JPH10226658A - フッ素化されたイオン性スルホニルイミド及びスルホニルメチリド、それらの製造方法並びに光開始剤としての使用 - Google Patents
フッ素化されたイオン性スルホニルイミド及びスルホニルメチリド、それらの製造方法並びに光開始剤としての使用Info
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- -1 sulfonyl methylide Chemical compound 0.000 title claims abstract description 55
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 6
- 125000005463 sulfonylimide group Chemical group 0.000 title 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 84
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims abstract description 55
- 239000000178 monomer Substances 0.000 claims abstract description 46
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims abstract description 45
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 30
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 29
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 claims abstract description 26
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 24
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims abstract description 21
- 150000008040 ionic compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 19
- 125000002091 cationic group Chemical group 0.000 claims abstract description 18
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 claims abstract description 14
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 claims abstract description 14
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract description 5
- 125000005410 aryl sulfonium group Chemical group 0.000 claims abstract description 5
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 claims abstract description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract description 3
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 87
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 57
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 46
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 43
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 32
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 31
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 claims description 28
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 27
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 24
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N Acetonitrile Chemical compound CC#N WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 claims description 20
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 claims description 16
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims description 12
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 claims description 12
- QYKIQEUNHZKYBP-UHFFFAOYSA-N Vinyl ether Chemical compound C=COC=C QYKIQEUNHZKYBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 125000002877 alkyl aryl group Chemical group 0.000 claims description 10
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 10
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 claims description 9
- 229940126062 Compound A Drugs 0.000 claims description 8
- NLDMNSXOCDLTTB-UHFFFAOYSA-N Heterophylliin A Natural products O1C2COC(=O)C3=CC(O)=C(O)C(O)=C3C3=C(O)C(O)=C(O)C=C3C(=O)OC2C(OC(=O)C=2C=C(O)C(O)=C(O)C=2)C(O)C1OC(=O)C1=CC(O)=C(O)C(O)=C1 NLDMNSXOCDLTTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 claims description 8
- 229920000831 ionic polymer Polymers 0.000 claims description 8
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 8
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-O diazynium Chemical group [NH+]#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-O 0.000 claims description 7
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 claims description 7
- 125000005010 perfluoroalkyl group Chemical group 0.000 claims description 7
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 claims description 7
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 claims description 7
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 claims description 7
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000012954 diazonium Substances 0.000 claims description 6
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 claims description 6
- 125000003010 ionic group Chemical group 0.000 claims description 6
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 claims description 6
- RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N propylene carbonate Chemical compound CC1COC(=O)O1 RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229960000834 vinyl ether Drugs 0.000 claims description 6
- CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-M Bromide Chemical compound [Br-] CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 5
- 125000004437 phosphorous atom Chemical group 0.000 claims description 5
- 238000010526 radical polymerization reaction Methods 0.000 claims description 5
- YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 4-Butyrolactone Chemical compound O=C1CCCO1 YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- KWOLFJPFCHCOCG-UHFFFAOYSA-N Acetophenone Chemical compound CC(=O)C1=CC=CC=C1 KWOLFJPFCHCOCG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- ABLZXFCXXLZCGV-UHFFFAOYSA-N Phosphorous acid Chemical group OP(O)=O ABLZXFCXXLZCGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 125000006848 alicyclic heterocyclic group Chemical group 0.000 claims description 4
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 claims description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 4
- 238000005649 metathesis reaction Methods 0.000 claims description 4
- 239000003504 photosensitizing agent Substances 0.000 claims description 4
- XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N phthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1C(O)=O XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 125000001174 sulfone group Chemical group 0.000 claims description 4
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 claims description 4
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 claims description 4
- JNELGWHKGNBSMD-UHFFFAOYSA-N xanthone Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC=CC=C3OC2=C1 JNELGWHKGNBSMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 claims description 3
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical class OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 claims description 3
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 claims description 3
- MPQXHAGKBWFSNV-UHFFFAOYSA-N oxidophosphanium Chemical group [PH3]=O MPQXHAGKBWFSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 claims description 3
- 150000003457 sulfones Chemical class 0.000 claims description 3
- 125000003375 sulfoxide group Chemical group 0.000 claims description 3
- 150000003462 sulfoxides Chemical class 0.000 claims description 3
- YIKSHDNOAYSSPX-UHFFFAOYSA-N 1-propan-2-ylthioxanthen-9-one Chemical compound S1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=CC=C2C(C)C YIKSHDNOAYSSPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- WJFKNYWRSNBZNX-UHFFFAOYSA-N 10H-phenothiazine Chemical compound C1=CC=C2NC3=CC=CC=C3SC2=C1 WJFKNYWRSNBZNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- ATVJXMYDOSMEPO-UHFFFAOYSA-N 3-prop-2-enoxyprop-1-ene Chemical compound C=CCOCC=C ATVJXMYDOSMEPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- AFVFQIVMOAPDHO-UHFFFAOYSA-M Methanesulfonate Chemical compound CS([O-])(=O)=O AFVFQIVMOAPDHO-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- WHNWPMSKXPGLAX-UHFFFAOYSA-N N-Vinyl-2-pyrrolidone Chemical compound C=CN1CCCC1=O WHNWPMSKXPGLAX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N Tetrahydroanthracene Natural products C1=CC=C2C=C(CCCC3)C3=CC2=C1 XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims description 2
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 2
- 150000008378 aryl ethers Chemical class 0.000 claims description 2
- RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N benzophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)C1=CC=CC=C1 RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000012965 benzophenone Substances 0.000 claims description 2
- 150000004292 cyclic ethers Chemical group 0.000 claims description 2
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 claims description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 2
- 239000012442 inert solvent Substances 0.000 claims description 2
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims description 2
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 claims description 2
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229950000688 phenothiazine Drugs 0.000 claims description 2
- 125000005373 siloxane group Chemical group [SiH2](O*)* 0.000 claims description 2
- 150000003509 tertiary alcohols Chemical group 0.000 claims description 2
- IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N tetracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC=CC=C4C=C3C=C21 IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- YRHRIQCWCFGUEQ-UHFFFAOYSA-N thioxanthen-9-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC=CC=C3SC2=C1 YRHRIQCWCFGUEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 claims 2
- IMSODMZESSGVBE-UHFFFAOYSA-N 2-Oxazoline Chemical compound C1CN=CO1 IMSODMZESSGVBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- FXRQXYSJYZPGJZ-UHFFFAOYSA-N 2-[(2-methylpropan-2-yl)oxy]ethenylbenzene Chemical compound CC(C)(C)OC=CC1=CC=CC=C1 FXRQXYSJYZPGJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 241000168254 Siro Species 0.000 claims 1
- ZJCCRDAZUWHFQH-UHFFFAOYSA-N Trimethylolpropane Chemical compound CCC(CO)(CO)CO ZJCCRDAZUWHFQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 claims 1
- 150000004294 cyclic thioethers Chemical group 0.000 claims 1
- VEIOBOXBGYWJIT-UHFFFAOYSA-N cyclohexane;methanol Chemical compound OC.OC.C1CCCCC1 VEIOBOXBGYWJIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims 1
- 150000002367 halogens Chemical group 0.000 claims 1
- XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N hydrogen iodide Chemical group I XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000011630 iodine Substances 0.000 claims 1
- 150000003951 lactams Chemical class 0.000 claims 1
- 150000002596 lactones Chemical class 0.000 claims 1
- 229940032007 methylethyl ketone Drugs 0.000 claims 1
- AUONHKJOIZSQGR-UHFFFAOYSA-N oxophosphane Chemical compound P=O AUONHKJOIZSQGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000007870 radical polymerization initiator Substances 0.000 claims 1
- 125000005650 substituted phenylene group Chemical group 0.000 claims 1
- XTXNWQHMMMPKKO-UHFFFAOYSA-N tert-butyl 2-phenylethenyl carbonate Chemical compound CC(C)(C)OC(=O)OC=CC1=CC=CC=C1 XTXNWQHMMMPKKO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 15
- 239000003999 initiator Substances 0.000 abstract description 12
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 abstract description 4
- OZLBDYMWFAHSOQ-UHFFFAOYSA-N diphenyliodanium Chemical compound C=1C=CC=CC=1[I+]C1=CC=CC=C1 OZLBDYMWFAHSOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 17
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 14
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 10
- 238000010538 cationic polymerization reaction Methods 0.000 description 10
- 239000010408 film Substances 0.000 description 10
- 239000000047 product Substances 0.000 description 10
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 10
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 8
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 8
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 7
- 230000009471 action Effects 0.000 description 7
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 6
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- IOLCXVTUBQKXJR-UHFFFAOYSA-M potassium bromide Chemical compound [K+].[Br-] IOLCXVTUBQKXJR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 6
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 description 5
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 5
- 229910052751 metal Chemical class 0.000 description 5
- 239000002184 metal Chemical class 0.000 description 5
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 5
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-O sulfonium Chemical compound [SH3+] RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 5
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 4
- 108091000041 Phosphoenolpyruvate Carboxylase Proteins 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 4
- GYZLOYUZLJXAJU-UHFFFAOYSA-N diglycidyl ether Chemical compound C1OC1COCC1CO1 GYZLOYUZLJXAJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 description 4
- MGFYSGNNHQQTJW-UHFFFAOYSA-N iodonium Chemical compound [IH2+] MGFYSGNNHQQTJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- NONJJLVGHLVQQM-JHXYUMNGSA-N phenethicillin Chemical compound N([C@@H]1C(N2[C@H](C(C)(C)S[C@@H]21)C(O)=O)=O)C(=O)C(C)OC1=CC=CC=C1 NONJJLVGHLVQQM-JHXYUMNGSA-N 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 4
- HIYIGPVBMDKPCR-UHFFFAOYSA-N 1,1-bis(ethenoxymethyl)cyclohexane Chemical compound C=COCC1(COC=C)CCCCC1 HIYIGPVBMDKPCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CYIGRWUIQAVBFG-UHFFFAOYSA-N 1,2-bis(2-ethenoxyethoxy)ethane Chemical compound C=COCCOCCOCCOC=C CYIGRWUIQAVBFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- FPSURBCYSCOZSE-UHFFFAOYSA-N 1-ethenoxybutan-1-ol Chemical compound CCCC(O)OC=C FPSURBCYSCOZSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical class [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N Formaldehyde Chemical compound O=C WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 3
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LEOFBWWVUYCENP-UHFFFAOYSA-N OS(CC1=CC=CC=C1)(=O)=O.IC1=CC=CC=C1 Chemical compound OS(CC1=CC=CC=C1)(=O)=O.IC1=CC=CC=C1 LEOFBWWVUYCENP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 229910018286 SbF 6 Inorganic materials 0.000 description 3
- VMHLLURERBWHNL-UHFFFAOYSA-M Sodium acetate Chemical compound [Na+].CC([O-])=O VMHLLURERBWHNL-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 3
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000000921 elemental analysis Methods 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 description 3
- 239000002685 polymerization catalyst Substances 0.000 description 3
- MHEBVKPOSBNNAC-UHFFFAOYSA-N potassium;bis(fluorosulfonyl)azanide Chemical compound [K+].FS(=O)(=O)[N-]S(F)(=O)=O MHEBVKPOSBNNAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001632 sodium acetate Substances 0.000 description 3
- 235000017281 sodium acetate Nutrition 0.000 description 3
- FVAUCKIRQBBSSJ-UHFFFAOYSA-M sodium iodide Chemical compound [Na+].[I-] FVAUCKIRQBBSSJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- ZIBGPFATKBEMQZ-UHFFFAOYSA-N triethylene glycol Chemical group OCCOCCOCCO ZIBGPFATKBEMQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- IAQNWPNMRSJNIK-UHFFFAOYSA-N (2-dodecoxyphenyl)-phenyliodanium Chemical compound CCCCCCCCCCCCOC1=CC=CC=C1[I+]C1=CC=CC=C1 IAQNWPNMRSJNIK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LIKMAJRDDDTEIG-UHFFFAOYSA-N 1-hexene Chemical compound CCCCC=C LIKMAJRDDDTEIG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003903 2-propenyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 2
- DSSAWHFZNWVJEC-UHFFFAOYSA-N 3-(ethenoxymethyl)heptane Chemical compound CCCCC(CC)COC=C DSSAWHFZNWVJEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FUGYGGDSWSUORM-UHFFFAOYSA-N 4-hydroxystyrene Chemical compound OC1=CC=C(C=C)C=C1 FUGYGGDSWSUORM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N Acrylonitrile Chemical compound C=CC#N NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007848 Bronsted acid Substances 0.000 description 2
- SOGAXMICEFXMKE-UHFFFAOYSA-N Butylmethacrylate Chemical compound CCCCOC(=O)C(C)=C SOGAXMICEFXMKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 2
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N EDTA Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N Ethylene oxide Chemical compound C1CO1 IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VZCYOOQTPOCHFL-OWOJBTEDSA-N Fumaric acid Chemical compound OC(=O)\C=C\C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-OWOJBTEDSA-N 0.000 description 2
- VQTUBCCKSQIDNK-UHFFFAOYSA-N Isobutene Chemical compound CC(C)=C VQTUBCCKSQIDNK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AFVFQIVMOAPDHO-UHFFFAOYSA-N Methanesulfonic acid Chemical compound CS(O)(=O)=O AFVFQIVMOAPDHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- DTQVDTLACAAQTR-UHFFFAOYSA-N Trifluoroacetic acid Chemical compound OC(=O)C(F)(F)F DTQVDTLACAAQTR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XIXJGMJBSQNVFY-UHFFFAOYSA-M [4-(4-benzoylphenyl)sulfanylphenyl]-bis(4-fluorophenyl)sulfanium;methanesulfonate Chemical compound CS([O-])(=O)=O.C1=CC(F)=CC=C1[S+](C=1C=CC(SC=2C=CC(=CC=2)C(=O)C=2C=CC=CC=2)=CC=1)C1=CC=C(F)C=C1 XIXJGMJBSQNVFY-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- CWRYPZZKDGJXCA-UHFFFAOYSA-N acenaphthene Chemical compound C1=CC(CC2)=C3C2=CC=CC3=C1 CWRYPZZKDGJXCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 2
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 2
- WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N benzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1 WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QARVLSVVCXYDNA-UHFFFAOYSA-N bromobenzene Chemical compound BrC1=CC=CC=C1 QARVLSVVCXYDNA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012952 cationic photoinitiator Substances 0.000 description 2
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 2
- RWGFKTVRMDUZSP-UHFFFAOYSA-N cumene Chemical compound CC(C)C1=CC=CC=C1 RWGFKTVRMDUZSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HGCIXCUEYOPUTN-UHFFFAOYSA-N cyclohexene Chemical compound C1CCC=CC1 HGCIXCUEYOPUTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N cyclopentadiene Chemical compound C1C=CC=C1 ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- BIZCJSDBWZTASZ-UHFFFAOYSA-N diiodine pentaoxide Chemical compound O=I(=O)OI(=O)=O BIZCJSDBWZTASZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000013870 dimethyl polysiloxane Nutrition 0.000 description 2
- RSJLWBUYLGJOBD-UHFFFAOYSA-M diphenyliodanium;chloride Chemical compound [Cl-].C=1C=CC=CC=1[I+]C1=CC=CC=C1 RSJLWBUYLGJOBD-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 2
- FJKIXWOMBXYWOQ-UHFFFAOYSA-N ethenoxyethane Chemical compound CCOC=C FJKIXWOMBXYWOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000006459 hydrosilylation reaction Methods 0.000 description 2
- QWPPOHNGKGFGJK-UHFFFAOYSA-N hypochlorous acid Chemical compound ClO QWPPOHNGKGFGJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000976 ink Substances 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 2
- CXQXSVUQTKDNFP-UHFFFAOYSA-N octamethyltrisiloxane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C CXQXSVUQTKDNFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZPIRTVJRHUMMOI-UHFFFAOYSA-N octoxybenzene Chemical compound CCCCCCCCOC1=CC=CC=C1 ZPIRTVJRHUMMOI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 2
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 2
- KTNLYTNKBOKXRW-UHFFFAOYSA-N phenyliodanium Chemical compound [IH+]C1=CC=CC=C1 KTNLYTNKBOKXRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004987 plasma desorption mass spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 2
- XAEFZNCEHLXOMS-UHFFFAOYSA-M potassium benzoate Chemical compound [K+].[O-]C(=O)C1=CC=CC=C1 XAEFZNCEHLXOMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L potassium carbonate Chemical compound [K+].[K+].[O-]C([O-])=O BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 2
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 2
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 2
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 2
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 2
- GEHJYWRUCIMESM-UHFFFAOYSA-L sodium sulfite Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]S([O-])=O GEHJYWRUCIMESM-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 150000003568 thioethers Chemical class 0.000 description 2
