JPH0225577A - 薄膜形成装置 - Google Patents
薄膜形成装置Info
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- JPH0225577A JPH0225577A JP63175231A JP17523188A JPH0225577A JP H0225577 A JPH0225577 A JP H0225577A JP 63175231 A JP63175231 A JP 63175231A JP 17523188 A JP17523188 A JP 17523188A JP H0225577 A JPH0225577 A JP H0225577A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は半導体装置の製造等に用いる薄膜形成装置に
関するものである。
関するものである。
第２図は例えば特願昭６２−１６４５９号に示された従
来のプラズマガス励起による気相化学反応薄膜形成装置
の概略断面図である。図において、１は被加工基板、２
は被加工基板１を所定の温度比加熱し、かつ多動する移
動加熱機構、３はこれらを収容する反応室、４は被加工
基板１の表面に形成されるＦ：４ Ｈ＠の成分を含む例
えばシリコンであればシランガス等の第１のガス（以下
、材料ガスという）Ｇ１を反応室３内へ供給する材料ガ
ス給気部、５はプラズマ発生部で、例えばＮｚ、Ｏｘ等
の第２のガスＧｔを通すと、通過後の第２のガスＧ２は
プラズマ状に変わる。６は上記プラズマ発生部５でプラ
ズマ化した第２のガスＧ２を導くプラズマガス導管、７
はこのプラズマガス導管６によって導かれる第２のガス
Ｇ２を反応室３内に供給するプラズマガス給気部、８は
反応生成ガスを排気する排気部、９は被加工基板１およ
び移動加熱機構２に対向する電極で、この電極９と被加
工基板ｌおよび移動加熱機構２とにより材料ガス給気部
４およびプラズマガス給気部７から供給される材料ガス
Ｇ、および第２のガスＧ、の通路を形成する。１０は電
極９に接続された電源、１１は移動加熱機構２に接続さ
れた接地線であり、電極９と移動加熱機構２表面との間
に任意の電圧がかかるようになっている。なお、反応室
３は材料ガス給気部４から見た間口方向に長く、よって
被加工基板ｌを横方向掃引することにより大面積の被加
工基板ｌに膜が形成できるようになっている。
来のプラズマガス励起による気相化学反応薄膜形成装置
の概略断面図である。図において、１は被加工基板、２
は被加工基板１を所定の温度比加熱し、かつ多動する移
動加熱機構、３はこれらを収容する反応室、４は被加工
基板１の表面に形成されるＦ：４ Ｈ＠の成分を含む例
えばシリコンであればシランガス等の第１のガス（以下
、材料ガスという）Ｇ１を反応室３内へ供給する材料ガ
ス給気部、５はプラズマ発生部で、例えばＮｚ、Ｏｘ等
の第２のガスＧｔを通すと、通過後の第２のガスＧ２は
プラズマ状に変わる。６は上記プラズマ発生部５でプラ
ズマ化した第２のガスＧ２を導くプラズマガス導管、７
はこのプラズマガス導管６によって導かれる第２のガス
Ｇ２を反応室３内に供給するプラズマガス給気部、８は
反応生成ガスを排気する排気部、９は被加工基板１およ
び移動加熱機構２に対向する電極で、この電極９と被加
工基板ｌおよび移動加熱機構２とにより材料ガス給気部
４およびプラズマガス給気部７から供給される材料ガス
Ｇ、および第２のガスＧ、の通路を形成する。１０は電
極９に接続された電源、１１は移動加熱機構２に接続さ
れた接地線であり、電極９と移動加熱機構２表面との間
に任意の電圧がかかるようになっている。なお、反応室
３は材料ガス給気部４から見た間口方向に長く、よって
被加工基板ｌを横方向掃引することにより大面積の被加
工基板ｌに膜が形成できるようになっている。
次に窒化膜の形成動作について説明する。被加工基板１
を移動加熱機構２で所定の温度（例えば３００℃）に加
熱保持し、第２のガスＧ２であるＮ！ガスをプラズマ発
生部５を通し、プラズマ化して整流し、プラズマガス給
気部７から均一化したプラズマガスを導入すると共に材
料ガスＧＩであるシランを材料ガス給気部４から導入す
る０反応室３内ではＮ！ガスとシランとが混合し、反応
