JPH10335234A - 投影露光装置 - Google Patents
投影露光装置Info
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- JPH10335234A JPH10335234A JP9155840A JP15584097A JPH10335234A JP H10335234 A JPH10335234 A JP H10335234A JP 9155840 A JP9155840 A JP 9155840A JP 15584097 A JP15584097 A JP 15584097A JP H10335234 A JPH10335234 A JP H10335234A
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- Japan
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- optical system
- alignment
- projection optical
- mirror
- fixed
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 投影光学系とアライメント光学系との位置関
係を高精度に管理する。 【解決手段】 干渉計システムが、投影光学系ＰＬに固
定された固定鏡４２Ｘ、４２Ｙとステージ２２に設けら
れた移動鏡３８Ｘ、３８Ｙとを介してステージ２２の投
影光学系ＰＬに対するＸＹ２次元方向の相対位置を測定
する測長軸ＩＢＸ１、ＩＢＹ１と、アライメント光学系
２８に固定された固定鏡４４Ｘ、４４Ｙと移動鏡３８
Ｘ、３８Ｙとを介してステージ２２のアライメント光学
系２８に対するＸＹ２次元方向の相対位置を測定する測
長軸ＩＢＸ２、ＩＢＹ２とを備えている。このため、マ
スクパターンの基板上への露光中であっても、干渉計シ
ステムの測長軸ＩＢＸ１、ＩＢＹ１の計測値と、測長軸
ＩＢＸ２、ＩＢＹ２の計測値との差の変動に基づいて投
影光学系ＰＬとアライメント光学系２８との位置関係を
高精度に管理することが可能になる。
係を高精度に管理する。 【解決手段】 干渉計システムが、投影光学系ＰＬに固
定された固定鏡４２Ｘ、４２Ｙとステージ２２に設けら
れた移動鏡３８Ｘ、３８Ｙとを介してステージ２２の投
影光学系ＰＬに対するＸＹ２次元方向の相対位置を測定
する測長軸ＩＢＸ１、ＩＢＹ１と、アライメント光学系
２８に固定された固定鏡４４Ｘ、４４Ｙと移動鏡３８
Ｘ、３８Ｙとを介してステージ２２のアライメント光学
系２８に対するＸＹ２次元方向の相対位置を測定する測
長軸ＩＢＸ２、ＩＢＹ２とを備えている。このため、マ
スクパターンの基板上への露光中であっても、干渉計シ
ステムの測長軸ＩＢＸ１、ＩＢＹ１の計測値と、測長軸
ＩＢＸ２、ＩＢＹ２の計測値との差の変動に基づいて投
影光学系ＰＬとアライメント光学系２８との位置関係を
高精度に管理することが可能になる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、投影露光装置に係
り、更に詳しくは半導体素子（集積回路）や液晶表示素
子などの製造に使用される投影露光装置に関する。
り、更に詳しくは半導体素子（集積回路）や液晶表示素
子などの製造に使用される投影露光装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、集積回路や液晶表示基板など
の製造におけるフォトリソグラフィ工程では、種々の露
光装置が使用されており、中でも一括露光方式の逐次移
動型縮小投影露光装置、例えばステップ・アンド・リピ
ート方式の縮小投影型露光装置（いわゆるステッパー）
等が主流となっている。
の製造におけるフォトリソグラフィ工程では、種々の露
光装置が使用されており、中でも一括露光方式の逐次移
動型縮小投影露光装置、例えばステップ・アンド・リピ
ート方式の縮小投影型露光装置（いわゆるステッパー）
等が主流となっている。
【０００３】このステッパーでは、露光光により投影さ
れるべきパターンが描かれているマスク、すなわちレチ
クルが照明されると、レチクル上のパターンは、縮小投
影光学系を介して感光性材料が塗布されたシリコンウエ
ハ、ガラスプレート等の基板（以下「ウエハ」と総称す
る）上に投影され、これによりウエハ上の感光性材料が
露光されパターンの縮小像が形成される。そして、ウエ
ハを保持し、その位置がレーザ干渉計等を介して制御さ
れる可動式のステージ（ウエハステージ）の逐次移動を
行いつつ、上記の露光を繰り返すことにより、ウエハ上
の所定領域にパターンが順次転写（投影露光）されるよ
うになっている。
れるべきパターンが描かれているマスク、すなわちレチ
クルが照明されると、レチクル上のパターンは、縮小投
影光学系を介して感光性材料が塗布されたシリコンウエ
ハ、ガラスプレート等の基板（以下「ウエハ」と総称す
る）上に投影され、これによりウエハ上の感光性材料が
露光されパターンの縮小像が形成される。そして、ウエ
ハを保持し、その位置がレーザ干渉計等を介して制御さ
れる可動式のステージ（ウエハステージ）の逐次移動を
行いつつ、上記の露光を繰り返すことにより、ウエハ上
の所定領域にパターンが順次転写（投影露光）されるよ
うになっている。
【０００４】ところで、半導体素子を製造するには複数
の層、例えば十数層に及ぶ回路パターンを正確に重ね合
わせて形成する必要があるため、製造工程においては既
にウエハ上に形成されているパターンに対し、これから
形成しようとするレチクル上のパターンの相対位置を確
保したのちに露光する必要がある。このためレチクルパ
ターン投影露光に際しては、先に形成されている層のパ
ターンとの位置合わせ（以下、適宜「アライメント」と
呼ぶ）を正確に行う必要がある。
の層、例えば十数層に及ぶ回路パターンを正確に重ね合
わせて形成する必要があるため、製造工程においては既
にウエハ上に形成されているパターンに対し、これから
形成しようとするレチクル上のパターンの相対位置を確
保したのちに露光する必要がある。このためレチクルパ
ターン投影露光に際しては、先に形成されている層のパ
ターンとの位置合わせ（以下、適宜「アライメント」と
呼ぶ）を正確に行う必要がある。
【０００５】ウエハの位置を検出する代表的な方式とし
て、露光に先立ってウエハステージ上に載置されたウエ
ハの位置をウエハ上の代表的なマーク位置を検出するこ
とによって決定するオフ・アクシス方式がある。このマ
ーク位置検出に使用されるオフ・アクシス方式の計測用
顕微鏡（アライメント顕微鏡）としては、例えば特開平
２−５４１０３号に開示されるような、画像取り込みと
画像処理機能を有するものが知られている。
て、露光に先立ってウエハステージ上に載置されたウエ
ハの位置をウエハ上の代表的なマーク位置を検出するこ
とによって決定するオフ・アクシス方式がある。このマ
ーク位置検出に使用されるオフ・アクシス方式の計測用
顕微鏡（アライメント顕微鏡）としては、例えば特開平
２−５４１０３号に開示されるような、画像取り込みと
画像処理機能を有するものが知られている。
【０００６】このようなアラメント顕微鏡を使用したア
ライメント工程では、例えば特開昭６１−４４４２９号
公報に開示されるように、予めウエハ上に形成されてい
る位置合せ用マーク（アライメントマーク）の内の幾つ
か（通例数個から１０個程度）の位置を、上記アラメン
ト顕微鏡の画像処理信号とウエハステージの位置をモニ
タする干渉計の計測値とに基づいて検出し、この検出結
果とウエハ上のショット配列の設計データとを用いて最
小自乗法等の統計演算を行って、露光時の位置決めのた
めのウエハ上の各ショットの座標位置を決定するいわゆ
るエンハンスト・グローバル・アライメント（以下、適
宜「ＥＧＡ」という）が用いられる。この場合、位置計
測中と投影露光中では、計測，露光対象であるウエハの
位置を変える必要があるので、レチクルの中心を代表す
る投影光学系の中心（光軸）と、アライメント顕微鏡の
検出中心との距離（いわゆるベースライン長さ）を正確
に測り、また安定に維持することが重要である。
ライメント工程では、例えば特開昭６１−４４４２９号
公報に開示されるように、予めウエハ上に形成されてい
る位置合せ用マーク（アライメントマーク）の内の幾つ
か（通例数個から１０個程度）の位置を、上記アラメン
ト顕微鏡の画像処理信号とウエハステージの位置をモニ
タする干渉計の計測値とに基づいて検出し、この検出結
果とウエハ上のショット配列の設計データとを用いて最
小自乗法等の統計演算を行って、露光時の位置決めのた
めのウエハ上の各ショットの座標位置を決定するいわゆ
