JPH10310574A - 新規アミノ化合物、その製造方法および用途 - Google Patents
新規アミノ化合物、その製造方法および用途Info
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- JPH10310574A JPH10310574A JP9119167A JP11916797A JPH10310574A JP H10310574 A JPH10310574 A JP H10310574A JP 9119167 A JP9119167 A JP 9119167A JP 11916797 A JP11916797 A JP 11916797A JP H10310574 A JPH10310574 A JP H10310574A
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Abstract
ス素子に利用可能な新規アミノ化合物を提供すること。 【解決手段】 下記一般式(I)で表わされるアミノ化合
物; 【化1】 (式中、Ar1、Ar2、Ar4およびAr5はそれぞれ独
立して、置換基を有していてもよいアリール基または複
素環基を表し、Ar1とAr2およびAr4とAr5は窒素
原子とともに環を形成する残基であってもよい;Ar3
は置換基を有していてもよい、アリーレン基または2価
の複素環基を表す;Zはベンゼン環および窒素原子とと
もに環を形成する残基を表す)。
Description
び/または光導電性機能を有する新規なアミノ化合物、
その製造方法に関し、さらにそのアミノ化合物の特性を
利用した有機エレクトロルミネセンス素子や電子写真感
光体を提供する。
る有機材料は、低コスト、多様な加工性、無公害等の多
くの利点があるため、種々の化合物、例えば、オキサジ
アゾール化合物、ヒドラゾン化合物、ピラゾリン化合
物、オキサゾール化合物、アリールアミン化合物、ベン
ジジン化合物、スチルベン化合物、ブタジエン化合物な
どが提案されている。
として電子写真感光体や有機エレクトロルミネセンス素
子がある。
た画像形成法の一つである。この方式は、コロナ放電に
より感光体を帯電した後、像露光して感光体上に静電潜
像を形成させ、該静電潜像上にトナーを付着させて現像
し、得られたトナー像を紙に転写することからなる。
要求される基本的な特性としては、暗所において適当な
電位が保持されること、暗所における電荷の散逸が少な
いこと、光照射により速やかに電荷を散逸することなど
が挙げられる。
合金、酸化亜鉛、硫化カドミウムなどの無機光導電体が
使用されてきた。これらの無機光導電体は、耐久性が高
く、耐刷枚数が多いなどの利点を有しているが、製造コ
ストが高い、加工性に劣る、毒性を有するなどの問題点
が指摘されている。
体の開発が行われているが、従来までの有機光導電体を
電荷輸送材料に用いた電子写真感光体は、帯電性、感度
および残留電位などの電子写真特性が、必ずしも満足さ
れているものとは言えないのが現状であり、優れた電荷
輸送能力を有し、耐久性のある電荷輸送材料の開発が望
まれている。
技術として、有機エレクトロルミネセンス素子が挙げら
れる。有機化合物を使用したエレクトロルミネセンス素
子は、固体発光型の安価な大面積フルカラー表示素子と
しての用途が有望視され、多くの研究が行われている。
発光層および該発光層をはさんだ一対の対向電極から構
成されている。発光は、両電極間に電界が印加される
と、陰極から電子が注入され、陽極から正孔が注入され
る。さらに、この電子と正孔が発光層において再結合
し、エネルギー準位が伝導帯から価電子帯に戻る際にエ
ネルギーを光として放出する現象である。
は、無機エレクトロルミネセンス素子に比べて駆動電圧
が高く、発光輝度や発光効率も低かった。また特性劣化
も著しく実用化には至らなかった。
蛍光量子効率を持った有機化合物を含有した薄膜を積層
した有機エレクトロルミネセンス素子が報告され、関心
を集めている(アプライド・フィジックス・レターズ、
51巻、913ページ、1987年参照)。
層、アミン系化合物を正孔注入層に使用して、高輝度の
緑色発光を得ており、6〜7Vの直流電圧で輝度は数1
00cd/m2、最大発光効率は1.5lm/Wを達成
して、実用領域に近い性能を持っている。
ルミネセンス素子は、構成の改善により発光強度は改良
されてきてはいるが、未だ充分な発光輝度は有していな
い。また、繰り返し使用時の安定性に劣るという大きな
問題点を持っている。従って、より大きな発光輝度を持
ち、繰り返し使用時での安定性に優れた有機エレクトロ
ルミネセンス素子の開発のために、優れた電荷輸送能を
有し、耐久性のある電荷輸送材料の開発が望まれてい
る。
事情に鑑みてなされたもので、その目的とするところ
は、耐久性のある電荷輸送材料として有用な新規有機化
合物を提供することにある。
造方法を提供することを目的とする。
用した有機感光体および有機エレクトロルミネセンス素
子を提供することを目的とする。
一般式(I)で表わされる新規アミノ化合物;
立して、置換基を有していてもよいアリール基または複
素環基を表し、Ar1とAr2およびAr4とAr5は窒素
原子とともに環を形成する残基であってもよい;Ar3
は置換基を有していてもよい、アリーレン基または2価
の複素環基を表す;Zはベンゼン環および窒素原子とと
もに環を形成する残基を表す)およびその製造方法、な