が起こり、被加工基板１の表面には窒化硅素の薄膜が形
成される０反応室３内の圧力は所定の圧力（例えばＩＴ
ｏｒｒ程度）に保持されるようにＮ。
を移動加熱機構２で所定の温度（例えば３００℃）に加
熱保持し、第２のガスＧ２であるＮ！ガスをプラズマ発
生部５を通し、プラズマ化して整流し、プラズマガス給
気部７から均一化したプラズマガスを導入すると共に材
料ガスＧＩであるシランを材料ガス給気部４から導入す
る０反応室３内ではＮ！ガスとシランとが混合し、反応
が起こり、被加工基板１の表面には窒化硅素の薄膜が形
成される０反応室３内の圧力は所定の圧力（例えばＩＴ
ｏｒｒ程度）に保持されるようにＮ。
ガスやシランの混合ガスや反応生成物を排気部８から排
気する。上記の状態を所定時間続けると必要膜厚の窒化
硅素の薄膜を被加工基板１の表面に形成することができ
る。
気する。上記の状態を所定時間続けると必要膜厚の窒化
硅素の薄膜を被加工基板１の表面に形成することができ
る。
さらに、第２図に示す矢印Ａ、Ｂはガス粒子の流れ方向
を表したもので、成膜時、電極９と移動加熱機構２との
間に電界をかけることにより、イオンは矢印Ｂ方向に電
界加速されて被加工基板１に入射する。これにより、緻
密で被加工基板１との密着性のよい薄膜が形成される。
を表したもので、成膜時、電極９と移動加熱機構２との
間に電界をかけることにより、イオンは矢印Ｂ方向に電
界加速されて被加工基板１に入射する。これにより、緻
密で被加工基板１との密着性のよい薄膜が形成される。
従来の薄膜形成装置は以上のように構成されているので
、プラズマ発生部５から反応室３までプラズマガス導管
６でプラズマ化したガスを輸送しなければならずプラズ
マ粒子のエネルギ損失が大きく、緻密さや密着力が不足
ζ、また反応室３内でプラズマ化したガスを速やかに、
かつ均一に流すことが困難で、大面積の被加工基板１に
均一な膜を高速形成することができないという問題点が
あった。
、プラズマ発生部５から反応室３までプラズマガス導管
６でプラズマ化したガスを輸送しなければならずプラズ
マ粒子のエネルギ損失が大きく、緻密さや密着力が不足
ζ、また反応室３内でプラズマ化したガスを速やかに、
かつ均一に流すことが困難で、大面積の被加工基板１に
均一な膜を高速形成することができないという問題点が
あった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、プラズマ化したガスの輸送中のエネルギ損失
を小さくし、緻密さや密着力の不足を解消し、また反応
室内でのプラズマ化したガスの流れを均一にし、被加工
基板に均一な膜を容易に成膜できる薄膜形成装置を得る
ことを目的とする。
たもので、プラズマ化したガスの輸送中のエネルギ損失
を小さくし、緻密さや密着力の不足を解消し、また反応
室内でのプラズマ化したガスの流れを均一にし、被加工
基板に均一な膜を容易に成膜できる薄膜形成装置を得る
ことを目的とする。
この発明に係る薄膜形成装置は、誘電体よりなる仕切部
と、導電体壁とで形成されたプラズマ発生部と、このプ
ラズマ発生部によりプラズマ化した成膜用反応ガスと材
料ガスとを反応させる反応室との間を綱目状仕切部を介
して連設し、かつ上記プラズマ発生部に供給する成膜用
反応ガスを整流する整流部を設けた構造としたものであ
る。
と、導電体壁とで形成されたプラズマ発生部と、このプ
ラズマ発生部によりプラズマ化した成膜用反応ガスと材
料ガスとを反応させる反応室との間を綱目状仕切部を介
して連設し、かつ上記プラズマ発生部に供給する成膜用
反応ガスを整流する整流部を設けた構造としたものであ
る。
この発明における薄膜形成装置は、プラズマ化した成膜
用反応ガスの輸送中のエネルギ損失が小さくなり、成膜
に必要なラジカル・イオン粒子が反応室内に多く輸送で
きるようにしたので、高速成膜ができる。
用反応ガスの輸送中のエネルギ損失が小さくなり、成膜
に必要なラジカル・イオン粒子が反応室内に多く輸送で
きるようにしたので、高速成膜ができる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図はこの発明の一実施例を示す概略断面図で、第１図に
おいて第２図と同一または均等な構成部分は同一符号を
付して重複説明を省略する。