るエンハンスト・グローバル・アライメント（以下、適
宜「ＥＧＡ」という）が用いられる。この場合、位置計
測中と投影露光中では、計測，露光対象であるウエハの
位置を変える必要があるので、レチクルの中心を代表す
る投影光学系の中心（光軸）と、アライメント顕微鏡の
検出中心との距離（いわゆるベースライン長さ）を正確
に測り、また安定に維持することが重要である。
【０００７】このような理由により、オフ・アクシス方
式のアライメント顕微鏡を備えた従来の投影露光装置で
は、投影光学系とアライメント顕微鏡とがＹ方向（又は
Ｘ方向）に沿って相互に接して配置され、投影光学系と
ウエハステージとのＸＹ２方向の相対位置を計測する干
渉計と、アライメント顕微鏡とウエハステージとのＸ方
向（又はＹ方向）の相対位置を計測する干渉計とが設け
られており、アライメント顕微鏡とウエハステージとの
Ｙ方向（又はＸ方向）の相対位置は、特に計測していな
かった。すなわち、干渉計の測長軸としては、投影光学
系の光軸中心を通るＸ方向の測長軸と、アライメント顕
微鏡の中心を通るＸ方向の測長軸と、投影光学系の光軸
中心及びアライメント顕微鏡の中心を通るＹ方向の測長
軸との３軸のみが設けられていた。そして、予めベース
ライン長さを計測しておくことにより、上記のアライメ
ント結果とベースライン長さとに基づいてウエハステー
ジの位置制御が行われるようになっていた。
式のアライメント顕微鏡を備えた従来の投影露光装置で
は、投影光学系とアライメント顕微鏡とがＹ方向（又は
Ｘ方向）に沿って相互に接して配置され、投影光学系と
ウエハステージとのＸＹ２方向の相対位置を計測する干
渉計と、アライメント顕微鏡とウエハステージとのＸ方
向（又はＹ方向）の相対位置を計測する干渉計とが設け
られており、アライメント顕微鏡とウエハステージとの
Ｙ方向（又はＸ方向）の相対位置は、特に計測していな
かった。すなわち、干渉計の測長軸としては、投影光学
系の光軸中心を通るＸ方向の測長軸と、アライメント顕
微鏡の中心を通るＸ方向の測長軸と、投影光学系の光軸
中心及びアライメント顕微鏡の中心を通るＹ方向の測長
軸との３軸のみが設けられていた。そして、予めベース
ライン長さを計測しておくことにより、上記のアライメ
ント結果とベースライン長さとに基づいてウエハステー
ジの位置制御が行われるようになっていた。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上述の如く、従来の投
影露光装置では、アライメント顕微鏡とウエハステージ
とのＹ方向（又はＸ方向）の相対位置を直接計測してい
なかったが、これは、投影光学系の鏡筒やアライメント
光学系の鏡筒を非常に熱膨張率の小さな材料によって形
成し、かつ投影光学系を温度制御していたことから、一
度計測したベースライン長さは、１ウエハの露光終了ま
で不変であると見做しても精度的に十分だったからであ
る。すなわち、従来は５０ｎｍ〜６０ｎｍ程度のアライ
メント精度を満足すれば十分であったので、最大で１０
ｎｍ程度であるベースライン長さの変動はあまり問題と
ならなかったのである。
影露光装置では、アライメント顕微鏡とウエハステージ
とのＹ方向（又はＸ方向）の相対位置を直接計測してい
なかったが、これは、投影光学系の鏡筒やアライメント
光学系の鏡筒を非常に熱膨張率の小さな材料によって形
成し、かつ投影光学系を温度制御していたことから、一
度計測したベースライン長さは、１ウエハの露光終了ま
で不変であると見做しても精度的に十分だったからであ
る。すなわち、従来は５０ｎｍ〜６０ｎｍ程度のアライ
メント精度を満足すれば十分であったので、最大で１０
ｎｍ程度であるベースライン長さの変動はあまり問題と
ならなかったのである。
【０００９】しかるに、パターン線幅は高集積化に伴い
ますます微細化していることから、より高いアライメン
ト精度（位置合わせ精度）が要求されるようになってき
ており、近い将来には２０ｎｍ程度のアライメント精度
を確保することが必要不可欠となると予想される。従っ
て、最大で１０ｎｍ程度であるベースライン長さの変動
が無視できなくなり、ベースライン長さのより高い安定
性を確保することが重要となる。
ますます微細化していることから、より高いアライメン
ト精度（位置合わせ精度）が要求されるようになってき
ており、近い将来には２０ｎｍ程度のアライメント精度
を確保することが必要不可欠となると予想される。従っ
て、最大で１０ｎｍ程度であるベースライン長さの変動
が無視できなくなり、ベースライン長さのより高い安定
性を確保することが重要となる。
【００１０】しかしながら、上述した従来技術では、投
影光学系とウエハステージの相対変位の計測は可能であ
るが、アライメント顕微鏡とウエハステージの相対変位
を計測することは困難である。
影光学系とウエハステージの相対変位の計測は可能であ
るが、アライメント顕微鏡とウエハステージの相対変位
を計測することは困難である。
【００１１】かかる不都合を改善するための方法とし
て、Ｙ方向の一側から投影光学系の光軸中心に向かって
干渉計ビームを当てるとともにＹ方向の他側からアライ
メント顕微鏡の中心に向かって別の干渉計ビームを当て
ることが考えられる。しかしながら、このようにする
と、ウエハステージ上にはＹ方向位置計測用の移動鏡が
２つ必要になり、計測系の複雑化とコストアップを招く
のみならず、ウエハステージの位置を計測するための移
動鏡相互の相対変形などがすべて計測誤差になってしま
い、結果的にベースライン長さを正確に管理することが
困難になるという不都合があった。
て、Ｙ方向の一側から投影光学系の光軸中心に向かって
干渉計ビームを当てるとともにＹ方向の他側からアライ
メント顕微鏡の中心に向かって別の干渉計ビームを当て
ることが考えられる。しかしながら、このようにする
と、ウエハステージ上にはＹ方向位置計測用の移動鏡が
２つ必要になり、計測系の複雑化とコストアップを招く
のみならず、ウエハステージの位置を計測するための移
動鏡相互の相対変形などがすべて計測誤差になってしま
い、結果的にベースライン長さを正確に管理することが
困難になるという不都合があった。
【００１２】本発明は、かかる事情の下になされたもの
で、請求項１ないし３に記載の発明の目的は、投影光学
系とアライメント光学系との位置関係を高精度に管理す
ることが可能な投影露光装置を提供することにある。
で、請求項１ないし３に記載の発明の目的は、投影光学
系とアライメント光学系との位置関係を高精度に管理す
ることが可能な投影露光装置を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、マスク（Ｒ）に形成されたパターンを投影光学系
（ＰＬ）を介して基板（Ｗ）上に露光する投影露光装置
であって、前記基板（Ｗ）を保持してＸＹ２次元移動す
る基板ステージ（２２）と；前記投影光学系（ＰＬ）を
介さずに前記基板（Ｗ）上に形成された位置合せ用マー
クを検出するためのアライメント光学系（２８）と；前
記投影光学系（ＰＬ）に固定された第１のＸ固定鏡（４
２Ｘ）及び第１のＹ固定鏡（４２Ｙ）と；前記アライメ
ント光学系（２８）に固定された第２のＸ固定鏡（４４
Ｘ）及び第２のＹ固定鏡（４４Ｙ）と；前記第１のＸ固
定鏡（４２Ｘ）及び第１のＹ固定鏡（４２Ｙ）と前記基
板ステージ（２２）に設けられたＸ移動鏡（３８Ｘ）及
びＹ移動鏡（３８Ｙ）とを介して前記基板ステージ（２
２）の前記投影光学系（ＰＬ）に対するＸＹ２次元方向
の相対位置を測定する第１測長軸（ＩＢＸ１）及び第２
測長軸（ＩＢＹ１）と、前記第２のＸ固定鏡（４４Ｘ）
及び第２のＹ固定鏡（４４Ｙ）と前記Ｘ移動鏡（３８
Ｘ）及びＹ移動鏡（３８Ｙ）とを介して前記基板ステー
ジ（２２）の前記アライメント光学系（２８）に対する
ＸＹ２次元方向の相対位置を測定する第３測長軸（ＩＢ
Ｘ２）及び第４測長軸（ＩＢＹ２）とを備えた干渉計シ
ステム（４０Ｘ1 ，４０Ｙ1 ，４０Ｘ2 ，４０Ｙ2 ）と
を有する。
は、マスク（Ｒ）に形成されたパターンを投影光学系
（ＰＬ）を介して基板（Ｗ）上に露光する投影露光装置
であって、前記基板（Ｗ）を保持してＸＹ２次元移動す
る基板ステージ（２２）と；前記投影光学系（ＰＬ）を
介さずに前記基板（Ｗ）上に形成された位置合せ用マー
クを検出するためのアライメント光学系（２８）と；前
記投影光学系（ＰＬ）に固定された第１のＸ固定鏡（４
２Ｘ）及び第１のＹ固定鏡（４２Ｙ）と；前記アライメ
ント光学系（２８）に固定された第２のＸ固定鏡（４４
Ｘ）及び第２のＹ固定鏡（４４Ｙ）と；前記第１のＸ固
定鏡（４２Ｘ）及び第１のＹ固定鏡（４２Ｙ）と前記基
板ステージ（２２）に設けられたＸ移動鏡（３８Ｘ）及
