JPH03110527A - 非線形光学素子の製造方法 - Google Patents
非線形光学素子の製造方法Info
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- JPH03110527A JPH03110527A JP24816789A JP24816789A JPH03110527A JP H03110527 A JPH03110527 A JP H03110527A JP 24816789 A JP24816789 A JP 24816789A JP 24816789 A JP24816789 A JP 24816789A JP H03110527 A JPH03110527 A JP H03110527A
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の目的]
(産業上の利用分野)
本発明は非線形光学素子の製造方法に関する。
(従来の技術)
非線形光学素子は、高調波発生、光スィッチ、光混合な
ど、レーザ光の波長、位相、振幅の変調に利用され、光
を用いた情報処理において重要な役割を果している。
ど、レーザ光の波長、位相、振幅の変調に利用され、光
を用いた情報処理において重要な役割を果している。
従来、非線形光学材料としては、L i N b Oi
などの無機化合物が用いられてきたが、変換効率が低い
などその性能が充分ではなかった。このため、高調波発
生においては基本波の光源としてYAGレーザなどの大
出力レーザを用いざるを得なかった。また、電気光学的
変調素子においては変調に必要な印加磁場がkV/ a
mオーダにまで達するなどの問題があった。無機化合物
を用いた非線形光学素子に関しては、A、Yarlv
QUAN70MELECTRONIC82ND ED
ITION ” 、John &WIIey、1975
゜などに解説されている。
などの無機化合物が用いられてきたが、変換効率が低い
などその性能が充分ではなかった。このため、高調波発
生においては基本波の光源としてYAGレーザなどの大
出力レーザを用いざるを得なかった。また、電気光学的
変調素子においては変調に必要な印加磁場がkV/ a
mオーダにまで達するなどの問題があった。無機化合物
を用いた非線形光学素子に関しては、A、Yarlv
QUAN70MELECTRONIC82ND ED
ITION ” 、John &WIIey、1975
゜などに解説されている。
近年、有機化合物のなかに非線形分極率の大きい化合物
が見出されている。そして、これら有機非線形光学材料
を用いた高効率の2次高調波素子と近赤外半導体レーザ
とを組み合わせた小型青色レーザの実現が有望視されて
いる。有機非線形光学材料に関しては、D、S、Che
sla and J、Zyss’Non1inear
0pLIcal Properties of’ O
rganicMolecules and Cry
stals 、Acadea+Ic Press。
が見出されている。そして、これら有機非線形光学材料
を用いた高効率の2次高調波素子と近赤外半導体レーザ
とを組み合わせた小型青色レーザの実現が有望視されて
いる。有機非線形光学材料に関しては、D、S、Che
sla and J、Zyss’Non1inear
0pLIcal Properties of’ O
rganicMolecules and Cry
stals 、Acadea+Ic Press。
+987.などの解説書がある。しかし、これらの有機
化合物は、分子自身の双極子モーメントの相互作用の結
果中心対称を持つ結晶構造をとりやすく2次高調波発生
を禁止してしまう、光学素子として利用するに充分な大
きさ及び品質を有する結晶を育成することが困難である
などの問題があった。
化合物は、分子自身の双極子モーメントの相互作用の結
果中心対称を持つ結晶構造をとりやすく2次高調波発生
を禁止してしまう、光学素子として利用するに充分な大
きさ及び品質を有する結晶を育成することが困難である
などの問題があった。
(発明が解決しようとする課題)
本発明は前記問題点を解決するためになされたものであ
り、優れた特性を有する有機非線形光学素子を製造し得
る方法を提供することを目的とする。
り、優れた特性を有する有機非線形光学素子を製造し得
る方法を提供することを目的とする。
[発明の構成]
(課題を解決するための手段と作用)
本発明の非線形光学素子の製造方法は、ピリミジン構造
、ピリダジン構造、ピラジン構造、テトラジン構造、フ
ルオレン構造、フルオレノン構造、又はフェニルシクロ
ヘキサン構造を有し、室温以上で液晶層を形成する液晶
化合物を液晶相への転移温度以上に加熱して、1対の配
向処理した透明基板の間隙に注入した後、前記透明基板
に設けられた透明電極を通じて前記液晶化合物に電場を
印加しつつ室温まで冷却し、前記液晶化合物を配向した
固体状態にすることを特徴とするものである。
、ピリダジン構造、ピラジン構造、テトラジン構造、フ
ルオレン構造、フルオレノン構造、又はフェニルシクロ
ヘキサン構造を有し、室温以上で液晶層を形成する液晶
化合物を液晶相への転移温度以上に加熱して、1対の配
向処理した透明基板の間隙に注入した後、前記透明基板
に設けられた透明電極を通じて前記液晶化合物に電場を
印加しつつ室温まで冷却し、前記液晶化合物を配向した
固体状態にすることを特徴とするものである。
本発明において、液晶化合物としては、室温より高温の
特定の温度範囲で強誘電性液晶相であるキラルスメクチ
ック相(SmC”相)となり、室温では固体−となるも
のが用いられる。具体的には、ピリミジン構造、ピリダ
ジン構造、ピラジン構造、テトラジン構造、フルオレン
構造、フルオレノン構造、又はフェニルシクロヘキサン
構造を有する液晶化合物が挙げられる。
特定の温度範囲で強誘電性液晶相であるキラルスメクチ
ック相(SmC”相)となり、室温では固体−となるも
のが用いられる。具体的には、ピリミジン構造、ピリダ
ジン構造、ピラジン構造、テトラジン構造、フルオレン
構造、フルオレノン構造、又はフェニルシクロヘキサン
構造を有する液晶化合物が挙げられる。
本発明において、配向処理を施した透明基板とは、液晶
状態にある液晶化合物を基板に対して垂直(垂直配向)
、平行(平行配向)、又は一定の傾斜をもたせて(傾斜
配向)配列させるための処理を施した基板をいう。垂直
配向処理の一般的な方法としては、レシチン、有機シラ
ン化合物、パーフルオロノナン酸クロム錯体などを塗布
する方法が挙げられる。平行配向処理の一般的な方法と
しては、ポリイミド膜を塗布した後、表面を布などでこ
する(ラビングする)方法が挙げられる。
状態にある液晶化合物を基板に対して垂直(垂直配向)
、平行(平行配向)、又は一定の傾斜をもたせて(傾斜
配向)配列させるための処理を施した基板をいう。垂直
配向処理の一般的な方法としては、レシチン、有機シラ
ン化合物、パーフルオロノナン酸クロム錯体などを塗布
する方法が挙げられる。平行配向処理の一般的な方法と
しては、ポリイミド膜を塗布した後、表面を布などでこ
する(ラビングする)方法が挙げられる。
傾斜配向の一般的な方法としては酸化ケイ素(S i
O)を基板に対して斜め方向から蒸着させる方法が挙げ
られる。
O)を基板に対して斜め方向から蒸着させる方法が挙げ
られる。
本発明において、液晶化合物を液晶相への転移温度以上
に加熱した後、液晶状態から固体状態に凍結させる際、
液晶化合物に印加する電場の大きさは、セルの厚みが数
1の場合、10〜数10Vが適当である。IOV未満で
は液晶化合物を配向させる効果が少なく、数10Vを超
えると絶縁破壊が生じるおそれがある。
に加熱した後、液晶状態から固体状態に凍結させる際、
液晶化合物に印加する電場の大きさは、セルの厚みが数
1の場合、10〜数10Vが適当である。IOV未満で
は液晶化合物を配向させる効果が少なく、数10Vを超
えると絶縁破壊が生じるおそれがある。
本発明のように、液晶化合物を等方性液体がら冷却し、
液晶状態を経て固体状態とした場合、固体状態での分子
集合体の構造は液晶状態の構造を反映するため、分子集
合体の構造を容易に制御することができる。したがって
、本発明方法を用いれば、大面積で大きな2次高調波が
得られる非線形光学素子を、容易に、がっ再現性よく製
造することができる。
液晶状態を経て固体状態とした場合、固体状態での分子
集合体の構造は液晶状態の構造を反映するため、分子集
合体の構造を容易に制御することができる。したがって
、本発明方法を用いれば、大面積で大きな2次高調波が
得られる非線形光学素子を、容易に、がっ再現性よく製
造することができる。
(実施例)
以下、本発明の詳細な説明する。
非線形光学素子として、第1図(a)及び(b)に示す
液晶セル1を作製した。第1図(a)に示すように、上
下2枚のガラス基板2にはそれぞれ透明電極としてIT
O膜3及び液晶配向膜としてポリイミド膜4が形成され
ている。これら2枚のガラス基板2のポリイミド膜4側
を対向させ、両者の間にシール材5及びスペーサー6を
介在させて配置することにより液晶セルが形成されてい
る。上下のガラス基板2、ITO膜3、及びシール材5
は、平面的には第1図(b)に示すように配置されてい
