[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

JPH10335368A - ワイヤボンディング構造及び半導体装置 - Google Patents

ワイヤボンディング構造及び半導体装置

Info

Publication number
JPH10335368A
JPH10335368A JP9142238A JP14223897A JPH10335368A JP H10335368 A JPH10335368 A JP H10335368A JP 9142238 A JP9142238 A JP 9142238A JP 14223897 A JP14223897 A JP 14223897A JP H10335368 A JPH10335368 A JP H10335368A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wire
bonding
ball
capillary
pad
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP9142238A
Other languages
English (en)
Inventor
Makoto Tsubonoya
誠 坪野谷
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sanyo Electric Co Ltd
Original Assignee
Sanyo Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sanyo Electric Co Ltd filed Critical Sanyo Electric Co Ltd
Priority to JP9142238A priority Critical patent/JPH10335368A/ja
Publication of JPH10335368A publication Critical patent/JPH10335368A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/0212—Auxiliary members for bonding areas, e.g. spacers
    • H01L2224/02122—Auxiliary members for bonding areas, e.g. spacers being formed on the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/02163—Auxiliary members for bonding areas, e.g. spacers being formed on the semiconductor or solid-state body on the bonding area
    • H01L2224/02165—Reinforcing structures
    • H01L2224/02166—Collar structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/0555—Shape
    • H01L2224/05552—Shape in top view
    • H01L2224/05554—Shape in top view being square
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/4847—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/48475—Connecting portions connected to auxiliary connecting means on the bonding areas, e.g. pre-ball, wedge-on-ball, ball-on-ball
    • H01L2224/48476—Connecting portions connected to auxiliary connecting means on the bonding areas, e.g. pre-ball, wedge-on-ball, ball-on-ball between the wire connector and the bonding area
    • H01L2224/48477—Connecting portions connected to auxiliary connecting means on the bonding areas, e.g. pre-ball, wedge-on-ball, ball-on-ball between the wire connector and the bonding area being a pre-ball (i.e. a ball formed by capillary bonding)