びＹ移動鏡（３８Ｙ）とを介して前記基板ステージ（２
２）の前記投影光学系（ＰＬ）に対するＸＹ２次元方向
の相対位置を測定する第１測長軸（ＩＢＸ１）及び第２
測長軸（ＩＢＹ１）と、前記第２のＸ固定鏡（４４Ｘ）
及び第２のＹ固定鏡（４４Ｙ）と前記Ｘ移動鏡（３８
Ｘ）及びＹ移動鏡（３８Ｙ）とを介して前記基板ステー
ジ（２２）の前記アライメント光学系（２８）に対する
ＸＹ２次元方向の相対位置を測定する第３測長軸（ＩＢ
Ｘ２）及び第４測長軸（ＩＢＹ２）とを備えた干渉計シ
ステム（４０Ｘ1 ，４０Ｙ1 ，４０Ｘ2 ，４０Ｙ2 ）と
を有する。
【００１４】これによれば、干渉計システムが、投影光
学系に固定された第１のＸ固定鏡及び第１のＹ固定鏡と
基板ステージに設けられたＸ移動鏡及びＹ移動鏡とを介
して基板ステージの投影光学系に対するＸＹ２次元方向
の相対位置を測定する第１及び第２測長軸と、アライメ
ント光学系に固定された第２のＸ固定鏡及び第２のＹ固
定鏡とＸ移動鏡及びＹ移動鏡とを介して基板ステージの
アライメント光学系に対するＸＹ２次元方向の相対位置
を測定する第３測長軸及び第４測長軸とを備えている。
このため、マスクパターンの基板上への露光中であって
も、干渉計システムの第１、第２測長軸の計測値と、第
３、第４測長軸の計測値との差の変動に基づいて投影光
学系とアライメント光学系との位置関係を高精度に管理
することが可能になる。従って、投影光学系の光軸中心
とアライメント光学系の中心との距離であるベースライ
ン長さを高精度に管理することが可能になる。
学系に固定された第１のＸ固定鏡及び第１のＹ固定鏡と
基板ステージに設けられたＸ移動鏡及びＹ移動鏡とを介
して基板ステージの投影光学系に対するＸＹ２次元方向
の相対位置を測定する第１及び第２測長軸と、アライメ
ント光学系に固定された第２のＸ固定鏡及び第２のＹ固
定鏡とＸ移動鏡及びＹ移動鏡とを介して基板ステージの
アライメント光学系に対するＸＹ２次元方向の相対位置
を測定する第３測長軸及び第４測長軸とを備えている。
このため、マスクパターンの基板上への露光中であって
も、干渉計システムの第１、第２測長軸の計測値と、第
３、第４測長軸の計測値との差の変動に基づいて投影光
学系とアライメント光学系との位置関係を高精度に管理
することが可能になる。従って、投影光学系の光軸中心
とアライメント光学系の中心との距離であるベースライ
ン長さを高精度に管理することが可能になる。
【００１５】この場合において、干渉計システムの第３
測長軸（ＩＢＸ２）及び第４測長軸（ＩＢＹ２）の干渉
計ビームが、アライメント光学系（２８）の手前側から
当該アライメント光学系に固定された第２のＸ固定鏡
（４４Ｘ）及び第２のＹ固定鏡（４４Ｙ）に投射される
ような構成にしても勿論良いが、前記干渉計システムの
前記第３測長軸（ＩＢＸ２）及び第４測長軸（ＩＢＹ
２）の干渉計ビームが前記投影光学系（ＰＬ）より遠方
に位置する前記第２のＸ固定鏡（４４Ｘ）及び第２のＹ
固定鏡（４４Ｙ）に投射されるような構成にしても良
い。後者の場合には、干渉計ビームが投影光学系（Ｐ
Ｌ）に蹴られることなく、第２のＸ固定鏡（４４Ｘ）及
び第２のＹ固定鏡（４４Ｙ）に投射されるように、請求
項２に記載の発明の如く、前記投影光学系（ＰＬ）とア
ライメント光学系（２８）との中心間距離Ｌが、前記投
影光学系（ＰＬ）の半径をｒ1 、前記アライメント光学
系（２８）の半径をｒ2 、前記第３及び第４測長軸の干
渉計ビームの半径をｒ3 、前記ＸＹいずれかの軸と前記
投影光学系（ＰＬ）の中心とアライメント光学系（２
８）の中心とを結ぶ直線とが成す角をθとして、 Ｌ＞MAX［(ｒ1+ｒ2)，MAX｛(ｒ1+ｒ3)/｜cosθ｜，(ｒ1
+ｒ3)/｜sinθ｜｝］ の関係を満足するようにする必要がある。
測長軸（ＩＢＸ２）及び第４測長軸（ＩＢＹ２）の干渉
計ビームが、アライメント光学系（２８）の手前側から
当該アライメント光学系に固定された第２のＸ固定鏡
（４４Ｘ）及び第２のＹ固定鏡（４４Ｙ）に投射される
ような構成にしても勿論良いが、前記干渉計システムの
前記第３測長軸（ＩＢＸ２）及び第４測長軸（ＩＢＹ
２）の干渉計ビームが前記投影光学系（ＰＬ）より遠方
に位置する前記第２のＸ固定鏡（４４Ｘ）及び第２のＹ
固定鏡（４４Ｙ）に投射されるような構成にしても良
い。後者の場合には、干渉計ビームが投影光学系（Ｐ
Ｌ）に蹴られることなく、第２のＸ固定鏡（４４Ｘ）及
び第２のＹ固定鏡（４４Ｙ）に投射されるように、請求
項２に記載の発明の如く、前記投影光学系（ＰＬ）とア
ライメント光学系（２８）との中心間距離Ｌが、前記投
影光学系（ＰＬ）の半径をｒ1 、前記アライメント光学
系（２８）の半径をｒ2 、前記第３及び第４測長軸の干
渉計ビームの半径をｒ3 、前記ＸＹいずれかの軸と前記
投影光学系（ＰＬ）の中心とアライメント光学系（２
８）の中心とを結ぶ直線とが成す角をθとして、 Ｌ＞MAX［(ｒ1+ｒ2)，MAX｛(ｒ1+ｒ3)/｜cosθ｜，(ｒ1
+ｒ3)/｜sinθ｜｝］ の関係を満足するようにする必要がある。
【００１６】この場合において、上記角θは、０度及び
９０度の倍数でなければ特に問題はないが、請求項３に
記載の発明の如く、前記角θが４５度の奇数倍であるこ
とが望ましい。かかる場合には、投影光学系とアライメ
ント光学系との中心間距離を最も短くできるからであ
る。
９０度の倍数でなければ特に問題はないが、請求項３に
記載の発明の如く、前記角θが４５度の奇数倍であるこ
とが望ましい。かかる場合には、投影光学系とアライメ
ント光学系との中心間距離を最も短くできるからであ
る。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態につい
て、図１ないし図３に基づいて説明する。図１には、第
１の実施形態に係る投影露光装置１０の概略構成が示さ
れている。この投影露光装置１０は、ステップ・アンド
・リピート方式で基板としてのウエハＷ上の各ショット
領域にマスクとしてのレチクルＲのパターンを縮小投影
する縮小投影型露光装置（ステッパー）である。
て、図１ないし図３に基づいて説明する。図１には、第
１の実施形態に係る投影露光装置１０の概略構成が示さ
れている。この投影露光装置１０は、ステップ・アンド
・リピート方式で基板としてのウエハＷ上の各ショット
領域にマスクとしてのレチクルＲのパターンを縮小投影
する縮小投影型露光装置（ステッパー）である。
【００１８】この投影露光装置１０は、光源を含み露光
光を照射する照明系１２、レチクルＲが載置されるレチ
クルステージ１４、レチクルステージ１４の駆動装置１
６、レチクルＲに形成されたパターンをウエハＷ上に投
影する投影光学系ＰＬ、ウエハＷを保持してＸＹ２次元
平面内を移動する基板ステージとしてのウエハステージ
２２、ウエハステージ２２の駆動装置２４、オフ・アク
シス方式のアライメント光学系としてのアライメント顕
微鏡２８及び装置全体を統括的に制御する主制御系３２
等を備えている。
光を照射する照明系１２、レチクルＲが載置されるレチ
クルステージ１４、レチクルステージ１４の駆動装置１
６、レチクルＲに形成されたパターンをウエハＷ上に投
影する投影光学系ＰＬ、ウエハＷを保持してＸＹ２次元
平面内を移動する基板ステージとしてのウエハステージ
２２、ウエハステージ２２の駆動装置２４、オフ・アク
シス方式のアライメント光学系としてのアライメント顕
微鏡２８及び装置全体を統括的に制御する主制御系３２
等を備えている。
【００１９】照明系１２は、超高圧水銀ランプ（ｉ線、
ｇ線）あるいはエキシマレーザ（ＫｒＦ、ＡｒＦ）等か
ら成る光源、光の光路の開閉を行うシャッタやオプチカ
ルインテグレータ（フライアイレンズ）等を含む照明光
学系、照明系開口絞り、照明光の照明フィールドを制限
する可変ブラインド等を含んでいる。そして、前記照明
光学系では、照明光の一様化やスペックルの低減等が行
われる。この照明系１２における水銀ランプやエキシマ
レーザなどの照明光源からの光により、次に述べるレチ
クルステージ１４上に載置されたレチクルＲが、均一か
つ所定の照明条件にて照明される。
ｇ線）あるいはエキシマレーザ（ＫｒＦ、ＡｒＦ）等か
ら成る光源、光の光路の開閉を行うシャッタやオプチカ
ルインテグレータ（フライアイレンズ）等を含む照明光
学系、照明系開口絞り、照明光の照明フィールドを制限
する可変ブラインド等を含んでいる。そして、前記照明
光学系では、照明光の一様化やスペックルの低減等が行
われる。この照明系１２における水銀ランプやエキシマ
レーザなどの照明光源からの光により、次に述べるレチ
クルステージ１４上に載置されたレチクルＲが、均一か
