配を与え
る。このようにして、効果的なガスの流れが達成され、
早期蒸着が防止され、シャワーヘッド内の蒸着による汚
染の可能性が減少する。更に、ガスの隔離は、ＲＦ Ｐ
ＥＣＶＤ処理中、維持することができる。
【００２５】本明細書に記載し、その一部分を構成する
図面は、本発明の態様を例示するものであり、下に与え
る本発明の一般的記載と共に、本発明の原理を説明する
のに役立つものである。
【００２６】
【発明の実施の形態】図１は、本発明のガス隔離、即ち
「非混合」ガスマニホルド又はシャワーヘッドを具えた
反応室の断面図である。反応室１０は、ステンレス鋼の
ような適当な材料から形成された囲い１２を有し、それ
は中に処理空間１４を定める。回転するか又は静止して
いるサセプター１６は、処理空間１４内に基体１８を支
え、ＣＶＤ及び（又は）ＰＥＣＶＤ法により材料層又は
フイルムを受ける。反応室１０は、処理空間１４内にＣ
ＶＤ法で一般に必要になる真空圧を与えるための真空装
置（図示せず）のような他の装置を更に有する。本発明
のマニホルド又はシャワーヘッド２０は、その周囲の縁
のまわりで支持体２１により支えられ、シャワーヘッド
の一番下にある前面２２が処理空間１４中の基体１８の
方へ向いているように例示されている。好ましい態様と
してシャワーヘッド２０は全体的に基体１８と平行にな
っており、それはＲＦ平行板ＰＥＣＶＤ法にとって望ま
しい。
【００２７】本発明の原理に従い、ガス送り機構２６及
び機構２８により、夫々別々の反応物ガスをシャワーヘ
ッド２０に与える。更に、ＰＥＣＶＤ法の場合、シャワ
ーヘッド２０は適当な構造のＲＦ軸又は導管３０を通っ
てＲＦエネルギー源３２に結合し、当業者には解るよう
に、シャワーヘッドにバイアスを印加し、プラズマ強化
ＰＥＣＶＤ蒸着のために処理空間１４内にプラズマを形
成する。ここに記載した本発明の態様は、二つの別々な
反応物ガス用として造られている。しかし、当業者には
解るように、本発明は、シャワーヘッド２０を通って二
種類より多くの別々の反応物ガスを導入するために用い
てもよい。
【００２８】図２、２Ａ，及び２Ｂは、本発明のシャワ
ーヘッド２０の一つの態様の平面図及び断面図であり、
その中の別々の反応物ガス空間を例示している。シャワ
ーヘッド２０は、ステンレス鋼又は他の適当な材料から
形成されていてもよく、ＰＥＣＶＤ法で用いられるよう
に伝導性であるのが好ましい。図２Ａ及び２Ｂに例示し
たように、シャワーヘッド２０は、第一反応物ガスを入
れるための第一平坦空間３６及びその第一ガス空間３６
とは物理的に隔離された第二平坦空間３８を有し、本発
明の原理に従い、反応物ガスがシャワーヘッド２０から
分散されるまで、それら反応物ガスの分離及び隔離を与
えるようになっている。参照し易いように、第一空間３
６中に注入された第一反応物ガスをガスＡと呼び、第二
空間３８に注入された第二反応物ガスをガスＢと呼ぶ。
本発明の原理に従い理解できるように別の態様では二種
類より多くの反応物ガスを用いてもよい。
【００２９】第一空間３６は、複数の長い通路を４０を
有し、それらが集まって第一空間３６を形成する。通路
４０はシャワーヘッドの周辺領域にある一つのガス入り
口４２Ａから、シャワーヘッド２０の別の周辺領域にあ
る別のガス入り口４２Ｂまで伸びており、その入り口は
入り口４２Ａから約１８０°の所に位置している。この
ようにして、ガスは通路４０へその両方の入り口から導
入される。それら通路４０は一般に同一平面上にあり、
シャワーヘッドを横切って入り口４２Ａから入り口４２
Ｂまで伸び、平坦な第一空間３６を定める。
【００３０】シャワーヘッド２０は更に周辺結合器部材
即ち結合器４４Ａ、４４Ｂを有し、それらは夫々入り口
４２Ａ及び４２Ｂを定める。結合器部材４４Ａ、４４Ｂ
は、夫々シャワーヘッド２０に形成された各ノッチ４５
と接触しており、広い出口４８Ａへ分岐する主入り口４
６を有する。結合器の各々の広い出口四４８の端は、第
一空間３６を構成する長い通路４０の夫々の端と連通し
ている。このようにして入り口４６へ導入されたガスＡ
は、出口４８を通り、同時に第一空間通路４０を通って
って分布される。結合器はガスＡを通路４０の端の各々
へ送り、円状シャワーヘッドの周辺から導入されたガス
が、第一空間中及びシャワーヘッドの周りに均一に分布
するようになる。
【００３１】図２に関し、多数の長い通路４０をシャワ
ーヘッド２０中、一つの結合器４４Ａから外側へ角度を
付けて直径中心線４９の方へ行き、同様なやり方で他方
の結合器４４Ｂの方へ戻るように形成する。このように
して通路４０はシャワーヘッド２０の前面２２の周りの
最大領域に達し、ガスＡの等しい均一な分布を与える。
通路４０はそれらの長手方向に沿って互いに隔離されて
いるが、結合器４４Ａ、４４Ｂの所では一緒に結合され
