JP2002367883A - マーク検出方法、荷電粒子ビーム露光方法、荷電粒子ビーム露光装置及びデバイス製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 正確なマーク検出ができ、露光精度を向上で
きる荷電粒子ビーム露光方法等を提供する。 【解決手段】 電子線がマスク１０上の位置検出用マー
クに照射された際に、マーク走査用偏向器１７を動作さ
せ、該電子線をウェハ２３のアライメントマーク上で偏
向・走査し、その際のマークからの反射電子を反射電子
検出器２２で検出することにより、マスク１０とウェハ
２３の相対的位置関係を知ることができる。このよう
に、本発明においては、主偏向器１６を通常作動させな
がら、マーク６１に電子線が照射されたタイミングでの
みマーク走査用偏向器１７を作動させてマーク６２の反
射電子を検出する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路等
のリソグラフィーに用いられる荷電粒子ビーム露光方法
等に関する。特には、正確なマーク検出ができ、露光精
度を向上できる荷電粒子ビーム露光方法等に関する。

【０００２】

【従来の技術】電子ビーム露光を例にとって従来技術を
説明する。電子ビーム露光は高精度ではあるがスループ
ットが低いのが欠点とされており、その欠点を解消すべ
く様々な技術開発がなされてきた。現在では、セルプロ
ジェクション、キャラクタープロジェクションあるいは
ブロック露光と呼ばれる図形部分一括露光方式が実用化
されている。図形部分一括露光方式では、繰り返し性の
ある回路小パターン（ウェハ（感応基板）上で５μm 角
程度）を、同様の小パターンが複数種類形成されたマス
クを用いて繰り返し転写露光を行う。しかし、この方式
でも、繰り返し性のないパターン部分については可変成
形方式の描画を行うので、量産用のウェハ露光装置とす
るにはスループットがまだ低い。

【０００３】図形部分一括露光方式よりも飛躍的に高ス
ループットをねらう電子ビーム転写露光方式として、一
括転写方式が検討されている。これは、１ダイ（チッ
プ）又は複数ダイを一度に露光する方式である。しか
し、この方式は、転写のための原版となるマスクの製作
が困難であり、また、１ダイ以上というような大きな光
学フィールド内で収差を許容範囲内に抑えることが困難
である等の問題がある。これらの理由から、最近ではこ
の方式の装置の検討は下火になっている。

【０００４】そこで、最近良く検討されている方式は、
大きな光学フィールドを要する１ダイ又は複数ダイを一
度に露光するのではなく、１ダイ全体のパターンを小さ
な領域（サブフィールド）に分割して転写露光するとい
う方式である（ここでは、分割転写方式と呼ぶこととす
る）。この方式においては、分割した小領域毎に、被露
光面上に結像される像の焦点やフィールドの歪等の収差
等を補正しながら露光する。これにより、一括転写に比
べて光学的に広い領域に亘って、解像性及び精度の良い
露光を行うことができる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】上述の露光装置の光学
系には、荷電粒子ビームを各サブフィールドに向けて偏
向するための主偏向器が設けられている。この主偏向器
としては、電磁偏向器が良く用いられる。分割転写方式
の露光装置においては、通常、ある定型に基づいて配列
されたサブフィールドをビームを偏向させながら順次露
光していくので、主電磁偏向器は、露光中は繰り返し性
のある一定動作をすることとなる。

【０００６】しかし、この方式の露光装置においても、
ウェハ等の上のアライメントマークをビーム照射して検
出する際は、主電磁偏向器を一旦止めていた。ところ
が、電磁偏向器には磁気ヒステリシス特性があり、ラン
ダムな動作をさせた場合には、偏向特性の再現性が低く
なる。また、電磁偏向器を止めると、偏向器の温度が下
がり、これによっても偏向器の特性がわずかながら変化
する。このため、光学系の軸とステージ側の軸の相対的
位置把握に若干の測定誤差が生じるなどして、ウェハ上
に形成されるパターンにわずかなずれが生じ、パターン
転写精度が低下する。

【０００７】本発明は、このような問題に鑑みてなされ
たものであって、正確なマーク検出ができ、露光精度を
向上できる荷電粒子ビーム露光方法等を提供することを
目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
め、本発明のマーク検出方法は、 荷電粒子ビーム光学
系の偏向可能視野内でビームを順次偏向させる主偏向器
を作動させながらビーム照射する装置におけるマーク検
出方法であって； 前記視野内の一部にマークを設置
し、 前記主偏向器を通常作動させながら、前記マーク
を前記ビームが照射する位置となったタイミングでのみ
マーク検出することを特徴とする。

【０００９】本発明の荷電粒子ビーム露光方法は、 感
応基板上に転写するパターンを原版上に形成し、 該パ
ターンを、一部の小領域（サブフィールド）毎に荷電粒
子ビームで順次照明し、 該サブフィールドを通過した
荷電粒子ビームを、投影光学系を介して、前記感応基板
上に順次投影結像させ、 各サブフィールドの像を前記
感応基板上で繋ぎ合わせることにより前記パターン全体
を転写する方法であって； 荷電粒子ビーム光学系の偏
向可能視野内に前記複数のサブフィールドを配列し、
該視野内で荷電粒子ビームを偏向する主偏向器を作動さ
せながら各サブフィールドを投影露光し、 前記感応基
板面上及び前記原版上に位置検出用マークを設けてお
き、 前記主偏向器を通常作動させながら、前記マーク
を前記荷電粒子ビームが照射する位置となったタイミン
グでのみマーク検出することを特徴とする。

【００１０】主偏向器を通常作動させながらマーク検出
を行なうので、マーク検出時における主偏向器の温度や
ヒステリシスの状況が通常作動時にほぼ等しい。そのた
め、通常作動時の主偏向器の特性を反映したマーク位置
検出ができるため露光精度や検査精度を向上できる。

【００１１】前記荷電粒子ビーム露光方法においては、
前記荷電粒子ビーム光学系に偏向角の比較的小さいマ
ーク走査用偏向器を設け、 前記タイミングでのみ前記
マーク走査用偏向器を作動することが好ましい。

【００１２】ヒステリシスの小さいマーク走査用偏向器
を用いてマーク検出を行うことにより、より高精度なマ
ーク検出を行うことができる。また、マーク走査用偏向
器をマーク検出時にのみ動作させることにより、露光ビ
ームに与える悪影響を軽減できる。

【００１３】本発明の荷電粒子ビーム露光装置は、 感
応基板上に転写するパターンの形成された原版を載置す
るステージと、 該パターンを、一部の小領域（サブフ
ィールド）毎に荷電ビームで順次照明する照明光学系
と、 該サブフィールドを通過した荷電ビームを、前記
感応基板上に順次投影結像させる投影光学系と、 前記
感応基板を載置するステージと、 を具備し、 各サブ
フィールドの像を前記感応基板上で繋ぎ合わせることに
より前記パターン全体を転写する露光装置であって；
前記照明光学系及び／又は前記投影光学系には、該光学
系の偏向可能視野内で荷電粒子ビームを偏向する主偏向
器が設けられており、 前記投影光学系に偏向角の比較
的小さいマーク走査用偏向器が設けられており、 前記
主偏向器を通常作動させながら、位置検出用マークを前
記荷電粒子ビームが照射する位置となったタイミングで
のみ前記マーク走査用偏向器を作動してマーク検出する
ことを特徴とする。

【００１４】本発明のデバイス製造方法は、上記いずれ
かの荷電粒子ビーム露光方法を用いるリソグラフィー工
程を含むことを特徴とする。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ説明す
る。まず、本発明の実施の形態に係る露光装置の概要を
電子線露光を例にとって説明する。

【００１６】図１は、分割転写方式の電子線投影露光装
置の光学系全体における結像関係及び制御系の概要を示
す図である。光学系の最上流に配置されている電子銃１
は、下方に向けて電子線を放射する。電子銃１の下方に
は２段のコンデンサレンズ２、３が備えられており、電
子線は、これらのコンデンサレンズ２、３によって収束
されブランキング開口７にクロスオーバーC.O.を結像す
る。

【００１７】二段目のコンデンサレンズ３の下には、矩
形開口４が備えられている。この矩形開口（照明ビーム
成形開口）４は、マスク１０の一つのサブフィールド
（露光の１単位となるパターン小領域）を照明する照明
ビームのみを通過させる。この開口４の像は、レンズ９
によってマスク１０に結像される。

【００１８】ビーム成形開口４の下方には、ブランキン
グ偏向器５が配置されている。同偏向器５は、必要時に
照明ビームを偏向させてブランキング開口７の非開口部
に当て、ビームがマスク１０に当たらないようにする。
ブランキング開口７の下には、照明ビーム偏向器（照明
光学系の主偏向器）８が配置されている。この偏向器８
は、主に照明ビームを図１の横方向（Ｘ方向）に順次走
査して、照明光学系の視野内にあるマスク１０の各サブ
フィールドの照明を行う。偏向器８の下方には、照明レ
ンズ９が配置されている。照明レンズ９は、マスク１０
上にビーム成形開口４を結像させる。

【００１９】マスク１０は、実際には（図２を参照しつ
つ後述）光軸垂直面内（Ｘ−Ｙ面）に広がっている。マ
スク１０上には、全体として一個の半導体デバイスチッ
プをなすパターン（チップパターン）が形成されてい
る。もちろん、複数のマスクに１個の半導体デバイスチ
ップをなすパターンを分割して配置しても良い。マスク
１０上のパターンは、多数のサブフィールドに分割され
ており、マスク面上の一部には、位置検出用マーク（図
２を参照しつつ後述）が設けられている。

【００２０】マスク１０は移動可能なマスクステージ１
１上に載置されており、マスク１０を光軸垂直方向（Ｘ
Ｙ方向）に動かすことにより、照明光学系の視野よりも
広い範囲に広がって配置されているマスク上の各サブフ
ィールドを照明することができる。マスクステージ１１
には、レーザ干渉計を用いた位置検出器１２が付設され
ており、マスクステージ１１の位置をリアルタイムで正
確に把握することができる。

【００２１】マスク１０の下方には投影レンズ１５、１
９、並びに投影光学系の主偏向器（像位置調整偏向器）
１６、マーク走査用偏向器１７が設けられている。主偏
向器１６としては、電磁偏向器等を用いることができ、
電子線を比較的広い範囲に亘り偏向する。マーク走査用
偏向器１７は、この例ではコントラスト開口１８と同じ
Ｚ方向位置に置かれている。このマーク走査用偏向器１
７には、偏向角の比較的小さい静電偏向器や小型の電磁
偏向器を用いることができる。ここで、小型の電磁偏向
器は、空芯で電磁コイルの巻き数が少なく、ヒステリシ
スの非常に小さな電磁偏向器が好ましい。マーク走査用
偏向器１７は、電子ビームをウェハ２３上で±１０μｍ
走査できる程度偏向する。

【００２２】マスク１０の１つのサブフィールドを通過
した電子線は、投影レンズ１５、１９、主偏向器１６に
よってウェハ２３上の所定の位置に結像される。投影レ
ンズ１５、１９及び偏向器１６、１７の詳しい作用につ
いては、図３を参照して後述する。

【００２３】投影光学系中のマスク１０とウェハ２３の
間を縮小率比で内分する点にはクロスオーバーC.O.が形
成され、同クロスオーバー位置にはコントラスト開口１
８が設けられている。同開口１８は、マスク１０の非パ
ターン部で散乱された電子線がウェハ２３に到達しない
よう遮断する。

【００２４】ウェハ２３は、静電チャック（図示され
ず）を介して、ＸＹ方向に移動可能なウェハステージ２
４上に載置されている。上記マスクステージ１１とウェ
ハステージ２４とを、互いに逆の方向に同期走査するこ
とにより、投影光学系の視野を越えて広がるチップパタ
ーン内の各部を順次露光することができる。なお、ウェ
ハステージ２４にも、上述のマスクステージ１１と同様
の位置検出器２５が装備されている。

【００２５】ウェハ２３上には、適当なレジストが塗布
されており、レジストに電子線のドーズが与えられ、マ
スク上のパターンが縮小されてウェハ２３上に転写され
る。

【００２６】ウェハ２３上には、ウェハ位置を検出する
ための複数の帯状のパターンの集合体であるアライメン
トマーク（図３参照）が設けられている。アライメント
マークは、ウェハ２３表面等に溝を掘ったり、ウェハ上
に電子の反射率の高い重金属（Ｔａ、Ｗ等）のパターン
層を形成することにより作製する。

【００２７】ウェハ２３の直上には反射電子検出器２２
が配置されている。この反射電子検出器２２は、ウェハ
２３やステージ上のアライメントマークで反射される電
子の量を検出する。

【００２８】上記各レンズ２、３、９、１５、１９及び
各偏向器５、８、１６、１７は、各々のコイル電源制御
部２ａ、３ａ、９ａ、１５ａ、１９ａ及び５ａ、８ａ、
１６ａ、１７ａを介してコントローラ３１によりコント
ロールされる。また、マスクステージ１１及びウェハス
テージ２４も、ステージ制御部１１ａ、２４ａを介し
て、コントローラ３１により制御される。ステージ位置
検出器１２、２５は、アンプやＡ／Ｄ変換器等を含むイ
ンターフェース１２ａ、２５ａを介してコントローラ３
１に信号を送る。また、反射電子検出器２２も同様のイ
ンターフェース２２ａを介してコントローラ３１に信号
を送る。

【００２９】コントローラ３１は、ステージ位置の制御
誤差を把握し、その誤差を主偏向器１６で補正する。こ
れにより、マスク１０上のサブフィールドの縮小像がウ
ェハ２３上の目標位置に正確に転写される。そして、ウ
ェハ２３上で各サブフィールド像が繋ぎ合わされて、マ
スク上のチップパターン全体がウェハ上に転写される。

【００３０】次に、分割転写方式の電子線投影露光に用
いられるマスクの詳細例について、図２を参照しつつ説
明する。図２は、電子線投影露光用のマスク（レチク
ル）の構成例を模式的に示す平面図である。このような
マスクは、例えばシリコンウェハに電子線描画・エッチ
ングを行うことにより製作できる。

【００３１】図２には、マスク１０における全体のパタ
ーン分割配置状態が示されている。マスク１０には、多
数の正方形の小領域（サブフィールド）４２が設けられ
ている。図２に示すように、図の横方向（Ｘ方向）に多
数のサブフィールド４２が並んで一つのグループ（エレ
クトリカルストライプ４４）をなし、そのようなエレク
トリカルストライプ４４が図の縦方向（Ｙ方向）に多数
並んで１つのメカニカルストライプ４９を形成してい
る。エレクトリカルストライプ４４の長さ（メカニカル
ストライプ４９の幅）は照明光学系の偏向可能視野の大
きさによって制限される。メカニカルストライプ４９
は、Ｘ方向に並列に複数存在する。

【００３２】この実施の形態のマスク１０には、位置検
出用マーク６１が形成されている。この実施の形態にお
いては、図の左から１本目のメカニカルストライプ４９
の手前側に位置検出用マーク６１が形成されている。

【００３３】現在有力と考えられている方式によれば、
１つのメカニカルストライプ（以下単にストライプと呼
ぶ）４９内のＸ方向のサブフィールド４２の列（エレク
トリカルストライプ４４）は、主偏向器１６（図１参
照）による電子線偏向により順次露光される。一方、ス
トライプ４９内のＹ方向の列は、連続ステージ走査によ
り順次露光される。

【００３４】続いて、本発明の実施の形態に係る荷電粒
子ビーム露光方法及びマーク検出方法について説明す
る。図３は、マスクからウェハへのパターン転写の様子
を模式的に示す斜視図である。図の上部にマスク１０上
の１つのストライプ４９が示されている。ストライプ４
９には上述のように多数のサブフィールド４２が形成さ
れている。図の下部には、マスク１０と対向するウェハ
２３が示されている。

【００３５】この図では、マスク上のストライプ４９の
一番手前のエレクトリカルストライプ４４の左隅のサブ
フィールド４２−１が上方からの照明ビームＩＢにより
照明されている。そして、サブフィールド４２−１を通
過したパターンビームＰＢが、２段の投影レンズと主偏
向器１６（図１参照）の作用によりウェハ２３上の所定
の領域５２−１に縮小投影されている。パターンビーム
ＰＢは、マスク１０とウェハ２３の間で、２段の投影レ
ンズの作用により、光軸と平行な方向から光軸と交差す
る方向へ、そしてその逆に計２回偏向される。

【００３６】ウェハ２３上におけるサブフィールド像の
転写位置は、レチクル１０とウェハ２３との間の光路中
に設けられた主偏向器１６により、各サブフィールド４
２に対応する被転写小領域５２が互いに接するように調
整される。すなわち、レチクル上のサブフィールド４２
を通過したパターンビームＰＢを第１投影レンズ及び第
２投影レンズでウェハ２３上に収束させるだけでは、レ
チクル１０のサブフィールド４２のみならず、サブフィ
ールド４２間の梁（グリレージ及びスカート）の像まで
も所定の縮小率で転写することとなり、梁の非パターン
領域に相当する無露光領域が各被転写小領域５２の間に
生じる。このようにならないよう、非パターン領域の幅
に相当する分だけパターン像の転写位置をずらしてい
る。なお、レチクル１０上におけるサブフィールド４２
の配置状態は通常定型的（使用する多種のレチクル間で
も一定）であるので、主偏向器１６は露光中にある定型
的な繰り返し動作をする。

【００３７】ここで、マスクステージを移動し、マスク
１０上の位置検出用マーク６１を軸上に位置させる。ま
た、ウェハステージを移動し、ウェハ２３面上のアライ
メントマーク６２の１つをやはり軸上に位置させる。な
お、この場合のアライメントマーク６２は、ウェハ２３
上のスクライブライン上に設けられている。そして、連
続的に偏向している中で、偏向位置が軸上に位置した際
に、マーク走査用偏向器１７（図１参照）を動作させ、
該電子線をウェハ２３のアライメントマーク６２上で細
かく偏向・走査する。そして、その際のマーク６２から
の反射電子を反射電子検出器２２（図１参照）で検出す
ることにより、マスク１０とウェハ２３の相対的位置関
係を知ることができる。

【００３８】ここで、マークのある１つのサブフィール
ドをビームが照射する時間は短い（例えば２００μｓ）
ので、マーク走査用偏向器１７を動作させてアライメン
トマーク６２を走査した際に、十分な信号量を得られな
い場合がある。その場合には、再度、電子線が位置検出
用マーク６１に照射された際に、マーク走査用偏向器１
７を動作させてアライメントマーク６２を走査して信号
を蓄積して必要な信号量を得ることができる。

【００３９】このように、本発明においては、主偏向器
１６を通常作動させながら、マーク６１に電子線が照射
されたタイミングでのみマーク走査用偏向器１７を作動
させてマーク６２の反射電子を検出する。これにより、
マーク検出時間は長くなるが、主偏向器１６を停止させ
ることなく、且つ、ヒステリシスの小さいマーク走査用
偏向器１７でマーク検出を行なうことができるので、露
光時の装置特性により近い状態でマーク検出位置をより
正確に検出できる。

【００４０】次に上記説明した荷電粒子ビーム露光方法
を利用したデバイス製造方法の実施例を説明する。図４
は、微小デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液
晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン
等）の製造のフローを示す。

【００４１】ステップ１（回路設計）では、半導体デバ
イスの回路設計を行う。ステップ２（マスク製作）で
は、設計した回路パターンを形成したマスクを製作す
る。この時、パターンについて局部的にリサイズを施す
ことにより近接効果や空間電荷効果によるビームボケの
補正を行ってもよい。一方、ステップ３（ウェハ製造）
では、シリコン等の材料を用いてウェハを製造する。

【００４２】ステップ４（酸化）では、ウェハの表面を
酸化させる。ステップ５（ＣＶＤ）では、ウェハ表面に
絶縁膜を形成する。ステップ６（電極形成）では、ウェ
ハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップ７（イオ
ン打ち込み）では、ウェハにイオンを打ち込む。ステッ
プ８（レジスト処理）では、ウェハに感光剤を塗布す
る。ステップ９（電子ビーム露光）では、ステップ２で
作ったマスクを用いて電子ビーム転写装置によって、マ
スクの回路パターンをウェハに焼付露光する。その際、
上述の露光方法を用いる。ステップ１０（光露光）で
は、同じくステップ２で作った光露光用マスクを用い
て、光ステッパーによってマスクの回路パターンをウェ
ハに焼付露光する。この前又は後に、電子ビームの後方
散乱電子を均一化する近接効果補正露光を行ってもよ
い。

【００４３】ステップ１１（現像）では、露光したウェ
ハを現像する。ステップ１２（エッチング）では、レジ
スト像以外の部分を選択的に削り取る。ステップ１３
（レジスト剥離）では、エッチングがすんで不要となっ
たレジストを取り除く。ステップ４からステップ１３を
繰り返し行うことによって、ウェハ上に多重に回路パタ
ーンが形成される。

【００４４】ステップ１４（組立）は、後工程と呼ば
れ、上の工程によって作製されたウェハを用いて半導体
チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシン
グ、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封
入）等の工程を含む。ステップ１５（検査）では、ステ
ップ１４で作製された半導体デバイスの動作確認テス
ト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経て
半導体デバイスが完成しこれが出荷（ステップ１６）さ
れる。