図はこの発明の一実施例を示す概略断面図で、第１図に
おいて第２図と同一または均等な構成部分は同一符号を
付して重複説明を省略する。
第１図において、１２は成膜用反応ガスをプラズマ化す
るプラズマ発生装置の導波管で、この導波管１２はマイ
クロ波の入口側から出口側に向けて横巾方向が連続的に
拡開して形成されている。
るプラズマ発生装置の導波管で、この導波管１２はマイ
クロ波の入口側から出口側に向けて横巾方向が連続的に
拡開して形成されている。
１３は導波管１２と後述の共振器との間でマイクロ波を
結合させるために設けられた結合口、１４は中広いプラ
ズマを形成させるための共振器で、この共振２：１４は
導波管１２の出口側拡開部と同じ横巾に形成されており
、上記結合口１３を適当に調整することで共振器１４内
の電磁界分布を横巾方向に均一に調整できる。１５は共
振器１４内の電界に垂直に設けられた誘電体よりなる仕
切部、１６はこの仕切部１５に対向し、プラズマより導
電性の高い導電体壁、１７は導波管１２の出口側拡開部
と同じ横巾を有するプラズマ発生部、１日は導電体より
なる網目状仕切部、１９は成膜用反応ガスＧ２の流れを
均一にするための整流部である。
結合させるために設けられた結合口、１４は中広いプラ
ズマを形成させるための共振器で、この共振２：１４は
導波管１２の出口側拡開部と同じ横巾に形成されており
、上記結合口１３を適当に調整することで共振器１４内
の電磁界分布を横巾方向に均一に調整できる。１５は共
振器１４内の電界に垂直に設けられた誘電体よりなる仕
切部、１６はこの仕切部１５に対向し、プラズマより導
電性の高い導電体壁、１７は導波管１２の出口側拡開部
と同じ横巾を有するプラズマ発生部、１日は導電体より
なる網目状仕切部、１９は成膜用反応ガスＧ２の流れを
均一にするための整流部である。
次に動作について説明する。まず、マイクロ波Ｇ、を導
波管１２および結合口１３を介して共振器１４に導入す
る。このため、共振器１４内に導かれたマイクロ波はエ
ネルギが高められ、しかも結合口１３を適宜調節するこ
とで共振器１４内のマイクロ波の電界分布を共振器１４
の横巾方向に均一に調整する。一方、プラズマ発生部１
７で発生するプラズマは入射マイクロ波の電界がプラズ
マ中を貫通して導電体壁１６にまで達するために電界方
向にも均一となり、よって横巾方向にも電界方向にも均
一なプラズマを発生させることが可能となる。したがっ
て、成膜用反応ガスＧｔを矢印方向に流し、この成膜用
反応ガスＧｔの流れを整流部１９で均一となるように整
流し、そののちプラズマ発生部１７により成膜用反応ガ
スＧ！をプラズマ化する。このプラズマ化された成膜用
反応ガスＧ２はマイクロ波を遮断する網目状仕切部１８
を通過し、被加工基板１上に達する。この際、プラズマ
化された成膜用反応ガスＧ！はプラズマ化する前に整流
されているので、整流する必要がなく、また輸送も最小
限の距離でよいので、エネルギ損失はほとんど生じない
、よって、プラズマ化された成膜用反応ガスＧ２を材料
ガス給気部４より供給される材料ガスと反応させること
によりガスの流れが均一化し、さらに被加工基板１の掃
引を行うことにより被加工基板ｌ上に大面積で、かつ均
一な薄膜を高速に形成することになる。さらに、必要に
応じてイオン粒子を電界で加速することにより被加工基
板１に緻密で、密着力の高い薄膜が形成できる。
波管１２および結合口１３を介して共振器１４に導入す
る。このため、共振器１４内に導かれたマイクロ波はエ
ネルギが高められ、しかも結合口１３を適宜調節するこ
とで共振器１４内のマイクロ波の電界分布を共振器１４
の横巾方向に均一に調整する。一方、プラズマ発生部１
７で発生するプラズマは入射マイクロ波の電界がプラズ
マ中を貫通して導電体壁１６にまで達するために電界方
向にも均一となり、よって横巾方向にも電界方向にも均
一なプラズマを発生させることが可能となる。したがっ
て、成膜用反応ガスＧｔを矢印方向に流し、この成膜用
反応ガスＧｔの流れを整流部１９で均一となるように整
流し、そののちプラズマ発生部１７により成膜用反応ガ
スＧ！をプラズマ化する。このプラズマ化された成膜用
反応ガスＧ２はマイクロ波を遮断する網目状仕切部１８
を通過し、被加工基板１上に達する。この際、プラズマ