る。また、スペーサー6として直径2庫のものを用い、
セルの厚みを2−としている。
液晶セル1を作製した。第1図(a)に示すように、上
下2枚のガラス基板2にはそれぞれ透明電極としてIT
O膜3及び液晶配向膜としてポリイミド膜4が形成され
ている。これら2枚のガラス基板2のポリイミド膜4側
を対向させ、両者の間にシール材5及びスペーサー6を
介在させて配置することにより液晶セルが形成されてい
る。上下のガラス基板2、ITO膜3、及びシール材5
は、平面的には第1図(b)に示すように配置されてい
る。また、スペーサー6として直径2庫のものを用い、
セルの厚みを2−としている。
以上のようにして作製された液晶セル1を真空チャンバ
ー内に入れ、室温で固体、室温以上の特定の温度範囲で
液晶層を示す液晶化合物を加熱して等方性液体とした後
、チャンバー内で遠隔操作によりこの等方性液体をシー
ル材5で囲まれている空間に充填した。その後、注入口
を封止し、上下のガラス基板2上のITO膜3にリード
線を接続した。
ー内に入れ、室温で固体、室温以上の特定の温度範囲で
液晶層を示す液晶化合物を加熱して等方性液体とした後
、チャンバー内で遠隔操作によりこの等方性液体をシー
ル材5で囲まれている空間に充填した。その後、注入口
を封止し、上下のガラス基板2上のITO膜3にリード
線を接続した。
この液晶セル1を用い、第2図に示す装置により2次高
調波高調波を測定した。第2図において、YAGレーザ
−11から出射した波長1.0844のレーザー光を、
円偏光板(λ/4板) 12により円偏光とした後、偏
光ビームスプリッタ−13により一方向の偏光のみを取
り出し、恒温槽14内に収容した液晶セル1に入射する
。この結果発生した波長0.532aの透過2次高調波
を基本波吸収フィルタI5及び分光器16により基本波
より分離した後、光電子倍増管17及びデジタルオシロ
スコープ1Bによりその強度を測定する。
調波高調波を測定した。第2図において、YAGレーザ
−11から出射した波長1.0844のレーザー光を、
円偏光板(λ/4板) 12により円偏光とした後、偏
光ビームスプリッタ−13により一方向の偏光のみを取
り出し、恒温槽14内に収容した液晶セル1に入射する
。この結果発生した波長0.532aの透過2次高調波
を基本波吸収フィルタI5及び分光器16により基本波
より分離した後、光電子倍増管17及びデジタルオシロ
スコープ1Bによりその強度を測定する。
液晶化合物として第1表に示すものを用い、恒温槽14
内に収容した液晶セル1の液晶化合物を等方性液体及び
固体とした状態で測定を行なった。
内に収容した液晶セル1の液晶化合物を等方性液体及び
固体とした状態で測定を行なった。
液晶化合物を等方性液体から冷却して固体状態にする際
、30vの電圧を印加した。
、30vの電圧を印加した。
第1表に各液晶化合物を用いた場合の2次高調波の強度
を示す。第1表の2次高調波強度は、同一強度の基本波
を厚さ1 mmのYカット水晶板へ入射した際に得られ
た2次高調波の強度に対する相対比である。
を示す。第1表の2次高調波強度は、同一強度の基本波
を厚さ1 mmのYカット水晶板へ入射した際に得られ
た2次高調波の強度に対する相対比である。
第1表から明らかなように、液晶化合物が等方性液体の
状態では2次高調波の強度は0であるのに対し、セル内
部で液晶化合物を等方性液体から室温まで冷却して固体
状態とした場合には2次高調波の強度が増加している。
状態では2次高調波の強度は0であるのに対し、セル内
部で液晶化合物を等方性液体から室温まで冷却して固体
状態とした場合には2次高調波の強度が増加している。
また、比較のために、各液晶化合物の粉末状態での2次
高調波の強度を測定したところ、0又は極めて低い値で
あった。
高調波の強度を測定したところ、0又は極めて低い値で
あった。
これらの結果から、2次高調波の強度を増加させるには
、液晶化合物を等方性液体から室温まで冷却した固体状
態が適していることがわかる。
、液晶化合物を等方性液体から室温まで冷却した固体状
態が適していることがわかる。
[発明の効果〕
以上詳述したように本発明方法を用いれば、大面積で大
きな2次高調波が得られる非線形光学素子を、容易に、
かつ再現性よ(製造することができる。
きな2次高調波が得られる非線形光学素子を、容易に、
かつ再現性よ(製造することができる。
第1図(a>は本発明の実施例において非線形光学素子
として作製された液晶セルの断面図、同図(b)は同図
(a)の平面図、第2図は本発明の実施例において用い
られた2次高調波の測定装置を示す概略構成図である。 1・・・液晶セル、2・・・ガラス基板、3・・・IT