    • H01L2224/48478—Connecting portions connected to auxiliary connecting means on the bonding areas, e.g. pre-ball, wedge-on-ball, ball-on-ball between the wire connector and the bonding area being a pre-ball (i.e. a ball formed by capillary bonding) the connecting portion being a wedge bond, i.e. wedge on pre-ball
    • H01L2224/48479—Connecting portions connected to auxiliary connecting means on the bonding areas, e.g. pre-ball, wedge-on-ball, ball-on-ball between the wire connector and the bonding area being a pre-ball (i.e. a ball formed by capillary bonding) the connecting portion being a wedge bond, i.e. wedge on pre-ball on the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/485—Material
    • H01L2224/48505—Material at the bonding interface
    • H01L2224/48599—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au)
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4912—Layout
    • H01L2224/49171—Fan-out arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/783—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
    • H01L2224/78301—Capillary
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85009—Pre-treatment of the connector or the bonding area
    • H01L2224/8503—Reshaping, e.g. forming the ball or the wedge of the wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85009—Pre-treatment of the connector or the bonding area
    • H01L2224/85051—Forming additional members, e.g. for "wedge-on-ball", "ball-on-wedge", "ball-on-ball" connections
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/8512—Aligning
    • H01L2224/85148—Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus
    • H01L2224/85169—Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus being the upper part of the bonding apparatus, i.e. bonding head, e.g. capillary or wedge
    • H01L2224/8518—Translational movements
    • H01L2224/85181—Translational movements connecting first on the semiconductor or solid-state body, i.e. on-chip, regular stitch
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/8512—Aligning
    • H01L2224/85148—Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus
    • H01L2224/85169—Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus being the upper part of the bonding apparatus, i.e. bonding head, e.g. capillary or wedge
    • H01L2224/8518—Translational movements
    • H01L2224/85186—Translational movements connecting first outside the semiconductor or solid-state body, i.e. off-chip, reverse stitch