【００４５】以上図１〜図４を参照しつつ、本発明の実
施の形態に係るマーク検出方法等について説明したが、
本発明はこれに限定されるものではなく、以下のように
様々な変更を加えることができる。本文では、連続的に
主偏向する中で、主偏向が軸上に来たときにマーク検出
する例を述べたが、必ずしも軸上でなくても、ある特定
の主偏向位置であれば良い。

【００４６】

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、正確なマーク検出ができ、露光精度を向上で
きる。

【図面の簡単な説明】

【図１】分割転写方式の電子線投影露光装置の光学系全
体における結像関係及び制御系の概要を示す図である。

【図２】電子線投影露光用のマスクの構成例を模式的に
示す平面図である。

【図３】マスクからウェハへのパターン転写の様子を模
式的に示す斜視図である。

【図４】微小デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チッ
プ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマ
シン等）の製造のフローを示す。

【符号の説明】

１ 電子銃 ２，３ コンデ
ンサレンズ ４ 照明ビーム成形開口 ５ ブランキ
ング偏向器 ７ ブランキング開口 ８ 照明ビー
ム偏向器 ９ コンデンサレンズ １０ レチクル
（マスク） １１ レチクルステージ １２ レチクル
ステージ位置検出器 １５ 第１投影レンズ １６ 主偏向器 １７ マーク走
査用偏向器 １８ コントラスト開口 １９ 第２投影
レンズ ２２ 反射電子検出器 ２３ ウェハ ２４ ウェハステージ ２５ ウェハス
テージ位置検出器 ３１ コントローラ ６２ アライメントマーク

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 荷電粒子ビーム光学系の偏向可能視野内
   でビームを順次偏向させる主偏向器を作動させながらビ
   ーム照射する装置におけるマーク検出方法であって；前
   記視野内の一部にマークを設置し、 前記主偏向器を通常作動させながら、前記マークを前記
   ビームが照射する位置となったタイミングでのみマーク
   検出することを特徴とするマーク検出方法。
2. 【請求項２】 感応基板上に転写するパターンを原版上
   に形成し、 該パターンを、一部の小領域（サブフィールド）毎に荷
   電粒子ビームで順次照明し、 該サブフィールドを通過した荷電粒子ビームを、投影光
   学系を介して、前記感応基板上に順次投影結像させ、 各サブフィールドの像を前記感応基板上で繋ぎ合わせる
   ことにより前記パターン全体を転写する方法であって；
   荷電粒子ビーム光学系の偏向可能視野内に前記複数のサ
   ブフィールドを配列し、 該視野内で荷電粒子ビームを偏向する主偏向器を作動さ
   せながら各サブフィールドを投影露光し、 前記感応基板面上及び前記原版上に位置検出用マークを
   設けておき、 前記主偏向器を通常作動させながら、前記マークを前記
   荷電粒子ビームが照射する位置となったタイミングでの
   みマーク検出することを特徴とする荷電粒子ビーム露光
   方法。
3. 【請求項３】 前記荷電粒子ビーム光学系に偏向角の比
   較的小さいマーク走査用偏向器を設け、 前記タイミングでのみ前記マーク走査用偏向器を作動す
   ることを特徴とする請求項２記載の荷電粒子ビーム露光
   方法。
4. 【請求項４】 感応基板上に転写するパターンの形成さ
   れた原版を載置するステージと、 該パターンを、一部の小領域（サブフィールド）毎に荷
   電粒子ビームで順次照明する照明光学系と、 該サブフィールドを通過した荷電粒子ビームを、前記感
   応基板上に順次投影結像させる投影光学系と、 前記感応基板を載置するステージと、 を具備し、 各サブフィールドの像を前記感応基板上で繋ぎ合わせる
   ことにより前記パターン全体を転写する露光装置であっ
   て；前記照明光学系及び／又は前記投影光学系には、該
   光学系の偏向可能視野内で荷電粒子ビームを偏向する主
   偏向器が設けられており、 前記投影光学系に偏向角の比較的小さいマーク走査用偏
   向器が設けられており、 前記主偏向器を通常作動させながら、位置検出用マーク
   を荷電粒子ビームが照射する位置となったタイミングで
   のみ前記マーク走査用偏向器を作動してマーク検出する
   ことを特徴とする荷電粒子ビーム露光装置。
5. 【請求項５】 請求項２又は３記載の荷電粒子ビーム露
   光方法を用いるリソグラフィー工程を含むことを特徴と
   するデバイス製造方法。