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAEDZJGFFMLHHQ-UHFFFAOYSA-N trifluoroacetic anhydride Chemical compound FC(F)(F)C(=O)OC(=O)C(F)(F)F QAEDZJGFFMLHHQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JIAARYAFYJHUJI-UHFFFAOYSA-L zinc dichloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Zn+2] JIAARYAFYJHUJI-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- QNODIIQQMGDSEF-UHFFFAOYSA-N (1-hydroxycyclohexyl)-phenylmethanone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)C1(O)CCCCC1 QNODIIQQMGDSEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FSXLZUKMPRDBFO-UHFFFAOYSA-N (2-hydroxy-6-iodophenyl) 4-methylbenzenesulfonate Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1S(=O)(=O)OC1=C(O)C=CC=C1I FSXLZUKMPRDBFO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LDMNVGSLGYGAAL-UHFFFAOYSA-N (2-octadecoxyphenyl)-phenyliodanium Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCOC1=CC=CC=C1[I+]C1=CC=CC=C1 LDMNVGSLGYGAAL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PEZNEXFPRSOYPL-UHFFFAOYSA-N (bis(trifluoroacetoxy)iodo)benzene Chemical compound FC(F)(F)C(=O)OI(OC(=O)C(F)(F)F)C1=CC=CC=C1 PEZNEXFPRSOYPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BYEAHWXPCBROCE-UHFFFAOYSA-N 1,1,1,3,3,3-hexafluoropropan-2-ol Chemical compound FC(F)(F)C(O)C(F)(F)F BYEAHWXPCBROCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SCYULBFZEHDVBN-UHFFFAOYSA-N 1,1-Dichloroethane Chemical compound CC(Cl)Cl SCYULBFZEHDVBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AGYUOJIYYGGHKV-UHFFFAOYSA-N 1,2-bis(2-chloroethoxy)ethane Chemical compound ClCCOCCOCCCl AGYUOJIYYGGHKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NWUYHJFMYQTDRP-UHFFFAOYSA-N 1,2-bis(ethenyl)benzene;1-ethenyl-2-ethylbenzene;styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1.CCC1=CC=CC=C1C=C.C=CC1=CC=CC=C1C=C NWUYHJFMYQTDRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VDFVNEFVBPFDSB-UHFFFAOYSA-N 1,3-dioxane Chemical compound C1COCOC1 VDFVNEFVBPFDSB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CZLMRJZAHXYRIX-UHFFFAOYSA-N 1,3-dioxepane Chemical compound C1CCOCOC1 CZLMRJZAHXYRIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WNXJIVFYUVYPPR-UHFFFAOYSA-N 1,3-dioxolane Chemical compound C1COCO1 WNXJIVFYUVYPPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MWZJGRDWJVHRDV-UHFFFAOYSA-N 1,4-bis(ethenoxy)butane Chemical compound C=COCCCCOC=C MWZJGRDWJVHRDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UNMYKPSSIFZORM-UHFFFAOYSA-N 1-(2-ethenoxyethoxy)butane Chemical compound CCCCOCCOC=C UNMYKPSSIFZORM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RJTJPFYIGZWFMK-UHFFFAOYSA-N 1-[2-(2-ethenoxyethoxy)ethoxy]-2-methoxyethane Chemical compound COCCOCCOCCOC=C RJTJPFYIGZWFMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MPPPKRYCTPRNTB-UHFFFAOYSA-N 1-bromobutane Chemical compound CCCCBr MPPPKRYCTPRNTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VMKOFRJSULQZRM-UHFFFAOYSA-N 1-bromooctane Chemical compound CCCCCCCCBr VMKOFRJSULQZRM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFUDBPZFGCNRDM-UHFFFAOYSA-N 1-butylcyclopenta-1,3-diene;cyclopenta-1,3-diene;iron(2+) Chemical compound [Fe+2].C=1C=C[CH-]C=1.CCCCC1=CC=C[CH-]1 WFUDBPZFGCNRDM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DNJRKFKAFWSXSE-UHFFFAOYSA-N 1-chloro-2-ethenoxyethane Chemical compound ClCCOC=C DNJRKFKAFWSXSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CZAVRNDQSIORTH-UHFFFAOYSA-N 1-ethenoxy-2,2-bis(ethenoxymethyl)butane Chemical compound C=COCC(CC)(COC=C)COC=C CZAVRNDQSIORTH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SAMJGBVVQUEMGC-UHFFFAOYSA-N 1-ethenoxy-2-(2-ethenoxyethoxy)ethane Chemical compound C=COCCOCCOC=C SAMJGBVVQUEMGC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OZCMOJQQLBXBKI-UHFFFAOYSA-N 1-ethenoxy-2-methylpropane Chemical compound CC(C)COC=C OZCMOJQQLBXBKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HIHSUGQNHLMGGK-UHFFFAOYSA-N 1-ethenoxyhexan-1-ol Chemical compound CCCCCC(O)OC=C HIHSUGQNHLMGGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QJJDJWUCRAPCOL-UHFFFAOYSA-N 1-ethenoxyoctadecane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCOC=C QJJDJWUCRAPCOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OVGRCEFMXPHEBL-UHFFFAOYSA-N 1-ethenoxypropane Chemical compound CCCOC=C OVGRCEFMXPHEBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UAJRSHJHFRVGMG-UHFFFAOYSA-N 1-ethenyl-4-methoxybenzene Chemical compound COC1=CC=C(C=C)C=C1 UAJRSHJHFRVGMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SDRZFSPCVYEJTP-UHFFFAOYSA-N 1-ethenylcyclohexene Chemical compound C=CC1=CCCCC1 SDRZFSPCVYEJTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GVYKABJIEOOUOX-UHFFFAOYSA-N 1-fluoro-4-(4-fluorophenyl)sulfinylbenzene Chemical compound C1=CC(F)=CC=C1S(=O)C1=CC=C(F)C=C1 GVYKABJIEOOUOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KWKAKUADMBZCLK-UHFFFAOYSA-N 1-octene Chemical group CCCCCCC=C KWKAKUADMBZCLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DIYFBIOUBFTQJU-UHFFFAOYSA-N 1-phenyl-2-sulfanylethanone Chemical class SCC(=O)C1=CC=CC=C1 DIYFBIOUBFTQJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HZNVUJQVZSTENZ-UHFFFAOYSA-N 2,3-dichloro-5,6-dicyano-1,4-benzoquinone Chemical compound ClC1=C(Cl)C(=O)C(C#N)=C(C#N)C1=O HZNVUJQVZSTENZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WULAHPYSGCVQHM-UHFFFAOYSA-N 2-(2-ethenoxyethoxy)ethanol Chemical compound OCCOCCOC=C WULAHPYSGCVQHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BBBUAWSVILPJLL-UHFFFAOYSA-N 2-(2-ethylhexoxymethyl)oxirane Chemical compound CCCCC(CC)COCC1CO1 BBBUAWSVILPJLL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JAHNSTQSQJOJLO-UHFFFAOYSA-N 2-(3-fluorophenyl)-1h-imidazole Chemical compound FC1=CC=CC(C=2NC=CN=2)=C1 JAHNSTQSQJOJLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KJSGODDTWRXQRH-UHFFFAOYSA-N 2-(dimethylamino)ethyl benzoate Chemical compound CN(C)CCOC(=O)C1=CC=CC=C1 KJSGODDTWRXQRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KNDAEDDIIQYRHY-UHFFFAOYSA-N 2-[4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]-3-(piperazin-1-ylmethyl)pyrazol-1-yl]-1-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethanone Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C=1C(=NN(C=1)CC(=O)N1CC2=C(CC1)NN=N2)CN1CCNCC1 KNDAEDDIIQYRHY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PLWQJHWLGRXAMP-UHFFFAOYSA-N 2-ethenoxy-n,n-diethylethanamine Chemical compound CCN(CC)CCOC=C PLWQJHWLGRXAMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VUIWJRYTWUGOOF-UHFFFAOYSA-N 2-ethenoxyethanol Chemical compound OCCOC=C VUIWJRYTWUGOOF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CUIFMTWQFFCFCH-UHFFFAOYSA-N 2-ethylhexylbenzene Chemical compound CCCCC(CC)CC1=CC=CC=C1 CUIFMTWQFFCFCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KTALPKYXQZGAEG-UHFFFAOYSA-N 2-propan-2-ylthioxanthen-9-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC(C(C)C)=CC=C3SC2=C1 KTALPKYXQZGAEG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NZWIYPLSXWYKLH-UHFFFAOYSA-N 3-(bromomethyl)heptane Chemical compound CCCCC(CC)CBr NZWIYPLSXWYKLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MXTBLBLMCCFGDO-UHFFFAOYSA-N 3-[4-[(2-methylpropan-2-yl)oxy]phenyl]prop-2-enoic acid Chemical compound CC(C)(C)OC1=CC=C(C=CC(O)=O)C=C1 MXTBLBLMCCFGDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JPVNTYZOJCDQBK-UHFFFAOYSA-N 3-ethenoxypropan-1-amine Chemical compound NCCCOC=C JPVNTYZOJCDQBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XAYDWGMOPRHLEP-UHFFFAOYSA-N 6-ethenyl-7-oxabicyclo[4.1.0]heptane Chemical compound C1CCCC2OC21C=C XAYDWGMOPRHLEP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YEMOPZKWNAJAMP-UHFFFAOYSA-N 7-oxabicyclo[4.1.0]heptan-1-yl(2,2,2-trimethoxyethyl)silane Chemical compound COC(C[SiH2]C12CCCCC1O2)(OC)OC YEMOPZKWNAJAMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BRUOAURMAFDGLP-UHFFFAOYSA-N 9,10-dibromoanthracene Chemical compound C1=CC=C2C(Br)=C(C=CC=C3)C3=C(Br)C2=C1 BRUOAURMAFDGLP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101150108397 Abcd2 gene Proteins 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000005711 Benzoic acid Substances 0.000 description 1
- LCFVJGUPQDGYKZ-UHFFFAOYSA-N Bisphenol A diglycidyl ether Chemical group C=1C=C(OCC2OC2)C=CC=1C(C)(C)C(C=C1)=CC=C1OCC1CO1 LCFVJGUPQDGYKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CZULULLOOCAIRW-UHFFFAOYSA-N C(=C)C1C=CC=C1.[CH-]1C=CC=C1.[Fe+2] Chemical compound C(=C)C1C=CC=C1.[CH-]1C=CC=C1.[Fe+2] CZULULLOOCAIRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OHZYBVJLACKLBS-UHFFFAOYSA-N C1=CC=CC=C1.FC(C(=O)OIOC(C(F)(F)F)=O)(F)F Chemical compound C1=CC=CC=C1.FC(C(=O)OIOC(C(F)(F)F)=O)(F)F OHZYBVJLACKLBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OUKJSMQBOYBSSQ-UHFFFAOYSA-N C=CNS(=O)=O Chemical compound C=CNS(=O)=O OUKJSMQBOYBSSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCRBIAGKQRTAAG-UHFFFAOYSA-N CCCCC(CC)C[Mg] Chemical compound CCCCC(CC)C[Mg] QCRBIAGKQRTAAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical group [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N Dihydrogen sulfide Chemical class S RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QXNVGIXVLWOKEQ-UHFFFAOYSA-N Disodium Chemical class [Na][Na] QXNVGIXVLWOKEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 102100031480 Dual specificity mitogen-activated protein kinase kinase 1 Human genes 0.000 description 1
- 101710146526 Dual specificity mitogen-activated protein kinase kinase 1 Proteins 0.000 description 1
- BRLQWZUYTZBJKN-UHFFFAOYSA-N Epichlorohydrin Chemical compound ClCC1CO1 BRLQWZUYTZBJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KMTRUDSVKNLOMY-UHFFFAOYSA-N Ethylene carbonate Chemical compound O=C1OCCO1 KMTRUDSVKNLOMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-M Formate Chemical compound [O-]C=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000005727 Friedel-Crafts reaction Methods 0.000 description 1