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85909—Post-treatment of the connector or wire bonding area
    • H01L2224/85951—Forming additional members, e.g. for reinforcing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01004—Beryllium [Be]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 パッドにボール部分を設けることにより、チ
ップへのダメージを回避しつつパッドとパッドとを直接
ワイヤボンドすることを可能にする。 【解決手段】 パッド１３上に、ボールボンディングの
金ボールだけを形成したボール部分１６を形成する。ボ
ール部分１６の高さは少なくともパッシベーション皮膜
１４より高くなるようにする。キャピラリ１１により他
の箇所に１ｓｔボンドしたワイヤ１０をボール部分１６
上に引き回し、キャピラリ１１の押圧部１１ａでワイヤ
を押しつぶすことによりワイヤ１０をボール部分１６の
上に固着する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体チップのパ
ッド表面にボンディングワイヤのステッチボンドを可能
にしたワイヤボンド構造と、同一パッケージ内に複数の
半導体チップを容易に収納できる半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の封止技術として最も普及し
ているのが、半導体チップの周囲を熱硬化性のエポキシ
樹脂で封止するトランスファーモールド技術である。半
導体チップの支持素材としてリードフレームを用い、リ
ードフレームのアイランドに半導体チップをダイボンド
し、半導体チップのボンディングパッドとリードをワイ
ヤでワイヤボンドし、所望の外形形状を具備する金型内
にリードフレームをセットし、金型内にエポキシ樹脂を
注入、これを硬化させることにより製造する。
【０００３】一方、各種電子機器に対する小型、軽量化
の波はとどまるところを知らず、これらに組み込まれる
半導体装置にも、一層の大容量、高機能、高集積化が望
まれることになる。そこで、以前から発想としては存在
していた（例えば、特開平０５ー１２１６４５号）、１
つのパッケージ内に複数の半導体チップを封止する技術
が注目され、実現化する動きが出てきた。つまり図９
（Ａ）（Ｂ）に示すように、アイランド１上に第１と第
２の半導体チップ２、３を固着し、第１と第２の半導体
チップ２、３のボンディングパッド４とリード５とをボ
ンディングワイヤ６で接続し、樹脂７で封止したもので
ある。
【０００４】回路機能の組み合わせによって第１の半導
体チップ２と第２の半導体チップ３とを電気的に接続す
る場合は、上述した特開平０５ー１２１６４５号の様に
第１の半導体チップ２のパッド４から第２の半導体チッ
プ３のパッド４に直接ワイヤを打つことが考えられる。
しかし、図１０に示すようにボールを形成しない２回目
のボンディング（ステッチボンディング）をパッド４上
に直接打つと、キャピラリツール８の先端部８ａが第２
の半導体チップ３の表面に直接衝撃を与えてダメージを
与えることになる。
【０００５】そこで、外部接続リード５の一つを中間点
とし、第１の半導体チップ２と第２の半導体チップ３の
両方から共通の外部接続リード５にワイヤを打つか（図
示しない）、または図９（Ａ）（Ｂ）に示した様に、ア
イランド１とは電気的に絶縁した接続導体９をアイラン
ド１上に固着し、両半導体チップ２、３から接続導体９
にワイヤを打つことにより、両者を接続する手法もあ
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】このように、パッド上
にワイヤを直接ステッチボンドを打つとチップにダメー
ジを与えるので、実施が困難であるという欠点があっ
た。これを避けるために共通の外部接続リードを介して
接続する手法を採ると、ボンディングワイヤ５が長くな
るので他との接触事故等の要因になり、更にはリード端
子の本数が増大するという欠点がある。同じく接続導体
９を用いる手法を採用すると、接続導体９の部品代と工
数の増大によりコスト高になるという欠点があるほか、
中間に接続導体９を配置する必要性からパッケージが大
型化するという欠点があった。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は上述した従来の
課題に鑑み成されたもので、半導体チップのパッド上に
ボールボンディングの１ｓｔボンドによりボール部分だ
けをあらかじめ形成しておき、該ボール部分にワイヤの
２ｎｄボンドを打つことにより、キャピラリツールが半
導体チップに接触することなく、第１の半導体チップと
第２の半導体チップとをボンディングワイヤで直接接続
することを可能ならしめたものである。
【０００８】また、本発明の第２の特徴は、ボール部分
を複数配置することにより、２ｎｄボンド時のキャピラ
リツールのずれによる事故を未然に防止したものであ
る。更に本発明の第３の特徴は、複数のボール部分を離
間せしめることにより、ワイヤ切れを良好にして確実な
ワイヤボンド工程を可能ならしめたものである。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下に本発明の第一の実施の形態