化された成膜用反応ガスＧ！はプラズマ化する前に整流
されているので、整流する必要がなく、また輸送も最小
限の距離でよいので、エネルギ損失はほとんど生じない
、よって、プラズマ化された成膜用反応ガスＧ２を材料
ガス給気部４より供給される材料ガスと反応させること
によりガスの流れが均一化し、さらに被加工基板１の掃
引を行うことにより被加工基板ｌ上に大面積で、かつ均
一な薄膜を高速に形成することになる。さらに、必要に
応じてイオン粒子を電界で加速することにより被加工基
板１に緻密で、密着力の高い薄膜が形成できる。
以上のように、この発明によれば、薄膜形成装置をプラ
ズマ発生部と反応室との間の輸送部をなくし、成膜用反
応ガスを整流したのちプラズマ化するように構成したの
で、成膜用反応ガスのエネルギ損失が小さくなり、成膜
に必要なラジカル・イオン粒子が反応室内に多く輸送で
き、高速成膜でき、さらにイオン粒子の増加により、電
界で加速され被加工基板に高速で衝突することによる膜
の緻密さや密着力の向上が図れ、またプラズマ化したガ
スを幅広のまま反応室内へ輸送する構造としたので、ガ
スの流れの均一化が容易となり、大面積での膜厚の均一
化が容易に得られるという効果もある。
ズマ発生部と反応室との間の輸送部をなくし、成膜用反
応ガスを整流したのちプラズマ化するように構成したの
で、成膜用反応ガスのエネルギ損失が小さくなり、成膜
に必要なラジカル・イオン粒子が反応室内に多く輸送で
き、高速成膜でき、さらにイオン粒子の増加により、電
界で加速され被加工基板に高速で衝突することによる膜
の緻密さや密着力の向上が図れ、またプラズマ化したガ
スを幅広のまま反応室内へ輸送する構造としたので、ガ
スの流れの均一化が容易となり、大面積での膜厚の均一
化が容易に得られるという効果もある。
第１図はこの発明の一実施例による薄膜形成装置を示す
概略構成図、第２図は従来の薄膜形成装置の一例を示す
概略構成図である。 図において、１は被加工基板、３は反応室、１４は共振
器、１５は誘電体からなる仕切部、１６は導電体壁、１
７はプラズマ発生部、１８は網目状仕切部、１９は整流
部である。 なお、図中、同一符号は同一、または相当部分を示す。 １；複局ｘ”４板 ３：反に室 １４−失榎番 １７： プフス゛マを？を卸 １８：沓ｍｕこイ±＋７Ｊ部 １９：整庚綽 Ｇ１；材零キカ°ス Ｇ２：ｒｚのがλ Ｇ３：マイフロ５皮 手続補正書（自発） ２１発明の名称 薄膜形成装置 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号名
称 （６０Ｉ）三菱電機株式会社代表者 志岐守哉 ４、代理人 住所 郵便番号 １０５ 東京都港区西新橋１丁目４番１０号 ５、補正の対象 （１）明細書の特許請求の範囲の欄 （２）明細書の発明の詳細な説明の欄 （３）図 面 ６、補正の内容 （１）別紙の通り特許請求の範囲を補正する。 （２）明細書第２頁第５行に「加熱し、かつ移動する移
動加熱機構、」とあるのを［加熱する加熱機構、」と補
正する。 （３）明細書第２頁第１６行から第３頁第８行に「８は
反応生成ガスを・・・・・・膜が形成できるようになっ
ている。」とあるのを「８は反応生成ガスを排気する排
気部である。」と補正する。 （４）明細書第３頁第１２行から同頁第１５行に「プラ
ズマ化して整流し、・・・・・・４から導入する、」と
あるのを「プラズマ化し、プラズマガス給気部７からプ
ラズマガス導管６を介して導入すると共に材料ガスＧ１
であるシランを材料ガス給気部４から導入する。」と補
正する。 （５）明細書第４頁第４行から同頁第９行に［さらに、
第２図に・・・・・・薄膜が形成される。」とあるのを
削除する。 （６）明細書第４頁第１３行に「プラズマ化したガス」
とあるのを［プラズマにより活性化されたガス」と補正
する。 （７）明細書第４頁第１４行に「プラズマ粒子」とある
のを「活性化された反応ガス」と補正する（８）明細書
第４頁第１５行に「、緻密さや密着力が不足し、」とあ
るのを「、つまり失活しゃすく」と補正する。 （９）明細書第４頁第１６行に「プラズマ化したガス」
とあるのを「プラズマにより活性化されたガス」と補正
する。 （ｌＯ）明細書第５頁第１行に「プラズマ化したガス」
とあるのを「プラズマにより活性化されたガス」と補正