- CTKINSOISVBQLD-UHFFFAOYSA-N Glycidol Chemical compound OCC1CO1 CTKINSOISVBQLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002841 Lewis acid Substances 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PEEHTFAAVSWFBL-UHFFFAOYSA-N Maleimide Chemical compound O=C1NC(=O)C=C1 PEEHTFAAVSWFBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYCMBHHDWRMZGG-UHFFFAOYSA-N Methylacrylonitrile Chemical compound CC(=C)C#N GYCMBHHDWRMZGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FQYUMYWMJTYZTK-UHFFFAOYSA-N Phenyl glycidyl ether Chemical compound C1OC1COC1=CC=CC=C1 FQYUMYWMJTYZTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 1
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Propanedioic acid Natural products OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GOOHAUXETOMSMM-UHFFFAOYSA-N Propylene oxide Chemical compound CC1CO1 GOOHAUXETOMSMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AWMVMTVKBNGEAK-UHFFFAOYSA-N Styrene oxide Chemical compound C1OC1C1=CC=CC=C1 AWMVMTVKBNGEAK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DTQVDTLACAAQTR-UHFFFAOYSA-M Trifluoroacetate Chemical compound [O-]C(=O)C(F)(F)F DTQVDTLACAAQTR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- RHQDFWAXVIIEBN-UHFFFAOYSA-N Trifluoroethanol Chemical compound OCC(F)(F)F RHQDFWAXVIIEBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MOOIXEMFUKBQLJ-UHFFFAOYSA-N [1-(ethenoxymethyl)cyclohexyl]methanol Chemical compound C=COCC1(CO)CCCCC1 MOOIXEMFUKBQLJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WXBIFJSVLGJYJX-UHFFFAOYSA-N [4-(4-benzoylphenyl)sulfanylphenyl]-bis(4-fluorophenyl)sulfanium Chemical compound C1=CC(F)=CC=C1[S+](C=1C=CC(SC=2C=CC(=CC=2)C(=O)C=2C=CC=CC=2)=CC=1)C1=CC=C(F)C=C1 WXBIFJSVLGJYJX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PFHLXMMCWCWAMA-UHFFFAOYSA-N [4-(4-diphenylsulfoniophenyl)sulfanylphenyl]-diphenylsulfanium Chemical compound C=1C=C([S+](C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)C=CC=1SC(C=C1)=CC=C1[S+](C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 PFHLXMMCWCWAMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YIMQCDZDWXUDCA-UHFFFAOYSA-N [4-(hydroxymethyl)cyclohexyl]methanol Chemical compound OCC1CCC(CO)CC1 YIMQCDZDWXUDCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OTVPWGHMBHYUAX-UHFFFAOYSA-N [Fe].[CH]1C=CC=C1 Chemical compound [Fe].[CH]1C=CC=C1 OTVPWGHMBHYUAX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UDRBBAAFDWCADW-UHFFFAOYSA-N [Fe]C1C=CC=C1.CC(C)c1ccccc1 Chemical compound [Fe]C1C=CC=C1.CC(C)c1ccccc1 UDRBBAAFDWCADW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000370 acceptor Substances 0.000 description 1
- DHKHKXVYLBGOIT-UHFFFAOYSA-N acetaldehyde Diethyl Acetal Natural products CCOC(C)OCC DHKHKXVYLBGOIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KXKVLQRXCPHEJC-UHFFFAOYSA-N acetic acid trimethyl ester Natural products COC(C)=O KXKVLQRXCPHEJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HXGDTGSAIMULJN-UHFFFAOYSA-N acetnaphthylene Natural products C1=CC(C=C2)=C3C2=CC=CC3=C1 HXGDTGSAIMULJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003377 acid catalyst Substances 0.000 description 1
- 150000001252 acrylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 description 1
- 239000000809 air pollutant Substances 0.000 description 1
- 231100001243 air pollutant Toxicity 0.000 description 1
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 1
- 150000008052 alkyl sulfonates Chemical class 0.000 description 1
- XYLMUPLGERFSHI-UHFFFAOYSA-N alpha-Methylstyrene Chemical compound CC(=C)C1=CC=CC=C1 XYLMUPLGERFSHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- 150000003863 ammonium salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000010539 anionic addition polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 125000000129 anionic group Chemical group 0.000 description 1
- 230000000181 anti-adherent effect Effects 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001491 aromatic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000005228 aryl sulfonate group Chemical group 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 235000010233 benzoic acid Nutrition 0.000 description 1
- 230000005250 beta ray Effects 0.000 description 1
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- KVNRLNFWIYMESJ-UHFFFAOYSA-N butyronitrile Chemical compound CCCC#N KVNRLNFWIYMESJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- JHRWWRDRBPCWTF-OLQVQODUSA-N captafol Chemical class C1C=CC[C@H]2C(=O)N(SC(Cl)(Cl)C(Cl)Cl)C(=O)[C@H]21 JHRWWRDRBPCWTF-OLQVQODUSA-N 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 1
- 238000005119 centrifugation Methods 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000003426 co-catalyst Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 230000001143 conditioned effect Effects 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- ZWAJLVLEBYIOTI-UHFFFAOYSA-N cyclohexene oxide Chemical compound C1CCCC2OC21 ZWAJLVLEBYIOTI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FWFSEYBSWVRWGL-UHFFFAOYSA-N cyclohexene oxide Natural products O=C1CCCC=C1 FWFSEYBSWVRWGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UTLXUGOVTIJBAP-UHFFFAOYSA-N cyclopenta-1,3-diene 5-(2-cyclopenta-2,4-dien-1-ylethyl)cyclopenta-1,3-diene iron(2+) Chemical compound [Fe++].[Fe++].c1cc[cH-]c1.c1cc[cH-]c1.C(C[c-]1cccc1)[c-]1cccc1 UTLXUGOVTIJBAP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VGBAECKRTWHKHC-UHFFFAOYSA-N cyclopenta-1,3-diene;1-ethenylcyclopenta-1,3-diene;iron(2+) Chemical group [Fe+2].C=1C=C[CH-]C=1.[CH2-]C=C1C=CC=C1 VGBAECKRTWHKHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QLSPZKGJDKBESW-UHFFFAOYSA-N cyclopenta-1,3-diene;iron Chemical group [Fe].C1C=CC=C1 QLSPZKGJDKBESW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BOXSCYUXSBYGRD-UHFFFAOYSA-N cyclopenta-1,3-diene;iron(3+) Chemical group [Fe+3].C=1C=C[CH-]C=1.C=1C=C[CH-]C=1 BOXSCYUXSBYGRD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VTXVGVNLYGSIAR-UHFFFAOYSA-N decane-1-thiol Chemical compound CCCCCCCCCCS VTXVGVNLYGSIAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000012955 diaryliodonium Substances 0.000 description 1
- 125000005520 diaryliodonium group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001989 diazonium salts Chemical class 0.000 description 1
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-M dihydrogenphosphate Chemical compound OP(O)([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000000539 dimer Substances 0.000 description 1
- LTYMSROWYAPPGB-UHFFFAOYSA-N diphenyl sulfide Chemical compound C=1C=CC=CC=1SC1=CC=CC=C1 LTYMSROWYAPPGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YWEUIGNSBFLMFL-UHFFFAOYSA-N diphosphonate Chemical compound O=P(=O)OP(=O)=O YWEUIGNSBFLMFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008034 disappearance Effects 0.000 description 1
- FVTKHSUMYCZSJE-UHFFFAOYSA-N dodecylbenzene hydroiodide Chemical compound I.CCCCCCCCCCCCC1=CC=CC=C1 FVTKHSUMYCZSJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000001493 electron microscopy Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 150000002118 epoxides Chemical class 0.000 description 1
- 229940052303 ethers for general anesthesia Drugs 0.000 description 1
- WUOIAOOSKMHJOV-UHFFFAOYSA-N ethyl(diphenyl)phosphane Chemical compound C=1C=CC=CC=1P(CC)C1=CC=CC=C1 WUOIAOOSKMHJOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- KTWOOEGAPBSYNW-UHFFFAOYSA-N ferrocene Chemical class [Fe+2].C=1C=C[CH-]C=1.C=1C=C[CH-]C=1 KTWOOEGAPBSYNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 238000003682 fluorination reaction Methods 0.000 description 1
- 125000003709 fluoroalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000001530 fumaric acid Substances 0.000 description 1
- 230000005251 gamma ray Effects 0.000 description 1
- VOZRXNHHFUQHIL-UHFFFAOYSA-N glycidyl methacrylate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCC1CO1 VOZRXNHHFUQHIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- ALPIESLRVWNLAX-UHFFFAOYSA-N hexane-1,1-dithiol Chemical compound CCCCCC(S)S ALPIESLRVWNLAX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012456 homogeneous solution Substances 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-M hydrogensulfate Chemical compound OS([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 1
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- LXKCAAXANUGTPJ-UHFFFAOYSA-N iodosyl(diphenyl)methanesulfonic acid Chemical compound C1=CC=C(C=C1)C(C2=CC=CC=C2)(S(=O)(=O)O)I=O LXKCAAXANUGTPJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005342 ion exchange Methods 0.000 description 1
- 239000003456 ion exchange resin Substances 0.000 description 1
- 229920003303 ion-exchange polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000006317 isomerization reaction Methods 0.000 description 1
- 150000007517 lewis acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 1
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 1
- SIAPCJWMELPYOE-UHFFFAOYSA-N lithium hydride Chemical compound [LiH] SIAPCJWMELPYOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000103 lithium hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- RLSSMJSEOOYNOY-UHFFFAOYSA-N m-cresol Chemical compound CC1=CC=CC(O)=C1 RLSSMJSEOOYNOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 description 1
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002734 metacrylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229940098779 methanesulfonic acid Drugs 0.000 description 1
- LGRLWUINFJPLSH-UHFFFAOYSA-N methanide Chemical compound [CH3-] LGRLWUINFJPLSH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XJRBAMWJDBPFIM-UHFFFAOYSA-N methyl vinyl ether Chemical class COC=C XJRBAMWJDBPFIM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LVHBHZANLOWSRM-UHFFFAOYSA-N methylenebutanedioic acid Natural products OC(=O)CC(=C)C(O)=O LVHBHZANLOWSRM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 238000001393 microlithography Methods 0.000 description 1