ている。
【００３２】ガスＡを分散させめため、シャワーヘッド
２０は更に複数のガス分散通路５０を有し、それら通路
はシャワーヘッド２０の前面２２の所に出口を有する。
図２及び２Ａに関し、ガス分散通路５０は第一空間通路
と前面２２との間を連通し、第一空間内のガスＡを処理
空間１４中の基体１８の方へ送る。通路５０は一般にシ
ャワーヘッド２０、第一空間３６及び基体１８の面に対
し直角になっており、ガスＡを基体１８及びその上へ直
接送る。図２及び４Ａに例示し、後で更に説明するよう
に、通路５０はシャワーヘッド２０の前面２２上のグリ
ッド中に配列されている。
【００３３】次に図２Ｂに関し、通路４０の上の表面５
１と、覆い５４の下方表面５３との間に第二空間３８が
定められている。シャワーヘッドに形成された円筒状空
間は、覆い５４により密封され（図２Ｂ参照）、ガスＢ
がシャワーヘッド内で分散する全体的に円筒状の空間を
定める。覆い５４は、周縁リップ５５に載っており、更
に複数のスペーサー５６により持ち上げられている。ガ
ス入り口５８Ａ及び５８Ｂが、シャワーヘッド２０の両
側に、そのシャワーヘッドの外側周縁近辺に形成されて
いる。図２及び図３に関し、ガス入り口５８Ａ及び５８
Ｂは、一般にシャワーヘッドの周辺の周りに入り口４２
Ａ及び４２Ｂから約９０°ずれている。分布通路５９
は、入り口５８Ａ、５８Ｂと第二空間３８との間を連通
している。このようにして入り口に導入されたガスＢ
は、空間３８に全体に亙って分散する。
【００３４】第二の複数のガス分散通路６０がシャワー
ヘッド２０に形成されており、第二空間３８とシャワー
ヘッド前面２２との間を連通している。通路６０は、一
般にガスＡ通路５０よりも大きな長さを有する。なぜな
ら、それらは第一空間３６の上にある第二空間３８から
始まり、通路５０に沿ってシャワーヘッド２０の一番下
の面２２の所で開いていなければならないからである。
ガスＢ通路６０は、シャワーヘッド中のグリッド中に位
置し、それら通路のいずれも第一空間の長い通路４０と
は交わっておらず、ガスの混合を防ぐようになってい
る。図２Ｃに関し、ガスＢ通路６０は、約０．０６イン
チの比較的大きな第一直径Ｄを有し、次に約０．０１８
インチの第二の小さな直径へ狭くなっている。従って、
入り口５８Ａ、５８Ｂを通って導入されたガスＢは空間
３８へ送られ、次に通路６０を通って処理空間１４へ
出、基体の上でガスＡと混合する。図２から分かるよう
に、通路６０も一般にシャワーヘッド２０の平面に対し
直角になっており、シャワーヘッド２０の一番下にある
前面２２の上のグリッドを形成し、それは開口５０によ
って形成されたグリッドと協同し、ガスＡとガスＢが基
体１８上の処理空間１４中全体的に均一に分散するよう
になる。第二空間３８は第一空間３６とは隔離されてい
るので、ガスＡとガスＢはシャワーヘッド内で隔離され
ており、処理空間１４中に分散した時だけ混合する。
【００３５】図３、３Ａ及び３Ｂは、第一ガス送り機構
２６及び第二ガス送り機構２８の平面図及び側面図を示
し、それら機構にはシャワーヘッド２０へ導入するため
のガスＡ及びガスＢが夫々含まれている。図３Ａに関
し、ガスＢのためのガス機構２８は、単一の入り口６５
を有し、それが導管６４Ａ及び６４Ｂ中へ供給し、それ
ら導管は今度は入り口５８Ａ及び５８Ｂに夫々結合され
ている。図３Ｂに関し、ガスＡが同様に導入され、機構
２６は単一の入り口６７を有し、その入り口は導管６２
Ａ及び６２Ｂに結合し、ガスを入り口４２Ａ及び４２Ｂ
に夫々送る。導管の各々は、シャワーヘッドに導入され
る反応物ガスを濾過するための一つ以上のフイルター部
材６９をもっていても良い。機構２６、２８は、反応室
の構造によりその室中の適当な開口を通り、ガス供給部
（図示せず）に結合されている。
【００３６】本発明のシャワーヘッドは慣用的ＣＶＤ環
境中で用いることができるが、それはＲＦプラズマを用
いたＰＥＣＶＤ環境に対しても用いることができる。従
来、ガスリングで異なった反応物ガスを分散させること
は、平行板ＲＦプラズマ系に適した環境を与えなかっ
た。本発明を用いることにより、シャワーヘッド２０を
ＲＦエネルギーでバイアスし、ＲＦ電極を形成し、処理
空間１４中に電場を形成してイオン化プラズマを形成
し、持続させる平行板系を維持することができる。この
目的から、シャワーヘッド２０の覆い５４を伝導性金属
ハブ又はステム６６に結合し、それが今度は受け肩６８
に結合し、その時、覆い５４はシャワーヘッド上の位置
にある。ステム６６は、今度はＲＦ源３２に適当な伝導
性導管３０を通して結合し、シャワーヘッドがＲＦエネ
ルギーでバイアスされてＲＦ電極として働くようにする
ことができる。バイアスした平坦なシャワーヘッドを基
体に近接且つ平行に（例えば、１インチの間隔で）維持