らびにその化合物を使用した電子写真感光体あるいはエ
レクトロルミネセンス素子に関する。
r5はそれぞれ独立して、アリール基、例えばフェニル
基あるいはジフェニレン等、または複素環基、例えばチ
エニル等を表す。それらの基は低級アルキル基、低級ア
ルコキシ基またはジ置換アミノ基等の置換基を有してい
てもよい。
素原子とともに環、例えば
て特に好ましいものはフェニル基および置換基を有する
フェニル基である。
またはジフェニレン、またはチオフェン等の2価の複素
環基を表す。それらの基は低級アルキル基等の置換基を
有していてもよい。好ましいものはフェニル基、ジフェ
ニル基である。
環、例えば;
していいてもよい。好ましいものは
は下記一般式(II)で表わされるジハロゲン化合物;
子を表す)と下記一般式(III)および(IV)で表わさ
れるアミノ化合物;
義)とを反応させることにより製造することができる。
は下記一般式(V)で表わされるジアミノ化合物;
および(VII)で表わされるハロゲン化合物;
立して置換基を有していてもよいアリール基または複素
環基を示す;Xはハロゲン原子を表す)とを反応させる
ことをにより製造することもできる。
移金属化合物触媒、溶媒の存在下、Ullmann反応
により達成することができる。
は、アルカリ金属の水酸化物、炭酸塩、炭酸水素塩、あ
るいはアルコラートなどが一般的に用いられるが、第4
級アンモニウム化合物や脂肪族アミンや芳香族アミンの
様な有機塩基を用いることも可能である。このなかでア
ルカリ金属や第4級アンモニウムの炭酸塩や炭酸水素塩
が好ましいものとして用いられる。更に、反応速度及び
熱安定性という観点からアルカリ金属の炭酸塩や炭酸水
素塩が最も好ましい。
化合物としては、例えばCu、Fe、Co、Ni、Cr、
V、Pd、Pt、Ag等の金属およびそれらの化合物が用
いられるが、収率の点から銅およびパラジウムとそれら
の化合物が好ましい。
どの銅化合物が用いられるが、ヨウ化第一銅、塩化第一
銅、酸化第一銅、臭化第一銅、シアン化第一銅、硫酸第
一銅、硫酸第二銅、塩化第二銅、水酸化第二銅、酸化第
二銅、臭化第二銅、リン酸第二銅、硝酸第一銅、硝酸第
二銅、炭酸銅、酢酸第一銅、酢酸第二銅などが好まし
い。その中でも特にCuCl、CuCl2、CuBr、CuB
r2、CuI、CuO、Cu2O、CuSO4、Cu(OCOC
H3)2は容易に入手可能である点で好適である。
物、硫酸塩、硝酸塩、有機酸塩などを用いることができ
る。
応させるハロゲン化合物の0.5〜500モル%であ
る。
れる溶媒であれば良いが、ニトロベンゼン、ジメチルホ
ルムアミド、ジメチルスルホキシド、N−メチルピロリ
ドン等の非プロトン性極性溶媒が好ましく用いられる。
〜250℃での温度で行なわれるが、加圧下に行なって
ももちろんかまわない。反応終了後、反応液中に析出し
た固形物を除去した後、溶媒を除去し生成物を得ること
ができる。
規アミノ化合物としては、具体的には以下のものが挙げ
られる。なおこれらの列挙は本発明の化合物を制限的に
提示しているものでも、またこれらに限定する意図で開
示しているものでもない。
は光導電性機能、電荷輸送機能および発光機能を有す
る。そのため本発明のアミノ化合物は有機感光体および
有機エレクトロルミネセンス素子への利用に適してい
る。まず、本発明のアミノ化合物の有機感光体への使用
について説明し、次いで有機エレクトロルミネセンス素
子への使用について説明を行うこととする。
ノ化合物は、電子写真感光体のいずれの層においても使
用できるが、高い電荷輸送特性を有することから電荷輸
送材料として使用することが望ましい。
し、光吸収により発生したもしくは電極より注入した電
荷を極めて効率よく輸送できるので、感度、高速応答性
に優れた感光体を得ることが可能である。また、該化合
物は、耐オゾン性、光安定性に優れているので、耐久性
に優れた感光体を得ることができる。
上に電荷発生材料と電荷輸送材料とを樹脂溶液に分散し
てなる感光層を形成してなる感光体、支持体上に感光層
として電荷発生層と電荷輸送層とを積層してなる感光
体、支持体上に下引層や導電層と下引層とを形成し、そ
の上に感光層を形成してなる感光体、あるいは支持体上
に下引層、感光層及び表面保護層を順次積層してなる感
光体が挙げられる。
ニッケル、ステンレス等の箔或いは板やドラム形状のに
したものが使用される。またこれらの金属を紙やプラス
チックドラム等に真空蒸着、無電解メッキしたもの、或
いは導電性ポリマー、酸化インジュウム、酸化スズ等の
導電性化合物の層を紙あるいはプラスチックドラム上に
塗布もしくは蒸着によって設けたものも使用可能であ
る。一般的にはアルミニウムが使用され、例えば、押出
し加工後、引き抜き加工を施したアルミニウムパイプを
切断し、その外表面をダイヤモンドバイト等の切削工具
を用いて約0.2〜0.3mmに切削し仕上げたもの(切
削管)や、アルミニウム円板を深絞り加工してカップ状
とした後、外表面をしごき加工によって仕上げたもの
(DI管)、アルミニウム円板をインパクト加工してカッ
プ状とした後、外表面をしごき加工によって仕上げたも
の(EI管)、押出し加工後、冷間引抜き加工したもの
(ED管)等が挙げられる。またこれらの表面をさらに切
削したものを使用してもよい。
あたっては、支持体表面を陽極酸化させて得られる酸化
皮膜を下引層として用いる。支持体がアルミ合金の場