を図面を参照しながら詳細に説明する。図１（Ａ）
（Ｂ）は本発明のワイヤボンディング構造を示す断面図
と平面図であり、他から引き回したワイヤ１０をキャピ
ラリ１１でボンディングしている様子を示している。
【００１０】１２は半導体チップ等からなる支持基体、
１３は支持基体１２の絶縁膜上に形成したボンディング
パッド、１４はパッシベーション皮膜、１５はパッシベ
ーション皮膜１４に形成した開口部分である。パッド１
３には該パッド１３を他に電気接続するための延在部分
１５が連続している。パッド１３の露出部分には直径が
約１００μ、高さが約３０μのボール部分１６を形成し
ている。ボール部分１６の高さは、少なくともパッシベ
ーション皮膜１４よりは高いものとしている。
【００１１】キャピラリ１１はワイヤボンド工程に用い
るツールの一つであり、その中心に設けた直径４０μ程
度の貫通孔１７に挿通したボンディングワイヤ１０を任
意の方向に延在し、そして被接続箇所にワイヤ１０を固
着する為のものである。上下左右に任意に制御可能な制
御アームに固定されており、全体として直径２００μ程
度の円筒形を有する。その先端部分に幅約７０μの平坦
面からなる押圧部１１ａを具備し、キャピラリ１１の上
部にはボンディングワイヤ１０を挟み固定可能なクラン
パー（図示せぬ）を具備する。ワイヤ１０は直径３０μ
程度の、金（Ａｕ）を主体とする材料からなる。
【００１２】そして、ボンディングパッド１３上に形成
したボール部分１６に、他の箇所に１ｓｔボンド（ボー
ルボンド）したワイヤ１０を延在せしめ、上方からキャ
ピラリ１１の押圧部１１ａでワイヤ１０を押しつぶし、
キャピラリ１１から超音波振動を与えてボール部分１６
とワイヤ１０とを固着し、クランパでワイヤ１０を挟み
固定しキャピラリ１１と共に上に移動させることでワイ
ヤを切断する。ワイヤ１０を押しつぶしてから切断する
までの工程を２ｎｄボンド（ステッチボンド）と称し、
図１（Ａ）は押しつぶしている状態を、図１（Ｂ）は切
断した状態を各々示している。ワイヤ１０は押圧部１１
ａの平坦面で押しつぶされ、更に角部１１ｂの箇所で引
きちぎられるような形となる。
【００１３】このように、パッド１３上に高さが突出す
るボール部分１６を設けることによって、ワイヤ１０を
押しつぶすときの高さが高くなるので、キャピラリ１１
の押圧部分１１ａを半導体チップ表面に接触させること
なく、ワイヤの２ｎｄボンドが可能になる。尚、ワイヤ
１０先端に金ボールを形成し、該金ボールを押しつけ固
着することをボールボンド、金ボールが無い状態のワイ
ヤをキャピラリ１１の押圧部分１１ａで押しつぶし固着
することをステッチボンドをと称している。
【００１４】図２（Ａ）乃至図２（Ｄ）に、ボール部分
１６の形成方法の第一の例、同じく図２（Ｅ）乃至図２
（Ｈ）に、ボール部分１６の形成方法の第２の例を示し
た。第一の例は、先ず図２（Ａ）に示したように、スパ
ーク手法によりワイヤ１０を溶融し、その表面張力によ
りワイヤ１０の先端部分に金ボール１０ａを形成し、キ
ャピラリ１１をボンディングパッド１３上方に移動せし
め、通常のワイヤボンド工程のプログラムに従い１ｓｔ
ボンドを行うべくキャピラリ１１を下降させる。但し金
ボール１０ａがボンディングパッド１３に接触しない高
さまで下降させるようにプログラムを調整する。
【００１５】次いで図２（Ｂ）に示すように、通常のワ
イヤボンド工程のプログラムに従いキャピラリ１１を上
昇させる。金ボール１０ａが固着されていないので、金
ボール１０ａも上昇する。次いで図２（Ｃ）に示すよう
に、キャピラリ１１の位置を変更せず、通常のワイヤボ
ンド工程のプログラムに従って２ｎｄボンドを行うべく
キャピラリを再度下降する。今度は金ボール１０ａをボ
ンディングパッド１３表面に押圧し、同時にキャピラリ
１１から超音波振動を与えることにより金ボール１０ａ
をボンディングパッド１３に固着する。
【００１６】そして図２（Ｄ）に示すように、キャピラ
リ１１と共にワイヤ１０を上方に引き上げることにより
ワイヤ１０を金ボール１０ａの根本部分で切断し、ボン
ディングパッド１３上にボール部分１６を残す。このと
き、キャピラリ１１をボール部分１６上に残したままで
ワイヤだけをクランパで挟み引くようにすると、ワイヤ
の切断が容易になる。
【００１７】第２の方法は以下の通りである。先ず図２
（Ｅ）に示したように、キャピラリ１１をボンディング
パッド１３上方に移動せしめ、通常のワイヤボンド工程
のプログラムに従いあらかじめ形成しておいた金ボール
１０ａをボンディングパッド１３表面に押圧・固着して
１ｓｔボンドを行う。次いで図２（Ｆ）に示すように、
通常のワイヤボンド工程のプログラムに従いキャピラリ
１１を上昇させる。
【００１８】次いで図２（Ｇ）に示すように、キャピラ
リ１１の位置を１００μ程横に移動し、通常のワイヤボ
ンド工程のプログラムに従って２ｎｄボンドを行うべく
キャピラリを再度下降する。キャピラリ１１の位置をボ
ールずらすことによって、ワイヤ１０をキャピラリ１１
の押圧部１１ａで押しつぶすことを可能にしている。そ
して図２（Ｈ）に示すように、キャピラリ１１と共にワ
イヤ１０をクランパで固定し、上方に引き上げることに
よりワイヤ１０を押圧下部分で切断し、ボンディングパ
ッド１３上にボール部分１６を残す。ワイヤ１０を押し
つぶす図２（Ｇ）の工程を具備するので、ワイヤの切断
状態を均一にできる。