することにより、米国特許第５，５６７，２４３号（言
及することによってその全てをここに取り入れる）に記
載されているように、ＰＥＣＶＤ法のための均一な緻密
なプラズマを与えることが判明している。このようにし
て、反応物ガスを、それらが空間１４中の基体１８の上
に導入されるまで、隔離した状態に維持しながら、平行
板ＲＦ系を維持することができる。このように、本発明
は、ＰＥＣＶＤに必要な平行板形状を維持しながら、処
理空間１４の上流で反応物ガスの前混合及び蒸着を減少
又は無くすことが見出されている。
【００３７】本発明の好ましい一つの態様について、図
４ＡはガスＡのための通路５０のグリッドの一部を例示
する。同様な四分円は、本質的に前面２２に複製されて
いる。一方図４Ｂは、ガスＢを導入するための通路６０
のグリッドの一部分を例示し、図４Ｂに例示した四分円
がシャワーヘッドの残りの所に複製されている。
【００３８】下の表１は、本発明の一態様の種々のガス
Ａの通路開口のＸＹ座標を列挙したものであり、円状シ
ャワーヘッド前面２２の物理的中心（physical center)
を原点０としている。表２は、ガスＢの通路について同
様なＸＹ座標を例示している。当業者には容易に分かる
ように、シャワーヘッドにガス分散開口のグリッドを形
成するのに異なった座標を用いてもよいことは容易に分
かるであろう。図２、４Ａ及び４Ｂの態様の開口は、基
体１８上にガスの効果的で均一な蒸着を与えるために基
体１８上の処理空間に反応物ガスの均一な分配を与え
る。
【００３９】
【表１】
【００４０】
【表２】
【００４１】
【表３】
【００４２】
【表４】
【００４３】
【表５】
【００４４】
【表６】
【００４５】
【表７】
【００４６】
【表８】
【００４７】図５〜８Ｂは、本発明の別の態様を例示し
ており、この場合反応物ガスはシャワーヘッドの中心
へ、その周辺以外の所から導入される。図５に関し、シ
ャワーヘッド７０は、ガスＡ入り口７４及びガスＢ入り
口７６を有する中心ハブ又はステム７２を有する。シャ
ワーヘッド７０は全体的に平坦で、前に記載したシャワ
ーヘッド２０と同様な円状断面を有する。ステム７２
は、一般にシャワーヘッド７０の平面に対し直角に伸び
ている（図６参照）。
【００４８】次に図６に関し、シャワーヘッド７０は下
方本体領域７０を有し、それは本体領域７８の上に載っ
た覆い領域８０と相互作用する。本体領域７８は、更に
下で説明するように、複数のガス分配フィンガー８２と
共に形成されている。本体領域７８は、周辺溝８４の一
部分を形成する。覆い領域８０は、本体領域７８の環状
表面８７上に載った環状リム８６を有する。リム８６は
底部領域の一番上の表面８９の上のスタンド・オフ(sta
nd-off，隔離）を与え、本体領域７８と覆い領域８０が
協同してガスＢを分配させるための第二空間９０を定め
るようになっている。覆い領域８０は、周辺溝８４の一
部分も形成する。金属帯９２がシャワーヘッド７０の周
辺の周りに伸び、溶接等により覆い領域８０及び本体領
域７８に結合され、溝８４を囲む。溝８４は、下で更に
説明するように、ガスＡを分配し、分散するのに用い
る。
【００４９】ガスＢは、入り口７６を通って第二空間９
０中へ導入される。入り口７６は、シャント又はキャッ
プ構造体９４で終わっており、その構造体は空間９０中
にガスＢを分散させるための複数の開口９６を有する。
ガスＢは、空間９０の平面に対し一般に直角な入り口７
６を通って送られる。しかし、キャップ９４は、空間９
０と一般に平行な方向にガスを送り、空間９０の周りの
均一な分配及びガスＢの均一な分散を与える。ガスＢは
複数のガス分散通路９８を通って分散され、それら通路
はシャワーヘッド本体領域７８中に形成されており、シ
ャワーヘッド７０の前面９９とガスＢ空間９０との間を
連通している。前に記載した態様のガスＢ通路と同様
に、通路９８は最初約０．０６インチの直径Ｄ1 を有
し、次に狭くなって約０．０１８インチの第二直径ｄ1
になり、ガスを前面９９の所から空間９０の外へ送る。
【００５０】次に図５及び７に関し、第一空間は複数の
ガス分配フィンガー８２を有し、それらフィンガーはガ
スＡをシャワーヘッド全体に亙って分散し、その等しい
均一な分配を与える。図５に関し、１組のガス分配フィ
ンガー８２は周辺溝８４から直径ライン１０１の一方の
側近くまで伸び、別の組のフィンガーはシャワーヘッド
７０の他方の側の周辺溝から直径ライン１０１の他方の
側近くまで伸びている。かくして１組のガス分配フィン
ガーはシャワーヘッドの一方の側へガスを送り、他方の
組のフィンガーはシャワーヘッドの他方の側へガスを送
る。ガス分配フィンガーは、夫々一方の端の所で周辺溝
８４中へ開いており、そこからガスＡを受ける。それら