する。 （！１）明細書第５頁第２行から同頁第３行に［緻密さ
や密着力の不足を解消し、］とあるのを削除する。 （１２）明細書第５頁第３行から同頁第４行に［プラズ
マ化したガス］とあるのを「プラズマにより活性化され
たガス」と補正する。 （１３）明細書第５頁第４行に「被加工基板」とあるの
をｒ大面積の被加工基板」と補正する。 （１４）明細書第５頁第４行から同頁第５行に「容易に
成膜できる」とあるのを「容易に高速で成膜できる」と
補正する。 （１５）明細書第５頁第９行に「形成されたプラズマ」
とあるのを「形成された形状が一方向に長いプラズマ」
と補正する。 （１６）明細１第５頁第１Ｏ行から同頁１１行に「プラ
ズマ化した」とあるのを「活性化された」と補正する。 （１７）明細書第５頁第１８行に「ラジカル・イオン粒
子が」とあるのを「失活していない成膜用反応ガスを」
と補正する。 （１８）明細書第５頁第１９行に「反応室内に多（」と
あるのを「反応室内に一方向に均一にかつ多くＪと補正
する。 （１９）明細書第５頁第１９行から同頁第２０行に「高
速成膜」とあるのを「高速で均一な大面積成膜」と補正
する。 （２０）明細書第７頁第２行から同頁第３行に「整流部
である。」とあるのを「整流部である。また、２０は被
加工基板ｌに負電位を与えるための直流バイアス電圧源
である。」と補正する。 （２１）明細書第７頁第６行から同頁第７行に「このた
め、・・・・・・高められ、しかも」とあるのを削除す
る。 （２２）明細書第７頁第１９行に１゛ブラズ７化された
」とあるのを「プラズマにより活性化された」と補正す
る。 （２３）明細書第７頁第２４２行に「プラズマ化された
」とあるのを「活性化された」と補正する。 （２４）明細書第８頁第３行に「整流する必要」とある
のを［被加工基板ｌ上に供給する前に整流して一方向の
流れを均一化する必要」と補正する。 （２５）明細書第８頁第８行から同頁第９行に［被加工
基板１の掃引を行う」とあるのを［被加工基板１を一方
向に移動させる」と補正する。 （２６）明細書第８頁第１１行から同頁第１２行に「必
要に応じて１１２７粒子を電界で加速することにより」
とあるのを「必要＆Ｊ応じて直流バイアス電圧源２０に
より八仮に負電位を与え、イオン粒子を電界で引き出し
て加速すると、」と補正する５ （２７）明細書第８頁第１９行から同頁第２０行に「ラ
ジカル・イオン粒子」とあるのを「失活していない反応
ガス」と補正する。 （２８）明細書第５頁第１９から同頁第３行に［さらに
イオン粒子の・・・・・・向上が図れ、１とあるのを削
除する、 （２９）明細書第９頁第３行から同頁第４行に「プラズ
マ化したガス」とあるのを［プラズマにより活性化され
たガス］と補正する７ （３０）明細書第９頁第６行から同頁第７行に「効果も
ある。」とあるのを「効果がある７さらに、被加工基板
に負電位を与えてイオン粒子をプラズマから引き出し、
被加工基板に照射すると、膜の緻密さや密着力の向上が
図れるという効果もある７」と補正する。 （３１）別紙の通り第１図を補正する。 ７、添付書類の目録 （１） ？Ｉｉ！正後の特許請求の範囲を記載した書面
１通 （２）補正後の第１図を記載した書面 １ 通以 」
− 補正後の特許請求の範囲 被加工基板を有する反応室内で反応させ、上記被加工基
板の表面に薄膜を形成させるようにした薄膜形成装置に
おいて、共振器中のマイクロ波の電界に垂直に設けられ
た誘電体よりなる仕切部と、この仕切部に対向して設け
られた導電体壁と、整流部により予めｌ玉五可五韮二工
整流された上記成膜用反応ガスを上記仕切部と上記導電
体壁との間で− に いプラズマを生 するプラズマ
発生部と、このプラズマ発生部と上記反応室との間を仕
切る網目状仕切部とを備えたことを特徴とする薄膜形成
装置。
概略構成図、第２図は従来の薄膜形成装置の一例を示す
概略構成図である。 図において、１は被加工基板、３は反応室、１４は共振
器、１５は誘電体からなる仕切部、１６は導電体壁、１
７はプラズマ発生部、１８は網目状仕切部、１９は整流
部である。 なお、図中、同一符号は同一、または相当部分を示す。 １；複局ｘ”４板 ３：反に室 １４−失榎番 １７： プフス゛マを？を卸 １８：沓ｍｕこイ±＋７Ｊ部 １９：整庚綽 Ｇ１；材零キカ°ス Ｇ２：ｒｚのがλ Ｇ３：マイフロ５皮 手続補正書（自発） ２１発明の名称 薄膜形成装置 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号名
