JPS6147930A - 液晶電気光学装置 - Google Patents
液晶電気光学装置Info
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- JPS6147930A JPS6147930A JP16888284A JP16888284A JPS6147930A JP S6147930 A JPS6147930 A JP S6147930A JP 16888284 A JP16888284 A JP 16888284A JP 16888284 A JP16888284 A JP 16888284A JP S6147930 A JPS6147930 A JP S6147930A
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- phase
- optical device
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、強誘電性液晶を用いた、表示装置、光シヤツ
ター装置等の液晶電気光学装置に関するものである。
ター装置等の液晶電気光学装置に関するものである。
ネマチック液晶を用いた表示装置は、消費電力が少ない
とと、駆動電圧が小さいこと、薄く小型にできることな
どの利点をもち、電卓、時計その他機々な用途に多く用
いられている。しかし、その電気光学的応答は遅く、高
速応#を必要とする分野、例えば光通信、プリンターヘ
ッド等の光シヤツター装置への応用は制限されてきた。
とと、駆動電圧が小さいこと、薄く小型にできることな
どの利点をもち、電卓、時計その他機々な用途に多く用
いられている。しかし、その電気光学的応答は遅く、高
速応#を必要とする分野、例えば光通信、プリンターヘ
ッド等の光シヤツター装置への応用は制限されてきた。
最近、強誘電性液晶を用いた、電気光学装置の報告がな
された。(例えば、N、 A、 01ark、B、 T
。
された。(例えば、N、 A、 01ark、B、 T
。
Lagerwall、 Appl、 Phya、 La
tt、 56 、p、 899.(1980):これは
、液晶がカイラルスメクチックC相及びH相において、
強誘電性を示すことを利用したものである。これらの相
において、液晶分子は層構造を外し、その分子長軸方向
は、層垂直方向に対しある一定角度だけ傾いている。こ
の分子に垂直で、かつ層平面に含まれる方向に自発分極
をもち、外部から印加された電界の方向に対し、自発分
極の方向をそろえようとすることで、分子の向きが変わ
シ、光学的な変化がおきる。その電気光学的応答は、従
来の液晶装置の応答に比較して、10〜1000倍速い
ものであシ、高速光シャッター装置への応用が可能であ
る。また、電界に対して、双安定性をもたせることも可
能であることから、大型の表示装置への応用が可能であ
る。
tt、 56 、p、 899.(1980):これは
、液晶がカイラルスメクチックC相及びH相において、
強誘電性を示すことを利用したものである。これらの相
において、液晶分子は層構造を外し、その分子長軸方向
は、層垂直方向に対しある一定角度だけ傾いている。こ
の分子に垂直で、かつ層平面に含まれる方向に自発分極
をもち、外部から印加された電界の方向に対し、自発分
極の方向をそろえようとすることで、分子の向きが変わ
シ、光学的な変化がおきる。その電気光学的応答は、従
来の液晶装置の応答に比較して、10〜1000倍速い
ものであシ、高速光シャッター装置への応用が可能であ
る。また、電界に対して、双安定性をもたせることも可
能であることから、大型の表示装置への応用が可能であ
る。
しかしながら、これらの装置を作るには、液晶が均一に
配向したセルを作成する必要があるが、スメクチック液
晶は配向制御が・ネマチック液晶に比べ難しく、実用化
をはばむ原因の一つになっている。従来、強誘電性液晶
を配向させる手段としては、次のような方法がある。
配向したセルを作成する必要があるが、スメクチック液
晶は配向制御が・ネマチック液晶に比べ難しく、実用化
をはばむ原因の一つになっている。従来、強誘電性液晶
を配向させる手段としては、次のような方法がある。
(1)、強力な磁場を印加しつつ、等方相より冷却する
。
。
(2)、セルを構成する2枚の基板を、ずらす方向に微
小に撮動させる。
小に撮動させる。
(3)、配向制御膜を形成し、等方相より除冷する。
(1)の方法は、強力な磁場を発生させるのく大きな装
置が必要であシ、また1011tn以下のセル厚におい