フィンガーは同一平面上にあり、全体的に互いに平行に
伸びており、図５に明確に例示すように、それらが周辺
溝中へ開いている場所により異なった長さを有する。フ
ィンガー８２は、円筒状の形をして長くなっており、円
状断面を有するものとして示すが、種々の他の形の断面
も用いることができる。
【００５１】ガスＡは、プラグ７５によって下方端が塞
がれた入り口７４から、プラグ１０６によって各端が塞
がれた覆い領域８０中の直径方向の孔１０４を通り溝８
４へ送られる。孔１０４は、各々の端から周辺溝８４へ
軸方向の孔１０８を通って供給する。このようにして溝
８４は二つの１８０°離れた場所からガスＡを受け、そ
の溝からガスＡは分配フィンガー８２へ送られ、通路１
０２へ送られる。第二の組のガス分散通路１０２は、ガ
ス分配フィンガー８２と、シャワーヘッド７０の前面９
９との間を連通し、ガスＡを分散させる。図７に例示し
たように、ガスＢ空間９０と連通したガス分散通路９８
は、フィンガー８２と交差することなくシャワーヘッド
本体領域７８を通って伸びている。このようにして、反
応物ガスは、本発明の原理に従いシャワーヘッド内で混
合されることはない。通路１０２は約０．０１８インチ
の直径を有する。
【００５２】図８Ａ及び８Ｂに関し、ガス分散通路のた
めの開口のための種々の位置がシャワーヘッドの四分円
に関して示されている。夫々のグリッドは、図８Ａ及び
８Ｂに例示した四分円の複製によって形成される。図８
ＡはガスＡ開口１０２の位置を例示し、それら開口はガ
ス分配フィンガー８２と連通している。一方図８Ｂは、
ガスＢ空間９０と連通するガス分散開口９８を例示して
いる。シャワーヘッド７０には、ガス分散開口が、シャ
ワーヘッド２０の前に記載した態様での開口とは異なっ
て、同じ間隔の縦横の列で配列されている。
【００５３】図９は本発明の別の特徴を例示しており、
この場合図５〜８Ｂに例示したようなシャワーヘッドが
ＣＶＤ反応室内で使用するために取付けられている。シ
ャワーヘッド７０は、アルミナのような適当なセラミッ
クで形成されたセラミックシールド１２４により取り巻
かれている。ステム７２は反応室１２６内のシャワーヘ
ッド７０を支え、上で更に説明したように、電気的接続
も与える。シャワーヘッドはガスＡ供給部１２７及びガ
スＢ供給物１２８に適当に結合されている。シャワーヘ
ッドへ導くガス導管内でのプラズマ放電を抑制するため
に、シャワーヘッド７０をプラズマサプレッサー１３０
を通して適当なガス供給部へ接続する。プラズマサプレ
ッサー１３０は、ガスＢ供給部１２８とシャワーヘッド
７０との間の導管に接続されたものとして示されてい
る。本発明の原理に従い、同様なサプレッサー（図示さ
れていない）を、ガスＡ供給部１２７とシャワーヘッド
７０との間に用いてもよい。セラミックシールド１２４
は、適当なボルト１３４により反応室１２６の金属蓋１
３３の周りに吊された支持リング１３２により反応室１
２６中で支持されている。ボルトは、支持リング１３２
中に形成されたネジ山付き孔を通って下向きの方向へ締
め付けられ、金属蓋１３３に結合されたワッシャ１３６
に対して支持リング１３２を垂直上方へ持ち上げるよう
に支える。支持リング１３２の肩１３７は、セラミック
シールド１２４の適当に形成された肩１３８に対して支
え、それにより金属蓋１３３の内面１３９に対してセラ
ミックシールドを持ち上げる。セラミックシールド１２
４の上面と蓋表面１３９との間にシール１４０が結合さ
れ、シールド１２４の一部分及びステム７２が蓋１３３
の開口を通る所の密封を与える。
【００５４】クランプリング１４２はステム７２の上部
と嵌合し、セラミックシールド１２４に対してステム７
２を持ち上げる。図９に例示したように、クランプリン
グはその周りに複数のネジ又はボルト１４４を有し、そ
れらはシールド１２４の上面に位置する金属ワッシャ１
４６に対して支える。ボルト１４４をクランプリング１
４２の適当なネジ山付き開口中を下方へ締め付けると、
それらはクランプリング１４２を垂直に上方へ駆動し、
それによってシールド１２４に対しステム７２を上方へ
引っ張る。ステム７２はシールド１２４の内側肩１５０
に嵌合するフランジ１４８を有する。フランジ１４８と
肩１５０との間にシール１５２が配置され、ステム７２
とシールド１２４を適当に密封する。このようにして、
支持リング１３２がシールド１２４を持ち上げて密封
し、クランプリング１４２がステム７２を持ち上げて密
封する。従って、反応室１２６の内部環境は、ＣＶＤ法
で必要になるように、外側環境に対して密封される。ガ
ス通路７４及び７６をＶＣＲ付属品１５４によって適当
なガス供給部に結合する。それら付属品は市販されてお
り、当分野でよく知られている。図９に例示したよう
に、シールド１２４とシャワーヘッド７０近辺のステム