【００１９】図３は、第一のボンディングパッド１３ａ
から第２のボンディングパッド１３ｂにワイヤ１０をワ
イヤボンドする工程を示したものである。先ず図３
（Ａ）を参照して、あらかじめ２ｎｄボンド箇所となる
第２のボンディングパッド１３ｂの上に図２に示した手
法によりボール部分１６を形成しておく。そして図２
（Ｅ）（Ｆ）の工程と同様に、キャピラリ１１の貫通孔
１７に挿通されたワイヤ１０の先端に金ボール１０ａを
形成し、該金ボール１０ａを第１のボンディングパッド
１３ａ表面に押圧・加熱超音波振動により固着して１ｓ
ｔボンドとし、キャピラリ１１を上方向、続いて横方向
に移動する。。
【００２０】次いで図３（Ｂ）に示すように、ボール部
分１６上部にワイヤ１０を再度押圧・加熱超音波振動に
より固着して２ｎｄボンド（ステッチボンド）とする。
この状態が図１に示した状態である。そして図３（Ｃ）
に示すように、キャピラリ１１上方に位置する図示せぬ
クランパがワイヤ１０を挟み固定し、その状態でキャピ
ラリ１１を上方に移動することにより、２ｎｄボンドさ
れたワイヤ１０と貫通孔１７内部のワイヤとを分離・切
断する。斯かる工程により、異なるチップに形成したパ
ッド１３ａ、１３ｂをワイヤ１０により直接ワイヤボン
ドする事が可能になる。
【００２１】図４に、これまで説明したワイヤボンド手
法を用いて製造したた半導体装置の例を示す。図中、２
０、２１は各々第１と第２の半導体チップ、２２は第１
と第２の半導体チップ２０、２１の表面に形成したボン
ディングパッド、２３は半導体チップ２０、２１を搭載
するためのアイランド、２４は半導体チップ２０、２１
を固着するための接着剤、２５は外部接続リード、２６
はパッド２２と外部接続リード２５とを接続するボンデ
ィングワイヤ、２７は主要部を封止する樹脂を示してい
る。
【００２２】第１と第２の半導体チップ２０、２１のシ
リコン表面には、前工程において各種の能動、受動回路
素子を形成し、各素子を電極配線で接続することにより
所望の回路機能を達成している。ボンディングパッド２
２は前記電極材料からなり、各チップの周辺部分に複数
個配置されている。各半導体チップ２０、２１の表面に
はボンディングパッド２２を被覆するようにシリコン窒
化膜、シリコン酸化膜、ポリイミド系絶縁膜などのパッ
シベーション皮膜が形成され、ボンディングパッド２２
の上部だけが電気接続のために開口されている。
【００２３】各半導体チップ２０、２１は、リードフレ
ームのアイランド２３上に並べて接着剤２４によりダイ
ボンドされている。基板の導電型が同じ組み合わせであ
る場合は両者共にＡｇペーストなどのエポキシ系導電接
着剤を使用するが、導電型が異なる場合及び基板電位が
異なる場合は、どちらか一方または両方を絶縁性の接着
剤によってダイボンドしている。
【００２４】ボンディングワイヤ２６は直径３０ミクロ
ン程度の金線からなり、ボールボンディング方式により
パッド２２と外部接続リード２５とを電気的に接続す
る。すなわち、先端に金ボールを形成したボンディング
ワイヤ２６を各半導体チップ２０、２１のパッド２２上
に押しつけて１ｓｔボンドとし、キャビラリツールを移
動し、外部接続リード２５の先端部表面に押圧接着する
と共に切断して２ｎｄボンドとする方式である。各半導
体チップ２０、２１の、外部接続リード２５に近接する
３辺に位置するパッド２２は、ボールボンディングによ
り外部接続リード２５に接続する。
【００２５】残りの各１辺、すなわち、第１と第２の半
導体チップ２０、２１が相対向する辺に位置するパッド
２２ａは、図３に示した手法により、第１の半導体チッ
プ２０から第２の半導体チップ２１にワイヤボンドし
て、両者を直接電気的に接続する。２ｎｄボンド側とな
る第２の半導体チップ２１のパッド２２ａ上には、ワイ
ヤとの接続を介するボール部分２８が形成されており、
ボンディングワイヤ２６の端部は前記ボール部分２８に
ボンディングされている。
【００２６】第１と第２の半導体チップ２０、２１、外
部接続リード２５の先端部、およびボンディングワイヤ
２６を含む主要部は、周囲をエポキシ系の熱硬化樹脂２
７でモールドし、パッケージ化する。リード端子２５は
パッケージの側壁の、樹脂２７の厚みの約半分の位置か
ら外部に導出される。そして、樹脂２７の外部に導出さ
れたリード端子２５は一端下方に曲げられ、再度曲げら
れてＺ字型にフォーミングされている。このフォーミン
グ形状は、リード端子２５の裏面側固着部分をプリント
基板に形成した導電パターンに対向接着する、表面実装
用途の為の形状である。
【００２７】以上に説明したように、本発明では第２の
半導体チップ２０上のボンディングパッド２２ａ上にボ
ール部分２８（１６）を形成し、チップ表面より突出し
た該ボール部分２８（１６）上にワイヤ２６（１０）の
２ｎｄボンドを打つので、キャピラリ１１によって第２
の半導体チップ２１表面にダメージを与えることなく、
第１の半導体チップ２０と第２の半導体チップ２１とを
直接ボンディングワイヤ２６（１０）で接続できるもの
である。故に外部接続リードを用いることが無く、また
従来例で示した接続導体９も無用であるので、組立工程
を簡素化し、安価に製造することができるほか、接続導
体９を省くことによって半導体装置の横方向のサイズを
小さくすること、さらには同一サイズのアイランドによ
り大きなサイズのチップを搭載することが可能になる。
【００２８】図５に、本発明の第２の実施の形態を示し