O膜、4・・・ポリイミド膜、5・・・シール材、6・
・・スペーサ、11・・・YAGレーザ−,12・・・
円偏光板(λ/4板)、13・・・偏光ビームスプリッ
タ−14・・・恒温槽、15・・・基本波吸収フィルタ
、1B・・・分光器、17・・・光電子倍増管、18・
・・デジタルオシロスコープ。
として作製された液晶セルの断面図、同図(b)は同図
(a)の平面図、第2図は本発明の実施例において用い
られた2次高調波の測定装置を示す概略構成図である。 1・・・液晶セル、2・・・ガラス基板、3・・・IT
O膜、4・・・ポリイミド膜、5・・・シール材、6・
・・スペーサ、11・・・YAGレーザ−,12・・・
円偏光板(λ/4板)、13・・・偏光ビームスプリッ
タ−14・・・恒温槽、15・・・基本波吸収フィルタ
、1B・・・分光器、17・・・光電子倍増管、18・
・・デジタルオシロスコープ。
Claims (1)
- ピリミジン構造、ピリダジン構造、ピラジン構造、テト
ラジン構造、フルオレン構造、フルオレノン構造、又は
フェニルシクロヘキサン構造を有し、室温以上で液晶層
を形成する液晶化合物を液晶相への転移温度以上に加熱
して、1対の配向処理した透明基板の間隙に注入した後
、前記透明基板に設けられた透明電極を通じて前記液晶
化合物に電場を印加しつつ室温まで冷却し、前記液晶化
合物を配向した固体状態にすることを特徴とする非線形
光学素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24816789A JPH03110527A (ja) | 1989-09-26 | 1989-09-26 | 非線形光学素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24816789A JPH03110527A (ja) | 1989-09-26 | 1989-09-26 | 非線形光学素子の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03110527A true JPH03110527A (ja) | 1991-05-10 |
Family
ID=17174214
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP24816789A Pending JPH03110527A (ja) | 1989-09-26 | 1989-09-26 | 非線形光学素子の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03110527A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11619858B2 (en) | 2018-09-19 | 2023-04-04 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Optical device and optical detection system |
US11977314B2 (en) | 2019-04-25 | 2024-05-07 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Optical device, photodetection system, and method for manufacturing the same |
-
1989
- 1989-09-26 JP JP24816789A patent/JPH03110527A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11619858B2 (en) | 2018-09-19 | 2023-04-04 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Optical device and optical detection system |
US11977314B2 (en) | 2019-04-25 | 2024-05-07 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Optical device, photodetection system, and method for manufacturing the same |
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