称 （６０Ｉ）三菱電機株式会社代表者 志岐守哉 ４、代理人 住所 郵便番号 １０５ 東京都港区西新橋１丁目４番１０号 ５、補正の対象 （１）明細書の特許請求の範囲の欄 （２）明細書の発明の詳細な説明の欄 （３）図 面 ６、補正の内容 （１）別紙の通り特許請求の範囲を補正する。 （２）明細書第２頁第５行に「加熱し、かつ移動する移
動加熱機構、」とあるのを［加熱する加熱機構、」と補
正する。 （３）明細書第２頁第１６行から第３頁第８行に「８は
反応生成ガスを・・・・・・膜が形成できるようになっ
ている。」とあるのを「８は反応生成ガスを排気する排
気部である。」と補正する。 （４）明細書第３頁第１２行から同頁第１５行に「プラ
ズマ化して整流し、・・・・・・４から導入する、」と
あるのを「プラズマ化し、プラズマガス給気部７からプ
ラズマガス導管６を介して導入すると共に材料ガスＧ１
であるシランを材料ガス給気部４から導入する。」と補
正する。 （５）明細書第４頁第４行から同頁第９行に［さらに、
第２図に・・・・・・薄膜が形成される。」とあるのを
削除する。 （６）明細書第４頁第１３行に「プラズマ化したガス」
とあるのを［プラズマにより活性化されたガス」と補正
する。 （７）明細書第４頁第１４行に「プラズマ粒子」とある
のを「活性化された反応ガス」と補正する（８）明細書
第４頁第１５行に「、緻密さや密着力が不足し、」とあ
るのを「、つまり失活しゃすく」と補正する。 （９）明細書第４頁第１６行に「プラズマ化したガス」
とあるのを「プラズマにより活性化されたガス」と補正
する。 （ｌＯ）明細書第５頁第１行に「プラズマ化したガス」
とあるのを「プラズマにより活性化されたガス」と補正
する。 （！１）明細書第５頁第２行から同頁第３行に［緻密さ
や密着力の不足を解消し、］とあるのを削除する。 （１２）明細書第５頁第３行から同頁第４行に［プラズ
マ化したガス］とあるのを「プラズマにより活性化され
たガス」と補正する。 （１３）明細書第５頁第４行に「被加工基板」とあるの
をｒ大面積の被加工基板」と補正する。 （１４）明細書第５頁第４行から同頁第５行に「容易に
成膜できる」とあるのを「容易に高速で成膜できる」と
補正する。 （１５）明細書第５頁第９行に「形成されたプラズマ」
とあるのを「形成された形状が一方向に長いプラズマ」
と補正する。 （１６）明細１第５頁第１Ｏ行から同頁１１行に「プラ
ズマ化した」とあるのを「活性化された」と補正する。 （１７）明細書第５頁第１８行に「ラジカル・イオン粒
子が」とあるのを「失活していない成膜用反応ガスを」
と補正する。 （１８）明細書第５頁第１９行に「反応室内に多（」と
あるのを「反応室内に一方向に均一にかつ多くＪと補正
する。 （１９）明細書第５頁第１９行から同頁第２０行に「高
速成膜」とあるのを「高速で均一な大面積成膜」と補正
する。 （２０）明細書第７頁第２行から同頁第３行に「整流部
である。」とあるのを「整流部である。また、２０は被
加工基板ｌに負電位を与えるための直流バイアス電圧源
である。」と補正する。 （２１）明細書第７頁第６行から同頁第７行に「このた
め、・・・・・・高められ、しかも」とあるのを削除す
る。 （２２）明細書第７頁第１９行に１゛ブラズ７化された
」とあるのを「プラズマにより活性化された」と補正す
る。 （２３）明細書第７頁第２４２行に「プラズマ化された
」とあるのを「活性化された」と補正する。 （２４）明細書第８頁第３行に「整流する必要」とある
のを［被加工基板ｌ上に供給する前に整流して一方向の
流れを均一化する必要」と補正する。 （２５）明細書第８頁第８行から同頁第９行に［被加工
基板１の掃引を行う」とあるのを［被加工基板１を一方
向に移動させる」と補正する。 （２６）明細書第８頁第１１行から同頁第１２行に「必
要に応じて１１２７粒子を電界で加速することにより」
とあるのを「必要＆Ｊ応じて直流バイアス電圧源２０に
より八仮に負電位を与え、イオン粒子を電界で引き出し
て加速すると、」と補正する５ （２７）明細書第８頁第１９行から同頁第２０行に「ラ