つ所定の照明条件にて照明される。
【００２０】レチクルステージ１４上には、所定のパタ
ーンが形成されたレチクルＲが載置され、このレチクル
Ｒは不図示のレチクルホルダにより保持されている。レ
チクルステージ１４は、ベース３４上をＸＹ２次元方向
に微小移動及び微小回転が可能なように構成されてお
り、レチクルＲがレチクルステージ１４上に載置された
後、主制御系３２によって駆動装置１６が制御され、レ
チクルＲのパターン領域の中心点（レチクルセンタ）が
投影光学系ＰＬの光軸ＡＸと一致するようにレチクルＲ
が位置決めされる（レチクルアライメントが行なわれ
る）ようになっている。
ーンが形成されたレチクルＲが載置され、このレチクル
Ｒは不図示のレチクルホルダにより保持されている。レ
チクルステージ１４は、ベース３４上をＸＹ２次元方向
に微小移動及び微小回転が可能なように構成されてお
り、レチクルＲがレチクルステージ１４上に載置された
後、主制御系３２によって駆動装置１６が制御され、レ
チクルＲのパターン領域の中心点（レチクルセンタ）が
投影光学系ＰＬの光軸ＡＸと一致するようにレチクルＲ
が位置決めされる（レチクルアライメントが行なわれ
る）ようになっている。
【００２１】投影光学系ＰＬは、例えば両側テレセント
リックな光学配置になるように、共通のＺ軸方向の光軸
ＡＸを有する複数枚のレンズエレメントから構成されて
いる。この投影光学系ＰＬは所定の縮小倍率（例えば１
／５）を有している。このため、照明系１２から射出さ
れた露光光ＩＬによりレチクルＲがほぼ均一な照度で照
明されると、レチクルＲのパターンが投影光学系ＰＬを
介してウエハＷ上の各ショット領域に縮小投影される。
リックな光学配置になるように、共通のＺ軸方向の光軸
ＡＸを有する複数枚のレンズエレメントから構成されて
いる。この投影光学系ＰＬは所定の縮小倍率（例えば１
／５）を有している。このため、照明系１２から射出さ
れた露光光ＩＬによりレチクルＲがほぼ均一な照度で照
明されると、レチクルＲのパターンが投影光学系ＰＬを
介してウエハＷ上の各ショット領域に縮小投影される。
【００２２】前記ウエハステージ２２上には、表面にフ
ォトレジストが塗布されたウエハＷがウエハホルダ３６
を介して載置されている。ウエハステージ２２は、実際
には、投影光学系ＰＬの光軸に直交するＸＹ面内でウエ
ハＷを２次元的に位置決めするＸＹステージ、投影光学
系ＰＬの光軸方向（Ｚ方向）にウエハＷを位置決めする
Ｚステージ、及びウエハＷをＺ軸回りに微小回転させる
θステージ等より構成されているが、図１ではこれらが
代表的にウエハステージ２２として示されている。
ォトレジストが塗布されたウエハＷがウエハホルダ３６
を介して載置されている。ウエハステージ２２は、実際
には、投影光学系ＰＬの光軸に直交するＸＹ面内でウエ
ハＷを２次元的に位置決めするＸＹステージ、投影光学
系ＰＬの光軸方向（Ｚ方向）にウエハＷを位置決めする
Ｚステージ、及びウエハＷをＺ軸回りに微小回転させる
θステージ等より構成されているが、図１ではこれらが
代表的にウエハステージ２２として示されている。
【００２３】ウエハステージ２２の上面には移動鏡３８
が固定され、この移動鏡３８に対向してウエハステージ
２２の位置を所定の分解能、例えば１ｎｍ以下の分解能
で計測する干渉計システム４０が配置されている。な
お、実際には、図２の斜視図に示されるように、ウエハ
ステージ２２上には、投影光学系ＰＬの光軸に直交する
面内の直交座標系をＸ軸及びＹ軸として、Ｘ軸に垂直な
反射面を有するＸ移動鏡３８Ｘ及びＹ軸に垂直な反射面
を有するＹ移動鏡３８Ｙとが設けられているが、図１で
はこれらが代表的に移動鏡３８として示されている。ま
た、レーザ干渉計は、２つのＸ軸用のレーザー干渉計４
０Ｘ1 ，４０Ｘ2 と、２つのＹ軸用のレーザー干渉計４
０Ｙ1 、４０Ｙ2 とが設けられており、これら４つのレ
ーザ干渉計によって図１の干渉計システム４０が構成さ
れている。前記４つのレーザ干渉計の計測値は、主制御
系３２に供給されており、主制御系３２は、これらの計
測値をモニタしつつ駆動装置２４を介して、ウエハステ
ージ２２の位置決め動作を制御する。なお、干渉計シス
テム４０の測長軸の配置及びこれらの測長軸の干渉計の
計測値に基づくウエハステージ２２の具体的な制御方法
については後述する。
が固定され、この移動鏡３８に対向してウエハステージ
２２の位置を所定の分解能、例えば１ｎｍ以下の分解能
で計測する干渉計システム４０が配置されている。な
お、実際には、図２の斜視図に示されるように、ウエハ
ステージ２２上には、投影光学系ＰＬの光軸に直交する
面内の直交座標系をＸ軸及びＹ軸として、Ｘ軸に垂直な
反射面を有するＸ移動鏡３８Ｘ及びＹ軸に垂直な反射面
を有するＹ移動鏡３８Ｙとが設けられているが、図１で
はこれらが代表的に移動鏡３８として示されている。ま
た、レーザ干渉計は、２つのＸ軸用のレーザー干渉計４
０Ｘ1 ，４０Ｘ2 と、２つのＹ軸用のレーザー干渉計４
０Ｙ1 、４０Ｙ2 とが設けられており、これら４つのレ
ーザ干渉計によって図１の干渉計システム４０が構成さ
れている。前記４つのレーザ干渉計の計測値は、主制御
系３２に供給されており、主制御系３２は、これらの計
測値をモニタしつつ駆動装置２４を介して、ウエハステ
ージ２２の位置決め動作を制御する。なお、干渉計シス
テム４０の測長軸の配置及びこれらの測長軸の干渉計の
計測値に基づくウエハステージ２２の具体的な制御方法
については後述する。
【００２４】さらに、ウエハステージ２２上面の一端部
近傍には、レチクルパターンの投影位置を代表する投影
光学系ＰＬの光軸中心とアライメント顕微鏡２８の検出
中心との距離であるベースライン長さの計測に用いられ
る基準マークを含む各種基準マークが形成された基準板
ＦＰが固定されている。この基準板ＦＰの表面は、ウエ
ハＷ表面とほぼ同一高さ位置となるように設定されてい
る。
近傍には、レチクルパターンの投影位置を代表する投影
光学系ＰＬの光軸中心とアライメント顕微鏡２８の検出
中心との距離であるベースライン長さの計測に用いられ
る基準マークを含む各種基準マークが形成された基準板
ＦＰが固定されている。この基準板ＦＰの表面は、ウエ
ハＷ表面とほぼ同一高さ位置となるように設定されてい
る。
【００２５】さらに、投影光学系ＰＬ下部の側方には、
図１のＡ−Ａ線断面図である図３に示されるように、支
持部材４６を介してオフ・アクシスアライメント方式の
アライメント顕微鏡２８が取り付けられている。このア
ライメント顕微鏡２８としては、ウエハＷ上のフォトレ
ジストを感光させない非感光性の光であって、ある帯域
幅（例えば２００ｎｍ程度）をもつブロードな波長分布
の光を発する光源、例えばハロゲンランプを光源として
備えた画像処理方式のアライメント顕微鏡が使用されて
いる。このアライメント顕微鏡２８は、その検出中心で
ある不図示の指標中心とウエハＷ上に形成された位置合
わせ用マークとしてのアライメントマーク（又は基準板
ＦＰ上の基準マーク）との相対位置を計測するためのも
のである。
図１のＡ−Ａ線断面図である図３に示されるように、支
持部材４６を介してオフ・アクシスアライメント方式の
アライメント顕微鏡２８が取り付けられている。このア
ライメント顕微鏡２８としては、ウエハＷ上のフォトレ
ジストを感光させない非感光性の光であって、ある帯域
幅（例えば２００ｎｍ程度）をもつブロードな波長分布
の光を発する光源、例えばハロゲンランプを光源として
備えた画像処理方式のアライメント顕微鏡が使用されて
いる。このアライメント顕微鏡２８は、その検出中心で
ある不図示の指標中心とウエハＷ上に形成された位置合
わせ用マークとしてのアライメントマーク（又は基準板
ＦＰ上の基準マーク）との相対位置を計測するためのも
のである。
【００２６】次に、図２及び図３を参照しつつ、干渉計
システム４０の各測長軸の配置及びアライメント顕微鏡
２８の配置等について詳述する。
システム４０の各測長軸の配置及びアライメント顕微鏡
２８の配置等について詳述する。
【００２７】図３に示されるように、投影光学系ＰＬの
下端部（鏡筒下部）の小径部の外面には、Ｘ軸に直交す
る反射面を有する第１のＸ固定鏡４２ＸとＹ軸に直交す
る反射面を有する第１のＹ固定鏡４２Ｙとがそれぞれ固
定されている。なお、図３中に投影光学系ＰＬ上部の大
径部分が仮想線で示されている。
下端部（鏡筒下部）の小径部の外面には、Ｘ軸に直交す
る反射面を有する第１のＸ固定鏡４２ＸとＹ軸に直交す
る反射面を有する第１のＹ固定鏡４２Ｙとがそれぞれ固
定されている。なお、図３中に投影光学系ＰＬ上部の大
径部分が仮想線で示されている。
【００２８】また、アライメント顕微鏡２８の外面に
は、Ｘ軸に直交する反射面を有する第２のＸ固定鏡４４
ＸとＹ軸に直交する反射面を有する第２のＹ固定鏡４４
Ｙとがそれぞれ固定されている。この場合、アライメン
ト顕微鏡２８は、その中心と投影光学系ＰＬの中心とを
結ぶ直線がＹ軸に対して角度θ（θは、ここでは５×４
５度＝２２５度とする）を成す直線上に配置されてい
る。
は、Ｘ軸に直交する反射面を有する第２のＸ固定鏡４４
ＸとＹ軸に直交する反射面を有する第２のＹ固定鏡４４
Ｙとがそれぞれ固定されている。この場合、アライメン
ト顕微鏡２８は、その中心と投影光学系ＰＬの中心とを
結ぶ直線がＹ軸に対して角度θ（θは、ここでは５×４
５度＝２２５度とする）を成す直線上に配置されてい
る。
【００２９】そして、図２に示されるように、レーザ干
渉計４０Ｘ1 から第１のＸ固定鏡４２Ｘ及びＸ移動鏡３
８Ｘに向けて第１測長軸ＩＢＸ１の干渉計ビーム、すな
わちＸ軸方向の参照ビームＲＢ１及び測定ビームＳＢ１
が投射され、レーザ干渉計４０Ｘ1 ではこれらのビーム
ＲＢ１、ＳＢ１の第１のＸ固定鏡４２Ｘ、Ｘ移動鏡３８
Ｘからの反射光を受光し、これらの干渉光を光電変換し
て得られる干渉信号に基づいて、第１のＸ固定鏡４２Ｘ
に対する移動鏡３８ＸのＸ方向の相対位置を検出するこ
とにより、ウエハステージ２２のＸ座標を計測するよう
になっている。ここで、参照ビームＲＢ１は測定ビーム
ＳＢ１より距離ｈだけ上方の光路を通る。
渉計４０Ｘ1 から第１のＸ固定鏡４２Ｘ及びＸ移動鏡３
８Ｘに向けて第１測長軸ＩＢＸ１の干渉計ビーム、すな
わちＸ軸方向の参照ビームＲＢ１及び測定ビームＳＢ１
が投射され、レーザ干渉計４０Ｘ1 ではこれらのビーム
ＲＢ１、ＳＢ１の第１のＸ固定鏡４２Ｘ、Ｘ移動鏡３８
Ｘからの反射光を受光し、これらの干渉光を光電変換し
て得られる干渉信号に基づいて、第１のＸ固定鏡４２Ｘ
に対する移動鏡３８ＸのＸ方向の相対位置を検出するこ
とにより、ウエハステージ２２のＸ座標を計測するよう
になっている。ここで、参照ビームＲＢ１は測定ビーム
ＳＢ１より距離ｈだけ上方の光路を通る。
【００３０】同様に、レーザ干渉計４０Ｙ1 から第１の
Ｙ固定鏡４２Ｙ及びＹ移動鏡３８Ｙに向けて第２測長軸
ＩＢＹ１の干渉計ビーム、すなわちＹ軸方向の参照ビー
ムＲＢ２及び測定ビームＳＢ２が投射され、レーザ干渉
計４０Ｙ1 ではこれらのビームＲＢ２、ＳＢ２の第１の
Ｙ固定鏡４２Ｙ、Ｙ移動鏡３８Ｙからの反射光を受光
し、これらの干渉光を光電変換して得られる干渉信号に
基づいて、第１のＹ固定鏡４２Ｙに対するＹ移動鏡３８
ＹのＹ方向の相対位置を検出することにより、ウエハス
テージ２２のＹ座標を計測するようになっている。ここ
で、参照ビームＲＢ２は測定ビームＳＢ２より距離ｈだ
け上方の光路を通る。
Ｙ固定鏡４２Ｙ及びＹ移動鏡３８Ｙに向けて第２測長軸
ＩＢＹ１の干渉計ビーム、すなわちＹ軸方向の参照ビー
ムＲＢ２及び測定ビームＳＢ２が投射され、レーザ干渉
計４０Ｙ1 ではこれらのビームＲＢ２、ＳＢ２の第１の
Ｙ固定鏡４２Ｙ、Ｙ移動鏡３８Ｙからの反射光を受光
し、これらの干渉光を光電変換して得られる干渉信号に
基づいて、第１のＹ固定鏡４２Ｙに対するＹ移動鏡３８
ＹのＹ方向の相対位置を検出することにより、ウエハス
テージ２２のＹ座標を計測するようになっている。ここ
で、参照ビームＲＢ２は測定ビームＳＢ２より距離ｈだ
け上方の光路を通る。
【００３１】また、レーザ干渉計４０Ｘ2 から第２のＸ
固定鏡４４Ｘ及びＸ移動鏡３８Ｘに向けて第３測長軸Ｉ
ＢＸ２の干渉計ビーム、すなわちＸ軸方向の参照ビーム
ＲＢ３及び測定ビームＳＢ３が投射され、レーザ干渉計
４０Ｘ2 ではこれらのビームＲＢ３、ＳＢ３の第２のＸ
固定鏡４４Ｘ、Ｘ移動鏡３８Ｘからの反射光を受光し、
これらの干渉光を光電変換して得られる干渉信号に基づ
いて、第２のＸ固定鏡４４Ｘに対するＸ移動鏡３８Ｘの
Ｘ方向の相対位置を検出することにより、ウエハステー
ジ２２のＸ座標を計測するようになっている。ここで、
参照ビームＲＢ３は測定ビームＳＢ３より距離ｈだけ上
方の光路を通る。
固定鏡４４Ｘ及びＸ移動鏡３８Ｘに向けて第３測長軸Ｉ
ＢＸ２の干渉計ビーム、すなわちＸ軸方向の参照ビーム
ＲＢ３及び測定ビームＳＢ３が投射され、レーザ干渉計
４０Ｘ2 ではこれらのビームＲＢ３、ＳＢ３の第２のＸ
固定鏡４４Ｘ、Ｘ移動鏡３８Ｘからの反射光を受光し、
これらの干渉光を光電変換して得られる干渉信号に基づ
いて、第２のＸ固定鏡４４Ｘに対するＸ移動鏡３８Ｘの
Ｘ方向の相対位置を検出することにより、ウエハステー
ジ２２のＸ座標を計測するようになっている。ここで、
参照ビームＲＢ３は測定ビームＳＢ３より距離ｈだけ上
方の光路を通る。
【００３２】同様に、レーザ干渉計４０Ｙ2 から第２の
Ｙ固定鏡４４Ｙ及びＹ移動鏡３８Ｙに向けて第４測長軸
ＩＢＹ２の干渉計ビーム、すなわちＹ軸方向の参照ビー
ムＲＢ４及び測定ビームＳＢ４が投射され、レーザ干渉
計４０Ｙ2 ではこれらのビームＲＢ４、ＳＢ４の第２の
Ｙ固定鏡４４Ｙ、Ｙ移動鏡３８Ｙからの反射光を受光
し、これらの干渉光を光電変換して得られる干渉信号に
基づいて、第２のＹ固定鏡４４Ｙに対するＹ移動鏡３８
ＹのＹ方向の相対位置を検出することにより、ウエハス
テージ２２のＹ座標を計測するようになっている。ここ
で、参照ビームＲＢ４は測定ビームＳＢ４より距離ｈだ
け上方の光路を通る。
Ｙ固定鏡４４Ｙ及びＹ移動鏡３８Ｙに向けて第４測長軸
ＩＢＹ２の干渉計ビーム、すなわちＹ軸方向の参照ビー
ムＲＢ４及び測定ビームＳＢ４が投射され、レーザ干渉
計４０Ｙ2 ではこれらのビームＲＢ４、ＳＢ４の第２の
Ｙ固定鏡４４Ｙ、Ｙ移動鏡３８Ｙからの反射光を受光
し、これらの干渉光を光電変換して得られる干渉信号に
基づいて、第２のＹ固定鏡４４Ｙに対するＹ移動鏡３８
ＹのＹ方向の相対位置を検出することにより、ウエハス
テージ２２のＹ座標を計測するようになっている。ここ
で、参照ビームＲＢ４は測定ビームＳＢ４より距離ｈだ
け上方の光路を通る。
【００３３】この場合において、第３測長軸ＩＢＸ２の
参照ビームＲＢ３、第４測長軸ＩＢＹ２の参照ビームＲ
Ｂ４がともに投影光学系ＰＬによって蹴られることな
く、第２のＸ固定鏡４４Ｘ、第２のＹ固定鏡４４Ｙに到
達するための条件は、投影光学系ＰＬの下部（小径部）
の半径をｒ1 、参照ビームＲＢ３、ＲＢ４の半径をｒ3
とした場合に、投影光学系ＰＬとアライメント顕微鏡２
８との中心間距離Ｌが次式（１）を満足する必要があ
る。
参照ビームＲＢ３、第４測長軸ＩＢＹ２の参照ビームＲ
Ｂ４がともに投影光学系ＰＬによって蹴られることな
く、第２のＸ固定鏡４４Ｘ、第２のＹ固定鏡４４Ｙに到
達するための条件は、投影光学系ＰＬの下部（小径部）
の半径をｒ1 、参照ビームＲＢ３、ＲＢ４の半径をｒ3
とした場合に、投影光学系ＰＬとアライメント顕微鏡２
８との中心間距離Ｌが次式（１）を満足する必要があ
る。
【００３４】 Ｌ＞√２・（ｒ1 ＋ｒ3 ） ……（１） 但し、アライメント顕微鏡２８の半径ｒ2 がｒ2 ＞（Ｌ
−ｒ1 ）を満足する程大きい場合には、次式（２）を満
足すれば良い。
−ｒ1 ）を満足する程大きい場合には、次式（２）を満
足すれば良い。
【００３５】 Ｌ＞ｒ1 ＋ｒ2 ……（２） 本実施形態では、上記（１）式を満足している。
【００３６】次に、上述のようにして構成された本実施
形態に係る投影露光装置１０における露光の際の動作に
ついて、簡単に説明する。
形態に係る投影露光装置１０における露光の際の動作に
ついて、簡単に説明する。
【００３７】まず、不図示のウエハローダにより図１、
図２に示されるウエハホルダ３６上に今回の露光対象で
あるウエハＷのロードが行われる。ウエハＷの各ショッ
ト領域にはそれぞれ、前層（レイヤ）の露光により既に
回路パターンが形成されている。更に、ウエハＷ上の各
ショット領域にはアライメントマークも形成されてい
る。また、不図示のレチクルアライメント顕微鏡による
レチクルＲのアライメントが終了しており、不図示のレ
チクル干渉計によって規定される直交座標に対するレチ
クルＲのＸ，Ｙ，回転方向のずれ量はほぼ零となってい
る。
図２に示されるウエハホルダ３６上に今回の露光対象で
あるウエハＷのロードが行われる。ウエハＷの各ショッ
ト領域にはそれぞれ、前層（レイヤ）の露光により既に
回路パターンが形成されている。更に、ウエハＷ上の各
ショット領域にはアライメントマークも形成されてい
る。また、不図示のレチクルアライメント顕微鏡による
レチクルＲのアライメントが終了しており、不図示のレ
チクル干渉計によって規定される直交座標に対するレチ
クルＲのＸ，Ｙ，回転方向のずれ量はほぼ零となってい
る。
【００３８】次に、主制御系３２ではウエハＷの原点設
定（プリアライメント）を行う。その後、特開昭６１４
４４２９号公報に詳細に開示されるような、ＥＧＡ（エ
ンハンスト・グローバルアライメント）計測を行うが、
それに先立って主制御系３２ではベースライン計測を行
う。
定（プリアライメント）を行う。その後、特開昭６１４
４４２９号公報に詳細に開示されるような、ＥＧＡ（エ
ンハンスト・グローバルアライメント）計測を行うが、
それに先立って主制御系３２ではベースライン計測を行
う。
【００３９】すなわち、主制御系３２では、基準板ＦＰ
の表面に形成されたベースライン計測用の基準マークが
投影光学系ＰＬの光軸ＡＸの下に位置するように駆動装
置２４を介してウエハステージ２２を移動させる。この
移動は、不図示の一対のレチクルアライメント顕微鏡に
よりレチクルＲ上の一対のレチクルマークとこれらに対
応する基準板ＦＰ上の一対の基準マークの投影像とを同
時に観察できる位置までウエハステージを移動し、その
位置ずれがそれぞれ最小となるようにウエハステージ２
２を微小移動させることにより行われる。前記ベースラ
イン計測用の基準マークは、基準板ＦＰ上の上記一対の
基準マークの中心の位置に設けられているので、結果的
に、基準板ＦＰの表面に形成されたベースライン計測用
の基準マークが投影光学系ＰＬの光軸ＡＸの直下に位置
決めされたことになる。このとき干渉計システム４０を
構成する４つのレーザ干渉計４０Ｘ1 、４０Ｘ2 、４０
Ｙ1 、４０Ｙ2 の計測値は、主制御系３２の不図示の内
部メモリに記憶される。ここで、投影光学系ＰＬの光軸
中心で直交する第１測長軸ＩＢＸ１のレーザ干渉計４０
Ｘ1 、第２測長軸ＩＢＹ１のレーザ干渉計４０Ｙ1 のみ
ならず、アライメント顕微鏡２８の中心で直交する第３
測長軸ＩＢＸ２のレーザ干渉計４０Ｘ2 、第４測長軸Ｉ
ＢＹ２のレーザ干渉計４０Ｙ2 の計測値をもメモリに取
り込むのは、レーザ干渉計４０Ｘ1 、４０Ｙ1 の計測値
とレーザ干渉計４０Ｘ2 、４０Ｙ2 の計測値との関係を
把握することにより、レーザ干渉計４０Ｘ1 及びレーザ
干渉計４０Ｙ1 の組み、レーザ干渉計４０Ｘ2 、４０Ｙ
2 の組みのいずれを用いてもウエハステージ２２を所望
の位置に移動させることができるようにするためであ
る。
の表面に形成されたベースライン計測用の基準マークが
投影光学系ＰＬの光軸ＡＸの下に位置するように駆動装
置２４を介してウエハステージ２２を移動させる。この
移動は、不図示の一対のレチクルアライメント顕微鏡に
よりレチクルＲ上の一対のレチクルマークとこれらに対
応する基準板ＦＰ上の一対の基準マークの投影像とを同
時に観察できる位置までウエハステージを移動し、その
位置ずれがそれぞれ最小となるようにウエハステージ２
２を微小移動させることにより行われる。前記ベースラ
イン計測用の基準マークは、基準板ＦＰ上の上記一対の
基準マークの中心の位置に設けられているので、結果的
に、基準板ＦＰの表面に形成されたベースライン計測用
の基準マークが投影光学系ＰＬの光軸ＡＸの直下に位置
決めされたことになる。このとき干渉計システム４０を
構成する４つのレーザ干渉計４０Ｘ1 、４０Ｘ2 、４０
Ｙ1 、４０Ｙ2 の計測値は、主制御系３２の不図示の内
部メモリに記憶される。ここで、投影光学系ＰＬの光軸
中心で直交する第１測長軸ＩＢＸ１のレーザ干渉計４０
Ｘ1 、第２測長軸ＩＢＹ１のレーザ干渉計４０Ｙ1 のみ
ならず、アライメント顕微鏡２８の中心で直交する第３
測長軸ＩＢＸ２のレーザ干渉計４０Ｘ2 、第４測長軸Ｉ
ＢＹ２のレーザ干渉計４０Ｙ2 の計測値をもメモリに取
り込むのは、レーザ干渉計４０Ｘ1 、４０Ｙ1 の計測値
とレーザ干渉計４０Ｘ2 、４０Ｙ2 の計測値との関係を
把握することにより、レーザ干渉計４０Ｘ1 及びレーザ
干渉計４０Ｙ1 の組み、レーザ干渉計４０Ｘ2 、４０Ｙ
2 の組みのいずれを用いてもウエハステージ２２を所望
の位置に移動させることができるようにするためであ
る。
【００４０】次に、主制御系３２は、基準板ＦＰ上の上
記ベースライン計測用の基準マークがアライメント顕微
鏡２８の下に位置するように駆動装置２４を介してウエ
ハステージ２２を移動させる。このウエハステージ２２
の移動は、投影光学系ＰＬの光軸位置とアライメント顕
微鏡２８の中心との既知の位置関係（設計値）に基づい
て距離Ｌだけ、例えばレーザ干渉計４０Ｘ1 及びレーザ
干渉計４０Ｙ1 の組みの計測値をモニタしつつ行われ
る。そして、このときのアライメント顕微鏡２８の出力
（アライメント顕微鏡２８の指標中心に対するベースラ
イン計測用の基準マークの位置ずれ量）とレーザ干渉計
４０Ｘ1 、４０Ｙ1 又は（４０Ｘ2 、４０Ｙ2 ）の計測
値とが主制御系３２の内部メモリに記憶されてベースラ
イン計測（投影光学系ＰＬの光軸ＡＸとアライメント顕
微鏡２８の検出中心との距離であるベースライン長さの
計測）が行われる。このベースライン長さは、上記投影
光学系ＰＬの光軸位置とアライメント顕微鏡２８の中心
との既知の位置関係（設計値）とアライメント顕微鏡２
８の出力との和に基づいて求められる。
記ベースライン計測用の基準マークがアライメント顕微
鏡２８の下に位置するように駆動装置２４を介してウエ
ハステージ２２を移動させる。このウエハステージ２２
の移動は、投影光学系ＰＬの光軸位置とアライメント顕
微鏡２８の中心との既知の位置関係（設計値）に基づい
て距離Ｌだけ、例えばレーザ干渉計４０Ｘ1 及びレーザ
干渉計４０Ｙ1 の組みの計測値をモニタしつつ行われ
る。そして、このときのアライメント顕微鏡２８の出力
（アライメント顕微鏡２８の指標中心に対するベースラ
イン計測用の基準マークの位置ずれ量）とレーザ干渉計
４０Ｘ1 、４０Ｙ1 又は（４０Ｘ2 、４０Ｙ2 ）の計測
値とが主制御系３２の内部メモリに記憶されてベースラ
イン計測（投影光学系ＰＬの光軸ＡＸとアライメント顕
微鏡２８の検出中心との距離であるベースライン長さの
計測）が行われる。このベースライン長さは、上記投影
光学系ＰＬの光軸位置とアライメント顕微鏡２８の中心
との既知の位置関係（設計値）とアライメント顕微鏡２
８の出力との和に基づいて求められる。
【００４１】上記のベースライン計測が終了すると、主
制御系３２では、ウエハステージ２２をレーザ干渉計４
０Ｘ2 、４０Ｙ2 の計測値をモニタしつつＸＹ２次元駆
動して、所定のＥＧＡショット（サンプルショット）内
のアライメントマーク位置をアライメント顕微鏡２８の
検出領域に順次位置決めして、各位置決め時のレーザ干
渉計４０Ｘ2 、４０Ｙ2 の計測値とアライメント顕微鏡
２８の検出値とに基づいて各アライメントマークの座標
値を実測する。ここで、このアライメントマークの座標
値を計測する際に、レーザ干渉計４０Ｘ2 、４０Ｙ2 の
計測値を用いるのは、いわゆるアッベ誤差が生じないよ
うにするためである。
制御系３２では、ウエハステージ２２をレーザ干渉計４
０Ｘ2 、４０Ｙ2 の計測値をモニタしつつＸＹ２次元駆
動して、所定のＥＧＡショット（サンプルショット）内
のアライメントマーク位置をアライメント顕微鏡２８の
検出領域に順次位置決めして、各位置決め時のレーザ干
渉計４０Ｘ2 、４０Ｙ2 の計測値とアライメント顕微鏡
２８の検出値とに基づいて各アライメントマークの座標
値を実測する。ここで、このアライメントマークの座標
値を計測する際に、レーザ干渉計４０Ｘ2 、４０Ｙ2 の
計測値を用いるのは、いわゆるアッベ誤差が生じないよ
うにするためである。
【００４２】そして、上記のサンプルショットのアライ
メントマーク位置の実測が終了すると、主制御系３２で
は、この計測結果と、上記サンプルショットの設計上の
配列データとに基づいて最小自乗法による統計演算（Ｅ
ＧＡ演算）を行って、ウエハＷ上の各ショット領域の配
列を求める。
メントマーク位置の実測が終了すると、主制御系３２で
は、この計測結果と、上記サンプルショットの設計上の
配列データとに基づいて最小自乗法による統計演算（Ｅ
ＧＡ演算）を行って、ウエハＷ上の各ショット領域の配
列を求める。
【００４３】そして、主制御系３２では、上記計算によ
り得られたショット領域の配列座標及び予め求めてある
ベースライン長さに基づいて、ウエハＷ上の各ショット
領域を順次投影光学系ＰＬの露光フィールド内の所定の
位置に位置決めしつつ、当該ショット領域に対してレチ
クルＲのパターンを順次投影露光する。この露光時の各
ショット領域の露光位置への位置決めは、アッベ誤差の
影響が生じないように、レーザ干渉計４０Ｘ1 、４０Ｙ
1 の計測値に基づいて行われるが、主制御系ではこの際
にも残りのレーザ干渉計４０Ｘ2 、４０Ｙ2 の計測値を
もモニタしている。