た。同一箇所に同一符号を付して重複説明を省略する。
図１の様に、ボール部分１６を１個だけ設けたもので
は、キャピラリ１１の位置あわせ精度によっては２ｎｄ
ボンドを打つときにボール部１６とキャピラリ１１の位
置がずれ、キャピラリ１１の押圧部１１ａがボール部分
１６の真上に位置しない場合がある。すると、接触面積
が少ないのでキャピラリ１１がボール部分１６の側壁を
滑り落ち、ワイヤボンドを失敗するような事故を発生す
る可能性がある。
【００２９】そこで本実施の形態では、図示するように
ボール部分１６を隣接して複数個設け、キャピラリ１１
の押圧部１１ａが当節する面積を増大することによっ
て、上記した事故を完全に防止するものである。ボール
部分１６が２個の場合はワイヤ１０の延在する方向の延
長線上に配置する。３個以上の場合は、キャピラリ１１
の貫通孔１７を中心とするようにして配置する。尚、図
５（Ａ）は２ｎｄボンディングにおいてキャピラリ１１
がワイヤ１０を押圧している状態を示し、図５（Ｂ）は
キャピラリ１１を上昇させてワイヤ１０を切断した状態
を示している。
【００３０】このように、本発明の第２の実施の形態で
はボール部分１６を複数個配置することにより、キャピ
ラリ１１の押圧部１１ａとの接触面積を増大できるの
で、キャピラリ１１が滑り落ちるような事故を完全に防
止できるものである。以下、本発明の第３の実施の形態
を説明する。同一箇所に同一符号を付して重複説明を省
略する。パッド１３上に形成したボール部分１６は、ワ
イヤ１０で形成することからワイヤと同じ金素材からな
る。従ってボール部分１６にワイヤ１０を接続すること
は、金素材と金素材との金属接合になる。この組み合わ
せは、パッドとワイヤのようにアルミと金素材との接合
よりも遙かに接着力が強い。
【００３１】そのため、第２の実施の形態において、図
６に示すように押圧部１１ａと貫通孔１７との境界に位
置するワイヤ１０の湾曲部１０ｂが、押圧部１１ａによ
り堅固に押されていないにも関わらずボール部分１６と
接着してしまい、押圧部１１ａのエッジ部分１１ｂに位
置する箇所（図示１０ｃの箇所）できれいに切断されず
に髭部分１０ｄを残すような事故が発生することがあ
る。髭部分１０ｄが長くなれば次のワイヤボンドのため
の金ボールを形成することができなくなり、ワイヤボン
ド装置が異常を検知して停止することになる。諸条件を
詰めれば防ぐことは可能であるが、工程管理が厳しくな
る。
【００３２】そこで本実施の形態では、図７に示したよ
うに、隣接する複数のボール部分１６を、間隔をあけて
配置することにより髭部分１０ｄの発生を防止する。間
隔（図示Ｘの距離）は少なくともワイヤ１０の直径より
大きく、望ましくは貫通孔１７の直径からその２倍程度
まで（４０から８０μ）あればよい。間隔をあけること
により、ワイヤ１０の湾曲部１０ｂが間隔の間に収まる
ことになり、ボール部分１６に接触しないので、図６に
示したような事故を完全に防止することができる。尚、
図７はキャピラリ１１が押圧した状態を示している。
【００３３】ボール部分１６を２個形成する場合は、図
８（Ａ）に示すようにワイヤ１０の延在方向の延長線上
に並べる。３個以上の場合は、図８（Ｂ）に示したよう
にキャピラリ１１の貫通孔１７を中心とするようにして
配置する。以上に説明したように、本発明の第３の実施
の形態によれば、複数個配置したボール部分１６を離間
したことにより、キャピラリ１１が滑り落ちる事故を防
止できると共に、ワイヤ１０の湾曲部１０ｂがボール部
分１６に接触して髭部分１０ｄを残すような事故を完全
に防止できるものである。
【００３４】
【発明の効果】以上に説明した通り、本発明によれば、
チップにダメージを与えることなくボンディングパッド
１３とボンディングパッドとを直接ワイヤボンドする事
が可能である利点を有する。これにより、第１の半導体
チップ２０と第２の半導体チップ２１とを直接ボンディ
ングワイヤ１０で接続し、マルチチップ型の半導体装置
を安価に製造することができる利点を有する。更に、従
来例のように接続を仲介する部分がないので、半導体装
置の横方向の寸法を縮小できる利点を有する他、部品代
等のコストを大幅に減じる利点を有する。
【００３５】更に本発明の第２の実施の形態によれば、
キャピラリ１１が滑り落ちるような事故を防止できる利
点を有する。そして本発明の第３の実施の形態によれ
ば、ワイヤ１０の髭部分１０ｄを残すような現象を防止
できる利点を有する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態を説明するための
（Ａ）断面図、（Ｂ）平面図である。
【図２】ボール部分１６の形成方法を説明するための断
面図である。
【図３】ワイヤボンド工程を説明するための断面図であ
る。
【図４】本発明の半導体装置を説明するための（Ａ）平
面図、（Ｂ）断面図である。
【図５】本発明の第２の実施の形態を説明するための
（Ａ）断面図、（Ｂ）平面図である。
【図６】髭部分１０ｄを説明するための断面図である。
【図７】本発明の第３の実施の形態を説明するための断
面図である
【図８】本発明の第３の実施の形態を説明するための平
面図である
【図９】従来例を説明するための（Ａ）平面図、（Ｂ）
断面図である。
【図１０】従来例を説明するための断面図である。

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ボールボンディングにより、パッド上に