ては配向制御が難しい。(2)についても振動を与える
ための装置を必要とし、またセルのシール方法など、解
決すべき問題点が多く残っている。(3)の方法に関し
ては、最も実用的な方法ではちるが、液晶の温度コント
ロールを厳密に行なわなければならず、セルを一定温度
に保つ装置が必要であ)、また除冷に時間がかかるとい
う欠点がある。
置が必要であシ、また1011tn以下のセル厚におい
ては配向制御が難しい。(2)についても振動を与える
ための装置を必要とし、またセルのシール方法など、解
決すべき問題点が多く残っている。(3)の方法に関し
ては、最も実用的な方法ではちるが、液晶の温度コント
ロールを厳密に行なわなければならず、セルを一定温度
に保つ装置が必要であ)、また除冷に時間がかかるとい
う欠点がある。
このように、従来の強誘電性スメクチック液晶の配向制
御方法を用いる電気光学装置は、セルの周辺部に配向制
御を行うための装置を必要とするため、液晶装置のもつ
小型であるという利点がなくなってしまう。
御方法を用いる電気光学装置は、セルの周辺部に配向制
御を行うための装置を必要とするため、液晶装置のもつ
小型であるという利点がなくなってしまう。
本発明は、上記のような従来のものの欠点を除去するた
め罠なされたもので、配向制御処理をほどこした2枚の
電極付基板間にスメクチック0相を有する強誘電性液晶
層を保持した液晶電気光学装置において、液晶層に初期
配向を与えるにらた〕、該液晶層をスメクチックC相の
上限温度に近す温度範囲に保持し、直流バイアス電圧を
有する電界を印加することにより、液晶層に初期配向を
与えることを特徴とする液晶電気光学装置を提供するも
のである。
め罠なされたもので、配向制御処理をほどこした2枚の
電極付基板間にスメクチック0相を有する強誘電性液晶
層を保持した液晶電気光学装置において、液晶層に初期
配向を与えるにらた〕、該液晶層をスメクチックC相の
上限温度に近す温度範囲に保持し、直流バイアス電圧を
有する電界を印加することにより、液晶層に初期配向を
与えることを特徴とする液晶電気光学装置を提供するも
のである。
第1図は、本発明の基本的な液晶電気光学装置の断面図
である。2枚の透明基板(1a)、(1))の表面に1
それぞれ透明な導電膜(2a)、(2b)と配向制御膜
C3tL)、(311)を形成する。
である。2枚の透明基板(1a)、(1))の表面に1
それぞれ透明な導電膜(2a)、(2b)と配向制御膜
C3tL)、(311)を形成する。
導電膜(2a)、(2b)は、基板間に保持された、液
晶層(4)に電界を印加するための電極であシ、配向を
整える目的と、電気光学的応答を生じさせる目的で設け
られているもので、工nzos か、5nO1等から
なシ、所定のパターンに形成されている。
\配向制御膜(5a) 、(311
)は、液晶を水平配向させるものであり、代表的なもの
としては、有機高分子膜、特にポリイミド系高分子膜を
形成し、布で一定方向にラビングしたものが好ましいが
、その他、EIiO等の斜め蒸着膜も有効であシまたオ
ーバーコート膜を形成せずに、直接、導電膜(2a)
、(2b)をラビングして配向制御膜を形成してもよい
。すなわち、ネマチック液晶を水平配向させる手段は、
本発明にも有効である。
晶層(4)に電界を印加するための電極であシ、配向を
整える目的と、電気光学的応答を生じさせる目的で設け
られているもので、工nzos か、5nO1等から
なシ、所定のパターンに形成されている。
\配向制御膜(5a) 、(311
)は、液晶を水平配向させるものであり、代表的なもの
としては、有機高分子膜、特にポリイミド系高分子膜を
形成し、布で一定方向にラビングしたものが好ましいが
、その他、EIiO等の斜め蒸着膜も有効であシまたオ
ーバーコート膜を形成せずに、直接、導電膜(2a)
、(2b)をラビングして配向制御膜を形成してもよい
。すなわち、ネマチック液晶を水平配向させる手段は、
本発明にも有効である。
このような配向処理を行ったのち、該基板が平行、かつ
一定の間隔で保持されるように、スペーサー、例えば、
有機ビーズ、アルミナ粒子をはさみ、シール剤(5)で
周囲を固定し、セルとする。この際、2枚の基板の配向
制御方向は、お互いに平行になるようKする。
一定の間隔で保持されるように、スペーサー、例えば、
有機ビーズ、アルミナ粒子をはさみ、シール剤(5)で
周囲を固定し、セルとする。この際、2枚の基板の配向
制御方向は、お互いに平行になるようKする。
その後、強誘電性液晶組成物を、コレステリック相、あ
るいは等方相まで加熱し、セルに注入した後、封止する
。セルの外側に2枚の偏光板(6a) 、(6b)を、
その偏光軸がお互いに直交し、かつ一方の偏光軸と基板
の配向制御方向が一致するようK、配置する。基板(1
b)側K、光源(7)を置き、反対側へ光が透過するよ
うにする。
るいは等方相まで加熱し、セルに注入した後、封止する
。セルの外側に2枚の偏光板(6a) 、(6b)を、
その偏光軸がお互いに直交し、かつ一方の偏光軸と基板
の配向制御方向が一致するようK、配置する。基板(1
b)側K、光源(7)を置き、反対側へ光が透過するよ
うにする。
なお、反射型で用いる場合には、偏光板(61))の外
側に反射板を設ければよい。
側に反射板を設ければよい。
該セルを、スメクチック0相まで冷却し、観察すると、
液晶分子は様々な方向を向いていることがわかる。この
セルをこの温度に保持して電極(3,) 、(3b)を
用いて直流バイアス電圧を有する電界を印加する。
液晶分子は様々な方向を向いていることがわかる。この
セルをこの温度に保持して電極(3,) 、(3b)を
用いて直流バイアス電圧を有する電界を印加する。
この直流バイアス電圧を有する電圧としては、単に直流
電圧のみでもよいが、直流と交流とを重畳した電圧を印
加することが、初期配向をとるための温度範囲が広くか
つ低電圧ですむことから好ましい。
電圧のみでもよいが、直流と交流とを重畳した電圧を印
加することが、初期配向をとるための温度範囲が広くか
つ低電圧ですむことから好ましい。
この直流と交流とを重畳する場合、直流と交流の比は5
0:1〜1:1が好ましく、配向欠陥の少ない良い配向
が容易(得られる。
0:1〜1:1が好ましく、配向欠陥の少ない良い配向
が容易(得られる。
また、交流に直流を重畳するのと同様の効果を得る方法
として、交流において正の電界を印加する時間と負の電
界を印加する時間の比(以下、これをデユーティ−と呼
ぶ)を通常の1=1からはずし、好ましくは9:11〜
1:20とするととKより低電圧又は短時間で良好な配
向を得ることができる。特に、少ない時間で良好な配向
を得るには、2:3〜3:17のデユーティ−の範囲が
特に好ましい。
として、交流において正の電界を印加する時間と負の電
界を印加する時間の比(以下、これをデユーティ−と呼
ぶ)を通常の1=1からはずし、好ましくは9:11〜
1:20とするととKより低電圧又は短時間で良好な配
向を得ることができる。特に、少ない時間で良好な配向
を得るには、2:3〜3:17のデユーティ−の範囲が
特に好ましい。
もちろん、デユーティ−が1=1以外の交流に直流を重
畳させることもできる。仁の交流としてはサイン波、矩
形波、三角波1等種々のものが使用できる。この交流の
周波数は、1にHz以上が好ましい。
畳させることもできる。仁の交流としてはサイン波、矩
形波、三角波1等種々のものが使用できる。この交流の
周波数は、1にHz以上が好ましい。
印加スる電界は、スレシュホールド電圧の2〜100倍
程度であるが、初期配向をとる温度、波形、時間等によ
り変化するので、夫々の液晶に適した範囲に実験的によ
勺定めればよく、又、時間も数十秒から数分程度でよい
。
程度であるが、初期配向をとる温度、波形、時間等によ
り変化するので、夫々の液晶に適した範囲に実験的によ
勺定めればよく、又、時間も数十秒から数分程度でよい
。
この初期配向をとる温度範囲は、スメクチックC相の上
限温度に近い温度範囲であり、特に、スメクチックC相
の上限温度、例えばスメクチック0相−コレステリック
相転位温度、とその温度から10℃低い温度との間の1
0℃の範囲が好ましい。直流電圧のみを印加するときに
は、この温度範囲の中でも高い温度範囲とすることが好
ましい。
限温度に近い温度範囲であり、特に、スメクチックC相
の上限温度、例えばスメクチック0相−コレステリック
相転位温度、とその温度から10℃低い温度との間の1
0℃の範囲が好ましい。直流電圧のみを印加するときに
は、この温度範囲の中でも高い温度範囲とすることが好
ましい。
この初期配向け、液晶セル製造時には必ず必要となるが
、その後は配向がくずれたときのみに必要となシ、具体
的には、液晶の結晶化とか高電圧印加より配向不良を生
じたとき等がある。
、その後は配向がくずれたときのみに必要となシ、具体
的には、液晶の結晶化とか高電圧印加より配向不良を生
じたとき等がある。
使用する液晶に関しては、強誘電性を示す液晶ならば、
本発明は有効であるが、特に、スメクチックC相より高
い温度において、コレステリック相、あるいは、ネマチ
ック相をもつ液晶に対して、良好な配向が得られる。
本発明は有効であるが、特に、スメクチックC相より高
い温度において、コレステリック相、あるいは、ネマチ
ック相をもつ液晶に対して、良好な配向が得られる。
スメクチックC相を有する単体液晶としては次のような
ものがある。
ものがある。
以下の例でH+は不齋炭素又はノ・ロゲンを有するアル
キル基又はアルコキシ基を示し、Rは直鎖アルキル基又
は直鎖アルコキシ基を示し、一つの化合物に同一のR”
、Rが示されていてもそれらは同一の基とは限らない。
キル基又はアルコキシ基を示し、Rは直鎖アルキル基又
は直鎖アルコキシ基を示し、一つの化合物に同一のR”
、Rが示されていてもそれらは同一の基とは限らない。
R”−◎壜−coo−@)−R
R−◎−0H−N−■−CH=OH−Coo−R”R−
O−■−coo−◎−R” R−■−coo−■−R4に ! 又、上述のようなスメクチック0“相を示す液晶に他の
液晶を加えてその特性を改善してもよく、これには公知
の種々の液晶又は非液晶の液晶用添加物が使用でき、例
えば以下のようなものがある。
O−■−coo−◎−R” R−■−coo−■−R4に ! 又、上述のようなスメクチック0“相を示す液晶に他の
液晶を加えてその特性を改善してもよく、これには公知
の種々の液晶又は非液晶の液晶用添加物が使用でき、例
えば以下のようなものがある。
R−# 0OO−◎4
R−i0008R
ReOOO−(@−aoo−)u
R−■(沢000−@xR
本発明では、スメクチック0相を有する液晶化合物の少
なくとも1つと必要に応じて他の液晶化合物又は非液晶
の液晶用添加物を加えた液晶組成物であって、液晶組成
物としてスメクチックC相を示すものであれば使用でき
、上述の化合物は単に例示にしかすぎない。
なくとも1つと必要に応じて他の液晶化合物又は非液晶
の液晶用添加物を加えた液晶組成物であって、液晶組成
物としてスメクチックC相を示すものであれば使用でき
、上述の化合物は単に例示にしかすぎない。
〔作用〕
第2図は、本発明の分子の配向方向、及び電気光学的応
答を説明する説明図であシ、基板(1a)側から見た液
晶分子の配向状態を示す。
答を説明する説明図であシ、基板(1a)側から見た液
晶分子の配向状態を示す。
液晶分子(8)の長辺方向が分子長軸方向を示し、光学
弾性軸と一致する。また、(9)の方向が、基板(1a
)、(1b)の配向制御方向を示す。交流電界のみを印
加した場合には、(a−1)と(1)−2)の2種類の
配向状態の部分が混じシ合ってでき、全体に均一な配向
は得られない。直流バイアスを有する電界、特に交流に
、正の直流電界を重畳させた場合は、電極の部分全体が
均一な配向状態(a−1)Kなシ、交流に負の直流電界
を重畳した場合には、均一な配向状態(1)−2) I
cなる。
弾性軸と一致する。また、(9)の方向が、基板(1a
)、(1b)の配向制御方向を示す。交流電界のみを印
加した場合には、(a−1)と(1)−2)の2種類の
配向状態の部分が混じシ合ってでき、全体に均一な配向
は得られない。直流バイアスを有する電界、特に交流に
、正の直流電界を重畳させた場合は、電極の部分全体が
均一な配向状態(a−1)Kなシ、交流に負の直流電界
を重畳した場合には、均一な配向状態(1)−2) I
cなる。
ここに、正の電界とは、基板(1b)に対し、基板(1
a)の電位が低い場合をいう。また、液晶材料の種類(
よっては、この配向と電界の向きの関係は逆になる。以
上述べたように、直流バイアスを有する電界、特に交流
と直流を重畳させた電界を印加することで、均一な初期
配向が得られる。
a)の電位が低い場合をいう。また、液晶材料の種類(
よっては、この配向と電界の向きの関係は逆になる。以
上述べたように、直流バイアスを有する電界、特に交流
と直流を重畳させた電界を印加することで、均一な初期
配向が得られる。
上記のように、配向を整えたセルに、正負の直流電界を
印加することで、(a−1)から(a−2)へ、(a−
2)から(a−1)へ、または(b−1)から(1)−
2)へ、(b〜2)から(b−1)へ、その電界の向き
に応じて配向が変化する。(a−1)または(b−2)
においては、液晶層の光学弾性軸と二枚の偏光板の偏光
軸のいづれか一方とが直交するため、光が透過しなuo
(a−2)、(b−1)においては、偏光軸と液晶層の
光学弾性軸が一定角度(2θとする)だけ傾むくため、
液晶層の複屈折性忙より、光が透過する。その透過光強
度は、入射光強度t−として、次式で表わされる。
印加することで、(a−1)から(a−2)へ、(a−
2)から(a−1)へ、または(b−1)から(1)−
2)へ、(b〜2)から(b−1)へ、その電界の向き
に応じて配向が変化する。(a−1)または(b−2)
においては、液晶層の光学弾性軸と二枚の偏光板の偏光
軸のいづれか一方とが直交するため、光が透過しなuo
(a−2)、(b−1)においては、偏光軸と液晶層の
光学弾性軸が一定角度(2θとする)だけ傾むくため、
液晶層の複屈折性忙より、光が透過する。その透過光強
度は、入射光強度t−として、次式で表わされる。
ここで、二は液晶の屈折率異方性、dは液晶層の厚さ、
λは入射光の光の波長である。
λは入射光の光の波長である。
実施例1
工nzo1−8nO,の透明電極をパターニングしたガ
ラス基板を透明電極面が相対向するように約3μm径の
アルミナ粒子を面内スペーサーとして散布して、配置し
、周辺をシールしてセルとした。
ラス基板を透明電極面が相対向するように約3μm径の
アルミナ粒子を面内スペーサーとして散布して、配置し
、周辺をシールしてセルとした。
このセル内に、第1表記載のスメクチックC相を示す液
晶組成物をそのスメクチックC相−コレステリック相転
移温度(以下転移温度という)である6F16℃よりも
高い温度である150℃に加熱し、注入し、注入口をエ
ポキシ樹脂で封止した。
晶組成物をそのスメクチックC相−コレステリック相転
移温度(以下転移温度という)である6F16℃よりも
高い温度である150℃に加熱し、注入し、注入口をエ
ポキシ樹脂で封止した。
次いで、セルの温度を転移温度以下の67℃に保持して
、75vの直流電界を1分間印加したところ、良好な配
向が得られた。
、75vの直流電界を1分間印加したところ、良好な配
向が得られた。
実施例2
実施例1で用いたと同一のセルを用い、セルの温度を転
移温度以下の63℃に保持して、50’710′KF1
gの交流に5vの直流を重畳させた電界を30秒間印加
したところ、良好な配向が得られた。
移温度以下の63℃に保持して、50’710′KF1
gの交流に5vの直流を重畳させた電界を30秒間印加
したところ、良好な配向が得られた。
第1表
一ブナル基を示す
ElmYl 、 9mYt :カイラル・スメクチック
C相以外のスメクチック相 SmO” :カイラル・スメクチックC相Ch:コレス
テリック相 工 :等方性液体相 実施例3 実施例1で用いたものと同一のセルを用い、セルの温度
を転移温度以下の63℃に保ち、50v110■z1デ
ユーティ−1:4の方形波を10秒印加したところ、良
好な配向が得られた。
C相以外のスメクチック相 SmO” :カイラル・スメクチックC相Ch:コレス
テリック相 工 :等方性液体相 実施例3 実施例1で用いたものと同一のセルを用い、セルの温度
を転移温度以下の63℃に保ち、50v110■z1デ
ユーティ−1:4の方形波を10秒印加したところ、良
好な配向が得られた。
第3、i4図に、実施例2によって初期配向をとった第
1図の構成のセルの電気光学特性を示す。温度を50℃
に保ち、光源にはハロゲン・ランプを用い、透過光強度
をフォトマルで測定した。
1図の構成のセルの電気光学特性を示す。温度を50℃
に保ち、光源にはハロゲン・ランプを用い、透過光強度
をフォトマルで測定した。
第3図は、207,0.1Hzの三角波を印加し、セル
の透過光強度の電圧変化を示したものである。Ov以下
では、配向け(a−1)の状態であり、光はほとんど透
過しない。またto’7以上では(a−2)の状態でち
ゃ、光は透過する。コントラストは、20以上と非常に
よい。また、5〜8Vにおいては、−20vから電圧を
上げた場合と、+20Vから電圧を下げていった場合で
、2つの安定な状態があり、仁のメモリー効果を利用し
て、大型表示装置に用いることができる。
の透過光強度の電圧変化を示したものである。Ov以下
では、配向け(a−1)の状態であり、光はほとんど透
過しない。またto’7以上では(a−2)の状態でち
ゃ、光は透過する。コントラストは、20以上と非常に
よい。また、5〜8Vにおいては、−20vから電圧を
上げた場合と、+20Vから電圧を下げていった場合で
、2つの安定な状態があり、仁のメモリー効果を利用し
て、大型表示装置に用いることができる。
第4図は、10V、 100Hzの矩形波を印加した
場合の透過光強度の時間変化を示した図である。+10
’7から−107へ電圧が変化した場合は、約(L 5
g5ec、 −107から+1ovへ電圧が変化した場
合は約2m5ec と高速で応答している。
場合の透過光強度の時間変化を示した図である。+10
’7から−107へ電圧が変化した場合は、約(L 5
g5ec、 −107から+1ovへ電圧が変化した場
合は約2m5ec と高速で応答している。
なお、上記実施例においては、電極部以外の背景部に関
しては、配向が整わず、光の半透過状態となる。これが
表示品位の低下等をひきおこす場合は、背景部に合わせ
た遮光マスクを設ければよい。
しては、配向が整わず、光の半透過状態となる。これが
表示品位の低下等をひきおこす場合は、背景部に合わせ
た遮光マスクを設ければよい。
また、上記実施例においては、配向を整えるための電極
と、電気光学的応答を生じさせる電極とを同一のものと
したが、それぞれ別パターンにし、絶縁層を間にはさみ
、−Fi7jV(JL #−Lもよい。
と、電気光学的応答を生じさせる電極とを同一のものと
したが、それぞれ別パターンにし、絶縁層を間にはさみ
、−Fi7jV(JL #−Lもよい。
また、液晶層の温度を上昇させる手段としては、外部か
らヒーターで暖めてもよいが、セル内部又は外部の電極
に、電流を流し、直接加熱すればより簡単な装置となる
。
らヒーターで暖めてもよいが、セル内部又は外部の電極
に、電流を流し、直接加熱すればより簡単な装置となる
。
以上、原理は透過型について述べたが、上部に光源を置
き、下部に反射板を置いた反射型でもよく、聾た、強誘
電性液晶く二色性色素を混合し、光の吸収率の変化を利
用する型の装置にも、本発明は有用である。
き、下部に反射板を置いた反射型でもよく、聾た、強誘
電性液晶く二色性色素を混合し、光の吸収率の変化を利
用する型の装置にも、本発明は有用である。
以上、述べたように、本発明によれば、強誘電性液晶の
良好な配向が簡単に得られるため、コントラストが高く
、メモリー作用もある安価で小型の高速応答液晶電気光
学装置が得られる。
良好な配向が簡単に得られるため、コントラストが高く
、メモリー作用もある安価で小型の高速応答液晶電気光
学装置が得られる。
第1図は、この発明の基本構成を示す断面図、第2図は
、実施例の液晶層における電圧印加の影響の説明図、第
5図及び第4図は、実施例の電気光学特性を示す図であ
る。 1ζ11・・・基板、2へ2b・・・導電膜、3へ3b
・・・配向制御膜、4・・・液晶、5・・・シール剤、
6a、 6b・・・偏光板、7・・・光源、8・・・液
晶分子、集 1 図 箭2図 (b−11(b−21
、実施例の液晶層における電圧印加の影響の説明図、第
5図及び第4図は、実施例の電気光学特性を示す図であ
る。 1ζ11・・・基板、2へ2b・・・導電膜、3へ3b
・・・配向制御膜、4・・・液晶、5・・・シール剤、
6a、 6b・・・偏光板、7・・・光源、8・・・液
晶分子、集 1 図 箭2図 (b−11(b−21
Claims (9)
- (1)配向制御処理をほどこした2枚の電極付基板間に
スメクチツクC相を有する強誘電性液晶層を保持した液
晶電気光学装置において、液晶層に初期配向を与えるに
あたり、該液晶層をスメクチツクC相の上限温度に近い
温度範囲に保持し、直流バイアス電圧を有する電界を印
加することにより、液晶層に初期配向を与えることを特
徴とする液晶電気光学装置。 - (2)直流バイアス電圧を有する電界が、交流に直流を
重畳したものであり、交流電圧と直流電圧の比が50:
1〜1:1である特許請求の範囲第1項記載の液晶電気
光学装置。 - (3)直流バイアス電圧を有する電界が、交流において
正の電圧を印加する時間と負の電圧を印加する時間の比
であるデューティが9:11より大きく1:20以下の
範囲にある特許請求の範囲第1項又は第2項記載の液晶
電気光学装置。 - (4)デューティが2:5〜3:17である特許請求の
範囲第5項記載の液晶電気光学装置。 - (5)上限温度に近い温度範囲が、スメクチツクC相の
上限温度より低くかつその上限温度から10℃低い温度
以上の温度である特許請求の範囲第1項記載の液晶電気
光学装置。 - (6)前記配向制御処理として、有機高分子膜を形成し
、ラビングすることとした、特許請求範囲第1項記載の
液晶電気光学装置。 - (7)前記液晶層の温度を上昇させる手段を備え、該液
晶層の温度を強誘電性を示す上限温度近くまで上昇させ
た後、前記電界を印加し、配向を整えることを特徴とす
る特許請求範囲第1項記載の液晶電気光学装置。 - (8)前記交流の周波数が、1KHz以上であることを
特徴とする特許請求範囲第1項ないし第7項のいずれか
一項記載の液晶電気光学装置。 - (9)前記液晶層が、カイラルスメクチツクC相を示し
、かつその上の温度においてコレステリツク相を示す液
晶からなることを特徴とする特許請求範囲第1項記載の
液晶電気光学装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16888284A JPS6147930A (ja) | 1984-08-14 | 1984-08-14 | 液晶電気光学装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16888284A JPS6147930A (ja) | 1984-08-14 | 1984-08-14 | 液晶電気光学装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6147930A true JPS6147930A (ja) | 1986-03-08 |
Family
ID=15876308
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP16888284A Pending JPS6147930A (ja) | 1984-08-14 | 1984-08-14 | 液晶電気光学装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6147930A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62112129A (ja) * | 1985-10-28 | 1987-05-23 | アメリカン テレフオン アンド テレグラフ カムパニ− | フエロ電気結晶光学デバイスとその製作方法 |
JPS6377019A (ja) * | 1986-09-20 | 1988-04-07 | Canon Inc | 強誘電性液晶素子 |
JPS6484223A (en) * | 1987-09-28 | 1989-03-29 | Toppan Printing Co Ltd | Method for orientating liquid crystal display element |
JPH04136914A (ja) * | 1990-09-28 | 1992-05-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 強誘電性液晶パネル |
JPH04181919A (ja) * | 1990-11-16 | 1992-06-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 強誘電性液晶パネル |
JPH06220847A (ja) * | 1992-08-26 | 1994-08-09 | Kume Sekkei:Kk | 場所打ちプレストレストコンクリート杭及びその構築工法 |
-
1984
- 1984-08-14 JP JP16888284A patent/JPS6147930A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62112129A (ja) * | 1985-10-28 | 1987-05-23 | アメリカン テレフオン アンド テレグラフ カムパニ− | フエロ電気結晶光学デバイスとその製作方法 |
JPS6377019A (ja) * | 1986-09-20 | 1988-04-07 | Canon Inc | 強誘電性液晶素子 |
JPS6484223A (en) * | 1987-09-28 | 1989-03-29 | Toppan Printing Co Ltd | Method for orientating liquid crystal display element |
JPH04136914A (ja) * | 1990-09-28 | 1992-05-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 強誘電性液晶パネル |
JPH04181919A (ja) * | 1990-11-16 | 1992-06-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 強誘電性液晶パネル |
JPH06220847A (ja) * | 1992-08-26 | 1994-08-09 | Kume Sekkei:Kk | 場所打ちプレストレストコンクリート杭及びその構築工法 |
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