７２との間に石英スペーサーシリンダー１５６を配置
し、二次プラズマを抑制する。
【００５５】次にプラズマサプレッサー１３０に関し、
それらサプレッサーは、シャワーヘッド７０の方へ送る
ガス導管領域１５８ａと、ガスＢ供給部１２８のような
適当なガス供給部の方へ送るガス導管領域１５８ｂとの
間に、一般に非伝導性セラミック材料を与える。サプレ
ッサー１３０は円筒状に形成されたセラミック本体１６
０を有し、それもアルミナから形成されているのが好ま
しい。各ガス導管領域１５８ａ及び１５８ｂはニッケル
端板１６４、１６６により本体１６０に結合され、それ
ら板はガス導管領域１５８ａ、１５８ｂを本体１６０に
結合する。本体１６０には複数の小さな平行な溝又は通
路１７０が形成されており、各導管領域１５８ａ、１５
８ｂを配列し、それらと接続する。それら通路はガスを
シャワーヘッド７０へ通すことができる大きさになって
いるのが好ましいが、その中でプラズマ放電が起きるの
を防ぐのに充分小さいものである。従って、室１２６か
らのプラズマ放電は、図９に例示したように、サプレッ
サー１３０の右への放電を全て防ぐように抑制される。
一つの態様として、通路は円筒状になっている。このよ
うにしてプラズマ放電はサプレッサー１３０を過ぎるガ
ス導管内では一般に存在しないように防止されている。
【００５６】本発明をその態様を記載することにより例
示し、それら態様をかなり詳細に例示してきたが、本出
願人は、そのような詳細な点に請求の範囲を限定したり
何らかの仕方で制限するものではない。付加的利点及び
修正は当業者には容易に明らかになるであろう。従っ
て、本発明はその広い範囲として、例示し説明した特別
に詳細な代表的装置及び方法に限定されるものではな
い。従って、本願の一般的発明の概念の本質又は範囲か
ら離れることなく、そのような詳細な点から離れたもの
も行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のマニホルドを具えた断面図である。
【図２】図１の２−２の線に沿って取った、明瞭にする
ため覆いを除いた本発明の一つの態様の部分的に断面で
示した上平面図である。
【図２Ａ】図２の２Ａ−２Ａの線に沿って取った本発明
の態様の断面図である。
【図２Ｂ】図２の２Ｂ−２Ｂの線に沿って取った本発明
の態様の断面図である。
【図２Ｃ】図２Ｂの２Ｃ−２Ｃの線に沿って取った断面
図である。
【図３】図１の３−３の線に沿って見た、マニホルドへ
の反応物ガス導管の接続を例示する、本発明の態様の上
平面図である。
【図３Ａ】図３の３Ａ−３Ａの線に沿って取った側面図
である。
【図３Ｂ】３Ｂ−３Ｂの線に沿って取った側面図であ
る。
【図４Ａ】本発明により分散された種々の反応物ガスの
ためのガス分散出口を例示する、本発明の態様の底部断
面図である。
【図４Ｂ】本発明により分散された種々の反応物ガスの
ためのガス分散出口を例示する、本発明の態様の底部断
面図である。
【図５】本発明のシャワーヘッドの別の態様の上平面図
及び部分的断面図である。
【図６】図５の６−６の線に沿って取った断面図であ
る。
【図７】図６の７−７の線に沿って取った断面図であ
る。
【図８Ａ】ガス分散開口を例示するシャワーヘッドの一
つの四分円の上平面図である。
【図８Ｂ】ガス分散開口を例示するシャワーヘッドの一
つの四分円の上平面図である。
【図９】反応室に取付けたシャワーヘッドを例示する部
分的断面図である。
【符号の説明】
１０ 反応室 １２ 囲い １４ 処理空間 １６ サセプター １８ 基体 ２０ シャワーヘッド ２２ シャワーヘッド前面 ２６ ガス送り機構 ２８ ガス送り機構 ３０ ＲＦ軸導管 ３６ 第一平坦空間 ３８ 第二平坦空間 ４０ 長い通路 ４２Ａ ガス入り口 ４２Ｂ ガス入り口 ４４Ａ 結合器 ４４Ｂ 結合器 ４５ ノッチ ４８ 出口 ４９ 直径中心線 ５０ ガス分散通路 ５４ 覆い ５６ スペーサー ５８Ａ ガス入り口 ５８Ｂ ガス入り口 ５９ 分配通路 ６０ 分散通路 ６５ 入り口 ６６ ステム（stem) ６７ 入り口 ６９ フイルター部材 ７０ シャワーヘッド ７２ ステム ７４ ガス入り口 ７６ ガス入り口 ７８ 本体領域 ８０ 覆い領域 ８２ ガス分配フィンガー ８４ 周辺溝 ９０ 第二空間 ９８ ガス分散通路 ９９ シャワーヘッド前面 １０２ ガス分散通路 １０４ 孔 １０８ 孔 １２４ セラミックシールド １２６ 反応室 １２７ ガスＡ供給部 １２８ ガスＢ供給部 １３０ プラズマサプレッサー（プラズマ抑制器） １３３ 金属蓋