- KTQDYGVEEFGIIL-UHFFFAOYSA-N n-fluorosulfonylsulfamoyl fluoride Chemical compound FS(=O)(=O)NS(F)(=O)=O KTQDYGVEEFGIIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LYGJENNIWJXYER-UHFFFAOYSA-N nitromethane Chemical compound C[N+]([O-])=O LYGJENNIWJXYER-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 231100000252 nontoxic Toxicity 0.000 description 1
- 230000003000 nontoxic effect Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000012074 organic phase Substances 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- AHHWIHXENZJRFG-UHFFFAOYSA-N oxetane Chemical compound C1COC1 AHHWIHXENZJRFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 238000003408 phase transfer catalysis Methods 0.000 description 1
- LIGACIXOYTUXAW-UHFFFAOYSA-N phenacyl bromide Chemical compound BrCC(=O)C1=CC=CC=C1 LIGACIXOYTUXAW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000843 phenylene group Chemical group C1(=C(C=CC=C1)*)* 0.000 description 1
- UEZVMMHDMIWARA-UHFFFAOYSA-M phosphonate Chemical compound [O-]P(=O)=O UEZVMMHDMIWARA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-O phosphonium Chemical compound [PH4+] XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- DLYUQMMRRRQYAE-UHFFFAOYSA-N phosphorus pentoxide Inorganic materials O1P(O2)(=O)OP3(=O)OP1(=O)OP2(=O)O3 DLYUQMMRRRQYAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006303 photolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 230000015843 photosynthesis, light reaction Effects 0.000 description 1
- ZWLUXSQADUDCSB-UHFFFAOYSA-N phthalaldehyde Chemical compound O=CC1=CC=CC=C1C=O ZWLUXSQADUDCSB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000003211 polymerization photoinitiator Substances 0.000 description 1
- 229920001843 polymethylhydrosiloxane Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 238000011417 postcuring Methods 0.000 description 1
- 229910000027 potassium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- GHKGUEZUGFJUEJ-UHFFFAOYSA-M potassium;4-methylbenzenesulfonate Chemical compound [K+].CC1=CC=C(S([O-])(=O)=O)C=C1 GHKGUEZUGFJUEJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- IMBHGOLFXVHBMC-UHFFFAOYSA-N potassium;fluorosulfonyl(trifluoromethylsulfonyl)azanide Chemical compound [K+].FC(F)(F)S(=O)(=O)[N-]S(F)(=O)=O IMBHGOLFXVHBMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 1
- POSICDHOUBKJKP-UHFFFAOYSA-N prop-2-enoxybenzene Chemical compound C=CCOC1=CC=CC=C1 POSICDHOUBKJKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000004447 silicone coating Substances 0.000 description 1
- 229920002545 silicone oil Polymers 0.000 description 1
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 1
- 235000009518 sodium iodide Nutrition 0.000 description 1
- NESLWCLHZZISNB-UHFFFAOYSA-M sodium phenolate Chemical compound [Na+].[O-]C1=CC=CC=C1 NESLWCLHZZISNB-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 159000000000 sodium salts Chemical class 0.000 description 1
- 235000010265 sodium sulphite Nutrition 0.000 description 1
- GGCZERPQGJTIQP-UHFFFAOYSA-N sodium;9,10-dioxoanthracene-2-sulfonic acid Chemical compound [Na+].C1=CC=C2C(=O)C3=CC(S(=O)(=O)O)=CC=C3C(=O)C2=C1 GGCZERPQGJTIQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LKYIPGJOXSVWPX-UHFFFAOYSA-M sodium;thiophene-2-carboxylate Chemical compound [Na+].[O-]C(=O)C1=CC=CS1 LKYIPGJOXSVWPX-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000005063 solubilization Methods 0.000 description 1
- 230000007928 solubilization Effects 0.000 description 1
- 241000894007 species Species 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- LZOZLBFZGFLFBV-UHFFFAOYSA-N sulfene Chemical class C=S(=O)=O LZOZLBFZGFLFBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004434 sulfur atom Chemical group 0.000 description 1
- YBBRCQOCSYXUOC-UHFFFAOYSA-N sulfuryl dichloride Chemical compound ClS(Cl)(=O)=O YBBRCQOCSYXUOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- MDDUHVRJJAFRAU-YZNNVMRBSA-N tert-butyl-[(1r,3s,5z)-3-[tert-butyl(dimethyl)silyl]oxy-5-(2-diphenylphosphorylethylidene)-4-methylidenecyclohexyl]oxy-dimethylsilane Chemical compound C1[C@@H](O[Si](C)(C)C(C)(C)C)C[C@H](O[Si](C)(C)C(C)(C)C)C(=C)\C1=C/CP(=O)(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 MDDUHVRJJAFRAU-YZNNVMRBSA-N 0.000 description 1
- JRMUNVKIHCOMHV-UHFFFAOYSA-M tetrabutylammonium bromide Chemical compound [Br-].CCCC[N+](CCCC)(CCCC)CCCC JRMUNVKIHCOMHV-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- UWHCKJMYHZGTIT-UHFFFAOYSA-N tetraethylene glycol Chemical group OCCOCCOCCOCCO UWHCKJMYHZGTIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 231100000419 toxicity Toxicity 0.000 description 1
- 230000001988 toxicity Effects 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- KAKQVSNHTBLJCH-UHFFFAOYSA-N trifluoromethanesulfonimidic acid Chemical compound NS(=O)(=O)C(F)(F)F KAKQVSNHTBLJCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001889 triflyl group Chemical group FC(F)(F)S(*)(=O)=O 0.000 description 1
- 238000001665 trituration Methods 0.000 description 1
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 description 1
- 150000003673 urethanes Chemical class 0.000 description 1
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 1
- 239000011592 zinc chloride Substances 0.000 description 1
- 235000005074 zinc chloride Nutrition 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
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- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
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- C07C309/00—Sulfonic acids; Halides, esters, or anhydrides thereof
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- C08G77/04—Polysiloxanes
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Abstract
化合物であって、−A+が、ビアリールヨードニウム
基、アリールスルホニウム基、アリールアシルスルホニ
ウム基、ジアゾニウム基及び炭素原子数4〜12の少な
くとも1つの不飽和環と錯形成した遷移金属を含む有機
金属カチオンからなる群から選択されるカチオン基であ
り、該カチオン基は場合によりポリマー鎖の一部でもよ
く;−X-が、イミドアニオン[FSO2NSO2R’F]
-、[RFCH2OSO2NSO2R’F]-等、またはメチ
リドアニオン[FSO2C(Q)SO2R’F]-、[RF
CH2OSO2C(Q)SO2R’F]-等であるイオン性
化合物。 【効果】この化合物は、光学線又はβ線で処理すると、
ポリマーのカチオン重合又は改質用触媒として有用な酸
を与える。
Description
(ionic compound)、その製造法、並びにモノマー及び
プレポリマーのカチオン重合もしくは架橋用又はフォト
レジストとして使用できる特定のポリマーの溶解パラメ
ーターの変更用光開始剤としてのその使用に関する。
オンタイプのメカニズムを含む重合は多くの利点を有す
る。具体的に言えば、こうした重合は、低温でも速やか
に進行し、モノマーの反応率が高く、そしてラジカル重
合やアニオン重合に比較して、大気汚染物(例えば酸
素)に対する感受性が低い。
プレポリマー、およびポリマー、ならびにそれらのビニ
ルエーテルは、例えばペイント、ワニス、インキ、接着
剤、および粘着防止支持体(antiadhesive support)
等の工業において益々使用されるようになってきてい
る。さらに、ビニルエーテルは一般に、アクリレートや
メタクリレートとは異なって無毒性のようである。エポ
キシタイプまたはビニルエーテルタイプのモノマーおよ
びプレポリマーは種々の方法により重合できるが、特に
好ましいのはカチオン重合である。
ドHX(プロトン供与体)という意味で酸として、ある
いはルイス酸(電子対の受容体)という意味で酸として
考えられ、このとき後者は、プロトンの供給源である助
触媒の存在下で作用する。これらの酸は、モノマーまた
は生長しつつある高分子鎖によって運ばれるカチオン性
化学種を確実に安定化させるに足る強さでよく、このこ
とは、対応するアニオンX-ができるだけ低い求核力を
有していなければならない、ということを意味してい
る。カチオン重合触媒として最も普通に使用されている
ブレンステッド酸は、CF3SO3H、HClO4、HB
F4、HPF6、HAsF6、およびSbF6である。これ
らの酸は、開始および生長速度と最高分子量の得られや
すさに関して、以下のように分類される。 CF3SO3H<HClO4≒HBF4<HPF6≒HAs
F6≒SbF6
ルスルホニル)イミド(Kosharらによる米国特許
第4,031,036号)またはビス(パーフルオロア
ルキルスルホニル)メタン(Allenらによる米国特
許第3,632,843号)等の酸の性質を有する化合
物も使用されている。
preparation)は多くの利点を有しているこ
とが知られている。実際、モノマーの架橋反応を触媒す
ることのできる酸をその場で製造することにより、流体
モノマーまたはプレポリマー(熱可塑性物質または溶
液)を得ることができ、そして例えば単に放射線処理に
よってその最終特性を付与することが可能となる。この
技術は、インキ、ペイント、接着フィルム、および粘着
防止フィルムに対して極めて有用である。さらに、塩か
ら酸をその場で製造するという手法を使用すれば、多く
の場合、対応する塩より腐食性の高い酸化合物を塩の形
で貯蔵したり取り扱ったりしなくてよい、という点にも
注目すべきである。
ことができる。例えば、ビス(パーフルオロアルキルス
ルホニル)イミド(Kosharらによる米国特許第
4,031,036号)のアンモニウム塩もしくは金属
塩、あるいはビス(パーフルオロアルキルスルホニル)
メタン(Allenらによる米国特許第3,632,8
43号)のアンモニウム塩もしくはアミン塩を使用し
て、これらをその場で加熱することにより対応するビス
(パーフルオロアルキルスルホニル)イミドまたはビス
(パーフルオロアルキルスルホニル)メタン(これらが
触媒として作用する)を得ている。しかしながら“潜在
性(latent)”と呼ばれるこれらの触媒は、酸の生成を
起こさせるために高温で長時間の加熱が必要であるこ
と、そしてこの酸生成が漸進的であって開始時に完全に
は起こらないことから、ごく限られた関心しか寄せられ
ていない。こうした触媒を使用すると、反応速度が遅
く、また得られるポリマーは、分子量、多分散性、およ
び着色に関して低品質である。
ば、その波長が紫外線、可視光線、γ線、およびX線に
対応する光子)あるいはβ線(電子のビーム)を照射す
ることによって、その場で製造することもできる。この
ような塩は、強い触媒活性をもつ対応した酸を放出させ
る化学線またはβ線の作用の下で化学的に不安定であ
り、光開始剤と呼ぶことができる。このようなプロセス
のもつ利点は多い。すなわち、放射線による触媒の放出
は速やかでほぼ完全に起こり、その結果、連鎖生長が同
時に始まり、したがって分子量(masses)の分布がより
均一となり、多分散性はより小さく機械的特性はより良
好となる。重合は比較的低い温度で行うことができ、こ
のため得られる物質の分解や着色が防げるだけでなく、
溶媒を使用するときや、反応混合物が可塑剤として最終
物質中に保持するように意図された揮発性添加剤を含有
しているときに気泡の形成が防げる。
ギーの作用下で活性化することができる塩を記載してお
り、該塩においてカチオンはアレーンをベースとする芳
香族化合物又はペンタジエニル配位子と遷移金属を含む
有機金属カチオン、遷移金属を含むヨードニウム、スル
ホニウム、ホスホニウム及びカルボニウムカチオンから
選択される少なくとも1個のカチオンを含み、アニオン
の数はカチオンの電化を中和するに十分であり、アニオ
ンはアルキル基またはアリール基が場合により過フッ素
化もしくは高度にフッ素化されているトリス(アルキル
スルホニルメチリド)、ビス(アルキルスルホニルイミ
ド)、トリス(アリールスルホニルメチリド)又はビス
(アリールスルホニルイミド)塩である。単純金属の
塩、ジアゾニウム塩及びアンモニウム塩は含まない。こ
れらの塩はオレフィンのカチオン重合用光開始剤として
使用することができる。
に含まれている樹脂を分解させるために、化学線によっ
て生成される酸を使用することも知られている。この方
法は、ごく少量のプロトンが、高分子鎖の一部である基
(例えばtert−ブチル基等の、第三アルコールから
誘導される基を含んだエステルなど)の分解を触媒する
という化学的増幅(chemical amplification)を伴った
フォトレジストに対して特に効率的である。したがって
この方法を用いれば、化学線に暴露される樹脂の溶解パ
ラメーターを変えることができ、マイクロエレクトロニ
クスで使用されるような選択的マスキング操作やエング
レービング操作を施すことができる。
は変性に良好な触媒であるとされている酸を化学線また
はβ線の作用下で生成できる新規イオン性化合物を見い
だした。
オン性化合物、その製法、並びにモノマーのカチオン重
合もしくは架橋用又は例えばフォトレジストとして使用
する場合のポリマーの変性用光開始剤としてのその使用
を提案することである。
は、少なくとも1個のA+X-基を含み、 −A+が、ビアリールヨードニウム基、アリールスルホ
ニウム基、アリールアシルスルホニウム基、ジアゾニウ
ム基及び炭素原子数4〜12の少なくとも1つの不飽和
環と錯形成した遷移金属を含む有機金属カチオンからな
る群から選択されるカチオン基であり、該カチオン基は
場合によりポリマー鎖の一部でもよく;−X-が、イミ
ド塩アニオン[FSO2NSO2R’F]-、[RFCH2O
SO2NSO2R’F]-もしくは[(RF)2CHOSO2
NSO2R’F]-、またはメチリドアニオン[FSO2C
(Q)SO2R’F]-、[RFCH2OSO2C(Q)SO
2R’F]-もしくは[(RF)2CHOSO2C(Q)SO
2R’F]-であり、式中、1)Qは、 − H−、Cl−、F−、Br−、またはCN−; − 1〜30個の炭素原子を有するアルキル基; − 6〜30個の炭素原子を有するアリール基、アルキ
ルアリール基、又はアリールアルキル基; − 基R”F−、基R”FSO2−、基R”FCH2O−S
O2−または基(R”F)2CHO−SO2−;であり、 2)RF、R’FおよびR”Fは、X-がメチリドアニオン
であるときは、フッ素、1〜30個の炭素原子を有する
パーハロアルキル基、2〜30個の炭素原子を有する
(パーハロアルキル)アルコキシ基、3〜30個の炭素
原子を有する過ハロゲン化脂環式基(OとNから選ばれ
るヘテロ原子を含んでいてもよく、及び/又は、少なく
とも1つのパーハロアルキル鎖を有していてもよい)、
および6〜30個の炭素原子を有する過ハロゲン化アリ
ール基からなる群から独立して選択されるか;又は 3)RFとR’Fは一緒になって、2〜8個の炭素原子を
有する過フッ素化直鎖アルキレン基から選択される二価
基を形成するか;又は 4)X-がメチリドアニオンであるとき、R’FとR”F
又はRFとR”Fは一緒になって、2〜8個の炭素原子を
有する過フッ素化直鎖アルキレン基から選択される二価
基を形成することを特徴とする。
ルホンイミド塩のアニオン[FSO2NSO2R’F]-、
[CF3CH2OSO2NSO2R’F]-及び[(CF3)2
CHOSO2NSO2R’F]-が挙げられ、式中、R’F
基は、F、CF3CH2O−、(CF3)2CH−O−又は
炭素原子数1〜10のペルフルオロアルキル基(好まし
くはCF3−、C2F5−、C4F9−、C6F13−、C8F
17−、およびC10F21−)である。
O2C(Q)SO2R’F]-、[CF3CH2OSO2C
(Q)SO2R’F]-及び[(CF3)2CHOSO2C
(Q)SO2R’F]-も挙げられ、式中、R’Fは、F、
CF3CH2O−、(CF3)2CH−O−又は炭素原子数