ジカル・イオン粒子」とあるのを「失活していない反応
ガス」と補正する。 （２８）明細書第５頁第１９から同頁第３行に［さらに
イオン粒子の・・・・・・向上が図れ、１とあるのを削
除する、 （２９）明細書第９頁第３行から同頁第４行に「プラズ
マ化したガス」とあるのを［プラズマにより活性化され
たガス］と補正する７ （３０）明細書第９頁第６行から同頁第７行に「効果も
ある。」とあるのを「効果がある７さらに、被加工基板
に負電位を与えてイオン粒子をプラズマから引き出し、
被加工基板に照射すると、膜の緻密さや密着力の向上が
図れるという効果もある７」と補正する。 （３１）別紙の通り第１図を補正する。 ７、添付書類の目録 （１） ？Ｉｉ！正後の特許請求の範囲を記載した書面
１通 （２）補正後の第１図を記載した書面 １ 通以 」
− 補正後の特許請求の範囲 被加工基板を有する反応室内で反応させ、上記被加工基
板の表面に薄膜を形成させるようにした薄膜形成装置に
おいて、共振器中のマイクロ波の電界に垂直に設けられ
た誘電体よりなる仕切部と、この仕切部に対向して設け
られた導電体壁と、整流部により予めｌ玉五可五韮二工
整流された上記成膜用反応ガスを上記仕切部と上記導電
体壁との間で− に いプラズマを生 するプラズマ
発生部と、このプラズマ発生部と上記反応室との間を仕
切る網目状仕切部とを備えたことを特徴とする薄膜形成
装置。
Claims (1)
- プラズマ化した成膜用反応ガスと材料ガスとを被加工基
板を有する反応室内で反応させ、上記被加工基板の表面
に薄膜を形成させるようにした薄膜形成装置において、
共振器中のマイクロ波の電界に垂直に設けられた誘電体
よりなる仕切部と、この仕切部に対向して設けられた導
電体壁と、整流部により予め整流された上記成膜用反応
ガスを上記仕切部と上記導電体壁との間でプラズマ化す
るプラズマ発生部と、このプラズマ発生部と上記反応室
との間を仕切る綱目状仕切部とを備えたことを特徴とす
る薄膜形成装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63175231A JPH0225577A (ja) | 1988-07-15 | 1988-07-15 | 薄膜形成装置 |
| GB8913656A GB2220957B (en) | 1988-07-15 | 1989-06-14 | Thin film forming apparatus |
| US07/376,015 US5024182A (en) | 1988-07-15 | 1989-07-06 | Thin film forming apparatus having a gas flow settling device |
| DE3923188A DE3923188A1 (de) | 1988-07-15 | 1989-07-13 | Vorrichtung zur herstellung von duennschichten |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63175231A JPH0225577A (ja) | 1988-07-15 | 1988-07-15 | 薄膜形成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0225577A true JPH0225577A (ja) | 1990-01-29 |
Family
ID=15992561
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63175231A Pending JPH0225577A (ja) | 1988-07-15 | 1988-07-15 | 薄膜形成装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5024182A (ja) |
| JP (1) | JPH0225577A (ja) |
| DE (1) | DE3923188A1 (ja) |
| GB (1) | GB2220957B (ja) |
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