り得られたショット領域の配列座標及び予め求めてある
ベースライン長さに基づいて、ウエハＷ上の各ショット
領域を順次投影光学系ＰＬの露光フィールド内の所定の
位置に位置決めしつつ、当該ショット領域に対してレチ
クルＲのパターンを順次投影露光する。この露光時の各
ショット領域の露光位置への位置決めは、アッベ誤差の
影響が生じないように、レーザ干渉計４０Ｘ1 、４０Ｙ
1 の計測値に基づいて行われるが、主制御系ではこの際
にも残りのレーザ干渉計４０Ｘ2 、４０Ｙ2 の計測値を
もモニタしている。
【００４４】そして、ウエハＷ上の全てのショット領域
への露光が終了した後に、ウエハＷの現像等の処理が行
われる。この場合において、１ウエハＷの露光が行われ
る間に、投影光学系ＰＬ等の熱膨張により先に求めたベ
ースライン長さが変動しても、主制御系３２では露光中
も４つのレーザ干渉計の計測値をモニタしており、これ
らの計測値から上記のベースライン長さの変動を常時検
出することができるので、結果的にウエハＷ上の各ショ
ット領域を正確に露光位置へ位置決めすることができ
る。従って、ウエハＷとレチクルＲとの位置合わせ（ア
ライメント）に要求される精度が厳しくなり、例えば２
０ｎｍ程度になってもベースライン長さの変動に起因し
てアライメント精度が許容できないレベルまで悪化する
ことはない。
への露光が終了した後に、ウエハＷの現像等の処理が行
われる。この場合において、１ウエハＷの露光が行われ
る間に、投影光学系ＰＬ等の熱膨張により先に求めたベ
ースライン長さが変動しても、主制御系３２では露光中
も４つのレーザ干渉計の計測値をモニタしており、これ
らの計測値から上記のベースライン長さの変動を常時検
出することができるので、結果的にウエハＷ上の各ショ
ット領域を正確に露光位置へ位置決めすることができ
る。従って、ウエハＷとレチクルＲとの位置合わせ（ア
ライメント）に要求される精度が厳しくなり、例えば２
０ｎｍ程度になってもベースライン長さの変動に起因し
てアライメント精度が許容できないレベルまで悪化する
ことはない。
【００４５】以上説明したように、本実施形態の投影露
光装置１０によると、投影光学系ＰＬに固定された第１
のＸ固定鏡４２Ｘ、第１のＹ固定鏡４２Ｙとウエハステ
ージ２２上のＸ移動鏡３８Ｘ、Ｙ移動鏡３８Ｙとの相対
距離のみでなく、アライメント顕微鏡２８に固定された
第２のＸ固定鏡４４Ｘ、第２のＹ固定鏡４４Ｙとウエハ
ステージ２２上のＸ移動鏡３８Ｘ、Ｙ移動鏡３８Ｙとの
相対距離をも常時計測することができるので、投影光学
系ＰＬ及びアライメント顕微鏡２８の鏡筒及び支持部材
４６等の熱膨張等に起因して、露光中にベースライン長
さ（投影光学系ＰＬの光軸中心とアライメント顕微鏡２
８の中心との距離）が変動しても、これに影響されるこ
となく、ウエハＷ上の各ショット領域を露光位置へ正確
に位置決めした状態で露光が行われ、これにより高精度
な露光が可能になる。
光装置１０によると、投影光学系ＰＬに固定された第１
のＸ固定鏡４２Ｘ、第１のＹ固定鏡４２Ｙとウエハステ
ージ２２上のＸ移動鏡３８Ｘ、Ｙ移動鏡３８Ｙとの相対
距離のみでなく、アライメント顕微鏡２８に固定された
第２のＸ固定鏡４４Ｘ、第２のＹ固定鏡４４Ｙとウエハ
ステージ２２上のＸ移動鏡３８Ｘ、Ｙ移動鏡３８Ｙとの
相対距離をも常時計測することができるので、投影光学
系ＰＬ及びアライメント顕微鏡２８の鏡筒及び支持部材
４６等の熱膨張等に起因して、露光中にベースライン長
さ（投影光学系ＰＬの光軸中心とアライメント顕微鏡２
８の中心との距離）が変動しても、これに影響されるこ
となく、ウエハＷ上の各ショット領域を露光位置へ正確
に位置決めした状態で露光が行われ、これにより高精度
な露光が可能になる。
【００４６】なお、上記実施形態では、投影光学系ＰＬ
の光軸中心とアライメント顕微鏡２８の中心とを結ぶ直
線がレーザ干渉計４０Ｙ1 、４０Ｙ2 の計測方向である
Ｙ軸に対して成す角θが２２５度である場合について説
明したが、これは角θが４５度の奇数倍である場合に投
影光学系ＰＬとアライメント顕微鏡２８との中心間距離
Ｌを最小にすることができるからである。但し、この角
θは０度又は９０度の整数倍で無ければ何度でも良い。
上記実施形態の如く、干渉計システム４０の第３測長軸
ＩＢＸ２及び第４測長軸ＩＢＹ２の干渉計ビーム（参照
ビームＲＢ３、ＲＢ４）が投影光学系ＰＬより遠方に位
置する第２のＸ固定鏡４４Ｘ及び第２のＹ固定鏡４４Ｙ
に投射される場合には、干渉計ビームが投影光学系ＰＬ
に蹴られることなく、第２のＸ固定鏡４４Ｘ及び第２の
Ｙ固定鏡４４Ｙに投射されるためには、投影光学系ＰＬ
とアライメント光学系２８との中心間距離Ｌが、次の関
係を満足する必要がある。 Ｌ＞MAX［(ｒ1+ｒ2)，MAX｛(ｒ1+ｒ3)/｜cosθ｜，(ｒ1
+ｒ3)/｜sinθ｜｝］
の光軸中心とアライメント顕微鏡２８の中心とを結ぶ直
線がレーザ干渉計４０Ｙ1 、４０Ｙ2 の計測方向である
Ｙ軸に対して成す角θが２２５度である場合について説
明したが、これは角θが４５度の奇数倍である場合に投
影光学系ＰＬとアライメント顕微鏡２８との中心間距離
Ｌを最小にすることができるからである。但し、この角
θは０度又は９０度の整数倍で無ければ何度でも良い。
上記実施形態の如く、干渉計システム４０の第３測長軸
ＩＢＸ２及び第４測長軸ＩＢＹ２の干渉計ビーム（参照
ビームＲＢ３、ＲＢ４）が投影光学系ＰＬより遠方に位
置する第２のＸ固定鏡４４Ｘ及び第２のＹ固定鏡４４Ｙ
に投射される場合には、干渉計ビームが投影光学系ＰＬ
に蹴られることなく、第２のＸ固定鏡４４Ｘ及び第２の
Ｙ固定鏡４４Ｙに投射されるためには、投影光学系ＰＬ
とアライメント光学系２８との中心間距離Ｌが、次の関
係を満足する必要がある。 Ｌ＞MAX［(ｒ1+ｒ2)，MAX｛(ｒ1+ｒ3)/｜cosθ｜，(ｒ1
+ｒ3)/｜sinθ｜｝］
【００４７】なお、上記実施形態においては、干渉計シ
ステム４０の第３測長軸ＩＢＸ２及び第４測長軸ＩＢＹ
２の干渉計ビームが投影光学系ＰＬより遠方に位置する
第２のＸ固定鏡４４Ｘ及び第２のＹ固定鏡４４Ｙに投射
される場合について説明したが本発明がこれに限定され
るものではない。例えば、図４に示されるように、干渉
計システム４０の第３測長軸ＩＢＸ２及び第４測長軸Ｉ
ＢＹ２の参照ビームＲＢ３、ＲＢ４が、アライメント顕
微鏡２８の手前側から第２のＸ固定鏡４４Ｘ及び第２の
Ｙ固定鏡４４Ｙに投射されるようにしても良い。この図
４の場合には、投影光学系ＰＬの小径部の半径ｒ1 、ア
ライメント顕微鏡２８の半径ｒ2 、干渉計ビームの半径
ｒ3 の如何にかかわらず、干渉計システムの第１〜第４
の測長軸の干渉計ビームを投影光学系ＰＬ、アライメン
ト顕微鏡２８に蹴られることなく第１のＸ固定鏡４２
Ｘ、第１のＹ固定鏡４２Ｙ、第２のＸ固定鏡４４Ｘ、第
２のＹ固定鏡４４Ｙにそれぞれ到達させることができ
る。従って、この場合には、投影光学系ＰＬに接した状
態でアライメント顕微鏡２８を取り付けても良い。この
ようにすれば、投影光学系ＰＬとアライメント顕微鏡２
８との中心間距離Ｌを上記実施形態の場合に比べても一
層短くすることができる。
ステム４０の第３測長軸ＩＢＸ２及び第４測長軸ＩＢＹ
２の干渉計ビームが投影光学系ＰＬより遠方に位置する
第２のＸ固定鏡４４Ｘ及び第２のＹ固定鏡４４Ｙに投射
される場合について説明したが本発明がこれに限定され
るものではない。例えば、図４に示されるように、干渉
計システム４０の第３測長軸ＩＢＸ２及び第４測長軸Ｉ
ＢＹ２の参照ビームＲＢ３、ＲＢ４が、アライメント顕
微鏡２８の手前側から第２のＸ固定鏡４４Ｘ及び第２の
Ｙ固定鏡４４Ｙに投射されるようにしても良い。この図
４の場合には、投影光学系ＰＬの小径部の半径ｒ1 、ア
ライメント顕微鏡２８の半径ｒ2 、干渉計ビームの半径
ｒ3 の如何にかかわらず、干渉計システムの第１〜第４
の測長軸の干渉計ビームを投影光学系ＰＬ、アライメン
ト顕微鏡２８に蹴られることなく第１のＸ固定鏡４２
Ｘ、第１のＹ固定鏡４２Ｙ、第２のＸ固定鏡４４Ｘ、第
２のＹ固定鏡４４Ｙにそれぞれ到達させることができ
る。従って、この場合には、投影光学系ＰＬに接した状
態でアライメント顕微鏡２８を取り付けても良い。この
ようにすれば、投影光学系ＰＬとアライメント顕微鏡２
８との中心間距離Ｌを上記実施形態の場合に比べても一
層短くすることができる。
【００４８】なお、上記実施形態では、ウエハステージ
２２上に別にＸ移動鏡３８ＸとＹ移動鏡３８Ｙとを設け
た場合について説明したが、これに限らず、ウエハステ
ージ２２のＸ方向一側、Ｙ方向一側の側面を鏡面加工し
て反射面をそれぞれ形成し、これらの反射面をＸ移動