    ワイヤが切断されたボール部分を形成し、該ボール部分
    に、他から延在したワイヤをステッチボンドしたことを
    特徴とするワイヤボンディング構造。
  2. 【請求項２】 前記ボール部分を複数個形成したことを
    特徴とする請求項１記載のワイヤボンディング構造。
  3. 【請求項３】 前記複数個のボール部分を、少なくとも
    ワイヤの直径より広い間隔で配置したことを特徴とする
    請求項２記載のワイヤボンディング構造。
  4. 【請求項４】 アイランドの上に少なくとも第１と第２
    の半導体チップを並べて設置し、前記第１の半導体チッ
    プのボンディングパッドと前記第２の半導体チップのボ
    ンディングパッドとをボンディングワイヤで接続し、主
    要部を封止した半導体装置であって、 前記第２の半導体チップのボンディングパッドに、ボー
    ルボンディングによりワイヤが切断されたボール部分を
    形成し、前記第１の半導体チップのボンディングパッド
    上にワイヤの１ｓｔボンドを打ち、前記第２の半導体チ
    ップのボール部分に前記ワイヤの２ｎｄボンドを形成し
    たことを特徴とする半導体装置。
  5. 【請求項５】 前記ボール部分を複数個形成したことを
    特徴とする請求項４記載の半導体装置。
  6. 【請求項６】 前記複数個のボール部分を、少なくとも
    ワイヤの直径より広い間隔で配置したことを特徴とする
    請求項５記載のワイヤボンディング構造。
JP9142238A 1997-05-30 1997-05-30 ワイヤボンディング構造及び半導体装置 Pending JPH10335368A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9142238A JPH10335368A (ja) 1997-05-30 1997-05-30 ワイヤボンディング構造及び半導体装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9142238A JPH10335368A (ja) 1997-05-30 1997-05-30 ワイヤボンディング構造及び半導体装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH10335368A true JPH10335368A (ja) 1998-12-18

Family

ID=15310653

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP9142238A Pending JPH10335368A (ja) 1997-05-30 1997-05-30 ワイヤボンディング構造及び半導体装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH10335368A (ja)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002237499A (ja) * 2001-02-09 2002-08-23 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の製造方法、半導体装置の製造装置
US6774494B2 (en) 2001-03-22 2004-08-10 Renesas Technology Corp. Semiconductor device and manufacturing method thereof
EP1617967A2 (en) * 2003-02-20 2006-01-25 Freescale Semiconductor, Inc. Wirebonding insulated wire
JP2007005828A (ja) * 2000-09-14 2007-01-11 Vishay Intertechnology Inc 半導体基板上に形成される高精度高周波数キャパシタ
JP2007019476A (ja) * 2005-06-09 2007-01-25 Seiko Epson Corp レーザ光源装置、表示装置、走査型表示装置およびプロジェクタ
JP2008130863A (ja) * 2006-11-22 2008-06-05 Nichia Chem Ind Ltd 半導体装置及びその製造方法
JP2009054950A (ja) * 2007-08-29 2009-03-12 Tokai Rika Co Ltd バンプ形成方法
US8476726B2 (en) 2009-04-30 2013-07-02 Nichia Corporation Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device
US9136060B2 (en) 2000-09-14 2015-09-15 Vishay-Siliconix Precision high-frequency capacitor formed on semiconductor substrate

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9136060B2 (en) 2000-09-14 2015-09-15 Vishay-Siliconix Precision high-frequency capacitor formed on semiconductor substrate