1〜10のペルフルオロアルキル基(好ましくはCF3
−、C2F5−、C4F9−、C6F13−、C8F17−、およ
びC10F21−)であり、Qは、水素、FSO2−、CF3
CH2−O−SO2−、(CF3)2CH−O−SO2−、
多くとも30個の炭素原子を有するアルキル基、アリー
ル基、アルキルアリール基、またはアリールアルキル
基;2〜8個の炭素原子を有するパーフルオロアルキル
スルホニル基(好ましくはCF3SO2−、C2F5SO2
−、C4F9SO2−、C6F13SO2−、およびC8F17S
O2−);および1〜12個の炭素原子を有するパーフ
ルオロアルキル基(好ましくはCF3−、C2F5−、C4
F9−、C6F13−、C8F17−、およびC10F21−);
からなる群から選ばれ、あるいはQとR’Fは一緒にな
って、1〜8個の炭素原子を有する二価過フッ素化直鎖
アルキレン基を形成する。
-、(FSO2)3C-、(FSO2)2CH-、(CF3CH
2OSO2)2N-、[(CF3)2CHOSO2]2N-、
(CF3CH2OSO2)2CH-、[(CF3)2CHOS
O2]2CH-、[(CF3)2CHOSO2]3C-、「(C
F3)2CHOSO2」3C-、[FSO2NSO2−CF3]
-、[FSO2NSO2C2F5]-、[(CF3)2CHOS
O2NSO2CF3]-、[(CF3)2CHOSO2NSO2
CF3]-、[(CF3)2CHOSO2NSO2C2F5]-
及び[CF3CH2OSO2NSO2C2F5]-から構成さ
れる群から選択されるものが特に有利である。
ができる。その場合、該化合物は化合物A+X-として定
義され、式中、Xは上記と同義であり、カチオンA+は
式:
異なり、アリール基の任意の遊離炭素原子に結合した1
〜4個、好ましくは1〜2個の基を表し、R2nは同一又
は異なり、アリール基の任意の遊離炭素原子に結合した
1〜4個、好ましくは1〜2個の基を表し、R1n、R2n
及びR3〜R8は、 − 炭素原子数1〜30の直鎖又は分枝鎖アルキル又は
アリールアルキル基; − 炭素原子数1〜30のアルケニル基; − 縮合核をもつものを含めた炭素原子数6〜30のア
リール又はアルキルアリール基; − オキサアルキル、アザアルキル、チアアルキル、ホ
スファアルキル、オキサアルキレン、アザアルキレン、
チアアルキレン、ホスファアルキレンから構成される群
から選択される炭素原子数1〜30の基; − いずれも硫黄又はリン原子に酸素を付加することに
より得られるスルホキシド、スルホン、ホスフィンオキ
シド、ホスホネート基等の炭素原子数1〜30の基; − O、N、S及びPから構成される群から選択される
少なくとも1個のヘテロ原子を含む芳香族又は脂環式複
素環基; − −NO、−CN、−OH、−Cl、−Br、−I、
−F;から独立して選択されるか、あるいは − R1nから選択される2個の置換基及び/又はR2nか
ら選択される2個の置換基、又は置換基R3及びR4、又
は置換基R5及びR6は一緒になってこれをもつ基と共に
環を形成する二価基を形成し、該二価基は、炭素原子数
1〜18の直鎖アルキレン基、場合により好ましくは炭
素原子数1〜10のアルキル、オキサアルキル又はアル
ケニル基から構成される群から選択される少なくとも1
個の置換基をもつベンゾビラジカル、式:−R’−(O
CH2CH2)q−OR’−又は−R’−[OCH(C
H3)CH2]q−OR’−(式中、R’はH又は炭素原
子数1〜18の直鎖アルキレン基であり、1≦q≦22
である)により表されるオキサアルキレン基から構成さ
れる群から選択される。
R2n及びR3〜R8が炭素原子数1〜18の直鎖アルキル
基、2−エチルヘキシル、フェニル、式:R−(OCH
2CH2)y−又はR−[OCH(CH3)CH2]y−(式
中、RはH又は炭素原子数1〜18の直鎖アルキル基で
あり、1≦y≦22である)で表されるオキサアルキル
から構成される群から独立して選択される化合物であ
る。
含むポリカチオン部分(A+)pと、化合物の電気中性を
確保するために十分な数のアニオンX-から構成される
ポリイオンオリゴマー又はポリマーの形態でもよく、オ
ニウム単位はビアリールヨードニウム、アリールスルホ
ニウム、アリールアシルスルホニウム、ジアゾニウム及
び炭素原子数4〜12の少なくとも1つの不飽和環と錯
形成した遷移金属を含む有機金属カチオンからなる群か
ら選択される。
は、A+単位を含むカチオン部分がカチオン部分の電荷
を中和するために十分な数の上記アニオンX-と結合し
たポリヨードニウム塩を含み、該塩は下式(I)、(I
I)、(III)、または(IV):
アルキレン基;非置換または置換されているフェニレン
基;式−R’−(OCH2CH2)q−O−R’−または
−R’−[OCH(CH)CH2]q−O−R’−(式
中、R’は0〜18個の炭素原子を有する直鎖状アルキ
レン基であり、1≦q≦22である)を有するオキサア
ルキレン基;−O−;−S−;>C=O;シロキサン基
−R’−O−[Si(R)2O]r−R’−または−O−
[Si(R)2O]r−〔式中、1≦r≦40であり、
R’は上記と同じ意味を有し、Rは、1〜18個の炭素
原子を有する直鎖基、2−エチルヘキシル又はフェニル
である(好ましくは、R=CH3またはフェニルであ
る)〕からなる群から選ばれる二価基又は2つの非縮合
アリール基の2つの炭素原子間の直接結合を表し; a3) Lは、L’に関して上記a2)において定義し
た基から選ばれる二価の基であるか;あるいはLは、非
イオン性であるか又は化学線の作用に対して感受性では
ないイオン性基を有する少なくとも1つのモノマー単位
からなるセグメントであり(この場合においては、Lは
活性イオン基間の平均スペースを表している); a4) pは反復構造単位の数であって、2≦p≦10
00であり; a5) Zは、CH、CR、N、SiR、または−Si
RO3であって、このときRは、1〜18個の炭素原子
を有する直鎖状アルキル基、2−エチルヘキシル基、お
よびフェニル基から選ばれ;そして a6) Xは前記にて定義したとおりである。
は、置換基R1nとR2nが、1〜18個の炭素原子を有す
る直鎖状アルキル基、2−エチルヘキシル基、フェニル
基、および式R−(OCH2CH2)y−またはR−[O
CH(CH3)CH2]y−(式中、Rは1〜18個の炭
素原子を有する直鎖状アルキル基であって、1≦y≦2
2である)を有するオキサアルキル基からなる群から独
立的に選ばれるような化合物が特に好ましい。
(I)または(II)のうちの一方を有している場合、
ポリヨードニウム化合物は、ダイマーまたはポリマー鎖
中にヨードニウムイオン基を含んだポリマーという形を
とっている。
たは(IV)のうちの一方を有している場合、ポリヨー
ドニウム化合物は、ヨードニウムイオン基がぶら下がり
置換基によって担われているポリマーという形をとって
いる。
は、少なくとも2個のA+単位を含むカチオン部分がカ
チオン部分の電荷を中和するために十分な数の上記アニ
オンX-と結合したポリスルホニウム塩を含み、該塩は
下式(V)、(VI)、(VII)、(VIII)又は
(IX):
の遊離炭素原子に結合した1〜4個、好ましくは1〜2
個の基であり、置換基R1nおよび置換基R3とR4は、 − 1〜30個の炭素原子を有する直鎖または枝分かれ
鎖のアルキル基もしくはアリールアルキル基; − 1〜30個の炭素原子を有するアルケニル基; − 6〜30個の炭素原子を有するアリール基もしくは
アルキルアリール基であって、縮合核を有するものを含
む; − 1〜30個の炭素原子を有していて、オキサアルキ
ル基、アザアルキル基、チアアルキル基、ホスファアル
キル基、オキサアルキレン基、アザアルキレン基、チア
アルキレン基、およびホスファアルキレン基からなる群
から選ばれる基; − 1〜30個の炭素原子を有していて、スルホキシド
基、スルホン基、ホスフィンオキシド基、またはホスホ
ネート基(これらの基はいずれも、イオウ原子またはリ
ン原子への酸素の付加によって得られる)を含んだ基; − O、N、S、およびPからなる群から選ばれる少な
くとも1つのヘテロ原子を含んだ芳香族または脂環式の
複素環基;および − −NO、−CN、−OH、−Cl、−Br、−I、
−F;から独立的に選ばれるか、あるいは同一原子上の
基R3とR4および/またはR1nから選ばれる2つの置換
基は一緒になって二価の基を形成し、この二価の基が、
それらを有している基と一緒になって環を構成し、この
とき前記二価の基は、1〜18個の炭素原子を有する直
鎖状アルキレン基;場合により好ましくは1〜10個の
炭素原子を有するアルキル基、オキサアルキル基、およ
びアルケニル基からなる群から選ばれる少なくとも1つ
の置換基を有するベンゾビラジカル;および式−R’−
(OCH2CH2)q−O−R’−または−R’−[OC
H(CH3)CH2]q−O−R’−(式中、R’は0〜
18個の炭素原子を有する直鎖状アルキレン基であり、
1≦q≦22である)を有するオキサアルキレン基;か
らなる群から選ばれ; b2) L’は、上記a2)において定義した意味を有
し; b3) Lは、上記a3)において定義した意味を有
し; b4) pは、反復構造単位の数であって、1≦p≦1
000であり; b5) Zは、CH、CR、N、SiR、または−Si
RO3であって、このときRは、1〜18個の炭素原子
を有する直鎖状アルキル基、2−エチルヘキシル基また
はフェニル基であり;そして b6) Xは、前記にて定義したとおりである。
個の炭素原子を有する直鎖状アルキル基、2−エチルヘ
キシル基、フェニル基、および式R−(OCH2CH2)
y−またはR−[OCH(CH3)CH2]y−(式中、R
は1〜18個の炭素原子を有する直鎖状アルキル基であ
って、1≦y≦22である)を有するオキサアルキル基
からなる群から選ばれるようなポリスルホニウム化合物
が特に好ましい。
(V)、(VII)または(VIII)のうちの1つに
相当する場合、その化合物は鎖中にイオン性基を含んだ
ポリマーという形をとっている。
は(IX)のうちの1つで示される場合、その化合物
は、イオン性基が側基によって担われているポリマーと
いう形をとっている。
は、少なくとも2個のA+単位を含むカチオン部分がカ
チオン部分の電荷を中和するために十分な数の上記アニ
オンX-と結合したポリスルホニウム塩を含み、該塩は
下式(X)、(XI)、(XII)、(XIII)、ま
たは(XIV):
し、置換基R5とR6は、上記b1)において定義した置
換基R3およびR4と同じ意味を有し; c2) L’は、上記a2)において定義したのと同じ
意味を有し; c3) Lは、上記a3)において定義した意味を有
し; c4) pは反復構造単位の数であって、1≦p≦10
00であり; c5) Zは、上記a5)において定義した意味を有
し;そして c6) Xは、前記にて定義したとおりである。
置換基R1n、R5、およびR6が、1〜18個の炭素原子
を有する直鎖状アルキル基、2−エチルヘキシル基、フ
ェニル基、および式R−(OCH2CH2)y−またはR
−[OCH(CH3)CH2]y−(式中、Rは1〜18
個の炭素原子を有する直鎖状アルキル基であって、1≦
y≦22である)を有するオキサアルキル基からなる群
から選ばれるような化合物が特に好ましい。
部分AP+が次式(XV)によって表わされるポリジアゾ
ニウムである塩を含む。
す; d4)Xはさきに規定したアニオンを表わす。) 本発明による第5群の化合物は、下式の1つによって表
わされる有機金属ポリオニウム(polyonium)
化合物を含む。
換基R7は下記: − 炭素原子が1〜30個の線状もしくは分枝状アルキ
ルまたはアリールアルキル基; − 炭素原子が1〜30個のアルケニル基; − 炭素原子が6〜30個のアリールまたはアルキルア
リール基で、縮合核を有する該基も含む; − オキサアルキル、アザアルキル、チアアルキル、ホ
スファアルキル、オキサアルキレン、アザアルキレン、
チアアルキレン、ホスファアルキレンより成る群から選
ばれる炭素原子が1〜30個の基; − スルホキシド基、スルホン基、ホスフィンオキシド
基、ホスホネート基を包含し、これらの基がすべて硫黄
またはリン原子に酸素を付加することにより得られる炭
素原子が1〜30個の基; − O、N、SおよびPより成る群から得られる少なく
とも1種のヘテロ原子を含む芳香族または脂環式複素環
式基; − −NO、−CN、−OH、−Cl、−Br、−I、
−F; e2)L’は前記a2)項で述べた意味を有する; e3)Lは前記a3)項で述べた意味を有する; e4)pは繰返し単位の数、2≦p≦1000を表わ
す; e5)Zは前記a5)項で述べた意味を有する; e6)Xは前記意味を有する; e7)Meは周期律の分類中第3〜第12欄、(第3〜
第6列)の遷移元素から選ばれる遷移金属を表わす。)
から選択される。
る化合物の例にはフェロセニウム単位を含むポリマー
(とくにビニルフェロセン単位、ポリアルキルベンゼン
鉄シクロペンタジエン単位を含むポリマー)、ニッケロ
セニウム単位を含むポリマーおよびトリカルボニルマン
ガンシクロペンタジエン単位を含むポリマーがある。
0のものが好ましい。
X-)pは概して非水溶性である。したがって、水または
水/軽質アルコール(メタノール、エタノール、プロパ
ノール)混合物中で、X1 -が親水性アニオンである可溶
塩A+X1 -又は(A+X1 -)pと、A1 +が高親水性カチオ
ンである水溶性化合物A1 +X-とのメタセシス反応を行
う方法により該化合物を調製することができる。
ム、スルホニウム、アシルスルホニウム、ジアゾニウム
カチオン又は有機金属カチオンを表す可溶塩A+X
1 -と、(A+)p +が上記に定義したようなポリヨードニ
ウム、ポリスルホニウム、ポリアシルスルホニウム、ポ
リジアゾニウムポリカチオン又は有機金属ポリカチオン
を表す可溶塩(A+X1 -)pは、アニオンX1 -がヒドロキ
シド、クロリド、ブロミド、ヒドロゲンスルフェート、
ジヒドロゲンホスフェートまたはメチルスルホネートか
ら選ばれる塩から選ぶのが好ましい。これらアニオンは
水または軽質アルコールに極めて溶けやすいので、溶解
度を高める。
合物A1 +X-は、ナトリウム、カリウム、アンモニウ
ム、カルシウムまたはマグネシウムのスルホンイミドお
よびスルホニルメタンから選ぶのが好ましい。いうまで
もなくカチオンの選択は入手しやすさおよび溶解性を生
じるのに必要な最低限の親水性によって決まる。
ホネート、アルコキシスルホネートまたはアリールスル
ホネートである塩A+X1 -又は(A+X1 -)pから本発明
の化合物A+X-又は(A+X-)pを製造し、そのナトリ
ウム塩NaX1またはカリウム塩KX1が通常の溶剤に不
溶である場合には、NaXまたはKX塩の存在下で反応
を行うと有利である。これらの塩は平均極性の溶剤にも
かなりよく溶けるので、本発明のイオン性化合物が溶液
に維持されている間に、NaClやKBrのような不溶
性塩は沈殿する。溶剤としては、アセトン、メチルエチ
ルケトン、アセトニトリル、THF、ホルメート、メチ
ルもしくは酢酸エチルのようなエステルを挙げることが
できる。
または選択的沈澱法のような任意の他のイオン交換法を
使用できることに留意する必要がある。
O2基をもつ化合物は化学線に感受性のカチオンの存在
下で安定であり、放出された酸はカチオン種により重合
又は架橋反応を開始するように作用することを本発明者
らは見いだした。更に、負電荷がFSO2基上に非局在
化しているアニオンは、通常の溶媒に対する対応する塩
の顕著な溶解度を誘導することができ、ペルフルオロア
ルキル基で得られると同等にできることが判明した。他
方、ペルフルオロアルキル基の代わりに1個以上のFS
O2を含むアニオンは分子量が低いため、より低分子量
フラクションで活性である。工程は収率の低い化学的フ
ッ素化法を必要としないので、費用の点で有利である。
RF−CH2O−SO2−及び(RF)2CHO−SO2−基
(式中、RFはフルオロアルキル基を表す)を含む化合
物でも重合中に同一の溶解性及び活性が認められた。驚
くべきことに、RF−CH2O−SO2−又は(RF)2C
HO−SO2−基の炭素−酸素結合は、炭化水素化スル
ホン酸エステル(R−CH2O−SO2)で観察される状
態とは対照的に、加水分解の間安定である。更に、RF
−CH2O−SO2−及び(RF)2CHO−SO2−基を
含むアニオンは、工業的に製造されている対応するハロ
ゲン化アルコールRFCH2OH及び(RF)2CH2OH
の作用により−SO2F又は−SO2Cl誘導体から容易
に得られる。CF3SO2−基をもつ類似化合物に比較す
ると、FSO2基をもつ化合物は塗料技術で重要な要素
であるフッ化物の保護層を形成するので、アルミニウム
等の金属に対して低腐食性である。RFCHO2−OSO
2−及び(RF)2CHO−SO2基はFSO2−基に類似
の挙動をもつ。
モノマーまたはプレポリマーの重合もしくは架橋触媒ま
たはポリマーの改質用触媒として用いられるブレンステ
ッド酸源を構成する光開始剤としての本発明のイオン性
化合物の使用を提案することにある。カチオン反応可能
なモノマーまたはプレポリマーの重合もしくは架橋方法
は、重合反応を触媒する酸源を構成する光開始剤として
本発明の化合物を使用することを特徴とする。
たはプレポリマーの重合用光開始剤として本発明の化合
物A+X-又は(A+X-)pを使用しようとする場合に
は、モノマーまたはプレポリマーとともに用いる溶剤中
の前記化合物の溶解度を増加するように最終ポリマーに
所望の性質に応じて上記基からR1〜R8基を選択する。
たとえば非置換アルキル基を選択すると低極性媒質中へ
の溶解度をもたらす。オキサ基またはスルホン基を含む
基の選択は極性媒質中への溶解度をもたらす。硫黄また
はリン原子に酸素を付加することにより得られるスルホ
キシド基、スルホン基、ホスフィンオキシド基、ホスホ
ネート含む基は、接着性、光沢、酸化またはUVに対す
る抵抗性に関して、得られるポリマーにすぐれた性状を
与えることができる。
マーとしては、エチレンオキシド、プロピレンオキシ
ド、オキセタン、エピクロロヒドリン、テトラヒドロフ
ラン、スチレンオキシド、シクロヘキセンオキシド、ビ
ニルシクロヘキセンオキシド、グリシドール、ブチレン
オキシド、オクチレンオキシド、グリシジルエーテルお
よびエステル(たとえば、グリシジルメタクリレートま
たはアクリレート、フェニルグリシジルエーテル、ビス
フェノールAのジグリシジルエーテルまたはそのフッ素
化誘導体)、炭素原子が4〜15個の環状アセタール
(たとえばジオキソラン、1,3−ジオキサン、1,3
−ジオキセパンを挙げることができる。
カチオン重合に対して感受性の高いモノマー中の極めて
重要な一群を構成する。例として、ビニルエチルエーテ
ル、プロピルビニルエーテル、イソブチルビニルエーテ
ル、オクタデシルビニルエーテル、エチレングリコール
モノビニルエーテル、ジエチレングリコールジビニルエ
ーテル、ブタンジオールモノビニルエーテル、ブタンジ
オールジビニルエーテル、ヘキサンジオールビニルエー
テル、エチレングリコールブチルビニルエーテル、トリ
エチレングリコールメチルビニルエーテル、シクロヘキ
サンジメタノールモノビニルエーテル、シクロヘキサン
ジメタノールジビニルエーテル、2−エチルヘキシルビ
ニルエーテル、分子量が150〜5000のポリTHF
ジビニルエーテル、ジエチレングリコールモノビニルエ
ーテル、トリメチロールプロパントリビニルエーテル、
アミノプロピルビニルエーテル、2−ジエチルアミノエ
チルビニルエーテルを挙げることができる。
下で対応するアリルエーテルの異性化によって好適に得
られる1個以上のCH3CH=CH−O−基を含むメチ
ルビニルエーテルも挙げられる。
合物の存在下で他のビニル化合物もカチオン重合するこ
とができる。例えば、1,1−ジアルキルエチレン(た
とえばイソブテン)、ビニル芳香族モノマー(たとえば
スチレン、α−アルキルスチレン、たとえばα−メチル
スチレン、4−ビニルアニソール、アセナフテン)、N
−ビニル化合物(たとえば、N−ビニルピロリドンまた
はN−ビニルスルホンアミド)が挙げられる。
鎖または複素環式鎖によってエポキシ基が保持される化
合物、たとえば3〜15個のエチレンオキシド単位でエ
トキシル化されるビスフェノールAのグリシジルエーテ
ル、ビニルシクロヘキセンオキシドの存在下で、ジアル
キル、アルキルアリールまたはジアリールシロキサンと
メチルヒドロゲンシロキサン(methyl hydr
ogensiloxane)とのコポリマーのヒドロシ
リル化によって得られるエポキシシクロヘキセンエチル
型の側基を有するシロキサン、トリエトキシまたはトリ
メトキシシラプロピルシクロヘキセンオキシドから得ら
れるゾル−ゲル型の縮合物、ブタンジオールモノビニル
エーテルおよび官能性が2個以上のアルコールと脂肪族
または芳香族ジ−もしくはトリイソシアナートとの反応
生成物を含むウレタンを挙げることができる。
な少なくとも1種のモノマーまたはプレポリマーを少な
くとも1種の本発明のイオン性化合物A+X-又は(A+
X-)pと混合する第1段階と、得られた混合物を化学線
またはβ線に暴露する第2段階を含む。反応混合物は、
厚さが5mm未満の薄層、好ましくは厚さが500μm
以下の薄膜状に成形した後に放射線に曝露するのが好ま
しい。反応時間は試料の厚さおよび、活性なλ波長にお
ける源の出力によって決まる。反応時間は、試料が放射
線源の前を通過する300m/分〜1cm/分の速度に
よって決まる。1層を塗布して、それを放射線で処理す
る操作を何回も繰返すことによって5mmよりも厚い最
終生成物層を得ることができる。
たはプレポリマーの重量に対して0.01〜15重量
%、好ましくは0.1〜5重量%である。
X-)pは、溶剤の不在下、たとえば、塩が可溶または容
易に分散可能である液状モノマーを重合したい場合に光
開始剤として使用することができる。このように使用す
ると、溶剤に関連する問題(毒性、引火性)を解決でき
るので特に有利である。
X-)pは、特に重合または架橋すべき混合物が高粘度を
有する場合に、直ちに使用できかつ容易に分散可能で、
重合に対して不活性の溶剤中に均質溶液の形の光開始剤
として用いることもできる。
エチルケトンやアクリロニトリルのような揮発性溶剤を
挙げることができる。これら溶剤は単に重合または架橋
すべき生成物を希釈する(特にプレポリマーの場合には
生成物を低粘度にする)ために使用される。重合または
架橋後乾燥によって該溶剤は除去される。不揮発性溶剤
を挙げることもできる。不揮発性溶剤も、重合または架
橋しようとする生成物を希釈し、本発明の塩A+X-を光
開始剤として用いる場合にはこれを溶解させるために使
用されるが、不揮発性溶剤はさらに形成される物質中に
残留して、可塑剤として働く。例えば、プロピレンカー