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ガーリット ジャン ロイシンク アメリカ合衆国 アリゾナ州テムプ，エ ス．ロッキイ ポイント ロード 5518 (72)発明者 リーヌ エミール ルブランク アメリカ合衆国 コネチカット州イースト ヘイブン，ナンバー101，マンスフィー ルド グローブ ロード 203 (72)発明者 マイケル エス．アミーン アメリカ合衆国 アリゾナ州フェニック ス，ノース フィフティセカンド ストリ ート 3128 (72)発明者 ジョセフ トッド ヒルマン アメリカ合衆国 アリゾナ州スコッツデー ル，イー．マックルラン ブールバード 8025 (72)発明者 ロバート エフ．フォスター アメリカ合衆国 アリゾナ州メサ，イー. アイビイグレン サークル 3847 (72)発明者 ロバート クラーク ロウアン ジュニ ア. アメリカ合衆国 アリゾナ州フェニック ス，イースト ソルト セージ ドライブ 1686

Claims (47)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 化学蒸着により基体上にフイルムを蒸着
    させるための装置において、 基体を入れるための処理空間を中に有する反応室；前記
    処理空間で化学反応を生じさせ、その中の基体上に蒸着
    材料フイルムを形成させるために、前記処理空間に第一
    及び第二反応物ガスを送るためのガス送り機構；並びに
    前記処理空間へ反応物ガスを分散させるための、前記ガ
    ス送り機構に結合したシャワーヘッドであって、第一反
    応物ガスを受けて分散させる働きをする第一空間を中に
    有し、前記第一ガス分散物から分離した第二反応物ガス
    を受けて分散する働きをする、前記第一空間から一般に
    隔離された、第二空間を中に有し、反応物ガスの隔離を
    維持し、前記ガスを前記処理空間中へ導入する前に、一
    般に前記ガスの早期混合を防ぐシャワーヘッドを具え、
    前記処理空間へ反応物ガスを入れる前のフイルム材料の
    蒸着を少なくした、上記蒸着装置。
  2. 【請求項２】 第一及び第二空間が、シャワーヘッドの
    前面と、そこから反応物ガスを分散させるために操作上
    連通している、請求項１に記載の装置。
  3. 【請求項３】 シャワーヘッドが複数のガス分散通路を
    有し、各通路がシャワーヘッドの前面の周りに間隔を開
    けて配置されており、前記通路がガス空間の一つと、そ
    の空間からガスを分散させるために連通している、請求
    項１に記載の装置。
  4. 【請求項４】 第一及び第二シャワーヘッド空間が全体
    的に平坦な形をしており、一般に第二空間が第一空間の
    頂部の上に位置し、シャワーヘッド中で積み重なった形
    で配列されている、請求項１に記載の装置。
  5. 【請求項５】 更に、第二空間とシャワーヘッド前面と
    の間を連通するガス分散通路で、第一空間からの第一ガ
    スと混合することなくシャワーヘッドからの第二ガスを
    処理空間中へ分散させるために、第一空間から隔離され
    た通路を具えた、請求項１に記載の装置。
  6. 【請求項６】 第一空間がシャワーヘッドを通って伸び
    る長い通路を有し、前記シャワーヘッドが、前記第一空
    間からの第一ガスを分散させるための前記長い通路と連
    通した複数のガス分散通路を更に具えている、請求項１
    記載の装置。
  7. 【請求項７】 ガス分散通路が、第一ガスを均一に分散
    させるために、一般に長い通路の長手方向に沿って配列
    されている、請求項６に記載の装置。
  8. 【請求項８】 第一空間が、第一ガスを分散させるため
    に、シャワーヘッド中で一般に横に並んで伸びた複数の
    長い通路を更に有する、請求項６に記載の装置。
  9. 【請求項９】 長い通路の各々が、第一ガスを均一に分
    散させるためにシャワーヘッドの一方の側からそのシャ
    ワーヘッドの反対側まで伸びている、請求項８に記載の
    装置。
  10. 【請求項１０】 長い通路の各々が、その端部でガス送
    り機構と連通している、請求項８に記載の装置。
  11. 【請求項１１】 更に、第一ガス通路をガス送り機構へ
    結合し、同時に長い通路の各々の端に第一ガスを分配さ
    せるための少なくとも一つの結合器を具えている、請求
    項８に記載の装置。
  12. 【請求項１２】 更に、長い通路にその両端から第一ガ
    スを与えるために、前記長い通路の各々の反対の端に結
    合された別の結合器を具えている請求項１１に記載の装
    置。
  13. 【請求項１３】 第一空間が、シャワーヘッドの周辺の
    周りに第一ガスを分配させるための周囲溝を有する、請
    求項１に記載の装置。
  14. 【請求項１４】 第一空間が、シャワーヘッドの周りに
    第一ガスを分配させるために、シャワーヘッドの周りに
    その周辺から伸びる複数のガス分配フィンガーを有す
    る、請求項１に記載の装置。
  15. 【請求項１５】 第一空間がその周りに形成された周囲
    溝を有し、分配フィンガーが第一ガスを分配させるため
    に前記溝に操作上結合されている、請求項１４に記載の
    装置。
  16. 【請求項１６】 更に、第二ガスを第二空間へ導入する
    ために、シャワーヘッドの中心近くにある第二空間に結
    合されたガス入り口を具えた、請求項１に記載の装置。
  17. 【請求項１７】 更に、第一ガスをシャワーヘッドの周
    辺へ向けるために、シャワーヘッドの中心近くにある第
    一空間に結合されたガス入り口と、前記入り口に結合さ
    れた直径方向の通路を具えた、請求項１に記載の装置。
  18. 【請求項１８】 更に、ＲＦエネルギーを送るためのＲ
    Ｆ電源を具え、シャワーヘッドが、反応物ガスの少なく
    とも一つから反応室内でプラズマを発生するために前記
    シャワーヘッドをバイアスするため前記電源に操作上結
    合されたステムを有する、請求項１に記載の装置。
  19. 【請求項１９】 ガス送り機構が、シャワーヘッドと反
    応物供給部との間に結合されたプラズマサプレッサーを
    有し、前記サプレッサーが、前記供給部から前記シャワ
    ーヘッドへガスを送る通路を有し、一般にプラズマが前
    記ガス供給部の方へ移動しないようにするため反応室内
    で発生したプラズマを抑制する、請求項１に記載の装
    置。
  20. 【請求項２０】 プラズマサプレッサーが、シャワーヘ
    ッドをガス供給部から電気的に絶縁するために、通路を
    取り巻くセラミック体を有する、請求項１９に記載の装
    置。
  21. 【請求項２１】 反応室の処理空間中に複数の反応物ガ
    スを分散させ、それらガスが前記室内に分散する前にそ
    れらの早期混合を防ぐためのガス分散装置において、 複数の反応物ガスを受けるため、ガス送り機構に結合さ
    れるように構成したシャワーヘッドであって、第一反応
    物ガスを受けて分散させる働きをする第一空間を中に有
    し、前記第一ガス分散物から分離して第二反応物ガスを
    受けて分散する働きをする、前記第一空間から一般に隔
    離された、第二空間を中に有し、反応物ガスの隔離を維
    持し、それらガスを処理空間中へ導入する前に一般に前
    記ガスの早期混合を防ぐシャワーヘッド、 を具えたガス分散装置。
  22. 【請求項２２】 第一及び第二空間が、シャワーヘッド
    の前面と、そこから反応物ガスを分散させるために操作
    上連通している、請求項２１に記載の装置。
  23. 【請求項２３】 シャワーヘッドが複数のガス分散通路
    を有し、各通路がシャワーヘッドの前面の周りに間隔を
    開けて配置されており、前記通路が、前記空間からガス
    を分散させるために前記ガス空間の一つと連通してい
    る、請求項２１に記載の装置。
  24. 【請求項２４】 第一及び第二シャワーヘッド空間が全
    体的に平坦な形をしており、一般に前記第二空間が前記
    第一空間の頂部の上に位置し、シャワーヘッド中で積み
    重なった形に配列されている、請求項２１に記載の装
    置。
  25. 【請求項２５】 更に、第二空間とシャワーヘッド前面
    との間を連通するガス分散通路で、第一空間からの第一
    ガスと混合することなくシャワーヘッドからの第二ガス
    を処理空間中へ分散させるために、前記第一空間から分
    離された通路を具えた、請求項２１に記載の装置。
  26. 【請求項２６】 第一空間がシャワーヘッド中で伸びる
    長い通路を有し、前記シャワーヘッドが、前記第一空間
    からの第一ガスを分散させるための前記長い通路と連通
    した複数のガス分散通路を更に具えている、請求項２１
    記載の装置。
  27. 【請求項２７】 ガス分散通路が、シャワーヘッドから
    の第一ガスを均一に分散させるために、全体的に長い通
    路の長手方向に沿って配列されている、請求項２６に記
    載の装置。
  28. 【請求項２８】 第一空間が、第一ガスを分散させるた
    めにシャワーヘッド中で一般に横に並んで伸びる複数の
    長い通路を更に有する、請求項２６に記載の装置。
  29. 【請求項２９】 長い通路の各々が、第一ガスを均一に
    分散させるために、シャワーヘッドの一方の側からその
    シャワーヘッドの反対側まで伸びている、請求項２８に
    記載の装置。
  30. 【請求項３０】 長い通路の各々が、その端部でガス送
    り機構と連通するように構成されている、請求項２８に
    記載の装置。
  31. 【請求項３１】 更に、第一ガス通路をガス送り機構へ
    結合し、同時に長い通路の各々の端に第一ガスを分配さ
    せるための少なくとも一つの結合器を具えている、請求
    項２８に記載の装置。
  32. 【請求項３２】 更に、長い通路にその両端から第一ガ
    スを与えるために、前記長い通路の各々の反対の端に結
    合される別の結合器を具えている請求項３１に記載の装
    置。
  33. 【請求項３３】 第一空間が、シャワーヘッドの周辺の
    周りに第一ガスを分配させるための周囲溝を有する、請
    求項２１に記載の装置。
  34. 【請求項３４】 第一空間が、シャワーヘッドの周りに
    第一ガスを分配させるために、シャワーヘッドの周りに
    その周辺から伸びる複数のガス分配フィンガーを有す
    る、請求項２１に記載の装置。
  35. 【請求項３５】 第一空間がその周りに形成された周囲
    溝を有し、分配フィンガーが第一ガスを分配させるため
    に前記溝に操作上結合されている、請求項２１に記載の
    装置。
  36. 【請求項３６】 更に、第二ガスを第二空間へ導入する
    ために、シャワーヘッドの中心近くにある第二空間に結
    合されたガス入り口を具えた、請求項２１に記載の装
    置。
  37. 【請求項３７】 更に、第一ガスをシャワーヘッドの周
    辺へ送るために、シャワーヘッドの中心近くにある第一
    空間に結合されたガス入り口と、前記入り口に結合され
    た直径方向の通路を具えた、請求項２１に記載の装置。
  38. 【請求項３８】 更に、シャワーヘッドが、ＲＦエネル
    ギーで前記シャワーヘッドをバイアスするためＲＦ電源
    に操作上結合するように構成されたステムを有する、請
    求項２１に記載の装置。
  39. 【請求項３９】 複数の反応物ガスを反応室の処理空間
    中へ分散するための方法において、 反応室中に位置し、第一ガス空間を有するシャワーヘッ
    ドへ第一ガスを送り、 前記シャワーヘッドの第二ガス空間へ第二ガスを送り、
    然も前記第二空間は前記シャワーヘッド内で前記第一空
    間から物理的に隔離されており、 前記第一ガス及び前記第二ガスをシャワーヘッド内で互
    いに隔離して維持し、 前記シャワーヘッドから前記第一ガス及び前記第二ガス
    を夫々複数の分散通路を通って前記室の処理空間中へ分
    散し、然も前記複数の通路の各々は夫々のガス空間と連
    通し、他の複数の通路から隔離されており、 それによって前記ガスが処理空間内で反応するように分
    散され、それらが前記処理空間内に入る前に、一般に反
    応しないように防止されている、ことからなる分散方
    法。
  40. 【請求項４０】 更に、シャワーヘッドの共通全面を通
    ってガスを分散させることを含む、請求項３９に記載の
    方法。
  41. 【請求項４１】 第一ガスの均一な分配を得るために処
    理空間全体に前記ガスを散布するために、シャワーヘッ
    ド中に形成された長い通路を通って第一ガスを送ること
    を含む、請求項３９に記載の方法。
  42. 【請求項４２】 複数の分散通路の少なくとも一つが、
    シャワーヘッドから第一ガスを均一に分散させるため、
    長い通路と連通している、請求項４１に記載の方法。
  43. 【請求項４３】 更に、シャワーヘッドに形成された複
    数の長い通路を通って第一ガスを送ることを含む、請求
    項４１に記載の方法。
  44. 【請求項４４】 更に、長い通路の各々に単一の入り口
    を通って同時に第一ガスを送ることを含む、請求項４３
    に記載の方法。
  45. 【請求項４５】 更に、シャワーヘッドの周辺の周りに
    第一ガスを分配するため、シャワーヘッドの周辺溝中に
    第一ガスを送ることを含む、請求項３９に記載の方法。
  46. 【請求項４６】 更に、シャワーヘッドの周りに第一ガ
    スを分配するため、シャワーヘッド内に伸びる複数のガ
    ス分配フィンガー中に、その周辺から第一ガスを送るこ
    とを含む、請求項３９に記載の方法。
  47. 【請求項４７】 第一ガス及び第二ガスの一方からプラ
    ズマを形成するため、ＲＦエネルギーでシャワーヘッド
    をバイアスすることを含む、請求項３９に記載の方法。
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