JP2007005828A (ja) * 2000-09-14 2007-01-11 Vishay Intertechnology Inc 半導体基板上に形成される高精度高周波数キャパシタ
EP1895568B1 (en) * 2000-09-14 2014-07-16 Vishay Intertechnology, Inc. High-frequency capacitor formed on semiconductor substrate
EP1895569B1 (en) * 2000-09-14 2013-06-12 Vishay Intertechnology, Inc. Precision high-frequency capacitor formed on semiconductor substrate
JP2002237499A (ja) * 2001-02-09 2002-08-23 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の製造方法、半導体装置の製造装置
US6774494B2 (en) 2001-03-22 2004-08-10 Renesas Technology Corp. Semiconductor device and manufacturing method thereof
EP1617967A4 (en) * 2003-02-20 2008-09-03 Freescale Semiconductor Inc WIRE BONDING METHOD FOR AN INSULATING WIRE
EP1617967A2 (en) * 2003-02-20 2006-01-25 Freescale Semiconductor, Inc. Wirebonding insulated wire
JP2007019476A (ja) * 2005-06-09 2007-01-25 Seiko Epson Corp レーザ光源装置、表示装置、走査型表示装置およびプロジェクタ
JP2008130863A (ja) * 2006-11-22 2008-06-05 Nichia Chem Ind Ltd 半導体装置及びその製造方法
JP2009054950A (ja) * 2007-08-29 2009-03-12 Tokai Rika Co Ltd バンプ形成方法
US8476726B2 (en) 2009-04-30 2013-07-02 Nichia Corporation Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device
US9281457B2 (en) 2009-04-30 2016-03-08 Nichia Corporation Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5770888A (en) Integrated chip package with reduced dimensions and leads exposed from the top and bottom of the package
JP3865055B2 (ja) 半導体装置の製造方法
US6372625B1 (en) Semiconductor device having bonding wire spaced from semiconductor chip
JPH11204720A (ja) 半導体装置及びその製造方法
JPH08306853A (ja) 半導体装置及びその製造方法及びリードフレームの製造方法
TW200414471A (en) Semiconductor device and manufacturing method for the same
KR100514023B1 (ko) 반도체장치
JPH0595015A (ja) 半導体装置
JP3869562B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JPH10335368A (ja) ワイヤボンディング構造及び半導体装置
JP3378809B2 (ja) 半導体装置
JPH0722454A (ja) 半導体集積回路装置
JPH10335366A (ja) 半導体装置
JP3276899B2 (ja) 半導体装置
JPH10150069A (ja) 半導体パッケージ及びその製造方法
JP2000124395A (ja) 多チップ半導体パッケージ構造とその製造方法
JP3510520B2 (ja) 半導体パッケージ及びその製造方法
JP3172473B2 (ja) 半導体装置
JPH11111750A (ja) 半導体装置
JPH09293905A (ja) 半導体素子及びその製造方法
JPH09172033A (ja) 半導体装置およびその製造方法
KR100218335B1 (ko) 칩 사이즈 패키지
JP2848344B2 (ja) 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP3172471B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP2000124392A (ja) 半導体装置