鏡、Ｙ移動鏡としても良いことは勿論である。
２２上に別にＸ移動鏡３８ＸとＹ移動鏡３８Ｙとを設け
た場合について説明したが、これに限らず、ウエハステ
ージ２２のＸ方向一側、Ｙ方向一側の側面を鏡面加工し
て反射面をそれぞれ形成し、これらの反射面をＸ移動
鏡、Ｙ移動鏡としても良いことは勿論である。
【００４９】
【発明の効果】以上説明したように、請求項１ないし３
に記載の発明によれば、投影光学系とアライメント光学
系との位置関係を高精度に管理することができ、ひいて
は投影光学系とアライメント光学系との中心間距離であ
るベースライン長さを高精度に管理することができると
いう従来にない優れた効果がある。
に記載の発明によれば、投影光学系とアライメント光学
系との位置関係を高精度に管理することができ、ひいて
は投影光学系とアライメント光学系との中心間距離であ
るベースライン長さを高精度に管理することができると
いう従来にない優れた効果がある。
【図１】一実施形態に係る投影露光装置の概略構成を示
す図である。
す図である。
【図２】図１の装置の概略斜視図である。
【図３】図１のＡ−Ａ線に沿った平面図である。
【図４】上記実施形態の変形例を示す図である。
１０ 投影露光装置 ２２ ウエハステージ（基板ステージ） ２８ アライメント顕微鏡（アライメント光学系） ３８Ｘ Ｘ移動鏡 ３８Ｙ Ｙ移動鏡 ４０ 干渉計システム ４０Ｘ1 ，４０Ｙ1 ，４０Ｘ2 ，４０Ｙ2 レーザ干渉
計 ４２Ｘ 第１のＸ固定鏡 ４２Ｙ 第１のＹ固定鏡 ４４Ｘ 第２のＸ固定鏡 ４４Ｙ 第２のＹ固定鏡 Ｒ レチクル（マスク） ＰＬ 投影光学系 Ｗ ウエハ（基板） ＩＢＸ１ 第１測長軸 ＩＢＹ１ 第２測長軸 ＩＢＸ２ 第３測長軸 ＩＢＹ２ 第４測長軸
計 ４２Ｘ 第１のＸ固定鏡 ４２Ｙ 第１のＹ固定鏡 ４４Ｘ 第２のＸ固定鏡 ４４Ｙ 第２のＹ固定鏡 Ｒ レチクル（マスク） ＰＬ 投影光学系 Ｗ ウエハ（基板） ＩＢＸ１ 第１測長軸 ＩＢＹ１ 第２測長軸 ＩＢＸ２ 第３測長軸 ＩＢＹ２ 第４測長軸
Claims (3)
- 【請求項１】 マスクに形成されたパターンを投影光学
系を介して基板上に露光する投影露光装置であって、 前記基板を保持してＸＹ２次元移動する基板ステージ
と；前記投影光学系を介さずに前記基板上に形成された
位置合せ用マークを検出するためのアライメント光学系
と；前記投影光学系に固定された第１のＸ固定鏡及び第
１のＹ固定鏡と；前記アライメント光学系に固定された
第２のＸ固定鏡及び第２のＹ固定鏡と；前記第１のＸ固
定鏡及び第１のＹ固定鏡と前記基板ステージに設けられ
たＸ移動鏡及びＹ移動鏡とを介して前記基板ステージの
前記投影光学系に対するＸＹ２次元方向の相対位置を測
定する第１測長軸及び第２測長軸と、前記第２のＸ固定
鏡及び第２のＹ固定鏡と前記Ｘ移動鏡及びＹ移動鏡とを
介して前記基板ステージの前記アライメント光学系に対
するＸＹ２次元方向の相対位置を測定する第３測長軸及
び第４測長軸とを備えた干渉計システムとを有する投影
露光装置。 - 【請求項２】 前記干渉計システムの前記第３測長軸及
び第４測長軸の干渉計ビームが前記投影光学系より遠方
に位置する前記第２のＸ固定鏡及び第２のＹ固定鏡に投
射される場合に、前記投影光学系とアライメント光学系
との中心間距離Ｌが、 前記投影光学系の半径をｒ1 、前記アライメント光学系
の半径をｒ2 、前記第３及び第４測長軸の干渉計ビーム
の半径をｒ3 、前記ＸＹいずれかの軸と前記投影光学系
の中心とアライメント光学系の中心とを結ぶ直線とが成
す角をθとして、 Ｌ＞MAX［(ｒ1+ｒ2)，MAX｛(ｒ1+ｒ3)/｜cosθ｜，(ｒ1
+ｒ3)/｜sinθ｜｝］ の関係を満足することを特徴とする請求項１に記載の投
影露光装置。 - 【請求項３】 前記角θが４５度の奇数倍であることを
特徴とする請求項２に記載の投影露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9155840A JPH10335234A (ja) | 1997-05-29 | 1997-05-29 | 投影露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9155840A JPH10335234A (ja) | 1997-05-29 | 1997-05-29 | 投影露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10335234A true JPH10335234A (ja) | 1998-12-18 |
Family
ID=15614653
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9155840A Pending JPH10335234A (ja) | 1997-05-29 | 1997-05-29 | 投影露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10335234A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002058128A1 (fr) * | 2001-01-19 | 2002-07-25 | Tokyo Electron Limited | Procede et dispositif pour le traitement d'un substrat |
| SG107671A1 (en) * | 2002-09-06 | 2004-12-29 | Asml Holding Nv | Reticle focus measurement system and method using multiple interferometric beams |
| EP1655637A1 (en) * | 2004-11-04 | 2006-05-10 | Seiko Epson Corporation | Projector |
| JP2006222206A (ja) * | 2005-02-09 | 2006-08-24 | Canon Inc | 位置決め装置 |
| KR100641504B1 (ko) * | 2002-04-18 | 2006-10-31 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 레티클 스테이지의 레벨링 장치 |
-
1997
- 1997-05-29 JP JP9155840A patent/JPH10335234A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002058128A1 (fr) * | 2001-01-19 | 2002-07-25 | Tokyo Electron Limited | Procede et dispositif pour le traitement d'un substrat |
| KR100641504B1 (ko) * | 2002-04-18 | 2006-10-31 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 레티클 스테이지의 레벨링 장치 |
| SG107671A1 (en) * | 2002-09-06 | 2004-12-29 | Asml Holding Nv | Reticle focus measurement system and method using multiple interferometric beams |
| EP1655637A1 (en) * | 2004-11-04 | 2006-05-10 | Seiko Epson Corporation | Projector |
| US7354161B2 (en) | 2004-11-04 | 2008-04-08 | Seiko Epson Corporation | Projector |
| JP2006222206A (ja) * | 2005-02-09 | 2006-08-24 | Canon Inc | 位置決め装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040528 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060116 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060120 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20060530 |