合、アルマイト層を下引層として用いることが効果的で
ある。また、適当な樹脂を溶解させた溶液やその中に低
抵抗化合物を分散させ、この溶液や分散液を上記導電性
支持体上に塗布し、乾燥させることによっても形成され
る。この場合、下引層に用いられる材料としては、ポリ
イミド、ポリアミド、ニトロセルロース、ポリビニルブ
チラール、ポリビニルアルコール等が適当で、これらの
樹脂に低抵抗化合物を分散させてもよい。低抵抗化合物
としては、酸化錫、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化ジルコ
ニウム、フッ化マグネシウム等の金属化合物や有機顔
料、電子吸引性有機化合物、有機金属錯体等の有機化合
物が好適に用いられる。下引き層の膜厚は0.1〜5μ
m、好ましくは0.2〜3μm程度が望ましい。
して電荷発生層と電荷輸送層とを積層する場合について
説明する。
たっては、電荷発生材料を真空蒸着するか、あるいは適
当な溶媒に溶解せしめて塗布するか、顔料を適当な溶剤
もしくは必要があれば結着樹脂を溶解させた溶液中に分
散させて作製した塗布液を塗布乾燥して形成する。接着
性の点からみて、樹脂中に分散させたものが良好であ
る。電荷発生層の膜厚は0.01〜 2μm、好ましくは
0.05〜1μm程度が望ましい。また電荷発生層に使
用される結着樹脂は、電荷発生材料に対して、100重
量%以下が好ましいがこの限りではない。樹脂は2種類
以上組み合わせて使用してもよい。
は、例えば、ビスアゾ系顔料、トリアリールメタン系染
料、チアジン系染料、オキサジン系染料、キサンテン系
染料、シアニン系色素、スチリル系色素、ピリリウム系
染料、アゾ系顔料、キナクリドン系顔料、インジゴ系顔
料、ペリレン系顔料、多環キノン系顔料、ビスベンズイ
ミダゾール系顔料、インダスロン系顔料、スクアリリウ
ム系顔料、フタロシアニン系顔料等の有機系顔料及び染
料等が挙げられる。これ以外でも、光を吸収し極めて高
い確率で電荷担体を発生する材料であれば、いずれの材
料であっても使用することができるが、特にジスアゾ系
顔料やフタロシアニン顔料が好ましい。
脂としては、例えば、飽和ポリエステル樹脂、ポリアミ
ド樹脂、アクリル樹脂、エチレン−酢酸ビニル共重合
体、イオン架橋オレフィン共重合体(アイオノマー)、ス
チレン−ブタジエンブロック共重合体、ポリアリレー
ト、ポリカーボネート、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合
体、セルロースエステル、ポリイミド、スチロール樹
脂、ポリアセタール樹脂、フェノキシ樹脂等の熱可塑性
結着剤、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹
脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、キシレン樹脂、ア
ルキッド樹脂、熱硬化性アクリル樹脂等の熱硬化結着
剤、光硬化性樹脂、ポリ−N−ビニルカルバゾール、ポ
リビニルピレン、ポリビニルアントラセン等の光導電性
樹脂を使用することができる。
に、メタノール、エタノール、イソプロパノール等のア
ルコール類、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘ
キサノン等のケトン類、N,N−ジメチルホルムアミ
ド、N,N−ジメチルアセトアミド等のアミド類、ジメ
チルスルホキシド等のスルホキシド類、テトラヒドロフ
ラン、ジオキサン、エチレングリコールモノメチルエー
テル等のエーテル類、酢酸メチル、酢酸エチル等のエス
テル類、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロルエタ
ン、四塩化炭素、トリクロルエチレン等の脂肪族ハロゲ
ン化炭化水素類あるいはベンゼン、トルエン、キシレ
ン、リグロイン、モノクロルベンゼン、ジクロルベンゼ
ン等の芳香族類等の有機溶剤に分散あるいは溶解させて
調製した感光塗液を、上記の導電性支持体上に塗布し、
乾燥させて電荷発生層を設けるようにする。
上に電荷輸送材料とバインダー樹脂を含有する電荷輸送
層を設けることにより本発明の感光体が得られる。
ーボネート、ポリアリレート、飽和ポリエステル樹脂、
ポリアミド樹脂、アクリル樹脂、エチレン−酢酸ビニル
共重合体、イオン架橋オレフィン共重合体(アイオノマ
ー)、スチレン−ブタジエンブロック共重合体、塩化ビ
ニル−酢酸ビニル共重合体、セルロースエステル、ポリ
イミド、スチロール樹脂、ポリアセタール樹脂、フェノ
キシ樹脂等の熱可塑性結着剤、エポキシ樹脂、ウレタン
樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹
脂、キシレン樹脂、アルキッド樹脂、熱硬化性アクリル
樹脂等の熱硬化結着剤、光硬化性樹脂、ポリ−N−ビニ
ルカルバゾール、ポリビニルピレン、ポリビニルアント
ラセン等の光導電性樹脂を使用することができる。
あたっては、電荷輸送材料とバインダー樹脂とを適当な
溶剤に溶解させて得られる塗布溶液を、上記の電荷発生
層の上に塗布し、乾燥させる。電荷輸送層の膜厚は5〜
60μm、好ましくは10〜50μm程度が望ましい。
また、電荷輸送層中の電荷輸送材料の含有量は、その種
類により一概には規定できないが、バインダー樹脂1重
量部に対して概ね0.3〜1.5重量部、好ましくは0.
5〜1.2重量部添加することが望ましい。
般式(I)で表わされる化合物を2種類以上使用しても
よいし、他の電荷輸送材料と組み合わせて使用すること
もできる。使用される他の電荷輸送材料としては、ヒド
ラゾン化合物、ピラゾリン化合物、スチリル化合物、ト
リフェニルメタン化合物、オキサジアゾール化合物、カ
ルバゾール化合物、スチルベン化合物、エナミン化合
物、オキサゾール化合物、トリフェニルアミン化合物、
テトラフェニルベンジジン化合物、アジン化合物等の正
孔輸送材料やフルオレノン化合物、アントラキノジメタ
ン化合物、ジフェノキノン化合物、スチルベンキノン化
合物、チオピランジオキシド化合物、オキサジアゾール
化合物、ペリレンテトラカルボン酸化合物、フルオレニ
リデンメタン化合物、アントラキノン化合物、アントロ
ン化合物、シアノビニル化合物等の電子輸送材料等様々
なものを使用することができる。
としては、例えば、ベンゼン、トルエン、キシレン、ク
ロロベンゼン等の芳香族系溶媒、アセトン、メチルエチ
ルケトン、シクロヘキサノン等のケトン、メタノール、
エタノール、イソプロパノール等のアルコール、酢酸エ
チル、エチルセロソルブ等のエステル、四塩化炭素、四
臭化炭素、クロロホルム、ジクロロメタン、テトラクロ
ロエタン等のハロゲン化炭化水素、テトラヒドロフラ
ン、ジオキサン等のエーテル、ジメチルホルムアミド、
ジメチルスルホキシド、ジエチルホルムアミド等を挙げ
ることができる。これらの、溶媒は、1種単独で使用し
てもよく、あるいは、2種以上を混合溶媒として併用し
てもよい。
荷発生層の塗布は公知のものなど各種の塗布装置を用い
て行うことができる。具体的には、浸漬コーティング
法、スプレーコーティング法、スピナーコーティング
法、ブレードコーティング法、ローラーコーティング
法、ワイヤーバーコーティング法等の色々なコーティン
グ法を用いることができる。
荷輸送層中に、成膜性あるいは可撓性を向上させるため
の添加剤、残留電位の蓄積を抑制するための添加剤等の
周知の添加剤を含有させてもよい。
ン化パラフィン、ポリ塩化ビフェニル、ジメチルナフタ
レン、o−ターフェニル、m−ターフェニル、p−ター
フェニル、ジエチルビフェニル、水素化ターフェニル、
ジイソプロピルビフェニル、ベンジルビフェニル、ジイ
ソプロピルナフタレン、ジベンゾフラン、9,10−ジ
ヒドロキシフェナントレン等の可塑剤やクロラニル、テ
トラシアノキノジメタン、テトラシアノエチレン、トリ
ニトロルオレノン、ジシアノベンゾキノン、テトラクロ
ル無水フタル酸、3,5ジニトロ安息香酸、シアノビニ
ル化合物等の電子吸引性増感剤、メチルバイオレット、
ローダミンB、シアニン染料、ピリリウム塩、チアピリ
リウム塩等の増感剤が使用可能である。
の層の内部応力が低減されるため、感光層が電荷輸送層
と電荷発生層との積層により構成される場合には電荷輸
送層と電荷発生層との間の接着性が、また単層型の場合
には感光層と支持体間の接着性が改善される。しかし、
多すぎると機械的強度の低下や感度の低下等の問題が発
生するため、電荷輸送材料100重量部に対して1〜1
00重量部、好ましくは5〜80重量部、より好ましく
は10〜50重量部程度とすることが望ましい。
料100重量部に対して0.01〜20重量部、好まし
くは0.1〜10重量部、より好ましくは0.5〜8重量
部程度とすることが望ましい。
特に電荷輸送層には、オゾン劣化防止の目的で酸化防止
剤を添加してもよい。酸化防止剤としては、ヒンダード
フェノール、ヒンダードアミン、パラフェニレンジアミ
ン、ハイドロキノン、スピロクロマン、スピロインダノ
ン、ヒドロキノリンおよびこれらの誘導体、有機燐化合
物、有機硫黄化合物等が挙げられる。
向上するものの、多すぎると機械的強度の低下や感度の
低下等の問題が発生し、少なずぎると酸化防止の充分な
効果が得られない。したがって、電荷輸送材料100重
量部に対して0.1〜50重量部、好ましくは1〜30
重量部、より好ましくは3〜20重量部程度とすること
が望ましい。酸化防止剤と前記可塑剤とを併用する場合
は、添加量の総量が1〜120重量部、好ましくは5〜
100重量部、より好ましくは10〜80重量部程度と
する。可塑剤や酸化防止剤の溶解度が低い場合や融点が
高い場合は、結晶析出を招いたりそれほど接着性が向上
しなかったりするため、可塑剤や酸化防止剤の融点が1
00℃以下の化合物を用いることが好ましい。
導電層を設けたものであってもよい。導電層としては、
アルミニウム、鉄、ニッケル等の金属物を樹脂中に分散
させたものや、導電性の酸化スズ、酸化チタン、酸化ア
ンチモン、酸化ジルコニウム、ITO(インジウム、ス
ズ酸化物固溶体)等の金属酸化物を樹脂中に分散させた
ものが好適に用いられる。
面保護層を設けたものであってもよい。表面保護層の膜
厚は5μm以下が望ましい。表面保護層に用いられる材
料としては、アクリル樹脂、ポリアリール樹脂、ポリカ
ーボネート樹脂、ウレタン樹脂、熱硬化性樹脂、光硬化
性樹脂などのポリマーをそのまま、または酸化スズ、酸
化インジウムなどの低抵抗物質を分散させたものなどが
使用可能である。また、表面保護層として有機プラズマ
重合膜を使用してもよい。有機プラズマ重合膜は必要に
応じて適宜酸素、窒素、ハロゲン、周期律表の第3族、
第5族原子を含んでもよい。
機エレクトロルミネセンス素子の材料として用いた場合
について説明する。図1〜図4に有機エレクトロルミネ
センス素子を模式的に示した。
有機正孔注入輸送層(2)と有機発光層(3)および陰
極(4)が順次積層された構成をとっており、該有機正
孔注入輸送層に上記一般式(I)で表わされる本発明の
アミノ化合物を含有する。
の上に、有機正孔注入輸送層(2)と有機発光層
(3)、有機電子注入輸送層(5)および陰極(4)が
順次積層されている。該有機正孔注入輸送層または有機
発光層に上記一般式(I)で表わされる本発明のアミノ
化合物を含有する。
上に、有機発光層(3)と有機電子注入輸送層(5)お
よび陰極(4)が順次積層された構成をとっており、該
有機発光層に上記一般式(I)で表わされる本発明のア
ミノ化合物を含有する。図4において、(1)は陽極で
あり、その上に、有機発光層(3)および陰極(4)が
順次積層された構成をとっており、該有機発光層に有機
発光材料(6)と電荷輸送材料(7)が含まれており、
該電荷輸送材料に上記一般式(I)で表わされる本発明
のアミノ化合物を使用する。
(1)と陰極(4)とがリード線(8)により接続さ
れ、陽極(1)と陰極(4)に電圧を印加することによ
り有機発光層(3)が発光する。
子注入輸送層には、必要があれば公知な発光物質、発光
補助材料、キャリア輸送を行う電荷輸送材料を使用する
こともできる。
合物はイオン化ポテンシャルが小さく、ホール輸送能が
大きいため、本発明の有機エレクトロルミネセンス装置
を発光させるために必要な発光開始電圧は低くてよく、
そのために安定して長時間の発光を可能ならしめている
と考えられる。またアミノ化合物を有機発光体として用
いた場合にはアミノ化合物自体の発光体としての機能と
熱的安定性が寄与しているものと考えられる。
(1)として使用される導電性物質としては4eVより
も大きい仕事関数をもつものがよく、炭素、アルミニウ
ム、バナジウム、鉄、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛、
タングステン、銀、金、白金などおよびそれらの合金、
酸化錫、酸化インジウム、酸化アンチモン、酸化亜鉛、
酸化ジルコニウムなどの導電性金属化合物、さらにはポ
リチオフェンやポリピロール等の有機導電性樹脂が用い
られる。
よりも小さい仕事関数を持つものがよく、マグネシウ
ム、カルシウム、錫、鉛、チタニウム、イットリウム、
リチウム、ガドリニウム、イッテルビウム、ルテニウ
ム、マンガンおよびそれらの合金が用いられる。
の層構成により形成されていてもよい。
は、発光が見られるように、少なくとも陽極(1)ある
いは陰極(4)は透明電極にする必要がある。この際、
陰極に透明電極を使用すると、透明性が損なわれやすい
ので、陽極を透明電極にすることが好ましい。
上記したような導電性物質を用い、蒸着、スパッタリン
グ等の手段やゾルゲル法あるいは樹脂等に分散させて塗
布する等の手段を用いて所望の透光性と導電性が確保さ
れるように形成すればよい。
機エレクトロルミネセンス装置作製時、蒸着等による熱
に悪影響を受けず、透明なものであれば特に限定されな
いが、係るものを例示すると、ガラス基板、透明な樹
脂、例えばポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエーテ
ルサルホン、ポリエーテルエーテルケトン等を使用する
ことも可能である。ガラス基板上に透明電極が形成され
たものとしてはITO、NESA等の市販品が知られて
いるがこれらを使用してもよい。
トロルミネセンス素子の作製を例示的に説明する。ま
ず、上記した陽極(1)上に有機正孔注入輸送層(2)
を形成する。有機正孔注入輸送層(2)は、前記した一
般式(I)で表わされるアミノ化合物を蒸着して形成し
てもよいし、該アミノ化合物を溶解した溶液や適当な樹
脂とともに溶解した液をディップコートやスピンコート
して形成してもよい。
1〜500nmであり、塗布法で形成する場合は、5〜
1000nm程度に形成すればよい。
印加電圧を高くする必要があり発光効率が悪く有機エレ
クトロルミネセンス素子の劣化を招きやすい。また膜厚
が薄くなると発光効率はよくなるがブレイクダウンしや
すくなり有機エレクトロルミネセンス素子の寿命が短く
なる。
送材料と併せて使用してもよく、そのような電荷輸送材
料は発光層または、発光物質に対して優れた正孔注入効
果を有し、発光層で生成した励起子の電子注入層または
電子輸送材料への移動を防止し、かつ薄膜形成能の優れ
た化合物が挙げられる。
タロシアニン化合物、ポルフィリン化合物、オキサジア
ゾール、トリアゾール、イミダゾール、イミダゾロン、
イミダゾールチオン、ピラゾリン、ピラゾロン、テトラ
ヒドロイミダゾール、オキサゾール、オキサジアゾー
ル、ヒドラゾン、アシルヒドラゾン、ポリアリールアル
カン、スチルベン、ブタジエン、ベンジジン型トリアリ
ールアミン、ジアミン型トリアリールアミン等と、それ
らの誘導体、およびポリビニルカルバゾール、ポリシラ
ン、導電性高分子等の高分子材料等があるが、これらに
限定されるものではない。
体、発光補助材料としては、公知のものを使用可能で、
例えばエピドリジン、2,5−ビス[5,7−ジ−t−
ペンチル−2−ベンゾオキサゾリル]チオフェン、2,
2’−(1,4−フェニレンジビニレン)ビスベンゾチ
アゾール、2,2’−(4,4’−ビフェニレン)ビス
ベンゾチアゾール、5−メチル−2−{2−[4−(5
−メチル−2−ベンゾオキサゾリル)フェニル]ビニ
ル}ベンゾオキサゾール、2,5−ビス(5−メチル−
2−ベンゾオキサゾリル)チオフェン、アントラセン、
ナフタレン、フェナントレン、ピレン、クリセン、ペリ
レン、ペリノン、1,4−ジフェニルブタジエン、テト
ラフェニルブタジエン、クマリン、アクリジン、スチル
ベン、2−(4−ビフェニル)−6−フェニルベンゾオ
キサゾール、アルミニウムトリスオキシン、マグネシウ
ムビスオキシン、ビス(ベンゾ−8−キノリノール)亜
鉛、ビス(2−メチル−8−キノリノール)アルミニウ
ムオキサイド、インジウムトリスオキシン、アルミニウ
ムトリス(5−メチルオキシン)、リチウムオキシン、
ガリウムトリスオキシン、カルシウムビス(5−クロロ
オキシン)、ポリ亜鉛−ビス(8−ヒドロキシ−5−キ
ノリノリル)メタン、ジリチウムエピンドリジオン、亜
鉛ビスオキシン、1,2−フタロペリノン、1,2−ナ
フタロペリノンなどを挙げることができる。
リン染料、螢光ペリレン染料、螢光ピラン染料、螢光チ
オピラン染料、螢光ポリメチン染料、螢光メシアニン染
料、螢光イミダゾール染料等も、使用できる。このう
ち、特に、好ましいものとしては、キレート化オキシノ
イド化合物が挙げられる。
でもよいし、発光の色、発光の強度等の特性を調整する
ために、多層構成としてもよい。また、2種以上の発光
物質を混合したり発光層にドープしてもよい。
質を蒸着して形成してもよいし、該発光物質を溶解した
溶液や適当な樹脂とともに溶解した液をディップコート
やスピンコートして形成してもよい。また、一般式
(I)で表わされるアミノ化合物を発光物質または有機
発光層として用いてもよい。
1〜500nmであり、塗布法で形成する場合は、5〜
1000nm程度に形成すればよい。
印加電圧を高くする必要があり発光効率が悪く有機エレ
クトロルミネセンス素子の劣化を招きやすい。また膜厚
が薄くなると発光効率はよくなるがブレイクダウンしや
すくなり有機エレクトロルミネセンス素子の寿命が短く
なる。
形成する。
(2)、発光層(3)および、陰極(4)を順次積層し
て有機ルミネセンス装置を形成する場合について説明し
たが、陰極(4)上に発光層(3)、有機正孔注入輸送
層(2)および陽極(1)を順次積層したり、陽極
(1)上に、発光層(3)、有機電子注入輸送層(5)
および、陰極(4)を順次積層したり、陽極(1)上に
有機ホール注入輸送層(2)、発光層(3)、有機電子
注入輸送層(5)および、陰極(4)を順次積層した
り、陰極(4)上に有機電子注入輸送層(5)、発光層
(3)および、陽極(1)を順次積層したりしてももち
ろん構わない。
ニクロム線、金線、銅線、白金線等の適当なリード線
(8)を接続し、有機ルミネセンス装置は両電極に適当
な電圧(Vs)を印加することにより発光する。
子輸送材料としては、電子を輸送する能力を持ち、発光
層または発光物質に対して優れた電子注入効果を有し、
発光層で生成した励起子の正孔注入層または正孔輸送材
料への移動を防止し、かつ薄膜形成能の優れた化合物が
挙げられる。
ジメタン、ジフェノキノン、スチルベンキノン、チオピ
ランジオキシド、オキサジアゾール、ペリレンテトラカ
ルボン酸、フルオレニリデンメタン、アントラキノン、
アントロン等とそれらの誘導体があるが、これらに限定
されるものではない。
は、各種の表示装置、あるいはディスプレイ装置等に適
用可能である。
する。なお、本発明の有機エレクトロルミネセンス素子
は発光効率、発光輝度の向上と長寿命化を達成するもの
であり、併せて使用される発光物質、発光補助材料、電
荷輸送材料、増感剤、樹脂、電極材料等および素子作製
方法に限定されるものではない。
−(4−ヨードフェニル)−3−ヨードカルバゾール2
4.8g(0.05モル)、N,N−ジフェニルアミン
16.7g(0.1モル)、無水炭酸カリウム16.9
g(0.1モル)、銅粉1.27g(0.02モル)、
ニトロベンゼン100mlを混合し、還流温度下で24
時間反応させた。反応生成物をジクロルメタン200m
lで抽出し、不溶分をろ別除去後、濃縮乾固した。
体;シリカゲル、溶離液:トルエン/n−ヘキサン=1
/2で展開)して、目的のN−(4−N’,N’−ジフ
ェニルアミノ−1−フェニル)−(3−N”,N”−ジ
フェニルアミノ)−カルバゾール15.3gを得た(収
率53.0%)。融点は186〜187℃であった。得
られた化合物(1)の赤外吸収スペクトルを図5に示す。
−(4−ヨードフェニル)−3−ヨードカルバゾール2
4.8g(0.05モル)、N,N−ジ(p−トリル)
アミン16.7g(0.1モル)、無水炭酸カリウム1
6.9g(0.1モル)、銅粉1.27g(0.02モ
ル)、ニトロベンゼン100mlを混合し、還流温度下
で24時間反応させた。反応生成物をジクロルメタン2
00mlで抽出し、不溶分をろ別除去後、濃縮乾固し
た。
体;シリカゲル、溶離液:トルエン/n−ヘキサン=1
/2で展開)して、目的のN−[4−N’,N’−ジ
(p−トリル)アミノ−1−フェニル]−[3−N”,
N”−ジ(p−トリル)アミノ]−カルバゾール16.
3gを得た(収率51.5%)。融点は165〜167
℃であった。
−(4−アミノフェニル)−3−アミノカルバゾール1
3.7g(0.05モル)、m−ヨードトルエン65.
4g(0.3モル)、無水炭酸カリウム33.8g
(0.2モル)、銅粉2.54g(0.04モル)、ニ
トロベンゼン70mlを混合し、還流温度下で24時間
反応させた。反応生成物をジクロルメタン200mlで
抽出し、不溶分をろ別除去後、濃縮乾固した。
体;シリカゲル、溶離液:トルエン/n−ヘキサン=1
/2で展開)して、目的のN−[4−N’,N’−ジ
(p−トリル)アミノ−1−フェニル]−[3−N”,
N”−ジ(p−トリル)アミノ]−カルバゾール9.4
gを得た(収率29.7%)。融点は147〜149℃
であった。
用] 実施例1 下記一般式[A]で表されるトリスアゾ化合物;
紡績社製)0.45部をシクロヘキサノン50部ととも
にサンドミルにより分散させた。得られたトリスアゾ化
合物の分散物を80Φのアルミドラム上に浸漬塗布方法
を用いて、乾燥膜厚が0.3g/m2となる様に塗布した
後、乾燥させて電荷発生層を形成した。
アミノ化合物(1)50部およびポリカーボネート樹脂
(パンライトK−1300;帝人化成社製)50部を1,4
−ジオキサン400部に溶解した溶液を乾燥膜厚が20
μmになるように塗布し、乾燥させて電荷輸送層を形成
した。このようにして、2層からなる感光層を有する電
子写真感光体が得られた。
複写機(ミノルタ社製;EP−5400)を用い、−6K
vでコロナ帯電させ、初期表面電位Vo(V)、初期電位を
1/2にするために要した露光量E1/2(lux・sec)、1
秒間暗中に放置したときの初期電位の減衰率DDR
1(%)を測定した。
1で用いたアミノ化合物(1)の代わりにアミノ化合物
(2)、(3)、(4)を各々用いる感光体を作製し
た。こうして得られた感光体について、実施例1と同様
の方法でVo、E1/2、DDR1を測定した。
45部をシクロヘキサノン50部とともにサンドミルに
より分散させた。
Φのアルミドラム上に、乾燥膜厚が0.3g /m2となる
様に塗布した後乾燥させ電荷発生層を形成した。このよ
うにして得られた電荷発生層の上にアミノ化合物(5)
50部およびポリアリレート樹脂(U−100;ユニチ
カ社製)50部を1,4−ジオキサン400部に溶解した
溶液を乾燥膜厚が25μmになるように塗布し、乾燥さ
せて電荷輸送層を形成した。このようにして、2層から
なる感光層を有する電子写真感光体を作製した。
5で用いたアミノ化合物(5)の代わりにアミノ化合物
(14)、(16)、(20)を各々用いる感光体を作
製した。こうして得られた感光体について、実施例1と
同様の方法でVo、E1/2、DDR1を測定した。
3000:帝人化成社製)0.45部をジクロルエタン5
0部とともにサンドミルにより分散させた。得られた多
環キノン系顔料の分散物を80Φのアルミドラム上に、
乾燥膜厚が0.4g /m2となる様に塗布した後乾燥させ
て電荷発生層を形成した。このようにして得られた電荷
発生層の上にアミノ化合物(28)60部およびポリア
リレート樹脂(U−100;ユニチカ社製)50部を1,4
−ジオキサン400部に溶解した溶液を乾燥膜厚が18
μmになるように塗布し、乾燥させて電荷輸送層を形成
した。このようにして、2層からなる感光層を有する電
子写真感光体を作製した。
例10で用いたアミノ化合物(28)の代わりにアミノ
化合物(33)、(38)を各々用いる感光体を作製し
た。こうして得られた感光体について、実施例1と同様
の方法でVo、E1/2、DDR1を測定した。
(BX−1;積水化学工業社製)0.45部をジクロルエ
タン50部とともにサンドミルにより分散させた。得ら
れたフタロシアニン顔料の分散物を80Φのアルマイト
ドラム上に、浸漬塗布方法を用いて、乾燥膜厚が0.3
μm となる様に塗布した後、乾燥させ電荷発生層を形
成した。このようにして得られた電荷発生層の上にアミ
ノ化合物(45)50部およびポリカーボネート樹脂
(PC−Z;三菱ガス化学社製)50部を1,4−ジオキサ
ン400部に溶解した溶液を乾燥膜厚が18μmになる
ように塗布し、電荷輸送層を形成した。このようにし
て、2層からなる感光層を有する電子写真感光体を作製
した。
1と同様の方法でVo、E1/2、DDR1を測定した。
ン0.2部を98%濃硫酸500部に充分撹拌しながら
溶解させ、これを水5000部にあけ、銅フタロシアニ
ンとテトラニトロ銅フタロシアニンの光導電性材料組成
物を析出させた後、濾過、水洗し、減圧下120℃で乾
燥した。こうして得られた光導電性組成物10部を熱硬
化性アクリル樹脂(アクリディクA405;大日本インク
社製)22.5部、メラミン樹脂(スーパーベッカミンJ
820;大日本インク社製)7.5部、アミノ化合物(5
3)15部を、メチルエチルケトンとキシレンを同量に
混合した混合溶剤100部とともにボールミルポットに
入れて48時間分散して感光性塗液を調製し、この塗液
を80Φのアルマイトドラム上に、スプレー塗布し、乾
燥して厚さ約15μmの感光層を形成させた。このよう
にして、単層型感光体を作製した。
1と同様の方法、但しコロナ帯電を+6Kvで行ない、
Vo、E1/2、DDR1を測定した。
例13で用いたアミノ化合物(53)の代わりにアミノ
化合物(56)、(61)を各々用いる感光体を作製し
た。こうして得られた感光体について、実施例13と同
様の方法でVo、E1/2、DDR1を測定した。
E1/2、DDR1の測定結果を表1にまとめて示す。
は積層型でも単層型でも電荷保持能が充分あり、暗減衰
率も感光体としては充分使用可能な程度に小さく、ま
た、感度においても優れている。
メラ社製;EP−350Z)による正帯電時の繰り返し実
写テストを実施例13の感光体において行なったが、1
000枚のコピーを行なっても、初期、最終画像におい
て階調性が優れ、感度変化が無く、鮮明な画像が得られ
た。本実施例の感光体は繰り返し特性も安定しているこ
とがわかる。
用] 実施例16 インジウムスズ酸化物被覆ガラスの基板上に有機正孔注
入輸送層としてアミノ化合物(1)を蒸着し厚さ50n
mの薄膜を形成した。次に、有機発光層としてアルミニ
ウムトリスオキシンを蒸着し50nmの厚さになるよう
に薄膜を形成した。最後に、陰極としてマグネシウムを
蒸着により200nmの厚さになるように薄膜を形成し
た。このようにして、有機エレクトロルミネセンス装置
を作製した。
に、アミノ化合物(5)、(12)、(19)に代える
こと以外は実施例16と全く同様にして有機エレクトロ
ルミネセンス素子を作製した。
入輸送層としてアミノ化合物(25)を蒸着により厚さ
70nmの薄膜を形成した。次に、有機発光層としてア
ルミニウムトリスオキシンを蒸着し100nmの厚さに
なるように薄膜を形成した。続いて、有機電子注入輸送
層として下記のオキサジアゾール化合物(D)を蒸着し
50nmの厚さになるように薄膜を形成した。
mの厚さになるように薄膜を形成した。このようにし
て、有機エレクトロルミネセンス素子を作製した。
に、アミノ化合物(32)、(44)、(52)に代え
ること以外は実施例20と全く同様にして有機エレクト
ロルミネセンス素子を作製した。
としてアミノ化合物(58)を蒸着し厚さ50nmの薄
膜を形成した。次に、有機電子注入輸送層としてオキサ
ジアゾール化合物(A)を蒸着し20nmの厚さになる
ように薄膜を形成した。最後に、陰極として10:1の
原子比のMgおよびAgを蒸着により200nmの厚さ
になるように薄膜を形成した。このようにして、有機エ
レクトロルミネセンス素子を作製した。
0)を真空蒸着して、膜厚20nmの正孔注入層を得
た。さらに、N,N’−ジフェニル−N,N’−(3−
メチルフェニル)−1,1’−ビフェニル−4,4’−
ジアミンを真空蒸着して、膜厚40nmの正孔輸送層を
得た。次に、トリス(8−ヒドロキシキノリン)アルミ
ニウム錯体を蒸着により50nmの厚さになるように薄
膜を形成した。最後に、陰極として10:1の原子比の
MgおよびAgを蒸着により200nmの厚さになるよ
うに薄膜を形成した。このようにして、有機エレクトロ
ルミネセンス素子を作製した。
−ジフェニル−N,N’−(3−メチルフェニル)−
1,1’−ビフェニル−4,4’−ジアミンを真空蒸着
して、膜厚60nmの正孔輸送層を得た。次に、トリス
(8−ヒドロキシキノリン)アルミニウム錯体とアミノ
化合物(65)を3:1の割合で真空蒸着により60n
mの厚さになるように発光層を形成した。最後に、陰極
として10:1の原子比のMgおよびAgを蒸着により
200nmの厚さになるように薄膜を形成した。このよ
うにして、有機エレクトロルミネセンス素子を作製し
た。
8)をジクロルメタンに溶解させ、スピンコーティング
により膜厚50nmの正孔注入層を得た。さらに、トリ
ス(8−ヒドロキシキノリン)アルミニウム錯体を蒸着
により20nmの厚さになるように発光層を形成した。
さらに真空蒸着法によりオキサジアゾール化合物(A)
の膜厚20nmの電子注入層を得た。最後に、陰極とし
て10:1の原子比のMgおよびAgを蒸着により20
0nmの厚さになるように薄膜を形成した。このように
して、有機エレクトロルミネセンス素子を作製した。
に、アミノ化合物(34)、(43)、(62)に代え
ること以外は実施例27と全く同様にして有機エレクト
ロルミネセンス素子を作製した。
4)、トリス(8−ヒドロキシキノリン)アルミニウム
錯体、ポリメチルメタクリレートを3:2:5の比率で
テトラヒドロフランに溶解させ、スピンコーティング法
により膜厚100nmの発光層を得た。次に、陰極とし
て10:1の原子比のMgおよびAgを蒸着により20
0nmの厚さになるように薄膜を形成した。このように
して、有機エレクトロルミネセンス(EL)素子を作製
した。
ス素子を、そのガラス電極を陽極として、5Vの直流電
圧をかけた時の発光輝度を測定した。測定結果を表2に
まとめて示す。
レクトロルミネセンス素子は低電位でも良好な発光輝度
を示した。
センス素子について、電流密度1mA/cm2で連続発
光させたところ、200時間以上安定な発光を観測する
ことができた。
するアミノ化合物が提供された。該化合物を使用するこ
とにより、感度、電荷輸送特性、初期表面電位、暗減衰
率等の初期電子写真特性に優れ、繰り返し使用に対する
疲労も少ない電子写真感光体および発光強度が大きく発
光開始電圧が低い耐久性に優れた有機エレクトロルミネ
センス素子を得ることがでる。
の概略構成図。
の概略構成図。
の概略構成図。
の概略構成図。
Claims (6)
- 【請求項1】 下記一般式(I)で表わされるアミノ化合
物; 【化1】 (式中、Ar1、Ar2、Ar4およびAr5はそれぞれ独
立して、置換基を有していてもよいアリール基または複
素環基を表し、Ar1とAr2およびAr4とAr5は窒素
原子とともに環を形成する残基であってもよい;Ar3
は置換基を有していてもよい、アリーレン基または2価
の複素環基を表す;Zはベンゼン環および窒素原子とと
もに環を形成する残基を表す)。 - 【請求項2】 下記一般式(II)で表わされるジハロゲ
ン化合物; 【化2】 (式中、Ar3は置換基を有していてもよい、アリーレ
ン基または2価の複素環基を表す;Zはベンゼン環およ
び窒素原子とともに環を形成する残基を表す;Xはハロ
ゲン原子を表す)と下記一般式(III)および(IV)で
表わされるアミノ化合物; 【化3】 【化4】 (式中、Ar1、Ar2、Ar4およびAr5はそれぞれ独
立して、置換基を有していてもよいアリール基または複
素環基を表し、Ar1とAr2およびAr4とAr5は窒素
原子とともに環を形成する残基であってもよい)とを反
応させることを特徴とする下記一般式(I)で表される
アミノ化合物の製造方法; 【化5】 (式中、Ar1〜Ar5、Zは上記と同義)。 - 【請求項3】 下記一般式(V)で表わされるジアミノ化
合物; 【化6】 (式中、Ar3は置換基を有していてもよい、アリーレ
ン基または2価の複素環基を表す;Zはベンゼン環およ
び窒素原子とともに環を形成する残基を表す)と下記一
般式(VI)および(VII)で表わされるハロゲン化合
物; 【化7】 【化8】 (式中、Ar1、Ar2、Ar4およびAr5はそれぞれ独
立して、置換基を有していてもよいアリール基または複
素環基を表す;Xはハロゲン原子を表す)とを反応させ
ることを特徴とする下記一般式(I)で表されるアミノ
化合物の製造方法; 【化9】 (式中、Ar1〜Ar5、Zは上記と同義)。 - 【請求項4】 一対の電極間に発光層または発光層を含
む複数層の有機化合物薄層を備えた有機エレクトロルミ
ネセンス素子において、少なくとも一層が請求項1記載
のアミノ化合物を含有することを特徴とする有機エレク
トロルミネセンス素子。 - 【請求項5】 導電性支持体上に、電荷発生材料及び電
荷輸送材料を含む感光層を設けてなる電子写真感光体に
おいて、電荷輸送材料が請求項1記載のアミノ化合物で
あることを特徴とする電子写真感光体。 - 【請求項6】 請求項1記載のアミノ化合物からなる正
孔輸送材料。
Priority Applications (1)
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JP11916797A JP4088985B2 (ja) | 1997-05-09 | 1997-05-09 | 新規アミノ化合物を使用した有機エレクトロルミネセンス素子 |
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---|---|
JPH10310574A true JPH10310574A (ja) | 1998-11-24 |
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Country Status (1)
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A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20040226 |
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A521 | Written amendment |
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A621 | Written request for application examination |
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|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20071019 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071214 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080218 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130307 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140307 Year of fee payment: 6 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
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|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
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