ボネート、γ−ブチロラクトン、モノ−、ジ−、トリエ
チレンまたはプロピレングリコールのエーテル−エステ
ル、モノ−、ジ−、トリエチレンまたはプロピレングリ
コールのエーテルアルコール類、フタル酸もしくはクエ
ン酸エステル等の可塑剤を挙げることができる。
反応性の化合物を溶剤または希釈剤として使用すること
ができ、前記化合物は低分子量および低粘度を有し、重
合可能なモノマーとして働くと同時に、併用する高粘性
モノマーまたはプレポリマーの溶剤もしくは希釈剤とし
て働く。反応後、溶剤として用いられたこれらモノマー
は最終的に得られる高分子網状組織の一部をなし、その
一体化は二官能性モノマーが存在する場合よりも大き
い。照射後に得られる物質には、低分子量および顕著な
蒸気圧を有する生成物または該ポリマーが接触する物体
を汚染しやすい生成物は存在しない。例えば、反応性溶
剤は、モノ−、ジ−、トリ−、テトラエチレンおよびプ
ロピレングリコールのビニルモノ−およびジエーテル、
N−メチルピロリドン、たとえば米国ニュージャージー
州のISPからPEPCという商品名で市販されている
プロピレンカーボネートの2−プロペニルエーテルから
選ぶことができる。
外線、可視線、X線、γ線、およびβ線から選ぶことが
できる。化学線として紫外線を用いる場合には、本発明
の光開始剤に、工業装置が発する波長(とくに水銀灯の
場合にはλ約300nm)のような光開始剤の吸収の最
大値に相当する波長ほど強力ではない波長を用いて効果
的に光分解させることを意図する光増感剤を添加するの
が有利であろう。このような添加物は公知であって、非
限定例としては、アントラセン、ジフェニル−9,10
−アントラセン、ペリレン、フェノチアジン、テトラセ
ン、キサントン、チオキサントン、アセトフェノン、ベ
ンゾフェノン、1,3,5−トリアリール−2−ピラゾ
リンおよびその誘導体、とくに吸収波長を変えることが
できるアルキル、オキサ−またはアザ−アルキル基によ
って芳香核に置換される誘導体が挙げられる。イソプロ
ピルチオキサントンは、本発明のポリヨードニウム化合
物を光開始剤として用いる場合に好ましい光増感剤の例
である。
とくに好ましい。一方では、紫外線は上記の他の放射線
よりも使用しやすい。他方では、光開始剤は概して紫外
線に直接感応しやすく、またこの光増感剤はエネルギー
差(δλ)が小さい場合にとくに効率がよい。
によって生成されるラジカルタイプの開始剤と併用する
こともできる。しかして、重合モードが異なる機能を有
するモノマー又はプレポリマーの混合物、例えばフリ−
ラジカル重合が可能なモノマー又はプレポリマーとカチ
オン重合が可能なモノマー又はプレポリマーの混合物を
重合又は架橋させることが可能である。この可能性は、
対応するモノマーから生成されるポリマーの単なる混合
物により得られる物性とは異なる物性を有する相互浸透
ネットワークを生成するために特に有利である。ビニル
エーテルは、ラジカル開始によっては全く又は殆ど不活
性である。したがって、本発明による光開始剤、遊離基
開始剤、ビニルエーテルタイプの少なくとも一つのモノ
マー、及びアリル基のもののような非活性化二重結合を
有する少なくとも一つのモノマーを含む反応混合物中に
おいて、それぞれのタイプのモノマーについて別々の重
合を行うことができる。一方、フマル酸、マレイン酸、
アクリル又はメタクリル酸、イタコン酸のエステル又は
アミド、アクリロニトリル、メタクリロニトリル、マレ
イミド及びその誘導体のような電子欠乏モノマーは、電
子に富むビニルエーテルの存在下で、ラジカル開始によ
って1:1の交互ポリマーを与える電荷移動コンプレッ
クスを形成することが知られている。この化学量論に対
してビニルモノマーが始めに過剰であると、純粋なカチ
オン性の開始によって重合性機能が保持される。遊離基
開始剤と本発明によるカチオン性開始剤の混合物の活性
作用の設定は、例えば本発明の光開始剤及び選択された
遊離基開始剤が活性である波長、例えばλ=250nm
における化学線による処理の場合には、二つの反応物質
に関して同時に行うことができる。例としては、開始剤
として以下の市販製品:Irgacure 184、I
rgacure 651、Irgacure 261、
Quantacure DMB、Quantacure
ITX(いずれも登録商標)を示すことができる。
し、まず製造し易く且つカチオン開始剤の活性を開始す
ることによりその硬度、接着性、可溶性並びに架橋度を
変更できるプレポリマーを形成することも有利であり得
る。例えば、熱解離性遊離基開始剤と本発明によるカチ
オン性光開始剤の混合物により、最初は熱の作用下で、
次に化学線の作用下で、逐次重合及び架橋を得ることが
できる。同様に、遊離基開始剤及び本発明によるカチオ
ン性光開始剤を、前者が、本発明による光開始剤によっ
て生成するものよりもより長い波長に対して感光性であ
るように選択すると、制御可能な2段階で架橋が得られ
る。遊離基開始剤としては、例えば、365nmの波長
における遊離基重合を開始することができるIrgac
ure 651(登録商標)を挙げることができる。
で使用するホトレジストの化学的増幅の反応のための本
発明のイオン性化合物A+X-又は(A+X-)pの使用を
提案することである。このような使用時には、ポリマー
と本発明のイオン性化合物を含む材料のフィルムを照射
にかける。照射によって、ポリマーの分解又は転化を触
媒する酸HXが形成される。照射されたフィルムの部分
におけるポリマーの分解又は転化の後、形成されたモノ
マー又は転化されたポリマーを除去すると、非露光部分
の画像が残る。この特定用途には、イオン性置換基を有
するビニル単位を有するポリマー化合物を用いることが
有利である。これらの化合物の中では、式(II)によ
って示されるポリヨードニウム塩、式(VI)によって
示されるポリスルホニウム塩、式(XI)によって示さ
れるポリアシルスルホニウム、式(XV)によって示さ
れるポリジアゾニウム、式(VIII)によって示され
る有機金属コンプレックスの塩を示すことができる。光
分解の後、これらの化合物によって、非揮発性で、した
がってスルフィドに関する場合には匂いを有しない生成
物を得ることができる。本発明の化合物の中で特に好ま
しいものは、光開始剤として特に有効なポリスルホニウ
ム、フェナシルスルホニウム化合物、及び容易に得るこ
とのできるビニルフェロセニウムのポリマー及びコポリ
マーである。本発明の化合物の存在下でこのように変性
することのできるポリマーの中では、例えば、tert
−アルコールのエステル又はアリールエーテル単位を有
するポリマー、例えばポリ(フタルアルデヒド)、ビス
フェノールAと二酸のポリマー、ポリtert−ブトキ
シカルボニルオキシスチレン、ポリtert−ブトキシ
−α−メチルスチレン、ポリジtert−ブチルフマレ
ート−co−アリルトリメチルシラン及びtert−ア
ルコールのポリアクリレート、特に、tert−ブチル
ポリアクリレートが示される。他のポリマーは、J.
V.CrivelloらのChemistry of
Materials 8,376−381(1996)
に記載されている。
合物A+X-又は(A+X-)pは、従来技術の公知の塩と
比べて多くの利点がある。
明するが、これらの実施例は単に例示に過ぎない。
15gを含む脱イオン水溶液100mlを0℃に維持
し、ジフェニルヨードニウムクロリド(C6H5)2IC
l 21g(1.43×10-3mol)を加えた。混合
物を遮光下に1時間撹拌した。ジフェニルヨードニウム
ビスフルオロスルホニルイミド[N(SO2F)2]−
[(C6H5)2I]+に対応する沈殿を濾別し、冷水で洗
浄し、減圧乾燥した。収率:91%(27.8g)。
4%; N:3%; F:8.24%; S:14.1
%; I:27.6%。
した。トリフルオロエタノール1.53mlを撹拌下に
滴下した。反応と水素放出が終了したら溶液を濾過し、
0℃に冷却した。次に、ナトリウムビスフルオロスルホ
ニルイミドNaN(SO2F)2 2.03gを少量ずつ
加えた。25℃で1時間反応後、フッ化リチウム沈殿を
遠心分離した。ロータリーエバポレーターで溶媒を留去
し、生成物を水50mlに溶かし、濾過し、ジアリール
ヨードニウムクロリド(C6H5)2ICl 3.2gを
加えた。沈殿を0℃で2時間遮光下に撹拌し、濾別した
後、冷水で洗浄し、減圧乾燥した。7.2g(収率88
%)の[(CF3CH2O)2SO2N]-[(C6H5)
2I]+が得られた。
rt A: Polymer Chemistry,
(1989),27,3951−3968)の方法に従
い、アセトニトリルと酢酸の混合物中でヒドロキシトシ
ルオキシヨードベンゼンをオクチルオキシベンゼンと反
応させることにより、(4−オクチルオキシフェニル)
フェニルヨードニウムトルエンスルホネート(C8−O
−ヨードニウムと略称する)の試料を調製した。テトラ
ブチルアンモニウムブロミドの存在下で相転移触媒反応
により水/トルエン混合物中でナトリウムフェネートを
ブロモオクタンと反応させることにより、予めオクチル
オキシベンゼンを得た。メチルエチルケトン(MEK)
60ml中のこの化合物8gの溶液にカリウムビスフル
オロスルホニルイミド3.02gを加えた。混合物を室
温で1時間磁気撹拌し、不溶性カリウムトルエンスルホ
ネートを濾去した。ロータリーエバポレーターに接続す
るように調整したフラスコに溶液を注ぎ、溶媒を蒸発さ
せた。MEKの最後の痕跡量を真空一次ポンプで除去す
ると、残渣は粘性油状物の形態であった(8.04g,
98%)。取り扱い可能な液体混合物が得られるよう
に、これに等重量のジクロロメタンを加えた。所与の量
の混合物を加えて揮発性フラクション(CH2Cl2)を
蒸発させた後に調整フラスコで溶解度試験を行った。結
果を下表に示す。
ノマー及びポリマー中のこれらの塩の優れた可溶性を示
す。夫々炭素原子数12及び18の脂肪族鎖をもつ(ド
デシルオキシフェニル)フェニルヨードニウム(C12
−ヨードニウム)と(オクタデシルオキシフェニル)フ
ェニルヨードニウム(C18−O−ヨードニウム)のビ
スフルオロスルホンイミド塩でも同様の結果が得られ
る。
キシルマグネシウム19.3gを、ビス[ビス(ジフェ
ニルホスフィノエタン)]パラジウム(0)をベースと
する触媒の存在下でブロモベンゼン15.7gと反応さ
せた。こうして得られた2−エチルヘキシルベンゼン1
9gを撹拌下に0℃に維持したトリフルオロ酢酸と無水
物の等容量混合物に溶かし、ヨウ化ナトリウム3.5g
と無水ヨウ素酸4.2gを加えた。溶媒をロータリーエ
バポレーターで留去した。次に、残留生成物をアセトニ
トリル30mlに溶かし、酢酸ナトリウム10gと亜硫
酸ナトリウム2gを含む水200mlに注ぎ、これにカ
リウムビスフルオロスルホニルイミド14gを加えた。
有機相をジクロロメタンで抽出し、水洗した。ロータリ
ーエバポレーターで溶媒を留去すると、ビス−[4−
(2−エチルヘキシル)フェニルヨードニウムのビスフ
ルオロスルホニルイミドの油状液が残った。このイオン
性化合物は炭化水素及びシリコーン油に対してアニオン
PF6 -に結合したビス(ドデシルベンゼン)ヨードニウ
ム等の長鎖アルキルをもつ化合物と同等の溶解性を示
す。この化合物は実施例3の化合物よりも顕著な親油性
をもつ。この化合物は粘着防止シリコーンコーティング
の架橋や、シクロヘキサンジメタノールジビニルエーテ
ル、2−エチルヘキシルグリシジルエーテル又は2−エ
チルヘキシルビニルエーテル等の低極性モノマーの重合
を触媒するのに特に有利である。
00ml中のフェニルヨードソトルエンスルホネート7
8.4gを滴下し、混合物を室温で2時間撹拌した。反
応混合物をジオキサン1リットルに注ぎ、得られた(ア
リルオキシフェニル)フェニルヨードニウムトルエンス
ルホネートの沈殿をエーテルで洗浄し、乾燥した。(ア
リルオキシフェニル)フェニルヨードニウムトルエンス
ルホネート15gとKN(SO2F)2 7gを0℃の水
150ml中で混合することによりビスフルオロスルホ
ニルイミドへの変換を行った。塩をジクロロメタン2×
50mlで抽出し、溶媒を蒸発させた。(アリルオキシ
フェニル)フェニルヨードニウムビスフルオロスルホニ
ルイミドから構成される残留塩をTHF60mlで希釈
し、冷却機、機械的撹拌機及び不活性ガス入口(アルゴ
ン)を備え、THF60ml及びクロロ白金酸H2Pt
Cl6 90mg中のジメチルシロキサンと(ヒドロゲ
ノ)(メチル)−シロキサン(Gelest In
c.,Tullytown,PA,米国の市販品、HM
S 301 25% SiH,Mw1900)のコポリ
マー8.5gを入れた三頚フラスコに導入した。混合物
を還流下に2時間加熱した。その後、1−ヘキセン1g
を加え、反応を1時間続けた。サンプリングによると、
SiH結合のIRバンドの完全な消滅を確認することが
でき、(アリルオキシフェニル)フェニルヨードニウム
ビスフルオロスルホニルイミドのアリル基とジメチルシ
ロキサンと(ヒドロゲノ)(メチル)−シロキサンのコ
ポリマーのSiH基の間のヒドロシリル化が確認され
た。こうして得られたイオン性側基を含むポリマーをメ
タノール沈殿させ、溶解(THF)/沈殿(メタノール
及びエーテル)を3回繰り返して精製した。
O2 NH2 と10.8mLのピリジンを60mLのジク
ロロメタン中で−15℃に冷却して、10mLのジクロ
ロメタン中の3.6mLの塩化スルフリルと4.6mL
の1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロ−2−プロ
パノールを滴下添加した。この混合液を−15℃で1時
間、次いで室温(25℃)で4時間攪拌した。この反応
混合液を濾過して溶媒をロータリーエバポレーターで留
去した。5gの酢酸ナトリウムを含有する50mL水中
にその固体残渣を溶かして、18.45gの微粉砕した
ビス〔4−(ジフェニルスルホニオ)フェニル〕チオエ
ーテルのビスヘキサフルオロホスフェート(Akhtarらの
方法(Chem. Mat. (1990), 2, 732 及び K.T. Chang 米
国特許第4,197,174号)に従って調製した)を
加え、その混合液を酸化ジルコニウムボールを入れた硬
質ポリエチレンフラスコに入れてロール粉砕機中で室温
で3時間攪拌した。得られた懸濁液を濾過して得られた
固体を乾燥した。次の構造の28g(78%)の化合物
が得られた。
従い、安息香酸とジフェニルチオエーテルのフリーデル
−クラフト反応と、イートン反応体(P2O5/CH3S
O3H)中の縮合(J.Org.Chem.(197
3),38,4071)により、ビス(4−フルオロフ
ェニル)−[4(4−ベンゾイルフェニルチオ)フェニ
ル]スルホニウムメタンスルホネートを次のように調製
した。4−ベンゾイルジフェニルチオエーテル15g、
4,4’−ジフルオロジフェニルスルホキシド12.4
g、五酸化リン20.6gをメタンスルホン酸206g
に溶かし、反応混合物を80℃に3時間維持した。
ェニル)−[4(4−ベンゾイルフェニルチオ)フェニ
ル]スルホニウムメタンスルホネートを含む溶液を、ナ
トリウム酸200gとカリウムビスフルオロスルホニル
イミド12gを含む水700mlに注いだ。生成したビ
ス(4−フルオロフェニル)−[4(4−ベンゾイルフ
ェニルチオ)フェニル]スルホニウムの沈殿を濾別し、
2−プロパノールから再結晶させた。元素分析: H:
3.06%; C:53.8%; N:2.03%;
F:11%; S:18.6%。
ロモアントラセン19.04gを180℃のN−メチル
ピロリドン100mlに溶かした。反応生成物(DP
A)を水洗し、クロロホルム/エタノール混合物から再
結晶させた。
カリウムトリス(フルオロスルホニル)メチリド10g
を密閉フラスコに入れたMEK40ml中で60℃で2
4時間加熱し、得られた混合物から不溶性臭化カリウム
を濾去した。溶媒をロータリーエバポレーターで留去し
た。構造式:
度の両者において従来のスルホニウム塩よりも著しく高
活性である。Hackerら(米国特許第4,760,
013号)により塩SbF6 -について記載されている製
造方法とは対照的に、本発明のアニオンから誘導される
塩は、アルカリハロゲン化物が完全に不溶性であるよう
な溶媒に可溶性であるため、この化合物の製造に銀塩は
不要である。
の存在下で150℃で200mLのN−メチルピロリド
ン中の18.67gの1,2−ビス(2−クロロエトキ
シ)エタンと反応させることにより、ポリエーテルを調
製した。ポリマーを水中に沈殿させ、多数の可溶化操作
(THF)/沈殿(ジエチルエーテル)および単一容器
内での遠心分離により精製する。ポリマーは粘性塊状で
ある。
口(Ar)を備えた3口フラスコ中で、7gのポリマー
を120mLのジクロロメタン(CH2Cl2)に溶解
し、4.8gの2−ブロモアセトフェノンを滴下添加す
る。混合物を40℃で環流下で加熱する。沈殿物が急速
に出現する。反応を沈殿物の出現後12時間継続する。
ポリフェナシルスルホニウムブロミドを濾別し、ジクロ
ロメタンおよびエーテルで洗浄する。
ドを60mLの水に溶解し、溶液を濾過し、これに、2
5mLの水中の2.5gのカリウムビス(フルオロスル
ホニル)イミドK(FSO2)2Nを攪拌下添加する;沈
殿物が直ちに形成し、攪拌を1時間継続する。ポリフェ
ナシルスルホニウムビスフルオロスルホニルイミドポリ
マーを濾別し、乾燥する(定量的収率)。
loおよびLam(J. Polym. Sci.; Polymer Chemistry, (1
979), 17, 3845-3858)に従って調製したポリ(ヨード
ニウム)の溶解性と比較した。Crivelloによるポリヨー
ドニウムは、第3級塩基の存在下で(4,4’−N−マ
レイミド)ジフェニルヨードニウムクロリドをm−クレ
ゾール中の1,10−デカンチオールにトランス付加し
た後、NaPF6の存在下で複分解することにより得
た。本発明の化合物はNaPF6の代わりに塩Na+(F
SO2)2N-、Na+[(CF3)2CHOSO2]2N-、
Na+(FSO2)3C-の1種を使用して複分解した以外
は同様に調製した。結果を下表に示す。
0,171号)に記載されている線状ポリスルホニウム
塩でも顕著な溶解度の差が観察され、これらの塩は、N
−メチルピロリドンNMPとプロピレンカーボネートに
対応する溶解パラメーター=22MPa1/2の溶媒にし
か溶けない。アニオンMF6 -(M=P、As、Sb)を
(FSO2)2N-又は[(CF3)2CHOSO2]2N-等
の本発明のアニオンに置換することにより得られる光開
始剤は、メチルエチルケトン、アセトン、アセトニトリ
ル等の15MPa1/2未満の溶解パラメーターをもつ使
い易い慣用溶媒に可溶性になる。
スフェート(Irgacure 261,Ciba−G
eiby,スイス)([[Fe]]+PF6 -)10gを
ジクロロメタン50mlに溶かした。この溶液にニトロ
メタン15ml中のカリウムビスフルオロスルホニルイ
ミド5.7gの溶液を加えた。混合物を1時間撹拌し、
カリウムヘキサフルオロホスフェートKPF6を濾別し
た。溶媒をロータリーエバポレーターで留去すると、慣
用溶媒とビニルモノマーに非常によく溶ける(クメン)
シクロペンタジエニル−鉄ビスフルオロスルホニルイミ
ドから構成されるオレンジ色の粉末が残った。
ure 261とカリウム(フルオロスルホニル)(ト
リフルオロメタンスルホニル)イミドK(FSO2)N
SO2CF37gを反応させると、(クメン)シクロペン
タジエニル−鉄(フルオロスルホニル)(トリフルオロ
メタンスルホニル)イミド[[Fe]]+[(FSO2)
NSO2CF3]-が定量的に得られる。
持したアセトニトリル50ml中のブチルフェロセン
(Aldrich,Milwaukee、米国)10g
の溶液に加えた。得られた青色溶液にカリウムビスフル
オロスルホニルイミド9.5gを加えた。混合物を1時
間撹拌し、臭化カリウムの沈殿を濾別した。溶媒をロー
タリーエバポレーターで留去した。濃青色の油状物が得
られ、エーテルを加えて粉砕して再結晶させた。結晶形
態で得られたブチルフェリシニウムビスフルオロスルホ
ニルイミドをエーテルで洗浄し、遮光下に維持した。
8; N:3.65; F:14.8; S:16.
8。
ベンゼンを、50mLのトルエン中で溶液にした5gの
1,2−ジフェロセニルエタン(Aldrich,ミルウォキ
ー,米国)に加えた。すぐに青色沈澱が生成したので分
離し、エーテルで洗浄して乾燥した。得られた固体5g
を25mLの水中で溶液にし、3.6gのカリウムビス
(フルオロスルホニル)イミドをこれに加えた。イミド
アニオンの塩の形のフェロセン二量体の沈澱を結晶性青
色粉末の形で定量的収率で得た。
カル重合によって得られた42%有機金属単位を含有す
る、トルエン中で溶液にした、ビニルフェロセン(Aldr
ich,ミルウォキー,米国)とメタクリル酸ブチルとの6
gのコポリマーに、3.3gの〔ビス(トリフルオロア
セトキシ)ヨード〕ベンゼン(Aldrich)を加えた。す
ぐに青色沈澱が生成したので分離し、エーテルで洗浄し
て過剰の酸化剤を除去して乾燥した。トリフルオロ酢酸
アニオンと結合したフェリシニウムの5gのこのポリ
(イオン性)化合物を25mL水中に懸濁させ、2.2
gのカリウムビス(フルオロスルホニル)イミドをこれ
に加えた。ポリフェリシニウムのイミドアニオンのポリ
(イオン性)化合物の沈澱を、殆どの常用溶媒に可溶性
である青色非晶質粉末の形で定量的収率で得た。
って、4−ジアゾジフェニルアミン塩化亜鉛酸塩とホル
ムアルデヒドの縮合により、ジアゾニウムのオリゴマー
を調製した。25gのこのポリ(イオン性)化合物を、
0℃に維持されかつ50gの酢酸ナトリウムと28gの
エチレンジアミン四酢酸(EDTA)の二ナトリウム塩
を含有する500mL水中に溶かした。次いで、50m
L水中で溶液にした17gのビス(フルオロスルホニ
ル)イミドのカリウム塩を加えた。ポリ(イオン性)化
合物を濾別して乾燥し(定量的収率)光を遮って0℃に
保った。この化合物は、MEKのような平均的極性の常
用の有機溶媒によく溶け、DVE−3又はPEPEC型
のモノマー、グリシジルエーテル類に可溶であった。
リ(4−ヒドロキシスチレン)−co−スチレン(8:
2)(信越化学)を、1.3gのクロロエチルビニルエ
ーテルを含む水酸化カリウムの1Mメタノール溶液9.
7mLに加えた。この溶液を80℃で1時間加熱してそ
の反応混合液を100mL水中に注ぐと、生成したポリ
(4−ビニルオキシエチル)スチレン−co−スチレンが
沈澱した。このポリマーを、アセトン(溶媒)/水(沈
澱剤)及びアセトン(溶媒)/エーテル(沈澱剤)で溶
解・沈澱の操作を多数回行うことにより精製した。
ニルオキシエチル)スチレン−co−スチレンと20mg
の実施例5のポリマーを、シリコンの支持体上にスピン
コートし、0.5μm厚のフィルムを形成した。干渉マ
スクを通してKrFレーザーにより得られる1MJ/c
m2をフィルムに露光した。現像はTHFで行った。電
子顕微鏡(SEM)で観察した、得られた解像度は、そ
のフィルムの厚さのオーダー、即ち0.5μmであっ
た。このフォトレジストは、シリコンを汚染し得る金属
元素を含有していなかった。
ボキシスチレン)と60mgの実施例9のポリマーをシ
リコン支持体上にスピンコートして、0.5μm厚のフ
ィルムを形成した。干渉マスクを通したKrFレーザー
で得られる1MJ/cm2 でフィルムを露光した。現像
は水中の水酸化テトラメチルアンモニウムの4%溶液で
行った。電子顕微鏡(SEM)で観察した、得られた解
像度は、そのフィルムの厚さのオーダー、即ち0.5μ
mであった。このフォトレジストは、シリコンを汚染し
得る金属元素を含有していなかった。
より立証される。上記実施例のポリイオン性化合物を種
々のモノマー中で1重量%で用いて、254nmのUV
光を1900mW/cm2 の電力で5秒間照射してか
ら、生成した種を媒質中で10分間生長させた(後硬
化)。
ミド及びスルホニルメチリド、それらの製造方法並びに
光開始剤としての使用
Claims (27)
- 【請求項1】 少なくとも1個のA+X-基を含むイオン
性化合物であって、 −A+が、ビアリールヨードニウム基、アリールスルホ
ニウム基、アリールアシルスルホニウム基、ジアゾニウ
ム基及び炭素原子数4〜12の少なくとも1つの不飽和
環と錯形成した遷移金属を含む有機金属カチオンからな
る群から選択されるカチオン基であり、該カチオン基は
場合によりポリマー鎖の一部でもよく; −X-が、イミドアニオン[FSO2NSO2R’F]-、
[RFCH2OSO2NSO2R’F]-もしくは[(RF)2
CHOSO2NSO2R’F]-、またはメチリドアニオン
[FSO2C(Q)SO2R’F]-、[RFCH2OSO2
C(Q)SO2R’F]-もしくは[(RF)2CHOSO2
C(Q)SO2R’F]-であり、式中、 1)Qは、 − H−、Cl−、F−、Br−、またはCN−; − 1〜30個の炭素原子を有するアルキル基; − 6〜30個の炭素原子を有するアリール基、アルキ
ルアリール基、又はアリールアルキル基; − 基R”F−、基R”FSO2−、基R”FCH2O−S
O2−または基(R”F)2CHO−SO2−;であり、 2)RF、R’FおよびR”Fは、X-がメチリドアニオン
であるときは、フッ素、1〜30個の炭素原子を有する
パーハロアルキル基、2〜30個の炭素原子を有する
(パーハロアルキル)アルコキシ基、3〜30個の炭素
原子を有する過ハロゲン化脂環式基(OとNから選ばれ
るヘテロ原子を含んでいてもよく、及び/又は、少なく
とも1つのパーハロアルキル鎖を有していてもよい)、
および6〜30個の炭素原子を有する過ハロゲン化アリ
ール基からなる群から独立して選択されるか;又は 3)RFとR’Fは一緒になって、2〜8個の炭素原子を
有する過フッ素化直鎖アルキレン基から選択される二価
基を形成するか;又は 4)X-がメチリドアニオンであるとき、R’FとR”F
又はRFとR”Fは一緒になって、2〜8個の炭素原子を
有する過フッ素化直鎖アルキレン基から選択される二価
基を形成することを特徴とするイオン性化合物。 - 【請求項2】 アニオンが式[FSO2NSO
2R’F]-、[CF3CH2OSO2NSO2R’F]-及び
[(CF3)2CHOSO2NSO2R’F]-のうちの1つ
をもつスルホンイミドアニオンまたは式[FSO2C
(Q)SO2R’F]-、[CF3CH2OSO2C(Q)S
O2R’F]-又は[(CFR3)2CHOSO2−C(Q)
SO2R’F]-のうちの1つをもつスルホニルメチリド
アニオン-であり、式中、R’Fは、F、CF3CH2O
−、(CF3)2CH−O−又は炭素原子数1〜10のペ
ルフルオロアルキル基であり、Qはハロゲン、FS
O2、CF3CH2O−SO2、(CF3)2CH−O−SO
2、炭素原子30個以下を有するアルキル、アリール、
アルキルアリールまたはアリールアルキル基、炭素原子
1−8個を有するペルフルオロアルキルスルホニル基及
び炭素原子1−12個を有するペルフルオロアルキル基
からなる群から選択されるか;又はQとR’Fは、一緒
になって炭素原子1−8個を有する二価線状過フッ素化
アルキレン基を形成することを特徴とする請求項1に記
載の化合物。 - 【請求項3】 アニオンが(FSO2)2N-、(FS
O2)3C-、(FSO2)2CH-、(CF3CH2OS
O2)2N-、[(CF3)2CHOSO2]2N-、(CF3
CH2OSO2)2CH-、[(CF3)2CHOSO2]2C
H-、[(CF3)2CHOSO2]3C-、「(CF3)2C
HOSO2」3C-、[FSO2NSO2−CF3]-、[F
SO2NSO2C2F5]-、[(CF3)2CHOSO2NS
O2CF3]-、[(CF3)2CHOSO2NSO2CF3]
-、[(CF3)2CHOSO2NSO2C2F5]-及び[C
F3CH2OSO2NSO2C2F5]-から構成される群か
ら選択されることを特徴とする請求項1に記載の化合
物。 - 【請求項4】 カチオンA+が式: 【化1】 をもち、式中、Zは、 −アリールヨードニウム基: 【化2】 −スルホニウム基: 【化3】 −アシルスルホニウム基: 【化4】 −ジアゾニウム基: 【化5】 −有機金属基: 【化6】 から構成される群から選択され、上記式中、R1nは同一
又は異なり、アリール基の遊離炭素原子の任意の1個に
結合している1〜4個、好ましくは1〜2個の基を表
し、R2nは同一又は異なり、アリール基の遊離炭素原子
の任意の1個に結合している1〜4個、好ましくは1〜
2個の基を表し、R1n、R2n及びR3〜R8は、 ・炭素原子数1〜30の直鎖又は分枝鎖アルキル又はア
リールアルキル基、 ・炭素原子数1〜30のアルケニル基、 ・縮合核をもつものを含めた炭素原子数6〜30のアリ
ール又はアルキルアリール基、 ・オキサアルキル、アザアルキル、チアアルキル、ホス
ファアルキル、オキサアルキレン、アザアルキレン、チ
アアルキレン、ホスファアルキレンから構成される群か
ら選択される炭素原子数1〜30の基、 ・いずれも硫黄又はリン原子に酸素を付加することによ
り得られるスルホキシド、スルホン、ホスフィンオキシ
ド、ホスホネート基等の炭素原子数1〜30の基、 ・O、N、S及びPから構成される群から選択される少
なくとも1個のヘテロ原子を含む芳香族又は脂環式複素
環基、 ・−NO、−CN、−OH、−Cl、−Br、−I、−
F から独立して選択されるか、あるいは ・R1nから選択される2個の置換基及び/又はR2nから
選択される2個の置換基、又は置換基R3及びR4、又は
置換基R5及びR6は一緒になってこれをもつ基と共に環
を形成する二価基を形成し、該二価基は炭素原子数1〜
18の直鎖アルキレン基、場合により好ましくは炭素原
子数1〜10のアルキル、オキサアルキル又はアルケニ
ル基から構成される群から選択される少なくとも1個の
置換基をもつベンゾビラジカル、式:−R’−(OCH
2CH2)q−OR’−又は−R’−[OCH(CH3)C
H2]q−OR’−(式中、R’はH又は炭素原子数1〜
18の直鎖アルキレン基であり、1≦q≦22である)
により表されるオキサアルキレン基から構成される群か
ら選択されることを特徴とする請求項1に記載の化合
物。 - 【請求項5】 置換基R1n、R2n及びR3〜R8が炭素原
子数1〜18の直鎖アルキル基、2−エチルヘキシル、
フェニル、式R−(OCH2CH2)y−又はR−[OC
H(CH3)CH2]y−(式中、RはH又は炭素原子数
1〜18の直鎖アルキルであり、1≦y≦22である)
をもつオキサアルキルから構成される群から独立して選
択されることを特徴とする請求項4に記載の化合物。 - 【請求項6】 複数のオニウム単位を含むポリカチオン
部分(A+)pと、化合物を電気中性にするために十分な
数のアニオンX-から構成され、前記オニウム単位がビ
アリールヨードニウム、アリールスルホニウム、アリー
ルアシルスルホニウム、ジアゾニウム、4〜12個の炭
素原子を含んだ少なくとも1つの不飽和環と錯形成した
遷移金属を含む有機金属カチオンからなる群から選択さ
れることを特徴とする請求項1に記載のイオン性化合
物。 - 【請求項7】 下式(I)〜(IV)のひとつにより表
されるポリヨードニウム塩又は、下式(V)〜(IX)
のひとつにより表されるポリスルホニウム塩、又は下式
(X)〜(XIV)のひとつにより表されるポリアシル
スルホニウム塩、又は、下式(XV)により表されるポ
リジアゾニウム塩、又は下式(XVI)〜(XX)のひ
とつにより表される有機金属ポリオニウム塩: 【化7】 【化8】 【化9】 [式中、 a1)R1nは、同一又は異なっていてもよく、アリール
基の遊離炭素原子のいずれか1つに結合している1〜4
個の、好ましくは1〜2個の基であり、R2nは、同一又
は異なっていてもよく、アリール基の遊離炭素原子のい
ずれか1つに結合している1〜4個の、好ましくは1〜
2個の基であり、基R1nとR2n並びにR3〜R8基は、 − 1〜30個の炭素原子を有する直鎖または枝分かれ
鎖のアルキル基もしくはアリールアルキル基; − 1〜30個の炭素原子を有するアルケニル基; − 6〜30個の炭素原子を有するアリール基もしくは
アルキルアリール基であって、縮合核を有するものを含
む; − 1〜30個の炭素原子を有していて、オキサアルキ
ル基、アザアルキル基、チアアルキル基、ホスファアル
キル基、オキサアルキレン基、アザアルキレン基、チア
アルキレン基、およびホスファアルキレン基からなる群
から選択される基; − 1〜30個の炭素原子を有していて、スルホキシド
基、スルホン基、ホスフィンオキシド基、またはホスホ
ネート基(これらの基はいずれも、イオウ原子またはリ
ン原子への酸素の付加によって得られる)を含んだ基;
および − O、N、SおよびPからなる群から選択される少な
くとも1つのヘテロ原子を含んだ芳香族又は脂環式の複
素環基; − −NO、−CN、−OH、−Cl、−Br、−I、
−F;から互いに独立的に選択されるか、あるいはR1n
及びR2nから選択される2つの置換基及び/または置換
基R3とR4及び/または置換基R5とR6が一緒になっ
て、それを有する基と共に環を形成する二価の基を形成
し、この二価の基は、1〜18個の炭素原子を有する線
状アルキレン基;場合により好ましくは1〜10個の炭
素原子を有するアルキル基、オキサアルキル基、および
アルケニル基からなる群から選択される少なくとも1つ
の置換基を有するベンゾビラジカル;および式−R’−
(OCH2CH2)q−O−R’−または−R’−[OC
H(CH3)CH2]q−O−R’−(式中、R’は0〜
18個の炭素原子を有する線状アルキレン基であり、1
≦q≦22である)を有するオキサアルキレン基;から
なる群から選択され; a2)L’は、1〜18個の炭素原子を有する線状アル
キレン基;非置換又は置換されているフェニレン基;式
−R’−(OCH2CH2)q−O−R’−または−R’
−[OCH(CH3)CH2]q−O−R’−(式中、
R’は0〜18個の炭素原子を有する線状アルキレン基
であり、1≦q≦22である)を有するオキサアルキレ
ン基;−O−;−S−;>C=O;シロキサン基−R’
−[Si(R)2O]rR’−または−O−[Si(R)
2O]r−(式中、1≦r≦40であり、R’は上記と同
じ意味を有し、Rは、1〜18個の炭素原子を有する線
状アルキル基、2−エチルヘキシル、およびフェニルか
らなる群から選択される(好ましくは、RはCH3また
はフェニルである))からなる群から選択される二価基
又は2つの非縮合アリール基の2つの炭素原子間の直接
結合を表し; a3)LはL’に関して上記a2)において定義した基
から選択される二価の基であるか;あるいはLは、少な
くとも一つの非イオン性モノマー単位から構成される
か、化学線の作用に対して感受性ではないイオン性基を
有する(この場合においては、Lは活性イオン基間の平
均スペースを表している)セグメントであり; a4)pは反復構造単位の数であって、2≦p≦100
0であり; a5)Zは、CH、CR、N、SiRまたはSiRO3
であって、このときRは、1〜18個の炭素原子を有す
る線状アルキル基、2−エチルヘキシル基、およびフェ
ニル基から選択され;そして a6)Meは、周期律表の3〜12欄(3〜6行)の遷
移金属群より選択される遷移金属である]から構成され
る請求項6に記載のイオン性ポリマー。 - 【請求項8】 反応混合物中に双方が可溶性である、ポ
リカチオン(A+)pの塩(A+X1 -)pと化合物A1 +X-
の間の水又は水/軽質アルコール混合物中の複分解を実
施し、アニオンX-は親水性であり、A+はアルカリ及び
アルカリ土類金属から選択されることを特徴とする請求
項1に記載のイオン性ポリマーの製造方法。 - 【請求項9】 アニオンX1 -が、ヒドロキシド、クロラ
イド、ブロマイド、ハイドロゲノサルフェート、ジヒド
ロゲノフォスフェートまたはメチルスルホネートである
ことを特徴とする請求項8に記載の方法。 - 【請求項10】 反応を触媒する酸源を構成する光開始
剤として請求項1に記載の化合物を用いることを特徴と
する、カチオン性反応が可能なモノマー又はプレポリマ
ーの重合又は架橋方法。 - 【請求項11】 モノマーが、環状エーテル官能性、環
状チオエーテル官能性又は環状アミン官能性を有する化
合物、ビニル化合物、ビニルエーテル、オキサゾリン、
ラクトン及びラクタムからなる群から選択されることを
特徴とする請求項10に記載の方法。 - 【請求項12】 プレポリマーが、エポキシ基が脂肪
族、芳香族又は複素環鎖により支持されている化合物か
らなる群から選択されることを特徴とする請求項10に
記載の方法。 - 【請求項13】 カチオン重合が可能な少なくとも1種
のモノマー又はプレポリマーと光開始剤とを混合し、得
られた混合物を化学線又はβ-線に暴露することを特徴
とする請求項10に記載の方法。 - 【請求項14】 反応混合物を薄層にした後に放射線に
暴露することを特徴とする請求項13に記載の方法。 - 【請求項15】 光開始剤の使用量が、モノマー又はプ
レポリマーの重量に対して0.01〜15重量%である
ことを特徴とする請求項10に記載の方法。 - 【請求項16】 重合反応に対する溶媒中の溶液の形態
で光開始剤を使用することを特徴とする請求項10に記
載の方法。 - 【請求項17】 不活性溶媒が、アセトン、メチル−エ
チルケトン、アセトニトリル、プロピレンカーボネー
ト、γ-ブチロラクトン、モノ−、ジ−、トリエチレン
又はプロピレングリコールのエーテル−エステル、モノ
−、ジ−、トリエチレン又はプロピレングリコールのエ
ーテル−アルコール、フタル酸又はクエン酸のエステル
からなる群から選択されることを特徴とする請求項16
に記載の方法。 - 【請求項18】 重合に対して反応性である化合物から
なる溶媒又は希釈剤の存在下で反応を実施することを特
徴とする請求項10に記載の方法。 - 【請求項19】 反応性化合物が、モノ−、ジ−、トリ
−テトラエチレン又はプロピレングリコールのビニルモ
ノ−及びジエーテル、トリビニルエーテルトリメチロー
ルプロパン及びジメタノールシクロヘキサンのジビニル
エーテル、N−ビニルピロリドン、プロピレンカーボネ
ートの2−プロペニルエーテルからなる群から選択され
ることを特徴とする請求項18に記載の方法。 - 【請求項20】 光増感剤を反応混合物に添加すること
を特徴とする請求項10に記載の方法。 - 【請求項21】 光増感剤が、アントラセン、ジフェニ
ル−9,10−アントラセン、ペリレン、フェノチアジ
ン、テトラセン、キサントン、チオキサントン、イソプ
ロピルチオキサントン、アセトフェノン、ベンゾフェノ
ン、1,3,5−トリアリール−2−ピラゾリン及びそ
れらの誘導体、特にアルキル、オキサ−又はアザアルキ
ル基により芳香族核上に置換されている誘導体からなる
群から選択されることを特徴とする請求項20に記載の
方法。 - 【請求項22】 反応混合物が、フリーラジカル重合し
得る少なくとも1種のモノマー又はプレポリマーと、化
学線若しくはβ-線又は加熱下でフリーラジカル重合開
始剤を放出し得る化合物を含むことを特徴とする請求項
10に記載の方法。 - 【請求項23】 請求項1に記載の化合物の存在下で、
ポリマーを化学線又はβ-線に暴露することを特徴とす
る、酸に感受性の基を有するポリマーの溶解性を変性す
る方法。 - 【請求項24】 ポリマーが第三アルコール単位のエス
テル又はアリールエーテルの単位を含むことを特徴とす
る請求項23に記載の方法。 - 【請求項25】 ポリマーが、tert−ブチルポリア
クリレート、tert−ブチルポリイタコネート、ポリ
(tert−ブトキシカルボニルオキシスチレン)、ポ
リ(tert−ブトキシスチレン)からなる群から選択
されることを特徴とする請求項24に記載の方法。 - 【請求項26】 フォトレジストの化学的増幅に使用す
ることを特徴とする請求項23に記載の方法。 - 【請求項27】 式(III)、(VI)、(IX)、
(XV)または(XVIII)のひとつを有する化合物
を用いて実施することを特徴とする請求項23に記載の
方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CA002187046A CA2187046A1 (fr) | 1996-10-03 | 1996-10-03 | Sulfonylimidures et sulfonylmethylures, leur utilisation comme photoinitiateur |
CA2187046 | 1996-10-03 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10226658A true JPH10226658A (ja) | 1998-08-25 |
JP4226672B2 JP4226672B2 (ja) | 2009-02-18 |
Family
ID=4159016
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP27162497A Expired - Lifetime JP4226672B2 (ja) | 1996-10-03 | 1997-10-03 | フッ素化されたイオン性スルホニルイミド及びスルホニルメチリド、それらの製造方法並びに光開始剤としての使用 |
JP27121297A Expired - Lifetime JP3988963B2 (ja) | 1996-10-03 | 1997-10-03 | ポリイオン性ポリマー化合物、その製造方法及び光開始剤としての使用 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP27121297A Expired - Lifetime JP3988963B2 (ja) | 1996-10-03 | 1997-10-03 | ポリイオン性ポリマー化合物、その製造方法及び光開始剤としての使用 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US6008265A (ja) |
EP (2) | EP0834492B1 (ja) |
JP (2) | JP4226672B2 (ja) |
CA (1) | CA2187046A1 (ja) |
DE (2) | DE69734958T2 (ja) |
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EP0834502A3 (fr) | 2003-10-08 |
DE69734959D1 (de) | 2006-02-02 |
DE69734958T2 (de) | 2006-08-10 |
EP0834502B1 (fr) | 2005-12-28 |
JP3988963B2 (ja) | 2007-10-10 |
JPH10226707A (ja) | 1998-08-25 |
US6008265A (en) | 1999-12-28 |
DE69734959T2 (de) | 2006-08-10 |
EP0834502A2 (fr) | 1998-04-08 |
EP0834492A3 (fr) | 2003-10-08 |
JP4226672B2 (ja) | 2009-02-18 |
CA2187046A1 (fr) | 1998-04-03 |
EP0834492A2 (fr) | 1998-04-08 |
EP0834492B1 (fr) | 2005-12-28 |
US6008267A (en) | 1999-12-28 |
DE69734958D1 (de) | 2006-02-02 |
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JPS6324011B2 (ja) |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040914 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080410 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080409 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20080710 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20080715 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080902 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20081030 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20081127 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111205 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121205 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131205 Year of fee payment: 5 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |